Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Исследование магнитных явлений в легированных полупроводниках

Диссертация: Исследование магнитных явлений в легированных полупроводниках
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Магнитная восприимчивость кристаллической решетки широко используемых полупроводников, как и всяких веществ, которые состоят из атомов или ионов, не имеющих собственных магнитных моментов, складывается из диамагнетизма Яанжевена и парамагнетизма Ван-Флека. Обе эти компоненты содержат информацию об электрод ном строении неметаллических твердых тел. Первая из них пропорциональна среднему квадрата… Читать ещё >

Исследование магнитных явлений в легированных полупроводниках (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • введение. *
  • ГЛАВА 1. МАГНИТНАЯ ВОСПРИИМЧИВОСТЬ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ решетки полупроводников. #
    • 1. Компоненты магнитной восприимчивости кристаллической решетки и методы их разделения./У
    • 2. Злектронографический анализ решеточной магнитной восприимчивости полупроводниковых кристаллов
  • Выводы к главе
  • глава II. магнитная восприимчивость носителей заряда в
  • ПОЛУПРОВОДНИКАХ
    • 1. Парамагнетизм и диамагнетизм носителей заряда
    • 2. Исследования магнитной восприимчивости носителей заряда в элементарных полупроводниках
    • 3. Магнитная восприимчивость электронов проводимости в полупроводниковых соединениях
    • 4. Спиновая восприимчивость носителей заряда в полупроводниках и сдвиг Найта
  • Выводы к главе П. М
  • глава III. магнитная восприимчивость по-щроводниковых кристаллов, легированных мелкими-донорами.22,
    • 1. Магнитные свойства коллектива атомов, обладающих отличным от нуля магнитным моментом
    • 2. Магнитная восприимчивость мелких доноров в слабо легированных и промежуточно легированных полупроводниках
    • 3. Связанные состояния в кристаллах арсенида галлия, сильно легированных теллуром
  • Выводы к главе Ш
  • ГЛАВА 1. У. МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА ПРИМЕСНЫХ ИОНОВ ГРУППЫ ЖЕЛЕЗА В СОЕДИНЕНИЯХ А%У. М
    • 1. Факторы, влияющие на магнитные свойства примесных ионов переходных элементов в полупроводниках
    • 2. Магнитная восприимчивость примесных ионов переходных элементов в ч5* -состоянии./
    • 3. Магнитная восприимчивость некоторых ионов переходных элементов группы железа в I) -состоянии.
    • 4. Магнитная восприимчивость ионов переходных элементов группы железа в Р-состоянии.
  • Выводы к главе 1У.//¿
  • ГЛАВА V. ОБМЕННЫЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ МЕЖДУ ПРИМЕСНЫМИ АТОМАМИ ПЕРЕХОДНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ. /Л
    • 1. Влияние взаимодействий между примесными атомами переходных элементов на их магнитные свойства. //
    • 2. Взаимодействия магнитных примесных атомов в полупроводниковых соединениях лРв?1. ?
    • 3. Магнитные свойства кристаллов кремния, легированного гадолинием.¥
    • 4. Обменные взаимодействия между магнитными примесны
    • IV. VI ми атомами в полупроводниковых соединениях А* В*
      • 5. 0. природе обменных взаимодействий между примесными ионами переходных элементов в полупроводниках
  • Выводы к главе У.$¿¡
  • ГЛАВА VI. АНОМАЛИИ ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫХ ЭШФЕКГОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ.2М
    • 1. 0. связи аномалий гальваномагнитных эффектов с локализованными магнитными моментами в металлах
    • 2. Аномальное магнитосопротивление в полупроводниках, сильно легированных мелкими донорами и акцепторами
    • 3. Исследования магнитосопротивления и температурной зависимости удельного электрического сопротивления в кристаллах и
    • 4. Аномальный эффект Холла в кристаллах ЛЛ®- и
  • ОпЛ, легированных марганцем
  • Выводы к главе У

Развитие электронной техники выдвигает самые разнообразные требования к полупроводникам, которые удовлетворяются как путем использования широкой гаммы материалов (элементарные полупроводники, полупроводниковые соединения, их твердые растворы), так и изменением различных характеристик одного и того же полупроводника путем легирования. При этом становятся необходимыми все более глубокие исследования свойств полупроводниковых материалов.

Как правило, свойства полупроводников исследуются с помощью таких традиционных методов, как измерение электрических, оптических, фотоэлектрических, люминесцентных характеристик. Исследование магнитной восприимчивости полупроводников проводится значительно реже. Вместе с тем такие исследования представляют несомненный интерес, т.к. магнитная восприимчивость является одной из характеристик кристалла, непосредственно связанной с его энергетическим спектром.

Во-первых, вклад каждой конкретной группы электронов в магнитную восприимчивость зависит как от характера их движения (свободные или связанные электроны)., так и от характера распределения их по энергетическим состояниям в данной группе (например, электроны валентной зоны или электроны зоны проводимости). Поэтому измерения магнитной восприимчивости могут быть использованы для получения информации о зонной структуре по ^проводника.

Во-вторых, присутствие гфимесных атомов может в значительной степени изменить магнитную восприимчивость кристалла. При этом их вклад в восприимчивость зависит от целого ряда факторов, например, таких, как зарядовое состояние, геометрическое положение в 1фисталлической решетке. Поэтому исследования магнитной восгдэиимчивости могут дать ценную информацию о поведении приме сных атомов в полупроводниках.

В-третьих, магнитная восприимчивость является таким свойством электронной системы кристалла, которое не связано с процессами переноса энергии или эаряда. По этой цричине расшифровка информации, полученной путем измерения магнитной восприимчивости, хотя и имеет свои трудности, однако не требует знания механизмов рассеяния носителей заряда. Последнее обстоятельство в ряде случаев оказывается весьма существенным.

В настоящей диссертации изложены результаты систематических исследований магнитной восприимчивости полупроводниковых материаловпри этом последовательно изучаются все ее компоненты. Принято считать, что полная магнитная восприимчивость полупроводникового кристалла аддитивно складывается иэ магнитных I восприимчивостей кристаллической решетки, носителей заряда, примесных центров и т. д.

Магнитная восприимчивость кристаллической решетки широко используемых полупроводников, как и всяких веществ, которые состоят из атомов или ионов, не имеющих собственных магнитных моментов, складывается из диамагнетизма Яанжевена и парамагнетизма Ван-Флека. Обе эти компоненты содержат информацию об электрод ном строении неметаллических твердых тел. Первая из них пропорциональна среднему квадрата радиуса электронных орбит алей для атомов матрицы кристалла, а вторая — связана со степенью несферичности этих орбиталей, которая обусловлена образованием направленных химических связей. Отсюда становится очевидным интерес к разделению измеряемой магнитной восприимчивости 1фисталли-ческой решетки на компоненты. Из литературы известно, что разделение магнитной восцриимчивости кристаллической решетки полугро-водников проводилось различными методами. Однако, поручаемые с их помощью результаты довольно сильно различаются. Для проверки корректности этих результатов в настоящей работе был использован еще один независимый метод определения диамагнитной компоненты черев средний внутренний кристаллический потенциал. Последний для ряда полупроводниковых материалов был получен элек-тронографическим методом отражения быстрых электронов, который основан на явлении преломления электронных волн.

К моменту постановки настоящей работы было известно, что восприимчивость электронного гага в германии и кремнии описывается моделью для квадратичного закона дисперсии, который учитывает анизотропию эффективной массы и многодолинность зоны проводимости. Из полупроводников группы А^В^ магнитная восприимчивость электронов проводимости была подробно исследована лишь для таких узкозонных соединений как ЛЗё и 7пЛ£. В результате этих исследований было установлено, что в данном случае восприимчивость в значительной степени определяется непара-боличностью зоны. Кроме того, было показано, что на величину восприимчивости электронного газа в этих соединениях заметное влияние оказывает взаимодействие с высшими зонами.

О магнитной восприимчивости электронного газа в арсениде галлия в литературе имелись далеко не полные сведения, ив которых, в частности, не было ясно, насколько велико влияние непара-боличности зоны и взаимодействия с высшими зонами. Данные о восприимчивости электронов в ЛР отсутствовали вообще.

Для выяснения общих закономерностей поведения магнитной восприимчивости электронного гава в полупроводниках в настоящей работе были проведены подробные исследования ее для соединений иЛА.

В качестве объектов исследований эти полупроводники были выбраны по следующим причинам. Во-первых, их зона проводимости, как и для АЛ иАА, имеет абсолютный минимум с непараболичным законом дисперсии в центре зоны Бриллюэна. Это дает основание считать, что непараболичность должна оказывать влияние на величину магнитной восприимчивости и в этом случае. Во-вторых, в отличие очЛЯё и для этих соединений характерны большие энергетические зазоры меж, ву разрешенными зонами (например, ширина запрещенной зоны в или в несколько раз превышает аналогичный параметр для Это позволяет предположить, что влияние взаимодействия с высшими зонами на магнитную восприимчивость электронного газа ъ7пР И СаЖ будет меньше, чем для Помимо этих соображений необходимость изучения восприимчивости электронов зоны проводимости в ваМ диктовалась и тем обстоятельством, что именно на примере этого соединения в настоящей работе был выполнен значительный объем исследований поведения примесных атомов. В ряде случаев для определения величины магнитной восприимчивости коллектива примесных атомов требуется знать вклад носителей заряда в полную восприимчивость кристалла.

В полупроводниках, сильно легированных мелкими акцепторными примесями, холловская концентрация дырок достаточно хорошо совпадает с химической концентрацией примесных атомов. Иная картина имеет место в сильно легированных кристаллах электронного типа. Начиная с некоторого порогового уровня легирования, концентрация носителей заряда оказывается меньше концентрации водо-родоподобных донорных атомов. Это означает, что в таких кристаллах существуют какие-то связанные электронные состояния. Не исключено, что эти состояния могут обладать магнитным моментом. Необходимо подчеркнуть, что существование связанных состояний на водородоподобных донорных атомах в данной ситуации невозможно.

С целью экспериментального обнаружения таких состояний в настоящей работе было проведено измерение магнитной восприимчивости образцов арсенида галлия, сильно легированных теллуром. Эти измерения свидетельствуют о существовании локализованных магнитных моментов в таких кристаллах. Анализ экспериментальных данных показывает, что связанные состояния в данном случае являются неводородоподобными и могут возникать на слоеных ассоциированных дефектах, в состав которых входят не только примесные атомы, но и структурные дефекты.

В последние годы значительное внимание уделяется изучению физических свойств полупроводниковых материалов, легированных примесями переходных элементов. В частности, кристаллы полупроводниковых соединений содержащие такие примеси, как правило, обладают высоким электрическим сопротивлением и благодаря этому находят широкое применение при изготовлении ряда приборов г методами эпитаксиального наращивания, при изготовлении окон в лазерных системах и т. д. К моменту постановки настоящей работы в литературе имелись лишь разрозненные данные, не позволяющие представить картину поведения примесей переходных элементов в кристаллической решетке полупроводников и только начиналась разработка технологии получения таких кристаллов.

Прогнозирование физических параметров таких материалов оказывается невозможным из-за отсутствия строгой теории глубоких примесных центров. В этой ситуации становится очевидной роль экспериментальных исследований поведения примесных атомов переходных элементов в4 полупроводниках.

Взаимодействие таких ионов с кристаллическим окружением приводит к появлению нескольких расщепленных орбитальных состояний, которые, в свою очередь, расщепляются спин-орбитальным взаимодействием. Традиционно параметры такого энергетического цуль-типлета исследуются методами ЭПР и оптической спектроскопии. Однако, например, в полупроводниковых соединениях А^В^ встречаются ситуации, когда для изменения зарядового состояния примесного о иона переходного элемента требуются кванты меньшей энергии, чем для внутрицентровых электронных переходов. Поэтому в данном случае применение оптической спектроскопии невозможно.

Наконец, возникают ситуации, при которых основное состояние иона переходного элемента оказывается немагнитным и теперь уже неприменим метод ЭПР. Однако в обеих этих ситуациях для оценки энергетических зазоров между уровнями мультиплета таких ионов могут быть использованы измерения статической магнитной восприимчивости. В настоящей работе гроведено исследование магнитной восприимчивости примесных ионов переходных элементов в некоторых полупроводниковых материалах.

В последнее время при исследовании неравновесных процессов в электронной системе ряда полупроводниковых кристаллов были обнаружены долговременные релаксации. В ряде работ это явление связывается с тем, что изменение зарядового состояния дефектов кристаллической решетки сопровождается появлением или исчезновением локальных деформаций. В случае примесных ионов переходных элементов такие деформации могут возникать как результат эффекта Яна-Теллера. При этом, поскольку необходимым условием эффекта Яна-Теллера является наличие орбитального вхождения, то его присутствие для ионов данного сорта будет определяться их зарядовым состоянием. Эффект Яна-Теллера изменяет симметрию кристаллического окружения для примесного иона, а значит, изменяет и его энергетический спектр. Это должно отразиться на величине магнитной восприимчивости коллектива таких ионов и характере ее температурной зависимости. В свете этого представляется интересным исследование магнитной восприимчивости коллектива таких примесных ионов переходных элементов, для которых ян-теллеровские искажения кристаллической решетки, существующие, например, при низких температурах, при повышении температуры исчезают потому, что термическая генерация носителей тока изменяет их зарядовое состояние таким образом, что они приобретают нулевой орбитальный момент. При выполнении настоящей работы было установлено, что именно такая ситуация реализуется в кристаллах арсенида индия, легированных марганцем.

Растворимость примесей переходных элементов в полупроводниках как правило, не превышает При значительной локализации электронов в соответствующих примесных состояниях это приводит к тому, что на физические свойства (например, ЭПР-поглощение, оптическое поглощение, связанное с внутрицентровыми переходами, магнитная восприимчивость и т. д.) коллектива таких примесных ионов в моноьфисталлах взаимодействия между ними не оказывают практически никакого влияния.

Вместе с тем примесные атомы группы железа в полупроводниковых соединениях аЩ" ^ и растворяются в существенно больших количествах. Это влечет за собой не только появление магнитных взаимодействий между примесными ионами, но и влияние магнитной подсистемы на некоторые физические свойства. В последнее время такие кристаллы принято называть полумагнитными полупроводниками. Одной из целей настоящей работы явилось исследование магнитных взаимодействий между примесными ионами переходных элементов в таких полупроводниках. Это исследование представляет самостоятельный интерес, поскольку природа взаимодействий меаду магнитными примесными атомами до конца остается неясной, оно важно также для интерпретации физических характеристик таких кристаллов.

