Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоёв n-GaAs

Диссертация: Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоёв n-GaAs
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Фотонный отжиг GaAs, имплантированного кремнием, по сравнению с термическим отжигом, приводит к снижению концентрации центров рассеяния электронов типа заряженных точечных дефектов и неоднородностей Вайсберга. Концентрация этих центров зависит от уровня дефектности исходного материала, температуры проведения фотонного отжига. При дополнительном фотонном отжиге ионно-легированных слоёв… Читать ещё >

Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоёв n-GaAs (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Список сокращений и условных обозначений
  • Глава 1. Радиационный отжиг арсенида галлия (обзор 12 литературных данных)
    • 1. 1. Импульсный отжиг GaAs в адиабатическом режиме
    • 1. 2. Импульсный отжиг GaAs в изотермическом режиме
    • 1. 3. Постановка задачи исследований
  • Глава 2. Методика эксперимента
    • 2. 1. Исходный материал
    • 2. 2. Имплантация ионов
    • 2. 3. Диэлектрические плёнки и отжиг
    • 2. 4. Измерения на тестовых кристаллах
    • 2. 5. Измерение удельного сопротивления, слоевой концентра- 48 ции и холловской подвижности электронов (метод Ван дер
  • Глава 3. Роль атермических факторов в процессах пе- 51 рераспределения примесей в GaAs при радиационном отжиге
    • 3. 1. Электронный отжигСаА8, имплантированного S
      • 3. 1. 1. Расчёт распределения поглощённой энергии при облуче- 53 нии электронами и температуры нагрева GaAs
      • 3. 1. 2. Электрофизические свойства ИЛС n-GaAs, имплантиро- 61 ванного кремнием, после электронного отжига
    • 3. 2. Фотонный отжиг GaAs, имплантированного кремнием и 74 серой
      • 3. 2. 1. Расчёт температуры нагрева при фотонном отжиге
      • 3. 2. 2. Электрофизические свойства ИЛС GaAs: Si после 76 фотонного отжига
      • 3. 2. 3. Электрофизические свойства ИЛС GaAs: S после ФО
  • Выводы к Главе
  • Глава 4. Исследование влияния различных факторов на 89 поведение примеси и дефектов в GaAs при радиационном отжиге
    • 4. 1. Определение параметров концентрационного профиля 89 примеси после отжига
    • 4. 2. Влияние температуры при фотонном и плотности мощ- 92 ности при электронном отжигах на поведение кремния в ар-сениде галлия
    • 4. 3. Влияние диэлектрических плёнок на поведение Si в GaAs 101 4.3.1 Механические напряжения в структуре диэлектрик-полу- 102 проводник
      • 4. 3. 2. Концентрационные профили
    • 4. 4. Влияние исходного материала на поведение кремния в 107 арсениде галлия
    • 4. 5. К вопросу о механизме наблюдаемых явлений
      • 4. 5. 1. Диффузия примеси, стимулированная ионизационно-тер- 119 мическим процессом
      • 4. 5. 2. Электроактивация примеси, стимулированная ионизаци- 122 онно-термическим процессом
  • Выводы к Главе
  • Глава 5. Применение ионизационно-термической техно- 127 логии в производстве структур полупроводниковых приборов
    • 5. 1. Полевые транзисторы с барьером Шоттки
    • 5. 2. Варикапы
  • Выводы к Главе

Актуальность работы.

Метод ионного легирования широко используется в производстве структур полупроводниковых приборов. Современные ионно-лучевые установки позволяют внедрять ионы практически всех групп периодической таблицы в широком диапазоне энергий и доз. Послеимплантационный отжиг восстанавливает нарушенную бомбардировкой ионов кристаллическую структуру полупроводника и активирует внедрённую примесь. В зависимости от вида излучения выделяют термический отжиг в печах накаливания (ИК-излучение) и радиационный отжиг (поток квантов света высокой энергии, поток электронов). Последний, в свою очередь, осуществляют с помощью некогерентных источников света (фотонный или быстрый термический отжиг), лазерного излучения (лазерный отжиг) и электронных пучков (электронный отжиг).

Традиционный термический отжиг GaAs проводят при температурах выше 800 °C в течение времени 10−40 мин. При этом наблюдается преимущественно испарение атомов мышьяка с поверхности GaAs. Поэтому в качестве меры по предохранению поверхности GaAs от деградации применяют защитные диэлектрические покрытия (Si3N4, Si02, A1N и др.) [1, 2]. Однако, как показывают исследования, свойства покрытий оказывают существенное влияние на качество ионно-легированного слоя и часто приводят к деградации оптических и электрических свойств объёмного материала [2].

