Характеристики интерфейсов квантовых гетероструктур и их влияние на свойства носителей заряда
Диссертация
При тестировании планарных гетероэпитаксиальных структур, одними из основных параметров, отражающими достижения используемой ростовой технологии, являются транспортные характеристики электронно-дырочного газа в каналах системы. Стремление достичь максимально возможные для данного типа гетерокомпозиций значения подвижности как электронов, так и дырок, заставили обратить пристальное внимание… Читать ещё >
Список литературы
- Xu Dan Xia, Shen Guang Di, Willander M., Ni Wei Xin, Hansson G.V. Heterobipolar transistors with the double n-Si/p-SiGe/n-Si heterostructure. // Appl. Phys. Lett. 1986. — V.52. No.26.- p.2239−2241.
- Tatsumi Т., Hirayama H., and Aizaki N. Si/SiGe/Si heterojunction bipolar transistor made with Si MBE. // Appl. Phys. Lett.- 1988.- V.52.- No.ll.- P.895−897.
- Sirtori C., Kruck P., Barbieri S., Collot P., Nagle J., Beck M., Faist J., Oesterle U. GaAs/AlxGai.xAs quantum cascade lasers// Appl.Phys.Lett. 1998 — V. 73. — N 24 -P. 3486−3488.
- Capasso F., Sen S., Cho Y. Resonant tunnelling: physics, new transistors and superlattice devices. // Proc. Soc. Photo. Opt. Instrum. Eng. 1987, — V.792.- P. 1017.
- Razeghi M.//High power quantum cascade lasers (QCL) grown by GasMBE.// Int. Conf. on solid state crystals: Material Science and Applications. 14−18 October 2002.- Zakopane, Poland.- Proceed.- 2002, — P.34.
- Martin S.C., Hitt L.M., and Rosenberg J.J. P-channel germanium MOSFET’s with high channel mobility. // IEEE Electron Device Lett. 1989.- V.10.- No.7.- P.325−326.
- Baribeau J.M., Lockwood D.J., and Headrick R.L. Nature and Evolution of Interfaces in Si/SiGe superlattices.// J. Electron Mater.- 1995.- V.24.-No.4.- P.341−349.
- Орлов Л.К., Потапов A.B., Рубцова P.A., Орлова Н. Л. Проблема резкости гетерограниц в гидридной технологии квантовых Ge-GeSi гетероструктур. // Изв. РАН.- Сер. Физическая. 1999, — Т. 53.- С.267−273.
- Arbet-Engels V., Kallel М.А., and Wang K.L. Photoluminescence of hydrogenated SinGem superlattices.// Appl.Phys.Lett. 1991.- V.59.- No.14. -P.1705−1707.
- П.Асеев A.JT. Латышев А. В. Поверхностные процессы при формировании наноструктур на поверхности кремния. // Изв. РАН. Серия физическая.- 2000.-Т.64.- № 2.- С. 198−204.
- De Sales F.V., Soler M.A.G., Ugarte D., Quivy А.Ф., Da Silva S.W., Martini S., Morais P.C. Step-buchning evidence in strained InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) substrates. // Phys. Status Solidi. A.- 2001.- V.187.- № 1.-P.253−256.
- Vdovin V.I., Shcherbachev K.D., Mironov O.A., Parry C.P., and Parker E.H.C. A study of structural perfection of interfaces in Si/SiGe superlattices.// Crystallography Reports. 2000, — V. 45.- No.4.- P.661−669.
- Кузнецов O.A., Пискарев В. периодические структуры Ge-GeSi : газовый гидридный метод выращивания и электрофизические исследования. Многослойные периодические структуры и сверхрешетки.// Сб. статей. -ИПФ РАН, Горький.-1984.- С.20−37.
