Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Образование газовых включений при синтезе кристаллов парателлурита из расплава

Диссертация: Образование газовых включений при синтезе кристаллов парателлурита из расплава
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Слабая разработанность данных вопросов и в отношении парателлурита подчеркивается отсутствием в известной литературе устоявшихся представлений о природе захвата пузырьков этими кристаллами. Одни исследователи считают, что причиной образования и захвата пузырьков являются микрочастицы платины, растворенной расплавом диоксида теллура из тигельного материала. Другие предлагают производить… Читать ещё >

Образование газовых включений при синтезе кристаллов парателлурита из расплава (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава I. Литературный обзор
    • 1. 1. Газовые включения в монокристаллах, выращиваемых из расплава
    • 1. 2. Пузырьки в парателлурите
    • 1. 3. Физические и химические свойства парателлурита и расплава диоксида теллура
  • Глава II. Исследования монокристаллов парателлурита с газовыми включениями
    • 2. 1. Определение давления газа в пузырьках
    • 2. 2. Оптические исследования пузырьков
    • 2. 3. Рассеяние света кристаллами парателлурита с пузырьками
    • 2. 4. Дислокации и механические напряжения вблизи пузырьков
  • Глава III. Влияние условий роста на захват газовых включений. Действие отжига на включения в твердой фазе
    • 3. 1. Особенности выращивания монокристаллов парателлурита способом Чохральского
    • 3. 2. Влияние чистоты исходного сырья
    • 3. 3. Анализ механизмов диффузионного роста пузырьков, их коалесценции и захвата кристаллами парателлурита
    • 3. 4. Причины секториального распределения газовых включений по пирамидам роста сингулярных граней
    • 3. 5. Измерения электропроводности расплава диоксида теллура в связи с проблемой подавления конвекции магнитным полем
    • 3. 6. Огранение, распад и движение пузырьков при отжиге в поле температурного градиента
  • Глава IV. Условия синтеза парателлурита без пузырьков
    • 4. 1. Устойчивость и форма фронта кристаллизации
    • 4. 2. Режимы конвекции. Вихри Тейлора
    • 4. 3. Оптимальные кинематические и температурные параметры роста
  • Выводы

В конце 60-х — начале 70-х годов появляются сообщения о выращивании монокристаллов парателлурита — тетрагональной модификации диоксида теллура (а-ТеОг) способом Чохральского [1−5]. Исследователями сразу же были отмечены редкие, в ряде случаевуникальные физические свойства этого материала: большие показатели преломления По и Пе, большое двулучепреломление, очень высокое удельное вращение плоскости поляризации, резкая анизотропия механических, тепловых, акустических и оптических констант, но в особенности — практически рекордно высокие для видимого диапазона значения коэффициента акустооптического качества Мг = п6р2/pV^g, где п показатель преломления, р — действующая фотоупругая константа, рплотность, У3в — скорость звука. Действительно, благодаря большим значениям показателей преломления и очень малым значениям скоростей звука (всего лишь 600 м-с" 1 для сдвиговой моды вдоль направления [110]),.

1 о О 1 величина Мг достигает значений (600−800)-10″ сг" [6], что примерно в 500 раз больше, чем у такого классического акустооптического материала, каким является плавленный кварц. Совокупность столь ценных свойств предопределила повышенный интерес к производству монокристаллов парателлурита, основная сфера применения которых — материал для светозвукопроводов акустооптических устройств [7−12]. В связи с увеличением размеров оптически однородных кристаллов, в самое последнее время появилась возможность изготовления из парателлурита и традиционных оптических элементов — двулучепреломляющих призм [9].

За почти сорокалетнюю историю развития технологии выращивания парателлурита размеры получаемых кристаллов выросли с 10−15 мм в диаметре и 20−30 мм по высоте до 60−80 мм в диаметре и 70−80 мм по высоте. Заметно выросли также структурное совершенство и оптическое качество кристаллов. Однако по сравнению с кристаллами многих других веществ эти успехи не выглядят очень значительными. Например, у кристаллов кремния, являющихся основой большей части современной радиоэлектроники, размеры и показатели качества выросли за аналогичный период на 1−2 порядка. Сложность синтеза монокристаллов парателлурита определяется объективными обстоятельствами: низкой скоростью роста (вследствие малой теплопроводности), большими временами проведения ростовых процессов (до 100 часов и более), высокой вязкостью и химической агрессивностью расплава диоксида теллура, необходимостью выращивания кристаллов в газовой атмосфере, токсичностью паров диоксида теллура, сложным характером конвекции расплава в тигле, препятствующей автоматизации ростовых процессов, отсутствием промышленной технологии получения порошкообразной двуокиси теллура с чистотой более 99,999%, хрупкостью уже выращенных кристаллов, связанной с остаточными механическими напряжениями, необходимостью проведения длительного послеростового отжига. При этом набор обсуждаемых в литературе структурных дефектов и их следствий, существенно ухудшающих качество кристаллов, и в самых первых публикациях [1−5], и в работах последнего времени [12−16] практически.

