Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Исследование магнитосопротивления в сульфидах марганца

Диссертация: Исследование магнитосопротивления в сульфидах марганца
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Научная новизна. Предложены и изучены новые сульфидные материалы с KMC. Впервые проведены систематические исследования электрических, оптических, магнитных и магнитоэлектрических свойств монокристалла моносульфида марганца в разных кристаллографических направлениях, что позволило обнаружить анизотропию проводимости, магнитосопротивления и спектров оптического поглощения данного кристалла, наличие… Читать ещё >

Исследование магнитосопротивления в сульфидах марганца (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Колоссальное магнитосопротивление (KMC) в магнитных полупроводниках (литературный обзор)
    • 1. 1. Магнитосопротивление и эффект KMC
    • 1. 2. Эффект KMC в ферромагнитных тонкопленочных структурах
    • 1. 3. Эффект KMC в магнитных полупроводниках
      • 1. 3. 1. Концентрационные переходы антиферромагнитный диэлектрик — ферромагнитный металл в системах с KMC
      • 1. 3. 2. Магнитная двухфазность соединений с KMC
    • 1. 4. Оптические и магнитооптические свойства соединений с KMC
    • 1. 5. Механизмы KMC
      • 1. 5. 1. Механизм спин — поляризованного переноса носителей
      • 1. 5. 2. Разделение фаз
        • 1. 5. 2. 1. Электронное разделение фаз
        • 1. 5. 2. 2. Магнитопримесное разделение фаз
    • 1. 6. Техническое применение соединений с эффектом KMC
    • 1. 7. Постановка задачи исследования
  • Глава 2. Технология получения образцов и экспериментальные методы исследования
    • 2. 1. Технология получения образцов
    • 2. 2. Аттестация образцов методом рентгеноструктурного анализа и нейтронографии
    • 2. 3. Электрические и гальваномагнитные измерения
    • 2. 4. Магнитные измерения
    • 2. 5. Оптические измерения
  • Глава 3. Физические свойства монокристалла моносульфида марганца
    • 3. 1. Особенности кристаллической структуры моносульфида марганца, а — MnS
    • 3. 2. Оптические свойства моносульфида марганца, а — MnS
    • 3. 3. Электрические свойства моносульфида марганца, а — MnS
    • 3. 4. Магнитные свойства моносульфида марганца, а — MnS
    • 3. 5. Магнитоэлектрические свойства моносульфида марганца, а — MnS
  • Выводы
  • Глава 4. Колоссальное магнитосопротивление в сульфидных системах MexMnj. xS (Ме= Cr, Fe)
    • 4. 1. Кристаллическая структура твердых растворов CrxMnixS (Х-0.5) и FexMn^xS (0<Х<0.5)
    • 4. 2. Магнитоэлектрические свойства образцов CrxMni. xS
    • 4. 3. Электросопротивление сульфидов системы FexMni. xS
    • 4. 4. Магнитные свойства твердых растворов FexMnixS
    • 4. 5. Магнитосопротивление и эффект KMC системы FexMnixS
    • 4. 6. Эффект Холла в твердых растворах FexMnixS
    • 4. 7. Нейтронографические исследования твердых растворов FexMni. xS
  • Выводы
  • Обсуждение результатов

Актуальность темы

Одной из новых и нерешенных проблем физики твердого тела и магнетизма является проблема колоссального магнитосопротивления (KMC) в магнитных полупроводниках. Эффект колоссального отрицательного магнитосопротивления, высокотемпературная сверхпроводимость, переход металл-диэлектрик — это грани одной общей фундаментальной проблемыфизики сильно коррелированных электронных систем. Сложность этой проблемы обуславливает необходимость использования практически всех известных на настоящий момент методов исследования кристаллов — от магнитоэлектрических до резонансных, оптических, нейтронографических методов.

С точки зрения технических приложений использование эффекта колоссального магнитосопротивления — это не просто усовершенствование уже существующих компьютерных и полупроводниковых технологий. Это создание принципиально новых элементов оперативной компьютерной памяти, использование которых приведет к существенному снижению энергозатрат и энергонезависимости не только компьютеров, но и таких устройств, как сотовые телефоны, электронные органайзеры, цифровые камеры и пр. Согласно прогнозам, промышленное производство памяти нового типа, разработанной на основе тонкопленочных ферромагнитных структур с эффектом KMC, начнется уже к 2004 году.