- Дроздов М.Н., Данильцев В. М., Дроздов Ю. Н., Хрыкин О. И., Шашкин В. И. Субнанометровое разрешение по глубине при послойном анализе с использованием скользящих оже электронов.// Письма в ЖТФ.-2001.- Т.27,-Вып.З.- С.59−65.
- Orlov L.K., Potapov A.V. and Ivin S.V. The peculiarities of a non-stationary growth kinetics in GSMBE and their influence on Si/Si).xGex interfaces abruptness.//Solid State Phenomena.- 1999, — V.69−70- P.221−226.
- Потапов А.В. Исследование процессов роста гетерокомпозиций SiGe/Si (100) из сублимирующего источника Si и молекулярного потока GeH}.// Канд. диссертация. Нижний Новгород. Университет им. Н. И. Лобачевского.- 1999.
- Ивина Н.Л., Орлов Л. К. Влияние эффекта поверхностной сегрегации на резкость гетерограниц в многослойных структурах Si(Ge)/SiixGex, выращиваемых из атомарных пучков в вакууме.// ФТТ.- 2001, — Т.43.- № 6.-С.1139−1144.
- Орлов J1.K., Ивина H. JL, Потапов А. В. Оценка перемешивания состава в окрестности границ гетероэпитаксиальных структур Si (Ge)/Sii.xGex, выращиваемых методом МВЕ с комбинированными источниками Si и GeH4. // ФТП.- 2000, — Т.34.- № 10, — С. 1153−1158.
- Орлов Л.К., Ивина H.JI. Роль эффекта поверхностной сегрегации в формировании резких границ слоев в гетерокомпозициях Si/Si i-xGex, выращиваемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии с комбинированными источниками.// ФТП, — 2002, — Т.36.- № 2, — С. 199−204.
- Orlov L. K., Ivina N.L., Potapov A.V., Demidov E.S., Alyabina N.A., Horvatz Z.J., Pashaev E.M., Yakunin S.N., Vdovin V.I., Steinman E.A. Multilayer strained Ge
- Орлов JI.K., Леотен Ж., Лиг Ф.Х., Орлова Н. Л. Квантовый циклотронный резонанс двумерных дырок в слоях германия Ge-GeSi гетероструктур. // ФТТ.- 1997, — Т.39.- № 11,-С. 2096−2100.
- Орлов Л.К., Кузнецов О. А., Рубцова Р. А., Чернов А. Л., Арапов Ю. Г., Городилов Н. А., Штрапенин Г. Л. Квантовый эффект Холла на дырках в напряженных сверхрешетках Ge-GeSi.// Письма в ЖЭТФ.- 1991.- Т.54.- №.6.-С.351−353.
- Orlov L.K., Kuznetsov О.А., Rubtsova R.A., Chernov A.L., Vdovin V.I., Gorodilov N.A., Kalugin N.G., Gavrilenko V.I. Investigations of 2D hole gas in strained Ge-GeSi superlattices.//Solid State Phenomena.-1993.- V.32,33, — P.469−480.
- Andronov A.A., Pozhela Yu.K. Hot electrons in semiconductors. // A collection of Scientific Works. Inst. Appl. Phys. USSR Academii of Sciences. Gorki. 1983.
- Xie Y.H., Monroe D., Fitzgerald E.A., Silvermann P.J., Thiel F.A., and Watson G.P. Very high mobility two-dimensional hole gas in Si/SiGe/Ge structures grown by molecular beam epitaxy. // Appl. Phys. Lett. 1993.- V.63.- No.16.- P.2263−2265.
- Орлов JI.K., Потапов A.B., Ивин С. В. Особенности кинетики роста слоев твердого раствора кремний-германий из силана и германа при наличии в вакуумной камере дополнительного нагретого элемента.// ЖТФ.- 2000, — Т.70.-№ 6, — С.102−107.
- Орлов JI.K., Ивин С. В., Потапов А. В., Ивина H.JI. Особенности массопереноса в методе гидридной эпитаксии структур Sii-xGex/Si в условиях нестационарного процесса. // ЖТФ.- 2001.- Т.71.- № 4.- С.53−57.