Эти недостатки термического отжига стимулировали поиск альтернативных видов отжига. Исследуемые в последние годы радиационные виды отжига характеризуются принципиально иным механизмом нагрева полупроводника. Источник радиации взаимодействует с электронной подсистемой кристалла. При этом в полупроводнике генерируется электронно-дырочная плазма достаточно высокой плотности. Затем за время порядка 10″ 12 с «горячие» носители передают свою энергию решётке, и образец нагревается. В зависимости от продолжительности радиационного отжига различают адиабатический (наносекунды) и изотермический (секунды) режимы реализации. Как показывает анализ литературных данных, радиационный отжиг GaAs в адиабатическом режиме характеризуется низким качеством ионно-легированных слоев и по этой причине не нашёл практического применения. В то же время радиационный отжиг в изотермическом режиме позволяет получать ионно-легированные слои с параметрами, необходимыми для производства полупроводниковых приборов.

Большинство исследователей результаты изотермического радиационного отжига интерпретируют в терминах тепловой модели. При этом роль электронно-дырочной плазмы в процессах формирования ионно-легированных слоёв GaAs считается пренебрежимо малой. Тем не менее, ряд экспериментальных результатов, имеющих принципиальное значение, трудно объяснить в рамках тепловой модели. Например, при изотермическом радиационном отжиге GaAs, им.

28 плантированного Si, наблюдается повышенная степень электроактивации примеси и «уширение» её концентрационного профиля. Оценки показывают, что коэффициент диффузии в этом случае оказывается аномально большим для данной температуры отжига. Кроме этого, практически отсутствуют результаты исследований послеотжиговых дефектов в ионно-легированных слоях GaAs.

Учитывая научную и практическую значимость этих вопросов, важно установить природу этих явлений, определить закономерности их протекания, выяснить роль ионизации и других внешних (например, вид и условия проведения радиационного отжига), а также внутренних (в частности, роль параметров исходного материала) факторов.

В этой связи целью данной работы является исследование активационных процессов и факторов, влияющих на их протекание, при изотермическом радиационном отжиге GaAs, имплантированного донорными примесями, и возможности реализации выявленных закономерностей в изготовлении структур арсе-нидогаллиевых приборов.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

1. Исследование особенностей формирования ионно-легированных слоев п-GaAs при отжиге с помощью источников некогерентного излучения оптического диапазона (фотонный отжиг) и с помощью электронных пучков с энергией частиц ниже порога дефектообразования (электронный отжиг).

2. Выявление доминирующих факторов, определяющих протекание актива-ционных процессов в имплантированных слоях при изотермическом радиационном отжиге.

3. Исследование радиационно-термических технологий создания полупроводниковых структур арсенида галлия для решения практических задач микроэлектроники.

Для решения поставленных задач использовались следующие методы исследований: измерения концентрационных профилей методом вольт-фарадных характеристик, температурной зависимости подвижности и концентрации электронов методом Ван дер Пау, а также рентгеновский метод для определения напряжений в структуре диэлектрик-полупроводник.

Научная новизна результатов работы.

1. Показана роль ионизации в диффузионном перераспределении и электроактивации примесей, имплантированных в GaAs, при радиационном отжиге. Уточнён механизм ускорения этих процессов.

2. Выявлено влияние интенсивности воздействующей радиации, уровня дефектности исходного материала, а также механических напряжений в структуре диэлектрик-GaAs на диффузионные характеристики ионно-легированных слоёв n-GaAs.

3. Обнаружено уменьшение концентрации центров рассеяния электронов в ионно-легированных слоях GaAs после фотонного отжига по сравнению с термическим отжигом.

Научно-практическая значимость работы.

Выявленные закономерности образования ионно-легированных слоёв п-GaAs при радиационном отжиге использованы при изготовлении структур полевых транзисторов с барьером Шоттки и структур варикапов с обратным градиентом концентрации примеси.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Увеличение коэффициента диффузии и степени электроактивации кремния и серы, имплантированных в арсенид галлия, связано с понижением потенциальных барьеров для этих процессов, которое обусловлено высокой концентрацией ионизованных атомов и сильным электрон-фононным взаимодействием.

2. Механические напряжения в структуре диэлектрик-GaAs при электронном отжиге приводят к уменьшению диффузионной длины и степени электроактивации атомов имплантированной примеси в полупроводнике вблизи границы раздела материалов. Причём указанные характеристики примесных атомов зависят от типа, примесного состава и метода нанесения диэлектрика.

