Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Механизм роста пленок и структура межфазных границ в металлической системе с большим размерным несоответствием

Диссертация: Механизм роста пленок и структура межфазных границ в металлической системе с большим размерным несоответствием
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

При росте пленки Ni на сингулярных поверхностях (001) и (110)Pd, а также на перестроенной поверхности (110) (с пропущенным рядом) образуются гетероструктуры: Pd — однослойная эпитаксиально-стабилизированная твердорастворная фаза — пленка твердого раствора, плавно переходящая в пленку Ni. Формирование такой гетероструктуры обеспечивает двухступенчатую упругую компенсацию несоответствия критической… Читать ещё >

Механизм роста пленок и структура межфазных границ в металлической системе с большим размерным несоответствием (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ
  • ГЛАВА 1. ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДА МОЛЕКУЛЯРНОЙ ДИНАМИКИ В ИССЛЕДОВАНИЯХ РОСТА ПЛЕНОК
    • 1. 1. ИЗУЧЕНИЕ МЕХАНИЗМОВ РОСТА МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК
    • 1. 2. ПРИМЕНЕНИЕ ПОТЕНЦИАЛА ТЕРСОФФА ДЛЯ ИЗУЧЕНИЯ ПРОЦЕССОВ РОСТА ПЛЕНОК
    • 1. 3. МОДИФИКАЦИЯ СУЩЕСТВУЮЩИХ МОДЕЛЕЙ И
  • КОМБИНИРОВАНИЕ С ДРУГИМИ МЕТОДАМИ
    • 1. 4. ИЗУЧЕНИЕ ДИФФУЗИОННЫХ ПРОЦЕССОВ
    • 1. 5. КЛАСТЕРНОЕ ОСАЖДЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ РОСТА КЛАСТЕРОВ
    • 1. 6. ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ЗАДАЧИ В ПРОБЛЕМЕ ОРИЕНТИРОВАННОЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР
  • ГЛАВА 2. МЕТОДИКА КОМПЬЮТЕРНОГО ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. МЕЖАТОМНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ.&bdquo
    • 2. 2. РАСЧЕТНЫЕ СХЕМЫ
      • 2. 2. 1. Алгоритм метода молекулярной динамики
      • 2. 2. 2. Алгоритм метода статической релаксации
    • 2. 3. МЕТОД ПОГРУЖЕННОГО АТОМА
    • 2. 4. РАСЧЕТ ОСНОВНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК МОДЕЛЕЙ
      • 2. 4. 1. Измерение термодинамических величин
      • 2. 4. 2. Структурные функции
    • 2. 5. ПЕРИОДИЧЕСКИЕ ГРАНИЧНЫЕ УСЛОВИЯ
    • 2. 6. СОЗДАНИЕ МОДЕЛЕЙ ИСПОЛЬЗУЕМЫХ СИСТЕМ
  • ГЛАВА 3. ФОРМИРОВАНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ (OOl)Pd-Ni-Pd ПРИ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ АМОРФНЫХ ПЛЕНОК Ni И Pd
    • 3. 1. ОРИЕНТИРОВАННАЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ
  • ПЛЕНКИ Ni НА (001)Pd
    • 3. 2. ОРИЕНТИРОВАННАЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ ПЛЕНКИ Pd НА ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ Ni/Pd
  • ГЛАВА 4. ОРИЕНТАЦИОННАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНОГО РОСТА ПЛЕНОК N1 НА ПОВЕРХНОСТЯХ (001), (110) И (111) МОНОКРИСТАЛЛА Pd
    • 4. 1. ГЕТЕРОСИСТЕМА (OOl)Pd-N
    • 4. 2. ГЕТЕРОСИСТЕМА (110)Pd-N
    • 4. 3. ГЕТЕРОСИСТЕМА (11 l) Pd-N
    • 4. 4. РОСТ ПЛЕНКИ Ni НА (110) Pd СО СТРУКТУРОЙ ПОВЕРХНОСТИ (2×1)
  • ГЛАВА 5. РЕЛАКСИРОВАННАЯ АТОМНАЯ СТРУКТУРА МЕЖФАЗНОЙ ГРАНИЦЫ В ГЕТЕРОСИСТЕМЕ ПОЛУСФЕРИЧЕСКАЯ НАНОЧАСТИЦА — КРИСТАЛЛ
  • ГЛАВА 6. СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ СТРУКТУРЫ МЕЖФАЗНЫХ ГРАНИЦ И ГРАНИЦ ЗЕРЕН
    • 6. 1. ОРИЕНТАЦИЯ (001)
    • 6. 2. ОРИЕНТАЦИЯ (110)

Актуальность темы

диссертации обусловлена следующим.