Известно, что в немагнитных металлах, содержащих в качестве примесей атомы переходных элементов, наблюдаются аномалии гальваномагнитных эффектов (логарифмическая температурная зависимость удельного электрического сопротивления, отрицательное магнитосопротивление, аномальный эффект Холла), которые обусловлены взаимодействием носителей заряда с магнитными моментами. Некоторые из этих аномалий и, в частности, отрицательное магнито-сопротивление, были обнаружены и в различных полупроводниковых кристаллах, сильно легированных мелкими донорами. По аналогии с предыдущей ситуацией, они в большинстве работ связывались с рассеянием электронов на локализованных магнитных моментах. Однако в последние 2−3 года появилась теория рассеяния носителей заряда, учитывающая их квантовую природу. Эта теория позволяет объяснить отрицательное магнитосопротивление в сильно легированных полупроводниках П.-типа без привлечения рассеяния носителей заряда на локализованных магнитных моментах. В связи с этим представляется интересным исследовать возможность наблюдения перечисленных выше аномалий гальваномагнитных эффектов в полупроводниковых кристаллах, содержащих атомы переходных элементов. В процессе выполнения настоящей работы было установлено, что все эти аномалии наблюдаются в кристаллах антимонида и арсенида индия, легированных марганцем.

Основным научным направлением диссертации следует считать «Исследование состояния, поведения и взаимодействия атомов леги-ругацих примесей в полупроводниках по их магнитным свойствам». Актуальность этого направления, а соответственно и диссертации, определяется тем, что легирование примесями в настоящее время является основным способом формирования заданных свойств полупроводниковых материалов. Главное внимание в диссертации сосредоточено на исследовании следующих вопросов:

1. Экспериментальное обнаружение связанных электронных состояний в полупроводниках, сильно легированных мелкими донорами, и аналиэ возможных причин их возникновения в таких кристаллах;

2. Исследование связи электронной структуры примесных ионов переходных элементов с их арядовым состоянием и симметрией кристаллического окружения;

3. Исследование магнитных взаимодействий между примесными ионами переходных элементов в полупроводниках;

4. Исследование взаимодействий между такими примесными ионами и носителями заряда.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Метод разделения магнитной восприимчивости кристаллической решетки полупроводников на диамагнитную и парамагнитную компоненты, основанный на измерении среднего внутреннего кристаллического потенциала по электронограммам с Кикучи-линиями.

2. Результаты анализа экспериментальных данных по магнитной восприимчивости электронного газа в полупроводниках, выявляющие общие закономерности в соотношении между вкладами диамагнетизма Ландау — Пайерлса, парамагнетизма Паули и парамагнетизма, связанного с влиянием высших зон.

3. Экспериментальное доказательство существования в полупроводниках, сильно легированных мелкими донорами, неводородо-подобных локализованных состояний.

4. Экспериментальное доказательство существования примесных ионов переходных элементов группы железа Ме в полупроводниковых соединениях в двух зарядовых состояниях Мее* и Ме3+ и изменения их зарядового состояния за счет изменения количества электронов в.

— оболочке.

5. Применимость представлений теории кристаллического поля для описания магнитных свойств примесей переходных металлов группы железа в различных зарядовых состояниях в полупроводниковых соединениях ж.

6. Экспериментальное доказательство на примере возможного существования ян-теллеровской перестройки кристаллического окружения примесных ионов, связанной с изменением их зарядового состояния в результате термической генерации носителей заряда.

7. Экспериментальное доказательство существования дально-действующих обменных связей между магнитными примесными атомами в полупроводниках, обусловливающих возникновение магнитных кластеров.

8. Экспериментальное обнаружение и исследование совокупно' сти аномалий гальваномагнитных коэффициентов (логарифмическая температурная зависимость удельного электрического сопротивления, аномальный эффект Холла, отрицательное магнитосопротивле-ние) в Л^^^^и ЗпЯ&^Мн*, свидетельствующей о наличии обменных взаимодействий между магнитными примесными атомами и носителями заряда. г.

Результаты работы доложены и обсуждены на:

1. Всесоюзных конференциях по химической связи в полупроводниках и полуметаллах (Минск, 1970, Минск, 1974);

2. Всесоюзном совещании по магнитным явлениям в полупроводниках (Яремча, 1971);

3. Всесоюзном совещании по глубоким центрам (Одесса, 1972);

4. Федоровской сессии Ленинградского горного института им. В. Г. Плеханова (Ленинград, 1972);

5. Всесоюзной конференции по арсениду галлия (Томск, 1974);

6. Всесоюзной конференции по физико-химическим основам легирования полупроводников (Москва, 1975);

7. Всесоюзном симпозиум по полупроводникам с узкой запрещенной зоной и полуметаллам (Львов, 1975);

8. Ш Всесоюзном совещании «Дефекты структуры в полупроводниках» (Новосибирск, 1978);

9. Всесоюзном совещании по глубоким уровням в полупроводниках (Ташкент, 1980);

10. Всесоюзном совещании по исследованию арсенида галлия (Томск, 1982).

Основные работы по теме диссертации:

1. Андрианов Д. Г., Рашевская Е. П., Фистуль В. И. О природе отрицательного магнетосопротивления в полупроводниках. — ФГП, 1967, т.1, № 9, с.1435−1437.

2. Андрианов Д. Г., Савельев A.C., Фистуль В. И. Магнитная восприимчивость в системе твердых растворов.

ФТП, 1970, т.4, № 8, с.1483−1486.

3. Андрианов Д. Г., Савельев A.C., Фистуль В. И. Магнитная восприимчивость электронов проводимости в арсениде галлия. -Ш1, 1970, т.4, № 11, с.2222−2224.

4. Савельев A.C., Андрианов Д. Г., О количественной оценке магнитной восприимчивости электронов в непараболичной зоне. -ФТП, 1972, т.4, № 2, с.404−405.

5. Андрианов Д. Г., Савельев A.C., Фистуль В. И. Магнитная восприимчивость арсенида галлия, сильно легированного теллуром. — ШТП, 1972, т.6, Ш 5, с.853−857.

6. Андрианов Д. Г., Муравлев Ю. В., Савельев A.C., Соловьев.

H.H., Фистуль В. И. Магнитная восприимчивость арсенида галлия, легированного железом. — ФТП, 1973, т.7, № 8, с.1622−1624.

7. Андрианов Д. Г., Жукова Л. А., Савельев A.C., Фистуль В. И. Средний внутренний потенциал и магнитная восприимчивость полупроводниковых кристаллов. — ФТТ, 1974, т.16, № 2, с.309−311.

8. Андрианов Д. Г., Бочкарев Э. П., Гришин В. П., Карпов Ю. А., Савельев A.C. Магнитная восприимчивость кремния, легированного гадолинием. — ФТП, 1974, т.8, № 3, с.499−502.

9. Андрианов Д. Г., Жукова Л. А., Савельев A.C., Фистуль.

В.И. Электронографический анализ решеточной магнитной восприимчивости полупроводниковых кристаллов. — Кристаллография, 1974, т. XIX, № 4, с.802−808.

10. Андрианов Д. Г., Савельев A.C., Фистуль В. И. Магнитные г 2+ свойства ионов re в арсениде галлия. — ФТП, 1975, т.9, № 1, с.136−138.

11. Андрианов Д. Г., Лазарева Г. В., Савельев A.C., Фистуль В. И. Отрицательное магнетосопротивление и магнитные центры в полупроводниках. — ФТП, 1975, т.9, № 2, с.210−215.

12. СучковаН.И., Андрианов Д. Г., Омельяновский Э. М., Ра-шевская Е.П., Соловьев H.H. Свойства арсенида галлия, легированного никелем. — ФТП, 1975, т.9, № 4, с.718−721.

13. Андрианов Д. Г., Лазарева Г. В., Савельев A.C., Селянина В. И., Фистуль В. И. Магнитная восприимчивость и отрицательное магнетосопротивление в — ФТП, 1975, т.9, Ш 8, с.1555−1560.

14. Андрианов Д. Г., Гимельфарб Ф. А., Кушнир П. И., Лопатин-ский Й. Е, Пашковский М. В., Савельев A.C., Фистуль В. И. Магнитные свойства твердых растворов в системе Мй^ ^Ь/ Те, ФТП, 1976, т.10, № 1, с.111−115.

15. Андрианов Д. Г., Лазарева Г. В., Савельев A.C., Фистуль В. И. Аномалии эффекта Холла в JnS?*Mh>. -ФТП, 1976, т.10, № 3, с.568−570.

16. Андрианов Д. Г., Муравлев Ю. В., Савельев A.C. Магнитные свойства электронов проводимости в фосфиде индия. — ФТП, 1977, т.11, № 4, с.703−708.

17. Андрианов Д. Г., Сучкова Н. И., Савельев A.C., Рашев-ская Е.П., Филиппов М. А. Магнитные и оптические свойства ионов.

Miи СвГ конфигурации в арсениде галлия. — ФТП,.

1977, т.11, № 4, с.730−735.

18. Андрианов Д. Г., Каратаев В. В., Лазарева Г. В., Муравлев Ю. Б., Савельев A.C. О взаимодействии носителей заряда с локализованными магнитными моментами в.

ФТП, 1977, т.11, № 7, с.1252−1259.

19. Андрианов Д. Г., Савельев A.C., Сучкова Н. И., Рашевская Е. П., Филиппов М. А. Исследование нейтрального состояния примеси кобальта в арсениде галлия. — ФТП, 1977, т.11, № 8, с.1460−1464.

20. Сучкова Н. И., Андрианов Д. Г., Омельяновский Э. М., Рашевская Е. П., Савельев A.C., Фистуль В. И., Филиппов М. А. О поведении примесей никеля в состоянии Sei^ в арсениде галлия. -ФТП, 1977, т.11, № 9, с.1742−1746.

21. Андрианов Д. Г., Бочкарев Э. П., Гришин В. П., Карпов Ю. А., Савельев A.C. Магнитные свойства и взаимодействие примесей в кристаллах Si*Gc/>. фтП, 1978, т.12, № 3, с.511−519.

22. Андрианов Д. Г., Белоконь С. А., Лакеенков В. М., Савельев A.C., Фистуль В. И., Цискаришвили Г. П. Магнитная восприимчивость монокристаллов Р^^Мь?Те. эдщ 197^ тд2, № 11, с.2224−2227.

23. Андрианов Д. Г., Белоконь С. А., Лакеенков В. М., Пелевин О. В., Савельев A.C., Фистуль В. И., Цискаришвили Г. П. Состояние и поведение железа в монокристаллах. — ФТП, 1980, т.14, 1, с.175−177.

24. Андрианов Д. Г., Савельев A.C. Об эффекте Яна — Телле-ра для примесных ионов с электронной конфигурацией Зс (4 в полупроводниковых соединениях — ФТП, 1980, т. 14, № 3, с.539−545.

25. Андрианов Д. Г., Павлов Н. М., Савельев A.C., Фистуль В. И., Цискаришвили Г. П., Дальнодействующая обменная связь между ионами Мп** в ^?/-х^Х Те # фТП> 1980j т .14, Ш 6, с.1202−1212.

26. Андрианов Д. Г., Савельев A.C., Якубеня С. М., Кабанова О. В. Ян-теллеровские искажения и магнитная восприимчивость ар-сенида индия, легированного марганцем. — ФТП, 1982, т.16, Ш 8, с.1365−1370.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В заключении подведем итоги настоящей работы, а также остановимся на некоторых вопросах, которые вытекают из совокупности выполненных в ней исследований.

В главе 1 приводятся полученные в настоящей работе экспериментальные значения среднего внутреннего потенциала кристаллической решетки /.

Далее экспериментальные значения /о были использованы для вычисления диамагнитной компоненты магнитной восприимчивости кристаллической решеткиСс1 для и полупроводниковых соединений Полученные таким образом величины хорошо согласуются с аналогичными величинами, определенными черев измерение статической поляризуемости, и не согласуются с величинами, которые вычислены с использованием распределения электронной плотности в полупроводниковых кристаллах, найденного в результате анализа интен-сивностей рентгеновских брегговских рефлексов. Это, по-видимому, связано с невысокой точностью последнего метода определения^.^.

Глава П посвящена изложению результатов исследования магнитной восприимчивости носителей заряда в полупроводниках. Здесь приведены полученные в настоящей работе зависимости^с от концентрации электронов для кристаллов С* А и Л Р и сдвига Найта Д^ ЗДеР Л^ в образцах ЛР. Показано, что эти зависимоонъ^С^^Сл) и ^ хорошо согласуются с соответствующими теоретическими вьфажениями, которые учитывают, что зона проводимости обладает непараболичностью кей-новского типа.

Анализ имеющихся в литературе и полученных в настоящей работе экспериментальных данных по магнитной восприимчивости электронного гаэа в полупроводниках свидетельствует о том, что в случае малой эффективной массы электронов проводимости величина ^ определяется главным образом вкладом диамагнетизма Ландау-Пайерлса. В полупроводниках с малой шириной запрещенной зоны ¿-^при этом достаточно велик и вклад парамагнетизма, связанного с влиянием высших зон. Его величина убывает при увеличении ?^. Рост эффективной массы носителей заряда приводит к увеличению доли парамагнетизма Паули.

Приведенные в главе Ш результаты измерений магнитной восприимчивости образцов арсенида галлия, сильно легированных телч луром, указывают на присутствие в них некоторого парамагнетизма, температурная зависимость которого может быть аппроксимирована законом Кюри. Это свидетельствует о том, что в таких кристаллах существуют связанные электронные состояния. Наблюдаемый парамагнитный вклад нельгя объяснить наличием неионизованных донорных состояний на отдельных атомах теллура, находящихся в твердом растворе замещения, поскольку в таких кристаллах дебаевский радиус экранирования оказывается меньше боровского радиуса водородоподобного состояния. Этот парамагнитный вклад нельзя свягать и с водородоподобными состояниями на «эффективных иоНах» (скоплениях нескольких донорных ионов), количества которых определяются чисто статистическим распределением примеси по узлам кристаллической решетки.

Проведенный анализ показывает, что в данном случае связанные состояния скорее всего следует сопоставить с ассоциированными дефектами, в состав которых могут входить не только гриме сные атомы в узлах, но также примесные атомы в междоузлиях и собственные дефекты кристаллической решетки. В настоящее время в литературе отсутствуют надежные сведения об атомном строении таких ассоциированных дефектов (их составе и взаимном расположении компонентов), неизученными остаются и принадлежащие им электронные состояния. Однако существующая информация о локальных уровнях в полупроводниках позволяет высказать предположение, что связанные электронные состояния на ассоциированных дефектах могут оказаться неводородоподобными.

В главе 1У даны результаты исследования магнитной восприимчивости примесных ионов переходных элементов группы железа Ме в полупроводниковых соединениях типа аЧв^. Из этих результатов следует, что в данной ситуации такие ионы могут существовать в двух зарядовых. состояниях реализация одного из этих зарядовых состояний примесного иона зависит от положения уровня Ферми в кристалле и осуществляется за счет изменения количества электронов в его ¿-¿-/-оболочке. Магнитные свойства коллектива примесных ионов переходных элементов группы железа вполне удовлетворительно описываются в рамках теории кристаллического поля, которая основана на представлениях о симметрии кристаллического окружения. При этом было установлено, что, например, для ионов с электронной конфигурацией и Зв/7(Сег* У/3*) в арсениде галлия кристаллическое окружение имеет Та[ -симметрию. Вместе с тем для ионов арсениде индия тетраэдрическая симметрия кристаллического окружения оказывается искаженной локальными ян-теллеровскими деформациями. Локальные искажения симметрии кристаллической решетки для примесных ионов в соединениях наблюдались также для СГ2+(344) в Ш&- [249] и ЛР 1250] и в 6-аЛ^ ?258].

