Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Магнитные свойства и проводимость кристаллов группы флюорита, содержащих ЯН-теллеровские комплексы примесных d-ионов

Диссертация: Магнитные свойства и проводимость кристаллов группы флюорита, содержащих ЯН-теллеровские комплексы примесных d-ионов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Автор выражает искреннюю благодарность своему научному руководителю профессору КГЭУ Владимиру Андреевичу Уланову за научное руководство, теоретические консультации, ценные советы и практическую помощь в приготовлении и термической обработке исследуемых кристаллов. Автор также благодарен Владимиру Алексеевичу Шустову за помощь в облучении образцов и проведении исследований… Читать ещё >

Магнитные свойства и проводимость кристаллов группы флюорита, содержащих ЯН-теллеровские комплексы примесных d-ионов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Кристаллы группы флюорита: структура, методы выращивания и электрическая проводимость (краткий обзор литературы)
    • 1. 1. Структура кристаллов группы флюорита и методы их выращивания
    • 1. 2. Электронные свойства и проводимость флюоритов
  • Глава 2. Магнитные свойства и проводимость кристаллов Сс1Р2 и СаР2, легированных примесными ионами серебра и ванадия
    • 2. 1. Способы конвертирования валентных состояний примесных ионов серебра и ванадия в кристаллах Сс1Р2 и СаР
    • 2. 2. Низкотемпературные магнитные свойства и термическая стабильность ян-теллеровских центров примесных ионов У2+и Ag2+ в кристаллах Сд?2:У, С<�Ш2:Ае, СаР2: У и СаБ2^ (изучение методом ЭПР)
    • 2. 3. Донорная проводимость кристаллов СёР2: У2+, отожженных в вакууме
    • 2. 4. Проводимость кристаллов Сс1Р
  • и СаР
  • в условиях радиации и высоких температур
  • Глава 3. Структура и магнитные свойства парамагнитных центров примесной меди в кристаллах ВаР2: Си
    • 3. 1. Электронные и молекулярные структуры примесных центров меди в кристаллах ВаР2: Си
    • 3. 2. Аномалии в магнитных свойствах примесных тримеров меди в сильнолегированных кристаллах ВаР2: Си
  • Глава 4. Электронный парамагнитный резонанс центров примесных ионов титана в кристаллах СаР2: Т1 и 8гР2: Тл
    • 4. 1. Кристаллы 8гР2: Т1 с димерами титана и ассоциатами, образованными примесными ионами Т)3+ и междоузельными ионами Р"|п
    • 4. 2. Температурные зависимости в спектрах ЭПР кристаллов СаР2: Т1 и 8гР2: Т1, содержащих димеры титана и ассоциаты «Т13±Гы»

Некоторые кристаллы со структурой флюорита могут являться модельными системами при изучении различных проблем физики твердого тела. Среди этой группы кристаллов наиболее перспективными могут рассматриваться кристаллы щелочно-земельных фторидов (СсЙ5^, СаР2, ЭгБг, ВаР2). Кристаллы этой группы являются в достаточной степени стабильными в химическом отношении, прочными, прозрачными в очень широком диапазоне оптических волн и могут быть относительно легко выращены из расплава. Именно поэтому эти кристаллы широко изучались и продолжают изучаться различными физическими методами. Предметом изучения долгое время являлись примесные центры редкоземельных ионов в кристаллах данной группы. В первую очередь кристаллы с такими центрами рассматривались в качестве кандидатов на материалы для твердотельных лазеров. Кроме того, в центре внимания исследователей была проблема зарядовой компенсации, которая вставала перед исследователями при внедрении в кристаллы трехвалентных ионов редкоземельной группы. Во флюоритах оказались возможными особенно большое число способов компенсации избыточных положительных зарядов трехвалентных ионов, замещающих в решетке флюоритов двухвалентные катионы. Во флюоритах, легированных редкоземельными ионами, оказалась интересными также проблемы примесных центров окраски, фотохромизма и радиолиза под воздействием жестких электромагнитных излучений. В последние годы получены совершенно новые результаты в исследованиях механизмов образования в легированных редкоземельными ионами кристаллах кластеров, содержащих в своем составе большое число редкоземельных ионов, обладающих регулярной структурой и встроенных в решетку кристалла-матрицы без существенных нарушений их кристаллической структуры.

