Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Исследование плотности состояний наночастиц алюминия

Диссертация: Исследование плотности состояний наночастиц алюминия
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Вторая глава настоящей диссертации посвящена моделированию наноструктур и их теоретическому исследованию. В п. 2.1. описаны особенности наноразмерных объектов, которые необходимо учитывать при моделировании. В п. 2.2. представлены методы численного моделирования наноструктур и их свойств. В п. 2.3. рассмотрена модель Хаббарда, обсуждается возможность её применения к двумерным системам. П. 2.4… Читать ещё >

Исследование плотности состояний наночастиц алюминия (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Зависимость свойств наночастиц от числа атомов
    • 1. 1. Свойства индивидуальных наночастиц
    • 1. 2. Алюминиевые наноструктуры
    • 1. 3. Энергетический спектр и плотность состояний металлических наночастиц
    • 1. 4. Постановка задачи
  • Глава 2. Модель двумерного нанокластера алюминия. Вычисление локальной плотности состояний
    • 2. 1. Особенности изучения наноразмерных объектов
    • 2. 2. Особенности численного исследования наноразмерных систем
    • 2. 3. Модель Хаббарда применительно к модели квадратного нанокластера алюминия
    • 2. 4. Модель двумерного нанокластера алюминия
    • 2. 5. Вычисление локальной плотности состояний квадратного нанокластера
    • 2. 6. Энергия Ферми квадратного нанокластера
  • Глава 3. Локальная плотность состояний квадратного нанокластера алюминия
    • 3. 1. Зависимость локальной плотности состояний от общего числа атомов и положения атома в кластере
    • 3. 2. Зависимость локальной плотности состояний от числа атомов в кластере и энергии электрона е
    • 3. 3. Средняя плотность состояний квадратного нанокластера алюминия
    • 3. 4. Основные результаты Главы
  • Глава 4. Локальная плотность состояний нанокластера алюминия при наличии атома кислорода
    • 4. 1. Зависимость локальной плотности состояний от общего числа атомов и положения атома в кластере
    • 4. 2. Зависимость локальной плотности состояний от числа атомов в кластере и энергии электрона е
    • 4. 3. Влияние атома кислорода на плотность состояний квадратного нанокластера алюминия
    • 4. 4. Средняя плотность состояний квадратного нанокластера алюминия с внедрённым атомом кислорода
    • 4. 5. Основные результаты Главы

Актуальность, цели и задачи работы.

В настоящее время нанотехнология находится в самом начале пути, и лишь отдельные простейшие наноструктуры могут создаваться контролируемым образом. Наука об атомах и простых молекулах, с одной стороны, и наука о веществе, охватывающая микроструктуры и более крупные масштабы, с другой стороны, в целом, вполне сформированы. Остается область нанометрового масштаба — примерно от 1 до 100 молекулярных диаметров, — которая определяет фундаментальные свойства материалов и позволяет управлять ими.

В последние годы в науке и технике произошли качественные сдвиги, основанные на возможности измерять, манипулировать и организовывать материю на этом уровне. Недавно открытые организованные структуры (углеродные нанотрубки [1−3], молекулярные моторы, ансамбли на основе ДНК, квантовые точки, молекулярные переключатели) и новые явления (гигантское магнитосопротивление, кулоновская блокада, эффекты размерного квантования) [4−7] обеспечивают научный прорыв, указывающий пути будущего развития.

Для развития и применения нанотехнологии, исследователь должен знать биологию, химию, физику, технику, информатику, а также множество других специальных предметов, например, технологию белков или физику поверхности [8−10]. Однако сложность современной науки побуждает учёных к специализации, и, в связи с этим, обмен информацией между разными дисциплинами не слишком распространён. Такая широта охвата есть одна из причин, по которым нанотехнология испытывает трудности в своём развитии.

Сегодня новые лабораторные микроскопы позволяют не только видеть отдельные атомы, но и манипулировать ими [11]. Такая возможность проводить измерения и манипуляции с веществом на атомном уровне означает революцию в науке и технике. Поскольку при этом рассматриваются структуры размером менее микрона (1-=-100 нм), был предложен термин нанотехнология.

Несмотря на то, что нанотехнология может быть определена просто как техника, основанная на манипуляциях с отдельными атомами и молекулами для построения сложных атомных структур [8, 12], необходимо учитывать, что в нанометровом масштабе возникают качественно новые эффекты, свойства и процессы, определяемые квантовой механикой, размерным квантованием в малых структурах, отношением поверхность/объём, а также другими явлениями и факторами. Кроме того, многие современные теории вещества на микронном уровне содержат критические длины нанометрового масштаба и поэтому не. могут адекватно описывать новые явления на нанометровом уровне.

