Исследование длинных диодных германиевых структур с запорными и антизапорными контактами металл-проводник

В «Основных направлениях экономического и социального развития СССР на 1981;1985 годы и на период до 1990 года», утвержденных ХХУТ съездом КПСС, указывается на необходимость ускоренного развития производства полупроводниковых материалов и приборов из них с комплексом заданных свойств [ I]. В связи с этим, особую актуальность приобретают теоретические и экспериментальные исследования полупроводниковых диодов с целью улучшения их эксплуатационных характеристик.

Предложенный в 1958 г. Стафеевым принцип модуляции длины диффузионного смещения носителей заряда, явился основой для создания ряда новых полупроводниковых приборов, в том числе «длинных» или так называемых Ьдиодов. Возможности эффективного использования длинных диодов в качестве датчиков величины и направления магнитных полей, быстродействующих бесконтактных переключателей тока, модуляторов и аттенюаторов СВЧ мощности, модуляторов инфракрасного излучения обусловили их интенсивное исследование.

Свойства длинных диодов с инжекцией неосновных носителей заряда (р-п диод с тыловым омическим контактом) и с двойной инжекцией (р-п диод с тыловым антизапорным п±п контактом) изучались во многих работах [4, 24, 47, 66, 75, 76, 119]. При рассмотрении процессов переноса носителей заряда длинные диоды разбиваются на области объемного заряда переходов (контактов) с «быстрым» пространственным изменением электрического поля и квазинейтральную область с «медленным» его изменением.

Решение системы уравнений, описывающей поведение электронов и дырок, для области объемного заряда перехода связано с большими математическими трудностями, а для квазинейтральной области полупроводника получается при использовании допустимых приближений.

В последнем случае при получении вольт-амперной характеристики.

ВАХ) диода используются граничные условия для концентраций электронов и дырок и их токов, отражающие поведение носителей в областях объемного заряда р-п, п±п переходов или на поверхности омического контакта. На поверхности омического контакта скорость рекомбинации полагается бесконечно большой, так что концентрации неравновесных электронов и дырок равны нулю. На границе области объемного заряда р-п, п±п перехода задается зависимость концентраций электронов и дырок от падения напряжения на переходе. При этом считается, что электроны и дырки в области объемного заряда распределены по закону Больцмана. Однако, при динамическом равновесии р-п, п±п перехода распределение электронов и дырок в области объемного заряда отличается от распределения Больцмана. Электронный и дырочный токи на границе области объемного заряда р-п, п±п перехода выражаются через коэффициент инжекции перехода и полный ток. Но при этом зависимость коэффициента инжекции от тока остается неизвестной. Обычно эта зависимость получается путем рассмотрения токов неосновных носителей заряда в квазинейтральных областях диода. Однако, в работе [157] справедливо полагается, что зависимость коэффициента инжекции р-п перехода от тока обусловлена, в основном, процессами в области объемного заряда.

Падение напряжения на квазинейтральной области диода обычно получается путем интегрирования выражения для электрического поля в ней, определяемого из уравнений для электронного, дырочного и полного токов. Это поле зависит от распределения концентрации неравновесных носителей заряда вдоль квазинейтральной области и полного тока, но не зависит от коэффициентов инжекции р-п, п±п переходов.

Однако, качественный анализ механизмов протекания электронного и дырочного токов в полупроводниковых диодах показывает, что концентрация носителей заряда и электрическое поле в квазинейтральной области зависят от коэффициентов инжекции р"п, п±п переходов. При этом электрическое поле в квазинейтральной области должно определяться нескомпенсированным зарядом разности концентраций неравновесных электронов и дырок. Однако, разность концентраций неравновесных электронов и дырок вдоль квазинейтральной области диода в зависимости от тока определить не удавалось.

Таким образом, развитие теории диодов с целью учета влияния зависимости коэффициентов инжекции р-п, п±п переходов от тока на вид ВАХ диода до настоящего времени остается актуальной задачей.

Диодные структуры с вплавными запорными и антизапорными контактами металл-полупроводник исследовались в отдельных работах [37, 38, 39, 103, 13б]. В [38, 39] экспериментально установлена природа контактов, полученных вплавлением олова и свинца в германий пи р-типа с различным удельным сопротивлением и показано, что они могут инжектировать в полупроводник электроны или дырки. В [37] экспериментально исследовано распределение потенциала в длинных германиевых структурах с контактами, полученными вплавлением олова, свинца и индия. Однако, детально длинные диодные структуры с вплавными запорными и антизапорными контактами металл-полупроводник не исследовались.