В отличие от пленочных ферромагнитных структур, которые представляют собой искусственное создание магнитной и электронной неоднородности и требуют сложной технологии получения, в магнитных полупроводниках эффект KMC является внутренним свойством кристалла. Изменение величины электросопротивления под действием магнитного поля в магнитных полупроводниках достигает значительных величин. Например, в легированном антиферромагнитном (АФ) селениде европия при гелиевой температуре эта величина составляет 10й %. В широко известных оксидных соединениях марганца величина эффекта KMC при комнатной температуре равна порядка -100%. Это делает магнитные полупроводники перспективными материалами для технических приложений как в качестве элементов памяти, так и управляемых магнитным полем устройств.

Задача фундаментальной физики — понять природу аномального уменьшения электросопротивления под воздействием магнитного поля, то есть механизм явления KMC. В связи с этим актуальными являются поиск, получение и изучение новых соединений с KMC. Это сложная задача для исследователей, так как в данный момент не существует четко сформулированных критериев для обнаружения этого эффекта.

Анализ экспериментальных данных в материалах с KMC позволяет предложить в качестве новых объектов для поиска и изучения природы эффекта KMC материалы, созданные на основе антиферромагнитного полупроводника — моносульфида марганца.

Все выше изложенное определило цель диссертационной работы.

Цель данной работы — экспериментальное исследование возможности обнаружения эффекта колоссального отрицательного магнитосопротивления в моносульфиде марганца и в сульфидных системах MexMn^xS (Me = Сг, Fe), созданных на его основевыяснение особенностей этого эффекта и его природы.

Научная новизна. Предложены и изучены новые сульфидные материалы с KMC. Впервые проведены систематические исследования электрических, оптических, магнитных и магнитоэлектрических свойств монокристалла моносульфида марганца в разных кристаллографических направлениях, что позволило обнаружить анизотропию проводимости, магнитосопротивления и спектров оптического поглощения данного кристалла, наличие слабого спонтанного момента в диапазоне температур 4.2-г-ЗООК, нелинейную полевую зависимость намагниченности и появление отрицательного магнитосопротивления в моносульфиде марганца.

Впервые исследованы магнитоэлектрические свойства твердых растворов MexMni. xS в магнитных полях до 50 кЭ. В результате этих исследований был обнаружен эффект отрицательного KMC в промежуточных ферромагнитных полупроводниковых составах (Х~0.29 для Me=Fe, Х-0.5 для Ме=Сг).

Впервые проведены исследования эффекта Холла в сульфидах FexMnixS (0.25<Х<0.3), которые позволили определить тип, подвижность и концентрацию носителей заряда, а также выявить связь отрицательного KMC с ростом концентрации носителей заряда при увеличении магнитного поля.

Впервые проведены нейтронографические исследования, которые показали, что этот эффект реализуется в области сосуществования ферромагнитной и антиферромагнитной фаз.

Практическая ценность. Приведенные в работе экспериментальные результаты дают вклад в представление о закономерностях изменения электрических свойств и особенностях проявления эффекта KMC в моносульфиде марганца и созданных на его основе твердых растворах. Полученные данные важны для систематизации знаний об этой группе веществ. Выявленные в работе особенности физических свойств и явления KMC в моносульфиде aMnS и MexMnixS (Ме= Cr, Fe) могут быть использованы при разработке и создании устройств элементов оперативной компьютерной памяти. Рекомендации и выводы, сделанные в работе, можно использовать при планировании и проведении новых экспериментальных работ по изучению физических свойств и явления KMC в моносульфиде марганца и его твердых растворах.

Апробация работы. Основные результаты диссертации докладывались на.

Евро-Азиатском симпозиуме «Trends in Magnetism», Екатеринбург, 2001; Втором Международном симпозиуме «Фазовые превращения в твердых растворах и сплавах» OMA-II, Сочи, Лазаревское, 2001; Международном симпозиуме «Фазовые превращения в твердых растворах и сплавах» ОМА-2002, Сочи, Лазаревское, 2002; Московском Международном симпозиуме по магнетизму, Москва (MISM-2002) — Международной конференции «Магнитные материалы и их применение» Минск (ММП-2002).

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы, содержащего 115 наименований. Диссертация изложена на 118 страницах, содержит 45 рисунков.

Основные результаты и выводы работы следующие:

1. Проведены комплексные исследования структуры, электрических, оптических, магнитных и магнитоэлектрических свойств моносульфида марганца, а — MnS и твердых растворов MexMni. xS (Ме=Сг, Fe), синтезированных на основе, а — MnS путем катионного замещения. Исследования проведены с целью изучения возможности обнаружения эффекта колоссального магнитосопротивления, выяснения особенностей этого эффекта и его природы.