Нанометровый диапазон измерений размеров 1-К00 нм открывает новые свойства и подходы к изучению вещества. В этом диапазоне меняются многие физические и химические свойства и нигде так близко не сходятся физика, химия и биология. В настоящее время здесь накоплен такой значительный теоретический, опытный и методический материал, что возникла необходимость рассмотрения науки о нанокластерах как о некоторой междисциплинарной области, имеющей многочисленные разветвления и применения.

Необходимо отметить, что нанометровые объекты хорошо известны с прошлого и позапрошлого века, как например, коллоиды или гетерогенные катализаторы, включающие наночастицы на поверхности носителей. Однако в последнее десятилетие двадцатого века произошло выделение таких понятий, как нанокластер, наноструктура, и связанных с ними явлений в отдельную область физико-химии. Это произошло, главным образом, в результате значительного прогресса в получении и исследовании нанообъектов, возникновении новых наноматериалов, нанотехнологий и наноустройств. Синтезированы нанокластеры ряда металлов [7, 13−20], фуллерены и углеродные нанотрубки [1−3] и т. д. Достигнут прогресс в методах наблюдения и изучения свойств нанокластеров и наноструктур, связанный с развитием туннельной и сканирующей микроскопии, рентгеновских и оптических методов с использованием синхротронного излучения, оптической лазерной спектроскопии, радиочастотной спектроскопии, мёссбауэровской спектроскопии и т. д. [7, 13−26].

Последние двадцать лет XX века отмечены высоким интересом к исследованию наноразмерных объектов, в том числе и плёнок алюминия [5−6, 21, 27−42]. При этом особое внимание уделялось исследованию тонких плёнок и их свойств, связанных с межэлектронным взаимодействием [29], фононами [30−31, 33, 37−38, 40, 43-^45], особенностями плотности состояний [5−6].

Исследование наноструктур составляет важный раздел физики твёрдого тела и материаловедения. В последнее время успешно развиваются изощрённые методы исследования, например, использование сканирующего туннельного микроскопа [11, 14, 16, 20, 23, 29, 34, 36] - стандартного инструмента для сканирования наноструктур на поверхности — или просвечивающего электронного микроскопа в сочетании с теоретическим моделированием для визуализации периодических структур. Методы, основанные на рассеянии ионов, электронов, рентгеновских лучей или нейтронов, были улучшены в степени, которую трудно переоценить. Наконец, стала доступной спектроскопическая информация высокого разрешения благодаря использованию источников синхротронного излучения третьего поколения [46].

Помимо всех этих экспериментальных методов, применимых только к существующим структурам, вычислительные методы для систем многих частиц применяются во всех областях науки, где используется термин «нанотехнология». Компьютерный эксперимент, вычислительная химия, молекулярное конструирование, нанообработка и нановычисления — вот несколько областей, возникающих в связи с численными расчётами в области нанотехнологии [47].

С развитием технических средств и нанотехнологии появляются новые возможности синтезирования наноструктур. В частности, становится возможным получение собственно наночастиц и нанокластеров как на подложках, так и в свободном состоянии, а также получение всё более и более тонких плёнок толщиной до нескольких монослоёв. Кроме того, становится возможным получать нанокластеры заданных размеров и формы [11], а также исследовать транспортные [10, 48−50] и механические свойства отдельных наночастиц [51], молекул [24−26].

В связи с этим в последнее время сильно возрос интерес не только к теоретическому и экспериментальному исследованию транспортных свойств нанообъектов [10−11, 19, 48—57], но и к исследованию их электронной структуры, а также к электронной и фононной плотности состояний этих объектов [7, 13—20, 23−26, 44−45, 55−56]. Это связано с тем, что за время исследования наноструктуры обнаружили множество интересных свойств, которые, как известно, определяются именно зонной структурой материала. Владея информацией о структуре плотности состояний, о закономерностях её поведения при различных условиях, в частности, зная зависимость плотности состояний от числа частиц кластера и температуры, можно моделировать и создавать новые материалы и устройства, выводящие науку и технику на новый уровень развития.

Однако при всей очевидной сильнейшей зависимости свойств наноструктур от размера частиц именно этому фундаментальному свойству посвящено относительно небольшое число публикаций [13, 15,27,58−60].

