Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Исследование переноса и накопления заряда в жидких кристаллах нематического и холестерического типа

Диссертация: Исследование переноса и накопления заряда в жидких кристаллах нематического и холестерического типа
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Носителями заряда в Ж являются ионы, которые образуются либо в объеме ЖК путем диссоциации молекул вещества или примеси, либо при инжекции носителей из электрода с последующим захватом на нейтральные молекулы. Конкретные условия преобладания того или иного механизма генерации носителей, а также их связь с процессами формирования объемного заряда изучены недостаточно. Исходя из цели работы… Читать ещё >

Исследование переноса и накопления заряда в жидких кристаллах нематического и холестерического типа (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА I. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЖИДКИХ КРИСТАЛЛОВ литературный обзор)
    • 1. 1. Общие сведения о жидких кристаллах
    • 1. 2. Основные физические свойства. II
    • 1. 3. Темновая проводимость мезоморфных соединений
    • 1. 4. Механизмы генерации и переноса темновых носителей заряда в ЖК и родственных им органических соединений
    • 1. 5. Нестационарные процессы проводимости и объемный заряд в жидких кристаллах
  • Выводы
  • ГЛАВА II. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Характеристика объектов исследования
    • 2. 2. Очистка исследуемых соединений
    • 2. 3. Конструкция измерительных ячеек и подготовка образцов
    • 2. 4. Описание экспериментальной установки
    • 2. 5. Анализ точности измерений
  • ГЛАВА III. ИССЛЕДОВАНИЕ СТАЦИОНАРНОЙ ЭЛЕКТРОПРОВОДИМОСТИ В ЖИДКИХ КРИСТАЛЛАХ
    • 3. 1. Влияние очистки на проводимость жидких кристаллов
    • 3. 2. Температурная зависимость проводимости жидких кристаллов
    • 3. 3. Влияние электрического поля на проводимость ЖК
    • 3. 4. Влияние некоторых примесей на перенос заряда в ХЖК
  • Выводы
  • ГЛАВА 1. У. НЕСТАЦИОНАРНЫЕ ПРОЦЕССЫ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ В
  • ЖИДКИХ КРИСТАЛЛАХ
    • 4. 1. Влияние температуры и напряжения на величину объемного заряда в жидких кристаллах
    • 4. 2. Исследование механизмов поляризации жидких кристаллов в постоянном электрическом поле
    • 4. 3. Возрастающая релаксация тока в жидких кристаллах
    • 4. 4. Поляризация и темновая проводимость жидкокристаллического состояния
    • 4. 5. Подвижность и коэффициент диффузии носителей заряда в жидких кристаллах
  • Выводы
  • ГЛАВА V. ВЛИЯНИЕ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕНОСА ЗАРЯДА НА НЕКОТОРЫЕ ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В НЖК
    • 5. 1. Влияние электрического поля на размеры рассеивающих центров в НЖК
    • 5. 2. Переориентация нематического жидкого кристалла в электрических полях различных конфигураций
    • 5. 3. Электрооптика НЖК в структуре металл-диэлектрикжидкий кристалл-металл
  • Выводы

Важнейшими свойствами жидкого кристалла (ЖК) являются упорядоченность осей молекул в пространстве и наличие ориента-ционных степеней свободы как отдельных молекул, так и всего ЖК-слоя. Именно они приводят к новым физическим эффектам, нигде ранее не наблюдавшимся [1.4], а также обуславливают высокую чувствительность структуры к незначительным внешним воздействиям: механическим, тепловым, электрическим, магнитным. Поэтому Ж широко используются в электронике [1.1о], оптической промышленности [2.20], вычислительной технике [1.22] в качестве чувствительных индикаторов температуры [2.41], электромагнитных полей [1.14], в модуляторах и преобразователях света ?2.38], в технологии неразрушающего контроля ?2.100].

Актуальность темы

Применение ЖК в неразрушающем контроле [2.27- 2.50- 2.54] выявило рад задач, решение которых связано с наложением к ЖК-слою постоянных электрических полей [2.6- 2.88]. В этом случае необходим учет влияния поляризационных процессов на электрооптику, что невозможно без изучения закономерностей переноса заряда в мезофазе.

Несмотря на значительное число работ по электропроводности Ж, которые отражены в обзорах и монографиях [1.3- 1.4−1.13- 2.13- 2.157], информация о переносе и накоплении заряда в ЖК при наложении постоянных электрических полей явно недостаточна.

В постоянном электрическом поле Ж, как и другие высоко-омные органические соединения, поляризуются, что проявляется в релаксации тока [2.51- 2.95- 2.158]. Т.к.Ж характеризуются ионной проводимостью [1.4], одним из механизмов поляризации является накопление ионного заряда. Однако количественные данные о величине заряда, накапливаемого в ЖК-слое под действием постоянного электрического поля, практически отсутствуют.