- Kanel Н., Kummer М., Isella G., Muller Е., Hackbarth Т. Very high hole mobilities in modulation doped Ge quantum wells grown by low-energy plasma enhanced CVD. // Appl.Phys.Lett, — 2002, — V.80.- No.16.- P.2922−2924.
- Caymax M.R., Poortmans J., Van Ammel A. UHV-VLPCVD heteroepitaxial growth of thin SiGe-layers on Si-substrates: influence of pressure on kinetics and on surface morphology.// Solid State Phenomena.-1993.-V. 32−33.-P. 361−372.
- Thiesen J., Iwaniczko Е., Jones К.М., Mahan A., and Crandall R. Growth of epitaxial silicon at low temperatures using hot wire chemical vapor deposition. // Appl.Phys.Lett. 1999. -V. 75. — № 7. — P. 992 — 994.
- Орлов JI.K., Рубцова Р. А., Орлова Н. Л. Проблема селективного легирования в методе гидридной эпитаксии и электрофизические свойства квантово -размерных Ge-GeSi:B гетероструктур.// ФТП, — 1999, — Т.ЗЗ. № 3. — С.311−315.
- Кукушкин C.A., Осипов A.B. Термодинамика и кинетика фазовых переходов первого рода на поверхности твердых тел.// Химическая физика,-1996.-Т. 15.-№ 9.-С.5−104.
- Орлов Л.К., Ивина Н. Л., Рубцова Р. А., Романов Ю. А. Исследование туннельных характеристик барьера в двойной симметричной квантовой яме InGaAs/GaAs/InGaAs.// ФТТ.- 2000, — Т.42, — № 3, — С.537−541.
- Орлов Л. К., Ивина Н. Л. Самоформирование сеток квантовых нитей в пористьк сверхрешетках InGaAs/GaAs. // Письма в ЖЭТФ.- 2002.- Т.75.- № 9−10, — С.584−587.
- Орлов Л. К., Ивина Н. Л., Дроздов Ю. Н., Алябина Н. А. Релаксация упругих напряжений в буферных слоях на основе пористых напряженных сверхрешеток InGaAs/GaAs. // Письма в ЖТФ, — 2002.- Т.28.- № 24.- С. 1−7.
- Милне А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл полупроводник. Москва. Мир. -1975.- 432с. илл.
- Голоньяк Н.Н. Полупроводниковые лазеры с квантовыми размерными слоями (обзор).// ФТП.-1985.-Т.19. № 9.- с.1529−1527.
- Bormann I., Brunner К., Hackenbuchner S., Zandler G., Abstreiter G., Schmult S., Wegscheider W. Midinfrared intersubband electroluminescence of Si/SiGe quantum cascade structures.// Appl.Phys.Lett.- 2002, — V.80.- No.13.- P.2260−2262.
- Phee S.S. Si/GeSi/Si resonant tunneling diode doped by thermal boron source. // J.Vac.Sci.Technol.B. 1989, — V.7. No.2.- p.327−331.
- Hirose K., Mizutani Т., Nishi K., Electron and hole mobility in modulation doped GalnAs/AlInAs strained layer superlattice.// J.Cryst.Growth. 1987. — V.81. No.l. -p. 130−135.
- Пожела Ю., Юцене В. Физика сверхбыстродействующих транзисторов. Вильнюс. Мокслас. 1985.-1 Юс.илл.
- Greve D.W. Growth of epitaxial Ge-Si heterostructures by chemical vapour deposition. // Materials Science and Engineering, B. 1993.- V.18.- No.l. — P.22−51.
- Zhang Z., Kulakov M.A., Bullemer B. Surface morphology and reconstructions of ultra thin Si films grown by solid-phase epitaxy.// Thin solid films.- 1997.- V.294.-P.88−92.