В связи с этим целью настоящей диссертации является установление зависимости локальной плотности состояний квадратного нанокластера алюминия от числа составляющих его атомов.

Были поставлены следующие задачи:

1. установить зависимость локальной плотности состояний от числа частиц в нанокластере алюминия;

2. установить степень влияния внедрённого в нанокластер атома кислорода на локальную плотность состояний;

3. учесть при моделировании тот факт, что вклад поверхностных атомов в локальную плотность состояний отличается от вклада атомов, находящихся внутри кластера;

Структура диссертации.

Первая глава является обзорной. Она посвящена необычным свойствам наноразмерных объектов и, в частности, алюминиевых наноструктур. В п. 1.1. рассматриваются свойства индивидуальных наночастиц, такие как магические числа, изменение структурной организации нанообъектов по сравнению с объёмными материалами и др. В п. 1.2. приведен обзор работ, посвященных исследованию наноразмерных объектов. Большое внимание уделено исследованию наночастиц и плёнок алюминия. В п. 1.3. рассматривается проблема вычисления плотности состояний и энергетического спектра наноразмерных структур. В конце главы, в п. 1 .4., представлена постановка задачи настоящей работы.

Вторая глава настоящей диссертации посвящена моделированию наноструктур и их теоретическому исследованию. В п. 2.1. описаны особенности наноразмерных объектов, которые необходимо учитывать при моделировании. В п. 2.2. представлены методы численного моделирования наноструктур и их свойств. В п. 2.3. рассмотрена модель Хаббарда, обсуждается возможность её применения к двумерным системам. П. 2.4. посвящен рассмотрению теоретической модели, описывающей квадратный нанокластер алюминия, в которой учитываются как влияние поверхности, так и число частиц кластера на его свойства, в частности, на плотность состояний. В п. 2.5. рассматривается метод вычисления локальной плотности состояний квадратного нанокластера алюминия с помощью функций Грина. В п. 2.6. обсуждается понятие уровня Ферми для нанокластеров.

Третья и четвёртая главы настоящей диссертации посвящены изложению полученных результатов и их обсуждению.

В третьей главе обсуждается локальная плотность состояний квадратного нанокластера алюминия. В п. 3.1. обсуждается зависимость локальной плотности состояний от общего числа атомов и положения рассматриваемого атома в кластере. В п. 3.2. обсуждается зависимость локальной плотности состояний от числа атомов в кластере и энергии электрона. В п. 3.3. рассматривается зависимость средней плотности состояний от числа частиц в кластере. В п. 3.4. приводятся основные результаты третьей главы.

В четвёртой главе обсуждается локальная плотность состояний нанокластера алюминия, в котором один из атомов алюминия заменён на атом кислорода. В п. 4.1. обсуждается зависимость локальной плотности состояний от общего числа атомов и положения рассматриваемого атома в кластере. В п. 4.2. обсуждается зависимость локальной плотности состояний от числа атомов в кластере и энергии электрона. В п. 4.3. обсуждается влияние атома кислорода на плотность состояний рассматриваемого нанокластера. В п. 4.4. рассматривается зависимость средней плотности состояний от числа частиц в кластере. В конце главы, в п. 4.5., приводятся основные результаты четвёртой главы.

В заключении сформулированы основные результаты настоящей работы.

Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на XII Международном симпозиуме «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, 10−14 марта, 2008),.

V Сибирском семинаре по сверхпроводимости и смежным проблемам ОКНО-2007 (Красноярск, 13−15 сентября, 2007), а также на.

VI Сибирском семинаре по сверхпроводимости и смежным проблемам ОКШ-2008 (Омск, 16−17 сентября, 2008).

Всего по теме диссертации опубликовано 5 работ [61−65], среди них 2 статьи в ведущих отечественных журналах [62, 65], три статьи в Вестнике Омского университета [61, 64] и тезисы в сборнике трудов XII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, 10−14 марта, 2008) [63].

Основные результаты, полученные в ходе исследования локальной плотности состояний квадратного нанокластера алюминия, можно сформулировать следующим образом.

1. В рамках обобщённой модели Хаббарда показано, что локальная плотность состояний квадратного нанокластера алюминия проявляет сильную зависимость от числа частиц в кластере. Если число частиц относительно мало (не более 64), локальная плотность состояний имеет чётко выраженные максимумы. При увеличении числа частиц максимумы становятся менее выраженными и располагаются ближе друг к другу.