Настоящая диссертация посвящена исследованию магнитных свойств и проводимости кристаллов группы флюорита, легированных ян-теллеровскими ионами серебра, ванадия, титана и меди. Следует отметить, что кристаллы группы флюорита обычно считаются ионными диэлектриками, поскольку у этих материалов ширина запрещенной зоны соответствует энергетическим интервалам от 7 до 12 эВ [1]. Однако было установлено [2, 3], что некоторые кристаллы структурной группы флюорита могут быть переведены в полупроводниковое состояние путем их легирования трехвалентными ионами иттрия, галлия и индия. Оказалось, что при таком легировании в кристалле образуются бистабильные центры [3], свойства которых позволяют использовать такой кристалл в качестве носителя голографической информации. Высказано предположение, что свойства кристаллов группы флюорита могут оказаться еще более интересными (как с теоретической, так и с практической точки зрения), если в качестве примесей использовать парамагнитные ионы с вырожденными основными орбитальными состояниями (ян-теллеровские ионы). Действительно, поскольку состояния ян-теллеровского примесного центра сильно связаны с колебаниями кристаллической решетки, то появляются более широкие возможности управления проводимостью кристалла и его оптическими свойствами.

В настоящее время резко повысился спрос на материалы, обладающие необычными свойствами. Благодаря ряду особенностей, флюориты как полупроводники могут оказаться перспективными материалами. Но, поскольку они привлекли пристальное внимание лишь в последнее десятилетие, их возможности до конца не изучены. В частности, до настоящего времени остались нерешенными вопросы о механизмах образования и свойствах донорных и акцепторных центров в этих кристаллах. К числу практически неизученных проблем в данном направлении можно отнести и те, что связаны с влиянием специально введенных в кристалл примесных ян-теллеровских ионов на состояния донорных и акцепторных центров. Дело в том, что большинство восьмикратно координированных примесных ¿-/-ионов с вырожденными основными орбитальными состояниями демонстрируют сильный эффект Яна-Теллера, приводящий к значительным локальным деформациям решетки кристалла-матрицы. Поэтому кажется весьма вероятным, что создаваемые ян-теллеровскими примесями деформации решетки должны особенно сильно влиять на состояния донорных и акцепторных центров в кристалле и, следовательно, на его электропроводящие свойства. Важно и то, что деформации, возникающие вокруг ян-теллеровских центров, могут явиться стимулом для процессов кластеризации примесей [4]. Так как флюориты приобретают полупроводниковые свойства в основном в случаях высокого уровня легирования, проблема кластеризации легирующих примесей оказывается очень важной и требует специального изучения. С одной стороны, кластеры ян-теллеровских ионов могут предоставить новые возможности для управления проводимостью и другими физическими свойствами кристаллапо этой причине информация об их свойствах окажется ценной и востребованной. Но, с другой стороны, присутствие кластеров в кристалле в некоторых случаях может стать нежелательным. В таких случаях знание свойств кластеров позволит найти способы подавления процессов кластеризации.

Таким образом, изучение свойств ян-теллеровских примесных центров в кристаллах структурной группы флюорита и степени их влияния на проводимость и другие физические параметры этих кристаллов является актуальным как с научной, так и с практической точки зрения.

Цель настоящей диссертационной работы являлось определение экспериментальных величин, характеризующих низкотемпературные магнитные свойства и проводимость ионных кристаллов группы флюорита, легированных примесями ян-теллеровских ионов серебра, ванадия, меди и титана.

В данной работе были использованы известные и хорошо апробированные методы экспериментальных исследованийчетырехзондовый метод измерения проводимости и метод электронного парамагнитного резонанса (ЭПР). Достоверность и обоснованность полученных экспериментальных результатов подтверждается расчетами, выполненными на базе известных теоретических моделей, и совпадением с экспериментальными результатами, полученными при изучении сходных объектов другими авторами.