X л один и тот же. Это высокая плотность дислокаций (до 10−10 см"), наличие границ блоков, аномальная (наведенная механическими напряжениями) двуосность, иногда превышающая 1−2°, оптические неоднородностисвили, пронизывающие зачастую весь объем кристалла, включения посторонних примесей, в том числе — платины из материала тиглей, и, наконец, пузырьки. Газовые включения могут присутствовать в кристаллах в целом очень низкого качества, но иногда обнаруживаются и в совершенных образцах, где они являются практически единственными серьезными дефектами. Размеры (диаметры) газовых включений в парателлурите лежат в интервале от нескольких микрометров до 2−2,5 мм. Эти объемные, грубые структурные дефекты поглощают и рассеивают звук и свет, искажают соответствующие волновые фронты и ухудшают требуемые параметры дифракции. Особенно недопустимы пузырьки в устройствах, применяемых для спектрального анализа изображений, а также в оптических призмах. Даже один пузырек в области акустооптического взаимодействия делает значительный объем материала непригодным для практического использования. Это связано с еще одной особенностью парателлурита — приемлемые по качеству кристаллы выращиваются почти исключительно в кристаллографическом направлении [110]. В то же время во многих акустооптических устройствах светозвукопроводы должны иметь максимальные размеры в направлении, близком к [001], т. е. в направлении оптической оси. Поэтому из цилиндрических буль должны вырезаться элементы в плоскости, перпендикулярной оси цилиндра. Поскольку в этом случае максимальный размер элемента ограничивается по крайней мере диаметром кристалла, естественно стремление использовать центральную, приосевую часть були. Но именно здесь, как правило, и располагаются газовые включения (рис. 1).

Рис. 1. Газовые включения в центральной области монокристалла парателлурита.

Таким образом, проблема устранения причин захвата пузырьков кристаллами парателлурита наиболее актуальна при получении материала, предназначенного для крупногабаритных светозвукопроводов акустооптических устройств. Требуемые в ряде случаев максимальные размеры элементов, с учетом современного уровня технологий синтеза парателлурита, действительно велики — 60 X 40 X 40 мм вдоль кристаллографических направлений [001], [110] и [ПО] соответственно.

До настоящего времени кристаллы а-ТеОг использовались в акустооптических устройствах почти всех известных типов [8,17−25]. К ним относятся модуляторы (АОМ) — как внутрирезонаторные, так и внешние по отношению к выходным зеркалам лазеров [7]. Это также дефлекторы лазерного излучения — однои двухкоординатные [7−10,26]. Это акустооптические электронно-перестраиваемые фильтры и акустооптические спектрометры [8,17]. Применялся парателлурит и в устройствах спектрального анализа радиосигналов (акустооптических процессорах) [7]. В последнее время появились сообщения о применении кристаллов парателлурита в системах спектрального разделения и мультиплексирования оптических каналов волоконно-оптических линий связи.

Наиболее важны большие размеры светозвукопроводов для некоторых видов фильтров, дефлекторов и процессоров. В частности, важнейшая характеристика фильтров и спектрометров — разрешающая способность ДЯ,/2, т. е. полуширина спектральной линии — связана с длиной.

Ь взаимодействия света со звуком соотношением [8,27]:

ДЯ,/2 = 2М2/{2яАпЬ), (1) где Я — длина волны света, Ап = п0-пе величина двулучепреломления. Для коллинеарного фильтра это выражение означает, что высокое разрешение реализуется при большой длине кристалла в направлении распространения света и звука.

Разрешающая способность акустооптического дефлектора (АОД) определяется числом N отделенных разрешаемых положений луча в интервале углов сканирования и выражается формулой [7]:

Лг = Д/?>/Ксоз (c)я, (2) где Д/ - полоса рабочих частот АОДО — линейная апертураV — скорость звука- ®-Б — угол Брэгга. Таким образом, число разрешимых позиций дефлектора также пропорционально некоторому линейному размеру кристалла, только, в отличие от фильтров, это размер в направлении, перпендикулярном световому пучку.