2. На монокристалле сульфида марганца, а — MnS (ГЦК решетка типа NaCl) впервые проведены исследования оптических свойств в разных плоскостях (111) и (100). Выявлена анизотропия спектров оптического поглощения и изменение цвета в зависимости от кристаллографической ориентации и температуры.

3. Исследования электрических свойств моносульфида марганца, проведенные в разных кристаллографических плоскостях, позволили обнаружить анизотропию проводимости данного кристалла. Впервые обнаружено отрицательное магнитосопротивление в монокристалле, а — MnS, которое наиболее ярко проявляется в плоскости (111) и составляет -12% в магнитном поле 10 кЭ при температуре ~ 230К.

4. Впервые проведены исследования магнитоэлектрических свойств твердых растворов MexMnixS (Me = Cr, Fe) в диапазоне температур 4.2-К300К в магнитных полях до 50 кЭ. В сульфидах CrxMnixS обнаружен эффект отрицательного колоссального магнитосопротивления, который составляет -25% для Х~0.5 и наблюдается в области магнитного перехода антиферромагнетик — ферромагнетик (ТС~66К) в поле 30 кЭ. В твердых растворах FexMnixS эффект колоссального отрицательного магнитосопротивления достигает максимального значения -450% в магнитном поле 30 кЭ для составов Х~0.29 при Т=50 К.

5. В результате исследования магнитных свойств твердых растворов FexMni. xS (Х~0.29- 0.3) методом нейтронографии и магнитометрии впервые обнаружено, что эффект KMC наблюдается в области сосуществования двух магнитных фаз: антиферромагнитной (TN=230K) и ферромагнитной (ТС=750К).

6. Впервые проведены исследования гальваномагнитных свойств сульфидов FexMnixS (0.25<Х<0.3), что позволило определить тип, концентрацию, подвижность носителей заряда и их зависимость от температуры, состава и магнитного поля. Исследуемые образцы имеют смешанный тип проводимости с высокими значениями подвижности ~104 см^ 'с" 1 и концентрациями носителей заряда до ~1016 см" 3. Эксперимент показал, что механизм аномального уменьшения удельного электросопротивления и рост намагниченности при увеличении магнитного поля связаны с ростом концентрации носителей заряда.

7. Совокупность экспериментальных данных по изучению физических свойств сульфидов FexMnixS дает основание предположить, что одним из возможных механизмов отрицательного KMC в магнитных полупроводниках, синтезированных на основе моносульфида марганца, является механизм электронного и магнитного разделения фаз.

В заключение автор считает своим долгом поблагодарить научного руководителя д.ф. — м.н., проф. Петраковского Г. А. за поддержку в работе. Особую благодарность хочу выразить Рябинкиной Л. И., Абрамовой Г. М. за постоянное внимание и помощь в работе. Хочу выразить признательность Эдельман И. С., Киселеву Н. И., Аплеснину С. С., Балаеву А. Д., Балаеву Д. А., Великанову Д. А., Янушкевичу К. И., а также всем сотрудникам лаборатории РСМУВ за помощь и поддержку в работе.

