Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Капиллярные явления в кристаллах 4He

Диссертация: Капиллярные явления в кристаллах 4He
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Было обнаружено, что в диапазоне температур 0,5<�Т<0,9К. при не слишком малых углах (кристаллографическая ориентация 0,01 < 9 < 0,1 рад.) профили менисков описываются гиперболическими функциями, что соответствует отсутствию анизотропии поверхностной жесткости. В то же время, в этой области углов был обнаружен линейный по в вклад в поверхностную энергию и измерена температурная зависимость… Читать ещё >

Капиллярные явления в кристаллах 4He (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Постановка задачи
    • 1. 1. Равновесная форма кристалла
    • 1. 2. Энергия вицинальной поверхности
    • 1. 3. Рост грани кристалла
    • 1. 4. Минимизация полной энергии
    • 1. 5. Обзор экспериментальных результатов
    • 1. 6. Экспериментальные данные по поверхностной жесткости 4Не
  • Эксперимент
    • 2. 1. Экспериментальная установка
    • 2. 2. Калибровка и тестирование фотоаппарата
    • 2. 3. Дифракционная картина
    • 2. 4. Ход эксперимента
  • Обработка результатов и обсуждение
    • 3. 1. Обработка фотографий
    • 3. 2. Результаты

Капиллярные явления обычно присущи жидкостям, однако в ряде случаев могут наблюдаться и в кристаллах. Существенным отличием является то, что в кристаллах нет кинетического механизма, обеспечивающего практически бездиссипативный перенос вещества из одного места (скажем, с угла) в другое. И даже у кристалла, находящегося в равновесии с расплавом, конечный кинетический коэффициент роста препятствует образованию равновесной формы, образец растет в тех направлениях, где этот коэффициент больше. Можно ожидать наблюдение капиллярных эффектов в классических кристаллах лишь у микроскопических образцов. Чем их размер меньше, тем больше кривизна поверхности и, следовательно, больше движущая сила, стремящаяся изменить форму кристалла. Кроме того для формирования у малого кристалла поверхности равновесной формы требуется перенести гораздо меньше вещества. И действительно, исследователям удалось наблюдать изменение формы кристалла в сторону равновесия лишь у микроскопических кристаллов парафинов (например, Клия [1]) и металлов (см. например Metois и Heyraud [2]). В ряде случаев наблюдалась огранка (например, Jackson и Miller [3]). Однако надежных доказательств достижения равновесной формы не существует.

Совершенно отдельно стоит кристалл 4Не. У него отсутствует большинство барьеров, связанных с кристаллизацией. Во-первых, благодаря квантовым эффектам, кинетический коэффициент роста кристалла при низких температурах становится аномально большим для всех направлений за исключением нескольких выделенных. Во-вторых, при достаточно низкой температуре кристалл окружен сверхтекучей жидкостью, которая может бездиссипативно переносить массу. И в-третьих, мала теплота кристаллизации. В итоге кристалл 4Не может принять равновесную форму очень быстро, в ряде случаев за времена порядка секунд.

Яркой иллюстрацией капиллярных эффектов в 4Не является наличие кристаллизационных волн — колебаний поверхности кристалла, обусловленных его быстрым ростом и плавлением, в то время как кристаллическая решетка остается неподвижной (Андреев и Паршин [4], Кешишев, Паршин, Бабкин [5, 6]).

Согласно современным теоретическим представлениям, анизотропия поверхностной энергии вицинальных направлений определяется элементарными ступенями и их взаимодействием. Измерение равновесных профилей при таких ориентациях позволяет сделать количественные оценки энергии ступени и энергии взаимодействия ступеней. Исследованию формы менисков кристалла 4Не вблизи грани (0001) посвящена данная диссертация.

Было обнаружено, что в диапазоне температур 0,5<�Т<0,9К. при не слишком малых углах (кристаллографическая ориентация 0,01 < 9 < 0,1 рад.) профили менисков описываются гиперболическими функциями, что соответствует отсутствию анизотропии поверхностной жесткости. В то же время, в этой области углов был обнаружен линейный по в вклад в поверхностную энергию и измерена температурная зависимость коэффициента при этом члене. Кроме того была обнаружена и оценена анизотропия энергии стекло-кристалл 4Не.