Носителями заряда в Ж являются ионы, которые образуются либо в объеме ЖК путем диссоциации молекул вещества или примеси, либо при инжекции носителей из электрода с последующим захватом на нейтральные молекулы [1.4- 2.157]. Конкретные условия преобладания того или иного механизма генерации носителей, а также их связь с процессами формирования объемного заряда изучены недостаточно.

Цель работы: Исследование процессов переноса и накопления заряда в мезофазе под действием постоянных электрических полей и влияния поляризационных явлений на проводимость и некоторые практически важные электрооптические эффекты в ЖК.

Из общей задачи вытекают следующие конкретные вопросы:

1) влияние очистки на проводимость ЖК;

2) изучение закономерностей накопления заряда в мезофазе;

3) влияние объемных зарядов на основные параметры электропереноса;

4) исследование электрооптических эффектов в условиях формирования объемного заряда.

Исходя из цели работы, объекты исследования должны быть достаточно изученными, чтобы иметь возможность сравнить полученные результаты с известными. С другой стороны, выбранные соединения должны отличаться по структуре, электрофизическим и термодинамическим свойствам. Это необходимо для выделения общих закономерностей, присущих мезоморфозному состоянию.

В работе исследованы соединения из рядов оснований Шиффадающие нематическую фазу (НЖК) с отрицательной анизотропией диэлектрической проницаемости / д£<0 /- алкоксицианобифениловНЖК / д ?># / и п-алканоатов холестерина / д£ ~0 /.

Все эти вещества достаточно изучены, являются типичными представителями ЖК и, следовательно, могут считаться модельными. Они широко применяются в электрооптике и термографии как индивидуально, так и для создания нематических или нематохолестери-ческих систем. Для всех перечисленных соединений область существования мезофазы лежит в пределах +20° + +Ю0°С, что делает их удобными для исследования.

Электропроводность ЖК изучалась двумя методами: при постоянном наложении электрического поля и методом переходных токов. В последнем случае после выключения поля регистрировалась релаксация прямого тока, а после выключения — обратный ток деполяризации. Также выполнялись исследования накапливаемого в ЖК-слое объемного заряда, как функции напряжения, тока и времени действия поля.

Научная новизна. I. Показана выполнимость компенсационного правила в твердой фазе некоторых мезоморфных соединений, что позволяет объяснить проводимость твердой фазы с позиций туннельного механизма переноса заряда.

2. Экспериментально установлено, что заряд, накапливаемый в ЖК-слое, на 2 + 4 порядка выше значения, определяемого геометрической емкостью образца. Перенос заряда определяется суперпозицией внешнего поля и поля объемного заряда.

3. Доказано существование двух механизмов поляризации ЖК в постоянном электрическом поле: объемными и инжектированными носителями. Предложены критерии разделения этих механизмов.

4. Обнаружена и исследована возрастающая релаксация прямого и обратного токов в ЖК, связанная с эффектами сильного поля в приэлектродных слоях.

Практическое значение работы. Предложена методика определения проводимости ЖК, которая может быть использована для контроля их чистоты.

Исследовано влияние процессов поляризации на электрооптику НЖК с д£,<0 в постоянном электрическом поле. Разработаны методы визуализации рассеянных электрических полей и анализа дефектов технологических слоев в производстве изделий интегральной электроники на основе управляемого постоянным электрическим полем двулучепреломления в НЖК.

Апробация результатов. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на 1У и У Международных конференциях соц. стран по ЖК (Тбилиси-1981г., 0десса-1983г.), 1У Всесоюзной конференции по ЖК и их практическому применению (Иваново-1977г.), 1 Всесоюзном симпозиуме по электрическим свойствам ЖК (Душанбе-1979г.)э УШ, Х1 и ХП Всесоюзных координационных совещаниях по органическим полупроводникам (Косов-1977г., Рига-1981г.эПасанаури-1982г.)ЭШ и 1У координационных совещаниях по Ж (Киев-1979г., Славск-1981г.), а также на совещаниях и семинарах в ряде организаций.

Публикации. Основное содержание работы отражено в 13 публикациях, список которых приведен в конце диссертации.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы. Изложена на 167 стр., включая 55 рис., 4 табл. и список литературы из 199 наим.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ ОТРАЖЕНЫ В СЛЕДУЮЩИХ РАБОТАХ:

1. Гриценко Н. И., Мотель Н. В., Рогоза A.B., Тиман Б. Л. Релаксационные процессы при протекании тока в жидких кристаллах* ФТГ, 1983, т25, в11, 3286−3290.

2. Гриценко Н. И., Мошель Н. В., Тиман Б. Л. Механизмы поляризации жидких кристаллов в постоянном электрическом поле. -УФЖ, 1983, т28, № if 72−77.

3. Гриценко Н. И., Мошель Н. В. Проводимость, диффузия и подвижность носителей заряда в нематическом жидком кристалле.

