Исследование и разработка процессов термообработки полупроводниковых материалов для специального применения
Диссертация
Выявлена роль межузельных атомов кремния, как инициаторов процесса геттерирования примесей Показано, что преобладающее значение могут иметь внутриобъёмные процессы генерации — рекомбинации межузельных атомов кремния, связанные с преципитацией кислорода в процессе термообработок. Установлено, что при невысокой интенсивности преципитации кислорода, генерация межузельных атомов кремния на растущих… Читать ещё >
Список литературы
- Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур. Физика и техника полупроводников, 1998, т.32, № 1,с.З-78.
- Kramer H.G. Float-zoning of semiconductor silicon. A perspective Solid State Technology, 1983, Г1, p.129−135.
- Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. Пер. с англ. М. Мир, 1977.-562с., ил.
- Компенсированный кремний.-Под ред. Болтакса Б.И.- Л.:Наука, 1972.-124с., ил.
- Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. Пер. с англ.- М.: Мир, 1984.-475с., ил.
- Болтакс Б.И. Диффузия в полупроводниках -М.: Физматиздат, 1961.-147с., ил. 7.0мельяновский Э.М., Фисгуль В. И. Примеси переходных металлов в полупроводниках,-М.: Металлургия, 1983.-192с., ил.
- Акчурин Р.Х. Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями М.: Металлургия, 1985.-173с., ил.
- Бахадырханов М.К., Болтакс Б. И., Куликов Г. С. Диффузия, растворимость и электрические свойства кобальта в кремнии ФТТ, 1970, т. 12, f 1, с. 181−189.
- Pandian V., Kumar V. Silver related deep levels in silicon Phys. Stat. SoHdi (a), 1980, v. 109, tl, p.273−278.
- Baber N., Grimmeiss H., Weverman M. Characterization of silver-related deep levels in silicon J. Appl. Phys., 1987, v.62, Г7, p.2853−2*57.
- Bagraev N.T. Electron localization on defects and optical nuclear polarization in disordered and semimagnetic semiconductors.- PbysicaB, 1983, v. l 16, Г2, p.236−243.
- Melsi A., Courcelle Е., Zundel Т., SifFert P. Process-indused and gold acceptor defects in silicon.-Phys. Rev. В., 1987, v.36, Г15, p.8049−8062.
- Ledebo L.-A., Wang Z.-G. Evidence that the gold donor and acceptor in silicon are two levels of the same defect.- Appl. Phys. Lett., 1983, v.42, Г8, p.680−682.
- Van Staa P., Kassing R. The gold donor and acceptor level in p-type silicon.-Solid State Commun., 1984, v.50, П2, p.1051−1055.
- Utzig J., Schroter W. Donor and acceptor behavior of gold in silicon.- Appl. Phys. Lett., 1984, v.45, Г7, p.761−763.
- Morante J.P., Carceller J.E., Herms A. Dependence of the electron cross section for the acceptor gold level in silicon to donor ratio Appl. Phys. Lett., 1982, v.41, Г7, p.656−658.
- Lu L.S., Nishida Т., Sah C.-T. Thermal emission and capture rates of holes at the gold donor level in silicon.- J. Appl. Phys., 1987, v.62, Г12, p.4773−4780.
- Jang S.-L., Bosman G. Low field investigation of the gold donor level in silicon by noise and resistanse measurement J. Appl. Phys., 1989, v 65, Г1. p.201−204.
- Nassiban A.G., Faraone L. Capture cross section of gold in silicon.- Appl. Phys. Lett., 1978, v.33,r5,p.451−452.
- Richou F., Pelous G., Lecrosnier D. Thermal generation of carriers in gold doped silicon J. Appl. Phys., 1980, v.51, Г12, p.6252−6257.
- Wu R.H., Peaker AR. Capture cross section of the gold donor and acceptor states in n-type Czochralski silicon.- Solid State Electron., 1982, v.25, Г7, p.643−649.
- Brotherton S.D., Bichnell J. The electron capture cross section and energy level of the gold acceptor center in silicon.- J. Appl. Phys., 1978, v.49, Г2, p.667−671.