Диссертация организована следующим образом. Первая глава посвящена теоретическому рассмотрению равновесной формы кристалла, ее зависимости от температуры. Обсуждены проблемы, связанные с получением равновесной формы. Рассмотрен случай, когда кристалл ограничен с двух сторон наклонными стенками. Также приведен обзор экспериментальных работ, посвященных капиллярным свойствам кристаллов. Во второй главе описана схема и ход эксперимента. Третья глава посвящена обработке и обсуждению полученных результатов, описанию алгоритмов программы обработки изображений.

Основные результаты работы были представлены на научных семинарах ИФП РАН, на 49-й конференции МФТИ (ноябрь 2006), на 34-м совещании по физике низких температур в Сочи (сентябрь 2006), 50-й конференции МФТИ (ноябрь 2007), на международных конференциях (^-2007 в Казани (август 2007), ЬТ-25 в Амстердаме (август 2008), СгуоСоп? егепсе-2008 в Мадриде (сентябрь 2008). Результаты диссертации опубликованы в работах [7, 8, 9].

Основные результаты диссертационной работы заключаются в следующем:

1. Экспериментально получены серии равновесных S-образных профилей мениска кристалла гелия-4 с различными краевыми углами. Показано наличие особенности в зависимости краевого угла от кристаллографической ориентации.

2. Обнаружен линейный по кристаллографической ориентации вклад в поверхностную энергию при не слишком больших углах (от 0,01 рад. до 0,1 рад.), что не имеет теоретического обоснования.

3. Обнаружена и оценена анизотропия энергии границы кристалл-стекло.

4. Измерена энергия ступени на грани (0001) в диапазоне температур от 0,5 до 0,9 К.

Публикации по теме диссертации:

1. К. О. Кешишев, В. Н. Сорокин, Д. Б. Шемятихин. Критическое поведение мениска в кристаллах гелия-4. Письма в ЖЭТФ, т. 85, с. 213— 215 (2007).

2. К. О. Keshishev, D. В. Shemyatikhin, Contact Angle Singularity in 4He Crystals. J. Low Temp. Phys., т. 150, с. 282, (2008).

3. К. О. Кешишев, В. И. Марченко, Д. Б. Шемятихин. Исследование поверхности кристаллов 4Не. ЖЭТФ, т. 143, с. 674 (2013).

Кроме того результаты докладывались на конференциях:

1. 49-я конференция МФТИ, Москва, ноябрь 2006. Доклад: К. О. Кешишев, Д. Б. Шемятихин, Капиллярные явления в кристаллах 4 Не.

2. 34-е совещание по физике низких температур, Сочи, сентябрь 2006. Стендовый доклад: К. О. Кешишев, Д. Б. Шемятихин, Капиллярные явления в кристаллах 4Не.

3. Международная конференция QFS-2007, Казань, август 2007, содокладчик. Доклад: К. О. Кешишев, Д. Б. Шемятихин, Contact Angle Singularity in 4He Crystals.

4. 50-я конференция МФТИ, Москва, ноябрь 2007. Доклад: К. О. Кешишев, Д. Б. Шемятихин, Капиллярные явления в кристаллах 4Не.

5. Международная конференция LT-25, Амстердам, август 2008. Доклад: К. О. Кешишев, Д. Б. Шемятихин, Contact Angle Singularity in 4He Crystals.

6. Международная студенческая конференция CryoConference-2008, Мадрид, сентябрь 2008. Стендовый доклад К. О. Кешишев, Д. Б. Шемятихин, Contact Angle Singularity in 4He Crystals.

В заключение хочу выразить благодарность моему научному руководителю К. О. Кешишеву за повседневное внимание и неоценимый вклад в данную работу, В. И. Марченко за постоянный интерес, проявляемый к работе, за многочисленные обсуждения и советы, Е. Р. Подоляку и А. Я. Паршину за полезные обсуждения и советы.