Рассмотрим некоторые следствия, которые вытекают из возможного существования эффекта Яна-Теллера для примесных ионов переходных элементов. В связи с тем, что примесные центры в полупроводниках изменяют свое зарядовое состояние при изменении температуры кристалла или в результате переходов электронов при поглощении квантов света, ян-теллеровские искажения кристаллической решетки в некоторых конкретных случаях могут возникать или исчезать под действием внешних возмущений. Не исключено, что дате ллеровская перестройка кристаллического окружения может повлиять на характеристики тех процессов, при которых перезарядка примесных атомов происходит с ее участием. В частности, если возбужденным или основным зарядовым состоянием примесного иона в указанных выше матрицах является состояние с электронной конфигурацией.

Зс/4 то ян-теллеровские искажения могут оказать влияние на величину сечения захвата при оптических переходах или на время жизни такого иона в возбужденном зарядовом состоянии. В этом отношении интересными представляются исследования кинетики оптических переходов электронов из валентной зоны на ионы в арсениде галлия, т.к. эффект Яна-Теллера в такой ситуации имеет место как для основного.

258], так и для возбужденного CrZ*(U*) f249j зарядовых состояний. Однако согласно работам [249,258] локальная симметрия кристаллического окружения для ионов в кристаллах Gq^S оказывается различной.

Теоретические и экспериментальные исследования процессов, при которых перезарядка примесных ионов сопровождается ян-телле-ровской перестройкой их кристаллического окружения, должны способствовать более глубокому пониманию физики неравновесных явлений в полупроводниках, что может явитьея основой для планомерного изменения кинетических характеристик таких явлений для конкретных [фактических целей. Здесь следует отметить, что в кристаллахХ с высоким содержанием индия наблюдались долговременные релаксации концентрации неравновесных носителей заряда, которые создавались либо квантующим магнитным полем [160], либо освещением образца [171]. В работах [172,408] эти долговременные релаксации связываются с перестройкой кристаллического окружения точечных дефектов, обусловленной эффектом Яна-Теллера.

Наконец, отметим, что ян-теллеровские искажения должны сказаться и на величине энергетической щели для примесных ионов в полупроводниках, т.к. согласно [213] она зависит от симметрии гибридизационного потенциала.

Как было показано в главе У, результаты исследования магнитных свойств образцов Si дают возможность утверждать, что в твердом растворе в кремнии примесные атомы гадолиния находятся в состоянии ^ уз9д цристаллической решетки представляется наиболее вероятным местом расположения такого большого атома, как гадолиний. Вместе с тем известно, что атомы переходных элементов группы железа в элементарных полупроводниках и соединениях А^В^, как правило, создают в запрещенной зонз энергетические уровни для электронов. Эти уровни обычно связываются с различным заполнениемоболочки, а их глубина, согласно [199,200 $, определяется рядом энергетических параметров и, в частности, величиной гибридизациоиного 5-о/- взаимодействия. При малой величине этого взаимодействия примесный ион оказывается слабо связанным с матрицей, и в его ^¿-/-оболочке сохраняется такое же число электронов, как и в том случае, когда он находится в изолированном состоянии [199].

Это ставит вопрос о возможности возникновения локализованных состояний в запрещенной зоне полупроводника при легировании его атомами переходных элементов из группы лантаноидов. Естественно предположить, что в данном случае такие состояния могли бы быть обусловлены наличием у лантаноидов -^-оболочки. Очеведно при этом параметры локализованных состояний должны определяться уже величиной гибридизационного взаимодействия. Однако в атомах лантаноидов имеет место экранирование -^-оболочки электронами других оболочек с более протяженными орбитами. По этой причине величина гибридизационного взаимодействия должна быть меньше гибридизационного взаимодействия. Это дает основание считать, что примесные атомы лантаноидов лишь участвуют в образовании валентных связей, не создавая локальных уровней в запрещенной зоне. Вероятно поэтому в литературе отсутствуют работы, в которых бы с достоверностью сообщалось об идентификации локальных уровней в запрещенной зоне полупроводника, обусловленных легированием его переходными элементами.

Малая величина гибридизационного взаимодействия должна приводить и к тому, что электроны оболочки оказываются слабо связанными с электронной системой кристалла. Не исключено, что это, в свою очередь, приводит к большим временам спин-решеточной релаксации для -^-электронов и делает невозможной регистрацию спектра ЭПР в кристаллах & *. Очевидно поэтому все наши попытки наблюдать ЭПР — поглощение на образцах Л*&с1> не увенчались успехом.

Результаты экспериментальных исследований, приведенные в главе У, свидетельствуют о том, что обменные взаимодействия меж.

АППУ1 ДУпУ1 ду атомами переходных элементов в кристаллах, А В и А. В могут быть как антиферро-, так и ферромагнитного знака. Современное состояние представлений о примесном магнетизме в полупроводниках позволяет лишь качественно обсудить эти экспериментальные данные, допустив, что дальнодействие обменных связей обеспечивается гибридизацией 3^-состояний атомов переходного элемента с зонными состояниями полупроводника. Гибридизационными взаимодействиями объясняется и возникновение акцепторных состояний примесейэлементов в полупроводниковых кристаллах.

Как уже отмечалось ранее, согласно теоретической работе [215], должна иметь место гибридизация ^й^-состояний атомов переходных элементов с зонными состояниями рсимметрии. Вместе с тем в литературе отсутствуют какие-либо экспериментальные данные о величине этой гибридизации и характере гибридизованных волновых функций. В этом отношений представляется интересным проведение исследований сдвигов ЯМР на ддрах атомов Зс (-элементов. Если к атомным волновым .3¿-/-функциям примешиваются зонные волновые функции-симметрии, это приведет в появлению контактного сдвига линии ЯМР. При гибридизации с зонными состояниями рсимметрии возможно появление сдвига ЯМР диполь-дипольного характера.

В этой ситуации перспективными представляются попытки экспериментального наблюдения сателлитных линий ЯМР (помимо линии основного резонанса) на ядрах атомов матрицы кристалла, формирующих координационные сферы вокруг примесного магнитного атома.

7 HiT.

Наблюдение и идентификация сателлитных линий для ядер Jji в образцах, выполненные в нашей работе ¡-41о], позвилили восстановить вид возмущающего электрического потенциала, вносимого заряженной примесью в матрицу кристалла. Следует ожидать, что в случае магнитных примесей это дало бы возможность составить представление о характере и протяженности гибридизо-ванных волновых функций. К сожалению, наши попытки наблюдать такие сателлитные линии для атомных ядер матрицы в кристаллах не увенчались успехом.

Однако при достаточной протяженности гибридивованных волновых функций должен появиться сдвиг основной линии ШР и для ядер атомов матрицы полупроводника. Действительно, как отмечалось в нашей работе [241], линия ЯМР для ядер Л в кристаллах JhSS< Mh> и сдвигается в сторону более слабых магнитных полей по отношению к ее положению в нелегированных кристаллах. Величина этого сдвига возрастает с понижением температуры и ростом концентрации марганца. Вместе с тем в кристаллах GdF-e> и Gq Р< Fe> для дцер Л* Этакие сдвиги не обнаруживаются. Не исключено, что эти экспериментальные факты указывают на различие в степени гибридизации ^¿-/-состояний атома переходного элемента с зонными состояниями в образцах Л Sg*Mh>, Л Ж Gt? Js< Fe> и GaP< Fe> Однако строгая интерпретация этих результатов сегодня невозможна из-эа отсутствия соответствующих теоретических работ.

Согласно имеющимся в литературе данным, полумагнитные полупроводники Н^Мч^7е[з28,ззз], Cc{f^M*ATe [327,329,332] и Со/^Ми/ 5 [409] обладают рядом уникальных физических характеристик, которые могут стать основой для практического использования таких кристаллов. Дальнейшим успехам в этом направжнии должно способствовать создание теории примесного магнетизма в полупроводниках.

Возможно, что решение этих вопросов и совершенствование технологических приемов позволит получить пол/проводниковые кристаллы, обладающие магнитным упорядочением в широком интервале температур. Можно ожидать, что такие кристаллы будут иметь некоторые преимущества (например, большие подвижности носителей заряда) по сравнению с обычными магнитными полупроводниками, такими, как халькогениды европия и хромовые шпинели. Не исключено, что такие кристаллы могут стать основой для создания не только традиционных полупроводниковых приборов, характеристики которых можно изменять еще и внешним магнитным полем, но и для создания принципиально новых технических устройств электронной техники, использующих, например, взаимодействие носителей заряда со спиновыми волнами.

Экспериментальные результаты, приведенные в главе У1, указывают на то, что теория квантовых поправок к кинетическим коэффициентам в магнитном поле объясняет аномальное магнитосопротив-. ление в полупроводниковых кристаллах, сильно легированных мелкими донорами и мелкими акцепторами. Теория квантовых поправок описывает ОМС и в полупроводниках электронного типа проводимости, содержащих также компенсирующие акцепторные примеси. В этой же главе на примере Л? ё^Ми* и показано, что в полупроводниковых эдисталлах возможна ситуация, когда введение примесных атомов переходного элемента приводит к появлению аномалий кинетических коэффициентов гальваномагнитных эффектов, которые обеспечиваются взаимодействием носителей заряда с локализованными магнитными моментами. Однако для количественного описания этих аномалий гальваномагнитных явлений в полупроводниках необходимы соответствующие теоретические исследования.

В свете изложенного наиболее перспективными областями дальнейшего развития сформулированного направления исследований представляются:

1. Поиск цутей для изучения кинетических характеристик ян-теллеровской перестройки кристаллического окружения примесных ионов переходных элементов при изменении их зарядового состояния и их связи с кинетикой неравновесных процессов.

2. Изучение природы обменных взаимодействий между магнитными примесными ионами в полупроводниках.

3. Развитие теоретических представлений о взаимодействиях между магнитными моментами примесных ионов и носителей заряда в по лупроводниках.

4. Выяснение природы связанных состояний в полупроводниках, сильно легированных мелкими донорами.

5. Исследование поведения примесных ионов редкоземельных элементов в полупроводниках.

Решение всех этих вопросов требует теоретических и экспериментальных исследований на микроскопическом уровне и должно способствовать как дальнейшему развитию физики полупроводников, так и расширению областей практического применения полупроводниковых материалов.

В заключение выражаю глубокую благодарность Лауреату Государственной премии СССР, доктору физч-мат. наук, профессору В. И. Фистулю, который в течение многолетней совместной работы плодотворными консультациями, советами и постоянным вниманием создавал все условия для выполнения настоящей диссертации.

Я также искренне признателен Лауреату Ленинской премии, директору Государственного ордена Октябрьской Революции научно-исследовательского и проектного института редкометаллической промышленности «Гиредмет», члену-корреспонденту АН СССР Э.П.Бочка-реву, заместителям директора по научной работе Лауреату Государственной премии СССР, кандидату техн. наук А. В. Елютину и Лауреату Ленинской и Государственной премии СССР, доктору техн. наук, профессору М. Г. Мильвидскому, заведующему отделом физических исследований, кандидату техн. наук А. Ф. Орлову за внимание и доброжелательное отношение, способствовавшее успешному выполнению настоящей работы.

Считаю своим приятным долгом выразить глубокую признательность моим сотрудникам: к.ф.-м.н. А. С. Савельеву, Г. В. Лазаревой, Кчфтм.н. Ю. Б. Муравлеву, к.ф.-м.—>н. Н. И. Сучковой, к.т.н. Л. А. Жуковой, к.ф.-м.н. С. А. Дроздову, Е. Ф. Астаховой и к.ф.-м.н. Е.П.Ра-шевской за помощь в проведении эксперимента и критические обсуждения отдельных вопросов, рассмотренных в диссертации.

Я также признателен сотрудникам «Г1федмета» к.т.н. В. П. Гришину, к.т.н. В. С. Ивлевой, к.т.н. В. В. Каратаеву, к.т.н. В.М.Лаке-енкову, к.т.н. М. А. Филиппову за предоставление высококачественных специально легированных образцов полупроводниковых материалов .

Успешному выполнению диссертации способствовали внимание и поддержка всего коллектива отдела физических исследований «Гиредмет, а » .