Заключение

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. С.В. Магнетизм. — М.: Наука.- 1971,1032 с.
  2. Э.Л. Манганиты лантана и другие магнитные полупроводники с гигантским магнитосопротивлением // УФН.- 1996.- Т. 166, № 8. С.796−857.
  3. Julliere М. Tunneling between ferromagnetic films // Phys.Lett. 1975.- V. 54A, № 3.-P.225−228.
  4. Khomskii D.I., Sawatzky G.A. Interplay between spin, charge and orbital degrees of freedom in magnetic oxides // Solid State Commun.- 1997. V.102, № 2−3.-P. 87−99.
  5. ShapiraY., Foner S., Oliveira N.F., Jr., Reed T.B. Resistivity and Hall effect of EuSe in fields up to 150 kOe // Phys.Rev. B. 1974.- V. 10, № 11.- P. 4765−4780.
  6. Baibich M.N., Broto J.M., Fert A., Nguyen F.N. van Dau, Petroff F., Eitenne P., Creuzet G., Friederich A., Chazelas J. Giant magnetoresistance of (001) Fe/(001) Cr magnetic superlattices //. Phys. Rev. Letter. 1988.- V.61, № 21.-P.2472−2475.
  7. Berkowitz A.E., Mitchell J.A., Carey M.S., Young A.P., Zhang S., Spada F.E., Parker F.T., Hutten A., Thomas G. Giant magnetoresistance in heterogeneous Cu-Co alloys//Phys. Rev. Letter. 1992.-V. 68. — P. 3745−3748.
  8. Lofland S.E., Bhagat S.M., Ju H.L., Xiong G.C., Venkatesan Т., Greene R.L. Ferromagnetic resonance and magnetic homogeneity in a giant-magnetoresistance material La^Ba^MnCb// Phys. Rev.B. 1995.-V. 52, № 3. — P.15 058−15 061.
  9. B.C. Полупроводники в современном мире // УФН.- 1995. Т. 165, № 5.-С. 591−594.
  10. Ю.Нагаев Э. Л. Физика магнитных полупроводников. М. — 1979. 432 с. 1 l. Shapira Y., Foner S., Reed T.B. EuO. I. Resistivity and Hall effect in fields up to 150kOe//Phys.Rev.B.-1973. V.8.- P.2299−2315.
  11. Belov K.P., Koroleva L.I., Batorova S.D. Band structure and anomalies in photoconductivity, electric resistance and magnetic resistance of chalcogenide compound Cd,.xGaxGr2Se4//JETF. 1976 — V.70, № 1. — P. 141−148.
  12. Wollan E.O. Koehler W.C. Neutron diffraction study of the magnetic properties of the series of perovskite type compounds (1-х) La, x Са. МпОз // Phys. Rev. -1955.-V.100.- P.545−563.
  13. И.О. Фазовые превращения в перовскитах Lai.xCaxMn03 // ЖЭТФ.- 1992.-Т.102,В. 1(7).- С. 251−261.
  14. J.B. А.А., Laar Van В., Veen Van Der K. R., Loopstra B.O. The crystallographic and magnetic structures of LaixBaxMni. xMex03 (Me= Mn or Ti) // J. Sol. St. Chem. 1971. — V. 3, № 2. — P. 238−242.
  15. Л.П. Решеточные и магнитные эффекты в легированных манганитах //УФН. 1998. — Т. 168, № 6.- С.665−671.
  16. Jia Y., Li Lu., Khazeni К., Vincent H. Crespi., Zettli A., Marvin L. Cohen. Magnetotransport properties of Lao.6Pbo.4Mn03.g and Ndo.6 (Sr0.7Pbo.3)o.4Mn03.5 single crystals // Phys. Rev. В.- 1995. V. 52.- P. 9147−9150.
  17. Rao G.H., Sun L.R., Liang J.K., Zhou W.Y., Cheng X.R. Giant magnetoresistance effect in bulk Еа,/зШ1/3Са,/зМпОз at low field // Appl.Phys. Lett. 1996.- V. 69, № 3.- P. 424−426.
  18. Hwang H.Y., Cheong S.W., Ong N.P., Batlogg B. Spin-polarized integration tunneling in La2/3Sri/3Mn03 // Phys. Rev. Letters. 1996. — V.77. — P.2041−2044.
  19. Н.И., Чеботаев Н. М. Магнитосопротивление и эффект Холла магнитного полупроводника HgCr2Se4 в сильных магнитных полях // ФТТ. -1997. Т.39, № 5. — С.848−852.
  20. В.Г., Голант К. М., Ковалева И. С., Юрин И. М. Энергетический спектр и транспортные свойства монокристаллов HgCr2Se4 // ЖЭТФ. -1984.- Т. 86, В. 5. С. 1857−1861.