Время обработки сигнала акустооптическим процессором также, очевидно, пропорционально размеру кристалла, но уже в направлении распространения ультразвука [7].

Таким образом, с точки зрения потребностей развивающейся акустооптики, актуальность и практическая значимость решения проблемы синтеза крупногабаритных кристаллов парателлурита, не содержащих газовых включений, достаточно очевидны. Однако и с научной точки зрения данная проблема также представляет несомненный интерес. Ее актуальность связана с необходимостью получения новых экспериментальных данных, касающихся различных аспектов трех физических явлений, протекающих одновременно при выращивании кристаллов из расплава, содержащего растворенные газы. Это динамика зарождения и развития газовых пузырьков вблизи фронта кристаллизации, теория которой разработана недостаточно. Это и задача о тепломассопереносе при выращивании кристаллов с высокими значениями критерия Прандтля, т. е. с высокой вязкостью и малой температуропроводностью. В настоящее время ее можно считать более или менее решенной только для расплавов полупроводниковых материалов, значения критерия Прандтля у которых на 1−2 порядка ниже, чем у расплава диоксида теллура. И, наконец, это кинетика газовых пузырьков в уже образовавшихся кристаллах в поле температурного градиента при отжиге и охлаждении. Последняя задача успешно решена только для некоторых частных случаев в рамках теории диффузионной ползучести.

Слабая разработанность данных вопросов и в отношении парателлурита подчеркивается отсутствием в известной литературе устоявшихся представлений о природе захвата пузырьков этими кристаллами. Одни исследователи считают, что причиной образования и захвата пузырьков являются микрочастицы платины, растворенной расплавом диоксида теллура из тигельного материала. Другие предлагают производить выращивание парателлурита в атмосфере благородных газов. В одних работах основное внимание уделяется чистоте исходной шихтыпорошкообразной двуокиси теллура, в других — влиянию формы фронта кристаллизации (ФФК), в третьих — скоростям вращения кристаллов и скоростям их вытягивания из расплава.

В ряде работ указывается на влияние температурного градиента, причем раздельно — осевого и горизонтального. Ни в одной из публикаций все эти возможные причины не рассмотрены в совокупности. Помимо того, что в этих работах высказываются противоречивые взгляды, и приводятся взаимоисключающие экспериментальные факты и рекомендации, все они не выходят за рамки чисто эмпирического подхода. Среди явлений, явно влияющих на захват пузырьков, не изучены влияние конвекции расплава (в том числе и конвекции Марангони), не рассчитаны силы, действующие на пузырьки, уже образовавшиеся у фронта кристаллизации. Нет никаких сведений о влиянии анизотропии поверхностных энергий кристалл-газ и кристалл-расплав на процессы захвата пузырей. Возможная коалесценция мелких пузырьков также не рассматривалась.

Следует заметить, что и экспериментальная база известных исследований была достаточно узкой. Например, хотя сами полости изучались даже с помощью электронной микроскопии, до сих пор никем не было экспериментально установлено наличие в них газов, и не было измерено их давление.

Несмотря на сложность и взаимосвязанность недостаточно изученных процессов, приводящих к захвату пузырьков растущими кристаллами, нахождение условий, исключающих такой захват, для парателлурита оказывается возможным. Таким образом, результаты настоящих исследований могут быть полезными и при получении кристаллов других веществ, выращиваемых из расплава в газовой атмосфере.

Исходя из современного состояния проблемы, были сформулированы цель и задачи диссертационной работы.

Цель работы состояла в исследовании причин захвата газовых включений кристаллами парателлурита при их синтезе и в определении ростовых параметров, препятствующих такому захвату.

В связи с данной целью были поставлены такие основные задачи:

• установление закономерностей пространственного распределения захватываемых кристаллами газовых включений и их распределения по размерам и геометрической форме;

• определение наличия газов и величины их давления в полостях путем непосредственного вскрытия под слоем жидкости;

• теоретические расчеты параметров диффузионной кинетики пузырьков вблизи фронта кристаллизации;

• нахождение оптимальных режимов конвекции расплава диоксида теллура, при которых возможен отрыв пузырьков от растущего кристалла;

• определение механизмов и характеристик движения газовых включений в кристаллах парателлурита в поле температурного градиента при отжиге и охлаждении. и.