УФЖ, 1980, т25, № II, 1830−1835.

4. Гриценко Н. И., Мошель Н. В. Влияние электрического поля на размеры рассеивающих центров в нематических жидких кристаллах. — УФЖ, 1978, т23, № 2, 224−228.

5. Гриценко Н. И., Мошель Н. В. Инжекционные токи в нематическом жидком кристалле. — ЖТФ, 1982, т52, № I, II4-II6.

6. Гриценко Н. И., Мошель Н. В., Рогоза A.B., Тиман Б. Л. Возрастающая релаксация тока в жидких кристаллах. — ЖТФ, 1983, т53, № 9, 1879−1880.

7. Гриценко Н. И., Коваль Ю. Д., Маркова 0.3., Мошель Н. В. Применение нематических жидких кристаллов для визуализации рассеянных электрических полей изделий микроэлектроники. — Микроэлектроника, 1980, т9, № 5, 444−449.

8. Гриценко Н. И., Добролеж С. А., Мошель Н. В. и др. Применение нематических жидких кристаллов для контроля качества технологических слоев ИС. — Электронная промышленность, 1982, 10−11, 90−95.

9. Гриценко Н. И., Добролеж С. А., Мошель Н. В. и др. Исследование распределения поверхностных потенциалов ИС с помощью нематических жидких кристаллов. — Электронная промышленность, 1982, № 10−11, 95−97.

10. Гриценко Н. И., Курик М. В., Мошель Н. В. Особенности диаграммы состояния холестерилпеларгоната. — В кн.: Тезисы докладов 1У международной конф.соц.стран по жидким кристаллам, Тбилиси, 5−8 октября 1981 г. Тбилиси, 1981, т1, 330−331.

11. Гриценко Н. И., Курик М. В., Мошель Н. В. Компенсационный эффект в проводимости эфиров холестерина. — В кн.: Органические полупроводниковые материалы, вып.5, ч.1. Пермь, 1982, 50−54.

12. Гриценко Н. И., Мошель Н. В., Тшценко В. Г. Влияние примесей на электрофизические свойства холестерических жидких кристаллов* В кн.: Тезисы докл.1 всес. симпозиума по электрическим свойствам ЖК, Душанбе, 1979 г. Душанбе, 1979, 9−10.

13. Гриценко Н. И., Коновец Н. К., Мошель Н. В. Переходные токи в жидких кристаллах. — В кн.: Тезисы докл.1 Всес. симпозиума по электрическим свойствам ЖК, Душанбе, 1979 г. Душанбе, 1979,27−28.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

1. Выполнены систематические исследования нестационарных процессов электропроводности в Ж при наложении постоянного электрического поля, изучены закономерности накопления в мезо-фазе объемного заряда.

2. Проводимость Ж является примесной, о чем свидетельствует снижение ее при очистке. Значение проводимости определяется как концентрацией примесей, так и их взаимодействием с основным веществом.

Закономерности протекания тока в твердой фазе согласуются с представлениями о туннельном механизме проводимости.

3. Показана и экспериментально подтверждена возможность разделения объемного и инжекционного механизмов поляризации ЖК в постоянном электрическом поле. Предложены критерии их разделения при описании нестационарных процессов, основанные на анализе соотношений между током в ЖК, соответствующим ему зарядом, приложенным напряжением и временем его действия.

В случае объемной поляризации ток изменяется со временем, как &-ОСур (- £/Ъо) «а зависимость между прямым током и соответствующим ему зарядом имеет вид (Ц- /I —ВТ • При инжекции носителей «а заряд изменяется, как С-ЗУ^Т* •.

4. Установлено, что в слабых полях преобладает перенос заряда равновесными (объемными) носителями (которые, как правило, имеют примесное происхождение), при повышении напряжения основной вклад в проводимость дают инжектированные носители. Преобладание того или иного механизма определяется концентрацией равновесных носителей.

Действие объемного и инжекционного механизмов поляризации Ж в постоянном электрическом поле разделено во времени: вначале происходит разделение объемных носителей и формирование приэлек-тродных пространственных зарядов, что создает предпосылки для инжекции носителей из электрода.

5. Обнаружена и исследована возрастающая релаксация тока (ВРТ) в жидких кристаллах. Закономерности протекания ВРТ имеют общий характер для ЖК с различным знаком анизотропии диэлектрической проницаемости, т. е. ВРТ связана с приэлектродными процессами. Результаты исследований показывают, что ВРТ обусловлена эффектами сильного поля в приэлектродных слоях, индуцированными полем объемного заряда.

6. Показано существенное влияние накапливаемого объемного заряда и определяемого им обратного напряжения поляризации на температурную и полевую зависимости электропроводности исследованных ЖК. Температурная и полевая зависимости электропроводности Ж коррелируют с соответствующими зависимостями заряда, накапливаемого в образце.