Показать весь текст

Список литературы

  1. С.В. Магнетизм. — М.: Наука, 1979.
  2. Busch G.A., Kern R. Die magnetischen Eigenschaften der AX11BY verbindungen — Helv.phys. Acta, 1959, V.32,NI 1,. p.24−57.
  3. Sonder E., Stevens D.K. Magnetic properties of n-type silcon. Phys.Rev., 195S, v.110, Ш 5, p.1027−1034.
  4. Stevens D.K., Crawford J.H. The magnetic susceptibility of germanium. Phys.Rev., 1955, v.92, NS 4, p.1065−1066.
  5. Stevens D.K., Clealand J.W., Crawford J.H., Schweinler H.C. Magnetic susceptibility of germanium. Phys.Rev., 1955, v.100, Ш 4, p.1084−1093.
  6. Hedgcock P.T. Magnetic susceptibility of low resistivity n-type germanium. Canad. J. Phy s., 1956, v.34, N5 1, p.43−49.
  7. Hedgcock P.T. Magnetic properties of pure and n-type germanium at liquid helium temperatures. J. Electronics, 1957, v.2, m 6, p.513−528.
  8. Bowers R., Magnetic susceptibility of germanium. Phys. Rev., 1957, v.108, lfi 3, p.683−689.
  9. Bowers R., Yafet Y. Magnetic susceptibility of InSb. -Phys.Rev., 1959, v.115, N2 5, p.1165−1172.
  10. Д.Г., Савельев А. С., Фистуль З. И. Магнитная восприимчивость арсенида галлия, сильно легированного теллуром. Ш1, 1972, т.6, Ш 5, с.853−857.
  11. Р. Полупроводники. М.: ИЛ, 1962.
  12. Маделунг 0. Физика полупроводниковых соединений элементов Ш У групп. — М.: Мир, 1967.
  13. Л.Д., Лифшиц Е. М. Квантовая механика. Нерелятивистская теория. М.: Физматгиз, 1963.
  14. Van Vleck J"H. On dielectric constants and magnetic susceptibilities in the new quantum mechanics. I. Phys. Hev", 1927, V.29, N2 5, p.727−744.
  15. Van Vleck J.H. On dielectric constants and magnetic susceptibilities in the new quantum mechanics. II. Phys.Bev., 1927″ V.30, N2 1, p.31−5^.
  16. Van Vleck J.H. On the dielectric constants and magnetic susceptibilities in the new quantum mechanics. III. Pbys. Rev, 1928, V.31″ № 4, p, 587−613.
  17. Sonderman V. Magnetische Untersuchungen an mischkristallen der quasibinaren legierungssysteme (CdTe)^x (MnTe)x und (SniDe)1-x (MnTe)x. J.Magn.Magn.Mater., 1976, v.2,NS 1, p.2l6−222.
  18. Д.Г., Савельев A.C., Фистуль В. И. Магнитная восприимчивость твердых растворов в системе GaAs GaP. -ФТП, 1970, т.4, № 8, с.1483−1486.
  19. Я.Г. Диамагнетизм и химическая связь. М.: Физматгиз, 1961.
  20. Enz С.P. Theory of the Magnetic Susceptibility of Crystals. Helv.Phys.Acta, 1960, v, 33″ KS 2, p.89−114.
  21. Enz С.P. Temperature Dependence of Magnetic Susceptibility. Helv.Phys.Acta, 1960, V.33, № 2, p.115−122.
  22. Morita A., Abe Y., Yamazaki H. Theory of lattice magnetic susceptibility of semiconductors. J.Phys.Soc.Japan, 1963″ v.18, № 3, p.341−348.
  23. Misra P.K., Kleinman L. Theory of the magnetic susceptibility of Bloch electrons. Phys.Rev., Ser. B, 1972, v.5, KS 11, p.4581−4597.
  24. Я.Г. Магнитные свойства и строение вещества. -М.: Физматгиз, 1955.
  25. Я.Г. Диамагнетизм и межатомные связи в молекулахи неметаллических кристаллах. Ж? ТФ, 1958, т.35,№ 2(8), с.533−535.
  26. Kirkwood I.G. Polarisier-bar-keiten, Suszeptibilita-ten und van der Waalssche Krafte der Atome mit mehreren Electronen. Pbys.Zs., 1932, Bd.33, № 2, S.57−60.
  27. H.H., Шелег А. У. Распределение электронной плотности в сэром олове и диамагнитная восприимчивость. ДАН СССР, 1962, т.147, № 6, с.1344−1347.
  28. H.H., Олехнович Н. М. Рентгенографическое определение диамагнитной восприимчивости некоторых ионных и полупроводниковых соединений. ДАН СССР, 1963, т.148, № 1, с.71−73.
  29. H.H., Олехнович Н. М. Парамагнитная составляющая магнитной восприимчивости полупроводниковых соединений по данным рентгенографического анапиза. ДАН СССР, 1963, т. 151,5, с.1079−1080.
  30. H.H. Парамагнитная составляющая магнитной восприимчивости полупроводниковых кристаллов по экспериментальным данным распределения электронной плотности. ДАН СССР, 1963, т.150, № 4, с.781−783.
  31. H.H. Некоторые вопросы химической связи в полупроводниках. В сб.: Химическая связь в полупроводниках и твердых телах. — Минск: Наука и техника, 1965, с.12−45.
  32. Bailla i1., Manca P. Susceptibilite magnetique et nature des liaisons interatomiques dans les semiconducteurs. C.E. Acad.Sci. Paris, Ser. B, 1966,4.262, № 16, p.1075−1080.
  33. Beheinger R.E. Number of single, double and triple Clusters in a system containing two types of atoms. J.Chem.
  34. Phy s., 195s, v.29, m 3, p.537−539.
  35. Matya^ M. Der Zusammenhang Zwischen der Magnetischen suszeptibilitat und Chemischen Binding Halbleitender Verbindgen mit Sphaleritstruktur Czech.J.Phys.B, 1962, V.12,N? 11, p.838−842.
  36. Maty а/M. A Note on the Magnetic susceptibility of semiconducting compounds of AII: IBV. Czech.J.Phys., 1959″ v.9, Ni 2, p.257−258.
  37. Maty as M. The Magnetic susceptibility of solid solutions of semiconducting compounds of Czech.J.Phys, В, 1961, v.11, Ni 6, p.461−463.
  38. Suchet J.P. Chemical Physics of Semiconductors. London, 1964-.
  39. Suchet J.P., Baily P. La liaison chimique dans les cristaux mineraux. Ann.Chim., 1965, V.10,N2 11−12,p.517−532.
  40. H.H., Маковецкая Л. А., Розов B.B., Виткина Ц. З. Магнитная восприимчивость твердого раствора фосфед индия арсе' нид галлия. — ДАН БССР, 1968, т.12, с.1085−1086.
  41. H.H., Бондарев И. В., Виткина Ц. З. Магнитная восприимчивость и ширина запрещенной зоны твердых растворов системы inAs-GaP. ФТП, 1975, т.9, № 11, с.2224−2226.
  42. .К. Структурная электронография. М.: Изд-во АН СССР, 1956.
  43. Bethe H.A. Theorie der Beugung von Electronen an Kristallen. Ann. Physik, 1928, Bd.87, Ni 1, S.55−129.
  44. А.И. Расчет тонкой структуры рентгеновских спектров поглощения металлов с использованием полей Хартри. -Изв.АН СССР, сер.физ., 1963, т.27, № 3, с.364−377.
  45. А.Н., Немнонов С. А. Исследование L щ -спектров поглощения сурьмы и К спектров поглощения фосфора в бинарных полупроводниковых соединениях типа А%У. — Изв. АН СССР, сер.физ., 1964, т.28, № 5, с.922−933.
  46. З.Г. Дифракция электронов. М.-Л.: Изд-во АН СССР, 1949.
  47. Grote К.H. Bestimmung des mittleren inneren Potentials aus Kikuchi Diagrammen von Wolfram — Einkristallen. — Optik, 1969, Bd.28, m 3, S.374−388.
  48. П., Хови А., Николсон Р., Пэшли Д., Уэлан М.
  49. Электронная микроскопия тонких кристаллов. М.: Мир, 1968.
  50. Д.Г., Жукова Л. А., Савельев A.C., Фистуль В. И. Средний внутренний потенциал и магнитная восприимчивость полупроводниковых кристаллов. Ш1, 1974, т.16, № 2, с.309−311.
  51. Д.Г., Жукова Л. А., Савельев A.C., Фистуль
  52. В.И. Электронографический анализ решеточной магнитной восприимчивости полупроводниковых 1фИсталлов. Кристаллография, 1974, т. XIX, № 4, с.802−808.
  53. Полупроводниковые соединения aV. M.: Металлургия, 1967.
  54. Wilman H. The interpretation and application of electron diffraction Kikuchi — line patterns. Part II. Methods of Indexing the patterns. — Proc.Phys.Soc., 1948, v.61, Ш 2, p.416−430.
  55. Л.А., Гуревич M.А. Электронография поверхностных слоев и пленок полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1971.
  56. Р.И., Гусатинский А. Н. О среднем внутреннем потенциале решетки некоторых полупроводниковых соединений и элементарных полупроводников. Известия ВУЗов, сер. физ^, 1967,9, с.136−138.
  57. H.H., Шелег А. У., Мацкевич Ж. А. Распределение потенциала в решетке фосфида галлия. В сб.: Химическая связь в полупроводниках. — Минск: Наука и техника, 1969, с.135−142.
  58. Sigamony A. The magnetic susceptibility and anisotropy of carborundum. Proc.Ind.Acad.Soi., Sec. A, l944, v. l9, NS 6, p.377−380.
  59. Tietjen J.J., Amick J.A. Preparation and properties of Vapor deposited epitaxial GaAs^xP-x using arsine and phosphine. — J.Electrochem.Soc., 1966, v.113, MS 7, p.724−728.
  60. Craford M.G., Stillman G.E., Rossi J.A., Holonyak N. Effect of Те and S doner levels on the properties of GaAs^^P^. Phys.Rev., 1968, v.168, № 3, p.867−882.
  61. Бонч-Бруевич В.Л. К теории сильно легированных полупроводников. ФТТ, 1962, т.4, № 9, с.2660−2674.
  62. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С. Г. Физика полугровод-ников. М.: Наука, 1977.
  63. Ashenford D.E., Lisgarten N.D. The measurement of inner potencial for diamond, germanium and silicon. Acta Cryst., 1982, v. A39, № 1, p.311−314.
  64. Ш. М., Емельяненко O.B., Лагунова Т. С., Насле-дов Д.Н. О природе отрицательного магнитосопротивления в арсе-ниде галлия. ФТП, т.6, 1972, № 10, с.2010−2014.
  65. Pauli W. Uber gasentartung und Paramagnetismus. Zs. Physik, 1927, Bd.41, Ж 2/3, S.81−102.
  66. А.И. Введение в теорию полупроводников. -М.-Л.: Физматгиз, 1962.
  67. Landau L. Diamagnetismus der Metalle. Zs. Physik, 1930, Bd.64, Ж 7−8, S.629−637.
  68. Peierls R. Zur Theorie des Diamagnetismus von Leitungs-electronen. Zs. Physik, 1933, Bd.80, N2 11−12, S.763−791.
  69. Peierls R. Zur Theorie des Diamagnetismus von Leitungs-electronen. II. Starke Magnetfelder. Zs. Physik, 1933, Bd.81,1. Ш 3−4, S.186−194.
  70. Busch G., Mooser E. Der Magnetismus freier Ladungstrager in Halbleitern. Helv.Phys.Acta, 1951, Bd.24,KS 4, S.329−331.
  71. Busch. G., Mooser E. Magnetische Suszeptibilitat des grauen Zinns. Z^Phy sik, Cliem., 1951, Bd. 198, № 10, S.23−29.
  72. Busch G., Mooser E. Die magnetischen Eigenschaften der Halbleiter mit besonderer Berucksichtigung des grauen Zinns. Helv.Phys.Acta, 1953, v.26, № 6, p.611−656.
  73. Busch G., Helfer N. Magnetische Suszeptibilitat des Germanium. Helv.Phys.Acta, 1954, v.27, № 3, p.201−204.
  74. Crawford J.H., Schweinler H.C., Stevens D.K. Magnetic indications of electronic structure of the conduction band in Ge. Phy s.Rev., 1955, v.99″ № 4, p.1330−1331.
  75. Hedgecock F.T. Magnetic properties of pure and n-type germanium at liquid helium temperatures. J. Electronics, 1957, v.2, № 6, p.513−528.75″ Bowers R. The magnetic susceptibility of semiconductors. J.Phys.Chem.Solids, 1959, v.8, N2 1, p.206−211.
  76. Hedgecock F.T. The effect on concentration on the magnetic susceptibility of trapped electron and holes in simicon-ductors. Canad.J.Phys., 1959, v.37, № 3, p.381−383.
  77. Stevens D.E., Sturm H.D., Sonder E., Clealand J.H., Crawford J.H. Magnetic susceptibility of silicon. Bull.Am. Phy s.Soc., Ser. II, 1957, v.2, N2 2, p.134.
  78. Sasaki W., Kinoshita J. Piezoresistance and Magnetic susceptibility in heavily doped n-type silicon. J.Phys.Soc.
  79. Japan, 1968, v.25, HE 6, p.1622−1629.
  80. Lax В., Zeiger H.J., Dexter R.N., Rosenbliim C. Directional properties of the cyclotron resonance in germanium. Phys. Rev., 1954, v.93, № 6, p.1418−1420.
  81. Dresselhaus G., Kip A.P., Kittel C. Cyclotron resonance of electrons and holes in silicon and germanium cristals. Phy s.Rev., 1955, v.98, m 2, p.368−384-.
  82. Dexter R.N., Lax В., Kip A.P., Dresselhaus G. Effective masses of electrons in silicon. Phys.Rev., 1954″ v.96, № 1, p.222−223.
  83. Ue H., Maekawa Sh. Electron spin — resonance studies of heavily phosphorus-doped silicon. — Phys.Rev., Ser. B, 1971″ v.3, Ш 12, p.4232−4238.
  84. Quirt J.D., Marko J.R. Absolute spin susceptibilities and other ESR parameters of heavily doped n-type silicon. I. Metallic samples. Phys.Rev., Ser. B, 1972, v.5, № 5, p.1716−1728.
  85. Н.И., Краснолоб Н. П. О магнитной восприимчивости РЬТе . В сб.: Исследования по молекулярной физике твердого тела. Киев, 1976, с.40−43.
  86. Bowers R., Yafet Y. Magnetic susceptibility of p-type
  87. Ge. Phys.Rev., 1960, v.120, № 1, p.62−66.
  88. Иванов-Омский В.И., Коломиец Б. Т., Огородников В. К., Товстюк Д. К. Особенности магнитной восприимчивости HgTe при низких температурах. ФТП, 1968, т.2, № 6, с.906−909.
  89. Иванов-Омский В.И., Коломиец Б. Т., Мельник В. М., Огородников В. К. Магнитная восприимчивость HgTe. ФТТ, 1969, т.11, Ш 9, с.2563−2567.