Вплавные контакты металл-полупроводник с заданными электрическими характеристиками широко используются в полупроводниковом приборостроении и микроэлектронике. Изучение их свойств путем теоретического и экспериментального исследования неравновесных процессов в области объемного заряда контакта связано с большими математическими и экспериментальными трудностями. Однако, изучение свойств вплавных контактов металл-полупроводник существенно упрощается, если исследовать их воздействие на нейтральный протяженный полупроводник.

Таким образом, теоретическое и экспериментальное исследование длинных диодных структур с вплавными контактами металл-полупроводник позволяет получить сведения о характеристиках контактов и выяснить возможности практического использования таких структур.

В диссертационной работе теоретически и экспериментально исследованы длинные диодные германиевые м-р-м, м-р-р+, м-п-м, м-п-р+ структуры с запорными м-р и антизапорными м-п, р±р контактами (где м-металл).

Развита теория длинных диодных м-р-м и м-р-р+ структур с учетом влияния зависимостей коэффициентов инжекции запорного м-р и антизапорного р±р контактов от тока на вид ВАХ структур. При этом полагается, что эти зависимости определяются неравновесными процессами в областях объемного заряда контактов.

Экспериментально исследованы распределение концентрации неравновесных носителей заряда, ВАХ и магниточувствительность у длинных германиевых м-р-м, м-р-р+, м-п-м и м-п-р+ структур с запорными м-р и антизапорными м-п, р±р контактами.

Полученные новые теоретические результаты подтверждены экспериментально.

В первой главе, содержащей обзор литературы, приведены основные результаты анализа граничных условий для р-п перехода и исследований длинных р-п диодов с тыловым омическим и антизапорным п±п контактом.

В последнее десятилетие опубликован ряд работ, в которых анализируются граничные условия для р-п перехода и контакта металл-полупроводник. Граничные условия определяются процессами изменения распределения носителей в области объемного заряда при изменении термодинамического равновесия на динамическое. В связи с этим рассмотрены более детально граничные условия Шокли [104,.

153], широко используемые в полупроводниковой электронике, граничные условия Флетчера [из] и Мисавы [135], анализировавшиеся в ряде работ, и граничные условия Хоозера [122], содержащие принципиально новые результаты.

ВАХ длинного диода определяется параметрами базы и природой тылового контакта. Поэтому описаны основные процессы формирования ВАХ различных типов длинных диодов.

В конце главы сформулированы теоретические и экспериментальные задачи, решаемые в диссертации.

Во второй главе развита теория длинных диодных м-р-м и м-р-р+ структур с запорным м-р и антизапорным р±р контактами с учетом зависимости граничных концентраций носителей заряда от коэффициентов инжекции м-р и р±р контактов. Зависимости коэффициентов инжекции м-р и р±р контактов от тока полагаются известными.

Рассмотрены свойства контактов, получаемых вплавлением олова и свинца в германий пи р-типа с различным удельным сопротивлением.

Получены выражения для ВАХ длинных диодных м-р-м и м-р~р+ структур с диффузионно-дрейфовым механизмом переноса носителей заряда в квазинейтральной р-области. При этом полагается, что коэффициенты инжекции м-р и р±р контактов, определяющие концентрации носителей заряда у этих контактов, не влияют на величину разности концентраций неравновесных электронов и дырок вдоль квазинейтральной р-области. Электрическое поле в квазинейтральной р-области находится из уравнений для электронного, дырочного и полного токов.

Определена разность концентраций неравновесных электронов и дырок вдоль квазинейтральной р-области м-р-м и м-р-р+ структур в зависимости от тока.

Для длинной диодной германиевой м-р-м структуры с запорными м-р контактами, полученными вплавлением олова, численно рассчитаны концентрации неравновесных электронов у инжектирующего м-р контакта, разность концентраций неравновесных электронов и дырок вдоль квазинейтральной р-области и падение напряжения на ней в зависимости от тока через структуру. При расчетах использована экспериментально полученная зависимость коэффициента инжекции м-р контакта от тока.

Для описания неравновесных процессов в квазинейтральной р-об-ласти длинных диодных м-р-м и м-р-р+ структур введены коэффициент инжекции неосновных неравновесных носителей заряда м-р контакта и коэффициент инжекции основных неравновесных носителей заряда р±р контакта. Обоснована необходимость введения этих коэффициентов и получена связь их с известными коэффициентами ин-жейции неосновных носителей заряда м-р контакта и основных носителей заряда р±р контакта.