Научная новизна диссертационной работы заключается в следующих оригинальных результатах:

1. Показано, что донорная проводимость кристаллов СёР2, легированных трехвалентными ионами ванадия и содержащих междоузельные ионы фтора в качестве компенсаторов избыточного положительного заряда легирующей примеси, может быть достигнута не только путем отжига этих кристаллов в парах кадмия, но и с помощью их отжига в вакууме;

2. Впервые проведено экспериментальное изучение зависимостей проводимости кристаллов СдР2: А§ от концентрации примесных ионов серебра и от интенсивности их облучения рентгеновскими лучами, результаты которого позволяют оценить роли ионного и электронного механизмов проводимости в общей проводимости этих кристаллов;

3. Впервые выявлены особенности в спектрах ЭПР кристаллов СаР2: У2+, обусловленные туннельным движением примесных ян-теллеровских комплексов [УР§-] «(Оь) между тригональными ямами их адиабатических потенциалов (АП) и заключающиеся в несовпадении параметров спектра ЭПР на вибронном синглете с параметрами спектров на состояниях вибронного триплета;

4. В диапазоне 1,7 К < Т < 4,2 К впервые изучены аномальные температурные зависимости главных компонент ^—тензора примесных тримеров меди в кристаллах ВаР2: Си, указывающие на магнитный фазовый переход при Т и 4К;

5. По данным экспериментального изучения температурных зависимостей ширины линий спектров ЭПР примесных димеров титана и.

1 I ассоциативных центров '" П — Р~ш" в кристаллах 8гР2: Тл впервые определены критические температуры, при которых резко ускоряется частота надбарьерных переходов исследуемых центров между ямами их адиабатических потенциалов.

Практическая значимость результатов данного диссертационного исследования состоит:

1. В установлении возможности конвертирования ионных кристаллов СсП-^У в полупроводниковое состояние с донорным типом проводимости путем предварительного насыщения их междоузельными ионами фтора и последующего отжига в вакууме;

2. В разработке алгоритма расчета параметров туннелирования ян-теллеровских ионов с триплетно вырожденными основными орбитальными состояниями по данным изучения формы линий их спектров ЭПР;

3. В определении условий образования кластеров ян-теллеровских ¿-/-ионов в кристаллах структурной группы флюорита.

На защиту выносятся следующие основные положения:

1. Кристаллы СсШг'.У3*, содержащие в своем объеме междоузельные ионы фтора (Р" т1), могут быть переведены в полупроводниковое состояние с донорным типом проводимости путем их отжига в вакууме;

2. Интервал между основным триплетом и ближайшим к нему возбужденным синглетом в спектре вибронных состояний туннелирующих ян-теллеровских комплексов [УР8]б" (Оь) в кристаллах.

CaF2:V2+ может быть определен из анализа формы линий спектров ЭПР и примерно соответствует 80 МГц;

3. Проводимость кристаллов CdF2: Ag+ и CaF2: Ag+ без рентгеновского облучения является преимущественно ионным, но под воздействием рентгеновских лучей электронная компонента проводимости начинает преобладать в общей проводимости этих кристаллов;

4. С понижением температуры при Т"4К в кристалле BaF2, легированном тримерами двухвалентных ионов меди, происходит магнитный фазовый переход в ферромагнитное состояние;

5. Резкие уширения линий ЭПР примесных центров титана в кристаллах SrF2: Ti, наблюдавшиеся при температурах выше Т, «180 К (в случае димеров титана) или Т2″ 240 К (в случае ассоциативных центров „Ti — F“ ?nt»), обязаны резкому возрастанию частоты надбарьерных переходов этих центров между двумя основными ямами их адиабатических потенциалов.

Автору принадлежат результаты экспериментального изучения: 1) зависимостей проводимости кристаллов CdF2: V3+ от температуры и времени отжига в вакууме и зависимостей проводимости кристаллов CdF2: Ag+ и CaF2: Ag+ от температуры и интенсивности их рентгеновского облучения- 2) зависимостей формы спектров ЭПР Ян-теллеровских центров Ag2+ и V2+ от величины туннельного расщепления нижнего вибронного квартета- 3) температурных зависимостей ширины линий ЭПР димеров титана и ассоциатов «Ti3±F» int" в кристаллах SrF2: Ti- 4) температурных зависимостей компонент g-тензора триммеров меди в BaF2: Cu в диапазоне 1,6 < Т < 4,2 К.