- Brotherton S.D., Bradley P. Measurement of minority carrier capture cross section and application to gold and platinum in silicon.- J. Appl. Phys., 1982, v.53, ГЗ, p. 1543−1553
- Lu L.S., Sah C.T. Electron recombination rates at the gold acceptor level in high resistivity silicon.- J. Appl. Phys., 1986, v.59, П, p.173−176.
- Lang D. V., Grimmeis H.G., Meiger E., Jaros M. Complex nature of gold-related deep levels in silicoiL-Phys. Rev. В., 1980, v.22, Г8, p.3917−3934.-/if
- Баграев H.T., Вихнин B.C. Корреляции в распределении донорных и акцепторных примесей в кремнии.-ЖЭТФ, 1984, т.86, П, с.200−211.
- Баграев Н.Т., Власенко Л. С., Жданович Н С. Исследование примесных центров золота в кремнии.-Изв. АН СССР. Сер. Неорган. Матер., 1979, т. 15, Г5, с.725−730.
- Hohne М. Gold-related EPR centres of low symmetry in silicon. Phys. Stat. Solidi (b), 1983, v. l 19, Г2, p. kll7-kl21.
- Brotherton S.D., Bradley P, Gill A., Weber E.R. Electrical observation of the Au-Fe complex in silicon.- J. Appl. Phys., 1984, v.55, Г4, p.952−956.
- Brotherton S.D., Bradley P, Gill A. Annealing kinetics of the gold-iron complex in silicon J. Appl. Phys., 1986, v.57, Г6, p. 1783−1790.
- Kleinhen2 R.L., Lee Y.H., Corbett J.W. EPR observation of an Au-Fe complex in silicon -Phys. Stat. Solidi (b), 1981, v.108, Г2, p.363−371.
- Assali L.V.C., Leite J.R. Electronic structure of the Au-Mn pair in silicon.-Solid State Commun., 1986, v.58, Г9, p.577−580.
- Rodewald D., Severitt S., Volmer H., Labusch R. EPR invesnigation of CrCu and CrAu pairs in silicon.-Solid State Commun., 1988, v.67, Г6, p.573−576.
- Hohne M. Electron paramagnetic resonance of gold in silicon Phys. Stat. Solidi (b), 1982, v. l09, Г2, p.525−534.
- Hohne M., Lebedev A. A. Changes in the EPR of gold in silicon induced by light.- Phys. Stat. Solidi (b), 1981, v. 104, Г1, p. k79.
- Li H.F., Chen J.X., Yao Y.S., Bai G. Au acceptor levels in Si under pressure.- J.Appl. Phys., 1985, v.58, Г7, p.2599−2606.
- Joshi M.L., Dash S. Distribution and precipitation of gold in phosphorus-diffused silicon.- J. Appl. Phys., 1966, v.37, Г6, p.2453−2457.
- Meek R.L., Seidel Т.Е. Enhanced solubility and ion pairing of Cu and Au in heavily doped silicon at high temperature.-J. Phys. Chem. Solids, 1975, v.36, Г7/8, p.731−740.
- Cagnina S.F. Enhanced gold solubility effect in heavily n-type silicon.-J.Electrochem. Soc., 1969, v. l 16, Г4, p.498−502.ф 43. Dorward R.C., Kirkaldy J.S.- Solubility of gold in p-type silicon.-J.Electrochem. Soc., 1969, v.116, Г9, p. 1284−1285.
- Aristov V.V., Bondarenko I. E., Heydenreich J. Electrical properties and defect structure of plastically deformed silicon crystals doped with gold Phys. Stat. Solidi (a), 1987, v. 102, Г2, p.687−695.
- Шуман В. Б. О диффузии золота в кремнии ФТП, 1967, т.1, Гб, с.947−948.
- Coffa S., Calgano L., Campisano S.U., Called G. Diffusion of ion-implanted gold in p-type silicon J. Appl. Phys., 1989, v.64, Г 11, p.6291−6295.
- Бадалов A.3., Шуман В Б. Диффузия Au в n-Si ФТП, 1969, т. З, Г9, с.1366−1369.
- Huntly F. A., Willoughby A.F.W. The effect of dislocation density on the diffusion of gold in thin silicon.-J.Electrochem. Soc., 1973, v. 120, ГЗ, p.414−422.