Во-первых, в последние годы активно ведутся работы по созданию короткопериодных многослойных гетероструктур как уникальных материалов, в которых могут реализоваться размерные эффекты многих физических свойств. Поэтому установление атомного механизма формирования пленок нанометровой толщины, закономерностей сопряжения на межфазной границе и ее атомной структуры становится актуальной задачей. Более того, как показывают результаты последних исследований, вклад межфазной границы в свойства гетеросистемы с уменьшением толщины ее слоев становится определяющим.

Во-вторых, несмотря на экстенсивные экспериментальные исследования с использованием высокоразрешающих методов структурного анализа, в них в большинстве случаев фиксируется конечный результат релаксационных процессов атомных перестроек. Поэтому целесообразно применение методов молекулярной динамики, которые, имея известные ограничения, все же позволяют «визуализировать» все стадии процессов кристаллизации, формирования субструктуры и релаксированной атомной структуры межфазных границ при формировании гетероструктур.

Работа выполнена в рамках г/б НИР Региональной научно-исследовательской лаборатории электронной микроскопии и электронографии ВГТУ «Закономерности и механизм морфологической, ориентационной и субструктурной эволюции дискретных и компактных наноструктур», № ГР 0120.0 502 425 и Федеральной программы «Поддержка ведущих научных школ», проект № НШ-7098.2006.3.

Цель работы. Исследование закономерностей формирования эпитаксиальных пленочных гетероструктур и релаксированной атомной структуры межфазных границ в системе Pd-Ni. Для этого решали следующие задачи:

1. Исследование размерной зависимости структуры и характера сопряжения на МГ при кристаллизации аморфной пленки Ni на поверхности (001) Pd;

2. Исследование эффекта третьей пленки при формировании трехслойной гетероструктуры (001) Pd-Ni-Pd;

3. Исследование ориентационной зависимости характера роста пленок в системе Pd-Ni;

4. Исследование релаксированной атомной структуры МГ с учетом размерного и ориентационного несоответствия в гетеросистеме монокристалл-наночастица;

5. Сравнительный анализ структуры межфазных и межзеренных границ.

Научная новизна. Показано, что в процессе формирования гетероструктуры (OOl)Pd-Ni-Pd возможна кристаллизация пленки Pd в параллельной ориентации с сохранением псевдоморфной структуры до толщины пленки Ni в 10 атомных слоев. Показана зависимость морфологии фронта роста и распределения концентрации атомов подложки в растущей пленке от ориентации гетероструктуры. Установлено, что при формировании релаксированной атомной структуры большеугловых межфазных границ кручения атомные перестройки затрагивают только фазу с большим параметром решетки.

Основные положения, выносимые на защиту: 1. Показано, что независимо от толщины пленки компенсация несоответствия в системе (OOl)Pd-Ni происходит посредством упругой деформации и дефектами упаковки (расщепленными дислокациями), при этом подтверждена зависимость остаточной упругой деформации от толщины пленки Ni;

2. Эффект толщины промежуточной эпитаксиальной пленки (Ni) в трехслойной гетеросистеме (OOl)Pd-Ni-Pd проявляется в сохранении параллельной ориентации верхней пленки Pd и ее бездефектной субструктуры до толщины в 10 атомных слоев;

3. Ориентационная зависимость роста пленки Ni на Pd проявляется в морфологии фронта роста, в характере распределения атомов подложки в растущей пленке, в характере сопряжения на МГ: переход от роста по Франку и Ван дер Мерве для ориентации (001) к росту по Фольмеру и Веберу для ориентации (111), от изотропной упругой деформации для (001) к анизотропной для (110) и бездеформационному сопряжению на (111). •.

4. В отличие от границ зерен релаксированная атомная структура МГ асимметрична относительно плоскости границыв эпитаксиальных МГ асимметрия проявляется в субструктуре пленки, в большеугловых МГ кручения — в релаксационных перестройках, затрагивающих только решетку с большим параметром.

Практическая значимость работы. Результаты работы могут быть использованы для прогноза субструктуры, состав и морфологии тонкопленочных гетероструктур, многослойных пленочных композитов, а также поведения наночастиц на поверхности монокристаллов.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы были представлены на следующих симпозиумах, конференциях и семинарах: III Международной научной конференции «Кинетика и механизм кристаллизации» (Иваново, 2004) — Международной школе-семинаре «Современные проблемы механики и прикладной математики» (Воронеж, 2004) — V Международной конференции «Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении» (Воронеж, 2004) — Международной школе-семинаре «Современные проблемы механики и прикладной математики» (Воронеж, 2005) — Международном симпозиуме.

