Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Механизм насыщения поглощения в монокристаллах селенида цинка

Диссертация: Механизм насыщения поглощения в монокристаллах селенида цинка
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Рассчитано влияние рекомбинации через ловушки на насыщение поглощения в полупроводниках. Показано, что если насыщение поглощения сопровождается накоплением основных носителей на ловушках, формирующих доминирующий канал рекомбинации, зависимость k (S) отличается от известных в литературе зависимостей резким началом просветления и крутым изменением к. Резкое уменьшение коэффициента поглощения… Читать ещё >

Механизм насыщения поглощения в монокристаллах селенида цинка (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА I. НАСЫЩЕНИЕ ПОГЛОЩЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ (обзор литературы)
    • I. Теория насыщения поглощения света в полупроводниках .Ю
    • 2. Экспериментальные исследования эффекта просветления на частоте возбуждающего излучения
    • 3. Экспериментальные исследования деформации спектра поглощения при интенсивном возбуждении
    • 4. Устройства нелинейной оптики на основе просветляющихся сред
  • Краткие
  • выводы и постановка задачи
  • ГЛАВА II. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОСВЕТЛЕНИЯ НА
  • ЧАСТОТЕ ВОЗБУЖДАЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ
    • 5. Экспериментальная установка и методика измерений
    • 6. Эффект просветления в селениде цинка
    • 7. Фотолюминесценция селенида цинка при высоких уровнях возбулщения
    • 8. Температурная зависимость просветления в селениде цинка
    • 9. Насыщение поглощения в селено-кадмиевых стеклах
  • Краткие
  • выводы
  • ГЛАВА III. РАСЧЕТ ЗАВИСИМОСТИ ПОГЛОЩЕНИЯ ОТ ИНТЕНСИВНОСТИ ИЗЛУЧЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ С УЧЕТОМ РЕКОМБИНАЦИИ ЧЕРЕЗ ЛОВУШКИ
    • 10. Полупроводник с ловушками одного типа
    • II. Полупроводник с ловушками двух типов
    • 12. Температурная зависимость просветления в при месном полупроводнике
    • 13. Сопоставление теоретических и экспериментальных результатов
  • Краткие
  • выводы
  • ГЛАВА 1. У. ИССЛЕДОВАНИЕ НЕЛИНЕЙНОГО ПОГЛОЩЕНИЯ С ИСПОЛЬЗО -ВАНИЕМ ДВУХ СВЕТОВЫХ ПОТОКОВ — В03БУВДАЮЩЕГ0 И
  • ЗОНДИРУЮЩЕГО
    • 14. Деформация спектра поглощения селенида цинка под действием лазерного излучения
    • 15. Корреляция спектров возбуждения полосы просвет -ления и самоактивированной фотолюминесценции в селениде цинка
    • 16. Влияние лазерного излучения на спектр поглощения селено-кацмиевых стекол
    • 17. Управление несколькими световыми потоками различных частот
  • Краткие
  • выводы

Актуальность темы

Насыщение поглощения с ростом интенсивности света — фундаментальное свойство вещества. Впервые на возможность уменьшения коэффициента поглощения при высоких-уровнях возбуждения указал С. И. Вавилов в 1928 году, однако в течение нескольких десятилетий экспериментальное исследование этого явления сдерживалось отсутствием источников мощного излучения. Появление в I960 г. оптических квантовых генераторов стимулировало интенсивные исследования просветления в различных средах. Такие исследования, помимо чисто научной ценности, представляют также и практический интерес, так как, во-первых, просветляющиеся оптические фильтры широко используются для модуляции добротности резонаторов твердотельных лазеров, во-вторых, явление просветления необходимо учитывать при анализе процессов, протекающих в активных элементах квантовых генераторов.

В 1969;1972 гг. было теоретически показано, что резонатор, заполненный просветляющимся веществом, может работать как биста-бильный оптический элемент или оптический транзистор. Создание подобных устройств является важным шагом на пути к построению оптических систем обработки информации, аналогичных современным ЭВМ, но отличающихся от них более высоким быстродействием. Предсказание бистабильного режима для резонатора, заполненного насыщающимся поглотителем, стимулировало экспериментальные исследования в этом направлении, однако для большинства известных просветляющихся сред получение бистабильного режима оказалось невозможным из-за высокого остаточного поглощения. Отсутствие среди известных жидких и твердотельных просветляющихся материалов веществ, пригодных для создания оптических аналогов элементов ЭВМ, обуславливает актуальность дальнейших экспериментальных исследований в этом направлении. Очевидно, что для практических целей наибольший интерес представляет исследование просветления в полупроводниках, так как на их основе возможно создание твердотельных устройств оптической обработки информации.

Настоящая работа посвящена экспериментальному и теоретическому исследованию эффекта просветления в широкозонных полупроводни-П УТ ках типа, А В, просветляющихся в видимой области спектра. Объектом исследования выбраны монокристаллы специально не легированного селенида цинка и селено-кадмиевые стекла, окраска которых обусловлена монокристаллами смешанного соединения CoLSxS^ 1-х.

Научная новизна.

1. Установлено, что аномально крутая зависимость коэффициента поглощения /<- от плотности светового потока.

2. Обнаружена ступенчатая зависимость к, (S) в полупроводниках ..

