Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Люминесценция ионных кристаллов, возбуждаемая импульсами сильноточного электронного пучка

Диссертация: Люминесценция ионных кристаллов, возбуждаемая импульсами сильноточного электронного пучка
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

С другой стороны фото-, рентгенои катодолюминесценция ще-лочно-галоидных кристаллов (ЩГК) при существенно меньших мощностях возбуждения изучалась в работах Лущика, Лийдья, Куусманна, Либлика, Н. Лущик, Плеханова и др. В частности, в работе была впервые зарегистрирована люминесценция свободных экситонов (СЭ) в широкощелевых ионных кристаллах. В ряде ЩГК была также обнаружена примыкающая к краю… Читать ещё >

Люминесценция ионных кристаллов, возбуждаемая импульсами сильноточного электронного пучка (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Список сокращений
  • Глава I. ЛШИНЕСЦЕНЦИЯ ШИРОКОЩЕЛЕВЫХ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ ПРИ
  • ВОЗБЗДЕНИИ ЭЛЕКТРОНАМИ (литературный обзор)
    • 1. 1. Общие замечания
    • 1. 2. Размен энергии быстрого электрона в ТТ
    • 1. 2. 1, Взаимодействие быстрых электронов с ТТ
      • 1. 2. 2. Высокоэнергетические электронные возбуждения в
      • 1. 2. 3. Плазмоны в диэлектриках «,
    • 1. 2. 4, Размножение электронных возбуждений
    • 1. 3. Свечение высокоэнергетичных электронов в ТТ
    • 1. 3. 1, Тормозное излучение
    • 1. 3. 2, Переходное излучение
    • 1. 3. 3, Роль излучения вторичных электронов
    • 1. 4. Электронные возбуждения в широкощелевых ионных кристаллах
    • 1. 4. 1, Свободные и автолокализованные возбуждения
    • 1. 4. 2, Электроны (дырки) в фононном поле
    • 1. 4. 3, Экситоны в фононном поле
    • 1. 4. 4, Адиабатическая поверхность экситона
    • 1. 4. 5, Взаимодействие экситона Френкеля с оптическими фононами
    • 1. 4. 6, Энергетическая структура в пассивной зоне
    • 1. 5. Релаксация электронных возбуждений
    • 1. 5. 1. Особенности релаксации зонных и локализованных электронных возбуждений
    • 1. „5.2. Релаксация зонного состояния
      • 1. 5. 3. Релаксация в локальном состоянии
      • 1. 6. Свечение электронных возбуждений широкозонных диэлектриков
      • 1. 6. 1. Свечение зонных электронов и дырок
      • 1. 6. 2. Свечение свободных экситонов
      • 1. 6. 3. Правило Урбаха
      • 1. 6. 4. Люминесценция, связанная с краем экситонного поглощения.*
      • 1. 6. 5. Горячая люминесценция локализующихся экситонов
      • 1. 6. 6. Широкополосная люминесценция широкозонных диэлектриков
  • Глава 2. МЕТОДИКА ЛШИНЕСЦЕНТНЫХ ИЗМЕРЕНИЙ ПРИ ВОЗБУВДЕНИИ ИМПУЛЬСАМИ СЭПа
    • 2. 1. Сильноточный ускоритель электронов
      • 2. 1. 1. Ускоритель ГИН-600 .“
      • 2. 1. 2. Сильноточный электронный пучок ГИНа
    • 2. 2. Экспериментальная камера
      • 2. 2. 1. Криостат
    • 2. *2.2. Вакуумная система.»
      • 2. 3. Оптический тракт регистрации катодолюминесцен
        • 2. 3. 1. Геометрия эксперимента
        • 2. 3. 2. Оптический тракт
        • 2. 3. 3. Калибровка оптического тракта
      • 2. 4. Тракт регистрации
        • 2. 4. 1. Особенности тракта регистрации
        • 2. 4. 2. Фотоэлектронные умножители
        • 2. 4. 3. Блок-схема тракта регистрации .,.,
      • 2. 5. Особенности методики
        • 2. 5. 1. Процедура измерения спектров ."
        • 2. 5. 2. Температурные измерения и температура возбужденной области кристалла
        • 2. 5. 3. Эффекты зарядки и разрушения
        • 2. 5. 4. Спектр СЭПа и свечения, сопровождающие СЭП
      • 2. 6. Объекты исследования ««
  • Глава. 3, ИМПУЛЬСНАЯ ЛШИНЕСЦЕН1Щ ОКИСЛОВ МЕТАЛЛОВ (МдО
  • Д. УД) И LlH
    • 3. 1. Импульсная люминесценция окислов металлов третьей группы при возбуждении СЭПом
      • 3. 1. 1. Люминесценция ya и ад
      • 3. 1. 2. Импульсная люминесценция Т20з
      • 3. 1. 3. Свечение АЛЭ в Y^O^ как репер для измерения энергетического выхода .»
      • 3. 1. 4. Импульсная люминесценция fltgC^
    • 3. 2. Проявление люминесценции свободных экситонов при возбуждении СЭПом (LlH, МдО)
      • 3. 2. 1. Люминесценция СЭ в кристаллах LlH
      • 3. 2. 2. Люминесценция СЭ в кристаллах М^О (обзор)
      • 3. 2. 3. Краевое излучение ИдО, возбуждаемое СЭПом ,
    • 3. 3. Катодолюминесценция кристаллов М^О
    • 3. 3,1. Люминесценция кристаллов McjO и автолокализация экситонов (обзор)
      • 3. 3. 2. Импульсная катодолюминесценция кристаллов
  • МдО .Ю
    • 3. 3. 3. Длинноволновой спад краевого излучения и правило Урбаха
    • 3. 4. Люминесценция кристаллов MqO-Ca
      • 3. 4. 1. Спектры катодолюминесценции
      • 3. 4. 2. Кинетика катодолюминесценции кристаллов
  • MgO-Ca .ш
    • 3. 4. 3. Катодолюминесценция кристаллов MgO’fll
  • Глава 4. ИМПУЛЬСНАЯ ЛШИНЕСЦЕНЦИЯ ЩГК ПРИ ВОЗБУВДЕНИИ СЭПом
    • 4. 1. Электронные возбуждения и люминесценция ЩГК
      • 4. 1. 1. Общая характеристика
      • 4. 1. 2. Горячая люминесценция АЛЭ в ЩГК
      • 4. 1. 3. Вцутризонная (плазменная) люминесценция
    • 4. 2. Коротковолновая люминесценция ЩГК, возбуждаемая СЭПом
      • 4. 2. 1. Люминесценция кристаллов Ю
      • 4. 2. 2. Люминесценция кристаллов KBr, KCt и NaCf
      • 4. 2. 3. Катодолюминесценция кристаллов NaBr и ее кинетика .*
  • Глава 5. СВЕЧЕНИЕ ЩГК, В03БУВДШ0Е ИМПУЛЬСАМИ ВУФ-ИЗЛУЧЕ
    • 5. 1. Методика эксперимента
    • 5. 1. Л. Постановка задачи
      • 5. 1. 2. Импульсный источник света
      • 5. 1. 3. Оптический тракт и экспериментальная камера
    • 5. 1,4. Электронная часть тракта регистрации
      • 5. 2. Свечение ЩГК, возбуждаемое имцульсами
  • ВУФ-радиации
    • 5. 2. 1. Спектры фотолюминесценции Ю и КБг
      • 5. 2. 2. Квантовый выход широкополосной люминесценции
      • 5. 2. 3. Плотность энергетического выхода широкополосной люминесценции КЗ
  • Глава 6. ПРИРОДА КОРОТКОВОЛНОВЫХ СВЕЧЕНИЙ, РЕГИСТРИРУЕМЫХ В ШИРОКОЩЕЛЕВЫХ ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ ПРИ ВОЗБУЖДЕНИИ СЭПом
    • 6. 1. Возможный вклад излучения релятивистских электронов в свечение, возбуждаемое СЭПом
      • 6. 1. 1. Тормозное излучение
      • 6. 1. 2. Излучение Вавилова-Черенкова и переходное излучение
    • 6. 2. Люминесценция широкощелевых ионных кристаллов при мощности возбуждения 10 вт/см
      • 6. 2. 1. Анализ спектральных характеристик люминесценции, возбуждаемой СЭПом
      • 6. 2. 2. Эффективность люминесценции, возбуждаемой СЭПом
      • 6. 2. 3. Коротковолновые свечения широкощелевых ионных кристаллов и внутризонная люминесценция