  21. В.А., Овчинников С. Г. Многоэлектронная теория обменного взаимодействия в халькогенидных хромовых шпинелях. // В сб.: Магнитные полупроводники и их свойства. ИФ СО РАН Красноярск. 1980. — С. 3−23.
  22. Н.Б., Чернов В. К. Влияние перемешивания зонных и атомных состояний на физические свойства халькогенидных шпинелей хрома. // В сб.: Физика магнитных полупроводников. ИФ СО РАН Красноярск. -1987.-С. 15−29.
  23. А.И., Забродский А. Г., Тиснек Т. В. Магнетосопротивление компенсированного Ge:As на сверхвысоких частотах в области фазового перехода металл-изолятор // ФТП. 2000. — Т.34. — С.774−782.
  24. Л.И., Демин Р. В., Варчевский Д., Крок-Ковальский Д., Мидларз Т., Гилевский А., Пасина А. Нормальная шпинель CuCri>6Sbo, 4S4 новый магнитный материал с гигантским магнитосопротивлением. // Письма в ЖЭТФ.-2000.- Т. 72, В.П.- С. 813−818.
  25. Zhaorong Yang, Shun Tan, Zhiwen Chen, Yuheng Zhang Magnetic polaron conductivity in FeCr2S4 with the colossal magnetoresistance effect. // Phys. Rev. В.-2000.- V.62, № 21.- P. 13 872−13 875.
  26. Chen P. and Du Y. W. Giant magnetoresistance in NiS // J. Phys. Soc. Jpn. -2001. V. 70, № 1. — P.209−211.
  27. Chen P. and Du Y. W. Large magnetoresistance and field induced transition in Ni,.xCrxS. // Mat. Letters. — 2002. — V.52, № 4−5. — P. 255−258.
  28. Schiffer P.E., Ramizez A.P., Bao W., Cheong S-W. Low temperature magnetoresistance and magnetic phase diagram of Lai. xCaxMn03 // Phys. Rev. Lett. 1995. — V.75. — P. 3336−3339.
  29. Radaelly P.G., Cox D.E., Marezio M., Cheong S-W., Schiffer P.E., Ramirez P. Simultaneous structural, magnetic, and electron transition in Lai. xCaxMn03with X=0.25 and 0.50 // Phys. Rev. Lett. 1995. — V. 75. — P.4488−4491.
  30. MatsumotoG J. Study of (Lai.xCax)Mn031. Magnetic structure of LaMn03 and II. Magnetic properties // J. Phys.Soc.Jpn. 1970. — V. 29, № 3. — P. 606−622.
  31. Uehara M., Mori S., Chen C.H., Cheong S-W. Percolative phase separation underlies colossal magnetoresistance in mixed — valent manganites // Nature.1999. 399, № 6736. — P.560−563.
  32. G., Fardis M., Belesi M., Maris T.G., Kaillias G., Pissas M., Niarchos D., Dimitropoulos C., Doulinsek J. 55Mn NMR Investigation of electronic phase separation in Laj.xCaxMn03 for 0.2
  33. H.H., Сухорукое Ю. П., Наумов C.B., Солин Н. И., Смоляк И. Б., Панфилова Е. В. Прямое наблюдение разделения фаз LaixCaxMn03 // Письма в ЖЭТФ. 1998. — Т. 68, В. 1. — С. 89−92.
  34. Н.В., Петраковский Г. А., Васильев В. Н., Саблина К. А. Двухфазное парамагнитно-ферромагнитное состояние в монокристалле манганита лантана La0.7Pb0.3MnO3 // ФТТ. 2002. — Т. 44, В. 7. — С.1290−1294.
  35. Дж. Оптические спектры твердых тел. М.: Мир. 1968. — 176 с.
  36. В.И. Введение в экспериментальную спектроскопию. М.: Наука. 1979.- 479 с.
  37. Ю.П., Москвин A.M., Лошкарева Н. Н., Смоляк И. Б., Архипов В. Е., Муковский Я. М., Шматок А. В. Магнитооптический эффект Фарадея в пленках La0.7Sr0.3MnO3.s // ЖТФ. 2001. — Т. 71, В.6. — С.139−142.
  38. Р.В., Королева Л. И., Балбашов A.M. Гигантский красный сдвиг края поглощения в Lao.9Sro.iMn03 // Письма в ЖЭТФ. 1999. — Т.70, В.4. — С. 303 306.
  39. Метфессель 3., Маттис Д. Магнитные полупроводники. М.: Мир. 1972 405с.
  40. Jung J.H., Kim К.Н. Noh Y.W., Choi E.J., Yu Jaejun Midgap states of Ьа1. хСахМпОз: Doping- dependent optical-conductivity studies // Phys.Rev. B. -1998. V. 57. — P. R11043-R11046.