3. Теоретически показано, что участие ловушек в процессе рекомбинации качественно изменяет зависимость /c (S) и может быть причиной наблюдаемых на опыте специфических зависимостей k (S) В полупро водниках..

4. Показано, что учет тепловых переходов в канале примесьближайшая зона позволяет объяснить резкое уменьшение параметра нелинейности с ростом температуры в примесных полупроводниках..

5. Установлена однородность уширения просветляющейся полосы поглощения в монокристаллах ZtlSo. и неоднородность — в селено-кадмиевых стеклах..

6. Впервые измерены спектры возбуждения полосы просветления в полупроводниках и показано, что эффект просветления и самоактивированная люминесценция в селениде цинка имеют общие каналы возбуждения..

7. Обнаружено, что оптическое возбуждение в канале акцептор-донор может быть более эффективным способом увеличения населенности донора, чем возбуждение в канале валентная зона — донор..

Практическая ценность,.

1. Ступенчатое уменьшение коэффициента поглощения с ростом плотности потока, обнаруженное в ZnSQ, и анализ причин, приводящих к немонотонной зависимости k (S) > указывают на возможность создания на основе полупроводников фототропных фильтров со ступенчатой зависимостью пропускания от интенсивности света. Такие фильтры могут использоваться для модуляции добротности лазеров, генерирующих серию моноимпульсов..

2. Обнаруженное в селениде цинка и стеклах КС уменьшение коэффициента поглощения более, чем в 10 раз, свидетельствует о перспективности исследованных материалов для создания оптических биста-бильных элементов..

3. Однородное уширение просветляющейся полосы поглощения в селениде цинка, значительная ширина спектрального провала («0,2 эВ) в селено-кадмиевых стеклах, а также обнаруженное в селениде цинка эффективное просветление в канале валентная зона — донор при возбуждении в канале акцептор — донор, позволяют использовать исследованные материалы в различных устройствах нелинейной оптики и квантовой электроники, в которых мощное излучение частоты со управляет интенсивностью нескольких световых потоков в частотами.

4. Проведенные впервые измерения спектров возбуждения полосы просветления (СВПП) в полупроводниках свидетельствуют о перспективности использования СВПП при анализе механизмов неравновесных оптических процессов..

Содержание работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, основных результатов и выводов и списка литературы..

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Экспериментально исследованы насыщение поглощения и самоактивированная фотолюминесценция специально не легированных монокристаллов селенида цинка при возбуждении излучением лазера с перестраиваемой частотой генерации и установлена схема оптических переходов для описания влияния интенсивного монохроматического излучения на спектр поглощения селенида цинка..

2. Установлено, что деформация края поглощения селенида цинка не зависит от длины волны возбузвдающего излучения, что свидетельствует об однородном характере уширения просветляющейся полосы поглощения. Независимость спектра просветления от длины волны возбуждающего излучения позволяет использовать селенид цинка для создания фототропных фильтров, управляющих несколькими световыми потоками различных частот..

3. Впервые измерены спектры возбуждения полосы просветления в полупроводниках и показано на примере селенида цинка, что исследование нелинейного поглощения с помощью двух световых потоков — возбуждающего и зондирующего — позволяет получать информацию о механизмах насыщения поглощения и фотолюминесценции. Установлено, что эффект просветления и самоактивированная люминесценция в селениде цинка имеют общие каналы возбуждения..

4. Впервые зарегистрирована ступенчатая зависимость коэффициента поглощения к от плотности светового потока 3 в полупроводниках. Обнаружено, что зависимость fces) в селениде цинка значительно круче, чем известные в литературе теоретические зависимости. Установлено, что резкое уменьшение к, сопровождается увеличением квантового выхода фотолюминесценции, что свидетельствует о смене механизма рекомбинации в процессе просветления..

5. Рассчитано влияние рекомбинации через ловушки на насыщение поглощения в полупроводниках. Показано, что если насыщение поглощения сопровождается накоплением основных носителей на ловушках, формирующих доминирующий канал рекомбинации, зависимость k (S) отличается от известных в литературе зависимостей резким началом просветления и крутым изменением к.. Резкое уменьшение коэффициента поглощения сопровождается увеличением квантового выхода фотолюминесценции. В полупроводнике с центрами рекомбинации двух типов смена доминирующего канала рекомбинации в процессе возбуждения приводит к ступенчатой зависимости kCS). Полученные результаты позволяют объяснить экспериментальные зависимости Us) в селениде цинка..

6. Рассчитано влияние температуры на насыщение примесного поглощения в полупроводниках. Установлено, что возрастание скорости тепловых переходов в канале примесь — ближайшая собственная зона приводит к смещению кривой к (8) в сторону больших значений S. Влияние температуры на зависимость kcs) тем сильнее, чем меньше концентрация примеси и энергетический интервал между примесью и ближайшей собственной зоной. Полученные результаты позволяют объяснить резкое уменьшение параметра нелинейности с ростом температуры, зарегистрированное экспериментально в примесных полупроводниках и показывают, что легирование может служить эффективным способом создания фототропных фильтров, работающих в широком интервале температур..

7. Обнаружено, что в селениде цинка поглощение света в канале акцептор — донор приводит к более эффективному увеличению населенности донора, чем поглощение в канале валентная зона — донор. Это, по-видимому, позволит создавать на основе селенида цинка нелинейные оптические устройства, в которых пропускание мощного светового потока управляется потоком меньшей интенсивности, в том числе оптические транзисторы..

