Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Исследование физических процессов в многослойных полупроводниковых структурах, выключаемых током управления

Диссертация: Исследование физических процессов в многослойных полупроводниковых структурах, выключаемых током управления
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Целью настоящей работы является теоретическое и экспериментальное исследование стационарных и нестационарных процессов при запирании тиристора, выяснение физической природы возможных факторов ограничения предельной переключаемой мощности и определение путей ослабления их влияния, построение физической модели процесса выключения КВТ, а также создание на основе результатов физических исследований… Читать ещё >

Исследование физических процессов в многослойных полупроводниковых структурах, выключаемых током управления (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава I. Основы физики процесса выключения тиристора током управления
    • 1. 1. Статические и динамические характеристики запираемого тиристора (одномерное приближение).Ю
    • 1. 2. Неодномерные явления при запирании тиристора базовым током управления
    • 1. 3. Схемно-конструктивные варианты переключающихся полупроводниковых элементов (устройств), выключаемых действием тока управления
  • Выводы по первой главе
  • Слава II. Теоретическое и экспериментальное исследование статических параметров рпрп структур, выключаемых током управления
    • 2. 1. Анализ зависимости коэффициента запирания тиристора от величины анодного тока
    • 2. 2. Исследование физической природы повышенных остаточных падений напряжения ^|^йрц-лс^руктурах
      • 2. 2. 1. Феноменологический анализ вольтамперной характеристики рпрп структуры, находящейся во включённом состоянии
      • 2. 2. 2. Экспериментальное исследование стационарного распределения потенциала и заряда в рпрп и рппрп структурах. Обсуждение результатов
  • Выводы по второй главе.8С*

ГлаваШ. Экспериментальное исследование неодномерных, нестационарных процессов в запираемом тиристоре. 3.1. Исследование неодномерного нестационарного распределения заряда в структуре запираемого тиристора методом регистрации рекомбинационного излучения.

3.1.1. Определение требований к параметрам экспериментальной установки. Описание установки. Методика измерений.

3.1.2. Градуировка установки.

3.1.3. Исследование процессов принудительного, нестационарного шнурования тока и разрыва токового шнура в запираемом тиристоре.

3.2. Исследование динамики электрического поля в базовых слоях рпрп структуры при выключении её током управления.

3.2.1. Измерительная установка. Методика измерений.

3.2.2. Процесс восстановления области пространственного заряда в запираемом тиристоре при низких уровнях концентрации электронно-дырочной плазмы в базовых областях и небольших анодных напряжениях.

3.2.3. Динамическое распределение поля в процессе запирания тиристора при высоких уровнях концентрации электронно-дырочной плазмы в базовых областях и больших анодных напряжениях.

Выводы по третьей главе. лава1У. Тепловые и полевые эффекты при запирании тиристора, как факторы ограничения предельной переключаемой мощности. № которые вопросы конструирования и применения мощных запираемых тиристоров.

4.1. Тепловой механизм деградации и ограничения переключаемой мощности.

4.1Л. Постановка задачи. Экспериментальные результаты. 127 4.1.2. Теоретический анализ теплофизической модели структуры запираемого тиристора, учитывающий объёмный характер тепловыделения.

Стр.'

4.2.Полевой механизм ограничения переключаемой мощности.

4.3.Некоторые вопросы конструирования и применения мощных запираемых тиристоров.

4.3.1.Исследование запираемых тиристоров с защунтиро-ванным катодным п+р переходом.

4.3.2.Исследование процесса запирания многокатодной рпрп- структуры.

5.1.Исследование физических процессов в рпрп-структуре при комбинированном ее выключении. 165.

5.2.Влияние шунтирования эмиттерного п+р перехода на время выключения рпрп-структур в комбинированном режиме. 176.

ПриложениеII.

5.3.Конструктивные особенности комбинированно-выключаемых тиристоров (КВТ). Электрические характеристики мощных КВТ в номинальном и сверхтоковом имцульсном режимах. 179.

Выводы по пятой главе. 187.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

189.

ЛИТЕРАТУРА

194.

Основными активными элементами в современных силовых полупроводниковых преобразовательных устройствах являются приборы на основе четрехслойной рпрп структуры — тиристоры. Многообразие задач, решаемых с их помощью, а также различные и часто противоречивые требования, предъявляемые к приборам, привели к созданию целого ряда тиристоров специального назначения (модуляторные, частотные, быстродействующие, высоковольтные и т. д.). Из всего семейства многослойных полупроводниковых переключающих приборов следует особо выделить запираемый тиристор (ЗТ) и комбинированно-выключаемый тиристор (КВТ) общим для которых является принцип принудительного рассасывания заряда из базовой области отрицательным током управления при их выключении. Наиболее универсальным по своим возможностям является запираемый тиристор (ЗТ), обладающий способностью не только переходить во включенное состояние при подаче положительного импульса тока управления, но и выключаться импульсом тока управления отрицательной полярности. Это специфическое качество открывает широкие возможности для эффективного использования ЗТ в различных системах автоматики при коммутации постоянного тока, в регулируемых и стабилизированных источниках питания, преобразователях напряжения и частоты. Выгоды, которые обещает дать применение ЗТ вместо обычных тиристоров или даже в комбинации с ними, связаны с упрощением схем управления, улучшением массо-габаритных показателей преобразовательных систем, и, как следствие, с удешевлением соответствующей аппаратуры. Кроме того, запираемый тиристор — прибор, принципиально более быстродействующий, чем обычный тиристор, т.к. исчезновение накопленного в структуре избыточного заряда при выключении происходит под влиянием принудительного экстрагирования носителей из базовой области с темпом гораздо более быстрым, чем теш ре-комбинационных процессов, определяющих динамические свойства обычных тиристоров.