  41. H.H., Сухоруков Ю. П., Архипов B.E., Окатов С. В., Наумов С. В., Смоляк И. Б., Муковский Я. М., Шматок А. В. Носители заряда в спектрах оптической проводимости манганитов лантана // ФТТ. — 1999. Т.41, В. 3. -С.475−482.
  42. Binasch G., Grunberg P., Saurenbach F., Zinn W. Enchanced magnetoresistance in layered magnetic structures with antiferromagnetic interlayer exchange // Phys. Rev. B. 1989. — V. 39. — P. 4828−4830.
  43. Zhang S., Levy P.M. Enhanced temperature dependent magnetoresistivity of Fe/Cr superlattices // Phys. Rev. B. — 1991. — V. 43. — P. l 1048- 11 056.
  44. Camley R.E., Barnas J. Theory of giant magnetoresistance effects in magnetic layered structures with antiferromagnetic coupling // Phys. Rev. Lett. 1989. -V.63. — P.664−667.
  45. Zhang X.-G., Butler W.H. Conductivity of metallic films and multilayers // Phys. Rev. B. 1995. — V.51. — P.10 085−10 103.
  46. Н.Ф., Звездин A.K., Звездин K.A., Котов В. А., Аткинсон Р. Новый интенсивный магнитооптический эффект в материалах, обладающихгигантским магнитосопротивлением // ЖЭТФ. 1998. — Т. 114, В. 3 (9). -С. 1101−1114.
  47. Millis A.J. Littlewood Р. В, Shraiman В. I. Double exchange alone does not explain the resistivity of Lai. xSrxMn03 // Phys. Rev. Lett. 1995. — V. 74. -P. 5144−5147.
  48. A.E., Попов С. Э. Динамика решетки LaMn03: связь решеточных и орбитальных степеней свободы. // ФТТ. 2001. — Т.43, В. 6. — С. 10 931 100.
  49. Anderson P.W. Nasegawa Н. Considerations on double exchange // Phys. Rev. — 1955.-V. 100.- P. 675−681.
  50. Spatpatthy S., Popovic S. Zoran, Vukajlovic R. Filip Electronic structure of the perovskite oxides LauxCaxMn03 // Phys. Rev. Lett. 1996. — V.76. — P. 960−963.
  51. Mathon J. Theory of magnetic multilayers. Exchange interactions and transport properties//JMMM. 1991. — V. 100. — P. 527- 543.
  52. Э.Л. Электроны, косвенный обмен и локализованные магноны в магнитоактивных полупроводниках//ЖЭТФ. 1969. — Т. 56, В.З. — С.1013−1027.
  53. Nagaev E. L Spin polaron theory for magnetic semicoductors with narrow band // Phys. Stat. Sol. (b). 1974. — V. 65, № 1. — P. 11−60.
  54. Э.Л. Неоднородное ферро-антиферромагнитное состояние проводников // Письма в ЖЭТФ. 1972. — Т. 16, В. 10. — С. 558−561.
  55. Э.Л. Основное состояние и аномальный магнитный момент электронов проводимости в антиферромагнитном полупроводнике //Письма в ЖЭТФ.-1967.- Т. 6, В.1.- С. 484−486.
  56. Э.Л. Ферромагнитные микрообласти в полупроводниковом антиферромагнетике // ЖЭТФ, т. 54, в. 1, с. 228 -238, 1968
  57. Л.И., Демин Р. В., Балбашов A.M. Аномалии магнитострикции и теплового расширения в районе точки Кюри соединения La0.7Sr0.3MnO3 со структурой перовскита. // Письма в ЖЭТФ. 1997. — Т. 65, № 6. — С. 449−453.
  58. А.И., Демин Р. В., Королева Л. И., Мичурин А. В., Смирницкая А. Г. Магнитно-двухфазное состояние Еи1.хАхМпОз (А=Са, Sr) // Письма в ЖЭТФ. 1999. — Т.69, № 5. — С.375−380.
  59. Абрамович А. И, Королева Л. И., Мичурин А. В., Горбенко О. Ю., Кауль А. Р. Взаимосвязь гигантской объемной магнитострикции и колоссального магнитососпротивления в области температуры Кюри соединения Sm0.55Sr0.45MnO3//ФТТ. 2000. — Т. 42, В.8. — С.1451−1455.
  60. Абрамович А. И, Мичурин А. В., Горбенко О. Ю., Кауль А. Р. Гигантский магнитокалорический эффект вблизи температуры Кюри в Sm0.6Sr0.4MnO3 манганите//ФТТ.-2001.- Т. 43, В.4. С.687−689.
  61. Yanase A., Kasuya Т. Mechanisms for the anomalous properties of Eu -chalcogenides alloys. I // J. Phys. Soc. Jpn. 1968. — 25 (4). — P. 1025−1042.