Фракталы и прикладная синергетика" (Москва, 2005) — V-й школе-семинаре «Актуальные проблемы современной неорганической химии и материаловедения» (Москва, 2005).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 8 научных работ, в том числе 3 — в изданиях, рекомендованных ВАК РФ. В работах, опубликованных в соавторстве, лично соискателю принадлежат результаты молекулярно-динамического моделирования роста пленок и формирования пленочной гетероструктуры Pd/Ni/Pd.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, шести глав, выводов и списка литературы из 128 наименований. Работа изложена на 96 страницах и содержит 33 рисунка.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

Показано, что независимо от толщины пленки компенсация несоответствия в системе (OOl)Pd-Ni происходит посредством упругой деформации и дефектами упаковки (расщепленными дислокациями). Подтверждено, что остаточная упругая деформация уменьшается с увеличением толщины пленки Ni;

Эффект толщины промежуточной эпитаксиальной пленки (Ni) в трехслойной гетеросистеме (OOl)Pd-Ni-Pd проявляется в сохранении параллельной ориентации верхней пленки Pd и ее бездефектной субструктуры до толщины в 10 атомных слоев;

При росте пленки Ni на сингулярных поверхностях (001) и (110)Pd, а также на перестроенной поверхности (110) (с пропущенным рядом) образуются гетероструктуры: Pd — однослойная эпитаксиально-стабилизированная твердорастворная фаза — пленка твердого раствора, плавно переходящая в пленку Ni. Формирование такой гетероструктуры обеспечивает двухступенчатую упругую компенсацию несоответствия критической величины на начальных стадиях роста пленкис увеличением ее средней толщины происходит релаксация упругой деформации: в гетеросистеме (OOl)Pd-Ni — посредством дислокаций несоответствия, в гетеросистеме (llO)Pd-Ni в направлении [110] -посредством дислокаций несоответствия и точечных дефектов, в направлении [001] - посредством частичных дислокаций, при этом сохраняется анизотропия деформации пленки. Поверхность фронта роста пленки на поверхности (110) более развита;

При росте пленки Ni на сингулярной поверхности (lll)Pd не происходит перемешивание компонентов, уже на начальных стадиях роста недеформированные островки-кластеры, т. е. сопряжение на межфазной границе некогерентное. Рост в гетеросистеме (lll)Pd-Ni может быть отнесен к механизму Фольмера и Вебера;

5. Релаксированная атомная структура МГ в гетеросистеме полусферическая наночастица — кристалл и дислокационная субструктура МГ формируются в течение первых ЗхЮ" 11 с МД-отжига;

6. Релаксированная атомная структура МГ в исследуемом интервале разориентаций (до 30°) образуется сочетанием двух малоатомных структурных элементов. Установлена размерная зависимость в поведении наночастиц, проявляющаяся в переориентации частиц меньшего размера исходных ориентаций в окрестностях специальных ориентаций к ориентациям совпадения (Si/S2=l/1, 0=0°- ?2/X!i=10/9, 0=18,1°- E2/Si=5/4, 0=26,6°) с образованием релаксированной атомной структуры соответственно эпитаксиальной и специальных МГ. Поворот островков подтверждает существование локальных минимумов энергии МГ;

7. Установлено, что релаксационные перестройки происходят в компоненте гетеросистемы полусферическая наночастица — кристалл с большим параметром решетки преимущественно посредством увеличения межатомных расстояний в ходе процесса образования структурных элементов, что позволяет избежать сближения атомов и повышения энергии вследствие ангармонизма межатомного взаимодействия.

8. Как для МГ, так и для границ зерен (ГЗ) наблюдается зависимость характера релаксированной структуры от плоскости границы: в ГЗ она проявляется в большем дальнодействии полей упругих микродеформаций границы кручения (ГК) (110) по сравнению с ГК (001), соответственно больше структурная толщина границы (110). В то время как структурные искажения по обе стороны плоскости межзеренной границы симметричны, для МГ эпитаксиальных, специальных и МГ кручения общего типа характерна асимметрия. При эпитаксии она обусловлена процессом релаксации, развивающимся в основном лишь во второй (нарастающей) фазе. В МГ кручения асимметрия обусловлена атомной релаксацией только в кристалле с большим параметром решетки.

Автор благодарит за оказанную помощь в подготовке диссертации научного руководителя, члена-корреспондента РАН, профессора Иевлева Валентина Михайловича, а также доктора физико-математических наук, профессора Косилова Александра Тимофеевича и доктора физико-математических наук, доцента Евтеева Александра Викторовича.