Выводы.

1. В кристаллах парателлурита, выращиваемых из расплава, детально изучены газовые включения — их размеры, форма, концентрации, особенности пространственного распределения. Впервые доказано наличие газа в пузырьках, и измерено его давление.

2. Показано, что газовые включения в парателлурите — результат выделения на фронте кристаллизации растворенных с поверхности расплава газов, входящих в состав ростовой атмосферы.

3. Изучено влияние пузырьков на рассеяние света кристаллами, и рассчитаны вклады рассеяния на пузырьках в общую экстинкцию света материалом.

4. Исследована структура кристаллов вблизи газовых включений. Установлено, что поскольку плотность дислокаций и механические напряжения в местах включений не превышают средних значений по кристаллам, деформации снимаются при отжиге путем пластического течения в объемы пор.

5. Изучены огранение, распад и движение газовых включений в кристаллах в поле температурного градиента при отжиге. Показано, что преобладающими в этих явлениях являются непороговые механизмытакие, как повакансионное растворение пор, вязкое течение матрицы и испарение материала на горячей стенке поры с одновременной конденсацией на холодной.

6. Впервые измерена электропроводность расплава диоксида теллура и ее температурная зависимость. При найденных низких значениях электропроводности расплава подавление с помощью магнитного поля нестационарной конвекции, способствующей захвату пузырьков, практически неосуществимо.

7. Впервые рассчитаны силы, действующие на пузырьки в расплаве диоксида теллура вблизи фронта кристаллизации как в вертикальной, так и в горизонтальной плоскостях. Выведены соотношения, удовлетворительно описывающие и объясняющие локализацию включений, их форму и распределение по размерам.

8. Установлено, что оптимальным режимом конвекции расплава в тигле, обеспечивающим полное устранение захвата газовых включений, является гидродинамическая структура с вихрями Тейлора. При этом одновременно истинная вертикальная скорость роста кристаллов не должна превышать 0,5 мм/час, а осевой температурный градиент в расплаве не должен быть меньшим, чем 2−3 К/см.