8. Определены спектральные области просветления селено-кадмиевых стекол, окраска которых обусловлена микрокристаллами ColS x-Se Y-x • Установлено, что спектральная область просветления цветных стекол значительно шире, чем в известных просветляющихся полупроводниковых монокристаллах. В стеклах типа.

КС зарегистрировано увеличение оптического пропускания более чем 5 в 10 раз..

9. Обнаружено, что просветляющаяся полоса поглощения в селенокадмиевых стеклах имеет неоднородный характер уширения. Значительная ширина спектрального провала (~ 0,2 эВ) позволяет использовать стекла для создания фототропных фильтров, управляющих несколькими световыми потоками различных частот..

Автор благодарен руководителю работы члену-корреспонденту АН БССР доктору физ.-мат.наук профессору В. П. Грибковскому за предложенную тему, повседневное внимание к работе и поддержку, старшему научному сотруднику кандидату физ.-мат.наук Л. Г. Зимину за большую помощь при постановке экспериментов и обсуждении результатов работы, а также всем сотрудникам лаборатории оптики полупроводников Института физики АН БССР за интерес к работе и стимулирующие дискуссии..

Показать весь текст

Список литературы

  1. В.П. Нелинейные оптические явления и границы применимости классической теории гармонического осциллятора: Автореф. Дисс. канд. физ.-мат. наук. — Минск, 1.60. — 16 с.
  2. .И., Грибковский В. П. Введение в теорию люминесценции. Минск, Изд-во АН БССР, 1963. — 443 с.
  3. Методы расчета оптических квантовых генераторов. Под ред. Степанова Б. И., т.1. Минск, Наука и техника, 1966, 484 с.
  4. Н.Г., Крсжин О. Н. Преобразование мощного монохроматического излучения в электрический ток. ФТТ, 1963, т.5, № 8,с.2384 2386.
  5. Н.Г., Крахин О. Н. Оптическое возбуждение полупроводников. ЖЭТФ, 1964, т.46, вып.4, с. 1508 15Ю.
  6. О.Н. Коэффициент усиления и эффект насыщения в полупроводниках при однородном возбуждении. ШТТ, 1965, т.7, № 9,с.2612 2619.
  7. Ю.Л., Погорелова Э. В. О поляризации полупроводников с учетом насыщения (модель двух зон). ЖЭТФ, 1966, т.50, вып. З, с. 605 — 612.
  8. Ю.Л., Погорелова Э. В. К теории оптического возбуждения полупроводников. ЖЭТ§-, 1966, т.51, вып.6, с. 1722 -1733.
  9. В.П. О нарушении закона Бугера в полупроводниках. -ФТП, 1969, т. З, вып.6, с.944 944.
  10. В.П. Насыщение люминесценции, поглощения и усиления света в полупроводниках. В кн.: Квантовая электроникаи лазерная спектроскопия. Минск, Наука и техника, 1971, с. 212 — 284.
  11. В.П. Люминесценция, поглощение и стимулированное испускание света при интенсивном возбуждении: Автореф. Дисс.. докт. физ.-мат. наук. Минск, 1972, — 25 с.
  12. В.П. Эффекты насыщения в полупроводниках. ЖГО, 1977, т.27, вып.4, с. 619 — 633.
  13. В.П. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках. Минск: Наука и техника, 1975, 464 с.
  14. В.К., Грибковский В. П. Эффект насыщения в полупроводниковых усилителях света и фильтрах. Опт. и спектр., 1970, т.29, вып.5, с. 975 — 984.
  15. В.П., Яскевич Г. Н. Оже-рекомбинация в полупроводниках при интенсивном возбуждении. ЖГО, 1974, т.20, вып. З, с.406 411.
  16. Л.Г. Просветление широкозонных полупроводников: Автореф. Дисс.. канд. физ.-мат. наук. Минск, 1978, 17 с.
  17. В.М. Теория возбуждения экситонов и фононов сильным электромагнитным полем. ЖЭТФ, 1967, т.53, вып.6, с. 2070 — 2078.
  18. A.i., Тимофеев В. Б., Файн В. М., Ящин Э. Г. Насыщение поглощения в экситон-фононном спектре C(3Se. ЖЭТФ, 1970, т.58, вып.2, с.460 474.
  19. А.В., Тимофеев В. Б., Шайн В. М., Ящин Э. Г. Насыщение поглощения в экситон-фононном спектре CdSe . М., 1969 — 20 с. (Препринт/ШТТ АН СССР).
  20. В.Л., Ярощецкий И. Д., Яссиевич И. Н. Явление просветле -ния при внутризонных переходах в полупроводниках. ФТП, 1977, т. II, вып.1, с. 85 — 93.
  21. В.Н., Гореславский С. П., Елесин В. Ш. Электрические и магнитные свойства полупроводника в поле сильной электромагнитной волны. ЖЭТФ, 1959, т.57, вып.1, с. 207 — 217.