Показать весь текст

Список литературы

  1. К., 1.eda М., Ohtsuki О. Molecular-dynamics simulations for molecular-beam epitaxy: Overlayer growth pattern in two-component Lennard-Jones systems // Phys. Rev. B. — 1989. — Vol.39. — P. 9476−9485.
  2. Schneider M., Rahman A., Schuller I.K. Role of Relaxation in Epitaxial Growth: A Molecular-Dynamics Study // Phys. Rev. Lett. 1985. — Vol.55. -P. 604−606.
  3. Schneider M., Rahman A., Schuller I.K. Vapor-phase growth of amorphous materials: A molecular-dynamics study // Phys. Rev. B. 1986. — Vol.34. -P. 1802−1805.
  4. Paik S.M., Das Sarma S. Dynamical simulation of molecular-beam epitaxial growth of a model ciystal // Phys. Rev. B. 1989. — Vol.39. — P. 1224−1228.
  5. Aubin E., Lewis L.J. Growth of metallic superlattices by sequential deposition of atoms // Phys. Rev. B. 1993. — Vol.47. — P. 6780−6783.
  6. Kelchner C.L., DePristo A.E. Molecular dynamics simulations of multilayer homoepitaxial thin film growth in the diffusion-limited regime // Surface Science. 1997. — Vol.393. — № 1−3. — P. 72−84.
  7. Daw M.S., Baskes M.I. Embedded-Atom Method: Derivation and Application to Impurities, Surfaces, and Other Defects in Metals // Phys. Rev. B: Solid State. 1984.-Vol.29.-№ 12.-P. 6443−6453.
  8. Luedtke W.D., Landman U. Metal-on-metal thin-film growth: Au/Ni (001) and Ni/Au (001) // Phys. Rev. B. 1991. — Vol.44. — P. 5970−5972.
  9. Gilmore C.M., Sprague J.A. Molecular-dynamics simulation of the energetic deposition of Ag thin films// Phys. Rev. B. 1991. — Vol.44. — P. 89 508 957.
  10. O.Yang L., Rahman T.S. Structure and dynamics of an Ag overlayer on Ni (100): comparison of embedded atom and pair potential results // Surface Science. 1992. — Vol.278. — P. 407113.
  11. Luedtke W.D., Landman U. Stability and Collapse of Metallic Structures on Surfaces // Phys. Rev. Lett. 1994. — Vol.73. — P. 569−572.
  12. Guan P., Mckenzie D.R., Pailthorpe B.A. MD simulations of Ag film growth using the Lennard-Jones potential // J. Phys.: Condens. Matter. -1996.-Vol.8.-P. 8753−8762.
  13. Halicioglu Т., Pound G.M. Calculation of potential energy parameters form crystalline state properties // Physica Status Solidi (a). 1975. — Vol.30. -№ 2.-P. 619−623.
  14. Zhang Qing-yu, Pan Zheng-ying, Tang Jia-yong Molecular dynamics simulation of energetic atom depositions of Au/Au (100) film // Acta phys. sin. Overseas Ed. 1999. — Vol.8. — № 4. — P. 296−305.
  15. Enhanced atomic mobility in pulsed laser deposition of Cu films / Y. Yue, Y. Ho, Z.Y. Pan et al. // Phys. Lett. A. 1997. — Vol.235. — № 3. — P. 267 270.
  16. Gilmore C.M., Sprague J.A. Molecular dynamics simulation of defect formation during energetic Cu deposition // Thin Solid Films. 2002. -Vol.419.-№ 1−2.-P. 18−26.
  17. Trushin O.S., Kokko K., Salo P.T. Film-substrate interface mixing in the energetic deposition of Ag on Cu (001) // Surface Science. 1999. -Vol.442.-№ 3.-P. 420−430.
  18. Tersoff J. Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials for multicomponent systems // Phys. Rev. B. 1989. — Vol.39. — P. 5566−5568.
  19. A.C., Братченко М. И., Фатеев М. П. Молекулярно-динамическое моделирование атомной структуры и физических свойств аморфных углеродных пленок // Сверхтверд, матер. 2000. — № 5. — С. 3−9.
  20. Kaukonen М.О., Nieminen R.M. Molecular-dynamics simulation of the growth of diamond-like films // Surface Science. 1995. — Vol.331−333. -Part 2.-P. 975−977.
  21. Zhang Q.Y., Bauer-Grosse E. Reaction probabilities of energetic species at growing diamond film surfaces by molecular dynamics simulation // Acta Met. Sin. -2002. Vol.15. -№ 1. — P. 131−135.
  22. Tatusya 0., Osamu U., Matsuhei N. Fundamental processes of microcrystalline silicon film growth: a molecular dynamics study // Surface Science. 2000. — Vol.458. -№ 1−3. — P. 216−228.