Основным препятствием на пути к широкому применению ЗТ в мощной электротехнике до настоящего времени являлось отсутствие ЗТ — ов, способных эффективно коммутировать большие токи и напряжения. Решение этой проблемы оказалось невозможным в рамках традиционных представлений о физических процессах в рпрп структурах. Специфическое качество ЗТ — способность переходить в непроводящее состояние под воздействием активного процесса рассасывания заряда из базовой области — обусловило возникновение целого комплекса новых задач как теоретических, так и экспериментальных.

Например, построение одномерной феноменологической теории, объясняющей механизм формирования стационарной вольгамперной характеристики ЗТ, а также установление взаимосвязи между электрофизическими характеристиками и важнейшими статическими параметрами прибора невозможно без рассмотрения эффектов, являющихся следствием стационарной модуляции размеров внутренних областей под действием приложенного к структуре напряжения и нелинейной модуляции их проводимости с ростом плотности тока.

Другой класс задач по исследованию физических процессов в ЗТ связан с рассмотрением нестационарного, неодномерного процесса запирания. Корректное теоретическое его рассмотрение связано со значительными.трудностями. Попытки упрощения задач этого класса приводят к тому, что результаты теоретического анализа носят, как правило, иллюстративный характер. В связи с этим целесообразно, с целью выявления и объяснения существенных и неочевидных деталей динамического процесса запирания, провести комплексное экспериментальное исследование динамических распределений заряда и потенциала, полностью описывающих физическую ситуацию в рпрп структуре.

С неодномерным характером процесса запирания, приводящим к принудительной локализации тока в приборах с большой площадью, тесно связаны возможные физические механизмы ограничения предельной переключаемой мощности и частичной или полной деградации ЗТ при работе в критических режимах.

До настоящего времени этот важный вопрос практически не был исследован, в особенности, в плане понимания роли и степени влияния теплового и возможных негепловых факторов ограничения.

Непрекралрлщився попытки создания полупроводникового прибора, который, по сравнению с обычными тиристорами, имел бы повышенное быстродействие и не уступал им по параметру предельной переключаемой мощности привели сравнительно недавно к реализации идеи комбинированного выключения тиристора. КВТ выключается путем одновременного приложения обратного анодного напряжения и импульса отрицательного тока управления. Несмотря на некоторые общие черты КВТ и ЗТ, связанные с тангенциальным механизмом вывода заряда из структуры, в целом процессы динамической перестройки заряда в них существенно отличаются. В настоящее время чрезвычайно актуальной является задача построения хотя бы качественной физической модели процесса выключения КВТ.

Целью настоящей работы является теоретическое и экспериментальное исследование стационарных и нестационарных процессов при запирании тиристора, выяснение физической природы возможных факторов ограничения предельной переключаемой мощности и определение путей ослабления их влияния, построение физической модели процесса выключения КВТ, а также создание на основе результатов физических исследований конкретных модификаций мощных ЗТ и КВТ, способных осуществлять эффективную коммутацию высоковольтных цепей с напряжением от 500 В до 2,5 — 3,0 кВ.

На защиту выносятся следующие научные положения:

1. Закономерности формирования статической вольтамперной характеристики рпрп-структур определяются эффектом модуляции размеров внутренних базовых областей в случае выполнения условия t-Io +dZ0 < 1, где оС jq, «коэффициенты передачи по току условных рпри прп-транзисторных секций тиристора при нулевом напряжении на центральном р-п переходе рпрп-структуры».

2. Увеличение коэффициента запирания с ростом величины запираемого тока обусловлено уменьшением коэффициента инжекции р-эмит-тера при повышении плотности тока, текущего в рпрп-структуре, начиная от значения ~>IQ A/ct/.

3. Динамический процесс запирания рпрп-структур большой площади в общем случае имеет неодномерный характер. Степень неодномерности, характеризуемая степенью превышения плотности тока в каком-либо участке структуры над стационарным её значением, уменьшается с уменьшением отношения запираемого тока к запирающему току базы и тангенциального (вдоль линий тока управления) размера п-эмит-тера, а таюке с повышением равномерности свойств структуры по площади.

4. Уменьшение коэффициента запирания и величины предельного запираемого тока с ростом анодного налряжения есть следствие нестационарного эффекта перестройки заряда в плазме и глубокого проникновения области сильного поля в п-базу рпрп-структуры в направлении от центрального р-п перехода к р-эмиттеру на этапе ускоренного спада анодного тока.

5. Степень влияния теплового фактора ограничения предельной переключаемой запираемым тиристором мощности наиболее точно устанавливается при рассмотрении теплофизической модели, учитывающей объемный характер тепловыделения в процессе спада тока и нарастание напряжения на рпрп структуре. При завершении процесса запирания в одном токовом шнуре максимальное значение переключаемой мощности не может превышать 6*8 кВА.