2. Локальная плотность состояний квадратного нанокластера алюминия зависит от местоположения рассматриваемого атома в кластере: для атомов, находящихся на вершине, в центре ребра и в центре кластера локальная плотность состояний при одинаковых значениях энергии электрона и числа частиц оказывается различной.

3. При наличии перескоков электронов с узла на узел локальная плотность состояний асимптотически стремится к насыщению при увеличении числа частиц.

4.

Введение

в кластер атома кислорода приводит к появлению дополнительного максимума локальной плотности состояний. Причём в зависимости от числа частиц в кластере дополнительный максимум возникает либо при меньшей, либо при большей энергии, относительно максимумов локальной плотности состояний для атомов алюминия.

5. Локальная плотность состояний квадратного нанокластера алюминия при наличии атома кислорода так же, как и в случае его отсутствия, проявляет сильную зависимость от числа частиц в кластере и имеет те же закономерности.

6.

Введение

атома кислорода, в целом, не изменяет характера распределения локальной плотности состояний от общего числа атомов в кластере, однако изменяются численные значения максимумов, а также характер насыщения локальной плотности состояний с увеличением числа частиц в кластере.

Благодарности.

Автор выражает признательность научному руководителю доктору физико-математических наук, профессору Югаю Климентию Николаевичу за постоянное внимание и интерес к работе. Автор благодарен Овчинникову Сергею Геннадьевичу, Николаеву Сергею Викторовичу, Криницыну Александру Сергеевичу и Муромцеву Ивану Владимировичу за активное участие в обсуждении результатов и полезные дискуссии. А также выражает особую признательность всему коллективу кафедры общей физики Омского государственного университета им. Ф. М. Достоевского и глубокую благодарность своим родителям.

