Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Моделирование процессов разделения компонентов пар взаимодействующих дефектов в ионных кристаллах

Диссертация: Моделирование процессов разделения компонентов пар взаимодействующих дефектов в ионных кристаллах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Исследования стимулированных радиацией процессов в кристаллах с дефектами показали, что наличие исходной дефектности *в кристаллах сильно влияет на соотношение эффективностей каналов распада ЭВ. В кристаллах с дефектами могут накапливаться при облучении дефекты иной структуры, чем в чистых кристаллах. Причиной этих эффектов является активная роль дефектов решётки в процессе захвата электронных… Читать ещё >

Моделирование процессов разделения компонентов пар взаимодействующих дефектов в ионных кристаллах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА. ЭЛЕМЕНТАРНЫЕ ПРОЦЕССЫ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ТОЧЕЧНЫХ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ
    • 1. Расца^ электронных возбуждений на пары дефектов
    • 2. Пространственное разделение компонентов первичных пар дефектов
    • 3. Влияние дефектов структуры на топографию распределения компонентов первичных пар дефектов
  • ГЛАВА. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ МИГРАЦИИ ПОДВИЖНЫХ ДЕФЕКТОВ ПОСРЕДСТВОМ ТЕРМОАКТИВИРОВАННОГО ДВИЖЕ- 56 НИЯ В ПОЛЕ НЕПОДВИЖНОГО ДЕФЕКТА
    • 1. Анализ существующих моделей расчёта миграции взаимодействующих дефектов
    • 2. Потенциал взаимодействия компонентов нейтральных пар
    • 3. Математическая модель анализа миграции дефекта методом Монте-Карло
    • 4. Модель процесса миграции подвижного компонента аннигилирующей пары в поле неподвижного
    • 5. Модель процесса миграции подвижного дефекта в поле неподвижного при отсутствии аннигиляции
  • ГЛАВА. МИГРАЦИЯ Я-ЦЕНТРОВ В ПОЛЕ-ЦЕНТРОВ В ЩГК
    • 1. Функция начального распределения первичных F-H пар
    • 2. Кинетика релаксации первичных F-Hпар
    • 3. Температурная зависимость эффективности накопления центров окраски
    • 4. Температурно-временная зависимость релаксации первичных пар
    • 5. Энергия активации процесса пространственного разделения
  • ГЛАВА. МИГРАЦИЯ ПОДВИЖНОГО ДЕФЕКТА В ПОЛЕ НЕПОДВИЖНОГО ПРИ ОТСУТСТВИИ АННИГИЛЯЦИИ
    • 1. Миграция подвижного дефекта в поле неподвижного при наличии взаимного притяжения
    • 2. Миграция подвижного дефекта в области неподвижного при наличии потенциала отталкивания между ними
    • 3. Зависимость процесса миграции от параметров потенциала взаимодействия

АКТУАЛЬНОСТЬ РАБОТЫ.

Воздействие ионизирующей радиации на твердые тела приводит к возникновению в них новых дефектов структуры и преобразованию дефектов, существовавших до облучения. Создание радиацией новых дефектов структуры кристаллов проявляется после окончания облучения в изменении многих физических и химических свойств. Вопросы, связанные с выяснением природы радиационных дефектов и механизмов их образования в различных материалах, занимают одно из центральных мест в радиационной физике твердого тела. Их практическая значимость определяется широким внедрением в производство методов корпускулярно-фотонных технологий обработки и получения материалов для нужд полупроводниковой, лазерной и вычислительной техники, микрои оптоэлектроники, потребностями ядерной и космической техники в стойких к действию радиации материалах.

Основная доля энергии радиации при взаимодействии с твердым телом расходуется на возбуждение электронной подсистемы, результатом чего является создание низкоэнергетических электронных возбуждений (ЭВ): электронно-дырочных пар, экситонов. Распад электронных возбуждений происходит либо с излучением энергии, либо безызлучательно на пары структурных дефектов. Явление распада электронных возбуждений (ЭВ) было впервые сформулировано в [1] и является до сих пор предметом множества исследований.

