Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Наноразмерная модификация поверхности полупроводников и металлов зондом атомно-силового микроскопа

Диссертация: Наноразмерная модификация поверхности полупроводников и металлов зондом атомно-силового микроскопа
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Несмотря на многочисленные исследования в области создания твердотельных полупроводниковых наноструктур, в том числе и в области зондовой нанолитографии, отсутствует детальная информация о физических процессах наномодификации поверхности полупроводников и металлов посредством зонда сканирующего зондового микроскопа. Целью настоящей работы является развитие основ нанолитографии для создания… Читать ещё >

Наноразмерная модификация поверхности полупроводников и металлов зондом атомно-силового микроскопа (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. СКАНИРУЮЩАЯ ЗОНДОВАЯ МИКРОСКОПИЯ — МЕТОД ИССЛЕДОВАНИЯ И МОДИФИКАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ
    • 1. 1. Высокоразрешающие методы анализа и модификации структуры поверхности
      • 1. 1. 1. Методы диагностики и модификации поверхности корпускулярными пучками
      • 1. 1. 2. Фотоиндуцированная модификация поверхности
      • 1. 1. 3. Изменение свойств поверхности направленными пучками заряженных частиц
    • 1. 2. Диагностика свойств поверхности твердотельным зондом
      • 1. 2. 1. Профилометрия и туннельная микроскопия
      • 1. 2. 2. Сканирующая микроскопия регистрации атомных сил
    • 1. 3. Преобразование структуры поверхности твердотельным зондом
      • 1. 3. 1. Изменение свойств поверхности полупроводников и металлов посредством вызванного зондом локального анодного окисления
      • 1. 3. 2. Общая модель окисления Вагнера и процессы естественного окисления
      • 1. 3. 3. Модели Кабреры и Мотта
  • Выводы и постановка задач
  • 2. АТОМНО-СИЛОВ АЯ МИКРОСКОПИЯ
    • 2. 1. Основные принципы метода атомно-силовой микроскопии
    • 2. 2. Режимы взаимодействия иглы атомно-силового микроскопа с исследуемой поверхностью
      • 2. 2. 1. Вибрационные и модуляционные методики
      • 2. 2. 2. Система позиционирования зонда и система детектирования сигнала
      • 2. 2. 3. Кантилевер — зонд атомно-силового микроскопа
    • 2. 3. Методы математического анализа изображений поверхности, полученных атомно-силовой микроскопией
      • 2. 3. 1. Ир-эффект
  • Результаты и
  • выводы
  • 3. ЛОКАЛЬНОЕ АНОДНОЕ ОКИСЛЕНИЕ ПОВЕРХНОСТИ ЗОНДОМ АТОМНО-СИЛОВ ОГО МИКРОСКОПА
    • 3. 1. Локальное анодное окисление поверхности 81, ОаАэ
    • 3. 2. Особенности локального анодного окисления зондом СЗМ
    • 3. 3. Особенности зондового окисления тонких пленок титана и тонких пленок кремния в системе кремний-на-изоляторе
  • Выводы
  • 4. ОПТИМИЗАЦИЯ МОДИФИКАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ ЗОНДОМ АТОМНО-СИЛОВОГО МИКРОСКОПА
    • 4. 1. Физические аспекты взаимодействия иглы с поверхностью в присутствии воды
    • 4. 2. Электрическое поле в системе зонд-поверхность
    • 4. 3. Латеральные размеры
    • 4. 4. Влияние механического напряжения
    • 4. 5. Механическая модификация поверхности зондом атомно-силового микроскопа
    • 4. 6. Модификация поверхности ОаАэ и^
    • 4. 7. Локальное анодное окисление поверхности при повышенном анодном потенциале
    • 4. 8. Комплексная модификация поверхности полупроводников
  • Выводы
  • 5. ОСОБЕННОСТИ ЗОНДОВОЙ НАНОЛИТОГРАФИИ
    • 5. 1. Режимы зондовой нанолитографии
  • Режим ручного управления зондом во время окисления
    • 5. 2. Артефакты и погрешности изображений атомно-силовой микроскопии
      • 5. 2. 1. Механические и электронные шумы
    • 5. 3. Влияние шероховатости
    • 5. 4. Наноразмерные структуры на поверхности гетероструктур AlGaAs/GaAs
    • 5. 5. О совершенстве наноструктур, полученных локальным анодным окислением иглой АСМ
  • Выводы

Значительный прогресс в структурной диагностике низкоразмерных систем достигнут благодаря развитию и широкому применению методов сканирующей зондовой микроскопии (СЗМ): сканирующей туннельной микроскопии (СТМ), атомно-силовой микроскопии (АСМ) и др. [1]. Эти методы, основанные на эффектах взаимодействия заостренной иглы с исследуемой поверхностью, в кратчайшие сроки стали основными инструментариями структурных исследований поверхности в физике, геологии, химии, биологии, медицине. Относительная простота интерпретации получаемых изображений при высокой разрешающей способности и прецизионной точности измерений зондовой микроскопии позволяет решать многочисленные задачи, которые невозможно решить другими экспериментальными методами.