  90. .Л., Иванов-Омский В.И., Коломиец Б. Т., Мельник В. М. Магнитная восприимчивость дырок в HgTe, inSb и Ge.- Ш1, 1970, т.4, № 2, с.299−304.
  91. .Л. Магнитная восприимчивость электронов со структурой валентной зоны германия. ФТТ, 1969, т.11, № 5,с.1096−1102.
  92. Stevens D.K., Crawford J.H. Magnetic susceptibility of indium antimonide. Phys.Rev., 1955, v.99, N2 2, p.487−488.
  93. Bowers R. Magnetic susceptibility of InSb. Bull.Am. Phys.Soc., Ser. II, 1958, v.3, to 2, p.120.
  94. Matyas M. The effective mass of electrons in the intrinsic region of InSb. Czech. J.Phys., 1958, v.8,Hi 5, p.544−547.
  95. Romelt G., Geist D., Schlabitz W. Das Temperaturvev halten der magnetischen Suszeptibilitat von InAs und InSb. Zs. Naturforschung, 1959, Bd.14, № 9, S.923−924.
  96. Д.Г., Муравлев Ю. Б., Савельев A.C. Магнитные свойства электронов проводимости в фосфиде индия. ФТП, 1977, т.11, № 4, с.703−708.
  97. Yafet Y. Energy levels of conduction electrons in a magnetic field. Phys.Rev., 1959, v.115, Ш 5, p.1172−1176.
  98. Kane E.O. Band structure of indium antimonide. J. Phys.Chem.Solids, 1957, v.1, Ж 4, p.249−261.
  99. Luttinger J.M. Quantum theory of cyclotron resonance in semiconductors: general theory. Phys.Rev., 1956, v.102,4, p.1030−1041.
  100. Ю.й. Определение эффективной массы электронов в GaAs с помощью эффекта Фарздея. ФТТ, 1963, т.5, Ш 1, с.108−111.
  101. ЮЗ. Dunkan W., Schneider Е.Е. Electron spin resonance in n-type GaAs. Phys.Lett., 1963, v.7, Ш 1, p.23−24.
  102. Roth L.M., Lax В., Zwerdling S. Theory of optical magneto-absorption effects in semiconductors. Phys.Rev., 1959, v.114, № 1, p.90−104.
  103. Zawadzki W. The magnetic susceptibility of semiconductors with nonparabolic energy bands. Phys.Stat.Sol., 1963, v.3, Ш 8, p.1421−1428.
  104. Kolodziejczak J. On the theory of transport phenomena in semiconductors. Acta phys.Polon., 1961, v.20,Ш5−6,p.379−389″
  105. Zawadzki W. Thermomagnetic effects in semiconductors. Phys.Stat.Sol., 1962, v.2, W 4, p.385−410.
  106. Kolodziejczak J. Magneto-optical effects in InSb. -Acta phys.Polon., 1962, v.21, № 6, p.637−644.
  107. Kowalczyk R., Kolodziejczak J., Zawadzki W. The generalized Fermi-Dirac integrals. Pol.Acad.Sci., Warszawa, 1965.
  108. Zawadzki W., Kowalczyk R., Kolodziejczak J. The Generalized Fermi-Dirac Integrals. Phys.Stat.Sol., 1965, v.10, Ш 2, p.513−518.
  109. А.С., Андрианов Д. Г. О количественной оценке магнитной восприимчивости электронов в непарабо личной зоне. -ФТП, 1972, т. б, № 2, с.404−405.
  110. А.С. Магнитная восприимчивость монокристаллического арсенида галлия. Дисс. на соиск. ученой степени канд. ф.-м. наук. М.: гирщег, 1974.
  111. Schumacher R.T., Slichter С.P. Electron spin paramagnetism of lithium and sodium. Phys.Rev., 1956, v.101, N2 1, p.58−65.
  112. Kodera H. Effect of doping on the electron spin resonance in phosphorus doped silicon. J.Phys.Soc.Japan, 1964, v.19, Ш 6, p.915−918.
  113. Kodera H. Effect of doping on the electron spin resonance in phosphorus doped silicon studied at liquid nitrogen temperature. J.Phys.Soc.Japan, 1964, v.19, № 9, p.1751−1752.
  114. Kodera H. Effect of doping on the electron spin resonance in phosphorus doped silicon. II. J.Phys.Soc.Japan, 1966, v.21, m 6, p. 1040−104−5.
  115. Kodera H. Effect of doping on the electron spin resonance in phosphorus doped silicon. III. Absorption intensity. -J.Phys.Soc.Japan, 1969, v.26, H52, p.377−380.
  116. Quirt J.D., Marko J.R. Absolute spin susceptibilities and other ESR parameters of heavily doped n-type silicon. II. A unified treatment. Phys.Rev., Ser. B, 1973, v.7, Ш 8, p.3842−3858.
  117. Maekawa S. Electron spin resonance of phosphorus doped silicon in the metallic conduction region. Proc.Intern.Conf. Phys.Semicond., Kyoto, 1966, p.574−577.
  118. Robinson F.N.H. Nuclear resonance absorption circuit-J. Scient.Instr., 1959, v.36, W. 12, p.481−487.
  119. Elliott R.J. Theory of the effect of spin-orbit coupling on magnetic resonance in some semiconductors. Phys.Rev., 1954, v.96, № 2, p.266−279.
  120. Yafet Y. g-Factors and spin-lattice relaxation of conduction electrons. Solid State Physics, 1963, v.14,p.1−98.
  121. Bemski G. Spin Resonance of Conduction Electrons in
  122. Sb. Phys.Rev.Letters, 1960, v.4, № 1, p.62−64.
  123. Ч. Основы теории магнитного резонанса. М.:1. Мир, 1967.
  124. А. Ядерный магнетизм. М.: ИЛ, 1963.
  125. С.А., Козырев Б. М. Электронный парамагнитный резонанс. М.: Наука, 1972.
  126. А., Блини Б. Электронный парамагнитный резонанс переходных ионов. М.: Мир, 1972, т.1.
  127. Sundfords R.K., Holcomb D.P. Nuclear magnetic resonance studies of the metallic transition in doped silicon. -Phys.Rev., 1964, v.136, ffi ЗА, p. A810-A820.
  128. Alexander M.N., Holcomb D.E. Semiconductor-to-metall transition in n-type group IV semiconductors. Rev.Mod.Phys., 1968, v.40, m 4, p.815−829.
  129. Sasaki W., Ikehata S., Kobayashi Sh. NMR study on heavily doped silicon. I. J.Phys.Soc.Japan, 1974, v.36, № 5, p.1377−1382.
  130. Brown G.C., Holcomb D.E. Magnetic properties of conduction electrons in metallic SiiP and Si: B. Proc. 12-th Intern.Conf.Phys.Semicond., Stuttgart, 1974, p. Ю99−1ЮЗ.
  131. W., Ikehata S., Kobayashi Sh. 2%i NMR in heavily doped silicon. Phys. Letters, 1973, v.42A, Ш 6, p.429−430.
  132. Ikehata S., Sasaki W., Kobayashi Sh. NMR Study on heavily Doped Silicon. II. J.Phys.Soc.Japan, 1975, v.39, Ml 6, p.1492−1497.
  133. Braun P., Grande S. Impurity dependence of the NMR line shift in AIi: tBV semiconductors. Phy s. Stat .Sol. (b), 1975, v.72,1, р .К73-К76.
  134. Unger К. Berechriung der Knight-Shift in electronen leitenden III V Halbleitern. — Zs. Naturforschung, 1968, Bd.23a, № 1, S.178−185.
  135. Gueron M. Density of the conduction electrons ai? the nuclei in indium antimonide. Phys.Rev., 1964, v.135, Ю 1A, p. A200-A205.
  136. И.М., Азбель М. Я., Каганов М.й. Электронная теория металлов. М.: Наука, 1971.
  137. А.А. Введение в теорию нормальных металлов. М.: Наука, 1972.
  138. С.В., Грум-Гржимайло С.В., Черепанов В. И., Мень А. Н., Свиридов Д. Т., Смирнов Ю. Ф., Никифоров А. Е. Теория кристаллического поля и оптические спектры примесных ионов снезаполненной ¿-¿--оболочкой. М.: Наука, 1969.
  139. Portis A.M., Kip A.F., Kittel Ch., Bratain W.H.
  140. Electron spin resonance in a silicon semiconductor. Phys.Rev., 1953, v.90, № 5, p.988−989.
  141. Mooser E. Magnetic susceptibility of impurity-trapped electrons and holes in semiconductors. Phys.Rev., 1955, v.100, m 6, p.1589−1592.
  142. Sonder E., Schweinler H.C. Magnetism of interacting donors. Phys.Rev., 1960, v.117, Jfi 5, p.1216−1221.
  143. Damon D.H., Gerritsen A.N. Magnetic susceptibility of weakly interacting donors in germanium. Phys.Rev.-, 1962, v.127, Ш 2, p.405−413.
  144. B.M., Земсков B.C. Физико-химические основы легирования полупроводников. М.: Наука, 1967.
  145. В.Г., Ракитин Ю. В. Введение в магнетохимию: метод статической магнитной восприимчивости в химии. М.: Наука,
  146. С.А., Усачев П. В., Юдин В. М. Магнитная восприимчивость HgCo(CNS)4. ФТТД971, т.13,№ 9, с.2829−2830.
  147. .Ф., Дохновский С. Б., Журкин Б. Г. и др. Регулятор тока электромагнита на полупроводниковых триодах. -ПТЭ, 1962, № 1, С.129−131.
  148. Poulis I., Massen С.H., Thomas J.M. Longitudal Knud-sen forces. II J. Sci.Instrum., 1966, v.43, № 4, p.234−237.
  149. Shimizu T. ESR spectra of donor clusters. J. Phy s. Soc. Japan, 1968, v.25, № 4, p.1021−1024.
  150. В.Б., Гладков П. С., Журкин Б. Г., Пенин Н. А. Зависимость сверхтонкого расщепления от одноосного сжатия в спектре ЭПР фосфора и сильно легированном кремнии п -типа. -ФТП, 1970, т.4, № 2, с.325−328.
  151. В.И. Сильно легированные полупроводники. М.: Наука, 1967.
  152. Hedgecock Р.Т., Mathur D. Localized spins in heavily doped n-type germanium exhibiting metallic conduction. Canad. J. Physl, 1963, v.41, № 7, p.1226−1229.
  153. Toyozawa Y. Theory of localized spins and negative magnetoresistance in the metallic impurity conduction. J.Phys. Soc. Japan, 1962, v.17, m 6, p.986−1004.
  154. Quirt J.D., Marko J.R. Electron spin — resonance measurement of the spin susceptibility of heavily doped n-type silicon. — Phy s.Rev. Lett., 1971, v.26, Kg 6, p.318−321.
  155. Friedel J. On some electrical and magnetic properties of metallic solid solutions. Canad.J.Phys., 1956, v.34, N2 12A, p.1190−1211.
  156. Friedel J. Sur la structure electronique des metaux et alliages de transition et des metaux lourds. J.phys.radium, 1958, v. 19, № 6, p.573−581.
  157. Anderson P.W., Clogston A.M. Antiferromagnetic contribution to the polarization of free electrons by inner shell spins. Bull.Am.Phys.Soc., 1961, v.6, Ж 1, p.124.
  158. Anderson P.W. Localized magnetic states in metals. -Phys.Rev., 1961, v.124, № 1, p.41−53.
  159. Sasaki W., Yamanouchi C., Hatoyama G.M. Negative magnetoresistance effect in semiconductors. Proc.Intern.Conf. Semicond. Physics, Prague, 1960, p.159−162.
  160. .А., Брандт Н. Б., Богословский С.А., Рябова
  161. Л.И., Чудинов С. М. Неравновесное металлическое состочние в сплавах Pb^Sn^TeCln). Письма в Жс (ГФ, 1979, т.29,№ 1, с.11−14.
  162. Hasegawa H. Dynamical properties of s-d-interaction. Pro gr.Theoret.Phy s. (Kyoto), 1959, v.21, m 4, p.483−500.
  163. Sasada T., Hasegawa H. Theory of spin resonance of localized moments in dilute alloys. Progr.Theoret.Phys. (Kyoto), 1971, v.45, m 4, p. Ю72-Ю97.
  164. Mikoshiba N. Model for the metal-nonmetal transition in impure semiconductors. Rev. Mod. Phys., 1968, v.40,4, p.833−838.
  165. Mott N.F. The transition to the metallic state. -Phil.Mag., 1961, v.6, m 62, p.287−309.
  166. Mott N.F. Metal-insulator transition. Rev.Mod.Phys., 1968, v.40, N2 4, p.677−683.
  167. Ю.В., Шендер Е. Ф., Полянская Т. А. Отрицательное магнитосопротивление и локализованные магнитные состояния в полупроводниках. ФГП, 1970, т.4, № 12, с.2311−2321.
  168. Вул Б.М., Заварицкая Э. И., Воронова И. Д., Рождественская Н. В. Температурная зависимость отрицательного магнитосопро-тивления в компенсированном арсениде галлия. Письма в ЖВГФ, 1972,.т.15, № 11, с.661−664.
  169. Э.И., Воронова И. Д., Рождественская Н. В. Отрицательное магнитосопротивление в компенсированном арсениде галлия при низких температурах. ФТП, 1972, т.6, № 10, с.1945−1953.
  170. Э.И., Воронова И. Д., Рождественская Н. В. Переход металл диэлектрик в магнитном поле в компенсированном арсениде галлия. — Ш1, 1973, т.7, № 8, с.1479−1484.
  171. Pryсе M.H.L. Spin-spin interaction within paramagnetic ions. Phys.Rev., 1950, v.80, Ж 6, р.1Ю7−1Ю8.
  172. Вул Б.М., Воронова И. Д., Калюжная Г. А., Мамедов Т. О., Рагимова Т. Ш. Особенности явлений переноса в PbQ ygSnQ с большим содержанием индия. Письма в Ж5ТФ, 1979, т.29, № 1,с.21−25.
  173. .А., Осипов В. В., Панкратов О. А. Перестройка дефектов и долговременные релаксации неравновесных носителей в узкозонных полупроводниках. ФТП, 1980, т.14, № 7, с.1387−1389.
  174. Э.М. Исследование глубоких центров, создаваемых примесями переходных металлов в соединениях Дисс. на соиск. учен. степ, докт.ф.-м.наук. М.: ШРЩ1ЕТ, 1978.
  175. В.Ф., Попов Б. П. Суперпарамагнетизм кристаллов GaAs «ФТП, 1978, т.12, № 2, с.406−407.
  176. В.Ф. Глубокие центры и их взаимодействие в соединениях Дисс. на соиск. учен. степ, докт.ф.-м.наук. Л.: ЛПИ, 1979.
  177. Бонч-Бруевич В. Л. Вопросы электронной теории сильно зв-гированных полупроводников. В сб.: Итоги науки. Физика твердого тела. — М.: ВИНИТИ, 1965, с.127−236.
  178. Бонч-Бруевич В. Л. Квазиклассическая теория для частицв случайном поле. В сб.: Статистическая физика и квантовая теория поля. M.: Наука, 1973, с.337−391.