Предложены критерии определения действительного значения проводимости ЖК-слоя с учетом поляризационных явлений, которые могут быть использованы для контроля чистоты ЖК.

7. Выполнено сравнение различных методов определения подвижности носителей заряда. Показано, что для методов, основанных на измерении времени пролета носителей в электрическом поле, необходим учет поляризационных эффектов и связанного с ними перераспределения потенциала по толщине образца.

Независимыми измерениями коэффициента диффузии $ и подвижности носителей заряда экспериментально подтверждена применимость соотношения Нерста-Зйнштейна для ЖК-систем.

Предложена методика определения коэффициента диффузии и подвижности носителей заряда, использующая характеристические времена спадания обратных токов в ЖК. В мезофазе значения 9) и уЫ лежат в пределах:

Ю = /Ю-12 т Ю-10/м2/С;

Л = /Ю-10 4. Ю-8/м2/В-с. Они удовлетворительно согласуются с литературным" данными и указывают на ионный характер процессов переноса заряда в мезофазе.

8. Исследовано влияние накапливаемых зарядов на электрооптику НЖК в постоянных электрических полях. На основе полученных результатов разработана методика визуализации и анализа рассеянных электрических полей интегральных микросхем.

Изучены релаксационные процессы в системе металл-диэлект-рик-НЖК-металл, предложены методы контроля технологических слоев в производстве изделий интегральной электроники, использующие управляемое постоянным электрическим полем двулучепрелом-ление в НЖК.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Ю.Б., Кренцель Б. А. Химия жидких кристаллов и мезоморфных полимерных систем. М.:Наука, 1981, 288.
  2. И., Электрическая проводимость жидких диэлектриков, Л.: Энергия, 1972, 295.
  3. А., Стругальский 3. Жидкие кристаллы. М.: Сов. Радио, 1979, 160.
  4. Л.М. Электро- и магнитооптика жидких кристаллов. М.: Наука, 1978, 384.
  5. Болтакс Б. И. Диффузия в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1961,462.
  6. П.И. Техника лабораторных работ. Л.: Химия, 1970, 720.
  7. Ф., Лайонс Л. Органические полупроводники. М.: Мир, 1970, 696.
  8. Де Жен П. Физика жидких кристаллов. М.: Мир, 1977, 400.
  9. Жидкие кристаллы (Под ред. Жданова И.С.). М.: Химия, 1979,328.
  10. Индикаторные устройства на ЖК (Под ред. Готры Ю.З.). М.: Сов. Радио, 1980, 240.
  11. А.Ф. Физика кристаллов. М.-Л.: Госиздат, 1929, 192.
  12. Д.М., Тареев Б. М. Испытания электроизоляционных материалов. Л.: Энергия, 1969, 296.
  13. А.II. Экспериментальные исследования жидких кристаллов. М.: Наука, 1978, 368.
  14. А.П. Электрооптические и акустические свойства жидких кристаллов. М.: Наука, 1973, 232.
  15. М.В., Макаров Б. И. Измерение температуры твердых тел. М.: Энергия, 1981, 96.
  16. И.М., Дущенко В. П., Андианов В. М. Обработка результатов физических измерений. Киев: Высшая школа, 1981, 216.
  17. Ф. Измерение температуры в технике. М.: Металлургия, 1980, 474.
  18. П., Ламперт М. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973, 416.119.0решкин П. Т. Физика полупроводников и диэлектриков. М.: Высшая школа, 1977, 448.
  19. С.А. Структурные превращения в жидких кристаллах. М.: Наука, 1981, 336.
  20. Поверхностно-активные вещества (Справочник, под ред. Абрам-зона A.A. и Гаевого Г. М.). Л.: Химия, 1979, 376.
  21. Применение жидких кристаллов в вычислительной технике (Под ред. Деркача В.П.). К.: Наукова думка, 1980, 172.
  22. Н.П. Вещества высокой чистоты в науке и технике. М.: Знание, 1969, 69.
  23. В.А., Яхонтова В. Е. Элементарные методы обработки результатов измерений. Л.: Изд. ЛГУ, 1977, 72.
  24. .М. Физика диэлектрических материалов. М.: Энергия, 1973, 328.
  25. И.Л. Молекулярное рассеяние света. М.: Наука, 1965, 511.
  26. Д.Н. Чистота вещества. М.: Атомиздат, 1975,223.
  27. Хголст Г. ван де. Рассеяние света малыми частицами. М.:Изд-во иностр.лит., 1961, 536.