Наиболее распространёнными объектами для исследований процессов распада электронных возбуждений на пары структурных дефектов являются щелочно-галоидные кристаллы (ЩГК). ЩГК могут быть получены высокого совершенства. Имеется много экспериментальных методов, способных избирательно оценивать изменения концентраций радиационных дефектов в ЩГК без их разрушения. Поэтому модели распада электронных возбуждений на пары структурных дефектов разрабатываются в основном для ЩГК. К настоящему времени уже удалось доказать, что разрабатываемые для ЩГК модели процесса распада электронных возбуждений на пары структурных дефектов хорошо соответствуют известным совокупностям экспериментальных исследований дефектообразования в кристаллах фторидов щелочноземельных металлов. Эти модели приемлемы для описания известных процессов в кристаллах окислов металлов. СОСТОЯНИЕ ПРОБЛЕМЫ.

Существенный прогресс в развитии представлений о дефектообразо-вании был достигнут при использовании методов импульсной абсорбционной спектроскопии для исследования короткоживущих дефектов. Уже первые опыты по их использованию в сочетании с техникой время-разрешающей люминесцентной и абсорбционной спектроскопии дали ряд важнейших результатов, составляющих основу современных представлений о физике радиационного дефектообразования в ионных кристаллах.

К их числу относятся данные о спектрах переходного поглощения актолокализованных экситонов (Вильяме, Каблер, 1970), позволившие расшифровать их электронную структуруустановление того факта, что создание пар френкелевских дефектов происходит из экситонных состояний более высоких, чем п и, а излучательные состояния АЛЭ (Кондо и др., 1972). Оказалось, что подавляющее большинство создаваемых облучением F, H пар дефектов при температуре кипения жидкого гелия являются неустойчивыми и спонтанно аннигилируют в ходе мономолекулярного процесса (Hirai, 1971) — создание неустойчивых и стабильных дефектов происходит по разным законам (Карасава, 1976). Была обнаружена возможность эффективного образования короткоживущих F, Н пар путем оптического возбуждения релаксированных триплетных АЛЭ (Вильяме, 1976). Непосредственные измерения кинетики создания F центров, выполненные с применением пикосекундных лазерных импульсов для возбуждения зона-зонных переходов в режиме двухфотонного поглощения (Бредфорд, 1975), показали, что акты возбуждения кристалла и появление F центров в основном состоянии разделены интервалом времени порядка 10″ пс. Дальнейшие исследования (Лисицын, 1982) ЩГК показали, что создающиеся в ЩГК при распаде электронных возбуждений дефекты F-H и а-1 — первичны. Электронные возбуждения с высоким выходом распадаются на F-7/пары и в кристаллах MgF2 (Лисицын, 1972, 1975).

Таким образом, в конце 70-х годов, усилиями нескольких научных групп преимущественно в США, Японии и СССР, сформировались и показали свою высокую продуктивность экспериментальные методы, основанные на использовании импульсных электронных и лазерных пучков для возбуждения кристаллов и техники абсорбционной спектроскопии с высоким временным разрешением для детектирования наводимой дефектности.

В конце 80-х начале 90-х годов интенсивное изучение быстропроте-кающих процессов методами импульсной спектроскопии, с использованием в качестве источников возбуждения импульсных лазеров и ускорителей электронов позволило получить ряд важнейших результатов: образование и распад горячего состояния в течение короткого интервала времени до бпс, образование F-H пар до автолокализации дырки, сосуществование off и on центровой конфигураций экситонов, образование одногалоидного эк-ситона [2,3] - закономерностей, составляющих основу современных представлений о физике радиационного дефектообразования в ЩГК.

Характеризуя ситуацию в целом, следует отметить, что исследования с использованием время-разрешенной спектроскопии, существенно расширив представления о предшествующих созданию дефектов в ЩГК элементарных процессах, пока ещё явно недостаточны для воссоздания полной картины явлений.