3. Фотонный отжиг GaAs, имплантированного кремнием, по сравнению с термическим отжигом, приводит к снижению концентрации центров рассеяния электронов типа заряженных точечных дефектов и неоднородностей Вайсберга. Концентрация этих центров зависит от уровня дефектности исходного материала, температуры проведения фотонного отжига. При дополнительном фотонном отжиге ионно-легированных слоёв, сформированных термическим отжигом, происходит уменьшение концентрации неоднородностей Вайсберга, а концентрация заряженных точечных дефектов не изменяется.

Апробация работы.

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на 9 Международной конференции «Радиационная физика и химия неорганических материалов» РФХ-9 (г. Томск, 1996) — на Всероссийской конференции по твёрдотельным датчикам ионизирующих излучений ТТД-97 (г. Екатеринбург, 1997) — на Международной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах» (г. Томск, 1998) — на Международном симпозиуме «Принципы и процессы создания неорганических материалов (Первые Самсоновские Чтения)» (г. Хабаровск, 1998) — на 4 Международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения» АПЭП-98 (г. Новосибирск, 1998) — на Седьмой Российской конференции «Арсенид галлия» «GaAs-99» (Томск, 1999).

Публикации.

Основные результаты работы изложены в 14 публикациях. В коллективных работах автору принадлежат результаты, отражённые в защищаемых положениях и выводах диссертации.

Личное участие автора.

Представленные в диссертации результаты получены автором в сотрудничестве с работниками СФТИ им. В. Д. Кузнецова (г.Томск) и ГН1111 «НИИПП» (г.Томск). Личный вклад автора включает: подготовку образцов и проведение измерений, обработку экспериментальных данных, обсуждение полученных результатов и подготовку их к печати, обобщение представленного в диссертации материала.

Структура и объём диссертации.

Диссертация состоит из введения, 5 глав и заключения. Изложена на 120 страницах машинописного текста, содержит 30 рисунков, 18 таблиц и библиографию, включающую 90 наименований литературных источников.

Выводы к Главе 5.

1. Проведён сравнительный анализ структур GaAs полевых транзисторов Шоттки, полученных с помощью термического и фотонного отжига. Показано, что структуры, полученные с помощью фотонного отжига характеризуются меньшей чувствительностью к освещению светом (hv < AEGaAs), а изготовленные приборы имеют лучшие параметры по току насыщения, напряжению насыщения и крутизне ВАХ.

2. Применение радиационных методов (фотонный отжиг) в технологии ионного легирования для изготовления структур варикапов позволяет получить приборы с высоким коэффициентом перекрытия по ёмкости и однородностью параметров. Концентрационный профиль хорошо описывается аналитическим выражением, в которое входят величины, связанные с режимами его изготовления. Это позволяет путём варьирования технологических режимов реализовать требуемые параметры варикапов.

12 8 О.

50 40 30.

1.8.

2.3.

С = 2.44 пФ Гс =0.23 (9.4%).

2.8 С0, пФ.

К* = 11.0.

ГКС =0.745 (6.8%).

О1—'—а——————^—¦

9 11 13 Кс.

Рис. 30 Гистограммы распределений начальной ёмкости Со и коэффициента перекрытия по ёмкости Кс варикапов, изготовленных с применением радиационной технологии.

Заключение

.

1. Выявлено, что при фотонном отжиге и при электронном отжиге происходит диффузионное перераспределение кремния и серы в GaAs, и возрастает степень электрической активации этих примесей по сравнению с термическим отжигом. Экспериментально показано, что за эти закономерности ответственны ионизационные эффекты при отжиге. При этом ускорение миграции и электроактивации кремния обусловлено снижением потенциальных барьеров этих процессов.

2. При отжиге без защитного диэлектрика профиль концентрации электронов залегает глубже, коэффициент диффузии и степень электроактивации примеси выше, чем при отжиге с диэлектриком. В последнем случае концентрационный профиль имеет два участка. Первый участок (вблизи границы диэлектрик-GaAs) характеризуется существенно меньшими значениями диффузионной длины и степени электроактивации примеси, чем второй (более глубокие слои полупроводника). Причём эти параметры на обеих участках профиля зависят от типа, состава и метода получения диэлектриков и коррелируют с величиной термоупругих напряжений в структуре диэлектрик-полупроводник.

3. Показано, что в монокристаллическом материале уширение концентрационных профилей электронов больше, а степень электроактивации примеси несколько меньше, чем в эпитаксиальном. Из анализа результатов температурной зависимости подвижности электронов установлены дополнительные центры рассеяния типа заряженных точечных дефектов, неоднородностей Вайсберга и, предположительно, типа диполей в слоях, полученных термическим отжигом, и типа заряженных точечных дефектов и неоднородностей Вайсберга в слоях, полученных фотонным отжигом. Причём, во втором случае, концентрация центров рассеяния существенно меньше.