  22. В.Ф. Энергетический спектр электронов и дырок полу -проводника в поле сильной электромагнитной волны. зЯТ, 1969, т. IX, вып.9, с. 1820 — 1828.
  23. В.Ф. Неравновесные процессы в полупроводниках при взаимодействии электронов с монохроматическим электромагнит -ным полем: Автореф. Дисс.. докт. физ.-мат. наук. М., 1973. — 22 с.
  24. В.Ф. К теории поглощения сильного электромагнитного поля в полупроводниках. ЖЭТФ, 1975, т.69, вып.2, с.572−581.
  25. В.Ф., Ерко А. И., Ларкин А. И. Наблюдение провала в спектре спонтанного излучения и насыщение генерации одномодовых полупроводниковых лазеров. Письма в ШЭТФ, 1979, т.29, вып. II, с. 709 — 713.
  26. В.А., Ковалев А. А. Оптические квантовые генераторы с просветляющимися фильтрами. Минск: Наука и техника, 1975, 214 с.
  27. Eigrod W.W. Gain saturation and out pov/er of optical masers. J. Appl. Phys., 1963, v.14,По, p.2602 — 2609.
  28. В.П. Зависимость пропускания полупроводниковыхфильтров от интенсивности света. ЖШ, 1970, т.13, вып.5, с. 805 — 811.
  29. . Оптические процессы в полу проводниках. М.: Мир, 1973. — 456 с.
  30. В.П., Рутковский i.K., Зимин Л. Г. Расчет оптичес -кого пропускания нелинейных фильтров с учетом многократного отражения. ЖПС, 1979, т.31, вып.5, с. 803 — 805.
  31. Michel А.Е., Nathan M.I. Satyration of optical absorption in GaAs. Appl.Phys.Lett., I965, v.6, N6, p. 101 — 102.
  32. Л.М., Вавилов B.C., Галкин Г. И. Изменение оптических свойств и концентрация носителей заряда в Si и GaAs при интенсивна! фотовозбуждении рубиновым СКГ. Ш1, 1967, т.1, вып.9, с. 1351 — 1357.
  33. Conway E.Y. Light stimulated modulation in wide bandoptical absorption in CdS. Journ. of Appl. Phys., 1970, N 7, p.1689 — 1693.
  34. Kubota K. Optical absorption induced by a laser pulse in II VI semiconductors. — J.Phys.Soc.Jap., I97I, v. JO, 1. Ж1, p.167 179.
  35. Leheny R.F., Shah J. Absorption spectrum of optically pumped GaAs- band filling and hot electron effects. Sol. St. Electron., 1978, v.21, N1, p.167 — 169.
  36. Keilmann P. Infrared saturation spectroscopy in p-type Ge. IEEE J. Quant. Electron., 1976, v.12, N10, p.592 -594.
  37. Bishop P.J., Gibson A.P., Kimmit M.P. Absorption saturationin p-type Ge.- J.Phys.D, 1976, v.9,N7, р. Ы01 L10J.
  38. Бонч-Бруевич A.M., Разумова Т. К., F/банова Г. М. Экспериментальное исследование оптических свойств и механизма нелинейного поглощения стекла с селенидом кадмия. ФТТ, 1967, т.9, вып.8, с. 2265 — 2273.
  39. Shah J., Leheny P.P., Lin C. Dynamic Burstein shift in GaAs. Sol. St. Comm., 1976, v.18, N8, p.1035 — Ю37,.
  40. Nurmikko A.V., Saturation of optical absorption in InSb. -Opt. Comm., 1976, v.16, N6, p.365 368.
  41. Gibbs H.M., Gossard A.C., McCall S.L., Passner A., Wieg -mann W., Yenkatesan T.N.C. Saturation of free exiton reso -nance in GaAs. Sol.St.Comm., 1979, v.30, N5, p.271−275.
  42. Ю.А., Тимофеев В. Б., Штейнман Э. А. Рассеяние эксито -нов на дислокациях в кристаллах CdSe . ЖЭТ$, 1972, т.62, вып.1, с.273 279.
  43. E.B., Валсв П. М., Ярошецкий И. Д. Экспериментальное исследование явления просветления в условиях разогрева и охлаждения электронов светом при внутризонных переходах в по-← лупроводниках. Ш1, 1978, т. 12, вып.1, с. 239 — 243.
  44. Asb.kin A., Tell В., Dziedzic J.M. Laser induced refractive index inhomogeneties and absorption saturation effects in CdS. IEEE J. Quant. Electron., 1967, v.3,N10,p.400 — 406.
  45. JI.Г., Грибковский В. П. Изменение пропускания монокрис таллических пластин ZnTe под действием лазерного излучения. Ш, 1973, т.7, вып.7, с.1252 1254.
  46. Л.Г., Грибковский В. П., Самуйлова Н. К. Влияние термообработки на насыщение поглощения в ZnTe . ЖПС, 1975, т.23, вып.2, с. 336 — 337.
  47. Л.Г., Грибковский В. П., Самцйлова Н. К. Температурная зависимость нелинейного поглощения в ZnTe . ЖПС, 1976, т.25, вып.4, с. 723 — 725.
  48. С.И., Грибковский В. П., Цуркан А. Е., Зимин Л. Г., Верлан В. И. Эффект просветления кристаллов ZnTe:Li в зелёной области спектра при лазерном возбуждении. Квант, электрон., 1976, т. З, Ш, с. 2465 — 2467.