6. Существенное, в З1- 7 раз, уменьшение времени выключения тиристора в комбинированном режиме обуславливается, принудительным выводом заряда неравновесных носителей, накопленных в п-базе, через проницаемый С^ < 1) коллекторный переход и р-базу в цепь управления. При этом плазменный сгусток в приколлекторной области п-базы играет роль инжектора, ток которого не зависит от тока во внешней цепи, контролируемого процессом восстановления р+пэмиттерного перехода.

Теоретическая и практическая ценность полученных результатов состоит в том, что они позволили глубже понять реальные процессы в запираемых и комбинированшьвыключаемых тиристорах, описать физическую природу факторов, ограничивающих. значения пред-дельной переключаемой мощности ЗТ, предложить практические рекомендации по улучшению конструкции указанных полупроводниковых приборов и создать две модификации ЗТ на, токи 5- 50 А рабочие напряжения 1500- 600 В и три модификации высоковольтных КВТ на токи 160−200 А и напряжение 1200- 1800- 2500 В.

В настоящее время разработка мощного КВТ входит в одну из тем задания «быстродействующие тиристоры» целевой комплексной программы 0Ц-023.

Выводы по пятой главе.

1. Экспериментально исследован процесс рассасывания электронно-дырочной плазмы из внутренних областей рпрп-структуры, определяющий динамику процесса ее выключения при смене полярности анодного напряжения с прямого на обратное, а также для случая одновременного с этим воздействия запирающего тока управления (комбинированный режим).

2. Установлено, что, вопреки известным цредставлениям, при анализе процесса выключения рпрп-структур изменением полярности анодного напряжения нельзя пренебрегать электронной компонентой тока коллекторного переходах^ в случае соизмеримости уровней легирования базовых областей. Время выключения таких структур определяется не только рекомбинационными процессами, но и непосредственным выведением избыточного заряда из обоих базовых слоев обратным анодным током.

3. Определена физическая природа токаТп^ «как тока электронов, инжектированных из пв р-базу через барьер коллекторного перехода.

— 188 тиристора^. При этом роль инжектора выполняет сгусток электронно-дырочной плазмы, накопленной в приколлекторной области п-базы. Показано, что длительность протекания токаI/j^ возрастает с ростом плотности прямого тока и времени жизни дырок в п-базе, т. е. с ростом кон центрации плазмы, а также по мере понижения барьера перехода $ 2. •.

4. Обнаружен эффект насыщения п+р-эмиттерного перехода рпрп-структуры на этапе резкого уменьшения обратного тока. Определено условие возникновения режима насыщения в виде:1п2р>10ф, где уЗ коэффициент переноса электронов через р-базу, 10(^рток внешней цепи, контролируемый процессом. обратного смещения эмиттерного р+п-перехода.

5. Показано, что время выключения тиристора-^ зависит от длительности прямого смещения п+р-перехода, возрастающей с ростом, и может быть существенно (в 3 — 7 раз)'сокращено воздействием на динамику рассасывания заряда в базах запирающим током управления на этапах прямого смещения п+р-перехода и перемены полярности анодного напряжения с обратной на пряцую. Причем, в структурах с защунтирован-ным П*р-переходом зависимость от тока управления^" усиливается.

6. Построена качественная физическая модель, объясняющая многообразие экспериментально наблюдаемых особенностей процесса комбинированного выключения тиристоров, согласно которой максимальный эффект уменьшения времени выключения может быть достигнут в структурах, вконструкции которых сочетаются низкое сопротивление растекания р-базы с высоким значением тока 1П<? .

7. В соответствии с разработанными теоретическими представлениями сконструированы и изготовлены рпрп-структуры мощных комбинированно-выключаемых тиристоров на токи до 160 А среднего значения и напряжения до 3,0 кВ. Результатами их испытания в режиме номинальных плотностей анодного тока, а также в сверхтоковом режиме (л-ЮООА/см2) подтверждена справедливость построенной физической модели процесса комбинированного выключения рпрпструктур.

— 189 -ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

Ниже сформулируем основные результаты и выводы диссертации:

1. Проведен теоретический анализ зависимости коэффициента запи-ранияШд^) от величины запираемого тока (1), учитывающий отличие коэффициентов инжекции эмиттеров рпрп-структуры от единицы в условиях высокого уровня инжекции в п-базе и низкогов р-базе.

Показано, что экспериментально наблюдаемое увеличение с ростом I обусловлено уменьшением коэффициента инжекции р-эмиттера с ростом плотности запираемого тока.

2. Теоретически и экспериментально показано, что в устойчиво включённой рпрп-структуре коллекторный переход ^ может находиться под обратным смещением (в «ненасыщенном» режиме), что является причиной возникновения сверхбольших значений остаточного падения напряжения на структуре.

Б результате анализа зависимости коэффициентов переноса неосновных носителей через базовые области структуры от обратного напряжения (Щ<0), падающего на переходе^, определены условия, при выполнении которых реализуется ненасыщенный режим, и получена аналитическая взаимосвязь между величиной U^ и электрофизическими и геометрическими параметрами рпрп-структуры.

3. Показано, что появление с ростом анодного тока второго участка отрицательного дифференциального сопротивления на статической ВАХ тиристора является следствием процесса насыщения исходно обратносме-щенного (ненасыщенного) коллекторного перехода устойчиво включенной рпрп-структуры.