Достоинством методов сканирующей зондовой микроскопии является возможность получения трехмерного изображения рельефа поверхности, формирование которого оптической или электронной микроскопией затруднено и сопряжено со значительными математическими расчетами. Другим преимуществом СЗМ диагностики является способность получения карт распределения по поверхности ряда параметров, таких как потенциал, кулоновский заряд, электрическая емкость, намагниченность, твердость, оптические характеристики и др. Возможности проведения локальной спектроскопии, основанной на взаимодействии зонда-острия с поверхностью, продолжают расширяться, превращая СЗМ в важный инструмент многосторонней диагностики поверхности на наномётровом и даже атомном уровне.

К неоспоримому превосходству методов СЗМ можно причислить способность точного позиционирования острозаточенного зонда относительно исследуемого образца. В частности, это открывает возможность применения этих инструментов для создания наноразмерных объектов. В качестве примера, можно привести работы по переносу на острие зонда и укладыванию на поверхности единичных атомов, что является предельным разрешением литографии [2].

Модификация поверхности этим методом обладает высокой локальностью, т. е. не вызывает возмущение подложки в нетронутой области, тогда как, например, ионная или электронная литография может искажать потенциальный профиль получаемой структуры, легировать материал подложки, или даже вводить повреждения, разрушающие структуру. Следует отметить, что приемы СЗМ литографии могут быть реализованы не только в сверхвысоковакуумных условиях, но и воздушной среде, что указывает на их совместимость с существующими кремниевыми технологическими линейками. Достоинством метода нанолитографии СЗМ зондом является возможность проведения в едином цикле прецизионной диагностики рельефа подложки, проведения модификации поверхности и немедленной визуализации полученной структуры, избегая при этом промежуточных процессов нанесения резиста, травления, окисления и т. п.

В последние несколько лет активно исследуются возможности создания наноразмерных объектов на поверхности полупроводников посредством зондовой нанолитографии. Так, например, компания «1ВМ» разрабатывает несколько видов памяти для электронной промышленности, которая будет основана на технологии «Millepede» модификации поверхности зондом АСМ [3]. Таким образом, изучение физико-химических основ прецизионного наноструктурирования, основанного на взаимодействии иглы с подложкой, является одним из актуальнейших и приоритетных направлений современных нанотехнологий и нанофизики.

ЦЕЛЬ РАБОТЫ.

Несмотря на многочисленные исследования в области создания твердотельных полупроводниковых наноструктур, в том числе и в области зондовой нанолитографии, отсутствует детальная информация о физических процессах наномодификации поверхности полупроводников и металлов посредством зонда сканирующего зондового микроскопа. Целью настоящей работы является развитие основ нанолитографии для создания действующих наноприборов с уникальными свойствами.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:

• Установление особенностей локального анодного окисления и механического воздействия иглы атомно-силового микроскопа на полупроводниковые и металлические подложки.

• Определение основных физических факторов, ограничивающих пространственное разрешение модификации подложки иглой атомно-силового микроскопа.

• Оптимизация процессов наномодификации поверхности зондом атомно-силового микроскопа для увеличения латерального разрешения и глубины модификации подложки.

• Разработка воспроизводимой технологии литографии нанометрового диапазона на основе взаимодействия иглы кантилевера с подложкой.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА РАБОТЫ.

Изучены и дополнены данные о процессах наномодификации поверхности полупроводников и металлов посредством зонда СЗМ, что отражается в следующих результатах:

• За счет прецизионных измерений на специально сформированных плоских подложках со средней шероховатостью менее 1 ангстрема, определены или уточнены параметры, характеризующие физические механизмы локального анодного окисления поверхностей кремния, арсенида галлия, титана и кремния-на-изоляторе.

Показано, что механические напряжения, возникающие на границе между кристаллом и анодным оксидом в объеме кристалла, ограничивают перенос носителей заряда в зону реакции.

Рассчитана модель протекания тока в системе проводящая игла-подложка, учитывающая наличие диэлектрической пленки на поверхности подложки и напряженного слоя в объеме кристалла на границе с оксидом.

Обоснован и успешно реализован механизм уменьшения падения напряжения на слое естественного оксида на поверхности полупроводников за счет формирования в нем каналов проводимости при периодическом механическом разрушении проводящей иглой.