- Cosele U., Frank W., Seeger A Mechanism and kinetics of the diffusion of gold in silicon. -Appl. Phys. A., 1980, v. 23, Г4, p.361−368.ф 50. Seeger A. On the theory of the diffusion on gold into silicon.- Phys. Stat. Solidi (a), 1980, v.61, Г2, p.521−528.
- Morehead F., Stolwijk N. A, Meijberg M., Cosele U. Self-interstitial and vacancy contributions to silicon self-diffusion determined from the diffusion of gold in silicon.-Appl. Phys. Lett., 1983, v.42, Г8, p.690−692.
- НШ M., Lietz M., Sittig R. Diffusion of gold in silicon-J.Electrochem. Soc., 1972, v. 129, Г7, p. 1579−1587.
- Cosele U., Morehead F., Frank W., Seeger A Diffusion of gold in silicon: A new model-Appl. Phys. Lett., 1981, v.38, ГЗ, p. 157−159.
- Stolwijk N. A., Schust" — В., Holze J. Diffusion of gold in silicon studied by means of neutroo-activation analysis and spreading-resistance measurements.-Appl. Phys. A, 1984, v.33, Г2, p. 133−140.
- Mathiot D., Pfister J.C. Dopant diffusion in silicon: A consistent view involving nonequilibrium defects.- J. Appl. Phys., 1984, v.55, ГЮ, p.3518−3530.
- Hu S.M. Interstitial and vacancy concentrations in the presence of interstitial injection J. Appl. Phys., 1985, v.57, Г4, p. 1069−1075.
- Ahn S T., Grifin P.B., Shott JR. A study of silicon interstitial kinetics using silicon membranes: Applications to 2D dopant diffusion.- J. Appl. Phys., 1987, v.62, fl2, p.4745−4755.
- It oh Y., Sugita Yo., Nazaki T Effect of carbon and oxygen precipitation on gold diffusion in silicon -Jap. J. Appl. Phys., 1989, v.28, fl0, p.1746−1749.
- Антонова И.В., Васильев A.B., Панов В. И., Шаймеев С. С. Поведение примеси золота в кремнии при радиационно-термических воздействиях.- ФТП, 1989, т.23, Г2, с.253−256.
- Антонова И.В., Шаймеев С. С. Влияние ионного облучения на диффузию золота в ф кремнии, — ФТП, 1995, т.29, Г1, с.3−7.
- Могоока М., Tomokage Н, Yoshida М. Annealing of supersaturated low-temperature substitutional gold in silicon Jap. J. Appl. Phys., 1986, v.25, Г8, p. 1161−1164.
- Morooka M., Kitagawa H., Tomokage H., Hirota S. Effect of annealing method upon annealing characteristics of supersaturated substitutional gold in silicon.- Jap. J. Appl. Phys., 1984, v.23, fl, p. 124−125.
- Баграев H.T., Бочкарев Э. П., Власенко JI.C. Влияние распада твердого раствора золота29 В кремнии на релаксацию ядер Si.- ФТТ, 1979, т.21, Г4, с. 1044−1048.
- Баграев Н.Т., Власенко Л. С., Лебедев, А А. Распад твердого раствора золота в кремнии.-ЖТФ, 1985, т. 5 5, Г11, с.2149−2169.
- Бадалов A3., Шуман В. Б. Влияние комплексообразования на распад тв^эдого раствора Au-Si-ФТТ, 1970, т. 12, Г7, с.2116−2122.
- J. Appl. Phys., 1989, v.28, ГЗ, p.305−310.
- Kitagava H., Tanada S. Electrically active nickel in silicon studied by DLTS in several kinds of silicon diodes.- Phys. Stat. Solidi (a), 1990, v. 120, fl, p. k67.
- Kitagawa H., Nakashima H. Nickel-related donor level in silicon.- Phys. Stat. Solidi (a), 1987, v.102, Г1, p. k23-k27.
- Jaraiz M., Duenas S., Vicente J., Bailon L. Electron thermal emission rates of nickel centres in silicon.-Solid State Electron., 1986, v.29, Г9, p.883−884.