Актуальность. Одна из важнейших проблем современной физики твердого тела заключается в исследовании создания, релаксации и распада собственных электронных возбуждений в твердых телах разных классов и их специфических особенностей при больших мощностях возбуждения (образования, например, электронно-дырочных капель Келдыша или биэкситонов).

Эта актуальная в научном и прикладном отношениях проблема особенно детально и глубоко изучена с применением мощных лазеров в узкощелевых полупроводниках. Применительно к широкощелевым ионным кристаллам до последнего десятилетия исследование электронных возбуждений (из-за отсутствия мощных лазеров коротковолнового диапазона и других источников возбуждения большой мощности) ограничивалось в основном применением меньших мощностей возбуждения. Для широкощелевых ионных кристаллов были обнаружены явления автолокализации дырок и экситонов, свободные экситоны, эффект сосуществования свободных и автолокализованных экситонов (см. обзоры.

I. 2]).

Возможности исследования электронных возбуждений в широкощелевых ионных кристаллах значительно расширились после привлечения к твердотельной тематике сильноточных электронных пучков. Открытие перехода автоэлектронной эмиссии с металлического острия во взрывную [3, 4] в сверхсильных электрических полях привело к созданию сильноточных ускорителей электронов, на несколько порядков увеличив токи, достигаемые в импульсных пучках электронов. В 1970 г. Месяц с сотрудниками создали первые отечественные наносекундные сильноточные ускорители электронов [б]. В настоящее время в исследованиях по физике твердого тела широко используется ускоритель ГИН-600 конструкции Ковальчука, по своим параметрам близкий американскому ускорителю «Фебетрон.

9 8.

— 706″, обеспечивая мощности возбуждения 10−10 Вт.

Начиная с первых работ американских и японских физиков [б, 7] сильноточный электронный цучок (СЭП) широко используется многими исследователями для изучения структуры экситонов, процессов образования и преобразования радиационных дефектов. СЭП, создающий за наносекундные времена большие концентрации элементарных возбуждений в кристаллах, позволяет изучать их с наносе-кундным временным разрешением прямыми абсорбционными методами. СЭП, а также импульс тормозного излучения, полученный трансформацией СЭПа, стал вследствии использоватся и в люминесцентных исследованиях в качестве наносекундного источника возбуждения.

Практически одновременно с американскими и японскими физиками оптические, электрические и механические свойства твердых тел при возбуждении СЭПом начали изучать в Томском Политехническом институте Вайсбурд с сотрудниками. Выл обнаружен ряд новых явлений: хрупкое разрушение кристаллических диэлектриков [8], мощная эмиссия электронов с поверхности диэлектрика [9], высокоэнергетическая проводимость ионных кристаллов [Ю] и новый вид слабого сплошного свечения ионных кристаллов (названный плазменной люминесценцией) [il], так или иначе связанных с использованием СЭПа.

Плазменная люминесценция характеризовалась рядом необычных для известной к тому времени люминесценции свойств: большая протяженность спектра и высокая температурная стабильность. Это свечение было обнаружено в щелочно-галоидных кристаллах. Высокая плотность возбуждения, создаваемая СЭПом в кристалле, позволила первоначально высказать гипотезу о принадлежности свечения плотной электронно-дырочной плазме (аналог электронно-дырочных капель Келдыша в полупроводниках) [il] .К настоящему времени в результате более подробного изучения свойств этого свечения оно приписывается электронно-дырочной плазме [l2, а также обзор 13], с необходимостью присутствующей в кристалле при облучении частицами высоких энергий. Свечение это, согласно модели [12, 13], является линейным откликом твердого тела на высокоэнергетическое возбуждение.

С другой стороны фото-, рентгенои катодолюминесценция ще-лочно-галоидных кристаллов (ЩГК) при существенно меньших мощностях возбуждения изучалась в работах Лущика, Лийдья, Куусманна, Либлика, Н. Лущик, Плеханова и др. [i, 14−22]. В частности, в работе [15] была впервые зарегистрирована люминесценция свободных экситонов (СЭ) в широкощелевых ионных кристаллах. В ряде ЩГК была также обнаружена примыкающая к краю собственного поглощения слабая широкополосная люминесценция [16, I]. Эта люминесценция рассматривалась в рамках релаксации электронных возбуждений в запрещенной зоне кристалла. Для No3 это свечение было приписано горячей люминесценции (ГЛ) в ходе релаксации электронного возбуждения в термализованное состояние автолокализованного эк-ситона (АЛЭ) [i]. Некоторые особенности широкополосного свечения в KCt, KBr и lj связывались со свечением метаста-бильных одногалоидных АЛЭ [i]. Люминесценция с очень малым квантовым выходом возбуждалась в большом классе ионных кристаллов [16, 21, 22] .