  49. Л.Г., Грибковский В. П., Радауцан С. И., Цуркан А. Е., Самуйлова Н. К., Верлан В. И. Насыщение поглощения в монокристал -лах ZnTe, легированных элементами 1 группы. ЖПС, 1978, т.28, вып.1, с. 157 — 159.
  50. В.П., Житарь В. Ф., Зимин Л. Г., Радауцан С. И., Рай -лян В.Я., Самуйлова Н. К. Насыщение поглощения в монокристаллах Znln2S4. ЖПС, 1979, т.30, вып.2, с. 353 -354.
  51. Н.Р., Лисица М. П., Мазниченко А. Ф., Булах Б. М. Насыще -ние оптического поглощения в C<3Se . Ш1, 1978, т.12, вып.5, с. 987 — 990.
  52. Н.Р., Мазниченко А. Ш., Булах Б. М. Влияние интенсивнюсти лазерного излучения на спектр краевого поглощения CdSe .т, 1980, т.14, вып.4, с.695 698.
  53. М.П., Кулиш Н. Р., Мазниченко А.§-. Влияние интенсивно -сти лазерного излучения на спектр краевого поглощения CdSeв поляризации Е II С. ФТП, 1980, т.14, вып.10, с. 2033 -2036.
  54. Л.С., Фарбштейн И. И. Наблюдение оптического просветления в Те . т, 1979, т.21, вып.6, с. 1882 — 1884.
  55. ЛисицаМ.П., Кулиш Н. Р., Геец В. И. Влияние излучения (КГ на свойства модулирующего добротность стекла КС-19. В кн.: Квантовая электроника. — Киев: Наукова думка, 1969.с.97 107.
  56. М.С., Камуз A.M. Исследование влияния интенсивного из -лучения рубинового лазера на оптические свойства кристалла
  57. CdS. У<�Ш, 1969, т.14, N8, с. 517 — 520.
  58. Nurmikko A.V., Pratt G.W. Past infrared optical shutter.-Appl. Phys. Lett., 1975, v.27, N2, p.83 84.
  59. Shah j., Leheny R.F., Lin C., Wiegmann W. Low temperature absorption spectrum in GaAs in the presence of optical pumping. Phys. Rev. B, 1977, v."16, N5, p.1577 — 1581.
  60. H.M., Горбань И. С., Губанов В. А., Лысенко В. Г. и др.
  61. Влияние сильного возбуждения на спектры экситонов в кристаллах fbl2. ШТ, 1978, т.20, вып.9, с. 2850 — 2853.
  62. Szoke A., Daneu V., Goldnar J., Kurnit N.A. Bistable opti -cal device and its applications. Appl. Phys. Lett., I969, v.15, N11, p.376 — 38О.
  63. McCall S.L. Instabilities in continuous wave light propa -gation in absorbing media. Phys. Rev. A, 1974, v.9, N4, p.1515 1523.
  64. В.Н. Нелинейные оптические резонаторы (возбуждаемые внешним излучением) (обзор). Квант, электрон., 1979, т. б, № 10, с. 2052 — 2075.
  65. Gibbs Н.М., McGall S.L., Venkatesan T.N.С. Optical bistable devices: the basic components of all-optical systems? -Opt. Eng., 1980, v.19, N4, p.463 468.
  66. Gibbs H.M., McCall S.L., Venkatesan T.N.C. Optical bistabili-ty. Opt. news, 1979, N6, p.6 — 12.
  67. Bonifacio R., Lugiato L.A., Gronchi M. Theory of optical bi -stability. In Laser Spectroscopy IV", Proc. @th Int. Conf., PRG, Springer — Verlag, 1979, Р-123 -132.
  68. McCall S.L., Gibbs H.M. Standing wave effects in optical bi -stability. Opt. Comm., 1980, v.33, N3, p.335 — 33 974. Bonifacio R., Lugiato L.A. Instabilities for a coherent driven absorber in a ring cavity. Lett. Nuovo Cim., 1978, v.21, N12, p.5Ю — 516.
  69. Schenzle A., Brand H. Dynamic behavior of optical bistabili -ty. Opt. Comm., 1979, v. J1, N3, p.401 — 405.
  70. Jain K., Pratt G.W. Optical transistor and bistability. -J. Opt. Soc. Amer., 1975, v.61, N6, p.699 699.
  71. Jain K., Pratt G.W. Optical transistor. Appl. Phys. Lett., 1976, v.28, N12, p.719 — 721.
  72. Spiller E. Saturable resonator for visible light." — J. Opt. Soc. Amer., 1975, v.61, N6, p.650 ?50.
  73. Spiller E. Saturable optical resonator. J. Appl. Phys., 1972, v.43, N4, p.1673 — 1681.
  74. Austin J.W., DeShazer P. Optical characteristic of a satura -ble absorber in a Pabry-Perot interferometer. J. Opt. Coc.
  75. Amer., 1971, v.61, N6, p.650 650.
  76. Gibbs H.M., McCall S.L., Vencatesan T.N.С. Differential op -tical gain and bistability using a soddium filled Fabry -Perot interferometer. Phys. Rev. Lett., 1976, v.36, N19, p.1135 — 1138.
  77. Murburger J.H., Felber F.S. Theory of a lossless nonlinear Fabry Perot interferometer. — Phys. Rev. A, 1978, v.17, N1, p.335 — 342.
  78. Vencatesan T.N.C., McCall S.L. Optical bistability and dif -ferential gain between 85 and 296 К in a Fabry Perot, containing ruby. — Appl. Phys. Lett., 197^, v.30, N6, p.282 -284.