  23. В.Ф., Наумов B.B. Молекулярно-динамическое моделирование процессов роста пленок Si // Тонкие пленки в электронике: Материалы VI международного симпозиума, Москва-Киев-Херсон. 1995. — С. 10−14.
  24. Ramana Murty М. V., Atwater Harry A. Silicon epitaxy on hydrogen-terminated Si (001) surfaces using thermal and energetic beams // Surface Science. 1997. — Vol.374. — № 1−3. — P. 283−290.
  25. Xiang-Yun Guo, Pascal Brault Early stages of silicon nitride film growth studied by molecular dynamics simulations // Surface Science. 2001. -Vol. 488.-№ 1−2.- P. 133−140.
  26. Klaver P., Thijsse B. Thin Та films: growth, stability, and diffusion studied by molecular-dynamics simulations // Thin Solid Films. 2002. — Vol.413. -№ 1−2.-P. 110−120.
  27. The structure and stability of P-Ta thin films / A. Jiang, T.A. Tyson, L. Axe et al. // Thin Solid Films. 2005. — Vol.479. — № 1−2. — P. 166−173.
  28. Molecular dynamics, Monte Carlo and their hybrid methods: applications to thin film growth dynamics / Jun-ichiro Takano, Osamu Takai, Yoshiaki Kogure et al. // Thin Solid Films. 1998. — Vol.334. — № 1−2. — P. 209−213.
  29. Simulation of atomic-scale surface migration in homoepitaxial growth using embedded-atom method potentials for gold / Takano Jun-ichiro, Takai Osamu, Kogure Yoshiaki et al. // Thin Solid Films. 1998. — Vol.318. -№ 1−2.-P. 52−56.
  30. Doyama Masao Crystal growth study using combination of molecular dynamics and Monte Carlo methods // Bull. Mater. Sci. 1999. — Vol.22. -№ 5.-P. 835−842.
  31. An integrated kinetic Monte Carlo molecular dynamics approach for film growth modeling and simulation: Zr02 deposition on Si (100) surface / A.A. Knizhnik, A.A. Bagaturyants, I.V. Belov et al. // Comput. Mater. Sci. -2002.-Vol.24.-№ 1−2.-P. 128−132.
  32. Kinetic Monte Carlo molecular dynamics investigations of hyperthermal copper deposition on Cu (lll) / J.M. Pomeroy, J. Jacobsen, C. Hill et al.// Phys. Rev. B. — 2002. — Vol.66. — № 23. — P. 235 412/1−235 412/8.
  33. Jacobsen J., Cooper B.H., Sethna J.P. Simulations of energetic beam deposition: From picoseconds to seconds // Phys. Rev. B. 1998. — Vol.58. -P. 15 847−15 865.
  34. Henkelman G., Jonsson H. Multiple Time Scale Simulations of Metal Crystal Growth Reveal the Importance of Multiatom Surface Processes // Phys. Rev. Lett. -2003.-Vol.90.-P. 116 101/1−116 101/4.
  35. Self-learning kinetic Monte Carlo method: Application to Cu (lll) / O. Trashin, A. Karim, A. Kara et al. // Phys. Rev. B. 2005. — Vol.72. — P.115 401/1−115 401/9.
  36. Basham M., Montalenti F., Mulheran P.A. Multiscale Modeling of Island Nucleation and Growth During Cu (100) Homoepitaxy // Phys. Rev. B. -2006. Vol.73. — P. 45 422/1−45 422/10.
  37. Luedtke W.D., Landman U. Stability and Collapse of Metallic Structures on Surfaces // Phys. Rev. Lett. 1994. — Vol.73. — P. 569−572.
  38. Hamilton J.C. Dislocation nucleation rates during submonolayer growth of heteroepitaxial thin films // Phys. Rev. B. 1997. — Vol.55. — № 12. — P. 7402−7405.
  39. Gartner К., Weber В. Molecular dynamics simulations of solid-phase epitaxial growth in silicon // Nucl. Instrum. and Meth. Phys. Res. B. 2003. -Vol.202.-P. 255−260.
  40. Xu J. L., Feng J. Y. Molecular-dynamics simulation of Sij. xGex epitaxial growth on Si (100) // Nucl. Instrum. and Meth. Phys. Res. B. 2004. -Vol.217. -№ 1, — P. 33−38.
  41. Yue Y., Ho Y.K., Pan Z.Y. Molecular-dynamics study of transient-diffusion mechanisms in low-temperature epitaxial growth // Phys. Rev. B. 1998. -Vol.57.-№ 11.-P. 6685−6688.
  42. Molecular dynamics simulation of Co thin films growth on Cu (001) / N. Levanova, V.S. Stepanyuk, W. Hergert et al. // Surface Science. 1998. -Vol.400.-№ 1−3.-P. 54−62.