Изучение свечения ЩГК с малой спектральной плотностью было продолжено в экспериментах по фотовозбуждению [17, 18]. Для.

Nci3 было показано, что, в отличие от краевой люминесценции, широкополосное свечение возбуждается фотонами не только в экси-тонной полосе поглощения, но и на краю межзонного поглощения. В дальнейшем в работах Хижнякова, Плеханова, Завта и др. [19, 20] было показано, что структурные особенности широкополосной люминесценции NqD и Ю хорошо описываются в рамках теории ГЛ АЛЭ в приближении промежуточной скорости релаксации. Отметим, что в этом цикле работ по собственной фото-, рентгенои катодолюми-несценции преимущественно использовалась стационарная и реже микросекундная техника возбуждения.

Хотя интегральный выход вцутризонной плазменной люминесценции (которую мы в дальнейшем будем называть вцутризонной люq минесценцией — ВЛ) предполагался высоким (^ 10 эВ/эВ, согласно [13]), из-за большой спектральной ширины спектральная плотность излучения (как ВЛ, так и широкополосной катодолюми-несценции) оказывалась крайне низкой. Это, повидимому, а также относительно слабая изученность других (исключая ЩГК) широкощелевых систем, привело к тому, что к моменту начала нашей работы в 1976 году сведения об импульсной катодолюминесценции с малой спектральной плотностью излучения (в том числе и возбуждаемой СЭПом) ограничивались ЩГК. В стационарной же катодолюминесценции широкощелевых систем изучение с малой спектральной плотностью наблюдалось в [1б] .

Целью настоящей работы было применение СЭПа наносекундной длительности для исследования люминесценции и специфических особенностей короткоживущих электронных возбуждений в широкощелевых ионных кристаллах различных классов (, Х>0з «А^Оз «.

КС?, КЬг, Ю, Mr, LiH и др.), изученных ранее (в том числе и в ИФ АН ЭССР) с применением других методов возбуждения (см. обзоры [i, 2, 23−25J).

Первоначально предполагалось сконцентрировать внимание на наименее изученных для широкощелевых ионных кристаллах эффектах, связанных с большой мощностью СЭПа — эффектах парного или более сложного коллективного взаимодействия электронных возбуждений. Предварительные эксперименты показали, однако, что переход к прямое изучению таких эффектов трудно осуществить, мицуя стадию изучения специфических особенностей не взаимодействующих (или слабо взаимодействующих) электронных возбуждений, создаваемых в кристалле СЭПом при мощности возбуждения порядка 10^ о.

Вт/см, когда еще не теряется индивидуальность короткоживущих электронных возбуждений и не происходит значительной порчи ра-диационностойких кристаллов (MgO, У203, flf203 >.

Поэтов в рамках этой диссертации мы разработали методику исследования люминесценции, возбуждаемой наносекундными импульсами СЭПа, охватив при этом совершенно неизученную ранее с применением этих цучков ВУФ-область спектра (6−10 эВ) и осуществили исследование коротковолновой люминесценции в ряде широкощелевых ионных кристаллов.

Объектами исследования были выбраны широкощелевые ионные кристаллы М^О и LlH с четко выраженным свечением СЭ, ЩГК с характерной для них двухгалоидной автолокализацией экситонов и соответствующей люминесценцией АЛЭ, в том числе и кристаллы, в которых наблюдается сосуществование СЭ и АЛЭ, а также кристаллы уд B ад, обладающие значительно более сложной кристаллической решеткой, в которых имеет место безбарьерная автолокализация экситонов (Y2O3)•.

Научная новизна результатов работы состоит в том, что с на-носе^ундным временным разрешением в коротковолновой (в том числе впервые в вакуумной ультрафиолетовой) области спектра изучена катодолюминесценция большого числа широкощелевых ионных кристаллоВ < /КД, УД, MgO, LlH, КЗ, КВг, КС? ,.

NaBr, NaCf), различающихся механизмом релаксации электронных возбуждений, а также оценена эффективность катодолюминес-ценции изученных соединений в коротковолновой области спектра (исключая LiW).

Наиболее важные результаты и выводы диссертации заключаются в следующем:

1. С применением ускорителя электронов ГИН-600 конструкции Месяца и Ковальчука разработана методика исследования с наносе-цундным (4 не) временным разрешением импульсной люминесценции широкощелевых ионных кристаллов в коротковолновой области спектра от 4 эВ до 10 эВ (вплоть до краев собственного поглощения исследованных кристаллов),.

2. В спектрах впервые исследованной в ВУФ-области малоинерционной люминесценции широкощелевых ионных кристаллов зарегистрированы L0-повторения свечения свободных экситонов (McjO ,.

LlM), широкополосная горячая люминесценция автолокализу-ющихся экситонов (КЗ, КВг, КС!), краевое свечение Ц (Д экспоненциально спадающее с уменьшением частоты, и бимолекулярное рекомбинационное свечение.

3. В исследованных широкощелевых ионных кристаллах в наносекунд.

9 / 2 ном диапазоне времен при мощностях возбуждения 10 вт/см основные проявления коротковолновой люминесценции собственных электронных возбуждений соответствуют линейно^ отклику твердого тела на возбуждение,.

4. Широкополосная малоинерционная коротковолновая люминесценция с малой спектральной плотностью энергетического выхода.

— 10 фотонов в интервале энергий I эВ на I эВ поглощенной энергии) не является универсальной, а отражает специфические для кристаллов различных классов (ЩГК, оксиды металлов) особенности релаксации электронных возбуждений в запрещенной зоне кристалла.

Вклад автора. Основные результаты диссертационной работы изложены в 8 цубликациях, список которых приведен в Заключении. В коллективных публикациях автору принадлежат результаты, приведенные в выводах.