Разработана методика измерения и построены зависимости геометрической формы мениска адсорбированной на подложке водяной пленки при различной влажности и температуре для различного удаления иглы кантилевера от подложки.

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЦЕННОСТЬ РАБОТЫ.

Практическая ценность работы состоит в разработке технологии нанолитографии на основе модификации поверхности подложки проводящей иглой атомно-силового микроскопа, которая позволяет проведение литографии с глубиной модификации до ЮОнм, что в несколько раз превышает значения, известные в литературе.

На основе анализа механизмов локального анодного окисления поверхности под зондом атомно-силового микроскопа определены пути управления латеральным разрешением зондовой литографии за счет оптимизации относительной влажности окружающего воздуха и напряжения, прикладываемого к проводящей игле микроскопа.

• Предложен способ количественной характеризации адсорбированного на поверхности слоя водяного пара, основанный на анализе взаимодейстия иглы с подложкой при ее приближении и удалении.

• Разработаны основы векторной и растровой зондовой нанолитографии, позволяющей формирование низкоразмерных объектов и совместимой со стандартными технологическими маршрутами твердотельной электроники. В частности, методом АСМ литографии созданы электронные интерферометры с радиусом менее 100 нм, которые демонстрировали осцилляции Ааронова-Бома.

АПРОБАЦИЯ РАБОТЫ''.

Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях: IV, V и VI Российские конференции по физике полупроводников, 1999, Новосибирск, 2001, Нижний Новгород и 2003, Санкт-ПетербургScanning Probe Microscopy-2001, 2002, 2003 International Workshop, Nizhny Novgorod- 8-я российская конференция «GaAs и полупроводниковые соединения группы III-V», Томск, 2002; 5-th Russia-Japan seminar on semiconductor surfaces issue, Vladivostok, B-2, 2002; Международное рабочее совещание «Кремний-2002», Новосибирск, 2002; Tenth АРАМ topical seminar and third conference «Materials of Siberia» «NANOSCIENCE AND TECHNOLOGY», Novosibirsk, 2003; 11th International Symposium NANOSTRUCTURES: Physics and Technology, St Petersburg, 2003; 12th International Conference on ' Scanning Tunneling Microscopy Eindhoven, Netherlands (STM'03) — III Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе, Кремний 2003, Москва.

ПУБЛИКАЦИИ.

По теме диссертационной работы опубликовано 4 работы по зондовой нанолотиографии, 5 работ по зондовой диагностике в центральных отечественных и международных изданиях и более 20 работ апробированно на ведущих отечественных и международных конференциях.

НА ЗАЩИТУ ВЫНОСЯТСЯ СЛЕДУЮЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ:

• Экспериментальные результаты по прецизионному измерению параметров, характеризующих основные физические механизмы локального анодного окисления поверхностей кремния, арсенида галлия и титана, инициированного электростимул ирующим воздействием иглы сканирующего зондового микроскопа в атмосферных условиях.

• Разработка метода и результаты измерения зависимости геометрической формы мениска адсорбированной на подложке водяной пленки вокруг острия зонда АСМ при различной влажности для различного удаления зонда от поверхности подложки.

• Выявление возможности управления латеральными и вертикальными размерами (аспектным отношением) областей локального анодного окисления посредством контроля эффективного сечения реакции при изменении площади смачивания острия кантилевера в приповерхностном слое воды.

• Разработка и успешная апробация технологии сверхглубокой (до 100 нм) зондовой нанолитографии с латеральными разрешением менее 40 нм, включающая оптимизацию ряда параметров локального анодного окисления при повышенных потенциалах для минимизации влияния слоя естественного оксида в системе зонд-подложка и релаксацию механических напряжений, возникающих на границе оксид-кристалл.

СТРУКТУРА И ОБЪЕМ ДИССЕРТАЦИИ

.

Диссертационная работа состоит из введения, пяти основных разделов с выводами, заключения с общими выводами и списка литературы из 123 наименований. Основное содержание диссертации изложено на 149 страницах и содержит 44 рисунка.

Результаты работы также апробированы на следующих отечественных и международных конференциях:

1. Д. В. Щеглов. B.JI. Альперович, Н. С. Рудая, А. С. Терехов, А. В. Латышев и A.JI. Асеев, «Диагностика электрофизических свойств поверхности полупроводников зондом АСМ». VI Российская конференция по физике полупроводников, Полупроводники 2003, Санк-Петербург, Тезисы докладов, стр. 232.