  43. Surface Diffusion of Pt on Pt (110): Arrhenius Behavior of Long Jumps / T.R. Linderoth, S. Horch, E. Lasgsgaard et al. // Phys. Rev. Lett. 1997. -Vol.78. — № 26. — P. 4978−4981.
  44. Jacobsen J., Jacobsen K.W., Sethna J.P. Rate Theory for Correlated Processes: Double Jumps in Adatom Diffusion // Phys. Rev. Lett. 1997. -Vol.79. — № 15. — P. 2843−2846.
  45. Xie Guo-Feng, Wang De-Wu, Ying Chun-Tong Моделирование с помощью молекулярной динамики диффузии адатомов Gd на поверхности (110)Си // Wuli xuebao. 2003. — Vol.52. — № 9. — P. 22 542 258.
  46. Transition from One- to Two-dimension Growth of Cu on Pd (l 10) Promoted by Cross-exchange Migration / J.-P. Bucher, E. Hahn, P. Fernandez et al. // Europhys. Lett. 1994. — Vol.27. — № 6. — P. 473−478.
  47. Stumpf R., Scheffler M. Ab initio calculations of energies and self-diffusion on flat and stepped surfaces of Al and their implications on crystal growth // Phys. Rev. B. 1996. — Vol.53. — № 8. — P. 4958−4973.
  48. Graham G.W., Schmitz P.J., Thiel P.A. Growth of Rh, Pd, and Pt films on Cu (100) // Phys. Rev. B. 1990. — Vol.41. — № 6. — P. 3353−3359.
  49. Garofalini S.H., Halicioglu T. Mechanism for the self-diffusion of Au and Ir adatoms on Pt (l 10) surface // Surface Science. 1981. — Vol.104. — № 1. -P. 199−204.
  50. A.B., Косилов A.T., Соляник C.A. Атомные механизмы и кинетика самодиффузии на поверхности Pd (001) // ФТТ. 2004. — Т.46. -С. 1723−1726.
  51. ЕАМ study of surface self-diffusion of single adatoms of fee metals Ni, Cu, Al, Ag, Au, Pd, and Pt / C.L. Liu, J.M. Cohen, J.B. Adams et al. // Surface Science. 1991. — Vol.253. — P. 334−344.
  52. С.Ю. Расчет энергии активации поверхностной самодиффузии атомов переходных металлов // ФТТ. 1999. — Т.41. -№ 1. — С. 11−14.
  53. Компьютерное моделирование роста в присутствии поверхностно-активного вещества / I. Akira, S. Yasushi, I. Minoru et al. // Ibaraki daigaku kogakubu kenkyu hokoku. 1996. — Vol.44. — P. 13−17.
  54. Lugscheider E., von Hayn G. Simulation of the film growth and film-substrate mixing during the sputter deposition process // Surface and Coatings Technology. 1999.-Vol. 116−119.-P. 568−572.
  55. Molecular dynamics simulation on the deposition behavior of nanometer-sized Au clusters on a Au (001) surface / S.-C. Lee, N. Hwang, B.D. Yu et al. // J. of Crystal Growth. 2001. — Vol.223. — № 1−2. — P. 311−320.
  56. Hwang N., Hahn J., Yoon D. Charged cluster model in the low pressure synthesis of diamond // J. of Crystal Growth. 1996. — Vol.162. — № 1−2. -P. 55−68.
  57. Molecular dynamics simulation for ionized cluster beam deposition / Kang Нее Jae, Lee Min Wha, Kim Jong Ho et al. // Nucl. Instrum. and Meth. Phys. Res. B. 1997. — Vol.121. — № 1−4. — P. 53−57.
  58. Kang Jeong Won, Hwang Ho Jung Molecular dynamics simulations of energetic aluminum cluster deposition // Comput. Mater. Sci. 2002. — Vol. 23.-№ 1−4.-P. 105−110.
  59. Upper size limit of complete contact epitaxy / K. Meinander, J. Frantz, K. Nordlund et al. // Thin Solid Films. 2003. — Vol.425. — № 1−2. — P. 297 303.
  60. Lu H.W., Xie J.Q., Feng J.Y. Simulation study on Si and Ge film growth by cluster deposition // Nucl. Instrum. and Meth. Phys. Res. B. 2000. -Vol.170.-№ 1−2.-P. 71−78.
  61. Gspann J. Similarities and Differences between Atomic Nuclei and Clusters // The American Institute of Physics, New York. 1998. — P. 299.
  62. Yamaguchia Y., Gspann J. Large-scale molecular dynamics simulations of high energy cluster impact on diamond surface // Eur. Phys. J. D. 2001. -Vol.16.-P. 103−106.
  63. B.M., Бугаков A.B., Трофимов В. И. Рост и субструктура конденсированных пленок. Воронеж: Изд-во ВГТУ, 2000. 386 с.
  64. В.М., Трусов Л. И., Холмянский В. А. Структурные превращения в тонких пленках. М. Металлургия, 1982. — 248с.