  28. К.В. Хроматография. М.: Изд-во АН СССР, 1962, 97.
  29. Я.И. Физико-химические основы хроматографического разделения. М.: Химия, 1976, 214.
  30. Demus D., Demus H., Zaschke H. Flussige Kristalle in Tabellen. Leipzig: VEB Dtsch. Verl. 1977, 357.
  31. Luckhurst G.R., Cray G.W. The Molecular Physics of Liquid Crystals: Academic Press, London, 1979, 494.2Л.Абдулаев Г. Б., Тагиев Б. Г., Мустафаева С. Н. Эстафетный механизм переноса заряда в тонких пленках CasE .-Изв.АН Аз. ССР, 1977, F> 4, 59−64.
  32. Акопова 0., Майдаченко П., Котович JI. Некоторые особенности синтеза Г1 -оксибензонитрила. В кн.: Жидкие кристаллы и их применение. Иваново, 1980, 146−149.
  33. A.C., Тешаев Б. Т., Стафеев В. И. Вольтамперные характеристики молекулярных и тонких пленок МББА и ЭББА. ФТП, 1978, т.12, в5, 895−898.
  34. A.C., Богданов П. Р., Стафеев В. И., Тешаев Б. Т. Электропроводность холестерических жидкокристаллических пленок. -В кн.: Жидкие кристаллы. Иваново, 1977, I0I-I06.
  35. Е.И., Васильев А. И. Исследование импульсной фотопроводимости в жидком кристалле МББА. В кн.: Орган.полупроводники. Киев, 1976, 88−93.
  36. Ю.В. Дефекты интегральных схем, изготовленных по изопланарнок технологии. Электронная техника. Серия 3 (микроэлектроника), 1980, т!5, в5, 66−70.
  37. М.И., Блинов JI.M., Гребенкин М. Ф. и др. Электрогидродинамическая неустойчивость в нематических жидких кристаллах. ЖЭТФ, 1975, 69, № 3, 1080−1087.
  38. М.И. Изменение электропроводности органических полупроводников в области плавления. Изв. ВУЗов СССР. Физика, 1973, № 4, 55−59.
  39. Е.Д., Лев Б.И., Томчук U.M. Экранировка заряда вжидких кристаллах. УФЖ, 1981, т26, № I, 158−160.
  40. Е.Д., Лев Б.И., Томчук U.M. Эффективная масса и подвижность ионов в нематических жидких кристаллах. УФЖ, 1981, т26, № 4, 625−630.
  41. П.Березин В. И., Недранец Ю. И., Севастьянов В. П. Влияние концентрации акцепторных добавок на электропроводность и параметры динамического рассеяния в жидких кристаллах. В кн.: Жидкие кристаллы и их практическое применение. Иваново, 1976, 90−93.
  42. Л.М. Электрооптические эффекты в жидких кристаллах.-УФН, 1974, 114, № I, 67−96.
  43. В.И. Электрические свойства стероидных мезофаз.
  44. В кн.:Жидкие кристаллы и их применение. Иваново, 1980,65−88.
  45. В.И. Электропроводность П -гептилоксиазоксибензола-г В кн.: Сб.докл. 2 Всес.конф. по жидким кристаллам. Иваново, 1972, Иваново, 1973, II8-I2I.
  46. В.И. Электропроводность холестерилмиристата. В кн.: Уч. записки Ив.ГУ. Иваново, 1974, 128, 75−82.
  47. K.M., Алиев Д. Ф., Казым-Заде А.Г. Фотоэлектрические свойства контакта жидкий кристалл кремний. — Микроэлектроника, 1983, т12, № I, 76−78.
  48. Е.И., Алтоиз Б. А., Полищук Д. И. Калориметрические исследования фазовых переходов в холестерических жидких кристаллах. В кн.: Жидкие кристаллы и их практическое применение. Иваново, 1976, 124−130.
  49. А.И., Балабанов Е. И. Исследование электропроводности и механизма движения заряда в НЖК из класса циклогек-санкарбоновых кислот. В кн.: Сб.докл. 1У Межд.конф.соц. стран по ЖК, Тбилиси, 5−8 октября 1981, г. Тбилиси, 1981, тII, 39.40.
  50. JI.К., Чистяков И. Г. Замороженный объемный заряд в жидких кристаллах. ДН СССР, 1977, т 234, № 5,1063−1066.
  51. Л.К., Чистяков И. Г. Приборы и системы управления на жидких кристаллах. Приборы и системы управления, 1975, № 3, 19−23.
  52. Ю.Г. и др. Вольтамперные и релаксационные характеристики темновой проводимости Q& Дб . Неорганические материалы, 1976, т12, № 12, 2146−2150.
  53. Н.И., Гриценко Н. И., Курик М. В. Электропроводность пленок дифенилполиенов. ФТТ, 1972, т14, вЮ, 1250−1252.
  54. И.И., Рубцова М. Ю. Немато-холестерические смеси в постоянных электрических полях. В кн.: Жидкие кристаллы. Иваново, 1977, 59−65.