  179. Kreitman М.М., Barnett D.L. Probability tables for clusters of foreign atoms in simple lattices assuming next -nearest neibour interactions. — J.Chem.Phys., 1965} v.43,m 2, p.364−371.
  180. Khosla R.P., Fischer J.R. Magnetoresistance in degenerated CdS: localized magnetic moments. Phys.Bev., Ser. B, 1970, v.2, № 10, p.4084−4090.
  181. Д.Г., Рашевская Е. П., Фистуль В. И. О природе отрицательного магнетосопротивления в полупроводниках.
  182. ФТП, 1967, т.1, № 9, с.1435−1437.
  183. Spitzer W.G., Trumbore P.A., Logan R.A. Properties ofheavily doped n-type germanium. J.Appl.Phys., 1961, v.32,m 10, p.1822−1830.
  184. В.И., Мильвидский M.Г., Омельяновский Э. М., Гришина С. П. О форме нахождения примесей в сильно легированных монокристаллах германия и кремния п -типа. ДАН СССР, 1963, т.149, № 5, с.1119−1122.
  185. Vieland J.L., Kudman J. Behavior of selenium in gallium arsenide. J.Phys.Chem.Sol., 1963, v.24, Ni 3, p.437−441.
  186. В.И., Омельяновский Э. М., Пелевин O.B., Уфим-цев В.Б. Влияние индивидуальности примеси на рассеяние и поли-тропию примесей в арсениде галлия электронного типа проводимости. Кзв. АН СССР. Неорган. материалы, 1966, т.2, № 4, с.657−658.
  187. М.Я., Окунь Л. С., Плоткина П. З. Изучение сильно легированного антимонида ицция и -типа. Изв. АН СССР, Неорган. материалы, 1968, т.4, № 5, с.685−688.
  188. В.И. Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов. М.: Металлургия, 1977.
  189. Pantelides S.Т. The electronic structure of impuritiesand other point defects in semiconductors. Rev.Mod.Phys., 1978, v. 50, m p.797−858.
  190. Аверкин А: А, Кайданов В. И., Мельник P.Б. О природе примесных состояний индия в теллуриде свинца. ФТП, 1971, т.5, Ш 1, с.91−95.
  191. .А., Кучеренко И. В., Тактакишвили М.С., Шотов
  192. A.П. Структура валентной зоны в р pt>Q 94SnQSe • - ФГП, 1974, т.8, № 12, с.2346−2349.
  193. .А., Браццт Н. Б., Богословский С. А., Рябова Л. И., Чудинов С. М. Неравновесное металлическое состояние в сплавах ръ. snJEe (In). Письма в ЖеУГФ, 1979, т.291, с.11−14.i jv
  194. A.A. К теории примесного ферромагнетизма полупроводников. ЖЗТФ, 1973, т.65, № 2(8), с.814−822.
  195. А. Неоднородные металлические твердые растворы. М.: ИЛ, 1962.
  196. А.Д., Гринштейн П. М., Кузнецов Г.М., Оленин
  197. B.В., Фистуль В. И. Параметры кристаллической решетки твердых растворов мышьяка в германии. ФТТ, 1970, т.12, № 4, с.1266−1267.
  198. М.Г., Освенский В. Б., Новиков А. Г., Фомин В. Г., Гришина С. П. Влияние термообработки на совершзнство структуры монокристаллов арсенида галлия, легированного теллуром. -Кристаллография, 1973, т.18, № 4, с.826−829.
  199. В.Б., Холодный Л. П., Мильвидский М. Г. Исследование дефектов в арсениде галлия методом внутреннего трения. -ФТТ, 1971, т .13, № 7, с.2135−2138 .
  200. М.Г., Освенский В. Б., Прошко Г. П., Холодный Л. П. О природе дефектов в арсениде галлия, сильно легированном теллуром. ФТП, 1972, т.6, № 2, с.224−228.
  201. Л.М., Мильвицский М. Г., Освенский В. Б. Электронномикроскопическое исследование монокристаллов арсенида галлия, легированного теллуром. ФТТ, 1974, т.16, № 1, с.223−225.
  202. Sasaki W. Metal non-metal transition in phosphorus -doped silicon. — Phil.Mag., ser. B, 1980, v.42,N? 6, p.725−733.
  203. Haldane F.D., Anderson P.W. Simple model of multiple charge states of transition metal impurities in semiconductors. — Phys.Rev., Ser. B, 1976, v.13, N! 6, p.2553−2559.
  204. Pleurov V.N., Kikoin K.A. On the theory of the deep levels of transition metal impurities in semiconductors.
  205. J.Phys., Ser. C, 1976, v.9, NS 9, p.1673−1683.
  206. С.А., Иванов Т. А., Кузнецов Ю. Н., Окунев Ю. А., Шанурин Ю. Е. Возбузденные уровни локального центра в резонансе с зоной проводимости Сг в GaP и GaAs. ФТП, 1973, т.7, № 8, с.1474−1477.
  207. С.А., Иванов Г. А., Кузнецов Ю. Н., Окунев Ю. А. Оптические переходы в спектре д? -электронов примесного центра V в GaP. -(ЦП, 1974, т.8, № 9, с.1691−1698.
  208. Bashenov V.K. Electron paramagnetic resonance in AmBV compounds. Phys.Stat.Sol.(a), 1972, v. 10,№ 1, p.10−42.
  209. E.M. Акустический парамагнитный резонанс Pe2+ и Fe3+ в арсениде галлия. ФТТ, 1973, т.15, й 2, с.368−373.
  210. Физический энциклопедический словарь, том 2. М.: 1962, с. 220.
  211. Д.Г., Лазарева Г. В., Савельев А. С., Фистуль В. И. Отрицательное магнитосопротивление и магнитные центры в полупроводниках. ФТП, 1975, т.9, № 2, с.210−215.
  212. Лоу В. Парамагнитный резонанс в твердых телах. М.: ИЛ, 1962.
  213. А. Основные теории квантовых усилителей игенераторов. М.: ИЛ, 1963.
  214. Brumage W.H., Yarger Ch.R., Lin Ch.C. Effect of the exchange coupling of Mn++ ions on the magnetic susceptibilities of ZnSjMnS crystals. Pbys.Rev., 1964, V.133, № 3A, p. A765-A767.
  215. De Seze L. Antiferromagnetic dilute bond Ising modelexhibiting a spin-glass phase transition. J.Phys., Ser. C, 1977, v.10, m 4, p. L353-L356.
  216. Sonderman V., Vogt E. Magnetic studies of Mn-diluted Hg. Mn Те and comparision of the magnetic behavior with relaj „„ji ted alloys. Physics, 1977, v.86−88B, p.419−420.
  217. Sonderman V., Vogt E. Magnetic behaviour of manganese in tellurides of B11 and B1^ elements. J.Magn.Magn. Mater., 1977, v.6, N2 1, p.223−225.
  218. Kikoin K.A., Pleurov V.N. Impurity levels of transition metal ions in the crystal field of semiconductors. J. Phys., Ser. C, 1977, v.10, № 21, p.4295−4308.
  219. К.А., Флеров B.H. Электронная структура и функции распределения локализованных состояний в модели Андерсона. Диэлектрическая фаза. ЖсТФ, 1979, т.77, № 3, с. 1062.
  220. Fleurov V.N., Kikoin К.А. Multiple charge impuritystates of the transition and noble metal ions in semiconductors.- J.Phys., Ser. C, 1979, v.12, Ш 1, p.61−77.
  221. Э.М., Павлов H.M., Соловьев H.H., Фистуль В. И. Оптическая перезарядка и эффект термической стимуляции в GaAs с Ре . ФТП, 1970, т.4, № 3, с.527−530.
  222. В.И., Первова Л. Я., Омельяновский З. М., Рашев-ская Е.П., Соловьев Н. Н., Пелевин О. В. Свойства полуизолирующего арсенида галлия с примесью железа. ФТП, 1974, т.8,№ 3,с.485−494.
  223. Abbanese G., Pabri G., Lambrisio С., Musei M., Ortalli J. Mossbauer effects in gallium arsenide. Nuovo Cimento, 1967, v. LB, ^ 1, p.149−153.
  224. Э.М., Первова Л. Я., Рашэвская Е. П., Соловьев Н. Н., Фистуль В. И. Глубокие уровни в полуизолирующем ар-сениде галлия с примесью железа. ФТП, 1970, т.4,№ 2, с.380−382.
  225. Haisty R.W. On the temperature dependence of the ironacceptor level in GaAs. Appl.Phys.Lett., 1965, v.7, № 8, p.208−210.
  226. M.A., Омельяновский Э. М., Первова Л. Я., Соловьев Н. Н., Фистуль В. И. Исследование некоторых свойств арсенида галлия, легированного железом. ФТП, 1968, т.2,№ 6, с.862−865.
  227. В.И., Полторацкий Э. А., Рубин B.C., Стриева
  228. A.В. Исследование спектров оптического поглощения высокоомного арсенида галлия с примесью железа и никеля. ФТП, 1971, т.5, № 6, с.1232−1235.
  229. Д.Г., Муравлев Ю. Б., Савельев А. С., Соловьев Н. Н., Фистуль В. И. Магнитная восприимчивость арсенида галлия, легированного железом. ФТП, 1973, т.7, № 8, с.1622−1624.
  230. М.Я., Ивлева B.C., Кроль Л. Я., Куриленко И. Н., Литвак-Горекая Л.Б., Митрофанова Р. С., Фридлянд Э. Ю. Исследование поведения марганца в антимониде индия. ФТП, 1971, т.5, № 5,с.858−862.
  231. Д.Г., Лазарева Г. В., Савельев А.С., Селянина
  232. B.И., Фистуль В. И. Магнитная восприимчивость и отрицательное магнит о со противление в InStxMn*. ФТП, 1975, т.9, 1 8, с. 1555−1560.
  233. Low W., Weger М. Paramagnetic resonance and optical spectra of divalent iron in cubic fields. I. Theory. Pbys. Rev., 1960, v.118, m 5, p.1119−1130.
  234. Slack G.A., Roberts S., Vallin J.T. Optical absorption of Fe2+ in CdTe in the near and far infrared. Phys.Rev., 1969, v.187, NS 2, p.511−524.
  235. Slack G.A., Robetrs S., Ham F.S. Far-infrared optical absorption of Fe2+ in ZnS. Phys.Rev., 1967, v.155,№ 2,p.170−177.
  236. Slack G.A., Ham F.S., Chrenko R.M. Optical absorption of tetrahedral Fe2+(3d6) in cubic ZnS, CdTe and MgAl^. Phys. Rev., 1966, v.152, № 1, p.376−402.1. П У1
  237. Физика и химия соединений, А В. М.: Мир, 1970.
  238. Д.Г., Савельев А. С., Фистуль в.И. Магнитные свойства ионов Fe2+ в арсениде галлия. ФТП, 1975, т.9, № 1, с.136−138.
  239. Baranowski J.M., Allen J.W., Pearson G.L. Crystal-field spectra of 3dn impurities in II-IV and III-V compound semiconductors. Phys.Rev., 1967, v.160, № 3, p.627−632.
  240. Д.Г., Савельев А. С., Сучкова Н. И., Рашев-ская Е.П., Филиппов М. А. Исследование нейтрального состояния примеси кобальта в арсениде галлия. ФТП, 1977, т.11, № 8, с.1460−1464.
  241. Baranowski J.M., Grynberg М., Magerramov Е.М. The optical properties of GaAs-Co. Phys.Stat.Sol.(b), 1972, v.50, NS 2, p.433−437.
  242. Haisty R.W., Cronin G.R. A comparison of doping effects of transition elements in gallium arsenide. Proc.7-th Intern. Conf.Phys. Semicond., Paris, 1964, p.1164−1167.
  243. Д.Г., Савельев А. С., Якубеня С. М., Кабанова О. В. Ян-теллеровские искажения и магнитная восприимчивость арсенида индия, легированного марганцем. ФТП, 1962, т.16, № 8, с.1365−1370.
  244. Г. К., Омельяновский Э. М., Оптическое поглощение, обусловленное внутрицентровыми переходами иона Fe2+ в арсенеде галлия. ФТП, 1975, т.9, № 2, с.236−241.
  245. А.В., Ипполитова Г. К., Омельяновский Э. М., Рыскин А. И. Поглощение и люминесценция иона Fe2+ в фосфиде галлия. ФТП, 1976, т.10, № 6, с.1201−1203.
  246. Г. К., Омельяновский З. М., Павлов Н. М., На-шельский А.Я., Якобсон С. В. Поведение примеси Fe в 1пР и влияние ковалентности на спектр ЭПР иона Fe2+ в соединениях Td -симметрии. ШГП, 1977, т.11, № 7, с.1315−1320.
  247. Д.Г., Каратаев В. В., Лазарева Г. В., Муравлев Ю. Б., Савельев А. С. О взаимодействии носителей заряда с локализованными магнитными моментами в inSb Мп > и InAs . -ШИ, 1977, т.11, № 7, с.1252−1259.
  248. К. Введение в теорию поля лигандов. М.: Мир, 1964.
  249. Vallin J.Т., Slack G.A., Roberts S. Infrared absorption in some II-VI compounds doped with. Cr. Pbys.Rev., Ser. B, 1970, v.2, № 11, p.4313−4-333.
  250. Vallin J.Т., Watkins G.D. EPR o? Cr2+ in II-VI lattices. Phys.Rev., Ser. B, 1974, v.9, Ш 5, p.2051−2072.
  251. Jahn H.A., Teller E. Stability of poliatomic molecules in degenerate electronic states. Proc.Roy.Soc., Ser. A, 1937, v.161, № 905, p.220−235.
  252. Ham F.S. Dynamical Jahn-Teller effect in paramagnetic resonance spectra: orbital reduction factors and partial quenching of spin-orbit interaction. Phys.Rev., 1965, v.138, Ш 6A, P. A1727-A1740.
  253. С.В., Крамарь В. М. Магнитная восприимчивость полупроводниковых кристаллов, легированных примесями переходных элементов. УЖ, 1979, т.24, Ш 3, с.383−387.
  254. Е.М. О состоянии примесных атомов хрома в арсениде галлия. ФТТ, 1974, т.16, № 10, с.2886−2893.
  255. J.J., Stauss g.h. ЕРЕ of Cr2+(3d4) in gallium arsenide: Jahn-Teller distortion and photoinduced charge conversion. Phys.Eev., Ser. B, 1977, v.16, Ж 3, p.971−973.
  256. Stauss G.H., Krebs J.J., Henry E.L. EPE study of Fe2+ and Cr2+ in InP. Phys.Rev., Ser. B, 1977, v.16, M 3, p.974−977.
  257. Г. К., Омельяновский Э. М., Первова Л. Я. Внутрицентровые оптические электронные переходы в GaAsiCr при наличии резонанса с континуумом. ФТП, 1975, т.9, № 7, с.1308−1313.
  258. Bois D., Pinard P. Optical absorption on localized levels in gallium arsenide. Phys.Eev., Ser. B, 1974, v.9, № 10, p.4171−4177
  259. В.В., Гиппиус А. А., Корнилов В. В. Внутрицентро-вой излучательный переход на ионах Сг2+ в GaAs. йТП, 1978, т.12, № 2, с.358−361.
  260. Instone Т., Eaves L. Deep centre photoluminescence spectra of GaAs (Cr, si). J.Phys., Ser.C., 197S, v.11, N1 18, P. L771-L775.