4. Проведено комплексное экспериментальное исследование неодномерного нестационарного распределения потенциала, заряда и теплового поля в рпрп-структуре при её запирании. На основе результатов исследования дана физическая интерпретация отдельных этапов переходного процесса запирания и их особенностей.

5. Показано, что динамический процесс запирания структур с большой активной площадью имеет сугубо неодномерный характер, сопровождающийся локализацией анодного тока. Степень локализации, характеризуемая степенью превышения плотности тока в каком либо участке структуры над стационарным ее значением, уменьшается с уменьшением отношения 1Аа/ и тангенциального (вдоль линий тока размера п-эмиттера.

6. Впервые обнаружен нестационарный эффект перестройки заряда в плазме, приводящий наэтапе ускоренного спада анодного тока к глубокому проникновению области сильного поля в п-базу ЗТ в направлении от коллекторного перехода к р-эмиттеру на расстояния, существенно превышающие стационарный размер ОПЗ, соответствующий максимальному значению действующего в анодной цепи напряжения. Цри этом, согласно проведенным численным оценкам, коэффициент переноса дырок через п-базу возрастает примерно в 4 раза, обуславливая ограничение величины K, Qrr ocLTI и 1А с ростом анодного напряжения. С целью ослабления этого ограничения предложена и успешно реализована на практике конструкция р-ба-зы ЗТ с двухслойным профилем легирования.

7. Исследован критический тепловой режим работы ЗТ. Показано, что в процессе запирания имеет место локальный разогрев структуры, который является причиной неконтролируемого ее включения и, как следствие этого, либо ограничения максимального значения переключаемой ЗТ*м мощности, либо частичной или полной деградации прибора.

8. Предложена и теоретически проанализирована теплофизическая модель процесса запирания тиристора, учитывающая объемный характер тепловыделения в 01 В на этапе ускоренного спада анодного тока и нарастания напряжения на структуре. Получено, что с уменьшением степени легирования п-базы предельная переключаемая мощность растет и, в случае завершения процесса запирания в единичном токовом шнуре критического размера, не превышает значений порядка 6*8кВА дляР$ 400 Омсм.

9. Экспериментально исследован процесс рассасывания электронно-дырочной плазмы из внутренних областей рпрп-структуры при смене полярности анодного напряжения с прямого на обратное и одновременном воздействии запирающего тока управления (комбинированный режим). Показано, что условием существенного уменьшения времени выключения тиристора в комбинированном режиме является сочетание низкого сопротивления растекания р-базы с высоким значением электронной составляющей тока через коллекторный переход при протекании обратного анодного тока.

10. Построена физическая модель, адекватно отражающая все характерные этапы процесса комбинированного выключения тиристора.

11. Базируясь на рекомендациях, вытекающих из результатов проведенных исследований, изготовлены и испытаны несколько модификаций приборов: запираемые тиристоры на токи 5−50 А и напряжения 1500−500 В соответственно и комбинированно-выключаемые т1фисторы на токи 160−200 А и напряжения 1,2−3,0 кВ.

Основные положения и результаты работы докладывались на научных семинарах лаборатории физики мощных полупроводниковых приборов ЖШ им. А. Ф. Иоффе АН СССР, на Интернациональной конференции «Мощные полупроводниковые преобразователи» США, Флорида, 1977 г., на Болгарской национальной конференции «Полупроводниковая электроника», Ботевград, 1972 г., на 8-ой Всесоюзной конференции по проблемам автоматизированного электропривода, силовых полупроводниковых приборов и преобразователей на их основе,(Ташкент 1979 г.), а также содержатся в следующих работах:

1. Остаточное напряжение в ненасыщагащихся структурах типа рпрп. -" Изв. АН Арм.ССРу 1968, т.21,№ 2, 5−15(в соавторстве с Макаровым В. А., Короневским И. М., Соловьёвым А. К., Чарыковым Н.А.).

2. Об ограничении переключаемой мощности в рпрп структурах выключаемых импульсом тока управления. -" Физика и техника полупроводников", 1971, т.5,№ 1,141−143 (в соавторстве с Греховым И. В. и Линийчуком И.А.).

3. Экспериментальное исследование распределения носителей заряда в рпрп-структурах при выключении их током управления.-" Радио-техника и электроника", 1972, т.17,1880−1884 (в соавторстве с Греховым И. В., Головановой О. В., Линийчуком И. А., Макевниной Л. И. и Шу-лекиным A. Q.).

4. Тепловые процессы в запираемом тиристоре.-" Электронная техника", сер.2, 1974, N96(88), 30−34 (в соавторстве с Греховым И. В., Куракиной Д. И., Линийчуком И. А. и Рожковым В.М.).

5. О влиянии соотношения между анодным и базовыми токами на однородность процесса выключения в запираемом тиристоре. «» Радиотехника и электроника", 1975, т.20,2225−2227.(в соавторстве с Греховым И. В, Линийчуком И.А.).

6. Исследование зависимости предельного выключаемого тока от напряжения в запираемых тиристорах.-" ЭП", Преобразовательная техника, 1980, вып.3(122), 1−3. (в соавторстве с Линийчуком И. А. и Рожковым Ш).