Результаты данной работы докладывались на следующих научных конференциях и школах: VIII международная школа молодых ученых «Актуальные проблемы магнитного резонанса и его применение» г. Казань, КГУ, 2005 г.), XIII Туполевские чтения (г.Казань, КГТУ им. А. Н. Туполева, 2005 г.), XI семинар-совещание «Оптика и спектроскопия конденсированных сред» (г.Краснодар, 2005 г.), Международная научная конференция «ФТТ-2005 Актуальные проблемы физики твердого тела» (г.Минск, 2005 г.), XXIII Съезд по спектроскопии (г.Звенигород, Московская обл., 2005 г.), Азиатский международный симпозиум по спектроскопии ЭПР APES-2006 (г.Новосибирск, 2006 г.), XII семинар-совещание «Оптика и спектроскопия конденсированных сред» (г.Краснодар, 2006 г.), XXXIV конференция по физике низких температур (г.Ростов, 2006 г.) и Международный симпозиум по эффекту Яна-Теллера и вибронным взаимодействиям в твердых телах (г.Триест, Италия, 2006 г.). Кроме этого, результаты данной работы докладывались на ежегодных итоговых конференциях и физических семинарах КазФТИ КазНЦ РАН.

Основные результаты работы опубликованы в 14 печатных работах [5−21], включая: 2 журнальных статьи и 4 статьи в материалах международных конференций.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературысодержит 125 страниц текста, включая 24 рисунка и 3 таблицы. Библиография содержит 69 наименований.

Основные результаты и краткие выводы настоящей диссертации заключаются в следующем:

— разработан метод конвертирования ионных кристаллов СёР2: У в полупроводниковое состояние с донорным типом проводимости, заключающийся в предварительном насыщении этих кристаллов междоузельными ионами фтора (К^) и в последующем их отжиге в вакууме;

— получены экспериментальные зависимости проводимости кристаллов СсП^У от температуры и времени их отжига в вакууме, указывающие на то, что исследуемая проводимость является преимущественно электронной;

— разработан алгоритм расчета параметров тунелирования ян-теллеровских ионов с триплетно вырожденными основными орбитальными состояниями, с помощью которого определено приближенное значение туннельного расщепления в спектре вибронных состояний комплексов [УР8] ~(Оь) в кристалле 8гР: V («80 МГц);

— показано, что под воздействием рентгеновского облучения электронная компонента проводимости кристаллов Сс1Р2: А§+ и СаР2: А§+ начинает преобладать в общей проводимости этих кристаллов;

— показано, что для эффективного образования примесных тримеров в легированных медью кристаллах ВаР2 необходим их отжиг в атмосфере из смеси гелия и фтора (температура отжига «1550 К);

— в температурных и магнитных зависимостях величин компонент g-тензора тримеров меди в кристаллах ВаР2: Си обнаружены аномалии, которые обязаны магнитному фазовому переходу, происходящему при Т*4К;

— выполнено экспериментальное исследование температурных зависимостей ширины линий спектров ЭПР примесных центров титана в кристаллах 8гР2: И, показавшее, что при температурах выше Т, «180 К (в случае димеров титана) или Т2» 240 К (в случае ассоциативных центров «Тг3+ - Р~т») происходит резкое возрастание частоты надбарьерных переходов этих центров между двумя основными ямами их адиабатических потенциалов.

Автор выражает искреннюю благодарность своему научному руководителю профессору КГЭУ Владимиру Андреевичу Уланову за научное руководство, теоретические консультации, ценные советы и практическую помощь в приготовлении и термической обработке исследуемых кристаллов. Автор также благодарен Владимиру Алексеевичу Шустову за помощь в облучении образцов и проведении исследований по их радиационно-стимулированной проводимости и сотрудникам лаборатории радиоспектроскопии диэлектриков КФТИ КазНЦ РАН, Максуту Мухамедзяновичу Зарипову, Илыпату Имамутдиновичу Фазлижанову,.

Рушане Михайловне Ереминой и Евгению Рафаэльевичу Житейцеву, за теоретическую и практическую помощь в освоении метода электронного парамагнитного резонанса и за сотрудничество в исследованиях, выполненных в рамках данной диссертационной работы.

Заключение

.

Основным результатом исследований, выполненных автором в настоящей диссертации, является осуществление цели работы — определение экспериментальных величин, характеризующих низкотемпературные магнитные свойства и проводимость ионных кристаллов группы флюорита, легированных примесями ян-теллеровских ионов серебра, ванадия, меди и титана.