Апробация работы. Основные результаты работы были доложены на 27 совещании по люминесценции (Эзерниеки, 1980), на Всесоюзном совещании по люминесценции, посвященном 90-летию со дня рождения академика С. И. Вавилова (Ленинград, 1981), на Международной конференции «Дефекты в диэлектрических кристаллах» (Рига, 1981) и на Прибалтийских семинарах по физике ионных кристаллов (Вильянди, 1979, Лиелупе, 1983, 1984, Лохусалу, 1980, 1981, 1982).

Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из 6 глав, введения, заключения и списка литературы.

Первая глава посвящена обзору литературы по взаимодействию электронов с ТТ, по структуре собственных электронных возбуждений в широкощелевых системах и их релаксации.

Во второй главе описана методика исследования катодолюми-несценции при возбуждении импульсами СЭПа и дана характеристика объектов исследования,.

В третьей главе описаны результаты исследования импульсной катодолюминесценции оксслов металлов второй и третьей групп (МдО, /И203, Y203), а также LW .

Четвертая глава посвящена исследованию ЩГК при возбуждении импульсами СЭПа (ГС, KBr, KCt, NaBr, NaCe).

В пятой главе описаны методика и результаты эксперимента по исследованию коротковолновой люминесценции КЗ и КВг, возбуждаемой в области межзонных переходов имцульсами ВУФ-излуче-ния.

В заключительной, шестой главе обсуждается с привлечением результатов глав 3−5 природа коротковолновых свечений, возбуждаемых СЭПом в исследованных кристаллах.

Основные выводы и результаты.

1. С применением ускорителя электронов ГИН-600 конструкции Ме-сяца-Ковальчука разработана методика исследования в коротковолновой области спектра (4−10 эВ) с наносецундным временным разрешением (4 не) имцульсной люминесценции, возбуждаемой сильноточными электронными пучками.

2, Разработана методика исследования имцульсной фотолюминесценции с малой спектральной плотностью квантового выхода с / т эВ~) при возбуждении в ВУФ-области спектра (69 эВ) с временным разрешением 70 не (совместно с Б.Р.Намозо-вым),.

3. В спектрах впервые исследованной в ВУФ-области спектра с временным разрешением 4 не люминесценции широкощелевых ионных кристаллов зарегистрированы L0 -повторения свечения свободных экситонов в кристаллах М^О и широкополосная люминесценция щелочногалоидных кристаллов (.

KCf, КВг ,.

NaCf), наблюдавшиеся ранее с худшим временным разрешением,.

4, Для кристаллов М^О высокой чистоты показано, что при 77 К спектр люминесценции длительностью меньше 4 не в области 7,45−6,25 эВ экспоненциально спадает с уменьшением энергии фотонов, что может быть интерпретировано, как излучение из состояний, формирующих длинноволновой край собственного поглощения («урбаховский хвост»), такое поведение краевого свечения М^О отличает эту систему от щелочногалоидных кристаллов, для которых характерно S ^ В, и от полупроводников, где 5 < В, Оудя по ряду особенностей люминесценции, в М§-0 5 и D близки по величине".

5. На примере примесной люминесценции 6,7 эВ в кристалле МдО-Са при 77 К обнаружено рекомбинационное свечение, которое при больших мощностях возбуждения может быть описано в рамках простой бимолекулярной кинетики с квадратичным гиперболическим законом затухания,.

6. Для щелочногалоидных кристаллов высокой чистоты (КСС. ,.

КВг, КЗ, а также NaCl) между краем собственного поглощения и термализованным свечением автолокализованного экситона наблюдалось слабое структурированное широкополосное свечение, длительностью меньше аппаратурной (4 не), характеристики которого хорошо согласуются с предложенной ранее интерпретацией этого свечения как горячей люминесценции автоло-кализующихся экситонов.

7. Особенности слабой малоинерционной люминесценции кристаллов.

Пф, А? г03, KCt, КВг, КЗ и NaCe в области от края собственного поглощения до 4 эВ сопоставлены с двумя существующими в настоящее время точками зрения, трактующими слабое широкополосное свечение, как свечение, возникающее при переходах вцутри зоны проводимости («вцутризонная люминесценция ЩГК» [13]), либо как свечение релаксирующих электронных возбуждений в запрещенной зоне кристалла (горячая люминесценция [i, 19]). Показано, что в коротковолновой области спектра (Е > 4 эВ) свечение в значительной части соответствует второй гипотезе" В ЩГК (КЗ, КВг) оно наблюдается при возбуждении tl (x) ~ Eg, т. е. в условиях, когда коротковолновая вцутризонная люминесценция невозможна.

8. Сравнением спектров люминесценции МдО, ДеД и щелоч-ногалоидных кристаллов, полученных при резко различных способах и мощностях возбуждения, а также сравнением эффективности люминесценции, возбуждаемой СЭПом, рентгеновским излучением и фотонами в области начала фундаментального поглощения КЗ, КВг, NaCf, KCt, /Й203) показано, что основные проявления коротковолновой люминесценции собственных.

9 /3 электронных возбуждений при мощности возбуждения 10 вт/см соответствуют линейноьу отклику твердого тела на возбуждение*.

9. Для кристаллов MgO, ftlA, КЗ, КВг, ка, ЫаСг показано, что малоинерционная коротковолновая люминесценция с малой спектральной плотностью энергетического выхода -5 —7.

10 -10 фотонов в интервале энергий I эВ на I эВ поглощенной энергии ионизирующего излучения) не является универсальной, а в каждом конкретном случае отражает специфические для кристалла данного вида особенности люминесцентных проявлений релаксации электронных возбуждений в запрещенной зоне кристалла.

Практическая ценность результатов работы заключается в том, что q о при умеренных мощностях возбуждения СЭПом (10 вт/см) изучена коротковолновая люминесценция широкощелевых диэлектриков и показано, что физика короткоживутцих собственных электронных возбуждений в исследованных кристаллах при таких мощностях возбуждения определяется в основном линейным откликом ТТ, Результаты исследования могут служить базой для поиска, исследования и понимания нелинейных процессов при больших мощностях возбуждения, изучение которых в широкощелевых ионных кристаллах только, по существу, начинается и дало, возможно, ряд интересных эффектов [191, 192, 194] ,.

Исследованию слабых свечений, связанных с релаксацией электронных возбуждений, также посвящено лишь небольшое число работ (см., например, [11−20]). Данные, полученные с использованием СЭПа в основном дополняют и развивают их. Преимущество СЭПа наносекундного диапазона может проявиться при регистрации ГЛ возбуждений с большим радиационным временем жизни. Дальнейший прогресс связан с использованием СЭПа субнаносекундного диапазона [142] ,.