7. О зависимости коэффициента запирания тиристора от величины анодного тока.-" Радиотехника и электроника", 1975, т.20,№ 7,1490−1495. (в соавторстве с Греховым И. В. и Линийчуком И.А.).

8. Быстродействующий прибор ключевого типа — комбинированно-выключаемый тиристор.-" Электричество", 1977,№ 10,82−84.(в соавторстве с Дулатовым О. Г., Греховым И. В., Лабунцовым В. А., Линийчуком И. А., Одынем С. П., Паламарчуком А. И. и Шендереем С.В.).

9. Gale Turn-off and &ait fisiishd Thtjtisioi? wtihciSholM Ernrfia. ТЕЕЕ/гА$, 1 $??, 1п{еъ?. SemiccAct./hiv.&nv. ccnf p. 3V-38. (в соавторстве с Греховым И. В., Линий*$геом И.А. и Тучкевичем В.М.).

10. Исследование запираемых тиристоров с шунтировкой в эмиттер-ном переходе." Электронная техника", 1979, сер.4,вып.7,46−49. (в соавторстве с Греховым И. В., Линийчуком И. А. и Шендереем С.В.).

11. Проблемы конструирования мощных запираемых тиристоров.-" ЭП", Преобразовательная техника, 1979,№ 9(116), 20−23. (в соавторстве с Гре-ховым И.В. и Линийчуком И.А.).

12. О физических процессах в рпрп-структурах при комбинированном выключении.-" Радиотехника и электроника", 1978, т.23,1692−1698. (в соавторстве с Греховым И. В., Линийчуком И. А., Паламарчуком А. И. и Шендереем С.В.).

13. Комбинированно-выключаемый тиристор (КВТ).-" ЭП", Преобразовательная техника, 1979,№ 7(114), 6−8.(в соавторстве с Греховым И. В., Линийчуком И. А., Паламарчуком А. И. и Шендереем С.В.).

14. Работа комбинированно-выключаемых тиристоров в сверхтоковых импульсных режимах.-" Журнал технической физики", 1979,№ 11,2394−2396. (в соавторстве с Греховым И. В., Родичевым И. И. и Шендереем С.В.).

15. Динамика электрического поля в базовых слоях рпрп-структуры при выключении её током управления." Шизика и техника полупроводников.

1980,т.14,№ 11,2092;2095.(в соавторстве с Греховым И. В., Шендереем C. R).

16. Влияние шунтирования емкттерного перехода на время выключения рпрп-структур в комбинированном режиме.-" Электронная техника" ,.

1981,сер.4,вып.1(84), 30−32. (в соавторстве с Линийчуком И. А., Паламарчуком А. И. и Шендереем С.В.).

17. Авторское свидетельство № 934 558.-Опубликовано в бюллетене изобретений № 21 за 1982 г. (в соавторстве с Гейфманом Е. М., Греховым И. В. и Куракиной Д.И.).