Достижение поставленной цели было осуществлено применением комплексного подхода к решению поставленных задач, включавшему теоретическое рассмотрение процессов и механизмов, определяющих низкотемпературные магнитные свойства исследуемых образцов и их электрическую проводимость, а также использование мощных и хорошо аппробированных методов исследования — метод электронного парамагнитного резонанса и четырех-зондовый метод определения проводимостей кристаллов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. С.А. Кластеры ионов 1.I группы в активированных кристаллах типа флюорита / С. А. Казанский, А. И. Рыскин // ФТТ, — 2002, -т.44.в.8. с.1356−1366.
  2. Mozer F. Infrared Optical Absorption in Semiconducting CdF2: Y Crystals / F. Mozer, D. Matz, S. Lyu // Phys.Rev., -1969. -v. 182, no.3. p.808−814.
  3. Khomskii D.I. Elasticinteractionsand superstructures in manganites and other Jahn-Teller systems / D.I.Khomskii, K.I.Kugel // Phys. Rev. В 67, 134 401−1-9 (2003)
  4. А.Г. Модернизация спектрометра ЭПР Е-12 (Varian) / А. Г. Варламов, Н. Р. Гарипов, А. В. Уланов // Тезисы VIII Туполевских чтений, г. Казань, КГТУ им. А. Н. Туполева, 2005 г., с. 57.
  5. В.А. Вибронные взаимодействия в кристаллах со структурой флюорита / В. А. Уланов, А. Г. Варламов // Сборник докладов международной научной конференции «ФТТ-2005 Актуальные проблемы физики твердого тела», Минск, 26−28 октября 2005 г., с.266−268.
  6. А.Г. ЭПР димеров (Ti3±Ti+) в кристаллах CaF2 и SrF2 / А. Г. Варламов, В. А. Уланов, М. М. Зарипов, Е. Р. Житейцев, И. И. Фазлижанов // Тезисы докладов ХХШ-го Съезда по спектроскопии. Звенигород, Московская обл., 17−21 октября 2005 г., с. 46.
  7. В.А. ЭПР димеров меди в кристаллах BaF2 / В. А. Уланов, А. Г. Варламов // Тезисы докладов XI семинара-совещания «Оптика и спектроскопия конденсированных сред», Краснодар, 18−23 сентября 2006 г., с. 77.
  8. В.А. Низкотемпературные магнитные свойства тримеров меди в кристаллах BaF2:Cu / В. А. Уланов, А. Г. Варламов // Тезисы докладов 34-ой конференции по низкотемпературной физике LT-34, г. Ростов, 2006 г., с. 89.
  9. Ulanov V.A. Jahn-Teller effect in the TiF4F4Fint.6"(C4v) and [NiF4F4Fint]7"(C4v) clusters embedded into SrF2 Crystals / V.A. Ulanov, A.G. Varlamov, E.R. Zhiteitcev // International Symposium on Vibronic Interactions in Solids, Triest (Italy), 2006
  10. Н.Р. Сопряжение спектрометра ЭПР Е-12 с персональным компьютером / Н. Р. Гарипов, А. Г. Варламов, A.B. Уланов // Тезисы докладов XII международной конференции «Радиоэлектроника, электротехника и энергетика», Москва, 2006, с.242−243.
  11. А.Г. Проводимость ионных диэлектриков CdF2:Ag+ и CaF2: Ag+ в условиях рентгеновского облучения / А. Г. Варламов, В. А. Уланов // Изв. ВУЗов. Проблемы энергетики, 2006, №.5−6, с.97−100.
  12. А.Г., Уланов В. А. Донорная проводимость кристалла CdF2:V, отожженного в вакууме / А. Г. Варламов, В. А. Уланов // Изв. ВУЗов. Проблемы энергетики, 2006, №.9−10, с. 168−172.
  13. Hayes W. Crystals with the fluorite structure: electronic, vibrational and defect properties. / W. Hayes // Oxford, Clarendon Press, 1974, 414 p.
  14. K.T. Выращивание кристаллов / K.T. Вильке // —Л.: Недра, 1977, -600 с.
  15. Р. Рост монокристаллов / Р. Лодиз, Р. Паркер-М.: Мир, 1974. -540 с.