- Hiyamizu S., Shimomura S., Kitada T. Super-flat (411)A interfaces and uniformly corrugated (775)B interfaces in GaAs/AlGaAs and InGaAs/InAlAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy. // Microelectron. J.-1999.-30. No.4−5.- p.379−385.
- Arai J., Ohga A., Hattori T., Usami N., and Shiraki Y. Optical investigation of growth mode of Ge thin films on Si (110) substrates. // Appl.Phys.Lett. 1997.-V.71.-N0.6.-P.785−787.
- Quo S.P., Ohno H., Matsukura F., and Ohno Y. InAs self organized quantum dashes grown on GaAs (211)B. // Appl.Phys.Lett.- 1997.- V.70.- No.20.- P.2738−2740.
- Walther T., Humphreys C.J., and Cullis A.G. Observation of vertical and lateral Ge segregation in thin undulating SiGe layers on Si by electron energy-loss spectroscopy. // Appl.Phys.Lett.- 1997.- V.71.- No. 6.- P.809−811.
- Орлов Jl.K., Кузнецов O.A., Калугин Н. Г., Дроздов Ю. Н., ДроздовМ.Н., Вдовин В. И., Мильвидский М. Г. Структура и спектры комбинационного рассения света сверхрешеток Ge-Si, выращенных гидридным методом. // ФТТ.- 1994, — Т.36,-№.3,-Р.726−735.
- Orlov L.K., Ivina N.L., Vostokov N.V., Alyabina N.A., Zvonkov B.N., Demidov E.S. Quantum network formation in porous InGaAs/GaAs multiplayer structures. // Proceed ICSSC.- 2002, — Zakopane, Poland.- P.38.
- Orlov L. K., Ivina N.L., Alyabina N.A., Zvonkov B.N., Demidov E.S. Porous superlattice InGaAs/GaAs as a new material for quantum electronics.// Proceed. EXMATEC 02. Budapest. May.- 2002.- Physica Status Solidy (a).-2003.- No.3.-P.981−985.
- Raisanen J., Hirvonen J., and Antilla A. The diffusion of silicon in gemanium.// Solid State Electronics.- 1981, — V.24.- No.4. P.333−336.
- Zheng Y.J., Lam A.M., and Engstrom J.R. Modeling of Ge surface segregation in vapor-phase deposited SiGe thin films.// Appl. Phys. Lett. 1999. -V.75. — No.6.-P. 817−819.
- Lam A.M., Zheng Y.J., and Engstrom J.R. Direct in situ characterization of Ge surface segregation in strained SiGe epitaxial thin films.// Appl. Phys. Lett. 1998. -V.73.-No.14.- P. 2027−2029.
- Gerard J.M., and Roux G.L. Growth of InGaAs/GaAs quantum wells with perfectly abrupt interfaces by MBE.//Appl. Phys. Lett.- 1993, — V.62.- No.26.- P.3452−3454.
- Sanz-Hervas A., Cho Soohaeng, Majerfeld A., Kim B. W. Interfacial properties of (lll)A GaAs/AlGaAs multiquantum-well structures grown by metalorganic vapor phase epitaxy.// Appl. Phys. Lett. 2000. -V.76. -No.21.- P.3073−3075.
- Альперович B.Jl., Мошегов H.T., Попов B.B., Терехов А. С., Ткаченко В. А., Торопов А. И., Ярошевич А. С. Определение шероховатостей гетерограниц по спектрам фототока короткопериодных сверхрешеток (AlAs)m/(GaAs)n. // ФТТ, — 1997.- Т.39. № 11.- С.2085−2089.
- Ченг JI, Плуг К. Молекулярно- лучевая эпитаксия и гетероструктуры. М.:Мирю- 1989.- 584 с. илл.