Во всём процессе радиационного дефектообразования пространственное разделение коррелированных первичных пар дефектов, образующихся при распаде ЭВ, является наименее изученным даже на сегодняшний день. Рассматривая возможные механизмы пространственного разделения пары дефектов необходимо учитывать результаты, полученные в работе Лисицына В. М., где показано экспериментально, что разделение пар дефектов эффективно происходит и в кристаллах MgF2, которые имеют отличную от NaCl структуру решётки. Следовательно, для объяснения разделения нет необходимости в привлечении моделей фокусирующихся соударений, которые являются малоэффективными [4,5]. Очевидно, пространственное разделение осуществляется посредствам просто термоактивированного движения подвижного компонента пары. В [6,7] было показано, что разделение посредством термоактивированного движения может иметь высокую эффективность даже в случае взаимодействия пар. В работах В. И. Сигимова, 1979 и П. В. Бочканова, 1984, теоретически показаны основные ожидаемые закономерности пространственного разделения нейтральных и заряженных пар. Однако используемые в этих работах теоретические методы имели значительные ограничения: первый имел возможность изучения процессов в малой области взаимного удаления компонентов пар дефектов, второй — неопределенность в кинетике из-за полуфеноменологических параметров в расчётах.

Исследования стимулированных радиацией процессов в кристаллах с дефектами показали, что наличие исходной дефектности *в кристаллах сильно влияет на соотношение эффективностей каналов распада ЭВ. В кристаллах с дефектами могут накапливаться при облучении дефекты иной структуры, чем в чистых кристаллах [8]. Причиной этих эффектов является активная роль дефектов решётки в процессе захвата электронных возбуждений, или подвижного дефекта. Показано, что на эффективность стимулированных радиацией процессов влияет и наличие электронейтральности дефектов по отношению к решётке. Было высказано предположение о том, что взаимодействие дефектов с ЭВ и подвижными дефектами является существенным и в случае электронейтрального дефекта. Однако, для установления природы процесса захвата ЭВ, оценки эффективностей этого процесса необходимо знание закономерностей миграции ЭВ, подвижных дефектов в поле неподвижного. Решение этой задачи в настоящее время возможно только путём моделирования на ЭВМ. Нетрудно увидеть, что решение этой задачи подобно решению задачи о пространственном разделении коррелированных пар Френкеля.

Макроскопический перенос массы и заряда, обусловленный движением точечных структурных дефектов в кристалле, определяется в конечном счете элементарными процессами взаимодействия и миграции этих дефектов. Расшифровка взаимосвязей между элементарными процессами и макропереносом — одна из основных задач, поскольку понимание этого позволяет целенаправленно управлять свойствами дефектных кристаллов и создавать материалы с заданными свойствами. Теоретические исследования данной проблемы аналитическими методами, выполненные за последние десятилетия, позволили установить некоторые соотношения между элементарными процессами взаимодействия и миграции дефектов и наблюдаемым макропереносом. Однако в большинстве случаев подобные задачи в принципе не могут быть решены количественно аналитическими методами (примером могут служить проблемы решения задач массопере-носа с эффектами корреляции [9]). Поэтому разработка методов моделирования на ЭВМ и решение с их помощью задач макропереноса — важные и актуальные проблемы.

ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ РАБОТЫ.

Общей целью настоящей работы является исследование методами компьютерного эксперимента процессов разделения, аннигиляции и захвата созданных облучением компонентов взаимодействующих пар френкелевских дефектов в реальных ионных кристаллах. Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

1. Выбрать физическую модель, описывающую явления, приводящие к созданию пространственно разделенных F-H-пар при распаде ЭВ в реальных кристаллах.

2. Разработать методы математического моделирования, адекватно описывающие динамику этих явлений.

3. Рассчитать возможные варианты функции начального распределения компонентов пар дефектов в ионных кристаллах с гранецентрированной решеткой после воздействия мгновенного импульса радиации.

4. Рассчитать кинетики пространственного разделения компонентов первичных пар в реальном масштабе времени и установить зависимости эффективности разделения от параметров потенциала взаимодействия, функции начального взаимного распределения пар, температуры.

5. Исследовать характер влияния на кинетику миграции подвижного компонента созданной пары Френкеля, находящегося в поле неподвижного, например, дорадиационного дефекта.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА.