Работы, оцубликованные по теме диссертации входят в список литературы под номерами [79, 80, 154, 155, 158, 163, 173, 156] .

В заключение принощу благодарность научному руководителю Ч. Б. Лущику за предложение темы, поддержку и постоянное внимание к работе.

Описываемая методика сильноточного возбуждения обязана своим происхождением разработанного и изготовленному в ИСЭ СО АН СССР Г. А. Месяцем и Б. М. Ковальчуком ускорителю ГИН-600, а также Д. И. Вайсбурду с сотрудниками, оказавшими помощь на стадии разработки методики.

Я признателен А. И. Кузнецову и Б. Р. Намозову за активное сотрудничество, помощь и интерес к настоящей работе, а также В. Г. Плеханову, И. Л. Куусманну, Э. Х. Фельдбаху и В. Н. Абрамову за полезные обсуждения.

Работа была бы невозможна без кристаллов высокой чистоты, выращенных Р. И. Гиндиной, А. А. Маароосом, Р. В. Милениной, Л.А.Пло-омом, О. А. Фёдоровой и Н. А. Яансон.

Значительное расширение спектрального диапазона при сохранении временного разрешения было бы невозможно без ТФБ, синтезированного Н. В. Пальм в лаборатории химической кинетики и катализа ТГУ.