9. Практически реализован устойчивый синтез кристаллов парателлурита из расплава, свободных от газовых включений.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Liebertz J. Einkristallzuchung von Paratellururit // Kristall und Technik. 1969. V.4. P.221−225.
  2. Miyazawa S., Iwasaki H. Single crystal growth of paratellurite Те02 // Japanese Journal of Applied Physics. 1970. V.5. № 9. P.441−445.
  3. Bonner W.A., Singh S., Van Uitert L.G., Warner A.W. High Quality Tellurium Dioxide for Acousto-Optic and Non-Linear Applications // J. Electronic Materials. 1972. V.l. P. 155−165.
  4. Miyazawa S., Kondo S. Preparation of paratellurite ТеОг // Materials Research Bulletin. 1973. V.8. P.1215−1222.
  5. Grabmaier J.G., Plattner R.D., Schieber M. Suppression of constitutional supercooling in Czochralsky-growth Paratellurite // J. Crystal Growth. 1979. V.20.P.651−653.
  6. A.A., Бондаренко B.C., Переломова H.B. и др. Акустические кристаллы. М. 1982. С.242−253.
  7. Magdich L.N., Molchanov V.Ya. Acoustooptic Devices and Their Applications. New York: Gordon and Breach Science Pub. 1989. 238 P.
  8. A.A. Кристаллы квантовой и нелинейной оптики. М.-МИСИС. 2000. 432С.
  9. Ю.М., Молчанов В. Я., Колесников А. И., Терентьев И. А., Ильин В. Е. Новые применения акустооптических устройств предъявляют новые требования к монокристаллам парателлурита // Физика кристаллизации. Тверь.: ТвГУ. 2002. С.9−17.
  10. А.Ф., Торгашин А. Н., Чаликиди Н. К. Акустоопти-ческий дефлектор для технологических лазеров на длине волны 1,06 мкм // Акустооптические устройства и их применение. Орджоникидзе: СОГу, 1989. С.30−36.
  11. В.А. Оптические запоминающие устройства. Л.: Энергия. 1979.184 С.
  12. A.M., Седова JI.B., Талызин И. В., Токач О. И., Третьяков С. А., Леванчук А. Н. Газовые пузырьки в кристаллах парателлурита // Вестник ТвГУ. Серия «Физика». 2004. № 4 (6). С.57−64.
  13. А.И., Каплунов И. А., Терентьев И. А. Дефекты различных размерностей в крупногабаритных монокристаллах парателлурита // Кристаллография. 2004. Т.49. № 2. С.229−233.
  14. Kumaragurubaran S., Krishnamurthy D, Subramanian С., Ramasamy P. Investigations on the growth of Bi2Te05 and ТеОг crystals // Journal of Crystal Growth. V.197. 1999. P.210−215.
  15. Kumaragurubaran S., Krishnamurthy D, Subramanian C., Ramasamy P. Growth of paratellurite crystals: effect of axial temperature gradient on the quality of the crystals // J. Crystal Growth. 2000. V.211. P.276−280.
  16. Molchanov V.Y., Chizhikov S.I., Anikin S.P., Solodovnikov N.P., Lyuty V.M., Esipov V.F., Kolesnikov A.I., Talyzin I.V. Acousto-optical systems for the images spectra analysis // Proc. SPIE. V.5828. Acousto-Optics and Applications. 2005. P.76−83.
  17. В.Я., Лютый B.M., Есипов В. Ф., Аникин С. П., Макаров О. Ю., Солодовников Н. П. Акустооптический спектрофотометр изображений для астрофизических наблюдений // Письма в астрономический журнал. 2002. Т.28. № 10. С.788−795.
  18. Smith W., Smith К. A polarimetric spectral imagor using Acousto-optic tunable filters // Experimental Astronomy. 1991. V.l. P.329−343.
  19. Molchanov V.Y., Makarov O.Yu., Kolesnikov A.I. Acousto-optical for the planetary imaging and star spectroscopy // Techical Digest of the 8-thspring scool on acousto-optics and applications. Poland. Gdansk: Jurata 2005. P.23−25.
  20. Gupta N. Acousto-optics tunable filters // Optics and photonics news. USA: Optical Society of Amerika. Nowember 1997. P.23−27.
  21. В.Я., Макаров О. Ю., Колесников А. И., Смирнов Ю. М. Перспективы применения монокристаллов Те02 в акустооптических дефлекторах УФ-диапазона // Вестник ТвГУ. Тверь. 2004. Серия «Физика». Вып.6. С.88−93.
  22. Ю.М., Каплунов И. А., Колесников А. И., Родионова Т. Е. Выращивание высокочистых крупногабаритных монокристаллов //Высокочистые вещества. 1990. № 3. С.213−216.
  23. А.И., Ленев В. В., Смирнов Ю. М. Монокристаллы парателлурита двух модификаций // Научно-технические достижения. М. 1991. № 1. С.30−33.