1. Методами компьютерного моделирования проведены исследования и систематизированы с учетом последних экспериментальных результатов процессы миграции подвижного дефекта в поле неподвижного на примере термоактивированного движения //-центра в поле F. Показано, что эффективность пространственного разделения компонентов пар, кинетика их аннигиляции определяются преимущественно параметрами потенциала взаимодействия между компонентами пар и слабо зависят от функции начального распределения.

2. Впервые изучены закономерности миграции подвижных созданных радиацией дефектов в области неподвижных, например, дорадиационного происхождения, при наличии потенциала взаимодействия между компонентами этих неаннигилирующих пар дефектов. Показано, что процесс слабо зависит от начального взаимного распределения компонентов пар, за исключением ближайших состояний, а также зависит от параметров потенциала взаимодействия между ними. 3. Впервые показано, что энергия активации процесса накопления F-центров есть энергия активации процесса пространственного разделения компонентов пары дефектов. Эта энергия определяется параметрами потенциала взаимодействия компонентов разделяющихся пар.

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЗНАЧИМОСТЬ заключается в разработке пакета прикладных программ и метода компьютерного моделирования, которые позволяют исследовать в ионных кристаллах различные виды миграционных процессов в реальном масштабе времени с учетом взаимодействия компонентов созданных пар френкелевских дефектов между собой и с дорадиационной дефектностью.

Полученные в результате проведенных исследований новые сведения об эволюционном процессе образования и миграции радиационных дефектов, о влиянии различных факторов (температуры и строения решетки, состояния дефектности структуры) на эволюцию первичной дефектности открывают новые возможности для разработки методов прогнозирования поведения ионных кристаллов в поле радиации, определения путей управления стойкостью материалов к воздействию ионизирующих излучений, а также более однозначно интерпретировать экспериментальные результаты при исследовании различных видов стимулированных радиацией процессов.

ЗАЩИЩАЕМЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ.

1. Алгоритмы и программы, позволяющие рассчитывать методом Монте-Карло кинетику спада концентрации центров окраски после облучения в ионных кристаллах, значения энергии активации процессов пространственного разделения компонентов пары и накопления стабильных дефектов, а также их температурные зависимости с учетом параметров взаимодействия компонентов пары и структуры кристаллической решетки в реальном масштабе времени.

2. Вид функции начального взаимного распределения компонентов первичных пар радиационных дефектов определяется величиной энергии, выделяющейся в месте рождения пары в процессе распада ЭВ, а эффективность пространственного разделения и кинетика релаксации определяются параметрами потенциала взаимодействия между компонентами пары.

3. Из кинетических кривых релаксации первичных дефектов и температурных зависимостей нельзя получить информацию о взаимном распределении компонентов коррелированных пар, созданных при распаде ЭВ. Из кинетических кривых может быть получена информация только о наличии коррелированных и некоррелированных пар дефектов.

4. Энергия активации процесса накопления первичных радиационных дефектов есть энергия активации пространственного разделения компонентов пары Френкеля, если разделение происходит в результате термоактивированного движения. Эта энергия не зависит от энергии активации миграции подвижного компонента пары.

5. Наличие взаимодействия между компонентами неаннигилирующих пар дефектов, например, взаимодействия созданного подвижного дефекта и присутствующего в кристалле, проявляется в зависящей от температуры траектории миграции мобильного компонента, то есть в конечном итоге в изменении эффективности пространственного разделения или скорости преобразования в устойчивый центр подвижного первичного дефекта.

ЛИЧНЫЙ ВКЛАД АВТОРА.

Результаты, изложенные в диссертации, получены лично автором, а также в сотрудничестве с коллегами по кафедре лазерной и световой техники электрофизического факультета Томского политехнического университета. Участие в работе каждого сотрудника отражено в совместных публикациях. Данная диссертационная работа планировалась и выполнялась как часть комплексных исследований по разработке физических основ прогнозирования радиационной стойкости диэлектрических материалов. Исследования выполнялись при поддержке Министерства образования РФ (Грант № 1 980 004 587, 1999 г., Грант № 1 200 008 652, 2000;2002гг.), а также при поддержке РФФИ проекта по исследованию нестационарных, созданных радиацией дефектов в диэлектрических материалах (Грант № 01−218 035, 2001 г.) и др. Все основные выводы и результаты диссертационной работы получены лично автором. Совместно с научным руководителем профессором, д. ф-м.н. Лисицыным В. М. был определен план работы и обсуждались результаты исследований. Личный вклад автора включает разработку математической модели, алгоритма расчета и пакета прикладных программ для моделирования процессов миграции радиационных дефектов в ионных кристаллах.