  65. А.В., Иевлев В. М., Гапонов А. А. Компьютерное моделирование трехслойных пленочных систем: ориентация и субструктура // Вестник ВГТУ: Сер. Материаловедение. 2000. — Вып. 1.8.-С. 61−63.
  66. Barnard J.A., Ehrhardt J.J. Low-energy electron diffraction observations of the thermal evolution of 0.5−3.0 ML Pt/Ni (l 11) // J. Vac. Sci. Technol. A. -1990. Vol.8. — № 6. — P. 4061−4068.
  67. A.B., Иевлев B.M., Тураева Т.JI. Специальные межфазные границы в системах с большим несоответствием параметров кристаллических решеток // ФТТ. 1990. — Т.32. — № 9. — С. 2711−2718.
  68. A molecular dynamics study of an Au/Cu (001) interface / Jimenez-Saez J., Dominguez-Vazguez J., Perez-Martin A.M.C. // Nanotechnology. 2002. -Vol.13. -№ 3. — P. 324−329.
  69. A.B., Иевлев B.M., Ирхин Б. П. Энергия и релаксированная атомная структура межфазной границы в металлических системах с ГЦК-решеткой: энергия границ различных ориентаций // Поверхность. 1993.-№ 2.-С. 97−106.
  70. Моделирование структурных и субструктурных превращений при кристаллизации аморфной пленки Ni на подложке Pd (001) / А. А. Дмитриев, А. В. Евтеев, Д. Г. Жиляков и др. // Вестник ВГТУ. Серия материаловедение. Воронеж: ВГТУ, 2002. -Вып.1.12. — С. 74−76.
  71. Атомная структура межзеренных границ / Под ред. А. Н. Орлова // М.:Мир, 1978.
  72. Структура межкристаллитных и межфазных границ / Косевич В. М., Иевлев В. М., Палатник JI.C., Федоренко А. И. М.:Металлургия, 1980. -256с.
  73. А.Н., Перевезенцев В. Н., Рыбин В. В. Границы зерен в металлах. -М.:Металлургия, 1980.- 156с
  74. .С., Копецкий Ч. В., Швиндлерман JI.C. Термодинамика и кинетика границ зерен в металлах. М. Металлургия, 1986. — 224с.
  75. Ч.В., Орлов А. Н., Фионова JI.K. Границы зерен в читых материалах. -М. Металлургия, 1987. 158с.
  76. А.В., Левченко Е. В., Косилов А. Т. Компьютерное моделирование в физике конденсированных сред. Воронеж: изд-во ВГТУ, 2005.- 110с.
  77. А.Н., Сергеев В. М. Метод молекулярной динамики в статической физике // УФН. 1978. — Т. 125. — № 3. — С. 409−448.
  78. В.А., Ухов В. Ф., Дзугутов М. М. Компьютерное моделирование динамики и структуры жидких металлов. М.: Наука, 1981.-323с.
  79. В.А., Ватолин Н. А. Моделирование аморфных металлов. М.: Наука, 1985.-288с.
  80. Verlet L. Computer Experiments on Classical Fluids. I. Thermodynamic Properties of Lennard-Jones Molecules // Phys. Rev. 1967. — Vol.159. — P. 98−103.
  81. А.В., Косилов А. Т., Миленин А. В. Компьютерное моделирование кристаллизации аморфного железа в изохронных условиях // Письма в ЖЭТФ. 2000. — Вып.71. — № 5. — С. 294−297.
  82. М., Кунь X. Динамическая теория кристаллических решеток. -М.: ИЛ, 1958.-488 с.
  83. Dynamics of Radiation Damage / J.B. Gibson, A.N. Goland, M. Milgram et al. // Phys. Rev. 1960. — Vol.120. — № 4. — P. 1229−1253.
  84. Beeman D. Some Multistep Methods for use in Molecular Dynamics Calculations //J. Comput. Phys. 1976. — Vol.20. — P. 130−139.
  85. Rahman A. Correlations in the Motion of Atoms in Liquid Argon // Phys. Rev. A: Gen. Phys. 1964. — Vol.136. — P. 405−411.
  86. Д. Методы нелинейной оптимизации. М.: Мир, 1975. -432с.
  87. Foiles S.M. Application of method embedded-atom to liquid transition of metals // Phys. Rev. B. 1985. — Vol.32. — № 6. — P. 3409−3415.
  88. А.А., Евтеев A.B., Косилов A.T. Применение метода погруженного атома для моделирования кристаллизации и плавления тонкой пленки меди // Поверхность. Рентгеновские, нейтронные и синхротронные исследования. 2003. — № 5. — С. 74−78.
  89. Clementi Е., Roetti С. Roothan-Hartree-Fock Atomic Wave Functions // At. Data Nucl. Data Tables. 1974.-Vol.14.-№ 3−4.-P. 177−324.
  90. Foiles S.M. Calculation of the Surface Segregation of Ni-Cu Alloys with the Use of the Embedded-Atom Method // Phys. Rev. B. 1985. — Vol.32. -№ 12. -P. 7685−7693.
  91. Д.К. Структура жидких и аморфных металлов. М.: Металлургия, 1985. — 192 с.