- Czaputa R. Transition metal impurities in silicon: New defect reactions.- Appl. Phys.A., 1989, v.49, Г4, p.431−436.
- Pearton S.J., Tavendale A.J. The electrical properties of deep copper- and nickel-related centres in silicon J. Appl. Phys., 1983, v.54, ГЗ, p. 1375−1379.
- Куликов Г. С., Чичикалюк Ю.А, Юсупова Ш. А. Влияние марганца на диффузионное Ф распределение никеля в кремнии, — ФТП, 1995, т.29, ГЗ, с.469−473.
- Pielita D.A., Masson D.B. Evaluation of gold by oxide precipitation in Czochralski silicon -J.Electrochem. Soc., 1988, v. 135, ГЗ, p.686−690.
- Stacy W.T., Allison D.F., Wu T.C. Decorated defects in heat-treated silicon wafers.-J.Electrochem. Soc., 1982, у.129,Г5, p.1128−1133.
- Ourmazd A., Schroter W. Phosphoros gettering and intrinsic gettering of nickel in silicon.-Appl. Phys. Lett., 1984, v.45, 7, p.781−783.
- Бахадырханов M.K., Зайнабидинов C.K., Тешабаев A.T., Хаджаева М. А. Влияние термообработки на взаимодействие атомов никеля с кислородом в кремнии ФТП. 1976, т.10,Г5, с. 1001−1004.
- Kitagawa Н., Hashimoto К., Yosbida М. Diffusion mechanism of nickel and point defects in silicon.- Jap. J. Appl. Phys., 1982, v.21, Г2, p.276−280.
- Г лазов B.M., Земсков B.C. Физико-химические основы легирования полупроводников.-М: Металлургия -1967, — 321с., ил.
- Трубицын Ю.В., Неймарк K.EL, Червоный К. Ф. Анализ и поведение металлическихф примесей в полупроводниковом кремнии Цветные металлы, 1990, П, с.87−88.
- Лабунов В.А., Баранов И. Л., Бондаренко В. П., Дорофеев А. М. Современные методы геттерирования в технологии полупроводниковой электроники, — Зарубежн. электрон, техн., 1983, Г11, с.3−66.
- Rohatgi A., Rai-Choudhury P. Process-induced effects on carrier lifetime and defects in float-zone silicon.- J. Electrochem. Soc., 1980, v. 127, Г5, p. 1186−1190.
- Hwang J.M., Schroter D.K. Recombination properties of oxygen precipitated silicon.- J. Appl. Phys., 1986, v.59, Г7, p.2476−2487.
- Немцев Г. З., Пекарев А. И., Чистяков Ю. Д., Бурмистров АН. Гетгерирование точечных дефектов в производстве полупроводниковых приборов, — Зарубежн. электрон, техн., 1981, Г11, с.3−63.
- Monkowski J R. Gettering processes for defect control.- Solid State Technology, 1981, v.24, Г7, p.44−51.
- Wong H., Cheung N.W., Chu P.K. Gettering of gold and copper with implanted carbon in silicon.- Appl. Phys. Lett., 1988, v.52, Г11, p.889−891.
- Frank W., Shroter W. Gold gettering in silicon by phosphorus diffusion and argon implantation: Mechanisms and limitations.- J.Appl. Phys., 1981, v.52, Г8, p.5090−5097.
- Tseng W.F., Koji Т., Majer J.W., Seidel Т.Е. Simultaneous gettering of Au in silicon by phosphorus and dislocations.- Appl. Phys. Lett., 1978, v.33, Г5, p.442−444.
- Baldi L., Cerofolini G. Influence of phosphorus indused point defects on gold gettering mechanism in silicon.- J.Appl. Phys., 1980, v.51, Г2, p.1036−1038.
- Baidi L., Cerofolini G., Ferla G. Heavy metal gettering is silicon device processing.-J.Electrochem. Soc., 1980, v. 127, Г1, p.164−169.
- Polignano M. L, Cerofolini G., Bender H., Clayes C. Gettering mechanisms is Mlicon.
- J. Appl. Phys., 1988, v.64, Г2, p.869−876.