АПРОБАЦИЯ РАБОТЫ.

Результаты настоящей работы были доложены на следующих конференциях и семинарах: 3~ и 4Ш областных научно-практических конференциях студентов, аспирантов и молодых ученых (Томск, 1997, 1998), Школе-семинаре «Люминесценция и сопутствующие явления», посвященной памяти заслуженного деятеля науки Российской Федерации профессора И. А. Парфиановича (Иркутск, 1997, 1999, 2000, 2001), Конференции «Твердотельные детекторы ионизирующих излучений» (Екатеринбург,.

1997), 10— и 11— международных конференциях по радиационной физике th • и химии неорганических материалов (Томск, 1999, 2000), 10in International Conference «Radiation Effects in Insulators» (Jena, Germany, 1999), 2Ш Международной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах» (Томск, 2000), 6 м Казахстанской конференции по физике твердого тела (Актобе, 2000), Уральском семинаре «Сцинтилляционные материалы и их применение» (Екатеринбург, 2000),.

11th International conference on Radiation physics and chemistry of condensed matter (Tomsk, 2000), Международной конференции «Физико-химические процессы в неорганических материалах» (Кемерово, 2001).

ОБЪЁМ И СТРУКТУРА.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы из 166 наименований. Общий объем диссертации 191 страница машинописного текста, 47 рисунков и 10 таблиц.

Заключение

.

В настоящей работе предложена и систематически исследована модель пространственного разделения компонентов взаимодействующих пар дефектов посредством термоактивированного движения подвижного компонента парыпроведен анализ экспериментальных результатов по распаду электронных возбуждений и пространственному разделению первичных пар радиационных дефектов в ионных кристаллах. Основные результаты работы заключаются в следующем.

1. Разработаны физическая и математическая модели анализа процессов миграции подвижного компонента в поле неподвижного для случаев взаимодействующих аннигилирующих и неаннигилирующих пар дефектов. В моделях предполагается, что подвижный дефект движется посредством термоактивированных скачков. Потенциальный рельеф для движения представляется в виде наложения на рельеф идеального кристалла потенциала взаимодействия в области неподвижного дефекта. Миграция подвижного дефекта рассчитывалась с использованием метода Монте-Карло.

2. Впервые проведены теоретические исследования зависимости миграции созданного радиацией подвижного дефекта в поле неподвижного на примере термоактивированного движения //-центра. Изучена зависимость пространственного разделения компонентов первичных пар Френкеля в ионных кристаллах от параметров потенциала взаимодействия между компонентами пар.

3. Вид функции начального взаимного распределения компонентов первичных нейтральных пар радиационных дефектов определяется исходным энергетическим состоянием распадающегося электронного возбуждения. Вывод основан на результатах исследований зависимости вида ФНР от локальной температуры Тл и времени действия локальной температуры t". Незначительное изменение Тл и tn приводит к резкому изменению вида ФНР. Величины Тп и tn определяются разностью энергий распадающегося ЭВ и запасенной на F-H паре.

4. Энергия активации процесса накопления F-центров в ионных кристаллах есть энергия пространственного их разделения, если разделение происходит в результате термоактивированного движения подвижного компонента пары. Впервые показано, что энергия активации пространственного разделения компонентов пар дефектов определяется только параметрами потенциала их взаимодействия.

5. Из кинетических кривых релаксации первичных дефектов и из температурной зависимости релаксации нельзя получить информацию о взаимном начальном распределении компонентов коррелированных пар, созданных при распаде ЭВ. Из кинетических кривых может быть получена информация только о наличии коррелированных и некоррелированных пар дефектов.