4. Выявлено, что ионно-легированные слои, сформированные в эпитаксиальном материале термическим отжигом, и дополнительно подвергнутые фотонному отжигу (Т = 520 °C, t = 30 с) имеют более высокую подвижность электронов. Увеличение подвижности обусловлено уменьшением концентрации неоднородностей В айсберга. При этом концентрация заряженных точечных центров рассеяния (примесь и дефекты) практически не изменяется.

6. Уточнён механизм ускорения диффузии и электроактивации примеси при радиационном отжиге. Он основан на уменьшении потенциальных барьеров для этих процессов в результате ионизации атомов полупроводника и увеличении вероятности перескока атома примеси (дефекта) в следствие сильного электрон-фононного взаимодействия.

6. Проведён анализ структур GaAs, полученных с помощью термического и фотонного отжига, для полевых транзисторов с барьером Шоттки и варикапов с обратным градиентом концентрации примеси. Показано, что применение радиационного отжига при изготовлении приборных структур позволяет повысить качество материала и улучшить характеристики приборов по сравнению с термическим отжигом.

Список публикаций автора.

1] Ардышев М. В., Ардышев В. М., Михайлов М. М., Хлудков С. С. Влияние радиационных дефектов на концентрационные профили Si, имплантированного в GaAs, при радиационном отжиге. II Тез. докл. 1 Всерос. сими, по твёрдотел. детекторам иоииз. излучений ТТД-97. — Екатеринбург, 1997. — с.с.71−72.

2] Ардышев М. В. Формирование ионно-легированных структур n-GaAs с помощью изотермического радиационного отжига. II Труды IV Междунар. конфер. Актуальные проблемы электр. приборостроения АПЭП-98. — Новосибирск, 1998. — т.2. — с.с.202−204.

3] Ардышев М. В., Ардышев В. М. Влияние радиационного отжига на процессы активации кремния, имплантированного в арсенид галлия. // Изв. ВУЗов. Физика. — 1998. — т.41. — № 7. — с.с.89−93.

4] Ардышев М. В., Ардышев В. М., Хлудков С. С. Концентрационные профили Si, имплантированного в GaAs, после радиационного отжига. II Мат. Седьмой Рос. конф. «Арсенид галлия» «GaAs-99». — Томск, 1999. — с.с.51−52.

5] Ардышев М. В. Радиационно-стимулированная активация примесей, имплантированных в GaAs, при радиационном отжиге. II Тез. докл. Междунар. симп. Принципы и процессы создания неорган, матер. — Хабаровск, 1998. -с.с.192−193.

6] Ардышев М. В., Ардышев В. М., Михайлов М. М., Хлудков С. С. Перераспределение Si, имплантированного в GaAs, при радиационном отжиге. II Тез. докл. 1 Всерос. симп. по твёрдотел. детекторам иониз. излучений ТТД-97. -Екатеринбург, 1997. — с.с.81−82.

7] Ардышев М. В., Ардышев В. М. Активация и распределение кремния, имплантированного в арсенид галлия, при изотермическом радиационном отжиге. //ФТП.- 1998. т.32. — № 10. с.с.1153−1157.

8] Ардышев М. В., Ардышев В. М. Поведение кремния, имплантированного в арсенид галлия, при радиационном отжиге. II Изв. ВУЗов. Физика. — 1998.-т.41. -№ 11.-с.с.96−99.

9] Ардышев М. В. Влияние защитного диэлектрика на распределение кремния в арсениде галлия при радиационном отжиге. II Сб. тез. докл. Между-нар. конф. Радиационно-термичеекие эффекты и процессы в неорган, матер. -Томск, 1998. — с.с.42−43.

10] Ардышев М. В., Ардышев В. М., Хлудков С. С. Влияние границы диэлектрик — арсенид галлия на поведение кремния при радиационном отжиге. II ФТП. — 2000. — т.34. — № 1. — с.с.

11] Ардышев М. В., Ардышев В. М., Хлудков С. С. Особенности электро.

У Я активации Si в монокристаллическом и эпитаксиальном GaAs при радиационном отжиге. II ФТП. — 2000. — т.34. — № 1. — с.с.

12] Ардышев М. В., Ардышев В. М., Пешев В. В., Суржиков А. П. Использование интенсивных релятивистских электронных пучков для модификации свойств полуизолирующего арсенида галлия. II Тез. докл. 9 Междунар. конф. по радиационной физике и химии неорган, матер. РФХ-9. — Томск, 1996. — с.с. 147 149.