  261. Lightowlers E.C., Penchina C.M. Fine structure in thecathodoluminescence spectrum from chromium-doped gallium arsenide. J.Phys., Ser. C, 1978, v.11, № 9, p. L405-L409.
  262. Brozel M.E., Butler J., Newman E.C., Eitson A., Stirland D.J., Whitehead C. Electrical compensation in semi-insulating gallium arsenide. J.Phys., Ser.C., 1978, v.11, Ш 9, p.1857−1863.
  263. Д.Г., Савельев А. С. Об эффекте Яна-Теллера для примесних ионов с электронной конфигурацией за1“ в nojiynpo-водниковых соединениях А%У. ФТП, 1980, т.14,№ 3, с.539−545.
  264. J.J., Stauss G.H. ЕРЕ of Cr(3d3) in GaAs -evidence for strong Jaljn-Teller effects. Phys.Rev., Ser. B, 1977, v. 15, Ш 1, p.17−22.
  265. Weakliem H, A. Optical spectra of Ni2+, Co2+ and Cu2+ in tetrahedral sites in crystals. J.Chem.Phy s., 1962, v.36,m 8, p.2117−2140.
  266. А.И., Хилько Г. И. Спектры ионов Со2+ и Ni2+ в монокристаллах ZnS. В кн.: Спектроскопия кристаллов. -М.: Наука, 1970, с.326−329.
  267. Д.Г., Сучкова Н. Й., Савельев А. С., Рашев-ская Е.П., Филиппов М. А. Магнитные и оптические свойства ионови Со2+ конфигурации 3d? в арсениде галлия. ФТП, 1977, т.11, № 4, с.730−735.
  268. Н.И., Андрианов Д. Г., Омельяновский Э. М., Ра-шевская А.П., Соловьев Н. Н. Свойства арсенида. галлия, легированного никелем. ФТП, 1975, т.9, № 4, с.718−721.
  269. De ^^ ' Es-tle ^"Ь. Paramagnetic resonance of Реand Ni in gallium arsenide. Bull.Amer.Phys.Soc., Sr. II, 1962, v.7, № 7, p.449.
  270. Yamannuchi C., Mizugueni K., Sasaki W. Electric conduction in phosphorus doped silicon at low temperatures. J. Phys.Soc.Japan, 1967, v.22, № 3, p.859−868.
  271. HolmR.H., Cotton P.A. Magnetic investigations of spin free cohaltous complexes. — J.Chem.Phys., 1959, v.31, № 3, p.788−792.
  272. Kett H., Gehhardt W., Krey U., Purdyna J.K. Magneticphases of Heisenberg spin glass in strong magnetic fields: high field Faraday rotations in Cd^^Mn^e. J.Magn.Magn.Mat., 1981, v.25, № 1, p.215−220.
  273. Baranowski J.M., Allen J.W., Pearson G.L. Absorption spectrum of nickel in gallium phosphide. Phys.Rev., 1968, v.167, N2 3, p"758−760.
  274. Mahoney J.P., Lin Ch.C., Brumage W.H. Magnetic susceptibilities and spin-orbit coupling constant of Ni2+ in ZnS crystals. J.Chem.Phys., 1969“ v.50, n2 5, p.2263−2264.
  275. Brumage W. H», Lin Ch.C. Magnetic susceptibilities of transition elements in host crystals. II. Ni2+ in ZnO and CdS. Phys.Rev., 1964, v. 134, NS 4A, p. A950-A957.
  276. Н.И., Андрианов Д. Г., Омеяьяновский Э. М., Ра-шевская Е.П., Савельев А. С., Фистуль В. И., Филиппов М. А. О повеqдении примеси никеля в состоянии 3d в арсениде галлия. ФТП, 1977, т.11, № 9, с.1742−1746.
  277. Hurd С.М. Magnetic susceptibility of very dilute Cu-Fe and Au-Fe alloys in the range 6 -300 K. J.Phys.Chem., Solids, 1967, v.28, US 8, p.1345−1352.
  278. Hurd C.M. Some magnetic properties of Mn dissolved in Cu, Ag and Au. J.Phys.Chem.Solids, l969, v.30,N2 3, p.539−550.
  279. Griiner G. Experimental evidence for many-body effects in dilute alloys. Advances in Physics, 1974, v.23,ie 6, p.941−1024.
  280. Дж. Эффективное поле в теории магнетизма. -М.: Мир, 1968.
  281. McClure D.S. Optical spectra of exchange coupled Mn++ ion pairs in ZnSsMnS. J.Chem.Phys., 1963, v.39,Kg 11, p.2850−2855.
  282. Coles B.S., Orton J.W." Owen J. Antiferromagnetic ex2+change interactions between Mn ions in MgO. Phys.Rev.Letters, 1900, № 3, p.116−117.
  283. Owen J. Paramagnetic resonance measurements of exchange interactions. J.Appl.Phys., 1961, suppl. to v.32, ш 3, P.213S-217S.
  284. Owen J. Spin resonance of ion pairs in crystal lattices. J.Appl.Phys., 1962, suppl. to v.33, № 1, p.355−357.
  285. В.Ф., Попов Б. П. ЭПР обменно-связанных пар в кристаллах GaAs <Ре^ . Ш1, 1978, т.12, 1 2, с.404−405.
  286. Kreitman М.М., Milford F.J., Kenan R.P., Daunt J.G.2+
  287. Magnetic susceptibility of Mn in CdS and effects of antifer-romagnetic exchange. Phys.Bev., 1966, v.144, hi 2, p.367−372.
  288. Savage H., Rhyne J.J., Holm R., Cullen J.R., Carroll
  289. C.E., Wohlfarth E.H. Magnetic properties of manganese-doped mercury telluride. Phys.Stat.Sol.(b), 1973, v.5S, Ш 2, p.635−689.
  290. Д.Г., Гимельфарб Ф. А., Кушнир П. И., Лопатин-ский И.Е., Пашковский М. В., Савельев А. С., Фистуль В. И. Магнитные свойства твердых растворов в системе Hg1xMnxTe. ФТП, 1976, т.10, № 1, с.111−115.
  291. Delves R.T., Lewis В. Zinc blende type HgTe-MnTe solid solution. J.Phys.Chem.Sol., 1963, v.24, Ш 4, p.54−9-556.
  292. А.Б., Носкова Л. М., Поникаров Б. Б., Угоднико-ва Л.А. Магнитная восприимчивость соединений Hg. Mn Т. е.1."*л Jv
  293. ФТП, 1980, т.14, № 8, с.1461−1467.
  294. Д.Г., Бочкарев З. П., Гришин В. П., Карпов Ю. А., Савельев А. С. Магнитная восприимчивость кремния, легированного гадолинием. ФТП, 1974, т.8, № 3, с.499−502.
  295. Д.Г., Бочкарев^ Э.П., Гришин В. П., Карпов 10.А., Савельев А. С. Магнитные свойства и взаимодействие примесей в кристаллах Si «Gd>. ФТП, 1978, т.12, № 3, с.511−519.
  296. Sekizawa К., Yasukochi К. Antiferromagnetism of disi-licides heavy rare earth metals. J.Phys.Soc.Japan, 1966, v.21, m 2, p.274−278.
  297. Burstein E., Pinczuk A., Wallis R.P. The physics of semimetalls and narrow-gap semiconductors. Oxford, 1971, p.251.
  298. Rodot M., Liwis J., Rodot H., Villers G., Cohen J., Mollard P. Magnetic interactions between Mn spins diluted in GeTe. Proc.Intern.Conf.Phys.Semicond., Kyoto, 1966, p.627.
  299. Cochrane R.W., Striim-Olsen J.O. Magnetic properties of (Ge^xMnx)Te alloys. Proc.13-th Intern.Conf.Low Temp. Phys., Boulder, Colo, 1973, v.2, p.427−431.
  300. Cochrane R.W., Plischke M., Strom-Olsen J.O. Magnetization studies of (GeTe), (MnTe) pseudobinary alloys. Phys.1. J ««л
  301. Rev., Ser. B, 1974, v.9, Ш 7, p.3013−3021.
  302. Ruderman M.A., Kittel Ch. Indirect exchange coupling of nuclear magnetic moments by conduction electrons. Phys. Rev., 1954, v.96, № 1, p.99−102.
  303. Kasuya T. A theory of metallic ferro- and antiferromagnetism on Zener’s model. Progr.Theoret.Phys. (Kyoto), 1956, V.16, N8 1, p.45−57.
  304. Yosida K. Magnetic properties of Cu-Mn alloys. -Phys.Rev., 1957, v.106, m 5, p.893−898.
  305. Cohen J., Globa A., Mollard P., Rodot H., Rodot M. Quelques proprietes des alliages (SnTe)^ (MnTe). J. Physi1. Лque, 1968, t.29, С 4−142-C 4−151.
  306. Mathur M.P., Deis D.W., Jones C.K., Patterson A., Carr W.J., Miller R.C. Magnetic studies of the alloy system SnTe-MnTe. J.Appl.Phys., 1970, v.4−1, N° 3, p.1005−1007.
  307. В.Г., Шавишвили Т. М., Чечернкков В. И., Новоселова A.B., Зюманов В. П. Магнитные свойства твердых растворов ръ. Mn Se и ръ. Мп Т. е. Изв. АН СССР. Неорган, материалы, 1970, т.6, 12, с.2132−2135.
  308. Д.Г., Белоконь С. А., Лакеенков В. М., Савельев A.C., Фистуль В. И., Цискаришвили Г. П. Магнитная восприимчивость монокристаллов ръ Мп Те • ФТП, 1978, т.12, № 11,с.2224−2227.
  309. Д.Г., Павлов Н. М., Савельев A.C., Фистуль В. И., Цискаришвили Г. П. Дальнодействующая обменная связь между ионами Мп2+ в ръ&bdquo- Мп, Те. ФТП, 1980, т.14, Ж 6, с.1202−1212.
  310. А.Д. Магнитные свойства полупроводниковых растворов Ph^Sn^Te и pbi"xSnxSe • Дисс. на соиск. ученой степени канд.ф.-м.наук. Киев: ИПАН УССР, 1974.
  311. В.Г., Зломанов В. П., Дудкин Л. Д., Новоселова A.B., Объедков А. Г. Физико-химические исследования твердых растворов МпТе В РЪТе и MnSe в PhSe . Изв. АН СССР. Неорган, материалы, 1970, т.6, № 9, с.1579−1583.
  312. Heikens H.H., Kuindersma R.S., van Bruggen С.P., Haas С. Magnetic properties of. Mn^Mg^S solid solutions. J. Magn.Magn.Mater., 1978, v.8, N? 1, p.130−141.
  313. М.Ф., Зевин В. Я., Маевский В. М., Потыкевич И. В., Шанина В. Д. Исследование концентрационной зависимости ЭПР мп2+в монокристаллах CdTe . ФТТ, 1967, т.9, № 4, с.983−996.
  314. В.Б. ЭПР взаимодействующих донорных примесей в кремнии при температурах 0.5 4.2 К. — Труды ФИАН, т.104, М.: Наука, 1978, с.58−107.
  315. Д.Г., Белоконь С. А., Лакеенков В. М., Пелевин О. В., Савельев А. С., Фистуль В. И., Цискаришвили Г. П. Состояние и поведение железа в монокристаллах РЪТе . ФТП, 1980, т.14, № 1, с.175−177.
  316. В.В., Веселаго В. Г. Минимум сопротивления в вырожденном ферромагнитном полупроводнике Cu^Ci^Se^ gBr^.
  317. ФТТ, 1978, т.20, № 11, с.3500−3501.
  318. Lara S., Moreira Xavier R., Taft С.A. Indirect interactions between localized magnetic moments in doped semiconductors. J.Phys.Chem.Solids, 1977, v.38, № 7, p.795−799
  319. Э.Л. Физика магнитных полупроводников. М.: Наука, 1979.
  320. А.А., Арбузова Т. И., Симонова М. И., Фальков екая Л.Д. Магнитные и примесные состояния в Eu. Gd О. -ФТТ, 1973, т.15, № 12, с.3690−3692.
  321. Shapira I., Kautz R. Effect of spin splitting of the conduction band on the resistivity and Hall coefficients Model for the positive magnetoresistance in EuSe. Phys.Rev., Ser. B, 1974, v.10, № 11, p.4781−4794.
  322. Cochrane R, W., Hedgecock P.Т., Strom-Olsen J.O. Exchange scattering in a ferromagnetic semiconductor. Phys.
  323. Rev., Ser. B, 1973, v.8, Ш 9, p.4262−4266,
  324. И.Я., Шендер Е. Ф. Разбавленные ферромагнитные сплавы с дальнодействующим обменным взаимодействием. ЖЭТФ, 1975, т.69, № 3(9), с.1112−1119.
  325. Ginter J., Kossut J., Swierbowski L. Indirect exchange interaction via electrons in spin-orbit coupled bands in semiconductors. Phys.Stat.Sol.(b), 1979, v.96, №. 2, p.735−744.
  326. Anderson P.W. Theory of magnetic exchange interactions: exchange in insulaters and semiconductors. Solid State Physics, 1963, v.14, p.99−214.
  327. Дж. Магнетизм и химическая связь. М.: Металлургия, 1969.
  328. Kramers Н.А. L1interaction entre les atoms magnetogenes dans un cristal paramagnetique. * Physica, 1934-, v.1,m 3, p.182−192.
  329. Anderson P.W. Antiferromagnetism. Theory of superexchange interaction. Phys.Rev., 1950, v.79, N8 2, p.350−356.
  330. Метфессель 3., Маттис Д. Магнитные полупроводники. -М.: Мир, 1972.
  331. Bloembergen N., Rouland T.J. Nuclear spin exchange in solids: II203 and T1 J magnetic resonance in thallium and thallic oxide. Phys.Rev., 1955, v.97, 6, p.1679−1698.
  332. Bastard G., Lewiner C. Indirect exchange interactionsin zerogap semiconductors. Phys.Rev., Ser. B, 1979, v.20, NS 10, p.4256−4267.
  333. Иванов-Омский В.И., Коломиец Б. Т., Малькова A.A., Марков Ю. Ф., Мехтиев А. Ш., Смекалова К. П. Оптическое поглощение в
  334. HgTe. «Ш1, 1969, т. З, № 11, с.1669−1673.
  335. Geertsma W., Haas С., Sawatzky G.A., Vortogen G. Longrange exchange interactions. Physica, 1977, v.86−88B, p.1039−1040.
  336. Plumier R., Lotgering F.K. Antiferromagnetic interactions between ions at a large distance in PeQ ^Rt^S^. Solid State Commun., 1970, v.8, NS 6, p.477−480.
  337. Blasse G. A new type of superexchange in the perovs-kite structure. Prod.intern.сonf. on magnetism, Nottingham, 1964, p.350−352.
  338. Goncalves da Silva G.E.T., Falikov L.M. Theory of magnetic properties of rare earth compounds. J.Phys., Ser. C, 1972, v.5,, № 1, р.63−76.
  339. A.B., Рябченко С. М., Терлецкий О. В., Жеру И. И., Иванчук Р. Д. Магнетооптические исследования и двойной оптико-магнитный резонанс экситонной полосы в сате + Мп2+. -ЖЭТ2, 1977, т.73, № 2(8), с.608−618.
  340. Bastard G., Rigaux С., Mycielski A. Giant spin splitting induced by exchange interactions in Hg. Mn Те mixed cryi ««л лstals. Phys.Stat.Sol.(b), 1977, v.79, № 2, p.585−593.
  341. Gaj J.A., Galazka R.R., Nawrocki M. Giant exciton Faraday rotation in Cd. Mn Те mixed crystals. Solid State Comi ««amun., 1978, v.25, № 3, p.193−195.
  342. Nagata Sh., Galazka R.R., Mullin D.P., Akbarzadeh H., Khattak G.D., Purdyna J.K., Keesom P.H. Magnetic susceptibility, specific heat, and the spin-glass transition in Hg. Mn Т. е. -Phys.Rev., Ser. B, 1980, v.22, lfi 7, p.3331−3343.