В третьей главе развита теория длинных диодных м-р-м и м-р-р+ структур с учетом влияния коэффициентов инжекции запорного м-р и антизапорного р±р контактов на квазинейтральность р-области.

Показана необходимость учета влияния коэффициентов инжекции м-р и р±р контактов на концентрации носителей заряда у этих контактов и на величину распределенного в р-области заряда, образованного разностью концентраций неравновесных электронов и дырок, т. е. на квазинейтральность р-области. Зависимости коэффициентов инжекции м-р и р±р контактов от тока полагаются известными.

Получены выражения для ВАХ длинных м-р-м и м-р-р+ структур с диффузионно-дрейфовым механизмом переноса носителей заряда в квазинейтральной р-области.

Электрическое поле и падение напряжения на квазинейтральной р-области определены из уравнения Пуассона, содержащего распределённый в р-области заряд разности концентраций неравновесных электронов и дырок. Падение напряжения на квазинейтральной р-об-ласти получено в виде суммы трёх составляющих. Первая — это падение напряжения 11о, создаваемое током на исходном сопротивлении р-области структуры. Вторая — это падение напряжения Ымод, на которое уменьшается 11о за счёт модуляции сопротивления р-области неравновесными носителями заряда. Третья — это падение напряжения, на которое увеличивается Ы0 за счёт влияния коэффициентов инжекции м-р и р±р контактов на квазинейтральность р-области.

Для описания неравновесных процессов в квазинейтральной р-об-ласти длинных диодных м-р-м и м-р-р+ структур использованы коэффициенты инжекции неравновесных носителей заряда м-р и р±р контактов. Получена связь между коэффициентами инжекции неравновесных носителей заряда и коэффициентами инжекции носителей заряда для м-р и р±р контактов.

Для длинных диодных германиевых м-р-м структур с высокоомной и низкоомной р-областью и запорными м-р контактами, полученными вплавлением олова, численно рассчитаны составляющие падения напряжения на квазинейтральной р-области IIиод и в зависимости от тока. При этом использованы экспериментально определённые зависимости коэффициента инжекции м-р контакта от тока. Полученные уменьшение сопротивления высокоомной р-области и увеличение сопротивления низкоомной р-области с ростом тока через м-р-м структуру подтверждены экспериментально.

В четвёртой главе приведены результаты экспериментального исследования диодных германиевых м-р-м, м-р-р+ структур с запорными м-р контактами, полученными вплавлением олова в германий с различным удельным сопротивлением, и м-п-м, м-п-р* структур с антизапорными м-п контактами, полученными вплавлением свинца, висмута и олова в высокоомный германий.

Исследовано распределение концентрации неравновесных носителей заряда вдоль длинной средней области структур путем измерения распределения её удельного сопротивления двухзондовым методом. Установлены особенности распределения концентрации неравновесных носителей заряда в средней области структур.

Исследованы ВАХ структур с различными параметрами средней области и влияние поперечного магнитного поля на вид ВАХ этих структур. Показано, что структуры с длинной средней областью имеют ВАХ с участком Б-типа при Т = 295 К и либо сверхлинейную ВАХ, либо ВАХ с участком н-типа при Т «77 К, а структуры, с длиной средней области близкой к длине диффузионного смещения носителей заряда, имеют либо сверхлинейную ВАХ, либо ВАХ с участком Б-типа при Т «295 К и сверхлинейную ВАХ при Т = 77 К. Показано, что поперечное магнитное поле увеличивает напряжение срыва и уменьшает ток срыва ВАХ б — и н-типа, а., сверхлинейную ВАХ изменяет на ВАХ Б-типа при Т = 295 К и на сублинейную ВАХ при Т * 77 К. Приведены параметры, характеризующие магниточувствительность исследуемых структур при Т = 295 и 77 К.

В результате проведенного в диссертационной работе теоретического и экспериментального исследования неравновесных процессов в длинных диодных структурах с запорными и антизапорными контактами металл-полупроводник на защиту выносится:

I. Методика получения ВАХ длинных диодных м-р-м и м-р-р* структур, учитывающая влияние зависимостей коэффициентов инжекции запорного м-р и антизапорного р±р контактов от тока на квазинейтральность р-области.