13] Ардышев М. В., Ардышев В. М., Пешев В. В., Суржиков А. П. Формирование ионно-легированных структур GaAs при низких температурах радиационного отжига. II Электр, промышленность. — 1998. — № 1−2. — с.с.80−83.

14] Ардышев М. В., Ардышев В. М., Михайлов М. М. Численный расчёт распределения внедрённых ионов в полупроводниковых материалах. II Тез. докл. 9 Междунар. конф. по радиационной физике и химии неорган, матер. РФХ-9. -Томск, 1996.-с.с. 150−151.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Арсенид галлия в микроэлектронике / Под ред. Н. Айнспрука и У. Уис-смена. — М.: Мир, 1988. — 555 с.
  2. В.М. Влияние защитных покрытий на электрофизические характеристики ионно-легированных слоев n-GaAs / Автореф. дисс. канд. техн. наук. Томск: ТГУ, 1987. -18 с.
  3. Полевые транзисторы на арсениде галлия / Под ред. Д. В. Ди Лоренцо и Д. Д. Канделуола. М.: Радио и связь, 1988. — 495 с.
  4. И.Б., Смирнов Л. С. Импульсный отжиг полупроводников. Состояние проблемы и нерешённые вопросы. II ФТП. 1985. — т. 19. — № 4. -с.с.569−581.
  5. А.В., Качурин Г. А., Нидаев Е. В., Смирнов Л. С. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. М.: Наука, 1982. — 208 с.
  6. Н., Меррей Дж. Физические основы микротехнологии. / Пер. с англ. под ред. Шальнова А. В. М.: Мир, 1985. — 496 с.
  7. Н.Е., Маркевич И. В., Моин М. Д., Танатар М. А., Шаблий И. Ю. Образование дефектов решётки в кристаллах CdS под действием излучения азотного лазера. II ФТТ. 1982. — т.24. -№ 11.- с.с.3223−3227.
  8. Н.Е., Моин М. Д. Процессы дефектообразования в сульфиде кадмия под действием лазерного излучения. // Квант, электрон. 1985. — № 29. -с.с.83−95.
  9. .И., Ковальчук Ю. В., Погорельский Ю. В., Смольский О. В. Воздействие пикосекундных лазерных импульсов на Si и полуизолирующие соединения А3В5. II Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1985. — т.49. — № 6. — с.с.1069−1081.
  10. А.В. Метод ионной имплантации в технологии приборов и интегральных схем на GaAs. М.: Радио и связь, 1990. — 86 с.
  11. М.М., Хайбуллин И. Б., Штырков Е. И. Отжиг ионно-легиро-ванных слоев под действием лазерного излучения. II УФЫ. 1975. — т.120. — № 4. -с.с.706−724.
  12. Sealy B.J., Kular S.S., Stephens K.G., Croft R., Palmer A. Electrical properties of laser-annealed donor-implanted GaAs. II Electron. Lett. 1978. — v. 14. — № 22. — p.p.720−723.
  13. Tsu R, Baglin J.E., Lasher G.J., Tsang J.C. Laser-induced recrystallization and damage in GaAs. // Appl. Phys. Lett. 1979. — v.34. — № 2. -p.p.153−155.
  14. P.A., Stolte C.A., Hansen J.L. // In book: Laser and electron beam processing of materials. New York: Acad. Proc, 1980. — p.p.328−333.
  15. П.К., Тимошенко В. Ю. Образование дефектов в полупроводниках при импульсном лазерном облучении. II Поверхность. Физика, химия, механика. 1995. — № 6. — с.с.5−35.
  16. D.H., Feldman B.J. // In book: Laser and Electron Beam Interactions with Solids. Ed. by Appleton B.B., Celler G.K. N.-Y., Amsterdam, Oxford. North. Holland.: Elsevier Science Publishing Co., Inc., 1982. — p.p.684−687.
  17. Davies D.E., Lorenzo J.P., Ryan T.G. Pulse annealing deficiencies in GaAs. II Appl. Phys. Lett. 1980. — v.37. — № 7. -p.p.612−615.
  18. D. 11 In book: Cohesive Properties of Semiconductor under Laser Irradiation. Ed. by Laude L.D. Hague, Boston, Lancaster: Martinus Nijhoff Publ., 1983. — p.p.562−576.
  19. M. // In book: Laser Annealing of Semiconductors and Physical Processes in Laser-Material Interactions. Ed. by Bertolotti M. N.-Y., London: Plenum Press, 1982.-p.p. 175−189.