2. Dmitry Sheglov, Dmitry Kwon, Alexander Toropov, Alexander Latyshev and Alexander Aseev, «Nanoscale local anodic oxidation and direct scratching of GaAs films by AFM probe», Tenth АРАМ topical seminar and third conference «Materials of Siberia» «NANOSCIENCE AND TECHNOLOGY», Novosibirsk, Proceedings, 2003, pp.245−246.

3. D. V. Sheglov, Yu. V. Nastaushev, A. V. Latyshev and A. L. Aseev, Nano-patterning of silicon based nanostructures by AFM probe, 11th International Symposium NANOSTRUCTURES: Physics and Technology, St Petersburg, 2003, Proceedings, pp. l43−144.

4. Д. В. Щеглов, C.C. Косолобов, A.B. Латышев и A. JI. Асеев, Структурные трансформации поверхности кремния (111) при субмонослойной адсорбции золота и меди, III Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе, Кремний 2003, Москва, тезисы докладов, стр. 277. ф 5. D.V.Sheglov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev, «Nano-patterning on flat surfaces by.

AFM tip", 12th International Conference on Scanning Tunneling Microscopy Eindhoven, Netherlands (STM'03), in Press, 2003.

6. D.V. Sheglov, A.V. Prozorov, D.A.Nasimov, A.V. Latyshev and A.L. Aseev, «PECULIARITIES OF NANOOXIDATION ON FLAT SURFACE» SPM-2002 International Workshop Issue, 2002, 146−150.

7. Д. В. Щеглов, E.E. Родякина, A.B. Латышев, А. Л. Асеев «Наноразмерная модификация поверхности кремния зондом АСМ», труды международного рабочего совещания «Кремний-2002», Новосибирск, 2002, стр. 68.

8. Д. В. Щеглов, Е. Е. Родякина, А. В. Латышев, А. Л. Асеев, «Наноразмерная модификация поверхности GaAs зондом АСМ», труды 8-й российская конференция «GaAs и полупроводниковые соединения группы III-V», Томск, 2002, стр. 192.

9. Yu. V. Nastaushev, Т.А. Gavrilova, М.М. Kachanova, O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P.Popov, L.V. Litvin, D. V. Sheglov, A. V. Latyshev and A. L. Aseev, Field effect nanotransistor on ultrathin silicon-on-insulator, 11th.

International Symposium NANOSTRUCTURES: Physics and Technology, St.

Petersburg, 2003, Proceedings, pp.240−241.