  79. Ф.В., Синицын Г. В. Оптический бистабильный элемент для интегральной оптики на полупроводниковом нелинейном интерферометре. ШПС, 1978, т.39, № 5, с. 820 — 824.
  80. Gibbs H.M., McCall S.L., Gossard А.С., Passner A., Wiegmann W., VenZatesan T.N.C. Controlling light with light: optical bistability and optical modnlation. In: Laser Spectrosco -py IV, Proc. ®th Int. Conf., FRG, Springer — Verlag, 1979, p.441 — 446.
  81. Gibbs H.M., McCall S.L., Venkatesan T.N.C., Gossard A.C., Passner A., Wiegmann W. Optical bistability in semiconduc -tors. -Appl. Phys. Lett., 1979, v.35-, N6, p.451 454.
  82. Gibbs H.M., McCall S.L., Passner A., Gossard A.C., Wiegmann W. Vencatesan T.N.C. Progress Toward Practical optical bistable devices. IEEE J. Quant. Electron., 1979, v.15, N9, p. l08d -I09d.
  83. Miller D.A., Smith S.D., Jonston A. Optical bistability and signal amplification in semiconductor crystall- application of a new low-power non-liear effect in InSb. Appl. Phys.1.tt., 1979, v.35, N9, p.658 660.
  84. Miller D.A., Smith S.D. Two beam optical amplification and. bi-stability in InSb. Opt. Comm., 1979, v.31, N1, р. Ю1 — 103.
  85. Miller D.A.B., Smith S.D., Wherret B.S. The microscopic mechanism of third-order optical nonlinearity in InSb. Opt. Comm., 1980, v.35, N2, p.221 226.
  86. Miller D.A.B., Smith S.D., Seaton C.T. Optical bistability in semiconductors. IEEE J. Quant. Electron., 1981, v.17, N3, p.312 — 317.
  87. IEEE Journal of Quantum Electronics. Special issue on optical Instability. 1981, v.17, N3, p.300 — 384.93• Sohler W. Optical bistable device as electrooptical multivibra-- tor. -Appi. Phys .Lett., 1980, v.36, N7, p.351 353.
  88. Smith P.W. Hybrid bistable optical devices. Opt. Eng., I98O, v.19, N4,. p.456 — 462.
  89. .С. Падающая BAX и оптическая бистабильность резона -торного фотоэлемента при эффекте Франца Келдыша. — ФТП, 1961, т. 15, N№ 7, с.1380- 1385.
  90. Smith A.W., Turner Е.Н. A bistable Fabry-Perot resonator. -Appl. Phys. Lett., 1977, v.30, N6, p.280 281.
  91. Kompanets I.N., Parfenov A.V., Popov Yu.M. Bistable properties of spatial modulator with internal feedback. Opt. Comm., 1981, v.36, N5, p.4l5 416.
  92. Kompanets I.N., Parfenov A.V., Popov Yu. M. Multistability in optical transmittance of the spatial light modulator with in -ternal feedback. Opt. Comm., 1981, v.36, N5, p. 417 — 418.
  93. А.А., Компанец И. Н., Парфёнов А. В. Достижения в об -ласти разработки и применений оптически управляемых пространственных жидкокристаллических модуляторов света (обзор). -Квант, электрон., 1983, т.10, № 5, с.1079 1088.
  94. B.C., Кононов В. А., Корочкин JI.C., Михнов С. А. и др. Свойства пассивного затвора на центрах окраски кристалла LiF ЖПС, 1982, т.Зб, вып. З, с.494 496.
  95. В.Д., Калинцев А. Г., Крылов В. Н. О подавлении вынувден-ных параметрических процессов, ограничивающих эффективность удвоения частоты в кристаллах. Квант, электрон., 1976, т. З, № 10, с. 2139 — 2146.
  96. А.Н., Степанов Б. И. Оптические квантовые генераторы на растворах органических красителей. УШ, 1968, т.95, вып.1, с. 45 — 74.
  97. С.П., Марусий Т. Н., Соскин М. С. Перестраиваемые лазеры.-М.: Радио и связь, 1982. 359с.
  98. В.В. Активные среды СНГ на многоатомных молекулах. -Минск, 1977. 55 с. (Препринт Ш АН БССР № 135).
  99. . Зонная структура. В кн.: Физика и химия соединений кЩП9 м.: Мир, 1970, с. 13 — 64.
  100. Bhargava R.N., Seymour R.J., Fitzpatrick R.K., Herko S.P. Donor acceptor pair bands in ZnSe. — Phys. Rev. B, I979, v.20, N6, p.2407 2419.
  101. В.П., Запорожченко В. А., Иванов В. А., Качинский А. В. и др. Генерация света в монокристаллах ZnTe, ZnSe и
  102. С as ПРИ возбуждении пикосекундными имцульсами рубиновоголазера. -Квант, электрон., 1979, т.6, № 10, с.2229 2232.
  103. О.В., Журавлев JI.A., Коновалов А. Д., Кузнецов П. И. и др. Лазеры с электронным возбуждением на гетероэпитаксиальнем селениде цинка, подученном из элементоорганических соеди нений. Квант, электрон., 1983, т.10, W 5, с. 1007 — 1009.