  20. Hermes P., Danielzik В., Fabricius N., von der Linde D., Kuhl J., Heppner J., Stritzker В., Pospieszczyk A. Evaporation of atoms from femtosecond laser-heated gallium arsenide. II Appl. Phys. 1986. — v. A39. — № 1. — p.p.9−13.
  21. Tsu R, Baglin J.E., Lasher G.J., Tsang J.C. // In book: Laser-Solid Interactions and Laser Processing. Ed. by Ferris S.D., Leamy H.J., Poate J.M. N.-Y.: A.I.D., 1979. -p.p.623−635.
  22. Okigawa M., Nakayama Т., Morita K., Itoh N. Dependence of laser-induced damage of surface layers of GaP on pulse width and wavelength. II Appl. Phys. Lett. -1983. v.43. -№ 11.- p.p.1054−1057.
  23. Okigawa M., Nakayama Т., Takayama K., Itoh N. A new type of laser-induced surface damage of GaAs. И Sol. State Commun. 1984. — v.49. — № 4. — p.p.347−352.
  24. Inada Т., Tokunaga K., Taka S. Pulsed electron-beam annealing of selenium implanted gallium arsenide. II Appl. Phys. Lett. 1979. — v.35. — № 7. — p.p.546−550.
  25. Mozzi R.L., Fabian W., Piekarski F.J. Nonalloyed Ohmic contacts to n-GaAs by pulse-electron-beam-annealed selenium implants. II Appl. Phys. Lett. -1979. v.35. — № 4. — p.p.337−339.
  26. Исследование и разработка технологий электронного отжига имплантированных слоев GaAs для СВЧ полупроводниковых приборов. // Отчёт по НИР НИИПП. Отв. исп-ль Ардышев В. М. Томск, 1982. — 60 с.
  27. Pianetta Р.А., Stolte С.А., Hansen J.L. Nonalloyed ohmic contacts to electron-beam-annealed Se-ion-implanted GaAs // Appl. Phys. Lett. 1980. — v.36. -№ 7. — p.p.597−560.
  28. Ardyshev V.M., Verigin A.A., Koval B.A. Pulsed electron-beam-induced change in the structure of GaAs surface .// Energy Pulse Modif. Semiconductors and Related Mater. Proc. Conf. Dresden, 25−28 Sept., 1984. — v.2. — p.p.549−551.
  29. Bell E.C., Glaccum A.E., Hemment P.L.E., Sealy B.J. Heat treatment of ion implanted GaAs. II Radiat. Eff. 1974. — v.22. — № 4. — p.p.253−258.
  30. Sealy B.J., Ritchie J.M. A comparison of Si02 and Si3N4 coatings on GaAs using transmission electron microscopy. II Thin Solid Films. 1976. — v.35. — № 1. -p.p.127−130.
  31. Molnar В. Effect of Heat-Treatment of GaAs Encapsulated by Si02 II J. Electrochem. Soc. 1976. — v.123. — № 5. -p.p.767−771.
  32. Vaidyanathan K.V., Helix M.J., Wolford D.J., Streetman B.J. Study of Encapsulants for Annealing GaAs. II J. Electrochem. Soc. 1977. — v.124. — № 11. -p.p.1781−1784.
  33. Т., Miwa H., Kato S., Kabayashi E. Отжиг GaAs после имплантации Se с бескислородным защитным покрытием Si^N^ полученным химическим осаждением из паровой фазы. // J. Appl. Phys. 1978. — v.49. — N28. — р.р.4571−4573.
  34. B.E., Гапоненко Н. В., Носенко А. В. Импульсная термообработка полупроводниковых соединений АзВ5. II Заруб, электрон, техника. 1990. -№ 7. — с.с.3−27.
  35. В.М., Арестова Г. А., Будишевский B.C. Отжиг арсенида галлия, имплантированного кремнием, электронным пучком секундной длительности. II Сб. трудов 6 Всесоюз. совещ. по иссл. GaAs. Томск, 1987. — с.с.55−56.
  36. Исследование и разработка технологического процесса селективного ионного легирования арсенида галлия для сверхскоростных интегральных схем. / Отчёт по НИР НИИПП. Отв. исп-ль Ардышев В. М. Томск, 1986. — 71 с.
  37. Shah N.J., Ahmed Н. Activation of low dose implants in GaAs by multiply scanned electron beam. 11 Electron. Lett. 1980. — v. 16. — № 11. — p.p.44−46.
  38. E.B., Гурошев В. И., Прохорович A.B., Шевелёв М. В. Использование мощного СВЧ-излучения для быстрого отжига арсенида галлия. // Оп-тоэлектрон. и полупров. техника (Киев). 1989. — № 15. — с.с.48−50.
  39. .И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Наука, 1972. — 384 с.
  40. B.C., Кив А.Е., Ниязова О. Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1981. — 368 с.