В заключение считаю своим приятным долгом выразить большую благодарность научному руководителю работы профессору д. ф-м.н. И.В.Гре-хову за постоянное внимание к работе, старшему научному сотруднику к.т.н.И. А. Линийчуку за ценные советы и замечания, старшему инженеру Д. И. Куракиной за изготовление образцов рпрп-структур, а также коллективу лаборатории мощных полупроводниковых приборов ®-Т1 им. А. Ф. Иоффе АН СССР за полезные дискуссии.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Kieiri MeivLn «J. fou/i- {tfimlnobC рпрп swdcJiin^deviceIRE Tzms. ED-/>/>2/4−2/7 bcio-f&i SJ60.
  2. R. H. Va>n h c^Aten ало/ Л frfavon „Base offpnpn switches „. ZRE Weseon Cons. /?ec. /360, ^ p. VSr-52. 3# f/m/lebi F* S-fazm „Тооъл-off Дб^ьслл солzecfafievz F&xtzo-Tec/moSoffl.dctogeb /363,61−67.
  3. Longo, /ilti&Lj DezeKj ЕкпСал „Рбсшал epd&-xcOt£рпрп fwoto/) uLlh iwin- off gain
  4. E Wesoan Conv. Rec. /362, Pt 3J p. /-6.
  5. Ф., Гутцвиллер Ф., ГолоньякН., Э. фон Застров „Управляемые полупроводниковые вентили“ Москва, Мир, 1967 г. 455с.
  6. Грефхэм „Запираемый переключатель повышает скорость коммутации постоянного тока“. „Электроника“, 1964, 37, 12, 29−37.
  7. В.А., Кизема И. Г., Голубничая В. В. Коэффициент усиления при запирании управляемой рпрп-структуры."Полупроводниковая тех-, ника и микроэлектроника“, 1972, вып.7,ПО-113 (изд.Наукова думка).
  8. В.А. Тиристоры малой и средней мощности. Москва, „Советское радио“, 1971, 183 с.
  9. И.В. Физические процессы в мощных кремниевых приборах с рп переходами. Докторская диссертация. Ленинград, 1972 г. ФТИ
  10. П.А. Распределение потенциалов и носителей заряда в открытом рпрп приборе. ТИИЭР, 1967, 55, 8, 1369.
  11. А.И., Родов В. И.Экспериментальное исследование вольтамперных характеристик тиристоров с повышенными значениями прямого падения напряжения."Преобразовательная техника“, 1973, 8 (43), 10−11.
  12. .А., Малахов Э. С. Выключение тиристора по электроду управления. Сов. Радио „Полупроводниковые приборы и их применение“ 1968, вып. 20, 121−136.
  13. А.А., Уваров А. И., Челноков В. Е. Переходной процесс выключения рпрп структуры посредством тока управления. „Радиотехника и электроника“, 1968, 13, I, II5-I23.
  14. И.А., Паламарчук А. И. Влияние встроенных электрических полей на переходной процесс выключения рпрп структуры током управления. „Радиотехника и электроника, 1973, 18, 8, 1682−1687.
  15. И.А., Паламарчук А. И. Выключение рпрп структуры током управления р-базы при высоком уровне инжекции в п-базе. „Радиотехника и электроника“, 1973, 18, 4, 829−834.
  16. И.А. Исследование рпрп структур, выключаемых по управляющему электроду, и разработка приборов на их основе. Ленинград, 1969 г. ЛФГИ АНСССР.18. Jo (iey D."Gcbie iufin- off in рпрп de vices-
  17. Z EEE Tt&ngchitons on E€ectzon devices- fafy 1366., 1. EZ>~/3, У-Y, p- 590−5Э7.
  18. В. И. Неодномерные процессы в рпрп структурах. Кандидатская диссертация. Москва, 1968 г.
  19. A.M., Родов В. И., Самров Н. П. Шнурование тока в рпрп структуре в открытом состоянии при запирании по управляющему электроду."Физика и техника полупроводников“, 1971, 5, 1,199.
  20. А.А., Уваров А. И., Челноков В. Е. Установление стационарного состояния при включении рпрп-структуры. „Радиотехника и электроника“, 1967, 12, 4, 677−685.
  21. A.M., Гаршенин В.7, Родов В. И., Салфов Н. П. О процессе выключения рпрп структуры током управления."Электронная техника“, сер.2,полупроводниковые приборы, 1973, вып.6(78), 43−49.
  22. В.А., Кошеляев Г. В. Анализ и расчет переходных.процессов при запирании тиристоров по управляющему электроду. „Радиотехника“, 1971, 26, 12, 86−92.
  23. Р.Э., Кочегаров С. Ф., Линийчук И. А. Распределение тока по площади включенной рпрп структуры. „Силовая полупроводниковая техника“, 1969, 17−18.
  24. A.M., Дурханов Ш. Д., Гаршенин В. В., Родов В. И. О неодномерности запирания рпрп структуры. „Физика и техника полупроводников“, 1969, 3, 5, 633−635.
  25. A.M., Бурханов Ш. Д. К вопросу о надежной работе рпрп структур и эффективности их выключения по базе."Электронная техника“, 1970, сер.2,/полупроводниковые приборы/, 3, 73−75.
  26. Sото? Т. Патент США, 307 88,5 № 3 261 985, 1966 г.
  27. Н.М., Мостовлянский Н. С. Исследование физических процессов в мощных транзисторах, определяющих их надежность в импульсных режимах. Сб."Полупроводниковые приборы и их применение» под ред Я. А. Федотова, 1963, вып.10, 131−165.
  28. X., Танигути К. Эквивалент управляемого тиристора."Дэнси цусин гаккай райбунси", Х974, 57,¦ 1,17−19,русск.пер.№ Ц-37 949.