  104. В.В. Техника оптической спектроскопии. М.: Изд-во МГУ, 1977. — 256 с.
  105. С.Г. Рекомбинация электронов и дырок при нали -чии ловушек разного типа. ЖТ§-, 1956, т.26, № 2, с. 241 — 250.
  106. В.Е., Любченко А. В., Шейнкман М. К. Неравновесные процессы в фотопроводниках. — Киев: Наукова думка, 1981, 262 с.
  107. Ю.Ю. Нелинейная фотопроводимость и связанные с ней неравновесные явления в полупроводниках при мощном лазерном возбуждении: Автореф. дисс.. докт. физ.-мат. наук. -Киев, 1978. 37 с.
  108. ИЗ. Фок М. В. Разделение сложных спектров на индивидуальные полосы при помощи обобщённого метода Аленцева. Труды Ш АН СССР, 1972, т.59, с. З — 24.
  109. М.К., Беленький Г. Л. Излучательная рекомбинация в неактивироанных кристаллах ZnSe . ФТП, 1968, т.2, вып. II, с. 1635 — 1638.
  110. Вавилов B.C., By Зоан Мьен, Иванова Г. Н., Недеогло Д. Д., Симашкевич А. В., Чукичев М. В. Локализация электронных состо -яний и катодолюминесценция связанных экситонных комплексовв кристаллах ZnSe. МТ, 1982, т.24, вып.12, с. 3670 -3674.
  111. В.И., Кубарев A.M. О нелинейных свойствах селено-кадмиевых стекол. ШС, 1967, т.7, вып.2, с. 349 — 352.
  112. Бонч-Бруевич A.M., Разумова Т. К., Рубанова Г. М. Исследование изменения спектра поглощения конденсированных систем под действием излучения большой мощности. В кн.: Нелинейная оп -тика, Новосибирск: Наука, 1968, с. 22 -28.
  113. C.B., Грибковский В. П., Зимин Л. Г., Никеенко Н. К. Нелинейное оптическое поглощение в CdS^Se^ х . В кн.: Всесоюзная конференция «Тройные полупроводники и их примене -ние»: Тезисы докл. — Кишинёв, 1983. — с.247.
  114. Э.М. Амплитудный размерный эффект в монодисперсной полупроводниковой системе. ФТП, 1983, т.17, вып.12,с.2190 2192.
  115. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С. Г., Физика полупроводников.-М.: Наука, 1977. 672 с.
  116. С.Г., Маев Р. Г., Пустовойт В. И. К теории темпе -турного гашения фотопроводимости. ФТП, 1971, т.5, вып. З, с. 522 — 530.
  117. И.М. Зонная структура полупроводников. М.: Наука, 1979. — 310 с.
  118. Е.А., Шейнкман М. К. Метод определения параметров рекомбинационных уровней в монополярных фотопроводниках. -ФТГ, 1963, т.5, вып.2, с.397 404.
  119. Nedeoglo D.D. Formation and properties of the impurityband in n-ZnSe. Phys.stat.sol.(b), 1977, v.80,N1,p.369.
  120. JI.Г., Никеенко Н. К., Гапоненко С. Б. Насыщение поглощения в монокристаллах ZnSe и селено -кадмиевых стек -лах. В сб.: Тезисы докладов Республиканской конференции молодых ученых по физике. — Минск, 1980, ч.П. — с. 150.
  121. В.В., Войцеховский А. В., Лисица М. П., Мозоль П. Е. и др. Фотопроводимость и эффект очувствления селенида цин -ка. В кн.: Квантовая Электроника, выпИ.: Киев, Hay -кова думка, 1982. — с.65 -69.
  122. А.В. Исследование процессов переноса заряда при фотолюминесценции монокристаллов сульфида и селенида цин -ка: Автореф. Дисс.. кацц. физ.-мат. наук.: Днепропетровск, 1979. 18 с.
  123. А.Л. Локализация электронов в неупорядоченных системах (переход Андерсона). УШ, 1978, т.126, вып.1, с. 41 — 65.
  124. Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1982, т.1. — 368 с.
  125. Вонч-Бруевич В. Л. Вопросы электронной теории неупорддочен -ных полупроводников. УШ, 1983, т. 140, вып.4, с. 583 — 639.
  126. С.В., Зимин Л. Г., Никеенко Н. К. Влияние реком -бинации через ловушки на насыщение поглощения в полупроводниках. В сб.: Тезисы докл. У Всесоюзного совещания «Физика и техническое применение полупроводников, А а. -Вильнюс, 1983. с. 18 -19.
  127. С.В., Грибковский В. П., Зимин Л. Г., Никеенко Н. К. Влияние рекомбинации через ловушки на насыщение поглощения в полупроводниках. ЖПС, 1984, т.40, вып.4, с. 614 — 618.
  128. Янкевич 3. Генерация серии лазерных импульсов методом по -степенного включения потерь резонатора. Квант, электрон., 1982, т.9, Р 7, с. 1331 — 1340.
  129. Н.Р., Лисица.М.П., Мазниченко А. Ф. Влияние электромагнитной волны на спектр поглощения c<3Se. ШП, 1981, т.15, вып.8, с. 1479 — 1485.