  24. Ю.В. Высокоэффективные монокристаллические материалы для акустооптики и акустоэлектроники // Дисс. в виде докл. на соиск. уч. ст. д. ф.-м. н М.: ИК РАН. 1998. 43 С.
  25. Korablev О., Bertaux J.-L., Grigoriev A., Dimarelis Е., Kalinnikov Yu., Rodin A., Muller C., Fonteyn D. An AOTF-based spectrometer for the studies of Mars Express ESA mission // Adv. Space Res. 2003. V.29. № 2. P.143−150.
  26. В.И., Парыгин B.H., Чирков Л. Е. Физические основы акустооптики. М.: Радио и связь. 1985. 280 С.
  27. А.Г., Пунин Ю. О. // Закономерности эволюции Земной коры. СПб: СПбГУ, 1997. Т.2. С. 318.
  28. Ю.Н., Марценюк П. С. Вычисление объема отрываю щейся капли // Методы исследования и свойства границ раздела контактирующих фаз. Киев: Наукова думка. 1977. С.30−33.
  29. А.А., Гаваргизов Е. И., Багдасаров Х. С. и др. Современная кристаллография. Т.З. М.: Наука. 1980. С.366−375.
  30. Я.Е. Почему и как исчезает пустота. М. 1976. С. 208.
  31. Н.В., Остапчук П. Н. О гомогенном зарождении газовых пор в двухкомпонентном растворе вакансий и атомов газа // Физика твердого тела. 1993. Т.35. № 4. С.929 940.
  32. A.JI. Кинетика зарождения вакансионно-газовых пор // Физика твердого тела. 1991. Т. ЗЗ № 6. С. 1860−1864.
  33. Ю.А., Богомолов В. Н., Жукова Т. Б. и др. Эволюция структуры и оптических свойств системы ультрадисперсный металл-цеолит (Na-In) в процессе упорядочения кластерной подрешетки металла // Физика твердого тела. 1982. Т.24. № 8. С.2438−2444.
  34. А.С., Ионг Зу Ю. Взаимодействие газовых пузырьков с фронтом кристаллизации расплава // Кристаллография. 1985. Т.30. № 6. С.577−581.
  35. Я.Е., Дзюба А. С. Роль открытых включений переохлажденного расплава в формировании газовых пузырей в тылу фронта кристаллизации // Кристаллография. 1981. Т.26. № 3. С.577−581.
  36. В.В., Багдасаров Х. С. Уточнение величины капиллярных сил, действующих на пузыри при кристаллизации // Физика кристаллизации. Калинин.: КГУ. 1989. С.20−27.
  37. Г. И., Воронков В. В., Хаджимухаметова И. И. Дефекты структуры в кремнии, связанные с захватом пузырьков водорода //Неорганические материалы. Т.24. № 10. 1988. С.1589−1591.
  38. А.П. Оптика рассеивающих сред. Минск: Наука и техника. 1969. С.535−538.
  39. Chernov А.А., Kedrinskii V.K., Davydov M.N. Spontaneous nucleation of bubbles in a gas-saturated melt under instantaneous decompression // Journal of Applied Mechanics and Technical Physics. 2004. V.45. № 2. P.28.
  40. Dorbolo S., Caps H., Vandewalle N. Fluid instabilities in the birth and death of antibubbles // New Journal of Physics. 2003. P.161.1−161.9.
  41. Wang Ya., Lead to Detached Solidification Experiments on
  42. Freezing of Water//Crystal Growth and Design. 2002. V.2. № 5. P.453−461.
  43. Н.Ф., Серязов H.B., Ципенюк. Д. Ю. Малоугловое рассеяние лазерного излучения на стабильных образованиях микронного масштаба в дважды дистиллированной воде // Квантовая Электроника. 2005. Том.35. № 2. С. 180−184.
  44. А.С. Особенности формирования газовых включений при росте кристалла из расплава // Кристаллография. Т.27. Вып.З. 1982. С.551−555.
  45. В.В. Зарождение газонаполненных пор в твердых растворах//Физика твердого тела. 1995. Т.37. № 10. С.2879−2891.
  46. В.В. Динамическое поведение газовых включений в затвердевающем расплаве // Металлы. 1985. № 5. С.56−63.
  47. С.Г., Оганесян А. С., Оганесян А. Х., Тосмазян С. А. Захват газовых включений при выращивании кристаллов по Чохральскому // Тезисы докладов II Всесоюзной конференции по росту кристаллов. Харьков. НИИТЭХНМ. 1982. С. 49.
  48. Foldvari I., VoszkaR., Peter A. Comments on gas-bubble entrapment in Te02 single crystals // Journal of Crystal Growth. 1982. V 59. P.651−653.
  49. А.И. Влияние условий роста на распределение дефектов в чистых и легированных монокристаллах парателлурита // Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь. 1996. 24С.