- Shark A.G., Shroter W., Berholz W. Mechanism of phosphorus diffusion gettering of cobalt in silicon studied by Mossbauer spectroscopy J.Appl. Phys., 1985, v.58, Г7, p.2519−2523.
- Бирковой Ю.А., Гришин A.B. Исследование возможности создания эффективных гетгерирующих слоев для снижения плотности дефектов кристаллической структуры.-Электрон. техн. Сер. Микроэлектроника, 1989, Г1, с. 163−164.
- Baginski Т А., Monkowski J.R. Germanium back-side gettering of gold in silicon.-J.Electrochem. Soc., 1986, v. 133, Г1, p. 142−147.
- Baginski T.A., Monkowski J.R. The role of chlorine in the gettering of metallic impurities from silicon.- J.Electrochem. Soc., 1985, v. 132, Г8, p.2031−2033.
- Falster R.J., Modlin D.N., Tiller W.A., Gibbons J.F. Effective gettering of gold in silicon at 900 °C by low-current corona discharge J. Appl. Phys., 1985, v.57, Г2, p.554−558.
- Graven R.A., Korb H.W. Internal gettering in silicon Solid State Technology, 1981, v.24, Щ Г7, p.55−61.
- Baginski T.A., Monkowski J.R. Correlation of precipitation defects and gold profiles in intrinsically gettered silicon -J.Electrochem. Soc., 1986, v. 133, Г4, p.762−769.
- GoorskyM.S., Logowsky J.K., Gatos H.S. The constractive behavior of Fe and Cr (fairing the intrinsic gettering of silicon.- J. Appl. Phys., 1988, v.64, Г12, p.6716−6720.
- Pietila D. A., Masson D.B. Evaluation of intrinsic gettering of gold by oxide precipitation in Czochralski silicon.- J.Electrochem. Soc., 1988, v. 135, ГЗ, p.686−690.
- Cerofolini G.F., Polignano M.L. A comparison of gettering techniques for very scale intergration.- J. Appl. Phys., 1984, v. 5 5, ГЗ, p 686−690.
- Юб.Вгоппег G.B., Plummer D.J. Gettering of gold in silicon: A tool for understanding the properties of silicon interstitials.- J. Appl. Phys., 1987, v.61, П2, p.5286−5298.
- Kang J.S., Schroder P. K Gettering in silicon J. Appl. Phys., 1989, v.65, Г8, p.2974−2985.
- Итальянцев А.Г., Краснобаев ЛЯ., Кузнецов А. Ю., Омельяновская С. Г. Эффекты в полупроводниках при введении неравновесных вакансий.- Электрон, техн. Сер. Материалы, 1989, Г4, с.43−48.
- Ю9.Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС. Пер. с англ.- М.: Мир, 1986 176с., ил.
- Maex K., Hove L. The effect of silicides on induction and removal of defects in silicon.-Mater. Sci. and Eng., 1989, v.4, tl-4, p.321−329.
- Kamins T.I., Laderman S.S., Coulman D.J., Turner J.E. Interaction between CVD tungsten films and silicon during annealing J.Electrochem. Soc., 1986, v. 133, Г7, p. 1438−1442.
- Wen D.S., Smith P L., Osburn C.M., Rozgonyi G.A. Defect annigilation in shallow p junctions using titanium silicide.- Appl. Phys. Lett., 1987, v.51, Г15, p. 1182- .) 84
- Peterson H., Grimeiss H.G., Tilly L. Electrical and optical properties of molybdenum and tungsten related defects in silicon.- Semicond. Sci. and Technol., 1991, v.6, Г4, p.237−242.
- Wang C.A., Sah C.T. Complete electrical characterization of recombination properties of titanium in silicon J. Appl. Phys., 1984, v.56, Г4, p.1021−1031.
- Rohatgi A., Hopkins R. H, Davis J. R, Campbell RB. The impact of molybdenum on silicon and silicon solar cell performance Solid State Electronics, 1980, v.23, Г11, p.1185−1190.
- Brat Т., Osburn C.M., Fmstad Т., Liu J. Self-aligned Ti silicide formed by rapid thermal annealing J.Electrochem. Soc., 1986, v. 133, Г7, p. 1451−1458.