Показать весь текст

Список литературы

  1. М.О., О механизме преобразования дендритных кристаллов. // Кристаллография, 1, 577 (1956).
  2. Metois J.J. and Heyraud J. С., Mechanisms of morphological change during the establishment of the equilibrium shape- Lead on graphite. //J. of Crystal Growth, 57, 487, (1982).
  3. Jackson K.A., Miller C.E., Experimental observation of the surface roughening transition in vapor phase growth. //J. Crystal Growth, 40, 169 (1977).
  4. Андреев А., Ф., Паршин А. Я., О равновесной форме и колебаниях поверхности квантовых кристаллов // ЖЭТФ, 75, 1511 (1978).
  5. К. О., Паршин А. Я., Бабкин А. В., Экспериментальное обнаружение кристаллизационных волны в 4Не // Письма в ЖЭТФ, 30, 63 (1979).
  6. К. О., Паршин А. Я., Бабкин А. В., Кристаллизационные волны в 4Яе // ЖЭТФ, 80, 716 (1981).
  7. К. О., Сорокин В. Н., Шемятихин Д. Б. Критическое поведение мениска в кристаллах гелия-4- // Письма в ЖЭТФ, 85, 213 (2007).
  8. К. О., Shemyatikhin D.B., Contact Angle Singularity гп 4He Crystals. 11 J. Low Temp. Phys., 150, 282, (2008).
  9. К. О., Марченко В. И., Шемятихин Д. Б., Исследование поверхности кристаллов 4Не. // ЖЭТФ, 143, 674, (2013).
  10. Wulff G., Zur frage der geschwindigkeit des wachstums und der auflosung der kristallflachen. // Zeits. f. Kristallog., 34, 449 (1901).
  11. Hering C., The Use of Classical Macroscopic Concepts in Surface Energy Problems. // Structure and Properties of Solid Surfaces, ed. by R. Gomer and C.S.Smith, (1953).
  12. Дж. В., Термодинамика. Статистическая механика. // М., Наука, с. 311 (1982).
  13. JI. Д., О равновесной форме кристаллов. // Собрание трудов, т.2. М., Наука, с. 119 (1969).
  14. W. К., Cabrera N., Crystal growth and surface structure. // Disc. Faraday Soc., 5, 33 (1949).
  15. Avron J.E., Balfour L. S., Kuper C.G., Landau J., Lipson S.G., and Schulman L. S., Roughening Transition in the 4He Solid-Super fluid Interface. // Phys. Rev. Lett. 45, 814 (1980).
  16. Landau J., Lipson S.G., Maattanen L.M., Balfour L. S., and Edwards D. O., Interface between Superfluid and Solid 4He. // Phys. Rev. Lett. 45, 31 (1980).
  17. Andreeva O. A., and Keshishev К. О., Идентификация граней кристаллов 4 He. 11 Pis’ma Zh. Eksp. Teor. Fiz. 52, 799 (1990).
  18. Wolf P. E., Balibar S., and Gallet F., Experimental Observation of a Third Roughening Transition on hep 4He Crystals. // Phys. Rev. Lett. 51, 1366 (1983).
  19. В. И., Паршин А. Я., Об упругих свойствах поверхности кристаллов. // ЖЭТФ 79, 257 (1980).
  20. В. В., Об угловой зависимости свободной поверхностной энергии кристалла. // Кристаллография, 12, 831 (1967).
  21. Е. Е. and Mullins W. W., On the theory of amsotropy of crystalline surface tension. // Journal of Physics and Chemistry of Solids. 28, 875 (1967).
  22. A.M., Основы механики кристаллической решетки. // М., Наука, (1972).
  23. В. Л., Талапов А. «Л., Теория двумерных несоизмеримых кристаллов. // ЖЭТФ, 78, 269 (1980).
  24. Wang X.-S., Goldberg J.L., Bartelt N.C., Einstein T.L., and Williams E. D., Terrace-width distributions on vicinal Si (lll). // Phys. Rev. Lett. 65, 2430 (1990).
  25. Rousset S., Gauthier S., Siboulet O., Girard J.C., S. de Cheveigne, Huerta-Garnica M., Sacks W., Belin M. and Klein J., Step-step interactions on copper vicinal surfaces. // Ultramicroscopy, 42−44, 515 (1992).