10.Ю. В. Настаушев, В. М. Кудряшов, Т. А. Гаврилова, Д. В. Щеглов, М. М. Качанова, Ф. Н. Дульцев, В. П. Попов, A.B. Латышев, А. Л. Асеев, Особенности электронно-лучевой литографии при создании полевых нанотранзисторов на КНИ, XIII Российский симпозиум по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел, Черноголовка, тезисы докладов, 2003, стр. 102.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Y.Kondo, K. Ohi, Yu. Ishibashi, — H, Hirano, Y. Harada, K. Takayanagi, Y. Tanishiro,
  2. Y.Kobayashi and K. Yagi, Design and development of an ultrahigh vacuum highresolution transmission electron microscope, Ultramicroscopy, 35(1991) 111−118.
  3. Bauer E., Mundschau M., Swiech W. and Telieps W. Surface studies by low-energyelectron microscopy (LEEM) and conventional UV photoemission electron microscopy (РЕЕМ), Ultramicroscopy 31 (1989) 49−57.
  4. Telieps W. and Bauer E. The (7×7)<=>(lxl) phase transition on Si (lll), Surf.Sci.162(1985) 163−168.
  5. R.M.Tromp, In situ studies with low-energy electron microscopy, Surf.Rev.Lett. 21 995) 103−107.
  6. M.Kubosoe, M. Tomita, I. Matsui, S. Isakozawa, S. Kamimura, Recent developmentin Hitachi ТЕМ. Mat.Res.Soc.Symp.Proc. 139 (1989) 256−270.
  7. Ichikawa M. and Doi T. Microprobe reflection high-energy electron diffraction //
  8. Reflection high energy electron diffraction and reflection imaging of surfaces. Plenum Publishing Corporation. (1988) 343−369.
  9. G.E. Moore, Proc. IEEE IEDM, 11 (1975).
  10. E. Abbe, Archif. f. Mikroskop. 9 (1873) 413.
  11. K.A. Valiev, The physics of submicron lithography-microdevices: Physics and fabrication technologies (Plenum Press, New York, 1992).
  12. S. Hector, V. Pol, A. Krasnoperova, J. Maldonado, A. Flamholz, D. Heald, C. Stalhammer, D. Galburt, R. Amodeo, T. Donohue, S. Wind, J. Buchigniano, R. Viswathan, M. Khan, S. Bollepali, and F. Cerrina, J. Vac. Sci. Technol. В 16 (1998)2517.
  13. J.P. Silverman, J. Vac. Sci. Technol В 16 (1998) 3137.
  14. W. Chen and H. Ahmed, J. Vac. Sci. Technol. В 11, (1999) 2519.
  15. D.R.S. Cumming, S. Thorns, S.P. Beaumont, and J.M.R. Weaver,
  16. Appl.Phys.Lett 68(1996)322.
  17. S.D. Berger and J.M. Gibson, Appl. Phys. Lett. 57 (1990) 153.
  18. Y. Lee, R.A. Gough, K.N. Leung, J. Vujic, M.D.-Williams, N. Zahir, W. Fallman, M. Tockler, and W. Bruenger, J. Vac. Sci.Technol. B 16 (1998) 3367.
  19. J.B.P.Williamson, Proc.Inst.Mech.Eng.London, 182, 21 (1967−68) Ansi B46.1.
  20. R.Young, J. Ward, F. Scire, Phys.Rev.Lett. 27 (1971) 922, R.D. Young, Phys. Rev. 113 (1959) 173, R.D. Young, Physics today 24 (Nov.1971) 42.
  21. R.Young, J. Ward, F. Scire, Rev. Sei. Instrum, 43 (1972) 999. i
  22. G.Binnig, H. Rorer, Ch. Gerber, E. Weibel, Phys.Rev.Lett. 49 (1982) 57. G. Binnig, H. Rorer, Ch. Gerber, E. Weibel, Appl.Phys.Lett. 40 (1982) 178. G. Binnig, H. Rorer, Ch. Gerber, E. Weibel, Phys.Rev.Lett.50(2) (1983) 120.
  23. K. Itaya, S. Sugawara, K. Sashikata, N. Furuya. In situ scanning tunneling microscopy of platinum (lll) surface in aqueous solutions. J. Vac.Sci. Technol. A 8(1990)515−519.
  24. K. Sashikata, N. Furuya, K. Itaya. In situ electrochemikal scanning tunneling microcopy of Pt (l 11), Rh (l 11), and Pd (l 11) in aqueous acid solutions. J. Vac. Sei. Technol. B 9(2) (1991) 457−464.
  25. S. Manne, J. Massie, V.B. Elings, P.K. Hansma, A.A.Gewirth. Electrochemistry on a gold surface observed with the atomic force microscope. J. Vac. Sei. Technol. B 9(2) (1991) 950−954.
  26. N. J. Tao, S.M. Lindsay. Observation of the 22×3 reconstruction of Au (l 11) under aqueous solutions using scanning tunneling microscopy. J. Appl. Phys. 70 (1991) 5141−5143.
  27. G. Binnig, C.F. Quate and Ch. Gerber. Atomic force microscope., Phys. Rev. Lett. 56 (9) (1986) 930−933.
