Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/AlGaAs/GaAs и InAs/InGaAs/InP для лазерных применений
Диссертация
Основным прибором, создание которого привело к революции в области записи и передачи информации, по праву можно считать полупроводниковый лазер. Одной из основных характеристик, определяющих практическое применение полупроводникового лазера, является пороговая плотность тока. Использование квантовых ям в качестве активной области привело к резкому снижению данной величины по сравнению с лазерами… Читать ещё >
Список литературы
- Ж.И. Алферов, История и будущее полупроводниковых гетероструктур ФТП, 32(1), 3 (1998)
- W.T. Tsang, Extremely low threshold (Al, Ga) As graded-index waveguide separate confinement heterostructures lasers grown by molecular beam epitaxy, Appl. Phys. Lett., 40,217 (1982).
- J.P. van der Ziel, R. Dingle, R.C. Miller, W. Wiegmann, W.A. Nordland, Laser oscillation from quantum states in very thin GaAs-Alo.2Gao.8As, J.Appl. Phys. Lett., 26,463 (1975).
- R.D. Dupuis, P.D. Dapkus, N. Holonyak, E.A. Rezek, R. Chin, Room-temperature laser operation of quantum well Gai. xAlxAs-GaAs laser diodes grown by metaloorganic chemical vapour deposition, Appl. Phys. Lett., 32,295 (1978).
- A.Y.Cho and J.R.Arthur, Molecular beam epitaxy, Progr. Solid State Chem., v. 10, No.3, pp. 157 191 (1975).
- Смит К.Ф., Молекулярные пучки / Пер. с англ. М., 595 (1959)
- Gunter K.G., Z. Naturforsch В 13а, 1081 (1958)
- C.T.Foxon, B.A.Joyce, Interaction kinetics of AS4 and Ga on (100) GaAs surface using a modulated molecular beam technique, Surface Sci. 50,434 (1975)
- C.T.Foxon, B.A.Joyce, Interaction kinetics of AS2 and Ga on (100) GaAs surface, Surface Sci. 64, 293 (1977)
- Ch.Kittel, Themal Physics, J. Wiley, Inc. NY 1977
- G.Eres, Kinetic model of the atomic layer epitaxy processing window in group IV semiconductor growth, Appl. Phys.Lett. 67(12) 1727, (1995)
- J.R.Artur, Surface stoichiometry and structure of GaAs, Surface Sci. 43,449 (1974)
- J.Y.Tsao, T.M.Brennan, J.F.Klem, B.E.Hammons, Surface-stoichiometry dependence of As2 desoфtion and As4 «reflection» from GaAs (OOl), J.Vac.Sci.Technol., 2138 (1989)
- В.Бартон, Н. Кабрера, Ф. Франк, Рост кристаллов и равновесная структура их поверхностей, в книге: Элементарные процессы роста кристаллов. М.: Изд-во иностр.лит., 11 (1959)
- K.Mochizuki, T. Nishinaga, МВЕ growth of GaAsSb and InGaAs and application of BCF theory to study the alloy composition, Jap. J. of Appl.Phys. 27,1585 (1988)
- Д.Робертсон, Г. М. Паунд, Гетерогенное образование зародышей и рост пленок, в книге: Новое поколение поверхности твердого тела, под редакцией Т. Джайядевайя и Р. Ванселова, т.1, М. Изд-во «Мир», 1977
- Е.И.Лифшиц, Л. П. Питаевский, Физическая кинетика, М. Изд-во «Наука», 1979
- A.K.Myers-Beaghton, D.D.Vvedensky, Nonlinear theory for epitaxial growth of semiconductor alloys on vicinal surface, Surf.Sci.Lett. 240, L559 (1990)
- T.Shiatra, J. Zhang, J.H.Neave, B.A.Joyce, As/Ga ratio dependence of Ga adatom incorporation kinetics at steps on vicinal GaAs (OOl) surfaces, J. Cryst. Growth 127,494 (1993)