2. У длинных диодных м-р-м и м—р—р+ структур с запорными м-р и антизапорным р±р контактами сопротивление квазинейтральной р-области, определяемое выражениями для их ВАХ, может быть меньше или больше исходного в зависимости от параметров м-, р-, р±областей. У германиевых м-р-м структур с запорными м-р контактами, полученными вплавлением олова, уменьшение сопротивления высокоомной р-области и увеличение сопротивления низкоомной р-области с ростом тока инжекции подтверждено экспериментально.

3. Распределение концентрации неравновесных носителей заряда у длинных диодных германиевых м-р-м, м-р-р+, м-п-м, м-п-р+ структур с запорными м-р и антизапорннми м-п контактами, полученными вплавлением олова, характеризуется:

— в высокоомной средней области — наличием протяженного участка со слабо изменяющейся концентрацией и превышением концентрации равновесных носителей заряда у обратновклю-ченного м-р и м-п контактов;

— в низкоомной средней р-области — периодическим изменением положительных и отрицательных значений концентрации.

ВАХ длинных диодных германиевых м-р-м, м~р-р+, м-п-м, м-п-р+ структур с запорными м-р и антизапорными м-п, р±р контактами имеют при Т = 295 К участок Б-типа, а при Т = 77 Кучасток Ы-типа, обусловленные разогревом структур. ВАХ исследованных структур, с длиной средней области близкой к длине диффузионного смещения носителей заряда, при Т = 295 К либо сверхлинейны, либо имеют тепловой участок Б-типа, а при Т = 77 К — сверхлинейны.

5. Поперечное магнитное поле у исследованных диодных германиевых м-р-м, м-р-р+, м-п-м, м-п-р+ структур с запорными м-р и антизапорными м-п, р±р контактами.

— изменяет сверхлинейную БАХ на БАХ Бтипа при Т = 295 К и на сублинейную БАХ при Т = 77 К;

— увеличивает напряжение срыва и уменьшает ток срыва на БАХ.

Б — и Nтипа.

6. Максимальные значения вольтовой и токовой магниточувствитель-ности исследованных длинных диодных германиевых м-р-м, м-р-р+, м-п-м, м-п-р+ структур с запорными м-р и антизапорными м-п, р±р контактами в режиме низких уровней инжекции при Т = 295 К составляют 30−60 В/Тл и 40−240 мА/Тл и увеличиваются в 5−10 раз с понижением температуры до 77 К.

Основные результаты диссертационной работы докладывались на.

— Всесоюзном совещании «Электрические и оптические свойства широкозонных полупроводников», Киев, 1975 г.;

— IX Всесоюзном совещании по теории полупроводников, Тбилиси, 1978 г.;

— научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава радиофизического факультета Харьковского госуниверситета им. А. М. Горького, Харьков, 1975;1983 гг.

По материалам диссертации опубликовано 17 научных работ.

Выводы.

1. У длинных диодных германиевых м-р-м, м-р-р+, м-п-м, м-п-р+ структур с высокоомкой средней областью характер экспериментального и теоретического распределения концентрации неравновесных носителей заряда вблизи инжектирующих контактов одинаков. Незначительное изменение концентрации неравновесных носителей заряда вдоль средней области таких структур

I" «А.

Рис. 4.23. Вольт-амперные характеристики диодной германиевой и-п-р*5* структуры (рп = 40 Ом-см — 0,3 см — 55 «0,04 см — мБа) при Т „77 К 2 поперечном магнитном поле“ В,: I — 0 — 2 — 0,05 — 3 — 0,1 — Ц — 0,2 — 5 — 0,3» свидетельствует о малой интенсивности рекомбинации на этом участке.

2. У длинных диодных германиевых м-р-м и м-р-р+ структур с низкоомной р-областью распределение концентрации неравновесных носителей заряда вдоль р-области характеризуется периодическим изменением положительных и отрицательных значений.

3. Отрицательные значения концентрации неравновесных носителей. заряда в низкоомной р-области диодных германиевых м-р-м и м-р-р+ структур с запорными м-р контактами обусловлены не-скомпенсированным зарядом разности концентраций неравновесных электронов и дырок. Величина этого заряда зависит от коэффициентов инжекции м-р и р±р контактов. Диодные германиевые м-р-м структуры имеют:

— при Т = 295 К — ВАХ Бтипа;

— при Т = 77 К — сверхлинейную ВАХ.

Прямовключенные диодные германиевые м-р-р+ структуры имеют:

— при Т = 295 К — или сверхлинейную ВАХ (¿-п), или ВАХ.