  130. С.В., Зимин Л. Г., Грибковский В. П., Никеенко Н. К. Спектры просветления селенида цинка. В сб.: Тезисы докладов У Всесоюзного совещания по не резонансному взаимодейст -вию света с веществом. — Ленинград, 1981, с. 394.
  131. С.В., Грибковский В. П., Зимин Л. Г., Никеенко Н. К. Деформация края поглощения селенида цинка под действием лазерного излучения. -Квант, электрон., 1982, т.9, № 3, с.610 611.
  132. С.В., Зимин Л. Г., Никеенко Н. К. Нелинейное поглощение в полупроводниковом соединении GdS^Se^ ^ . ЖПС, 1984, т. П, вып. 5, с.
  133. А.Ф. Исследование особенностей края поглощения CdSe при высоких уровнях возбуждения. Автореф. Дисс.. канд. физ.-мат. наук. — Киев, 1983, 19 с.
  134. JI.Я., Миронов И. А., Рыжкин Ю. С. Люминесценция и электропроводность селенида цинка. Изв. АН СССР, сер. физ., 1969, т. ЗЗ, с. 961 — 962.
  135. Л.Я., Миронов И. А., Рыжкин Ю. С. О фотолюминесценции селенида цинка. Опт. и спектр., 1969, т.27, вып.1,с.167 169.
  136. Jones G., Woods J. The luminescence of self-activated and copper doped ZnSe. J. Luminescence, 1974, v.9» N5, p.389 — 405.
  137. Yamaguchi M., Yamamoto A., Kondo M. Photoluminescence of ZnSe single crystalls diffused with a group III elements.-J. Appl. Phys., 1977, v.48, N12, p.5237 5244.
  138. Bouley J.C., Blanconier P., Hermann A., Ged Ph., Henoc P. Luminescence in highly conductive n-type ZnSe. J. Appl. Phys., 1977, v.48, N12, p.5122 — 5126.
  139. Grimmeiss H.G., Ovren C., Ludwig V., Mach E. Identifica -tion of depp centers in ZnSe. J. Appl. Phys., 1975, v.46, N8, p.3549 3 555 153. Dunstan D.J., Nicholls J.E., Cavenett B.C., Davies J.J.
  140. The origin of some emission bands in ZnSe using optically detected magnetic resonance. Semiconductors and Insulators, 1978, v.4, N½, p.119 1J0.
  141. Dunstan D.J., Nicholls J.E., Cavenett B.C., Davies J.J.
  142. The zinc vacancy assosiated defects and donor — acceptor recombination in ZnSe^J.Phys.C, 1980, v.13,N12,p.64o9.
  143. С.С., Танатар М. А., Шейнкман М. К. Симметрия ани -зотропных центров самоактивированного свечения монокристаллов ZnSe . § TT, 1981, т. ЗЗ, вып.4, с. 1224 — 1226.
  144. С.С., Танатар М. А., Шейнкман М. К. Симметрия анизотропных центров самоактивированного свечения монокристаллов ZnSe . УМ, 1981, т.26, вып.9, с. 1522 — 1527.
  145. Wojtovich A.J., Lozykowski P.I. Unknown excited states of self-activated center in ZnSe. Phys. stat. sol. (Ъ), 1982, N2, p. К103 — K106.
  146. Yamagychi M., Shigematsu T. Behavior of copper in zinc se-lenide. Jap. J. Appl. Phys., 1978, v.17,N2,p.333 — 340.
  147. С.В., Зимин Л. Г., Никеенко Н. К. Насыщение поглощения в селениде цинка. ЖПС, 1984, т.40, вып.2, с. 267 -270.
  148. М.К., Корсунская Н. Е., Маркевич И. В., Торчинская Т. В. Механизмы излучательных и безызлучательных переходов в соединениях аЧз^ и природа центров свечения. Изв. АН СССР, сер. физ., 1976, т.40, № II, с. 2290 — 2297.
  149. В.В., Сальков Е. А., Хвостов В. А., Шейнкман М. К. Оже -механизм взаимодействия центров люминесценции с ДА-парами в сульфиде кадмия. ШТП, 1976, т.10, № 12, с. 2288 — 2293.
  150. ПляцкоГ.В., Котлярчук Б. К. Экспериментальное исследование нелинейного поглощения фильтров KC-I5 KC-I9. — УФЖ, 1972, т.17, вып.1, с. 84 — 91.
  151. Gibbs Н.М., Venkatesan T.N.С., McCall S.L., Passner A., Gossard A.C., Wiegmann W. Optical modulation by optical tuning of a cavity. Appl. Phys. Lett., 1979, v.34, N8, p.511 — 514.
  152. С.М., Никонов Ю. П., Нейч А. И. Исследование природы окрашивающих центров в силикатных стеклах с добавками-Se, Cct-S, CcLC03 .- ФХС, 1977, т. З, № 2, с.172−176.
  153. С.М., Галимов Д. Г., Никонов Ю. П., Нейч Д. И., Семина Л. С. Окрашивающие центры в силикатных стеклах, содержащих добавки соединений «S > «Se, OoL .- ФХС, 1980, т.6, № 3, с.326−331.
  154. С.В., Грибковский В. П., Зимин Л. Г., Никеенко Н. К. Корреляция спектров возбуждения полосы просветления и люминесценции Zn.Se. ДАН БССР, 1984, т.28, № 4, с.318−320.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!