- T.Kawamura, A. Kobayashi, S.D.Sarma, Stochastic simulation of molecular beam epitaxial growth of a model compounds semiconductor: effects of kinetic, Phys.Rev.B 39(17), 12 723 (1989)
- Крегер Ф., Химия несовершенных кристаллов, M., с. 651 (1987)
- Heckingbottom R., Davies G.J., Germanium doping of gallium arsenide grown by molecular beam epitaxy some thermodynamic aspects, J. Cryst. Growth 50(3), 644 (1980)
- Копьев П.С., Бер Б.Я., Иванов C.B., Леденцов Н. Н., Мельцер Б. Я., Устинов В. М., Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в нелегированные эпитаксиальные слои GaAs, выращенные методом МПЭ, ФТП 18(2), 270 (1984)
- H.Seki and A. Koukitu, Thermodynamic analysis of molecular beam epitaxy of III-V semiconductors, J. Crystal Growth, 78,342 (1986)
- Копьев П.С., Леденцов H.H., Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AInBv, ФТП 22(10), 1729 (1988)
- J.-Y. Chen, Ch. Chatillon, Thermodynamic calculation of congruent vaporization in III-V systems: application to the In-As, Ga-As and Ga-In-As systems, J. Crystal Growth, 106, 543 (1990)
- J.-Y. Chen, Ch. Chatillon, Thermodynamic analysis of molecular beam epitaxy of III-V compounds: application to the GalnAs multilayer epitaxy, J. Crystal Growth, 106, 553 (1990)
- S.V.Ivanov, P. S.Kop'ev and N.N.Ledentsov, Thermodynamic analysis of segregation effects in MBE of Am-Bv compounds, J. Crystal Growth 111, 151−161 (1991)
- C.Chatilion, J.A.Harmand, F. Alexandre, Thermodynamic analysis of GaAs growth by molecular beam epitaxy at the surface structure transition from 3×1 to 4×2, J. Crystal Growth 130,451 (1993)
- Heckingbottom R., Davies G.J., Prior K.A., Growth and doping of gallium arsenide using molecular beam epitaxy (MBE) — Thermodynamic and kinetic aspects, Surf.Sci. 132(2), 375 (1983)
- S. Yu. Karpov, Yu. Kovalchuk, V.E.Myachin, Yu.V.Pogorelskii, Instability of III-V compound surfaces due to liquid phase formation, J. Cryst. Growth, 129,563 (1993)
- S. Ivanov, S. Sorokin, I.L. Krestnikov, N.N. Faleev, B.Ya. Ber, I.V. Sedova, P. Kop’ev, Interplay of kinetics and thermodynamics in molecular beam epitaxy of (Mg, Zn, Cd)(S, Se), J. Crystal Growth 184/185, 70 (1998)
- S.V.Ivanov, P. S.Kop'ev and N.N.Ledentsov, Interplay of beryllium segregation and diffusion in heavily doped GaAs and AlGaAs layers grown by molecular beam epitaxy, J. Ciyst. Growth 108, 661(1991)
- И. Пригожин, Введение в термодинамику необратимых процессов, М. Изд.иностр.лит., 1960
- Panish М.В., Ilegems М., Phase equilibrium in ternary III-V systems, Progr.Sol.St.Chem., 7(2), 39 (1972)
- A.S. Jordan and M. Ilegems, Solid-liquid equilibria for quatenary solid solutions involving compound semiconductors in the regular solution approximation, J. Phys. Chem. Solids 36, 329 (1975)
- P.Blood, Heterostructures in semiconductor lasers, in «Physics and technology of heterostructure devices», ed. D.V.Morgan and R.H.Williams, Peter Perigrinus, Chapter 7, 231 (1991)
- J.J.Coleman and K.J.Beernink, Experimental gain characteristics and barrier Iasing in strained-layer InGaAs-GaAs-AlGaAs quantum well lasers, J.Appl.Phys., v.75, No.4, 1879 (1994).