  28. U. Durig, D. Pohl, F. Rohner, IBM, J.Res.Develop.30(5), 478 (1986). U. Durig, D.W. Rohl, F. Rohner, J.Appl.Phys.59(10) (1986) 3318.
  29. Moyer P.J. Kammer S.B., Appl.Phys.Lett. 68 (24) (1996) 3380.
  30. D.M. Eigler and E.K. Schweizer, Nature 344 (1990) 524.
  31. M.F. Crommie, C.P. Lutz, and D.M. Eigler, Science 262 (1993) 218.
  32. J.W. Lyding, Proceedings of the IEEE 85 (1997) 589.
  33. E.J. Van Loenen, D. Dijkkamp, A.J. Hoeven, J.M. Lenssinck, and J. Dieleman, Appl Phys. Lett. 55 (1989) 1312.
  34. H.J. Mamin, P.H. Guethner, and D. Rugar, Phys. Rev. Lett. 65 (1990) 2418.
  35. I. Heyvaert, E. Osquiguil, C. Van Haesendonck, and Y. Bruynse-raede, Appl. Phys. Lett. 61 (1992) 111.
  36. M.A. McCord and R.F.W. Pease, J. Vac. Sci. Technol. B 5 (1987) 430.
  37. K. Wilder, C. Quate, B. Singh, and D.F. Kyser, J. Vac. Sci. Technol. B 16 (1998) 3864.
  38. L. Stockman, G. Neuttiens, C. Van Haesendonck, and Y. Bruyn-seraede, Appl. Phys. Lett. 62 (1993) 2935.
  39. S.W. Park, H.T. Soh, C.F. Quate, and S.-I. Park, Appl. Phys. Lett.67 (1995) 2415.
  40. L.L. Sohn and R.L. Willet, Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 1552.
  41. J.A. Dagata, J. Schneir, H.H. Harary, C.J. Evans, M.T. Postek, and J. Bennett, Appl. Phys. Lett. 56(1990) 2001.
  42. O. Tabata, R. Asahi, H. Funabashi, K. Shimaoka, and S. Sugiyama, Sensors and Actuators A 34 (1992) 51.
  43. H.C. Day and D.R. Allee, Appl. Phys. Lett. 62(21) (1993) 2691.
  44. N. Kramer, H. Birk, J. Jorritsma, and C. Schonenberger, Appl Phys. Lett. 66 (1995)1325.
  45. H. Sugimura, T. Uchida, N. Kitamura, and H. Masuhara, Appl.Phys. Lett. 63 (1993) 1288.
  46. R.J.M. Vullers and C. Van Haesendonck, Nanolithographic patterning of silicon wafers with a scanning probe microscope, B VM-SBM letter 2(1997) 13−14. .
  47. R.J.M. Vullers, M. Ahlskog, C. Van Haesendonck, Titanium nanostructures made by local oxidation with the atomic force microscope, Applied Surface Science 144−145(1999)584−588.
  48. R.J.M. Vullers, M. Ahlskog, M. Cannaerts, and С. Van Haesendonck, The fieldinduced oxidation of mesoscopic Ti structures by AFM with diamond coated tips, J.
  49. Vac. Sei. Technol. B. 17(6) (1999) 2417.
  50. R.Held, T. Heinzel, P. Studerus, K. Ensslin, Nanolithography by local anodic oxidation of metal films using an atomic force microscope, Physica E 2 (1998) 748−752.
  51. T. Thundat, L.A. Nagahara, P.I. Oden, S.M. Lindsay, M.A. George, W.S. Glaunsinger, J. Vac. Technol A 8(4) (1990) 3537−3541.
  52. A. Notargiacomo etal, Nanotechnology 10 (1999) 458.
  53. E.S. Snow and P.M. Campbell,' Science 270 (1995) 1639.
  54. D.V. Sheglov, A.V. Prozorov, D.A. Nasimov, A.V. Latyshev and A.L. Aseev, «Peculiarities of nanooxidation on flat surface», Phys. Low-Dim. Struct. 5/6 (2002) 239−247.
  55. A.Szekeres, P. Lytvyn, S. Alexandrova, Appl.Surf.Sci. 191, 1−4, 148−152, 2002.
  56. C. Vallee, C. Cardinaud, L. Rolland, M.-C. PeignontAppl. Surf. Sei. 164 (2000) 147.
  57. H. Lee, J.W. Rabalais, S.M. Lee, E.T. Ada, J. Kulik, Surf. Sei. 453 (2000) 159.
  58. J.T. Sheu, K.S.You, C.H.Wo, K.M.Chang, J. Vac. Sei. Technol В 20 (2002) 2824.
  59. Д.В., ЖТФ, 72/1 (2002) 60−65.
  60. Y.-R.Ma, C. Yu, Y.-D. Yao, Y. Liou, S.-F.Lee, Phis.Rev.B., 64 (2002) 1953.
  61. N.F. Mott, Trans. Farady Soc. 35 (1939) 1175.
  62. G. Tamman, Zeitschrift fur Anorganische Chemie 111 (1920) 78.
  63. N.B. Pilling, R.E. Bedworth, J. Inst. Metals 29 (1923) 529.
  64. N.F. Mott, Trans. Farady Soc. 36,(1940) 472.
  65. N.F. Mott, Trans. Farady Soc. 43 (1947) 429.
  66. N.Cabrera, N.F.Mott, Rep. Prog. Phys. 12 (1949) 163.
  67. D. Sarid, Scanning Force Microscopy (Oxford University Press, Oxford, 1994).1 * 64 W.A. Ducker, R.F. Cook, D.R. Clarke. Force measurement using an AC atomicforce microscope. J. Appl. Phys. 67 (9) (1990) 4045−4052.