  55. Ф.К., Бащун М. Л. Зависимость электропроводности жидкокристаллических веществ от температуры. В кн.: Сб. докл. 2-ой Всес.конф. по жидким кристаллам, Иваново, 1972 г. Иваново, 1973, 103−107.
  56. ГОСТ 6581–75. Материалы электроизоляционные жидкие. Методы электрических испытаний. Изд. стандартов, 1975, 24.
  57. Н.И., Добролеж С. А., Клименко A.C., Коваль Ю. Д., Мошель Н. В. Исследование распределения поверхностных потенциалов ИС с помощью нематических жидких кристаллов. Электронная промышленность, 1982, № 10—II, 75−77.
  58. Н.И., Добролеж С. А., Клименко A.C., Коваль Ю. Д., Мошель Н. В. Применение нематических жидких кристаллов для контроля качества технологических слоев ИС. Электронная промышленность, 1982, № I0-II, 70−75.
  59. Н.И., Коновец Н. К., Мошель Н. В. Переходные токи вжидких кристаллах. В кн.: Тезисы докл. I Всес. симпозиума по электрическим свойствам ЖК, Душанбе, 1979 г. Душанбе, 1979, 27−28.
  60. Н.И., Коваль Ю. Д., Маркова 0.3., Мошель Н. В. Применение нематических жидких кристаллов для визуализации рассеянных электрических полей изделий микроэлектроники. Микроэлектроника, 1980, т9, в5, 444−449.
  61. Н.И., Курик М. В., Мошель Н. В. Диаграмма состояния холестерилпеларгоната. В кн.: Тезисы докл. 1У Международной Конф.соц.стран по ЖК, Тбилиси, 5−8 октября 1981 г. Тбилиси, 1981, т1, 330−331.
  62. Н.И., Мошель Н. В. Влияние электрического поля на размеры рассеивающих центров в нематических жидких кристаллах. УФЖ, 1978, т23, № 2, 224−228.
  63. Н.И., Мошель Н. В. Инжекционные токи в нематическом жидком кристалле. ЖТФ, 1982, т52, в1, II4-II6.
  64. Н.И., Мошель Н. В. Проводимость, диффузия и подвижность носителей заряда в нематическом жидком кристалле. -УФЖ, 1980, т25, № II, 1830−1835.
  65. Н.И., Курик М. В., Мошель Н. В. Компенсационный эффект в проводимости эфиров холестерина. В кн.: Органические полупроводниковые материалы, вып.5, чЛ. Пермь, 1982,45−49.
  66. Н.И., Мошель Н. В., Тиман Б. Л. Механизмы поляризации жидких кристаллов в постоянном электрическом поле. -УФЖ, 1983, т28, № I, 72−77.
  67. II.И., Мошель Н. В., Тиман Б. Л., Рогоза A.B. Возрастающая релаксация тока в жидких кристаллах. ЖТФ, 1983, т53, в9, 1879−1880.
  68. Н.И., Мошель Н. В., Тиман Б. Л., Рогоза A.B. Релаксационные процессы при протекании тока в жидких кристаллах.-ФТТ, 1983, т25, в II, 3286 3290.
  69. Н.И., Мошель Н. В., Тищенко В. Г. Влияние примесейна электрофизические свойства холестерических жидких кристаллов. В кн.: Тезисы докл. I Всес. симпозиума по электрическим свойствам ЖК, Душанбе, 1979 г. Душанбе, 1979, 9−10.
  70. В.А. Объемный положительный заряд как фактор домено-образования в НЖК. Кристаллография, 1979, т24, вб, 12 921 294.
  71. A.M., Томашевский И. Е. Исследование параметра порядка тонких пленок нематического жидкого кристалла. УФЖ, 1982, т27, № II, 1650−1653.
  72. Жидкокристаллические материалы (Проспект НПО «Монокристалл-реактив», ларьков, 1976, 8.
  73. А.П., Куватов З. Х., Трофимов А. Н. Электретный эффект в /2-азоксианизоле. Кристаллография, 1973, т18,в2,416−417.
  74. Ю.А., Немченко A.M. Регенерация носителей заряда в органических жидкостях. Изв. ВУЗОВ СССР. Физика, 1964, № 3, 50−55.
  75. JI. Нематические жидкокристаллические материалы для устройств отображения. ТИИЭР, 1973, т61, № 7, 16−27.
  76. О.Ю., Добрынин В. А. Механизм электропроводности в условиях фазового перехода смектический жидкий кристалл -твердый кристалл. ФТТ, 1982, т24, в5, I549-I55I.
  77. М.В., Руденко A.A. 0 фазовом переходе в холестерил-пеларгонате типа металл-сверхпроводник. Письма в ЖТФ, 1978, т4, в 8, 480−483.
  78. М.В., Руденко A.A., Тищенко В. Г. Фазовые переходы гомологического ряда /2-алканоатов холестерина. ЖФХ, 1980, т! У, № I, 79−84.
  79. Лев Б.И., Томчук П. М. Вихревые токи в жидких кристаллах. -УФЖ, 1977, т22, № 3, 420−424.