Заключение

>

Показать весь текст

Список литературы

  1. Andersson О.Е., Prasad B.L.V., Sato H., Enoki Т. Structure and electronic properties of graphite nanoparticles // Phys. Rev. B. — 1998. — V. 58 —P. 16 387.
  2. Barnett R., Demler E., Kaxiras E. Electron-phonon interaction in ultrasmall-radius carbon nanotubes // Phys. Rev. B. — 2005. — V. 71. — P. 35 429.
  3. Peres N.M.R., Guinea F., Neto A.H.C. Electronic properties of disordered two-dimensional carbon // Phys. Rev. B. — 2006. — V. 73. — P. 125 411.
  4. В.И., Петрунин В. Ф., Морохов И. Д., Трусов Л. П. Структура и свойства малых металлических частиц // УФЫ. 1981. -Т. 133.-Вып. 4.-С. 653−692.
  5. White А.Е., Dynes R.C., Garno J.P. Corrections to the One-Dimensional Density of States: Observation of a Coulomb Gap? // Phys. Rev. Lett. —1986. —V. 56. —P. 532.
  6. М.Э., Эфрос А. Л. Плотность состояний в окрестности уровня Ферми в одномерной системе с локализованными электронами // Письма в ЖЭТФ. 1987. — Т.45. -Вып.5. — С. 225−227.
  7. Anno Е., Tanimoto М. Size-dependent change in energy bands of nanoparticles of white tin // Phys. Rev. B. — 2006. — V. 73. — P. 155 430.
  8. РитМ. Наноконструирование в науке и технике. Введение в мир нанорасчета. Москва-Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика», 2005. — 160 с.
  9. ОураК., ЛифшицВ.Г., Саранин А. А. и др. Введение в физику поверхности. М.: Наука, 2006. — 490 с.
  10. XuY., Shi X., ZengZh. et. al. Conductance oscillation and quantization in monoatomic Al wires // J. Phys.:Cond. Matt. 2007. -V.19.-P. 56 010.
  11. Jia J.-F., Liu X., Wang J.-Z. et. al. Fabrication and structural analysis of Al, Ga, and In nanocluster crystals // Phys. Rev. B. 2002. — V.66. -P. 165 412.
  12. Drexler K.E., Peterson C., Pergamit G. Unbounding the Future: The Nanotechnology Revolution. Inc.N.Y.: William Morrow and Company, 1991.- 150 c.
  13. Gascon J.A., Pastawski H.M. Surface effects on the statistics of the local density of states in metallic nanoparticles: manifestation on the NMR spectra // Modern Physics Letters B. 2005. — V.19. — P. 1285.
  14. Narita H., Kimura A., Taniguchi M. et. al. Intermediate surface structure of Al nanoclusters restricted to Si (lll) half-unit cells observed via scanning tunneling microscopy // Phys. Rev. B. 2007. — V. 76. -P. 115 405.
  15. В.Д., Лебидько B.B., Пушкин M.A. и др. Сингулярность в спектре рассеяния медленных ионов на нанокластерах металлов // Письма в ЖЭТФ. 2004. — Т. 80. — Вып. 8. — С. 633−638.
  16. Preisinger М., Krispin М., Rudolf Т. et. al. Electronic structure of nanoscale iron oxide particles measured by scanning tunneling and photoelectron spectroscopies // Phys. Rev. B. — 2005. — V. 71. — P. 165 409.
  17. Movilla J.L., Garcia-Belmonte G., Bisquert J., Planelles J. Calculation of electronic density of states induced by impurities in TiCb quantum dots //Phys. Rev. В. — 2005. — V. 72. —P. 153 313.
  18. Liu H., Mun B.S., Thornton G. et. al. Electronic structure of ensembles of gold nanoparticles: Size and proximity effects // Phys. Rev. B. 2005. -V. 72.-P. 155 430.
  19. В.Д., Зенкевич А. В., Неволин В. Н. и др. Формирование ансамбля нанокластеров при быстром осаждении атомов на поверхность // ЖЭТФ. 2006. — Т. 130. — Вып. 6. — С. 984−1005.
  20. В.Д., Борисюк П. В., Васильев О. С. и др. Наблюдение локализации электронов в шероховатых нанокластерах золота на поверхности графита // Письма в ЖЭТФ. 2007. — Т. 86. — Вып. 6. -С. 450−455.
  21. Пул Ч., Оуэне Ф. Нанотехнологии. -М.: Техносфера, 2005. 375 с.
  22. И.П. Нанотехнология: физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов. М.: КомКнига, 2006. — 592 с.
  23. Jiang Y., Wu К., Tang Z. et. al. Quantum size effect induced dilute atomic layers in ultrathin Al films // Phys. Rev. B. 2007. — V. 76. -P. 35 409.
  24. Allahyarov E., Lowen H., Gompper G. Adsorption of monovalent and multivalent cations and anions on DNA molecules // Phys. Rev. E. 2003. — V. 68.-P. 61 903.