  41. В.А., Холодарь Г. А. Радиационная физика полупроводников. Киев: Наукова думка, 1979. — 336 с.
  42. В.М., Данилина Т. И. Ионная технология в производстве интегральных схем. Томск: Ротапринт ТИАСУРа, 1993. — 70 с.
  43. В.В. Имплантационное легирование полупроводников. Часть I. П Обзоры по электр. технике. Серия: полупровод, приборы. 1974. — вып. 10 (223). -61 с.
  44. Lee D. H, Malbon R.M. Ion implanted silicon profiles in GaAs. II Appl. Phys. Lett. 1977. — v.30. — № 7. -p.p.327−331.
  45. B.M., Селиванова B.A., Коротченко O.H., Мамонтов А. П. Способ получения ионно-легированных слоёв на основе разлагающихся соединений GaAs и InP. / Авт. св-во № 235 899 от 01.04.86.
  46. В.А. Исследование режимов получения и свойств плёнок нитрида и оксинитрида кремния при ионно-реактивном распылении.! Автореф. дисс. канд. техн. наук. Томск: ТИАСУР, 1981. — 19 с.
  47. Ю.Е., Лебедева Н. И., Мартене В .Я., Месяц Г. А., Проскуровс-кий Д.И. Отжиг полупроводников низкоэнергетичным электронным пучком большого сечения секундной длительности II Письма в ЖТФ. -1982. вып.23. — № 8. — с.с.1465−1469.
  48. .С., Тагиров В. И. Об определении глубины залегания примесных уровней в полупроводниках. II ФТП. 1970. — т.4. — № 11. — с.2182−2185.
  49. Е.В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования. — М.: Радио и связь, 1990. 264 с.
  50. Pauw L .J. van der. A method of measuring specific resistivity and Hall effect of disks of arbitrary shape II Philips Res. Repts. 1958. — v.13. — № 1. — p.p.1−9.
  51. В.И., Кашкаров П. К. Дефектообразование в приповерхностных слоях полупроводников при импульсном лазерном воздействии. II Поверхность. 1990. — № 2. — с.с.77−85.
  52. Emelyanov V.I., Kashkarov Р.К. Laser-induced defect formation in semiconductors. II Appl. Phys. A. 1992. — v.55. — № 2. -p.p.161−166.
  53. С.А., Емельянов В. И., Коротеев Н. И., Семиногов В. Н. Воздействие мощного лазерного излучения на поверхность полупроводников и металлов: нелинейно-оптические эффекты и нелинейно-оптическая диагностика. IIУФН. 1985. — т.147. — № 4. — с.с.675−745.
  54. S.Y., Pearson G.L. 11 J. Appl. Phys. 1975. — v.46. — p.2986−2992.
  55. И.А., Андронов A.H., Титов А. И. Физические основы электронной и ионной технологии. М.: Высшая школа, 1984. — 320 с.
  56. Blackmore G.S. Semiconductor and other major properties of GaAs. II J. Appl. Phys. 1982. — v.53. — № 10. — p.p.R123-R181.
  57. A.B., Комаров Ф. Ф., Кумахов М. А., Тёмкин М. М. Таблицы параметров пространственного распределения ионно-имплантированных примесей. -Минск: Изд-во БГУ, 1980. -286 с.
  58. Дж., Эриксон JL, Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников. М.: Мир, 1973. — 296 с.
  59. X., Руге И. Ионная имплантация. / Пер. с англ. под ред. Гусевой М. И. М.: Наука, 1983. — 359 с.
  60. МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов. / Пер. с англ. под ред. Суриса Р. А. М.: Радио и связь, 1988. — 469 с.
  61. Liu S.G., Wu С.Р., Magee C.W. / In book: Laser and electron beam processing of materials. New York: Acad. Press, 1980. — p.341−345.
  62. Kimerling L.C. Electronic stimulation of defect processes in semiconductors. / In book: Defects and radiation effects in semiconductors. Bristol -London, 1978. — p.p.56−73.
  63. T.T., Хлудков С. С. Диффузия кремния в арсениде галлия. IIВ сб.: Арсенид галлия. Томск: Изд-во ТГУ, 1971. — т.7. — вып.11. — с.2079−2081.
  64. МакМагон Р.А., Хаско Д. Т., Ахмед X. Электронно-лучевая установка для быстрого изотермического отжига полупроводниковых материалов и приборов. II Приборы для научн. иссл. 1985. — № 6. — с.с.56−58.