  50. Lim L.C., Tan L.K., Zeng Н.С. Bubble formation in Czochralski-grown lead molybdate crystals // Journal of Crystals Growth. 1996. V.167. P.686−692.
  51. В.А., Хавин В. А. Краткий химический справочник. Л.: Химия. 1978. С. 104.
  52. А.И., Каплунов И. А., Седова Л. В., Третьяков С. А. Электропроводность расплава диоксида теллура // Расплавы. 2005. Вып.6.№ 19. С.69−73.
  53. С.А. Стереометрическая металлография (стерео-логия металлических материалов). М.: Металлургия. 1976. 276С.
  54. А.И. Кинетика захвата газовых пузырьков кристаллами диоксида теллура // Физика кристаллизации. Калинин.: КГУ. 1984. С.7−15.
  55. А.П. Внешняя морфология и распределение дислокаций в кристаллах парателлурита // Докл. АН СССР. 1982. Т.263. С.1132−1134.
  56. Р.Б. Растворение кристаллов. Л.: Недра. 1979. 272С.
  57. А.И. Фазовые равновесия и поверхностные явления. М.: Химия. 1967−2077.
  58. А.Н., Самсонов В. М., Сдобняков Н. Ю. Применение термодинамической теории возмущений к расчету межфазного натяжения малых объектов // Журнал физической химии. 2002. Т.76. № 11. С.2073−2077.
  59. В.М., Базулев А. Н., Сдобняков Н. Ю. О линейной формуле Русанова для поверхностного натяжения малых объектов // Доклады Академии наук. 2003. Т.389. № 2. С.211−213.
  60. В.В. О развитии крупномасштабных флуктуаций энергии при кристаллизации, приводящих к рождению газовых пузырей // Физика кристаллизации. Калинин.: КГУ, 1989. С. 12−19.
  61. А.И., Каплунов И. А., Смирнов Ю. М. Рассеяние света монокристаллами парателлурита // Тезисы IX нац. конференции по росту кристаллов. М.: ИК РАН. 2000. С. 47.
  62. Кох А. Е. Выращивание кристаллов парателлурита автоматизированным методом Чохральского // Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. Л.: ГОИ. 1985. С.15−16.
  63. И.А., Колесников А. И., Талызин И. В., Седова Л. В., Шайович С. Л. Измерение коэффициентов ослабления света монокристаллами германия и парателлурита // Оптический журнал. 2005. Т.72. № 7. С.85−89.
  64. И.А., Колесников А. И., Скоков К. П., Гречишкин P.M., Седова Л. В., Третьяков С. А. Связь между механическими напряжениями и оптическими аномалиями в германии и парателлурите // Оптический журнал. 2005. Т.72. № 7. С.85−89.
  65. О.П., Овсиенко Д. Е., Чемеринский Г. П. Взаимодействие включений с кристаллами, растущими из расплава // Моделирование роста кристаллов: Тезисы II Всесоюзной конференции.1. Рига. 1987. С.137−138.
  66. И.И., Пекарь Я. М., Полякова Т. Ф., Шпырко Г. Н. Получение двуокиси теллура высокой степени чистоты // Тезисы докладов II Всесоюзной конференции по росту кристаллов. Харьков. НИИТЭХНМ. 1982. С. 106.
  67. Г. Г. Секториальное строение кристалла. М. Л.: Изд. АН СССР. 1948. 40С.
  68. О.Д., Тимман Б. Л. Моделирование поведения включе ний вблизи фронта кристаллизации // Моделирование роста кристаллов: Тезисы II Всесоюзной конференции. Рига. 1987. С.208−210.
  69. Л.В. Секториальное распределение газовых пузырьков в кристаллах парателлурита // Вестник ТвГУ. Серия «Физика». 2005. Вып.2. № 9(15). С.58−67.
  70. Ю.К., Бриксман В. А. Гидродинамика и теплообмен в невесомости. М.: Наука. 1982. С.98−109.
  71. В.А., Старшинова И. В., Фрязинов И. В. Математическое моделирование: Получение монокристаллов и полупроводниковых структур. М. 1986. С.40−59.
  72. М.И., Петунина И. Н. Влияние тепловых условий на перемещение пузырей перед фронтом кристаллизации // Тезисы докладов II Всесоюзной конференции по росту кристаллов. Харьков. НИИТЭХНМ. 1982. С. 80.
  73. И.М. Избранные труды. Физика реальных кристаллов и неупорядоченных систем. М.: Наука. 1987. С. 552.
  74. Ю.М., Колесников А. И. Концепция особойсингулярной грани (на примере парателлурита) // Физика кристаллизации. Тверь: ТвГУ. 1994. С.24−28.
  75. Ю.Л. Статистическая физика. М.: Наука. 1982. С.554−576.
  76. Ю.М. Кристаллофизика в Тверском государствен-ном университете // Вестник ТвГУ. Серия «Физика». 2004. № 4(6). С.54−56.
  77. Ю.М. Симметрия взаимодействий векторных величин // Физика кристаллизации. Калинин: КГУ. 1990. С.25−29.