  25. Vitaliy N.P., Tigran V.Sh. Microscopic theory of surface-enhanced Raman scattering in noble-metal nanoparticles // Phys. Rev. B. 2006. -V. 73.-P. 85 408.
  26. Michalke Т., Matzdorf R., Braun J., Postnikov A. Two-dimensional electronic structure of the adsorbate system N/Cu (100): Photoelectron spectroscopy and one-step model calculations // Phys. Rev. B. 2008. -V. 77.-P. 165 425.
  27. Salahub D.R., Messmer R.P. Molecular-orbital study of aluminum clusters containing up to 43 atoms // Phys. Rev. B. 1977. — V. 16. -P. 2526.
  28. Picozzi S., Continenza A., Freeman A.J. Surface states and Fermi-level pinning at clean and Al covered GaN surfaces // Phys. Rev. B. 1991. -V. 59.-P. 1609.
  29. М.Е., Губанков В. Н., Фалей М. И. Влияние межэлектронного взаимодействия на плотность состояний в двумерных пленках алюминия // Письма в ЖЭТФ. 1985. — Т. 41. -Вып. 10.-С. 425−439.
  30. Nabity J.C., Wybourne M.N. Phonon trapping in thin metal films // Phys. Rev. B. 1990. — V. 42. — P. 9714.
  31. Nabity J.C., Wybourne M.N. Evidence for two-dimensional phonons in a thin metal film // Phys. Rev. B. 1991. — V. 44. — P. 8990.
  32. Wenchang L., Kaiming Zh., Xide X. Adsorption of aluminum on P-SiO (lOO) surfaces // Phys. Rev. B. 1992. — V. 45. — P. 11 048.
  33. Knipp P.A., Reinecke T.L. Interface phonons of quantum wires // Phys. Rev. В. 1992.-V. 45.-P. 9091.
  34. Itoh H., Itoh J., Schmid A., Ichinokawa T. Structures of low-coverage phases of A1 on the Si (100) surface observed by scanning tunneling microscopy // Phys. Rev. B. 1993. — V. 48. — P. 14 663.
  35. Sakama H., Murakami K., Nishikata K., Kawazu A. Structural determination of Si (100)2×2-Al by tensor LEED // Phys. Rev. B. 1993. -V. 48.-P. 5278.
  36. Takaoka K., Yoshimura M., Yao T. et. al. A1-V3 x V3 domain structure on Si (lll)-7><7 observed by scanning tunneling microscopy // Phys. Rev. B. 1993. — V. 48. — P. 5657.
  37. Stroscio M.A., Kim K.W., Yu S.G., Ballato A. Quantized acoustic phonon modes in quantum wires and quantum dots // J.Appl. Phys. 1994. -V. 76.-P. 4670.
  38. Stroscio M.A., Iafrate G.J. Electron-acoustic-phonon scattering rates in rectangular quantum wires // Phys. Rev. B. 1994. — V. 50. — P. 1733.
  39. Shimizu N., Kitada H., Ueda O. Cluster-ordered array on the Si (001) surface formed by Al deposition // Phys. Rev. B. 1995. — V. 51. -P. 5550.
  40. Bannov N., Aristov V., Mitin V. Electron relaxation times due to the deformation-potential interaction of electrons with confined acoustic phonons in a free-standing quantum well // Phys. Rev. B. 1995. — V. 51. -P. 9930.
  41. В., Шмерек Д., Штайнебах К. Основные состояния в одномерной электронной системе // УФН. 1998. — Т. 168. — Вып. 2. -С. 188−192.
  42. Lamelas F.J., Tang М.-Т., Evans-Lutterodt К. et. al. Epitaxial orientations of aluminum on silicon (001) // Phys. Rev. B. 1992. — V. 46. -P. 15 570.
  43. Favot F., Corso A.D. Phonon dispersions: Performance of the generalized gradient approximation // Phys. Rev. B. 1999. — V. 60. -P. 11 427.
  44. Meyer R., Lewis L.J., Prakash S., Entel P. Vibrational properties of nanoscale materials: From nanoparticles to nanocrystalline materials // Phys. Rev. B. 2003. — V. 68. — P. 104 303.
  45. Patton K.R., Geller M.R. Phonons in a nanoparticle mechanically coupled to a substrate // Phys. Rev. B. 2003. — V. 67. — P. 155 418.
  46. Sauer J. Chemie aus dem Computer // Spectrum der Wissenschaft — Digest: Moderne Chemie II, 2000.
  47. Drexler K.E. Nanosystems: Molecular Machinery Manufacturing and Computation. John Wiley, 1992.
  48. Narvaez G.A., Kirczenow G. Electronic excitations and tunneling spectra of metallic nanograms // Phys. Rev. B. — 2003. V. 68. -P. 245 415.
  49. В.И., Пятаков А. П., Звездин A.K. и др. Численное моделирование изображений наночастиц в ближнепольной сканирующей оптической микроскопии // ЖТФ. — 2003. — Т. 73. — Вып. 1.-С. 3−9.
  50. Wu J., Ma L., Yang Y. Single-band Hubbard model for the transport properties in bistable organic/metal nanoparticle/organic devices // Phys. Rev. B. 2004. — V. 69. — P. 115 321.