  80. В.Ю., Кожухова О. И. Двойная эмиссия в тонких пленках антрацена. В кн.: Проблемы диэлектрической электроники. Ташкент, 1974, 442−445.
  81. В.И., Кириченко Г. Б. Исследование изменения во времени проводимости жидкокристаллических модуляторов света. -Микроэлектроника, 1979, т8, вЗ, 276−278.
  82. В.А., Курдюмов Г. М., Болотин Б. М. Метод низкотемпературного дифференциально-термического анализа в приложении к исследованию жидкокристаллических систем. В кн.: Жидкие кристаллы и их практическое применение. Иваново, 1976, III-118.
  83. С.Н., Пузачевич П. П. Исследование зависимости плотности холестерических мезофаз от температуры. В кн.: Сб. докл. 2 Всес.конф. по ЖК, Иваново, 1972 г. Иваново, 1973,200.207.
  84. B.C., Попов В. З., Сонин М. С. Диагностика неисправностей полупроводниковых БИС с помощью жидких кристаллов. -Управление качеством и стандартизация, 1973, вб, 145−150.
  85. П.Т., Старченков Б. К., Андреева Л. П. 0 миграционной поляризации в диэлектриках и полупроводниках. Изв. ВУЗОВ
  86. СССР. Физика, 1970, № 5, 13−16.
  87. В.Д., Тшценко В. Т., Лисецкий Л. Н. Влияние не-мезогенных добавок на селективное отражение холестерических систем. Журн.физ.химии, 1980, т54, № 5, II47-II50.
  88. Р.Г., Бобыль В. Г., Дикарев Б. Н. 0 некоторых общих закономерностях темновых токов в твердых и жидких полупроводниках в постоянном электрическом поле. УФЖ, 1975, т20, в8,1.39−1341.
  89. .С., Бабаев A.C., Стафеев В. И. Анизотропия электрических параметров ЭББА. В кн.: Тезисы доклЛУ Межд. Конф. соц. стран по жидким кристаллам, Тбилиси, 5−8 октября 1981 г. Тбилиси, 1981, т1, 86−87.
  90. И.Д., Сонин A.C. Динамическое рассеяние и концентрация рассеивающих центров в нематическом П-азоксиани-золе. ФТТ, 1974, т16, в1, 225−227.
  91. И.Д., Сонин A.C. Распределение масштабов турбулентности в нематических жидких кристаллах, найденное методом малоуглового рассеяния света. Оптика и спектроскопия, 1975, т38, в5, 980−932.
  92. .К. К теории поляризации в неорганических диэлектриках. В кн.: Труды Рязанского радиотехн. ин-та. 1968, в13, 23−29.
  93. .К. К теории переходных процессов в неорганических диэлектриках. В кн.: Труды Рязанского радиотехн. ин-та, 1968, в13, 30−34.
  94. В.И., Шияновский C.B. Фазовые превращения в ограниченных жидких кристаллах. Укр.физ.журнал, 1977, т22, № 9, 1439−1447.
  95. Ф.К., Чирков В. Н., Гуссейнов Б. А. Особенности электрических и оптических свойств контакта фотопроводник -жидкий кристалл. В кн.: Тезисы докл. IУ Межд.конф.соц.стран по Ж, Тбилиси, 5−8 октября 1981 г. Тбилиси, 1981, т. Д,., 312−313.
  96. .Л. Эстафетный механизм переноса заряда в системе «металл-диэлектрик-металл» при инжекции носителей. ФТП, 1973, т7, в2, 225−229.
  97. .Л., Гершун A.C. Нестационарные процессы, протекающие в системе металл-диэлектрик-металл в постоянном электрическом поле. ФТТ, 1968, т2, в4, 488−491.
  98. .Л., Карпова А. П. Постоянство заряда в точках минимума темнового тока в высокоомных кристаллах Cd $• ФТТ, 1970, т12, в5, 1554−1556.
  99. .Л., Карпова А. П. Экспериментальное изучение эстафетного механизма протекания тока в системе металл-диэлектрик-металл. ФТП, 1973, т7, вЯ, 230−235.
  100. С.С., Каневская З. М. 0 температурной зависимости электропроводности расплавов некоторых полиморфных веществ.-Укр.хим.журнал, 1961, т27, № 3, 296−302.
  101. Дж.Н., Занони А., Бартон А. Динамическое рассеяние. Новый электрооптический эффект в определенных классах кристаллов. ТИИЭР, 1968, т56, № 7, 24−34.
  102. В.А., Морозов H.A., Вистинь Л. К. Оптическая активность и электрооптические свойства жидких кристаллов с закруценной структурой. Кристаллография, 1974, т!9, в2, 305−308,
  103. В.И., Кузнецов В. С., Макаров Б. Н. и др. Калориметрическое изучение фазовых переходов в жидкокристаллических веществах. В кн.: Тезисы докл. 1У межд.Конф.соц.стран по ЖК, Тбилиси, 5−8.X.1981г. Тбилиси, 1981, т1, 374−375.