  78. В.А. Устойчивый рост кристаллов. М.: Наука. 1988. С. 240.
  79. Л.Э. Дифференциальные уравнения и вариационное вычисление. М.: Наука. 1969. 424С.
  80. И.В. Процессы тепло-и массопереноса в расплаве при выращивании монокристаллов по Чохральскому // Автореферат диссертации кандидата технических наук ГИРЕДМЕТ. М. 1983. 22С.
  81. Ю.В. Математическое моделирование течений жидкости и газа на основе квазигидродинамических и квазигазодинамических уравнений // Автореф. дисс. на соиск. уч. степ. д. ф.-м. н.Тверь. 2001. С. 18.
  82. Г. Выращивание кристаллов из расплава. Конвекция и неоднородности.: Пер. с англ. М.: Мир. 1991. 143С.
  83. A.B. Электропроводность расплавленных хлоридов иттрия и редкоземельных элементов // Расплавы. 1988. Т.2. Вып.4. С. 120−123.
  84. К.Т. Выращивание кристаллов. Л.: Недра. 1977. 600С.
  85. В.А., Ленев В. В., Колесников А. И. Электропроводность парателлурита // Физика кристаллизации. Тверь. 1991. С.97−102.
  86. Ф. Измерение температур в технике. М.: Металлургия. 1980. 543С.
  87. Л.В., Колесников А. И., Гречишкин Р. М., Каплунов И. А. Влияние конвекции расплава диоксида теллура на захват газовых пузырьков кристаллами парателлурита // Вестник ТвГУ. Серия «Физика». 2005. ЖС.68−74 .
  88. Л.Н., Винокуров В. А., Геталов B.C. Основные условия выращивания структурно совершенных кристаллов из расплава методом Чохральского // Моделирование роста кристаллов. Тезисы II Всесоюзной конференции. Рига. 1987. С.278−279.
  89. Milsom J.A., Pamplin B.R. Thermal oscillations in melts // Prog. Crystal Growth Charact. 1981. V.4. P. 195−219.
  90. Ю.И. Оптические свойства полупроводников. M.: Наука. 1977. 366С.
  91. . Рост и форма кристаллов. М. 1961. 210С.
  92. Ю.М. Симметрия физических величин // Физика кристаллизации. Тверь: ТвГУ. 1992. С.51−53.
  93. А.Ю., Хартманн Э., Батурин Н. А. Циркулярный дихроизм в кристалле парателлурита // Кристаллография. 1986. Т.31. Вып.З. С.602−603.
  94. А.Г. Оптические аномалии в кристаллах неорганических твердых растворов // Автореф. дисс. на соиск. уч. ст. к.геол.-мин. наук. СПб: СПбГУ, 1997. 16С.
  95. Я.И. Кинетическая теория жидкостей. JL: Наука. 1975. 592С.
  96. В.И. Гидромеханика и теплообмен при выращивании кристаллов. В кн.: Итоги науки и техники. Механика жидкости и газа. М.: ВИНИТИ. 1984. Т. 18. С. 198.
  97. ХакенГ. Синергетика: Иерархии неустойчевостей в самоорганизующихся системах и устройствах. М.: Мир. 1985. 423С.
  98. П. Конвекция Рэлея-Бенара в жидкостях с высоким числом Прандтля. М.: Мир. 1984. С.220−223.
  99. В.И. Теория катастроф. М.: МГУ. 1983. 80С.
  100. Кох А.Е., Ипатьева O.E. Некоторые вопросы тепломас-сопереноса при выращивании кристаллов парателлурита методом Чохральского // Тезисы докладов Ш Всесоюзной конференции «Моделирование роста кристаллов». Рига. 1990. С.279−280.
  101. Кох А.Е., Шкуратов Е. Б. Инверсия формы фронта кристаллиза ции при выращивании кристаллов по Чохральскому // Тезисы докладов II Всесоюзной конференции по росту кристаллов. Харьков. НИИТЭХНМ. 1982. С. 68.
  102. В. М. Кудзин А.Ю., Садовская Л. Я. Физические свойства и особенности технологии получения кристаллов ТеОг и соединений на его основе // Тезисы докладов II Всесоюзной конференции по росту кристаллов. Харьков. НИИТЭХНМ. 1982. С. 47.
  103. В.А., Алексеева Н. В., Кох А.Е. Выращивание кристаллов парателлурита в направлениях 001., [100], [112] // Тезисы докладов II Всесоюзной конференции по росту кристаллов. Харьков. НИИТЭХНМ. 1982. С. 35.
  104. Виноградов A.B., JIomohob В.А., Першин Ю. А., Сизова Н. Л. Рост и некоторые свойства монокристаллов ТеС>2 большого диаметра // Кристаллография. 2002. Т. 47. № 6. С.1105−1109.
  105. Я.Е. Пузыри. М.: Наука. 1985. С. 176.
  106. П.И. Изучение капиллярных явлений в процессе роста кристаллов // Рост кристаллов. М.: ИКАН. 1965. Т.VI. С.158−160.V
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!