- Waltereit P., Fernandez J.M., Kaya S., Thornton T.J. Si/SiGe quantum wells grown on vicinal Si (001) substrates: morphology, dislocation dynamics, and transport properties.// Appl.Phys.Lett. 1998, — V.72.- No. 18.- P.2262−2264.
- Nakamura Y., Noda Т., Motohisa J., Sakaki H. Anizotropic mobilities of low-dimensional electrons at stepped n-GaAlAs/GaAs interfaces with 15 nm periodicity on vicinal (lll)B substrates. // Physika. E.- 2000. -V.8.- No.3.- P.219−222.
- Potapov A.V., Orlov L.K., and Ivin S.V. The growth kinetics of SiGe layers from SiH4 and GeH4.//Thin Solid Films.- 1999,-V.336.-No.1−2.- P. 191−195.
- Cunningham В., Chu J.O., and Akbar S. Heteroepitaxial growth of Ge on (100)Si by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition. // Appl.Phys.Lett., 1991. V. 59.-No. 27 .- P.3574−3576.
- Gates S.M., Greenlief C.M., and Beach D.B.Decomposition mechanisms of SiHx species on Si (100) (2×1) for x=2,3, and 4.// J.Chem.Phys.-1990.-V.93. — No.10.-P.7493−7503.
- Potapov A.V., and Orlov L.K. The growth kinetics of SiGe layers from germane and silane. // Proceed, on Int. Symposium Nanostructures: physics and technology. St. Petersburg, Russia.- 1998.- P.487−490.
- Толомасов B.A., Орлов Л. К., Потапов A.B., Светлов С. П., Дроздов Ю. Н., Гудкова А. Д., Рубцова Р. А., Корнаухов А. В. Гетероэпитаксия слоев SiGe на Si (100) из атомарного потока Si и молекулярного потока GeH4.// Кристаллография, — 1998.-Т.43.- № 3. С.535−540.
- Robbins D.J., Glasper J.L., Cullis A.G., Leong W.Y. A model for heterogeneouse growth of SiGe films from hydrides.// J.Appl.Phys.- 1991, — V.69.- No.6.- P.3729−3732.
- O’Reilly E.P. Valence band engineering in strained-layer structures.// Semicond. Sci. Technol.- 1989.- V. 4.- P.121−137.
- Mii Y.J., Xie Y.H., Fitzgerald E.A., Monroe D., Thiel F.A., Weir B.E., and Feldman L.C. Extremaly high electron mobility in Si/GeSi structures grown by molecular beam epitaxy.// Appl.Phys.Lett. 1991-V.59. No.13.-P. 1611−1614.
- Ismail K., Chu J.O., and Meyerson B.S. High hole mobility in SiGe alloys for device applications.// Appl. Phys.Lett.- 1991.- V.58.- No.19.- P.2117−2119.
- K.Ismail, B.S.Meyerson, and P.J.Wang. High electron mobility in modulation doped Si/SiGe.// Appl. Phys.Lett.- 1994, — V.64.- No.23.- P.3124−3127.
- Myronov M., Phyllips P.J., Whall Т.Е., Parker E.H.C. Hall mobility enhancement caused by annealing of Sio^Geo.s/Sio^Geoj/Si (001) p-type modulation doped heterostructures.// Appl.Phys.Lett.- 2002.-V.80, — No.19.- P.3557−3559.
- Misakami E., Eto H., Nanagawa K., and Miyao M. High hole mobility in modulation doped and strain controlled p-SiGe/Ge/SiGe heterostructures fabricated using molecular beam epitaxy. // Jap. J. Appl. Phys. — 1990.- V.29.-No.7.-P.L1059-L1061.
- Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л.: Наука, 1973. — 816с., ил.
- Orlov L.K., Tolomasov V.A., Potapov A.V., Drozdov Yu.N., and Vdovin V.I. Heteroepitaxy of Ge-SiGe superlattices on Si (100) substrates by GeH4 Si method. // IEEE, — 1996.- V. SIMC- 9. — P. 215−218.