- Мешалкин A.B., Крюков В Л., Парамонов В. В., Новикова О. В., Золочение кремния методом химического осаждения, — Электрон, техника, Сер. Материалы, 1990, Г2, с.32−36.
- Ильин М.А., Коварский В. Л., Орлов А. Ф. Определение содержания кислорода и углерода в кремнии. Заводская лаборатория, 1984, т.50, Г1, с.24−32.
- Kaiser W., Frisch H.L., Reiss Н. Mechanism of the formation of donor states in heat-treated silicon -Phys. Rev., 1958, v. 112, Г8, p. 1546−1554.
- Schmalz K., Gaworzewski P. On the donor activity of oxygen in silicon at temperatures 500 to 800 °C.- Phys. Stat. Solidi (a), 1981, v.64, Г1, p.151−158.
- Крюков В.Л., Никольский А. Д., Фурманов Г. П., Чешуина С. Е. Способ обработки 9 кремниевых пластин -А с. Г1 575 587,1990 г.
- Геттерирование примесей в кремнии силицидами тугоплавких металлов/ Власов АА., Крюков В. Л., Фурманов Г. П., Чешуина С. Е., Шагаров Б.А.- Электрон, техн. Сер. Материалы, 1989, Г7, с. 10−13.
- Ш.Гореленок AT., Крюков В. Л., Фурманов Г. П. Геттерирование примесей и дефектов в Si, GaAs, InSb.- Письма в ЖГФ, 1994, т.20, П 3, с.60−65.
- Крюков В.Л., Соколов Е. Б., Фурманов Г. П., Чешуина С. Е. Влияние среды отжига на рекомбинационные параметры кремния.- Электрон, техн. Сер Материалы, 1990, Г9, с.60−62.
- Влияние быстродиффундирующих примесей на генерацию термодоноров в кремнии / Бринкевич ДИ., Крюков В. Л., Петров В. В., Соколов Е. Б., Фурманов Г. П.- Письма в ЖГФ, 1991, т.17, Г1, с. 14−16.
- Phys. Stat. Solidi (a), 1989, v. lll, Г2, p. kl49-kl54.
- Влияние термообработки на электрофизические свойства кремния/ Крюков В. Л., Немерюк А. Г., Фурманов Г. П., Чешуина С. Е., Шагаров Б.А.- Электрон, техн. Сер. Материалы, 1990, Г1, с.49−52.
- Связь рекомбинационных свойств кремния с преципитацией кислорода при термообработках./ Власов А. А., Крюков В. Л., Кунакина О. В., Сказочкин А. В., Фурманов Г. П., Чешуина С.Е.- Известия АН СССР. Сер. Неорган, матер., 1990, т.26, П2, с.2453−2456.
- Вигдорович ВН., Крюков В. Л., Фурманов Г. П. Объемные процессы генерации и рекомбинации межузельных атомов кремния, как факторы геттерирования примесей.-Доклады РАН, 1992, т.325, Г6, с.1181−1185.
- Вигдорович В.Н., Крюков В. Л., Фурманов Г. П. Взаимосвязь диффузии золота и щ преципитации кислорода в кремнии Доклады АН СССР, 1991, т. 317, Г2, с. 359−3 63.
- Власов А.А., Крюков В. Л., Фурманов Г. П., Чешуина С. Е. Влиянние преципитации кислорода на диффузию золота в кремнии.- Известия АН СССР. Сер. Неорган, матер., 1990, т.26, fl2, с.2649−2650.
- Рассеяние носителей заряда в кислородсодержащем кремнии, компенсированном золотом./ Крюков В. Л., Нам Г. Ю., Петлицкий В Н., Фурманов Г. П., Чешуина С.Е.-Электрон. техн. Сер. Материалы, 1989, Г2, с.60−63.
- Шкловский Б.И., Эфрос, А Л. Примесная зона и проводимость компенсированных полупроводников, — ЖЭТФ, 1971, т.60, Г2, с.867−878.
- Головкина Э.Д., Левченя Н. Н., Шик А.Я. Аномалия температурной зависимости холловской подвижности в компенсированном n-Ge ФТП, 1976, т. 10, Г2, с.383−386.