Бтипа (£р> Ьп);

— при Т = 77 К — сверхлинейную ВАХ.

Диодные германиевые м-п-м структуры имеют:

— при Т = 295 К — ВАХ Бтипа;

— при Т = 77 К — или сверхлинейную ВАХ (), или ВАХ ытипа ({п > ¿-р).

Прямовключенные диодные германиевые м-п-р+ структуры имеют:

— при Т = 295 К — или сверхлинейную ВАХ (£п ^), или ВАХ Бтипа (£п >);

— при Т = 77 К — или сверхлинейную ВАХ (~ Ьр), или ВАХ ы. -типа ().

Образование участка Бтипа при напряжении срыва и токе срыва 1 $ - и участка ж~типа при напряжении срыва IIк и токе срыва на прямых ВАХ обусловлено разогревом средних областей исследуемых структур. 5. Поперечное магнитное поле смещает ВАХ исследуемых структур в область больших напряжений.

У диодных германиевых м-р-м структур поперечное магнитное поле.

— при Т = 295 К — увеличивает 11§ и уменьшает ;

— при Т = 77 К — изменяет сверхлинейную ВАХ на сублинейную.

У прямовключенных диодных германиевых м-р-р+ структур поперечное магнитное поле.

— при Т = 295 К — или может изменять сверхлинейную ВАХ на ВАХ б — типа («Ер~ 1|п), или увеличивает 11 $ и уменьшает 1 $ ({р >);

— при Т = 77 К — изменяет сверхлинейную ВАХ на сублинейную.

У диодных германиевых м-п-м структур поперечное магнитное поле.

— при Т = 295 К — увеличивает 11 $ и уменьшает ;

— при Т = 77 К — или изменяет сверхлинейную ВАХ на сублинейную ({¡-п & ^р)" или увеличивает 11к и уменьшает 1к 1п>Ьр).

У прямовключенных диодных германиевых м-п-р+ структур поперечное магнитное поле.

— при Т = 295 К — или изменяет сверхлинейную ВАХ на ВАХ.

Этипа (1п>, Ь?), или увеличивает 11 $ и уменьшает Ь (&euro-&bdquo->1Р);

— при Т = 77 К — или изменяет сверхлинейную ВАХ на сублинейную (£п ¿-, Р), или увеличивает и уменьшает I* с еп>^Р).

Изменение хода ВАХ исследуемых структур поперечным маг.

Кютн = 14,5;

Кготн = 49- Кютн = 3,6- Кютн = 9,3. нитным полем обусловлено уменьшением длины диффузионного смещения неравновесных носителей заряда I* (магнитодиодный эффект).

6. Магниточувствительность при Т = 295 К и В = 0−1 Тл в режиме низких уровней инжекции достигает следующих значений у диодных германиевых структур

— типа м-р-м: Ки = 32 В/Тл- & = 94 мА/Тл;

— типа м-р-р+: Ки = 53 В/ТлКх = 245 мА/Тл;

— типа м-п-м: Ки = 58 В/ТлК1 = 40 мА/Тл;

— типа м-п-р+: Ки = 64 В/ТлКг = 225 мА/Тл;

Магниточувствительность при Т = 77 К н В = 0−0,3 Тл в режиме низких уровней инжекции достигает следующих значений у диодных германиевых структур

— типа м-р-м: Ки = 142 В/ТлК1 = 52 мА/ТлКютн = 1,8;

— типа м-р-р+: Ки = 236 В/ТлК1 =2220 мА/ТлКютн = 222;

— типа м-п-м: Ки = 300 В/ТлК1 = 202 мА/Тл;

— типа м-п-р+: Ки = 707 В/ТлК1 =1555 мА/Тл;

Увеличение магниточувствительности исследуемых структур при понижении температуры от 295 до 77 К обусловлено ростом подвижности электронов и дырок в германии.

Кютн =4,5- Кютн =40,6.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Основные научные результаты диссертационной работы сводятся к следующему:

1. Разработана методика расчета ВАХ длинных диодных м-р-м и + м-р-р структур с запорными м-р и антизапорным рр контактами при низких уровнях инжекции и чисто рекомбинационном действии ловушек, учитывающая влияние на вид ВАХ зависимостей коэффициентов инжекции м-р и р±р контактов от тока.