- S.Tiwari and J.M.Woodall, Experimental comparison of strained quantum wire and quantum well laser characteristics, Appl. Phys. Lett., v.64, No.17,2211 (1994).
- E.Kapon, M. Walther, J. Christen, M. Grundmann, C. Caneau, D.M.Hwang, E. Colas, R. Bhat, G.H.Song, and D. Bimberg, Quantum wire heterostructures for optoelectronic applications, Superlat. Microstruct., v. 12, No.4,491 (1992).
- Suemune and L.A.Coldren, Band-mixing effects and excitonic optical properties of GaAs quantum wire structures comparison with quantum wells, IEEE J. Quantum Electron., v. QE-24, No.8,1778 (1988).
- T.Yuasa, M. Ogawa, K. Ando, and H. Yonezu, Degradation of (Al, Ga) As DH lasers due to facet oxidation, Appl. Phys. Lett., v.32, No.2,119 (1978).
- N.N.Ledentsov, «Ordered arrays of quantum dots», Proc. of the 23rd Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, Berlin, Germany, M. Scheffler and R. Zimmerman, ed., v. l, 19 (1996)
- L.Brus, Zero-dimensional «excitons» in semiconductor clusters, IEEE J. Quantum Electronics, v. QE-22, No.9,1909(1986).
- А.И.Екимов, А. А. Онущенко, Размерное квантование энергетического спектра электронов в микроскопическом полупроводниковом кристалле, Письма в ЖЭТФ, т.40, вып.8, 337 (1984).
- L.Goldstein, F. Glas, J.Y.Marzin, M.N.Charasse, and G. LeRoux, Growth by molecular beam epitaxy and characterization of InAs/GaAs strained-layer superlattices, Appl. Phys. Lett., v.47, No. 10,1099 (1985).
- D.Leonard, M. Krishnamurthy, L.M.reaves, S.P.DenBaars, and P.M.Petroff, Direct formation of quantum-sized dots from uniform coherent islands of InGaAs on GaAs surfaces, Appl. Phys. Lett., v.63, No.23,3203 (1993).
- Э. Зенгуил, Рост кристаллов, «Физика поверхности», M. Мир, 1990, стр.506−511
- J.M.Moison, F. Houzay, F. Barthe, L. Leprince, E. Andre, and O. Vatel, Self-organized growth of regular nanometer-scale InAs dots on GaAs, Appl. Phys. Lett., v.64, No.2, 198 (1994).
- P.Chen, Q. Xie, A. Madhukar, L. Chen, and A. Konkar, Mechanisms of strained island formation in molecular beam epitaxy of InAs on GaAs (lOO), J. Vac. Sci. Technol. B, v.12, No.4,2568 (1994).
- H.Kitabayashi and T. Yano, Atomic force microscope observation of the initial stage of InAs growth on GaAs substrates, Proc. 8th Int. Conf. on MBE, aug.29-sept.2, 1994 (Osaka, Japan), pp.415−416.
- J.S.Lee, K. Kudo, S. Niki, A. Yamada, Y. Makita, and K. Tanaka, The initial growth stage of the InAs quantum well structures on variously oriented GaAs substrates, Jpn. J. Appl. Phys., v.32, No. l 1 A, 4889(1993).
- V.A.Shchukin, N.N.Ledentsov, P. S.Kop'ev, and D. Bimberg, Spontaneous formation of ordered arrays of quantum dots, Proc. Int. Semiconductor Device Research Simposium, Dec.5−8, 1995 (Charlottesville, Virginia, USA), pp.581−584.
- A.Yu.Egorov, A.E.Zhukov, P. S.Kop'ev, N.N.Ledentsov, M.V.Maksimov, and V.M.Ustinov, The influence of growth conditions on the formation of (In, Ga) As quantum dots in GaAs matrix,
- Workbook of 8-th International Conference on MBE, Aug. 29 Sept. 2, 1994, Osaka, Japan, pp.385−386.