  68. H. Ueyama, М. Ohta, Y. Sugawara, S. Morita. Atomically resolved InP (llO) surface observed with noncontact ultrahigh vacuum atomic force microscope. Jpn. J. Appl. Phys. V. 34 (1995) L1086-L1088.
  69. V.A.Bykov, V.A.Fedirko. Scanning probe microscopy for biological object investigation. In «Spectroscopy of Biolog. Molecules, ed. by J.C.Merlin, S. Turrell and J.P.Huvenne. Kliver Acad. Publ., Dordrecht/ Boston/ London, (1995) 471 472.
  70. M.-H. Whangbo, S. N. Magonov, H. Bengel. Tip-sample force interactions and surface stiffness in scanning probe microscopy. Probe Microscopy, 1 (1997) 23.
  71. V. I. Shevyakov., S.V. Lemeshko, V.M. Roschin Conductive SPM probes of base Ti or W refractory compounds. Nanotechnology. 9 (1998) 352−355.71 www.ntmdt.ru
  72. C.Wagner, Z.Physik. Chem. B21 (1933) 25. C. Wagner, Z.Physik. Chem. B32 (1936)447. ~
  73. C.M. Репинский, Процессы окисления полупроводников и строение границ раздела, Физика и техника полупроводников 35 (2001) 9.
  74. H.Sugimura, N. Kitamura, Н. Masuhara, Jpn. J. Appl.Phys. 1 33 (1994) L143.
  75. J.Servat, G.P.Gorostiza, F. Sanz, X.F. Perez-Murano, J.N. Barniol, P.G. Abadal, FX. Aymerich, J. Vac. Sci. Technol. A 14(1996) 1.
  76. E.S. Snow, G.G. Jernigan, P.M. Campbell, „The Kinetics and Mechanizm of Scanned Probe oxidation of Si“, Appl. Phys. Lett. 16 (2000) 1782−1784.
  77. M.Yasutake, Y.Y.Ejiri, T. Hattori, Jpn. J. Appl. Phys. 1 33 (1993) 2586.
  78. T.Teuschler, K. Mahr, S. Miyazaki, M. Hundhauzen, L. Ley, Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 2499.
  79. E. Dubois, J-L. Bubbendorff, „Kinetic of scanned probe oxidation: space-charge limited growth“, J.Appl.Phys 87 (2000) 8148−8154.
  80. L.Ley, T. Teuschler, K. Mahr, S. Miyazaki, M. HundHausen, „Kinetics of field-induced oxidation for Hydrogen-terminated Si (l 11) by means of a scanning force microscope“ J. Vac. Sci.Technol. B 14 (1996) 2845−2849.
  81. J.A.Dagata, F. Peres-Murano, G. Abadal, K. Morimoto, T. Inoue, J. Itoh, H. Yokoyama, „Predictive model for scanned Probe oxidation kinetics“, Appl. Phys. Lett.76 (2000) 2710−2712.
  82. P.M. Campbell, E.S. Snow, P.J. .McMarr, Physica B 227 (1996) 315.
  83. J.A. Dagata, T. Inoue, J. Itoh, K. Matsumoto, H. Yokoyama, J.Appl.Phys. 84 (1998) 6891.
  84. A.T Fromhold, „The anodic behavior of metal and semiconductor series“, Jr., edited by J.W. Diggle, A.K. Vijh (Marsel Dekker, Inc., New York, 1976).
  85. A.T. Fromhold, Theory of metal oxidation, VI fundamentals (North Holland Publishing Company, Amsterdam, 1976).
  86. P. Avouris, T. Hertel, R. Martel, Appl. Phys. Lett., 71 (1997) 285
  87. D.Stievenard, P.A. Fontaine, E. Dubois, Appl. Phys. Lett., 70 (1997) 3272.
  88. J.A. Dagata, T. Inoue, J. Itoh, K. Matsumoto, H. Yokoyama, J. Appl. Phys: 84 (1998)6891.
  89. J.L. Murray and H.A. Wriedt, in Phase diagrams of binary titanium alloys, edited by J.L. Murray (ASM International, Materials Park, Ohio, 1987).
  90. F.P.Bowden, D. Tabor The friction and lubrication solids (Oxford, Clarendon) (1950).
  91. J.S. McFarlane, D Tabor, Adhesion of solids and the effects of surface films, Proc. R.Soc. A 202 (1950) 224−43.
  92. A.W. Adamson Physical chemistry of surfaces 5th edn (New York Wiley) (1990).
  93. J.N.Israelashvili, Intermolecular and surface forces 2nd edn (San Diego, Academic) (1992.).
  94. G.F. Teletske, H.T.Davis, L.E. Scriven, How liquids spread on solids Chem. Eng. Commun 55 (1987) 41−82.
  95. V.J.Novotny, Migation of liquid polimers on solid sufaces, J.Chem.Phys. 92 (1990)3189−3196.
  96. Y.Li, F.E.Talke, Tribology and mechanics of magnetic storage systems ed B/ Bhushan (Park Ridge IL STLE) sp29 79−84 (1990).