  343. Khattak G.D., Amarasekara C.D., Nagata Sh., Galazka R.R., Keesom P.H. Specific heat, magnetic susceptibility, and the spin-glass transition in Hg. Mn Se. Phys.Rev., Ser. B, 1. J ««л JV1981, v.23, Ж 7, p.3553−3554.
  344. Galazka R.R., Nagata Sh., Keesom P.H. Paramagnetic-spin-glass-antiferromagnetic phase transitions in Cd^ Mn Те from specific heat and magnetic susceptibility measurements. -Phys.Rev., Ser. B, 1980, v.22, NS 7, p.3344−3355.
  345. Н.Б., Мощалков B.B., Орлов A.O., Скрбек JI., Ци-дильковский И.М., Чудинов С. М. Исследование электрических и магнитных свойств бесщелевых полумагнитных полупроводников
  346. Hg1xMnxTe при низких и сверхнизких температурах. ЖЭТЕВ, 1983, т.83, № 3, с.1059−1074.
  347. Н.П., Коренблит И. Я. Случайная анизотропия косвенного обмена и характер упорядочения примесных ионов в полупроводниках. ЖЗТФ, 1981, т.81, № 6(12), с.2070−2079.
  348. Yosida К. Anomalous electrical resistivity and magnetoresistance due to an s-d interaction in Cu-Mn alloys. -Pbys.Rev., 1957, v. 107, HS 2, p.396−403.
  349. Beal-Monod M.-T., V/einer R.A. Negative magnetoresis-tivity in dilute alloys. Phys.Rev., 1968, v.170,№ 2,p.552−559
  350. Kondo J. Resistance minimum in dilute magnetic alloys. Progr.Theoret.Pbys. (Kyoto), 1964, v.32, Ж 1, p.37−49.
  351. Huger A.J. Localized moments and nonmoments in metals: the Kondo effect. Solid State Physics, 1969, v.23, p.283−411.
  352. Kondo J. Theory of dilute magnetic alloys. Solid State Physics, 1969, v.23, p.183−281.
  353. А.А. Магнитные примеси в немагнитных металлах. УВД, 1969, т.97, № 3, с.403−427.
  354. Kikoin I.K. Hall effect in Ni beim uberschreiten des Curiepunktes. Sow.Pbys., 1936, Bd.9, N2 1, S.1−12.
  355. И.К. Эффект Холла в парамагнитных металлах. -ЖЭТФ, 1940, т.10, № 11, с.1242−1247.
  356. Karplus R., Luttinger J.M. Hall effect in ferromagnetics. Phys.Rev., 1954, v.95, N2 5, p.1154−1160. ,
  357. Kondo J. Anomalous Hall effect and magnetoresistance of ferromagnetic metals. Progr.Theoret.Phys. (Kyoto), 1962, v.27, N1 4, p.772−792.
  358. Kondo J. g-Shift and anomalous Hall effect in gadolinium metals. Progr.Theoret.Phys. (Kyoto), 1962, v.28, Ж 5, p.846−856.
  359. Л.е., Яссиевич И. Н. К теории ферромагнитного эффекта Холла. <£ГТ, 1963, т.5, № 9, с.2620−2626.
  360. Е.И., Черемушкина А. В., Курбаниязов Н. Явление Холла в ферромагнитных металлах и сплавах. ФТТ, 1964, т.6, № 2, с.539−548.
  361. Ю.М., Максимов Л. А. К теории аномального эффекта Холла в ферромагнетиках. ФТТ, 1965, т.7, № 2, с.530−538.
  362. Л.Е., Яссиевич И. Н. Аномальные эффекты Холла и Нернста в металлах с парамагнитными примесями. ФТТ, 1965, т.7, № 2, с.582−590.
  363. Ю.П., Постовалов В. Г. Виды спин-орбитального взаимодействия и спонтанный Холл-эффект при низких температурах. ФТТ, 1966, т.8, № 2, с.437−442.
  364. Maranzana F.E. Contributions to the theory of the anomalous Hall effect in ferro- and antiferromagnetic materials. -Phys.Rev., 1967, v.160, HI 2, p.421−429.
  365. Irkhin Y.P., Voloshinski A.N., Abelskii Sh.Sh. On the theory of spontaneous Hall effect at low temperatures. Phys. Stat.Sol., 1967, v.22, № 1, p.309−318.
  366. Berger L. Hall Effect of compensated magnetic metal2proportional to MB in high-field limit. Phys.Rev., 1969, v.177, № 2, p.790−792.
  367. Berger L. Side-jump mechanism for the Hall-effect of ferromagnets. Phys.Rev., Ser. B, 1970, v.2, Hi 11, p.4559−4566.
  368. Giovannini B. Theory of the anomalous Hall effect in the rare earths. Phys.Lett., 1971, v.36A, № 5, p.381−382.
  369. Giovannini B. The Hall effect in dilute magnetic alloys. Phys.Lett., 1972, v.42A, № 3, p.256−258.
  370. Giovannini B. Skew scattering in dilute alloys. I. Hondo model. J. Low Temp.Phys., 1973, v.11, № 2, p.489−507.
  371. Pert A., Friederich A. Skew scattering by rare earth impurities in silver, gold and aluminium. Phys.Rev., Ser. B, 1976, v.13, № 1, p.397−411.
  372. Pert A., Levy P.M. Magnetotransport properties of noble metal containing rare earth impurities. II. Theory. -Phys.Rev., Ser. B, 1977, v.16, N2 11, p.5052−5067.
  373. Pert A., Jaoul 0. Lefr-right asymmetry in the scattering of electrons by magnetic impurities and Hall effect. -P|hys.Rev.Lett., 1972, v.28, № 5, p.303−307.
  374. Bergman Y. The anomalous Hall effect. Physics today, 1979, v.32, № 8, p.25−30.
  375. Pert A. Skew scattering in alloys with cerium impurities. J.Phys., Ser. F, 1973, v.3, № 12, p.2126−2142.
  376. Hurd C.M., McAlister S.P. Anomalous Hall effect on AuPe alloys. Phys.Rev., Ser. B, 1977, v.15, ffi 2, p.514−518.
  377. McAlister S.P., Hurd C.M. Field-dependent electron scattering in Ag < Mn «and Cu Mn alloys. Phys.Rev., Ser. B, 1977, v.15, Ш 2, p.561−568.
  378. Tsuji M. Anomalous Hall effect due to an s-d interaction in the dilute alloys containing the transition elements. -J.Phys.Soc.Japan, 1959, v.14, N2 5, p.686−691.
  379. Beal Monod M.-T., Weiner R.A. Field dependence of the anomalous Hall-coefficient in dilute magnetic alloys. Phys. Rev., Ser. B, 1971, v.3, №. 9, p.3056−3060.
  380. Furukawa Y. Magnetoresistance in heavily doped n-type germanium. J.Phys.Soc.Japan, 1962, v.17, № 4, p.630−638.
  381. M., Тучкевич B.M., Шмарцев Ю. В. Отрицательное магнитосопротивление в германии, сильно легированном сурьмой. -СВТТ, 1963, т.5, № 6, с. 1626−1629.
  382. М., Тучкевич В. М., Шмарцев Ю. В. Пьезо- и магнитоеопротивление в германии п -типа. (ИТ, 1964, т.6,№ 12,с.3718−3721.
  383. Sasaki W. Negative magnetoresistance in the metallic impurity conduction of n-type germanium. J.Phys.Soc.Japan, 1965, v.20, KE5, p.825−833.
  384. B.C., Мирзабаев M., Рыжков B.B., Саидов А. С., Тучкевич B.M., Шмарцев Ю. В. Влияние упругой деформации на продольное и поперечное магнитосопротивление в германии п -типа.- ФТП, 1968, т.2, 1 3, с.447−449.
  385. Ootuka Y., Kobayashi S., Ikehata S., Sasaki W., Kondo J. Anomalous magnetoresistance in heavily antimony doped germanium. Solid State Commun., 1979, v.30, № 3, p.169−172.
  386. M., Тучкевич B.M., Шмарцев Ю. В. Отрицательное магнитосопротивление в кремнии п-типа. -ДАН СССР, 1965, т.163, № 2, с.338−339.
  387. Balkanski М., Geismar A. Transport properties of heavily doped n-type silicon. Solid State Commun., 1966, v.3, p.111−114.
  388. Khosla E.P., Fischer J.E. Low-temperature magnetoresistance in degenerate n-type Si. Phys.Eev., Ser. B, 1973, v.6, N= 10, p.4073−4075.
  389. O.B., Лагунова Т. С., Наследов Д. Н., Тала-лакин Г.Н. Образование и свойства примесной зоны в n-GaAs. -ФТТ, 1965, т.7, № 5, с.1315−1323.
  390. О.В., Наследов Д. Н., Уманов Н. А. Магнето-сопротивление в слаболегированном n-GaAs при низких температурах. ФТП, 1969, т. З, Ш 11, с.1612−1615.
  391. П.И., Глушков Е. А., Телевная Е. А. Отрицательное магнетосопротивление в арсениде галлия п-типа. ФТП, 1969, т. З, № 9, с.1401−1403.
  392. Podor В. Negative magnetoresistance in Cr-doped n-type GaAs. Phy s. St at. Sol., 1969, v.31, jg 1, p. K55-K57.
  393. Ш. М., Емельяненко О. В., Лагунова Т. С., Насле-дов Д.Н. 0 природе отрицательного магнитосопротивления в арсе-ниде галлия. <Ш1, 1972, т.6, Ш 10, с.2010−2014.
  394. Prederikse H.P.R., Hosier W.R. Galvanomagnetic effects in p-type indium antimonide. Phys.Rev., 1957» v.108, N2 5, p. 1146−1151.
  395. Katayama Y., Tanaka S. Resistance anomaly and negative magnetoresistance in n-type InSb at very low temperatures. -Phys.Rev., 1967, v.153, Ш 3, p.873−882.
  396. E.M., Ильин В. А., Куриленко И. Н., Литвак-Горская Л.Б. Магнитосопротивление в n-lnSb при наличии примесной проводимости. ФТП, 1972, т.6, № 10, с.1868−1873.
  397. Hedgecock Р.Т., Raudorf T.W. Two band model for negative magnetoresistance in heavily doped semiconductors. -Solid State Commun., 1970, v.8, N2 22, p.1819−1822.
  398. Kawabata A. Theory of negative magnetoresistance. I. Application to heavily doped semiconductors. J.Phys.Soc.Japan, 1980, v.49, Ш 2, p.628−637.
  399. А.И. Магнетосопротивление двумерных систем. -Письма в Ш, 1980, т.31, № 4, с.239−243.
  400. О.В., Лагунова Т. С., Полянская Т. А. О механизме релаксации фазы волновой функции электрона в GaAsп -типа. Письма в НЗТФ, 1982, т.36, № 6, с.199−201.
  401. .Л., Аронов А. Г. Затухание одноэлектронных возбуждений в металлах. Письма в ЖЭТ<2,1979,т.30,№ 8,с.514−516.
  402. .Л., Аронов А. Г., Ларкин А. И., Хмельницкий Д. Е. Об аномальном магнитосопротивлении в полупроводниках. -ЖЗТФ, 1981, т.81, № 2(8), с.768−783.
  403. Katoda Т., Sugano Т. Hall effect, Schottky barrier capacitance, and photoluminescence spectra measurements for GaAsepitaxial layer and their correlation. J. Electro-chem.Soc., 1974, v.121, N1 8, p. 1066−1073.
  404. Т.А., Сайдашев И.й. Отрицательное магнито-сопротивление в германии п -типа и его анализ на основе квантовой теории этого явления. Письма в ЖЭТФ, 1981, т.34, № б, с.378−382.
  405. А.Н., Шлимак И. О. Влияние давления на магнито-проводимость сильно легированного германия п -типа. Письма в ЖЗТФ, 1982, т.35, № 4, с.160−162.
  406. Т.А., Сайдашев И. И. Отрицательное магнитосо-противление в германии п -типа и его анализ на основе теории квантовых поправок к проводимости. ЖЗГФ, 1983, т.84, № 3,с.997−1005.
  407. А.Н. Аномальная магнитопроводимость сильно легированного германия р-типа. Письма в ЖЭТФ, 1982, т.359,с.378−380.
  408. Appelbaum J «A. Exchange model of zero-bias tunneling anomalies. Phys.Rev., 1967, v. 154, N2 3, p.633−643.
  409. Д.Г., Лазарева Г. В., Савельев А. С., Фистуль В. И. Аномалии эффекта Холла в InSb ←Мп> . $ГП, 1976, т.10, № 3, с.568−570.
  410. Дж. Статистика электронов в полупроводниках. -М.: Мир, 1964.
  411. Kordo? P., Jan? ak L., Вепс V. Preparation and properties of Ып-doped epitaxial gallium arsenide. Solid State Electron, 1975, v. 18, N2 3, p.223−226.
  412. Hurd C.M., Alderson J.E.A. Superparamagnetic Hall effect in some very dilute Eondo system. Solid State Commun., 1971, v.9, № 4, p.309−313.
  413. McAlister S.P., Hurd C.M. Asymmetric scattering and the spin-glass transition in AuFe and AuMn alloys. Phys.Rev. Letters, 1976, v.37, HE 15, p.1017−1020.
  414. McAlister S.P., Hurd C.M. Anomalous Hall effect in some typical spin glass alloys. J.Pbys., Ser. F, 1978, v.8, NS 2, p.239−246.
  415. ShapiraY., Reed T.B. Resistivity and Hall effect of EuS in fields up to 140 KOe. Phys.Rev., Ser. B, 1972, v.5,1. NS 12, p.4877−4890.
  416. Kajita K., Masumi I. Direct determination of Hall mobility of photoelectrons in the ferromagnetic semiconductor EuO. Appl.PhyS.Lett., 1972, v.21, Ш 7, p.332−334.
  417. В.В., Веселаго В. Г., Тэзлэван В. Е., Радауцан С. И. Эффект Холла в монокристаллах ферромагнитных полупроводниковых шпинелей системы CuyCr2Se4-zBlV ~ 1979, т.21,9, с.2710−2712.
  418. Leroux-Hugon P., Ghazali A. Contribution to the theory of the anomalous Hall effects Influence of the band structure on the skew scattering. J.Phys., Ser. C, 1972, v.5, № 10, p.1072−1081.
  419. B.H., Яссиевич И. Н. Аномальный эффект Холла на поляризованных электронах в полупроводниках. ЖЭТФ, 1971, т.61, № 6(12), с.2571−2579.
  420. И.М. Электроны и дырки в полупроводниках. М.: Наука, 1972.
  421. .А., Панкратов О. А. Ян-теллеровская неустойчивость кристаллического окружения точечных дефектов в полупроводниках А1УВУ1. ДАН ССОР, 1980, т.255, № 1, с.93−97.
  422. С.И. Магнитооптические исследования кристаллов CdS, легированных мп. ЖЗГФ, 1981, т.80, № 3, с.1174−1185.
  423. Д.Г., Муравлев Ю. Б., Шевакин А. Ф. Квадру-польная структура линии ЯМР в фосфиде индия, легированном теллуром. ФТП, 1979, т.13, № 1, с.104−111.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!