  51. Chamati H., Stoycheva M.S., Evangelakis G.A. Immersed nano-sized Al dispersoids in an Al matrix: effects on the structural and mechanical properties by molecular dynamics simulations // Journal of Physics. Condensed matter. 2004. — V. 16. — P. 5031.
  52. A.A. Переходы металл-диэлектрик и эффекты электрон-электронного взаимодействия в двумерных электронных системах // УФН.-2005.-Т. 175-Вып. 2.-С. 139−161.
  53. Wolverton С., Ozoli V. First-principles aluminum database: Energetics of binaiy Al alloys and compounds // Phys. Rev. B. 2006. — V. 73. P. 144 104.
  54. Florens S. Nanoscale Dynamical Mean-Field Theoiy for Molecules and Mesoscopic Devices in the Strong-Correlation Regime // Phys. Rev. Lett. -2007.-V. 99.-P. 46 402.
  55. Karvonen J.T., Maasilta I.J. Influence of Phonon Dimensionality on Electron Energy Relaxation // Phys. Rev. Lett. 2007. — V. 99. -P. 145 503.
  56. Ни X., Wang G., Wu W. et. al. The vibrational density of states and specific heat of Si nanocrystals // J.Phys.: Condens. Matter. —2001. — V. 13.-P. 1.
  57. Kytin V.G., Bisquert J. Determination of density of electronic states using the potential dependence of electron density measured at nonzero temperatures // Phys. Rev. B. — 2004. — V. 70. — P. 193 304.
  58. Schriver K.E., Persson J.L., Honea E.C., Whetten R.L. Electronic shell structure of Group-IIIA metal atomic clusters // Phys. Rev. Lett. 1990. -V. 64.-P. 2539.
  59. Heer W.A. de, Milani P., Chatelain A. Nonjellium-to-jellium transition in aluminum cluster polarizabilities // Phys. Rev. Lett. 1989. — V. 63. -P. 2834.
  60. M.F. // Clasters of s2p' metals and semiconductors // Clusters of atoms and molecules / Ed. Haberland H. Belin: Springer. 1994. — P. 288.
  61. H.B., Югай K.H. Плотность состояний двумерного нанокластера // Вестник Омского университета. — 2007. — № 3. -С. 26−34.
  62. Н.В., Югай К. Н. Плотность состояний двумерных нанокластеров алюминия в модели Хаббарда // ФТТ. — 2008. Т. 50 -Вып. 4.-С. 726−733.
  63. Н.В., Югай К. Н. Влияние примеси кислорода на плотность состояний нанокластера алюминия // Вестник Омского университета. 2008. — № 1. — С. 26−33.
  64. Н.В., Югай К. Н. Влияние числа частиц на плотность состояний нанокластера алюминия // Вестник Новосибирского университета. 2008. — Т. 3. — Вып. 2. — С. 88−94.
  65. JI.H. Физика наночастиц и нанотехнологий. Общие основы, механические, тепловые и эмиссионные свойства. М.: УП «Технопринт», 2004. — 399 с.
  66. В.П., Неизвестный И. Г., Гридчин В. А. Основы наноэлектроники. — М.: Университетская книга- Логос- Физматкнига, 2006. 496 с.
  67. СтрошиоМ., ДуттаМ. Фононы в наноструктурах. М.: ФИЗМАТЛИТ, 2006. — 320 с.
  68. Сох D.M., Trevor D.J., Whetten R.L., Kaldor A. Aluminum clusters: ionization thresholds and reactivity toward deuterium, water, oxygen, methanol, methane, and carbon monoxide // J. Phys. Chem. 1988. -V. 92.-P. 421.
  69. Upton Т.Н. Low-lying valence electronic states of the aluminum dimmer // J. Phys. Chem. 1987. — V. 90. — P. 754.
  70. Wood D.M. Classical size dependence of the work function of small metallic spheres // Phys. Rev. Lett. 1981. — V. 46. — P. 749.
  71. H. // Physica. 1937. — V. 6. — P. 406.
  72. D., Bout R., Krumhansl J. //Bull. Am. Phys. Soc. 1960-V. 5.-P. 297.
  73. R. // J. Phys. Soc. Japan. 1962 — V. 17. — P. 976.
  74. R. // J. de Phys. 1977. — T. 38. — №. 7 Suppl. — P. 96.
  75. Л. П., Элиашберг Г. М. // ЖЭТФ. 1965. — Т. 48. — № 5 -С. 1407.
  76. Е. // Ann. Math. 1955.- V. 62. — P. 548.
  77. F. // Math. Phys. 1960. — V. 18. — P. 140.
  78. M., Dyson F. // J. Math. Phys. 1963. — V. 4. — P. 713.
  79. A. // J. Phys. Soc. Japan. 1970. — V. 29. — P. 902.
  80. A., Kubo R. // Ibid. 1966. — V. 21.- P. 1765.
  81. J., Cofa E., Tlores I. // J. de Phys. 1977. — T. 38. -№.7. Suppl. — P. 122.
  82. Denton R., Miihlschlegol В., Scalapino D. Thermodynamic Properties of Electrons in Small Metal Particles // Phys. Rev. B. 1973. — V. 7. -P. 589.