Автор благодарен Н. В. Пальм и Л. А. Немцевой за помощь в оформлении диссертации.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Куусманн И, Л, Лийдья Г. Г., Лущик Ч. Б, Люминесценция свободных и автолокализованных экситонов в ионных кристаллах, — Труды ИФ АН ЭССР, 1976, т, 46, с, 5−80.
  2. Lushchik Ch.B.Free and self-trapped excitons in alkali halides: Spectra and Dynamics,-In:Excitons, ed, by Rashba E.I. and Sturge M.D., N. H, Publ, Сотр., 1982, p, 507−541&diams-
  3. Е^гаев С. П", Искольский A.M., Месяц Г. А., Проскуровский Д. И. Электронно-оптическое наблюдение инициирования и развития импульсного пробоя короткого вакуумного промежутка, — ЖТФ, 1967, т, 37,№ 12,с.2206−2208.
  4. Фурсей Г. Н., Воронцов-Вельяминов П.Н.качественная модель инициирования вакуумной дуги, — ЖТФ, 1967, т, 37,$ 10, с.1870−1888.
  5. Ь&ггаев С.П., Литвинов Е. А., Месяц Г. А,, Проскуровский Д. И, Взрывная эмиссия электронов, — УФН, 1975, т, 115, вып, 1, с.101−121.
  6. Kondo Y., Hirai М., Ueta М. Transient formation of color centers in KBr crystals under the pulsed elektron beam.- J.Phys.Soc, Japan, I972, v, 33"n.1,p.151−157.
  7. Балычев И.Н., Вайсбурд Д. И., Геринг Г. И. Мощная пороговая эмиссия диэлектриков при облучении наносекундными электронными пучками большой плотности.- Письма в ЖТФ, 1976, т.2,№ 7,с.327−330.
  8. Вайсбурд Д.И., Таванов Э. Г., Пикосекундный компонент проводимости ионных кристаллов при облучении электронными цучками большой плотности.- Письма в ЖТФ, 1975, т.1,№ II, с.531−534.
  9. Шкатов В.Т., Вайсбурд Д. И., Плоом Л.А.фундаментальная люминесценция щелочно-галоидных кристаллов при наносекундном импульсном облучении электронными цучками большой плотности.- ФТТ, 1974, т.16,№ 12,с.3722−3724.
  10. Вайсбурд Д.И., Сёмин Б.Н.фундаментальная люминесценция ионных кристаллов при высоких уровнях ионизации.- Письма в ЖЭТФ, 1980, т.32,вып.3,с.197−200.
  11. Вайсбурд Д.И., Сёмин Б. Н., Таванов Э. Г., Матлис С, Б,, Балычев И. Н., Геринг Г. И, Высокоэнергетическая электроника твёрдого тела, — Новосибирск-Наука, Сибирск. отд-ние, 1981, — 234с.
  12. Лушик Ч, Б, Электронные возбуждения и электронные процессы в люминесцирующих ионных кристаллах.- Труды ИФА АН ЭССР, т.31,с.19−83.
  13. Куусманн И.Л., Либлик П. Х., Лийдья Г. Г,, Лущик Ч, Б,, Дущик Н. Е, Соовик Т. А. Краевая люминесценция экситонов щелочных йодидов. ФТТ, 1975, т.17,ДО 12, с.3546−3550,
  14. Лущик Н.Е., Соовик Х.А.О поляризации люминесценции свободных и локализованных экситонов в ы, ю и CsBr Изв. АН СССР, сер. физ, 1976, т.40,№ 9,с.1922−1925.
  15. Абрамов В.Н., Карин М. Г,, Нузнецов А. И., Сидорин К.К.Элект-ронная энергетическая структура и оптические свойства- ФТТ, 1979, т.21,вып.1,с.80−86.
  16. Москвин А. В. Катодолюминесценция, т.1.- М#-Л.:ГИТТЛ, 1948.- 348с.
  17. Москвин А. В. Катодолюминесценция, т.П.-М.-Л.:ГИТТЛ, 1949, — 699с.
  18. Blair I.M., Pooley D. J Smith D. The lifetimes of fast recom-«bination luminescence transition in alkali halidos.-J.Phys.C: Solid State Phys., 1972, v. 5, No 12, p.1537−1552.
  19. Williams R.T., Bradford- J.N. jFaust W.L.Short-pulse optical studies of exciton relaxation and F-center formation in NaCl, KCl and NaBr.- Phys.Rev.B., 1978, v.18,No 12, p.7038−7057″
  20. Wakita S., Suzuki Y., 0htani H., Tagawa S., Hirai M. Tempera-ture dependence of the lifetimes of the state of STE in KJ, NaCl, KBr and ИЪВг crystals.- J.Phys.Soc. Japan, 1981, v.50,No 1О, p.3378−3383•
  21. Ландау Л, Д, Лифшиц Е. М, Квантовая механика, — М: Наука, 1974. 750с.
  22. Ландау Л, Д., Лифшиц Е. М, Электродинамика сплошных сред,-М.:Наука, 1982.- 620с.
  23. Хенли Э. Джонсон Э.Радиационная химия, — М.:Атомиздат., 1974, — 414с.
  24. Ферми Э. Ядерная физика, — М.:ИЛ, 1951.- 339с.
  25. Хирш П, Хови А, Николсон Р, Пэшли Д., Уэлан М. Электронная микроскопия тонких кристаллов, — М.:Мир, 1968, — 574с,
  26. Ансельм А. И. Введение в теорию полупроводников, — М.-Л: ГИФМЛ, 1962, — 418с.
  27. Пайнс Д, Коллективные потери в твердых телах, — УФН, 1957, т.62,№ 4,с.399−425.
  28. Creuzburg M. Energieverlustspectren der Alkalihalogenide und der Metalle Cu, Ag und Au und Vergleich mit optischen Messungen, — Z. Physik, 1966, B .196,H.5,S.4−33−463.
  29. Алукер Э. Д. Исследование процессов тушения радиолюминесценции щелочногалоидных кристаллов.- В кн.:Радиационная физика, вып. 5, Рига,"Зинатне», 1967, с.7−77.
  30. Эланго М. А, Рентгеновские возбуждения ионных кристаллов и их роль в создании радиационных дефектов.- Труды ИФА АН ЭССР, 1970, т.38,с.28−49.
  31. Макаров 0. А, Неизвестный И. Г., Синюков М. П. Плазменное отражение валентных электронов в германии и кремнии.-Письма в ЖЭТФ, 1983, т.37,вып.10,с, 476−479.
  32. Куусманн И.Л., Трофимова (Эксина) Т. И. Быстрые и длительные процессы в катодолюминесценции ионных кристаллов Труды ИФА АН ЭССР, 1966, т.34,с.130−144.
  33. Kuusmann I., BOhmer W., Zimmerer G. Optical properties of crystalline MgO in the far ultraviolet.— in: Int.conf. «Defects in Insulating Crystals», abstracts of cont. papers, Riga, mai 18−23,1981,p.427−428.
  34. Plekhanov V.G.Resonant secondary emission spectra and some pecularities of relaxation prosses in crystals with self-trapped excitons.- iniProceedings of the intern, conf. on Lasers*80,STS Press, USA, 1981, p.94−99.
  35. Plekhanov V.G., Shepelev Y.V., Grinfelds A.U.Spectroscopik manifestation of self-trapped excitons in ionic insulators.- Phys. St at us Solidi (b), 1983, v.119,No 1, p.495−502.
  36. Plekhanov Y.G. jEmel’yar1610 A.V., Grinfelds A.U.Excitonic structure of NaJ and LiH crystals cleaved in liguid helium.- Phys.Lett., 1934, V.101A, No 5,6,p.291−295.
  37. Pooley D., Runsiman W.A.Recombination luminescence in alkali halides.- J.Phys.Cs Solid State Phys., 1970, v.1. No 8, p.1815−1824.
  38. Ikezawa M., Kooima T. Luminescence of alkali halide crystals indused Ъу Uv-light at low temperature.- J.Phys. Soc. Japan, 1969, v.27,No 6fp.1551−1563.