  62. Yanase A., Kasuya T. Theory of anomalius magnetic and transport phenomena in Eu chalcogenide alloys. // J. Appl. Phys. — 1968. — V.39, № 2. — P.430−432.
  63. Nagaev E.L. Phase separation in high-temperature superconductors and related magnetic materials // YFN. 1995. — V.165, № 5. — P.529−554.
  64. Nagaev E.L. Impurity phase separation in magnetic degenerate semiconductors as an alternative to electronic phase separation // Physica C. 1994. — V. 222, № 3−4. — P. 324−332.
  65. Nagaev E.L. Impurity and electronic phase separation in high — Tc superconductors and other quasi-two-dimensional degenerate magnetic semiconductors // Z. Phys. B. Condens. Matter. 1995. — V.98, № 1. — P.59−61.
  66. Romanova O.B., Abramova G.M., Ryabinkina L.I., Markov V.V. Optical properties of a-MnS single crystal // Phys. Met. Metallogr. 2002. — V. 93, suppl. 1. — P. 85−87.
  67. Эдельман И. С, Романова О. Б., Рябинкина Л. И., Абрамова Г. М., Марков В. В. Анизотропия оптического поглощения a-MnS // ФТТ. 2001. — Т. 43, В.8. -С. 1488−1490.
  68. Г. А., Рябинкина Л. И., Абрамова Г. М., Балаев Д. А., Киселев Н. И., Романова О. Б., Янушкевич К. И. Твердые растворы FexMni.xS с колоссальным магниторезистивным эффектом // Известия РАН сер. физ. — 2002.-Т.66, В.6.- С. 856−859.
  69. Г. А., Рябинкина Л. И., Абрамова Г. М., Балаев А. Д., Романова О. Б., Маковецкий Г. И., Янушкевич К. И., Галяс А. И. Магнитные свойства сульфидов FexMn^xS, обладающих магниторезистивным эффектом // ФТТ. -2002. Т. 44, В. 10. — С. 1836−1839.
  70. Petrakovskii G.A., Loseva G.V., Ryabinkina L.I., Aplesnin S.S. Metal-insulator transition and magnetic properties in disordered systems of solid solution MexMn, xS // J. Magn. Magn. Mat. 1995. — V. 147. — P.140−144.
  71. Л.И. Переходы металл-диэлектрик в сульфидах марганца. Автореферат диссертации канд. физ.-мат. наук. Красноярск: Институт физики СО РАН. 1993. 18 с.
  72. Д., Крейг Дж. Химия сульфидных материалов. М.: Мир. 1981 575 с.
  73. А. Рентгенография кристаллов. М.: Физ.-Мат. итерат-ры. 1961.- 604с.
  74. Ю.А., Найш В. Е., Озеров Р. П. Нейтронография магнетиков. М.: Атомиздат. Т. 2. — 1981. — 311 с.
  75. Н.Ф., Концевой Ю. А. Измерения параметров полупроводниковых материалов М.: Металлургия. 1970. 429 с.
  76. .М. Теоретические основы магнитометрического метода исследования земной коры и геомагнитные измерения Л.: Ленинградского ун-та. Земной магнетизм И. — 1963.-461 с.
  77. А.Д., Бояршинов Ю. В., Карпенко М. М., Хрусталев Б. П. Автоматизированный магнитометр со сверхпроводящим соленоидом // ПТЭ, — 1985-№ 3-С.167−168.
  78. А.В., Филимонов B.C., Гончаров Е. А. Спектры d-d переходов в МпСОз в парамагнитной области // Красноярск. Препринт ИФ СО АНСССР. — 1987. — № 434-Ф. — С.26.
  79. Heikens Н.Н., van Bruggen C.F., Haas C.J. Electrical properties of a-MnS // J. Phys. Chem. Solids. 1978. — V. 39. — P. 833−840.
  80. Morosin B. Exchange striction effects in MnO and MnS // Phys.Rev.B. 1970. -V.l.-P. 236−243.
  81. Rao C.N.R., Picharody K.P.R. Transition metal sulfides // Progress in solid state chem. 1976. — V. 10, part. 4. — P. 207−270.
  82. Г. В., Дроздова C.B. Сульфиды. М.: Металургия. 1972. 304 с.
  83. Такаока S., Murase К. Band edge structure transformation due to ferroelectric transition in PbixGexTe alloy semiconductors // J. Phys. Soc. Jpn. 1982. -V. 51, № 6. — P. 1769−1777.