  92. Ю1.Бугаков А. В, Иевлев В. М. Структура межфазных границ (111)ГЦК-(1 Ю) ОЦК в металлических системах // ФММ. 1995. — Т.79. — № 4. — С. 119−127.
  93. Large strains in the epitaxy of Cu on Pt{001} / Y.S. Li, J. Quinn, H. Li et al. //Phys. Rev. B.- 1991. Vol.44.-№ 15.- P. 8261−8266.
  94. Chao S.S., Knabbe E.A., Vook R.W. Auger line shape changes in epitaxial (11 l) Pd/(l 1 l) Cu films // Surface Science. 1980. — Vol.100. — P. 581−589.
  95. Структурная самоорганизация в металлической гетеросистеме кристалл-монослойная пленка с большим размерным несоответствием компонентов / А. А. Дмитриев, А. В. Евтеев, В. М. Иевлев и др. // Доклады АН. 2004. — Т.396. — № 3. — С. 1−4.
  96. Ю5.Молекулярно-динамическое моделирование ориентированного роста Ni на (001)Pd / А. С. Прижимов, А. В. Евтеев, В. М. Иевлев // Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение. 2004. — Вып. 1.16. — С. 78−81.
  97. Ю7.0риентационная зависимость гетероэпитаксиального роста пленок Ni на Pd / А. С. Прижимов, В. М. Иевлев, А. Т. Косилов и др. // Фракталы и прикладная синергетика 2005: Сборник статей. Москва, Интерконтакт-Наука, 2005. — С. 52−53.
  98. Ориентационная зависимость гетероэпитаксиального роста пленок Ni на Pd / А. С. Прижимов, А. В. Евтеев, В. М. Иевлев и др. // ФММ. 2006. -Т. 101-№ 6.- С. 630−637.
  99. Структурные и субструктурные превращения при росте пленок Ni на сингулярных поверхностях кристалла Pd / А. С. Прижимов, А. В. Евтеев, В. М. Иевлев и др.// Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение. -Воронеж, 2005. Вып. 1.17. — С. 31−36.
  100. В.М., Космачев С. М., Карповский М. В. Конденсационно-стимулированная зернограничная диффузия в двухслойных пленках золото-серебро // Поверхность. Физика, химия, механика. 1986. — № 8. -С. 151−152.
  101. И2.Барабаш О. М., Коваль Ю. Н. Структура и свойства металлов и сплавов. Кристаллическая структура металлов и сплавов. Киев: Наук, думка, 1986. 598 с.
  102. An XPD and LEED study of highly strained ultrathin Ni films on Pd (100) / M. Petukhov, G.A. Rizzi, M. Sambi et al. // Appl. Surface Sci. 2003. -Vol.212−213.-P. 264−266.
  103. Ч.В., Орлов A.H., Фионова JI.K. Границы зерен в чистых материалах. М.:Металлургия, 1987. 158 с.
  104. Т.JI. Специальные межфазные границы в пленочных системах Ag-Cu и Au-Pt // Автореферат диссертации на соискание ученой степени к.ф.-м.н. Изд-во ВГТУ, Воронеж. 1990. — 16 с.
  105. А.В., Иевлев В. М. Энергия и релаксированная атомная структура межфазных границ в металлических системах с ГЦК-решеткой: структура границ (001) // Поверхность. 1994. — № 7. — С. 2436.
  106. Нанотехнология в ближайшее десятилетие. Прогноз направления исследований. / Под ред. М. К. Роко, Р. С. Ульямса, П. Аливисатоса. Мир, М.-2002.-292 с.
  107. Shieu F.-S., Sass S.L. Experimental and theoretical studies of the dislocation structure of NiO-Pt interfaces // Acta Metallurgica et Materialia. 1990. — Vol.38. — № 9. — P. 1653−1667.
  108. W. //Phil. Mag. 1967. — Vol.16. — P. 363−381−383−399.
  109. Т., Ballufi R.W. // Phil. Mag. 1969. — Vol.20. — № 165. — P. 511 518.
  110. Т., Ballufi R.W. // Phil. Mag. 1970. — Vol.21. — P. 109−123.
  111. Т., Ballufi R.W. // Phys. stat. sol. 1971. — Vol.44. — P. 103−114.
  112. О структуре малоугловых границ кручения в плоскости (001) / В. М. Иевлев, B.C. Постников, К. С. Соловьев и др. // ФТТ. 1972. — Т. 14. — С. 1529−1530.
  113. Исследование структуры границ зерен / В. М. Иевлев, B.C. Постников, К. С. Соловьев и др. // ФТТ. 1974. — Т.39. — С. 124−132.
  114. Структура межкристаллитных и межфазных границ / В. М. Косевич, В. М. Иевлев, JI.C. Палатник и др. М.:Металлугия, 1980. 256с.
  115. В.М. Структура поверхностей раздела в пленках металлов. -М.:Металлугия, 1992. 173с.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!