  16. Н.Г. Материалы квантовой электроники / Н. Г. Рябцев // -М.: Советское радио, 1972. -382 с.
  17. Ф. Химия несовершенных кристаллов / Ф. Крегер // -М.: Мир, 1969. 524 с.
  18. Г. Б. Кристаллохимия / Г. Б. Бокий // -М.: Наука, 1971, 400 с.
  19. В. В. Оптические свойства и электронная структура флюорита и корунда / В. В. Соболев, А. И. Калугин, В. Вал. Соболев, С. В. Смирнов // ФТТ, 2002, т. 44, в. 5, с. 836 844
  20. Sobolev V. V. Reflection and absorption spectra of fluorite in the UV spectral region / V. V. Sobolev and A. I. Kalugin. // J. Appl. Spectroscopy, 2002, v. 69, no. 1, p. 93−96
  21. В. Ф. Структура спектров короткоживущего поглощения и свечения фторидов бария и кальция при импульсном облучении электронами / В. Ф. Штанько, Е. П. Чинков. // Письма в ЖТФ, 1997, т. 23, в. 21 с. 45 50
  22. Hodby J.W. Cyclotron Resonance of Electrons and of Holes in Thallium Chloride and in Thallium Bromide / J.W. Hodby, G.D. Jenkin // Solid State Comm., 1972, v.lO.p. 1017−1020
  23. Seager C.H. Electronic Hall Mobility in the Alkaline-Earth Fluorides / C.H. Seager //Phys.Rev. B, 1971, v.3, no. 10, p.3479−3484
  24. Thornber K.K. Velocity Acquired by an Electron in a Finite Electric Field in a Polar Crystal / K.K. Thornber and R.P. Feynman // Phys.Rev. B, 1970, v. l, no.10, p. 4099−4114
  25. В. В. Оптические свойства флюорита в широкой области энергий / В. В. Соболев, А. И. Калугин // ФТП, 2002, т. 36, в. 2, с. 155 159
  26. Dresner J. Mobilities of Electron and Holes in CaF2 / J. Dresner and P.M. Heyman // Phys.Rev. B, 1971, v.3, no.8, p.2689−2693
  27. Kessler A. An Investigation of the Thermal Defect Order, Defect Mobility, and Defect Complex Formation in Cadmium Fluoride / A. Kessler, J.E. Caffyn //J. Phys.C., Solid State Phys, 1972, v.5, p. l 134−1152
  28. Kingsley J.D. Free Charge Carrier Effects in Cadmium Fluoride / J.D. Kingsley, J.S. Prener // Phys.Rev. Lett, 1962, v.8, no.8, p. 315−316
  29. Dorenbos P. Mechanism of ionic transport in rare earth doped alcaline earth fluorides / P.Dorenbos. // -Druk: Krips Repro Meppel, Netherlands, 1988, 168 p.
  30. П. Отклонение от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов / П. Кофстад. // -М.: Мир, 1975,396 с.
  31. Gehlhoff W. Transition metal ions in crystals with the fluorite structure / W. Gehlhoff, W.Ulrici. // Phys. Stat. Sol.(b). -1980. -v.102. -p. 11−59.
  32. Hauschild B. Charge conversion of chromium and vanadium ions in CdF2 / B. Hauschild, V. Hohne, W. Ulrici // Phys. Stat. Sol.(b), 1973, v.58, p.201−208.
  33. Hochli U.T. ESR of Y2+ in CaF2 / U.T.Hochli // Bull. Amer. Phys. Soc., 1966, v.ll. p.203.
  34. Jablonski R. Chromium-doped CdF2 crystals studied by ESR spectroscopy / R. Jablonski, M. Domanska, B. Krukowska-Fulde, T. Niemyski.// Mater. Res. Bull., 1973, v.8, no.6. p.749−755.
  35. M.M. Изучение методом ЭПР элементов группы железа в кристаллах со структурой CaF2 / М. М. Зарипов, В. С. Кропотов, Л. Д. Ливанова, В. Г. Степанов. // Сб. Парамагнитный резонанс, 1944−1969. -М.:Наука, 1971, с.95−103.
  36. Hayes W. The self-traped hole in CaF2 / W. Hayes, J.W.Twidel. // Proc. Phys. Soc, 1962, v.79, p. 1295−1296.
  37. Borcherts R.H. Optical, EPR and ENDOR studies of CdF2: V3+, V2+ / R.H. Borcherts, L.L. Lohr. // J. Chem. Phys, 1969, v.50, no. 12, p.5262−5265.