- Karpenko O.P., YalisoveS.M., and Eaglesham D.J. Surface roughening during low temperature Si (100) epitaxy. // J.Appl.Phys. 1997. — V.82. — № 3. — P. l 157−1165.
- Tsai W.C., Chang C.Y., Jung T.G., Liou T.S., Huang G.W., Chang T.C., Chen L.P., and Lin H.C. Abruptness of Ge composition at the Si/SiGe interface grown byultrahigh vacuum chemical vapor deposition// Appl.Phys.Lett. 1995. — V. 67. — № 8.-P. 1092−1094.
- Yugova T.G., Vdovin V.l., Milvidskii M.G., L.K.Orlov, Tolomasov V.A., Potapov A.V., and Abrosimov N.V. Dislocation pattern formation in epitaxial structures based on SiGe alloys.// Thin Solid Films.- 1999, — V.336.- No. 1−2.- P. 112−115.
- Орлов Л.К., Кузнецов O.A., Дроздов Ю. Н., Воротынцев В. М. Мильвидский М.Г., Вдовин В. И., Карлес Р., Ланда Г. Сверхрешетки Ge-GeSi, полученные гидридным методом. // ФТП.- 1993, — Т.27.- № 10.- С.1591−1598.
- Алешкин А.Я., Воробьев Л. Е., Донецкий Д. В., Кузнецов O.A., Орлов Л. К. Спонтанная эмиссия излучения дальнего ИК-диапазона горячими дырками в Ge и в квантовых ямах Ge/GeSi.//ФТП.- 1996.- Т.ЗО.- № 11, — С.1981−1992 .
- Orlov L.K., Potapov A.V., Ivina N.L., Steinman E.A., Vdovin V.l. Comparative analysis of light emitting properties of Si: Er and Ge/SiixGex epitaxial structures obtained by MBE method. // Solid State Phenomena.- 1999.- V.69−70.-P.377−382.
- Зевеке Т.А., Толомасов В. А., Корнев JI.B., Кузнецов O.A., Рубцова P.A., Симонова Г. М., Бузынин Ю. Н. // Электронная техника. Сер. Материалы.- 1973.- Вып.6.- С.116−120.
- Orlov L.K., Aleshkin V.Ya., Kalugin N.G., Bekin N.A., Kuznetsov O.A., Dietrich В., Bacquet G., Leotin J., Brousseau M., and Hassen F. Exciton luminescence in Ge-GeSi multiple- quantum- well structures. // J.Appl.Phys.-1996.- V.80.- No.l.- P.415−422.
- Голикова О.Ф., Мойжес Б. Я., Стильбанс M.C. Подвижность дырок в германии в зависимости от концентрации и температуры. // ФТТ.- 1969.- Т.З.-№ 10.- С.3105−3114.
- Орлов J1.K., Кузнецов O.A., Дроздов Ю. Н., Рубцова P.A., Романов Ю. А., Чернов A.JI. Энергетические диаграммы и электрические характеристики сверхрешеток Ge-GeSi с напряженными слоями. // ФТТ,-1990, — Т.32, — № 7.- С.1933−1940.
- Фистуль В.И. Сильно легированные полупроводники. М. Наука 1967. С. 116, 97.
- Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. М. Наука.- 1990,-С.491,671.
- Агаев H.A., Аждаров Г. Х. Совещание «Исследование и применение твердых растворов германий кремний». 1990. — Баку. — Труды.- Баку: Элм.-С.56.
- Ledenston N.N., Shchukin V.A., Grundmann M., Kirstaedter N., Bohrer J., Schmidt O.G., Bimberg D. Direct formation of vertically coupled quantum dots in Stranski-Krastanov growth. // Phys. Rev. B. 1996.- V.54.- No. 12. — P.8743−8750.