  29. В.А., Колосов Й. Н., Щедрин М. Б. Эффективный способ построения импульсных схем с использованием запираемых тиристоров. Сб."Вопросы физики и применения тиристоров", МЛТИ, 1967, № 16, 271−286.
  30. В.А., Морозов А. А. Исследование характеристик тиристор-ного ключа на запираемых тиристорах с катодной нагрузкой. Известия ВУЗ-овСССР-Радиоэлектроника, 1971, 14, 3, 280−285.
  31. В.А., Морозов А. А. Исследование динамических характеристик ключа с катодной нагрузкой на запираемом тиристоре. Известия ВУЗ-ов СССР- Радиоэлектроника, 1972, 15, 5, 576−579.
  32. TS. " Reretse items tent in рпрп tг codes".
  33. EE ViasutacfanS on Efiscfoo/? fufy /96?j />/>• ЮО ^ •
  34. Rcwfe2ecAi PS. «The c/eve&pwent of л g&ie аяж/еа/icczn- off /Аугс$/ог /ог in kt$Aapp&ctifans». Jht.f.of f&chovxx, 36, J, pp. 393- №.
  35. В.А., Кошеляев Г. В., Тулункин Г. П. Исследование падения напряжения на транзисторах и тиристорах в открытом состоянии. «Вопросы физики и применения тиристоров», сборник работ МЛТИ, 1967, вып.16, 138−152.
  36. И.А., Ткаченко А. Ю., Т^чкевич В.М., Челноков В. Е. Экспериментальные исследования процесса выключения рпрп структуры по управляющему электроду. «Силовые полупроводниковые приборы», 1969, 38−50.
  37. H&zSeziF.S/olm"Inizoc/uctfan to Turn-О// ?i-fifeon-Conlto&ed Pectifiezs!".
  38. EE TiaJis. commurt.-efectz., fafy /363, CE-6 PP- 375−323.
  39. N. H. " TU AcfA сиггелб &>т?б/ /сг.semocono/uctoi fvnc? cor> afiviceg." Piocezc/tn#s о/ //>e X/?E, /957, v. pp. 262−372,
  40. Her?ei A. «The fozwO’tcl cAaztLciezisfcc of gcftco/? tecfa/cezj ad /bfy/7 CL/zze/it densities''. So€ic/-Si!a.te ??ectzonicxj /36 $, /?. ?f?Jf?2.
  41. И.В., Отблеск A.E. Учет электронно-дырочного рассеяния и падения эффективности эмиттера с ростом плотности тока при расчете прямой ветви вольтамперной характеристики р пир структур."Радиотехника и электроника», 1974,19,9, 1483−1489.
  42. И.В., Отблеск А. Е. Определение электрофизических параметров сильнолегированной области диода по длительности фазы высокой обратной проводимости. 4 «Радиотехника и электроника», 1974, 19, 9, I9I0-I9I6.
  43. И.А., Паламарчук А.Иг Исследование выключаемых током управления рпрп структур с переменной концентрацией примеси в широкой базе."Радитехника и электроника", 1975,20,9,1993−1995.
  44. Дж., Таненбаум М., Голдей Дж., Холоньяк Н. Транзисторные переключатели рпрп типа. Сб. переводных статей"Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением" под ред.С. А. Гаряинова Госэнергоиздат, 1962, 5−23.
  45. В.А. Вольтамперная характеристика полупроводниковых приборов со структурой рпрп во включенном состоянии. «Радиотехника и электроника», 1963, 8, I, 171−177.
  46. Р.Е. К вопросу о температурных изменениях параметров приборов обладающих структурой рпрп типа. «Радиотехника и электроника», 1963, 8, 9, I6I5-I6I8.
  47. Ю.С. Физическая теория кремниевых рпрп структур в режиме отсечки."Радиотехника и электроника", 1965,10,12,2205−2208.
  48. В.Я., Родов В. И., Хайкин Б. Л. Вольтамперная характеристика открытой рпрп структуры при повышенных остаточных напряжениях. «Радиотехника и электроника», 1973, 18, 7, 1468−1474.
  49. В.И., Хайкин Б. Л. О расчете вольтамперной характеристики ненасыщенной рпрп структуры. «Радиотехника и электроника», 1974, 19, б, 1325−1326.
  50. R. V&h 6 v&ts footer), f/.ЯеМм, Mettens'
  51. Тгсипхрог/ epfosteons cn />ea.vy ^еуэее/ Silicon.
  52. EE Tia"?Qjctio/>s E&c&o* Peaces'- /3/3,20, />.230−221
  53. И.А., Паламарчук А. И. Влияние слоя с переменной концентрацией примеси в широкой базе на коэффициент выключения запираемых рпрп структур. «Радиотехника и электроника», 1976, 21, 7, 1558−1560.
  54. В.А., Короневский И. М. Выходные вольтамперные характеристики и коэффициент запирания рпрп структуры. Труды МЭИ, Радиоэлектроника, 1972, 108, 93−96.
  55. Get?oucJ W. UfltviSuchungen о/ел
  56. Еinxoh&-ltvozj&-ng о/е$ L ecsf лgxl/iу г с s {о гх. ТеЩипкеп- Zeiiung, /366, /V- 3/у, в с/39, 301−314
  57. Бонч-Бруевич A.M. Радиоэлектроника в экспериментальной физике. Изд-во «Наука», 1966 г.
  58. И.М., Шретер Ю. Г. Синхронное детектирование наносекунд-ных импульсных сигналов с малой частотой повторения. «Приборы и техника эксперимента», 1971, 5, 122−124.
  59. Kl&usse X Messung clit L aolun^tza^et KonzenivLtLortvet/etPc/ny im Miiiefyeiiei eines fylezte* Si? izwr"-f>?n- GHeicJitMeia Sec
  60. Beiasbjng LnDuzMossziMunf. Sot Si ЕРесЬми:!, /Щ tfJW-m.
  61. Ю.Р. Физические основы работы плупроводникового диода в импульсном режиме. Изд-во"Наука", Москва, 1968, 263 с.