  104. В.Г. Ориентационные эффекты в нематических жидких кристаллах в электрических и магнитных полях. Кристаллография, 1982, т27, в2, 404−430.
  105. И.Г. Жидкие кристаллы (обзор). Кристаллография, 1960, т5, вб, 962−976.
  106. И.Г. Жидкие кристаллы. УФН, 1966, т89, № 4, 563 602.
  107. И.Г., Вистинь Л. К. Фазовые переходы в жидких кристаллах, индуцированные электрическим полем. Кристаллография, 1973, т18, в4, 873−875.
  108. А.Н. Об особенностях электрооптического эффекта нематических жидких кристаллов. ФТТ, 1974, т16, в2, 321−327.
  109. И.В. Температурная зависимость электропроводности жидкокристаллических веществ холестерического типа. В кн.: Ученые записки Иванов.гос.пед.института, Иваново, 1972, т99, 95−100.
  110. Barnik M.I., Blinov L.M., Grebenkin M.P., Trufanov A.N. Dielectric regime of electrohydrodynamic instability in nema-tic liqquid crystals. Mol. Cryst. and Liquid Cryst., 1976, 37, N 1−4, 47−56.
  111. Bassler H., Mayer Р., Richle N. Nuchweis der Volumen-Ionisation in organischen Plussigkeiten. Z. Naturforsch, 1965,20 a, N 3, 394−400.
  112. Bassler H., Riehl N. On the activation energy of the de conductivity of organic liquids. Phys. Lett., 1964, 12, N 2, 101−102.
  113. Bodegom E., Coelho R., Gallagher T.J. Thickness dependence of the conductivity in P.C.B. liquid crystal. Rev. Phys. Appl., 1978, J3, N 9, 427−431.
  114. Bornmann J.A. Semiconductivity of naphtalene. J. Chem. Phys., 1962, 36, N 2, 1681−1692.
  115. Briere G., Gaspard P., Herino R. Ionic residual conduction in the isotropic phase of a nematic liquid crystal. Chem. Phys. Lett., 1971, v9, N 4, 285−288.
  116. Brown G.P., Aftergut S. Effect of purification on the semi-conduction of imidasole. J. Chem. Phys., 1963, 38, IT 6, 1356−1359.
  117. Carr E.F. Anomalous alignment in the smectic phase of a liquid crystal owing to an electric field. Phys. Rev. Lett., 1970, v 24, 807−809.
  118. Channin D.J. Liquid-Crystal Technique for Observing Integra-ted-Circuit Operation. IEE Trans. Electron Devices, 1974, ED-21, N 10, 650−652.
  119. Chang R. The anisotropic electrical conductivity of MBBA containing alkyl aramonium-halides. Liq. Cryst. and Order Fluids, New-York-London, 1974, v2, 367−381.
  120. Chang R. Richardson J.M. The anisotropic electrical conductivity of MBBA, containing tetrabutyl-ammonium tetra-phenyl-«boride. Mol. Cryst. and Liquid Cryst., 1974, 28, N 1−2, 189−200.
  121. Charman Т. е., Wintle H.J. Dielectric absorption currents and surface charge on polymeric insulators. J. Appl. Phys., 1980, 51, N 9, 4898−4904.
  122. Chond P., Inuiski Y. Conductivity induced by injected electrons in liquid dielectrics. Electrotechn. J. Japan, 1962, 7, N 4, 153−156.
  123. Cummins P.G., Dunmur D.A., Jessup N.E. The dielectric properties of nematic MBBA in the presence of electric and magnetic fields. Liquid Cryst. and Order Fluids. New-York-London, 1974, v2, 341−350.
  124. Das-Gupta D.K., Doughtu K., Brockley R.S. Charging and discharging in polyvinylidene fluoride. J. Phys. D: Appl. Phys., 1980, 13, N 11, 2101−2114.
  125. Derfel G., Lipinski A. Charge carrier mobility measurements in nematic liquid crystals. In: Proceedings of the Third L.C. Conference of the Socialist Countries, Budapest, 27−31 August 1979, Budapest, Pergamon Press, 1980, 603−610.
  126. Derfel G., Lipinski A., Mysielski W. Charge carrier Mobility measurements in Some Nematic Mixtures. Acta Phys. Pol., 1979, A 55, N 7, 107−109.
  127. Derzhanski A.I., Grigorov L., Tenchov B. Ac conductivity of liquid crystal in electric and magnetic fields. Comptes rendus de l’Academie bulgare des Sciences. Sofia, 1972, v 25, N 2, 190−195.
  128. Dir G., Adams J. Haas W. Conductivity differences in the cholesteric textures. Liq. Cryst. and Order Fluids, New-York -London, 1974, v2, 3016−3024.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!