- Влияние кислорода на поведение золота в кремнии/ Брянкевич ДИ, Крюков В. Л., Мерааи Ф., Петров В. В., Тужик Ю. Т., Фурманов ГЛ.- Известия АН СССР. Сер. Неоргаи матер., 1993, т.29, Г12, с. 1587−1589.
- Кожитов Л.В., Крюков ВJL, Моргунов RB., Фурманов ГЛ Особенности поведения4 глубоких примесей в кремнии при термообработках.- Известия РАН. Сер. Неорган, матер., 1994, т. ЗО, 17, с.880−882.
- Крюков В.Л., Стрельченко С. С., Фурманов Г. П. Высокоомный кремний для панелей СВЧ приемо-передающих систем Электронная промышленность, 1992, Г5, с.32−33.
- Кеворков М.Н., Попков, А Н., Успенский B.C. и др. Термоакцепторы в антимониде индия.-Неорганические материалы. Т. 16, № 19,1980,с.2114−2118.
- Ивлева B.C., Ольховикова Т. И., Селинина В. И., Фомин Ф. Г. Влияние некоторых дефектов роста на изменение типа проводимости InSb при термообработке-ЭТ. серия 6, Материалы, вып.1, 1972, с. 71−76.
- Ф 150. Блаут-Блачев АН., Ивлева B.C., Пепик Н. Н. и др. Изменение свойств гь-InSb впроцессе термообработки.-Неорганические материалы, т. 12, № 9,1976, с. 1663−1665.
- Полупроводниковые фотоприемники: ультрафиолетовый, видимый и ближний инфракрасный диапазоны спектра. Под. Ред. Стафеева В.И.-М., 1884 г. 216 с.
- Мильвидский М. Г, Освенский В. Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников.М.- Металлургия. !984 г. 256 с.
- Заитов Ф.А., Горшкова О .В ., Поляков А. Я., Попков АИ. Раасчет гомогенности в антимониде и арсениде индия.-Неорганические материалы., т. 17.№ 9,1981 г. с.778−782.
- Абоева Т.В. Природа и поведение собственных точечных дефектов и примесей в антимониде индия. Автореферат кандидатской диссертации. 1985 г.
- Лозовский В.Н., Попов В. П. Характеристики роста кристаллов.Г/Ц5,1983 г., т. 6, № 1,с. 1−23.
- Стрельченко С.С., Лебедю В. В. Соединения АзВ5. М.: Металлургия, 1984 г. 144 с.
- Крапухин В.В., Соколов И. А, Кузнецов Г.Д. Технология материалов электроннойф техники.-М."МИСИС". 1995, 495 с.
- Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. Пер. с англ. Под. Ред. С. М. Горина.-М. Мир. 1984. 475 с.
- Полуизолирующие соединения АзВ5. Под ред. Дж.Риса. Пер. с англ-М. Металлургия. 1984 г. 256 с.
- Гореленок А.Т., Крюков В. Л., Фурманов Г. П. Геттерирование примесей и дефектов в Si, GaAs и InSb. Письма в ЖТФ, 1994., т. 20., вып. 13, с 60−65.
- Бринкевич Д.И., Крюков В. Л., Петров В В., Фурманов Г. П., Шагаров Б. А. Поведение примесей кислорода и золота в кремнии. Калуга. Перспективные материалы оптоэлектроники. 1999 г. С. 100−108.
- Гореленок А.Т., Крюков В. Л., Фурманов Г. П., Шагаров Б А. Новый метод улучшения параметров полупроводниковых материалов. Калуга. Перспективные материалы оптоэлектроники. с. 108−116.1. HI, «УТВЕРЖДАЮ»
- Зам. Руководителя AQOT «Аметист"f: ¦, (i. ЛЛ’т (С st1. В.Н. Пахотов1. U. • (j ^ «-«(2000г.1. АКТ. внедрения в производство результатов диссертационной работы Шагарова Б.А.
- Исследование и разработка процессов термообработки полупроводниковых материалов для специального применения».
- Результаты диссертации Шагарова B.JT. внедрены в производство. При этом выполнены следующие работы:
- АООТ «Аметист» освоил в 1994 г. производство кремния по разработанной технологии.
- А. П. Коржавый ГШ- Кривовичев ВЛШурыпщ