  65. Ion Beam Processing in Advanced Electronic Materials and Device Technology / Ed. by B.R. Appleton, F.H. Eisen, T.W. Sigmon. Pittsburgh, MRS, 1985. -555 p.
  66. Energy Beam — Solid Interactions and Transient Thermal Processing / Ed. by J.C.C. Fan, N.M. Jonson. New York, North-Holland, 1984. — 401 p.
  67. Podor В., Nador N. The Lattice Limited Mobility of Electrons in GaAs II ActaPhys. Acad. Sci. Hung. 1974. — v>37. — № 4. — p.317−323.
  68. Ф.Д. Теория подвижности электронов в твёрдых телах / Пер. с англ. под ред. Ансельма А. И. М.: Гос. изд-во физ.-мат. лит., 1963. — 224 с.
  69. Разработка методов электрофизического анализа полупроводниковых структур арсенида галлия / Отчёт по НИР ОКР «11 481». Отв. исп-ли Высоцкий С. А., Рылов A.M. Горький, 1983. — 73 с.
  70. Weisberg L.R. Anomalous Mobility Effects in Some Semiconductors and Insulators II J. Appl. Phys. 1962.- v.33. — № 5. -p.1817−1820.
  71. Gossick B. R Disordered Regions in Semiconductors Bombarded by Fast Neutrons //J. Appl. Phys. 1959. — v.30. — № 8. — p.p. 1214−1217.
  72. Stratton R. Dipole scattering from ion pairs in compensated semiconductors. II The Physics and Chemistry of Solids. 1962. — v.23. — № 7. — p.p. 1011 -1017.
  73. Технология ионного легирования / Под ред. Намбы С. Токио, 1971. / Пер. с япон. под ред. Павлова П. В. — М.: Сов. радио. — 1974. — 160 с. V
  74. Rybka V., Cerny F. Processing parameters for the diffusion redistribution of boron and phosphorous implanted in silicon II TESLA electronics. 1978. — № 2. -p.56−59.
  75. Bakowski A. Methodfor determination of diffusion coefficients from carrier concentration depth profiles in silicon II J. Electrochem. Soc.: Solid-State Science and Technology. 1980. — v. 127. — № 7. — p. 1644−1646.
  76. Э.Х. Контакты металл полупроводник. — М.: Радио и связь, 1982.-208 с.
  77. В.М. Об активации смещений при релаксации электронных возбуждений в твёрдых телах. II ФТТ. 1969. — т.11. — № 3. — с.799−801.
  78. Lang D.V., Kimerling L.C. Observation of recombination enhanced defect reactions in semiconductor. И Phys. Rev. Lett. 1974. — v.33. — № 8. — p.489−491.
  79. М.Г., Освенский В. Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1984. — 256 с.
  80. С.С., Литвинов Ю. М., Постолов В. Г., Приходько А. В. Напряжения в кремние, создаваемые диэлектрическими покрытиями.// Электр, техника. Сер.З. Микроэлектроника. 1985. — вып.4. — с.с.82−87.
  81. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. I Пер. с англ. под ред. Левинштейна М. Е. и Челнокова В. Е. М.: Мир, 1991. — 632 с.
  82. Smith J. Theory of raman scattering in solid. II Phys. Rev. 1971. — v. B3. -№ 12. — p.p.4330−4337.
  83. K.B. Физика полупроводников. M.: Энергия, 1976. — 416 с.
  84. B.C., Кекелидзе Н. П., Смирнов Л .С. Действие излучений на полупроводники. М.: Наука, 1988. — 192 с.
  85. Атомная диффузия в полупроводниках. / Под ред. Б.Шоу. М.: Мир, 1975.-405 с.
  86. В.М., Суржиков А. П. Радиационно-термическая активация кремния, имплантированного в арсенид галлия. II ФТП. 1999. — № 6. — с.с.687−690.
  87. Точечные дефекты в твёрдых телах. / Сб. статей. Пер. с англ. под ред. Болтакса Б. И., Машовец Т. В., Орлова А. Н. М.: Мир, 1979. — 379 с.
  88. В.М., Пешев В. В., Суржиков А. П. Влияние различных видов отжига на свойства ионно-легированных слоев и термическую стабильность полуизолирующего GaAs. ПФХОМ. 1998. — № 3. — с.с.91 — 95.
  89. В.М., Козлова JI.А., Мамонтов А. П. Способ изготовления полупроводниковых структур арсенида галлия. II АС № 1 223 786, зарегестрировано 08.12.1985.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!