2. Показано, что граничные концентрации носителей заряда у ин + жектирующих м-р и рр контактов диодных м-р-м и м-р-р структур определяются концентрациями равновесных электронов и дырок в р-области, коэффициентами инжекции неравновесных носителей заряда м-р и р±р контактов и током через структуру.

3. Показано, что падение напряжения на исходном сопротивлении р-области диодных м-р-м и м-р~р+ структур уменьшается за счет модуляции сопротивления неравновесными носителями заряда и увеличивается за счет инжекции из р-области дырок на поверхность м-области и электронов — в р±область.

Показано, что сопротивление квазинейтральной р-области длинных диодных м-р-м и м-р-р" 1″ структур может быть меньше или больше исходного в зависимости от параметров м-, ри р±областей. У длинных диодных германиевых м-р-м структур с запорными м-р контактами, полученными вплавлением олова, уменьшение сопротивления высокоомной р-области и увеличение сопротивления низкоомной р-области с ростом тока подтверждено экспериментально.

5. У длинных диодных германиевых м-р-м, м-р-р+, м-п-м, м-п-р+ структур с высокоомными (р >, 30 Ом-см) средними областями характер экспериментального и теоретического распределения концентрации неравновесных носителей заряда в средних областях вблизи инжектирующих контактов одинаков. Экспериментально полученный протяженный участок средней ри п-области структур с незначительным изменением концентрации свидетельствует о малой интенсивности рекомбинации носителей заряда на этом участке.

6. У длинных диодных германиевых м-р-м и м-р-р+ структур с низкоомной (рр 4 0,5 Ом-см) р-областыо распределение концентрации неравновесных носителей заряда вдоль р-области характеризуется периодическим изменением положительных и отрицательных значений.

7. Диодные германиевые м-р-м, м-р-р+, м-п-м, м-п-р+ структуры, с длиной средней области близкой к длине диффузионного смещения носителей заряда, имеют.

— при Т = 295 К — или сверхлинейную ВАХ (м-р-р+ и м-п-р+ структуры), или ВАХ Бтипа (м-р-м и м-п-м структуры);

— при Т = 77 К — сверхлинейную ВАХ.

Длинные диодные германиевые м-р-м, м-р-р+, м-п-м, м-п-р+ структуры имеют.

— при Т = 295 К — ВАХ Бтипа;

— при Т — 77 К — или сверхлинейную ВАХ (м-р-м и м-р-р+ структуры), или ВАХ ктипа (м-п-м и м-п-р+ структуры).

Образование участков Б — и ш-типа на прямых ВАХ обусловлено разогревом средних областей исследуемых структур.

8. Поперечное магнитное поле, увеличивая сопротивление средних областей, смещает ВАХ исследуемых структур в область больших напряжений и может приводить к изменению типа ВАХ.

У диодных германиевых м-р-м, м~р~р+, м-п-м, м"п-р+ структур, с длиной средней области близкой к длине диффузионного смещения носителей заряда, поперечное магнитное поле.

— при Т = 295 К — или изменяет сверхлинейную ВАХ на ВАХ.

Бтипа (м-р-р+ и м-п~р+ структуры), или увеличивает напряжение срыва и уменьшает ток срыва ВАХ Бтипа (м-р-м и м"п-м структуры);

— при Т = 77 К — изменяет сверхлинейную ВАХ на сублинейную. тг + +.

У длинных диодных германиевых м-р-м, м-р-р, м"п"м, м-п-р структур поперечное магнитное поле.

— при Т = 295 К — увеличивает напряжение срыва и уменьшает ток срыва ВАХ Бтипа;

— при Т = 77 К ~ или изменяет сверхлинейную ВАХ на сублинейную (м-р-м и м-р~р+ структуры), или увеличивает напряжение срыва и уменьшает ток срыва ВАХ Н1 -типа (м-п-м и м-п-р+ структуры).

Изменение хода ВАХ исследуемых структур поперечным магнитным полем обусловлено уменьшением длины диффузионного смещения неравновесных носителей заряда.

9. Максимальные значения вольтовой и токовой магниточувстви-тельности исследуемых структур в режиме низких уровней инжекции.

— при Т — 295 К — в магнитных полях 0−1 Тл составляют 64 В/Тл и 245 мА/Тл;

— при Т = 77 К — в магнитных полях 0−0,3 Тл составляют 707 В/Тл и 2220 мА/Тл.

Увеличение магниточувствительности исследуемых структур при понижении температуры от 295 до 77 К обусловлено ростом подвижности электронов и дырок в германии.