  39. Rachko Z.A., Yalbis J.A.Luminescence of free and relaxed excitons in MgO.- Phys. Status Solidi (b), 1979, v.93,No 1, p.161−166.
  40. Jansons J.L., Rachko Z.A., Valbis J.A.Fine structure of exciton luminescence in MgO single crystals.-Phys"Status Solidi (b), 1979"v.96,Noo 1, p. K29−31.
  41. Куусманн И.Л., Фельдбах Э. Х. Краевая катодолюминесценция кристаллов МдО в ВУФ области спектра, — ФТТ, 1981, т, 23, № 2,с.461−466.
  42. Кузнецов А.И., Абрамов В. Н., Роозе Н. С, Савихина Т, И. Автолокализованные экситоны в Т^О^ , — Письма в ЖЭТФ, 1978, т, 28, вып.10,с.625−655″
  43. Kuznetsov A.I., Abramov V.N., Murk V.V., Namozov B.R., Uibo T.Y.Spectroscopic and luminescent investigationof third group metal oxides.- in: Proceedings of the intern.conf. on Lasers*81,USA, New Orlean, 1981, p.793 -796.
  44. Мюрк В.В.ВУФ-люминесценция I I (JU, возбуждаемая импульсами электронов высокой плотности, — В кн.:Тезисы докл, Всесоюзного совещания по люминесценции, посвященного 90-летию со дня рождения академика С. И, Вавилова, Ленинград, 21−24 апр. 1981 г., Л.:1981,с.133.
  45. Давыдов А. С. Теория твердого тела"-М:Наука, 1976.- 639с.
  46. Лоляроны: Сб. под ред.Ю. А. Фирсова,-М.:Наука, 1975, — 423.
  47. Рейфман С. П. Свободные и автолокализованные квазичастицы в кристаллах.- Труды ИФ АН ЭССР, т.46,с.143−169.
  48. Toyosawa Y., Shinozuka Y. Stability of an electron in de~ formable lattice- Force range, dimensionality and potential barrier.- J.Phys.Soc.Japan, 1980, v.48,No 2, p.472−478.
  49. Sumi A., Toyosawa Y. Discontinuity in the polaron ground state.- J.Phys.Soc.Japan, 1973"v.35,No 1, p.137−145.
  50. Рашба Э, И, Теория взаимодействия электронных возбуждений с колебаниями решетки. I, — Опт. и спектроскопия, 1957, т, 2,№ I, с.75−87.
  51. Нокс.Р.Теория экситонов.- М: Мир, 1966, — 219с,
  52. Sumi A, Phase diagram of an exciton in the phonon field, J.Phys.Soc"Japan, 1978iv, 43"No 4, p, 1286−1294.
  53. Иоселевич А. С, Правило Урбахв и экситонные эффекты,-ЖЭТФ, 1982, т, 82, вып.2,с, 601−612,90, Рашба Э. И, Люминесценция автолокализованных экситонов,-Изв.АН СССР, сер.физ., 1982, т.46,№ 2,с.338−342,
  54. Sumi H. Exciton polarons in molecular crystal model, 1.-Dynamical CPA.- J.Phys.Soc.Japan, 1974, v.36,No 3, P.770−779.
  55. Miya zaki H, Hanamura E. Optical response of exciton-pho-non system. I,-Absorption spectrum and Urbach-Martiensen rule.- J.Phys.Soc.Japan, 1981, v.50,No 4-, p.1310−1320.
  56. Cho K., Toyosawa Y. Exciton-phonon interaction and optical spectra- self-trapping, zero-phonon line and phonon sidebands.- J.Phys.Soc.Japan, 1971, v.30,No 6, p. 1555−1574-.101
  57. Рашба Э. И. Теория взаимодействия электронных возбуждений с колебаниями решетки.II.- Опт, и спектроскопия, 1957, т, 2Д° I, с.88−98.
  58. Permogorov S,#ot excitons in semiconductors.- Phys. Status Solidi (b), 1975, v.68,No 1, p.9−42.
  59. Hizhnyakov V.V.Effect of hot transfer on vibrational relaxation of electronic excitation, — Phys. Status Solidi (b), 1978, v.76,No 1, p. K69−72.
  60. Hiizhnyakov V.V.Vibrational relaxation in the excited electronic state.- Phys. Status Solidi (b), 1982, v.114,No 2, p.721−730.105* Schultz Т.Д.Slow electrons in polar crystals: self-energy, mass, and mobility.- Phys.Rev., 1959"v.116,No 3, p.526−543.
  61. Osten W. von der. Excitons in silver halides.- ins Defects in insulating crystals, ed. by Tuchkevich V.M. and Shwarts K.E., Riga, MZinatne", 1981, p.284−300.
  62. Miyazaki H ., Hanamura E. Optical response of exciton-phonon system.II.-Formation of emission spectrum.
  63. J.Phys.Soc.Japan, 1982, v.51,No 3, p.818−827.
  64. Miyazaki H., Hanamura E. Optical response of exciton-phonon system.III.-Resonant Raman scattering and luminescence.- J.Phys.Soc.Japan, 1982, v.513,p.828−838.
  65. Хижняков B.B., Шерман А. В. Горячая люминесценция автолока-лизующихся экситонов" — ФТТ, 1980, т.22,№ II, с.3254−3262.
  66. НО. Дущик Ч. Б., Васильченко Е. А., Либлик П. Х., Лущик А. Ч., Лущик Н. Е., Соовик Х. А., Тайиров М. М. Динамика автолокализации и распада экситонов в CsBr при 4,2 К.- Труды ИФ АН ЭССР, 1981, т.52,с.7−52.
  67. ИЗ, Завт Г, С, Плеханов В, Г., Хижняков В. В., Шепелев В, В, Сверхбыстрая колебательная релаксация и горячая люминесценция Tl -центров в КЗ, — Письма в ЖЭТФ, 1982, т.36,вып.7, с.235−238,
  68. Хижняков В.В., Ребане И. К. Теория переходных спектров резонансного вторичного свечения примесных центров кристаллов.- Изв. АН ЭССР, сер, физ, мат, 1977, т.26,№ 3,с.260−280.
  69. Хижняков В.В., Ребане И. К. Зависящие от времени спектры резонансного вторичного свечения, — ШЭТФ, 1978, т"74,вып"3,с.885−896.
  70. Пб. Филипс Дж. Оптические спектры твердых тел.- М.:Мир, 1968, 176с.
  71. Излучательная рекомбинация в полупроводниках/Сб.под ред, Я. Е. Покровского.- М.:Наука, 1972.- 304с.118″ Sumi H .On the exciton luminescence at low temperature: importance of the polariton viewpoint, — J.Phys.Soc.Japan, v. 41, No 2,1976,p.526−535.
  72. Мясников Э. Н, Люминесценция сильных экситонных переходов,-Изв.АН СССР, сер.физ., 1983, т.47,№ 7,с.1286−1289.
  73. Schreiber M,, Q}oyosawa Y. Numerical experiments on theabsorption lineshape of the exciton under lattice vibra-tion.III.The Urbach rule.- J.Phys.Soc, Japan, 1982, v, 51, No 5, p, 1544—1550.
  74. Schreiber M., Toyosawa Y. Numerical experiments on the absorption lineshape of the exciton under lattice vibration. II. The average oscillator strength per state.- J.Phys.Soc. Japan, 1982, v.51,No 5, P.1537−1543.
  75. Иоселевич А.С.^вост оптического поглощения в полярных кристаллах и правило Урбаха, — ЖЭТФ, 1981, т.81,вып.4(Ю), с, 1508−1527.
  76. Иоселевич А. С. Многофононные процессы при поглощении света в гомеополярных кристаллах. Автолокализация и классические решения.- ЖЭТФ, 1982, т.83,вып.2(8), с,743−755,
  77. Sumi H. Exciton polarons of molecular crystal model, II, Optical spectra.- J.Phys.Soc.Japan, 1975, v.38,No 3, p, 825 -835.