  26. Wolf P.E., Gallet F., Balibar S., Rolley E., Nozie’res P., Crystal growth and crystal curvature near roughening transitions in hep 4He. // Journal de Physique 46, 1987 (1985).
  27. Burton W.K., Cabrera N., Frank F. C., The Growth of Crystals and the Equilibrium Structure of their Surfaces. // Philosophical Transactions of the Royal Society of London, 243, 299 (1951).
  28. В. П., Паршин, А Я., New possibilities in crystal morphology. // Письма в ЖЭТФ, 83, 485 (2006).
  29. О. А., Кандидатская диссертация, Термодинамика и кинетика поверхности кристаллического АНе. // Москва (1990).
  30. О. A., Keshishev К. О., Solid-Super fluid 4Яе Interface. // Physica Scripta, T39, 352 (1991).
  31. Rolley E., Guthmann C., Chevalier E., and Balibar S., The Static and Dynamic Properties of Vicinal Surfaces on 4 He Crystals. // Journal of Low Temp. Phys. 99, 851 (1995).
  32. А. И., Некоторые наблюдения над твердым гелием. // ЖЭТФ, 41, 1056 (1961).
  33. К. О., Межов-Деглин Л.П., Шальников А. И., К вопросу о «тердости» кристаллического гелия. // Письма в ЖЭТФ, 17, 296 (1973).
  34. Balibar S., Edwards D.O., Laroche С., Surface tension of solid 4#e. // Phys. Rev. Lett. 42, 782 (1979).
  35. А. В., Кешишев К. О., Копелиович Д. Б., Паршин А. Я, Исследование равновесной формы кристаллов гелия в окрестности фазовых переходов огранения. // Письма в ЖЭТФ, Т39, 519 (1984).
  36. Gallet F., Balibar S. and Rolley E., The roughening transition of crystal surfaces. II. Experiments on static and dynamic properties near the first roughening transition of hep 4#e. // Journal de Physique, 48, 369 (1987).
  37. Wagner R., Steel S.C., Andreeva O. A., Jochemsen R., Frossati G., First Observation of (100) and (211) Facets on 3He Crystals //, Phys. Rev. Lett. 76, 263 (1996).
  38. Alles H., Babkin A., Jochemsen R., Parshin A.Ya., Todoshchenko I. A. and Tsepelin V., Faceting and growth kinetics of^He crystals. // Physica B: Condensed Matter, 329−333, 360 (2003).
  39. О. А., Кешишев К. О., Анизотропия поверхностной жесткости кристаллов 4Не. // Письма в ЖЭТФ, 46, 160 (1987)
  40. О. А., Кешишев К. О., Осипьян С. Ю., Анизотропия коэффициента роста и поверхностной жесткости кристаллов 4Яе. // Письма в ЖЭТФ, 49, 661 (1989)
  41. Babkin А.V., Kopeliovich D.B., Parshin A.Ya., An experimental investigation of roughening phase transitions in 4Яе crystals. // ЖЭТФ, 89, 2288 (1985).
  42. Babkin A.V., Alles H., Hakonen P. J., Parshin A.Ya., Ruutu J. P., and Saramaki J. P., Observation of a New Surface State on 4He Crystal Interfaces. // Phys. Rev. Lett. 75, 3324 (1995).
  43. В. К., Филимонов А. П., Газификатор для получения давлений до 100 атм. с использованием жидкого гелия. // ПТЭ, 5, 203 (1961).
  44. Д. В., Общий курс физики, т. 4¦ Оптика. 11 М.: ФИЗМАТ-ЛИТ (2002).
  45. Press I., William Н., Numerical Recipes in С: The Art of Scientific Computing. 11 Cambridge Univercity Press, New York (1988).
  46. Dierckx P., Curve and Surface Fitting with Splines. // Oxford University Press (1993).
  47. MaisonobeL., Circle fitting, http://www.spaceroots.org/documents/circle/circle-fitting.pdf
  48. Allen J. F, Misener A. D., The surface tension of liquid helium. // Mathematical Proceedings of the Cambridge Philosophical Society, 34, 299 (1938)
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!