  38. M.M. Обнаружение V2+ в SrF2 / M.M. Зарипов, B.C. Кропотов, Л. Д. Ливанова, В. Г. Степанов.// ФТТ, 1967, т.9. с. 2984.
  39. М.М. Электронный парамагнитный резонанс ванадия и хрома в CaF2 / М. М. Зарипов, B.C. Кропотов, Л. Д. Ливанова, В. Г. Степанов. // Доклады АН СССР, 1967, т.173. с.1043−1044.
  40. И.Б. Эффект Яна-Теллера и вибронные взаимодействия в химии / И. Б. Берсукер // -М.:Наука, 1987, 344 с.
  41. Л.К. Эффект Яна-Теллера в основном состоянии иона V во флюорите с учетом ковалентности / Л. К. Аминов, Б. З. Малкин.// ФТТ, 1967, т.9. с.1316−1323.
  42. А. Электронный парамагнитный резонанс переходных ионов / А. Абрагам, Б. Блини // -М.: Мир, 1972, т.1. 652 е.- т.2. 350 с.
  43. Clerjaud В. Jahn-Teller effect inthe 2T2 state of Cu in ZnS / B. Clerjaud, A. Gelineau // Phys. Rev. B, 1974, v.9, p.2832−2837
  44. Ham F.S. Dynamical Jahn-Teller effect in paramagnetic resonance spectra: orbital reduction factors and partial quencing of spin orbit interaction / F.S. Ham//Phys. Rev. A, 1965, v.138, p.1727−1740.
  45. М.М. Исследование примесных центров серебра в кристаллах типа флюорита / М. М. Зарипов, В. А. Уланов, М. Л. Фалин. // ФТТ, 1987, т.29, в.9. с. 2193−2195.
  46. .М. Основы физики полупроводников. / Ж. М. Гаркуша // М.: Высшая школа, 1982, 246 с.
  47. М.М., Уланов В. А., Фазлижанов И. И. Аномалии в магнитных свойствах кластеров примесной меди в кристаллах фтористого бария / М. М. Зарипов В.А. Уланов, И. И. Фазлижанов // ФТТ, 2005, 47, в.9, с. 1596−1601.
  48. М.М. Исследования методом ЭПР ионов меди в кристалле BaF2 / М. М. Зарипов, В. А. Уланов. // ФТТ, 1989, 31, в. 10, с. 254
  49. Ulanov V.A. Effects of hydrostatic pressure and temperature on EPR spectrum of the off-centre Jahn-Teller CuF4F4.6″ complexes in SrF2 crystal / V.A.Ulanov, V. Krupski, S.K.Hoffmann, M.M.Zaripov // J.Phys.: Condens. Matter, 2003, v.15. p.1081−1096.
  50. Роуз-Инс А. Техника низкотемпературного эксперимента (использование жидкого гелия в лабораторной практике) / А. Роуз-Инс //. М.: Мир, 1966, 216 с.
  51. А.Г. Магнитный резонанс в ферритах и антиферромагнетиках / А. Г. Гуревич // М.: Наука, 1973, 592 с.
  52. Nagata К. Short range order effects on EPR frequencies in Heisenberg linear chain antiferromagnets / K. Nagata, Y.Tazuke. // J. Phys. Soc. Japan, 1972, v.32, no. 2. p.337−345.
  53. Maeda Y. Exact analysis of ESR shift in the spin-½ Heisenberg antiferromagnetic chain / Y. Maeda, K. Sakai, M. Oshikawa // Phys. C: Cond. Matter, 2005, v.3.p.l-4.
  54. M.M. ЭПР ионов меди и титана в CaF2 / М. М. Зарипов, В. С. Кропотов, Л. Д. Ливанова, В. Г. Степанов // ФТТ, 1967, т.9. с. 2985.
  55. ФТТ, 1971, т.13, с.1830−1831.
  56. Ю.Ф. Исследование суперсверхтонкого взаимодействия V3+ и Ti2+ в гомологическом ряду флюорита методом ДЭЯР / Ю. Ф. Митрофанов, Ю. Е. Польский, М. Л. Фалин //ФТТ, 1969, т.11, с.3555−3560.
  57. И.И. Локальная структура парных центров титана в кристаллах SrF2 по данным ЭПР и ДЭЯР / И. И. Фазлижанов, В. А. Уланов, М. М. Зарипов // ФТТ, 2002, т.44, с. 1483−1486.
  58. Zaripov М.М. Jahn-Teller complexes of titanium in SrF2 crystal / M.M. Zaripov, N.Ya. Asadullina, V.A. Ulanov, I.I. Fazlizhanov // Abstracts of XIII-th International Symposium on Electrons and Vibration. Berlin, 1996, p. 43
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!