  62. Hoffman Я стс/ Schuster К. 'fffn exfteZi/nenfa-t cfetez/vina, ico/? of Me c&bzieA fofetim-a in p-L-n otioelet fiom Me stotec/ смъсеъ сАалее!' So&c/- Mate JF&ctzonLcx. /ЗёУ, 7/7−72V.
  63. Г. М., Никитинская Т. И., Родный П. А., Якерсон J1.C. Исследование процесса включения рпрп структур методом оптического зондирования. «Известия ВУЗ-ов СССР-Радиоэлектроника», 1974, 17, 10, 50−53.
  64. Э.Ф., Грехов И. В., Крюкова Н. Н. Установка для измерения температуры поверхности по её инфракрасному излучению. «Приборы и техника эксперимента», 1970, 4, 209−210.
  65. М.Н. Приёмники инфракрасного излучения. Изд.-во «Наука», Москва, 1968.
  66. Г. Н. Теплообмен в радиоэлектронных устройствах. Госэнергоиздат, Москва, 1963.
  67. П.Д. Анализ ирасчет тепловых режимов полупроводниковых приборов. «Энергия», Москва, 1967, 143 с.
  68. В.А. Оценка перегрева кристалла запираемого тиристора. «Радиотехника», 1971, 26, 10, 80−81.
  69. Ш. Д., Баширов A.M., Гаршенин В. В., Горохов В. А., Родов В. И. Неодномерная модель тиристора при рассмотрении его работы в импульсном режиме. Сб. «Полупроводниковые приборы в технике электросвязи», Изд.-во «Связь», 1971, вып.7, 140−147.
  70. .А., Малахов Э. С. Переходные процессы при выключении тиристора по электроду управления. Сб. «Полупроводниковые приборы и их применение» под ред. Я. А. Федотова, изд.Сов.радио, 1968, вып20, 121.
  71. E.D., Уи R., SieLfiezwaZd, Mditeson Р. М. «Chiracof a ZOO Amp Gate turn-off ihyztsio** ТЕ EE Cor? ?ec. Tncfasity Лрр-iicaiions Society, /373, JVA J/лли. octotvi 8−11, 1973, 2. S1−2S7.
  72. Kolo YC., Bzewsi&iJA «Recent c/eve&p/nefii in g&te W?/ ?ee/ s’wi-lc/ies». ТЕ EE Powet efecfaonics speciafais confeience гессгс/, 1373, f>p- 90−96.
  73. B.A. Теоретическое и экспериментальное исследование стационарных физических процессов в рпрп структурах. Кандвдатская диссертация. Москва 1975 г. МЭИ.
  74. JzumcL M. j TccKcfj&mi Huzaia Л?
  75. So О V, 600A y&ie item-off -ityttsiotCGTo). Tnieznaiion E&ctwbev. Meeting W&rhtnjion, ?) есет-бел 3-S, iS? S pp 24G-2−43- * ' ?
  76. Окьтига- M. t NdjeuioT, Ogawa T «Г/?е cutzerJt! sfa/us of {he powet fdie -бит-oft swuich{GrTo)». IEEE/lAS Tnie/m. semitone/.powe*. cenv. cenfet. Ffoitc/a., 1377, pf. 39−49.
  77. YoshUetu Shimizu, MaS&yofJit A/0.U0, Moiomi O^or/nuzeL, Yoshio 7etei$awcL. «Л/итегбсаТ! asjafyfi? 0/ -/cctn-off c/)clteic/ezis{lcs fot cl ga/e /uin-off Myiarfdi ь/m cl anode tmilfoiXEEE Hans, on E&cfo. 7>et/y 1321, ED-28,9} 10НЗ-1Ш
  78. Вluneiio Rf &bdquo-Сг&-{e -£иъп- off unique
  79. П.Г., Думаневич A.H. Эффективность технологической щунтировки эмиттерного п+р перехода в тиристорах. «Радиотехника и электроника», 1973, 18, 4, 844−850.
  80. Kishi К, Keloid М., Tmai К., S’uti /V.
  81. Ни/h роыег iutn-of$ ihytczlots G-TO's1 and ОГО VVVF Inveziet TEEE Powet E? ectzo/?ccs specicL&st conference, Меы- Уогк, If??, М-7, v2,268−2M.77. «GTO Tkyuslob wM Wo г 6c/'s gfyfes-l /?сь/ес/
  82. Cuizent Developed fy ToskiSaJ'. TEE/ Pecemfa, /fj/, 22.
  83. О has hi H., flzumcL Mv UIgljclwcl Tl-li^k vo? i
  84. Huzafa /% Jzuma.M.j Ohaski //., Сдать К., h/cLK&gawcL /?¦- tfrt/iC K-jfa a te Turn -off TAyzis 2S Sem Ceo hefac to г c/evicejfo% /обк/гт. co/itfotcorifif «//ek/ уагк PP- 9/-/2/.
  85. Siein
  86. We iuv>-off ЩгхЬк Г IEEE/IAS Jnnu. Meet, pap /0-ttAnw. Meet РуаУ РуекуМ&лй ///Г MY./Щ Y&5
  87. А.А., Уваров А. И. Постоянная времени рассасывания заряда в рпрп структуре при выключении её под действием обратного анодного напряжения. «Радиотехника и электроника», 1967, 12, 4, 686−692.
  88. О.Г., Одынь С. В. Двухоперационные тиристоры с комбинированной коммутацией в режиме больших анодных токов. «Электротехническая промышленность», сер./преобразовательная техника/, 1976, 7 (78), 3
  89. Р.Э., Булатов О. Г., Грехов И. В., Лабунцов В. А., Линийчук И. А., Одынь С. В., Паламарчук А. И., Шендерей С. В. Быстродействующий прибор ключевого типа- комбинированно-выключаемый тиристор. «Электричество», 1977, 10, 82−84.
  90. B.B. Исследование процесса восстановления рпрп структуре. «Радиотехника и электроника», 1972, Г7, 3, 587−591.
  91. А.И. Условие включения тиристора посредством кратковременных токов управления. Сб. «Шизика электронно-дырочных переходов и полупроводниковых приборов», Мзд-во «Наука», 1969,194−201.
  92. К.Д., Дерменжи П. Г. Зависимость времени выключения рпрп структур от их параметров и режимов измерения. «Радиотехника и электроника», 1973, 18, II, 2364−2373.
  93. И.В., Родичев И. И., Яковчук Н. С. Сверхтоковый импульсный режим предварительно включенных тиристоров.
  94. Журнал технической физики», 1977, 47, 12, 2590−2593.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!