- Y.Arakawa and H. Sakaki, Multidimensional quantum well laser and temperature dependence of its threshold current, Appl. Phys. Lett., v.40, No. l 1, 939 (1982).
- K. Kamath, P. Phattacharya, T. Sosnowski, T. Norris, and J. Phillips, Room-temperature operation of Ino.4Gao.6As/GaAs self-organised quantum dot lasers, Ellectron. Lett. 32,1374 (1996).
- H. Shoji, Y. Nakata, K. Mukai, Y. Sugiyama, M. Sugawara, N. Yokoyama, and H. Ishikawa: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Lasing characteristics of self-formed quantum-dot lasers with multistacked dot, 3(2), 188 (1997).
- П.Н.Брунков, С. Г. Конников, В. М. Устинов, А. Е. Жуков, А. Ю. Егоров, М. В. Максимов, Н. Н. Леденцов, П. С. Копьев, Емкостная спектроскопия электронных уровней в квантовых точках InAs в матрице GaAs, ФТП 30(5), 924 (1996)
- L.V.Asryan and R.A.Suris, Charge Neutrality Violation in Quantum-Dot Lasers, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 3(2), 148 (1997)
- D.Bimberg, N. Kristaedter, N.N.Ledentsov, Zh.I.Alferov, P. S.Kop'ev and V.M.Ustinov, InGaAs-GaAs Lasers, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 3(2), 196 (1997)
- O.G.Schmidt, N. Kirstaedter, N.N.Ledentsov, M.H.Mao, D. Bimberg, V.M.Ustinov, A.Y.Egorov, A.E.Zhukov, M.V.Maximov, P. S.Kop'ev, Zh.I.Alferov, Prevention of gain saturation by multilayer quantum dot lasers, Electron. Lett., 32(14), 1302 (1996).
- А.Ю.Егоров, А. Е. Жуков, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, М. В. Максимов, В. М. Устинов, А. Ф. Цацульников, Ж. И. Алферов, Д. Л. Федоров, Д. Бимберг, Оптический диапазон излучения структур с напряженными квантовыми точками InAs в GaAs, ФТП 30(8), 1345 (1996)
- J.W.Matthews and A.E.Blakeslee, Defects in epitaxial multilayers, J. Cryst. Growth, v.27, 118 (1974).
- GaAsiJPx grown by gas-source molecular beam epitaxy, Appl. Phys. Lett. 59,292 (1991).). F. Turco, Thermodynamic analysis of molecular beam epitaxy of AlInAs alloys, J. of Crystal Growth 88, 347 (1998)
- J.-Y.Marzin, G. Basstard, Calculation of the energy levels in InAs/GaAs quantum dots, Solid State Communications 92(4), 437 (1995).
- A.Ф.Цацульников, Н. Н. Леденцов, М. В. Максимов, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, В. М. Устинов,
- B.А.Воловик, И. Л. Крестников, А. Р. Ковш, А. В. Сахаров, Н. А. Берт, П. С. Копьев, Ж. И. Алферов, Фотолюминесценнция массивов вертикально связанных напряженных квантовых точек InAs в матрице GaAs (l00), ФТП 30(10), 1822 (1996).
- Bethe H.A. and Peierls P.E., 1935 Proc.R.Soc. A 148, p.146.
- L.V.Asryan and R. A. Suris, Inhomogeneous line broadening and the threshold current density of a semiconductor quantum dot lser, Semicond. Sci. Technol. 11(4), 554 (1996).
- R.Leon, C. Lobo, A. Clark, R. Bozek, A. Wysmolek, A. Kuriewski, and M. Kaminska, Different paths to tunability in III-V dots, J. Appl. Phys. 84(1), 248 (1998)