  78. Ковальчук Б.М., Месяц Г. А., Шпак В. Г. Получение мощных суб-наносекундных пучков в диоде со взрывной эмиссией, — В кн.:Разработка и применение источников интенсивных электронных пучков, под ред.Г.А, Месяца.- Новосибирск, Наука, 1976.- 191с.
  79. Козлова 0.Г.Рост и морфология кристаллов, 3 изд.- М": Изд-во МГУ, 1980.- 368с,
  80. Рост кристаллов: Сб. научных трудов/Институт кристаллографии АНСССР. М.:Наука, 1967, т.7.- 359с.
  81. Маароос А. А. Монокристаллы М^О и Hfl-Al повышенной чистоты.- Труды ИФ АН ЭССР, 1982, т.53,с.49−56.
  82. Гиндина Р.И., Маароос А. А, Плоом Л. А., Янсон Н. А. Разработка методики получения кристаллов ксе и КВг с содержанием примесей Ю~б- Ю"8.- Труды ИФ АН ЭССР, 1979, т.49,с, 45 -89.
  83. Лущик Ч.Б., Гиндина Р. И., Лущик Н. Е, Плоом Л. А., Цунг Л. А., Соовик Х. А., Эланго А. А. Зйектронные возбуждения и радиационные дефекты в кристаллах |1оВг .- Труды ИФ АН ЭССР, 1975, т.44,с.3−43.
  84. Тайиров М.М., Акилбеков А. Т., Федорова О. А. Влияние ионов хлора на люминесценцию и радиационные дефекты в КВг. Труды ИФ АН ЭССР, 1983, т, 54, с.102−121.
  85. Tanimura К., Murakami T., Itoh N. Restoration of fluorescence from lowest singlet state in the self-trapped exciton by perturbation with monovalent cation impurities in alkali halides.- J.Phys.Soc.Japan, 1982, v.51, No 3, p.888−897.
  86. J50. Kan’no K., Itoh N., Naakai Y. Luminescence from KC1: J at low temperature.-J.Phys.Soc.Japan, 1979, v.47,No 3, P.915 -921.
  87. Абрамов В*Н.Спектры оптических постоянных и люминесценция локализованных электронных возбуждений /К^Оз «5сД и У203 , — Дис.. канд. физ.-мат.наук, — Тарту, 1983, — 235с.
  88. Kingsley J.D., Ludwig G.W.The efficiency of cathode-ray phosphors.II.Correlation with other properties.-J.Electrochem.Soc., 1970, v.117,Noo 3"p"553−559″
  89. Ropp R. Spectral properties of rare earth oxide phosphors.- J.Electrochem.Soc., 1964, v.111,No 3"p"511−316.
  90. Evans B.D., Stapelbrock M. Optical properties of the F center in crystalline A120^ .-Phys.Rev.В., 197S, v.18, No 12, p.7089−7098.
  91. Feldbach E., Kuusmann I., Maaroos A., Murk V. VUV luminescence of excitons in MgO.- in: Int. сonf ."Defects in insulating crystals», abstracts of cont. papers, Riga, mai 18−25"1981,p.429−450.
  92. Фельдбах Э.Х.ВУФ-люминесценция свободных и связанныхэкситонов в окиси магния.- Дис.. канд.физ.-мат.наук. Тарту, 1983.- 216с.
  93. Cox R.T.Hole trapping energies as evidence for the existence of free small polarons in oxide crystals.-Recent Dev.Condens.Matter Phys. l Gen.Conf.Сondens.Matter Div. Eur.Phys.Soc., Antverp., 9−11 Apr., 1980, v.3,New York, London, 1981, p.355−364.
  94. Кузнецов А.И., Абрамов В. Н., Намозов Б. Р., Уйбо Т.В.Вакуум-ная ультрафиолетовая люминесценция Y/Шз .- Труды ИФ АН ЭССР, 1982, т.53,с, 83−95.
  95. Леванюк А.Ц., Осипов В. В. Краевая люминесценция прямозонных полупроводников, — УФН, 1981, т.133,№ 3,с.427−477.
  96. Антонов-Романовский В. В. Кинетика фотолюминесценции кристаллофосфоров, — М: Наука, 1966, — 323с.
  97. Фок М, В. Введение в кинетику люминесценции кристаллофос-форов.- М: Наука, 1964, — 283с.
  98. Кярнер Т.Н., Малышева А. Ф., Тажигулов Б. Т. Поиск автолокализации электронов и дырок в кристаллах MqO, MqO-Ca Труды ИФ АН ЭССР, 1984, т.55,о.217−231.
  99. Алукер Н. JI, Гаврилов В. В., Дейч Д. Г., Чернов С, А, Эцин С. С. Некоторые особенности сцинтилляционного процесса в CsD-Na. Изв. АН ЛССР, сер.физ.техн.наук, 1982,№ 4,с.57−64.
  100. Кярнер Т.Н., Малышева А. Ф., Маароос А, А., Мюрк В.В.Термости-цулированная люминесценция монокристаллов МфО в области температур 4,2−600 К, — ФТТ, 1980, т.22Д° 4, c. II78-II83.
  101. Лущик Ч. Б, Витол И. К., Зланго М. А. Распад электронных возбуждений на радиационные дефекты в ионных кристаллах.-УФН, 1977, т.122,№ 2,с.223−251.
  102. Лущик Ч.Б., Васильченко Е. А., Лущик А. Ч., Лущик Н. Е, Соовик Х. А. Дайиров М.М.Распад экситонов на дефекты и поляризованная люминесценция при рекомбинации дефектов в CsBf. Письма в ЖЭТФ, 1980, т.32,вып.9,с.568−671.
  103. Aqullo-Lopez F. F-H Recombination and intrinsic light emission in alkali halides.- J.Lum., 1981, v.23,p.433−436.
  104. Harker A.H., Lyon S.В.Electronic structure of the self-trapped exciton in potassium halides.- Solid State Commun. 1977, v.21,No 11, p .1053−1055.
  105. Fontana M.P., Blume H., Van Sciver W.J.Properties of exciton states in NaJ (1).- PHys. Status Solidi, 1968, v.29,No 1, p.159−166.
  106. Romberger A.B., Van Sciver W.J.Origin of the 3,.0-eV emission band in KJ.-Phys.Rev.B., 1981, v.24,No 7, p.3743--3748.
  107. Портер Дж., Вест M.А.Импульсный фотолиз.-В кн.:Методы исследования быстрых реакций, под ред, Г. Хэммис, М., 1977, с.403−516.
  108. Зайдель А.Н., трейдер Е. Я. Спектроскопия вакуумного ультрафиолета.- М.:Наука, 1967, — 471с.186″ Мюрк В. В., Намозов Б, Р. Возбуждение свечения щелочногало-идных кристаллов импульсами ВУФ-радиации и электронного пучка.- Труды ИФ АН ЭССР, 1984, т.55,с.180−197.
  109. Kabler M.N.Low temperature recombination luminescence in alkali halide crystals.- Phys.Rev.A., 1964, v.136, No 5fpИ 296−1302.
  110. Wood R.P.Luminescence from exciton and Vk-plus-electron states in alkali halide crystals.- Phys.Rev., 1966, v.151,No 2, p.629−641.
  111. Ч.Б., Гиндина Р. И., Лущик Н. Е. Дайиров М.М., Щункеев К, Ш. Распад экситонов срождением анионных и катионных дефектов в КСИа Труды ИФ АН ЭССР, 1982, т.53,сЛ46--171.
  112. Толстой Н.А., Абрамов А.П.О взаимодействии экситонов в антрацене.- ФТТ, 1967, т.9,№ I, с.340−343.
  113. Алукер Э, Д., Гаврилов В. В., Чернов С. А. Кинетика релаксации поглощения триплетных экситонов в Ш и кем и эффект «радиационной тряски».- Письма в ЖТФ, 1983, т.9, № 5,с.294−298.
  114. Оуржиков А, П. Накопление радиационных дефектов в анионной подрешетке монокристаллов окиси магния при высоких плотностях возбуждения ускоренными электронами.
  115. Дис, канд.физ.-мат.наук, — Томск, 1982, — 165с,
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!