  97. S.L. Konsek, RJ.N. Coope, T.P. Pearsall, and T. Tiedje, Appl.Phys. Lett. 70 (1997) 1846.
  98. R. Garcia, M. Calleja, and F. Perez-Murano, Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 2295.
  99. M. Binggeli and C.M. Mate, J. Vac. Sei. Technol. B 13 (1995) 1312.
  100. Ph. Avouris, R. Martel, T. Hertel, and R. Sandstrom, Appl. Phys. A 66 (1998) S659.•» ¦101A.E. Gordon, R.T. Fayeld, D.D. Litn, and T.K. Higman, J. Vac. Sei. Technol. B 13 (1995)2805.
  101. F. Marchi, V. Bouchiat, H. Dallaporta, V Safarov, D. Tonneau, and P. Doppelt, J. Vac. Sei. Technol. B 16 (1998) 2952.
  102. I.V. Bradley, W.P.Gilln, K.P.Homewood and R.P.Webb, J.Appl.Phys. 73 (1993) 1686.
  103. W.P.Gillin, D.J.Dunstan, Phys.Rev.B., 50 (1994) 7495.
  104. Data in Science and Technology Semiconductors, (Springer-Verlag, Berlin, 1991).
  105. P.D. Warren, O.V. Kolosov, S.G. Roberts, G.A.D. Briggs, «Characterization of surface damage via contact probes», Nanotechnology 7 (1996) 288−294.
  106. P.Bertrand-Lambotte, J.L.Loubet, C. Verpy, S. Pavan, Thin Solid Films, 398−399 (2001)306−312.
  107. W. Allers, C. Hahn, M. Lohndorf, S. Lucas, S. Pan, U.D. Schwarz and R. Wiesendanger, Nanotechnology, 7 (1997) 346−350.
  108. M. Wendel, S Kuhn, H. Lorenz, J.P. Kotthaus, M. Holland., «Nanolothography with an atomic force microscope for integrated fabrication of quantum electronic devices», App. Phys. Lett., 65(14) (1994) 1775−1777.
  109. М. Wendel, Н, Lorenz, J.P. Kotthaus, «Sharped electron beam deposited tips for high resolution atomic force microscope lithography and imaging», App. Phys. Lett, 67(25) (1995) 3732−3734.
  110. J. Cortes Rosa, M. Wendel, H, Lorenz, J.P. Kotthaus, M. Thomas and H. Kroemer, «Direct pattering of surface quantum wells with an atomic force microscope», Appl. Phys. Lett., 73(18) (1998) 2684−2686.
  111. H. J. Mamin, «Thermal writing using a heated atomic force microscope tip», Appl. Phys. Lett., 69(3) (1996) 433−435.
  112. L.P. Ma, W.J.Yang, Z.Q.Xue and S.J. Pang, «Data storage with 0,7 nm recording marks a crystalline organic thin films by a scanning tunneling microscope», Appl. Phys. Lett., 73(6) (1998) 850−852.
  113. G. E. Engelmann, J.C. Zieger, D. M. Kolb, «Electrochemical fabrication of large array of nanoclusters», Surf. Sei., 401 (1998) L420-L424.
  114. R. Maoz, E. Frydman, S Cohen, J. Sagiv, «Constructive Nanolithography: Site-defined silver self-assembly on nanoelectrochemically patterned monolayer templates», Adv. Mat., 12(6) (2000) 424−429.
  115. G.Abadal, F. Peres-Murano, N. Barniol, X. Aymerich, «Field induced oxidation of silicon by SPM: study of mechanism at negativ sample voltage by STM, ESTM and AFM», Appl.Phys. A, 66 (1998) S791−795.
  116. D. A. Nasimov, D. V. Sheglov, E. E. Rodyakina, S. S. Kosolobov, L. I. Fedina, S. A. Teys and A. V. Latyshev, AFM and STM studies of quenched Si (lll) surface, Phys. Low-Dim.Struct. ¾ (2003) 146.
  117. A.V. Latyshev, A.L. Aseev, A.B. Krasilnikov and S.I. Stenin., Surf. Sci., 213 (1989) 157
  118. S.S. Kosolobov, D.A. Nasimov, D.V. Sheglov, E.E. Rodyakina, A.V. Latyshev «Atomic force microscopy of silicon stepped surface», Phys. Low-Dim. Struct. 5/6 (2002)231−239.
  119. Д.В. Щеглов, E.E. Родякина, A.B. Латышев, А. Л. Асеев, «Наноразмерная модификация поверхности GaAs зондом АСМ», труды 8-й российская конференция «GaAs и полупроводниковые соединения группы III-V», Томск, (2002) 192.
  120. A.V. Latyshev, S.S. Kosolobov, D.A. Nasimov, D.V. Scheglov and A.L. Aseev, «Structural transformations and nanostuctural formation on the stepped silicon surface», 5-th Russia-Japan seminar on semiconductor surfaces issue, Vladivostok, B-2, 2002.
  121. Tkachenko V A et al JETP Lett. 93 3 (2004) 168.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!