  84. Clendenen R.L., Drickamer H.G. Lattice parameters of nine oxides and sulfides as a function of pressure // J.Chem.Phys. 1966. — V. 44, № 11. — P.4223−4228.
  85. .А. Аномальные гистерезисные явления вблизи фазового перехода соразмерная несоразмерная фаза в сегнетоэлектриках // Изв. АН. СССР, сер.физ. — 1987.- Т.51,№ 10.- С. 1717−1725.
  86. Witzke Т., Ronneburg/Thuringua, the second occurence of the manganese sulfide rambergite.//N. Jb. Miner. Mh. 1999. — T.l. — P.35−39.
  87. Huffman D.R., Wild R.L.Optical properties of a-MnS // Phys. Rev. 1967. -V.156, 3. — P. 989−997.
  88. Т.П., Заблуда B.H., Рябинкина Л. И., Малаховский А. В. Оптические и магнитооптические свойства a-MnS // Красноярск. -Препринт ИФ СО АН СССР. 1985. — № 524-Ф. — С. 23.
  89. Huffman D.R. Total intensities of some crystal field transitions in MnO and MnS related to the antiferromagnetism // J. Appl. Phys. 1969. — 40, 3(2). — P. 13 341 335.
  90. Lohr L.L., Mc Clure D.S. Optical spectra of divalent manganese salts. II. The effect of interionic coupling on absorption strength // J. Chem. Phys. — 1968. -V.49, 8.-P. 3516−3521.
  91. Romanova O.B., Abramova G. M., Ryabinkina L.I., Markov V.V. Optical properties of a-MnS single crystal // Abstract book Euro-Asian Symposium «Trends in Magnetism». Ekaterinburg. — 2001.-C.353.
  92. Heikens H.H., Wiegers G.A., van Bruggen C.F. On the nature of a new phase transition in a -MnS // Sol.St. Com. 1977. — V.24, 3. — P.205−209.
  93. Ryabinkina L.I., Loseva G.V. Influence of non-stoichiometry and cation substitution on the electrical properties of a-MnS // Phys. State. Solid (a). -1983.-80k.- P. 179−182.
  94. Г. А., Рябинкина Л. И., Абрамова Г. М. Киселев Н.И., Великанов Д. А., Бовина А. Ф. Колоссальное магнитосопротивлениемагнитных полупроводников FexMni.xS // Письма в ЖЭТФ. — 1999. В. 12, 69. — С. 895−899.
  95. Г. А., Рябинкина Л. И., Абрамова Г. М., Балаев А. Д., Балаев Д. А., Бовина А. Ф. Явление колоссального магнитосопротивления в сульфидах MexMni.xS (Me=Fe, Cr) // Письма в ЖЭТФ. 2000. — В. 2, 72. -С. 99−102.
  96. Г. А., Рябинкина Л. И., Великанов Д. А., Аплеснин С. С., Абрамова Г. М., Киселев Н. И., Бовина А. Ф. Низкотемпературные электронные и магнитные переходы в антиферромагнитном полупроводнике Cro.5Mno.5S // ФТТ. 1999. — В.9,41. — С. 1660−1664.
  97. К.И., Хомский Д. И. Эффект Яна — Теллера и магнетизм: соединения переходных металлов//УФН. 1982. — В.4,136. — С.621−664.
  98. Г. В., Рябинкина Л. И., Овчинников С. Г. Переход металл-диэлектрик и антиферромагнитный порядок в CrxMnixS // ФТТ. 1989. -T.31,B.3.- С.45−49.
  99. Н.Ф. Переходы металл-изолятор. М: Наука. 1979. 344 с.
  100. .И., Эфрос А. Л. Электронные свойства легированных полупродников. М: Наука. 1979. 416 с.
  101. Г. В., Рябинкина Л. И., Смык А. А. Высокотемпературный переход металл-неметалл в FexMnixS // ФТТ. 1986. — Т.28, В.2. — С.596−598.
  102. Г. А., Аплеснин С. С., Лосева Г. В., Рябинкина Л. И., Янушкевич К. И. Особенности магнитных свойств и обменные взаимодействия в неупорядоченной системе FexMnixS // ФТТ. 1991. -Т.ЗЗ, В2.-С. 406−415.
  103. .А. Структурные и магнитные превращения в узкозонных полупроводниках и полуметаллах. // Труды ФИАН СССР. 1978.-Т. 104. -С. 3−57.
  104. .А., Копаев Ю. В., Русинов А. И. Теория «экситонного» ферромагнетизма // ЖЭТФ. 1975. — Т. 68, В. 5. — С. 1899−1914.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!