- Gauthier-Lafaye О., Sauvage S., Boucaud P., Julien F.H. Quantum fountain intersubband stimulated emission in GaAs/AlGaAs quantum wells.// Proceed. Int. Symp. Nanostructures physics and technology.- 23−27 June. 1997, — St. Peterburg.-P.569−571.
- Herman M. Semiconductor Superlattices. Berlin: Akademie-Verlag.- 1986.-240c. илл.
- Басс Ф.Г., Булгаков А. А., Тетервов А. П. Высокочастотные свойства полупроводниковых сверхрешеток. М. Наука.-1989.- 287с. илл.
- О.Маделунг. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V группы. Мир. М. 1967.- 318 с. илл.
- Флюгге 3. Задачи по квантовой механике. Т.1. -1974, — М. Мир, — 341с. илл.
- Романов Ю.А., Орлов Л. К. Поглощение света в периодических полупроводниковых структурах.// ФТП.- 1973.- Т.7. № 2.- С.253−260.
- Бузынин Ю.Н., Гусев С. А., Дроздов Ю. Н., Красильник З. Ф., Мурель A.M., Ревин Д. Г., Шашкин В. Н., Шулешова И. В. Пористый арсенид галлия.// Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. -1996.- № 5.- С.40−44.
- Аверкиев Н.С., Казакова Л. П., Лебедев Э. А., Рудь Ю. В., Смирнов А. Н., Смирнова Н. Н. Оптические и электрические свойства пористого арсенида галлия. // ФТП.- 2000, — Т.34, — № 6.- С. 757−761.
- Грозав А.Д., Лепорда Н. И. Температурное поведение размерных особенностей продольного магнетосопротивления микропроволок висмута. // ФТТ.- 1996, — Т.38.- № 6, — С.1924−1930.
- Демидов Е.С., Шенгуров В. Н., Демидова Н. Е., Шабанов В. Н. Электронный парамагнитный резонанс в пористом кремнии. // ФТП.- 1994,-Т.28.- № 4 .- С.701−705.
- Демидов Е.С., Демидова Н. Е., Карзанов В. В., Шабанов В. Н. Пики избыточных шумов диодных структур на пористом кремнии.// Письма в ЖЭТФ.- 2002, — Т.75.- № .- С.673−675.
- Богомолов В.Н., Задорожный А. И., Павлова Т. М. Периодичность всплесков тока на вольт-амперной характеристике кластерного кристалла на основе теллура. // ФТП,-1981.- Т.15.- № 10, — С.2029−2031.
- Баранский П.И., Клочков В. П., Потыкевич И. В. Полупроводниковая электроника. Справочник. Киев. Наукова Думка. 1975.- 704с. илл.
- E.A.Fitzgerald, S.B.Samavedam. Line, point and surface defect morphology of graded, relaxed GeSi alloys on Si substrates. // Thin Solid Films.- 1997.-V.294.- №.1−2.- P.3−10.
- George C. John, Vijay A. Singh. Porous silicon: theoretical studies.// Physics Reports.-1995.-№ 263.-P. 93−151.
- Белогорохов А.И., Белогорохова Л. И. Оптические фононы в цилиндрических нитях пористого GaP.// ФТТ.- 2001.-Т. 43.-Вып. 9.-С. 16 931 697.
- Orlov L.K., Potapov A.V., Ivin S.V., Shengurov D.V., Orlova N.L.^Yugova T.G., Steinman E.V. Epitaxial growth of light emitting Si: Er layers by MBE with sublimation sources.// Book of abstracts E-MRS'98.- Strasburg. France.- 1998. June.-B-21.-B-I/P9.
- Orlov L.K., Potapov A.V., Ivina N.L., Vdovin V.I., Steinman E.A. Peculiarities of the light emitting properties of the Ge-SiGe multilayer epitaxial structures.// Abstr. Int. Conf. Physics of Low Dimmsional Structures.- Antalya. Turkey.- 1999.Sept.