  83. Smith T.P., Goldberg B.B., Stiles P.J., Heiblum M. Direct measurement of the density of states of a two-dimensional electron gas // Phys. Rev. B. — 1985. -V. 32.-P. 2696.
  84. Smith T.P. Ill, Wang W. I., Stiles P. J. Two-dimensional density of states in the extreme quantum limit // Phys. Rev. B. 1986. — V. 34 -P. 2995.
  85. С.И., Дорохова M.O., Хауг Р.Дж., Плог К. Мезоскопические и сильнокоррелированные электронные системы «Черноголовка-97»//УФН.-1998.-Т. 168.-№ 2 С. 135−140.
  86. А.А., Аристов А. В., Шмерек Д. и др. // УФН. 1998. -Т. 168. -№ 2-С. 147−150.
  87. Smith T.P. Ill, Arnot H., Hong J.M. et al. Capacitance Oscillations in One-Dimensional Electron Systems // Phys. Rev. Lett. 1987. — V. 59. -P. 2802.
  88. Hansen W., Smith T.P. Ill, Lee K.Y. et al. Zeeman bifurcation of quantum-dot spectra // Phys. Rev. Lett. 1989.- V. 62. — P. 2168.
  89. Ashoori R.C., Stormer H.L., Weiner J.S. et all. N-electron ground state energies of a quantum dot in magnetic field // Phys. Rev. Lett. 1993. -V. 71.-P. 613.
  90. Drexler H., Hansen W., Manus S. et al. One-dimensional electron channels in the quantum limit // Phys. Rev. B. 1994. — V. 49. — P. 14 074.
  91. Drexler H., Leonard D., Hansen W. et al. Spectroscopy of Quantum Levels in Charge-Tunable InGaAs Quantum Dots // Phys. Rev. Lett. -1994. — V. 73.-P. 2252.
  92. Physics and Chemistry of Small Clusters, NATO ASI /Eds. P. Jena, B. K. Rao, S.N. Khanna. Ser. B: Phys. — N.Y.: Plenum Press. — 1987. -V. 158.
  93. Molecular-Dynamics Simulation of Statistical-Mechanical Systems. / Eds. G. Ciccotti, W.G. Hoover- International School of Physics «Enrico
  94. Fermi» (Yarenna, Italy, 1985) Amsterdam: North-Holland Physics Publishing, 1986.
  95. B.B., Овчинников С. Г. Квазичастицы в сильно коррелированных системах. Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2001. -277 с.
  96. ИрхинВ.Ю., ИрхинЮ.П. Электронная структура, физические свойства и корреляционные эффекты в d- и f-металлах и их соединениях. Екатеринбург: УрО РАН, 2004. — 472 с.
  97. J. //Proc. Roy. Soc. A. 1963. -V. 276.-P. 238.
  98. J. // Proc. Roy. Soc. A. 1963. — V. 277. — P. 237.
  99. J. // Proc. Roy. Soc. A. 1964. -V. 281. — P. 40L
  100. Н.Ф. Переходы металл-изолятор:-М.: Наука, 1979. 344 с.
  101. Tasaki Н. The Habbard model an introduction and selected rigorous results // J.Phys.: Condens. Matter. — 1998. — V. 10. — P. 4353.
  102. Yang S.H., Mehl M.J., Papaconstantopoulos D.A. Application of a tight-binding total-energy method for Al, Ga, and -In // Phys. Rev. B. -1998.-V. 57.-P. 2013.
  103. Abrahams E., Kravchenko S.V., Sarachik M.P. Metallic behavior and related phenomena in two dimensions // Rev. Mod. Phys. 2001. — V. 73. -P. 251.
  104. Gupta B.C., Batra I.P. Interrupted chain-assisted Al atomic wires on Si (211): Density functional calculations // Phys. Rev. B. 2005. — V. 72. -P. 165 352.
  105. Fritschij F.C., Brom H.B., de Jongh L.J., Schmid G. Mesoscopic Fluctuations in Small Metal Particles Studied, by Nuclear Magnetic Resonance // Phys. Rev. Lett. 1999. — V. 82. — P. 2167.
  106. A.A., Горьков Л. П., Дзялошинский И. Е. Методы квантовой теории поля в статистической физике. — М.: Физматгиз, 1962.-444 с.
  107. Bormet J., Neugebauer J., Scheffler M. Chemical trends and bonding mechanisms for isloated adsorbates on Al (lll) // Phys. Rev. B. 1994. -V. 49.-P. 17 242.
  108. Pastawski H.M., Weisz J.F., Albornoz S. Matrix continued-fraction calculation of localization length // Phys. Rev. B. 1983. — V. 28. -P. 6896.
  109. Efetov K.B., Prigodin V.N. Local density of states distribution and NMR in small metallic particles // Phys. Rev. Lett. 1993. — V. 70. -P. 1315.
  110. MacKinnon A., Kramer B. One-Parameter Scaling of Localization Length and Conductance in Disordered Systems // Phys. Rev. Lett. 1981. -V. 147.-P. 1546.
  111. S.M., Leath P.L. // J. Phys. C. 1982. -V. 15. — P. 3513.
  112. J., Krey U. // Physica. 1981. — V. 106A. — P. 326.
  113. ИЗ. Крэкнелл А., Уонг К. Поверхность Ферми / Под ред. В .Я. Кравченко. М.: Атомиздат, 1978. — 352 с.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!