6. Наличие потенциала взаимодействия между подвижными и неподвижными компонентами неаннигилирующих пар дефектов приводит к уменьшению дрейфовой подвижности мобильного компонента. Наличие притягивающего потенциала взаимодействия между подвижным и неподвижным компонентами неаннигилирующей пары также приводит к существенному замедлению процесса их пространственного разделения. Движущийся дефект огибает неподвижный, если между ними есть потенциал отталкивания, то есть проходит существенно больший путь. Разработанный алгоритм позволяет анализировать процесс миграции подвижного дефекта в поле неподвижного, соответствующий миграции //-центра, например, в области дорадиационного дефекта, и изучать влияние потенциала взаимодействия на дрейфовую скорость подвижного дефекта.

Работа выполнена в Томском политехническом университете на кафедре Лазерной и световой техники.

В заключение приношу глубокую искреннюю благодарность своему научному руководителю доктору физ.-мат. наук, профессору В. М. Лисицыну за предложение темы, постоянное внимание и интерес к работе.

Автор искренне благодарен кандидату физ.-мат. наук, доценту В. И. Корепанову и доктору физ.-мат. наук, профессору В. Ю. Яковлеву за помощь в понимании физики процессов и плодотворные обсуждения полученных результатов.

Автор особенно благодарен В. С. Яковлевой за помощь и поддержку во время работы над диссертацией и в экстремальных ситуациях.

Автор считает приятным долгом поблагодарить всех сотрудников кафедры за полезные дискуссии при обсуждении результатов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Ч.Б., Витол И. К., Эланго М. А. Распад электронных возбуждений на радиационные дефекты в ионных кристаллах.// УФН. -1977.-t.22, вып.2.-с.223−251.
  2. И. Л., Лийдья Г. Г., Лущик Ч. Б. //Тр.ИФ АН ЭССР,-1976.-t.46.-c.5−80.
  3. И. Л., Лущик Ч. Б. // Изв. АН СССР. Сер. Физ. -1976,-т.40, № 9, — с.1785−1792.
  4. Е.К., Лисицын В. М., Шишкин И. С. Образование радиационных дефектов в ионных кристаллах с различной структурой решетки. //2 Всесоюзный симпозиум по взаимод.ат. частиц с тв. телом, Сб.док. Москва, 1972, с.350−351.
  5. В.М., Лисицына Л. А. Фокусированные соударения в кристаллах MgF2. //Изв. Вузов. Физика. -1975. -№ 7. -с.158.
  6. В.М., Сигимов В. И. Вероятность аннигиляции компонентов первичной пары при термоактивированном движении.// Изв. Вузов. Физика, — 1977. -№ 10. -с.41−44.
  7. П.В., Корепанов В. И., Лисицын В. М. Кинетика релаксации коррелированных нейтральных френкелевских пар дефектов в щелочно-галоидных кристаллах. // Изв. Вузов. Физика. -1989. -№ 3.-с. 16−21.
  8. В.И., Лисицын В. М., Лисицына Л. А. Образование околодефектных экситонов в щелочно-галоидных кристаллах.//Изв. Вузов. Физика. -1996. -№ 11. -с.94−108.
  9. А.Н. Взаимодействие и миграция точечных структурных дефектов в диэлектриках на основе щелочно-галоидных кристаллов (компьютерное моделирование). Екатеринбург: УрО РАН, 1997, 128с.
  10. Wigner Е.Р. J.Appl.Phys. 1946. — у.17, р. 857−866.
  11. Дж., Винйард Дж. Радиационные эффекты в твёрдых телах.- Пер. с англ. М.: ИЛ, 1960.
  12. С.Т. Действие облучения на материалы. М.: Атомиздат, 1967.
  13. B.C. Действие излучений на полупроводники. М.: Физматгиз, 1963.
  14. М. Дефекты и радиационные повреждения в металлах. -Пер. с англ. М.: Мир, 1971.
  15. Rontgen W.C., Joffe A.F. Ann. Phys. 1921. — Bd.64. — S.1−195.
  16. Pohl R.W. Proc. Phys. Soc. 1937. — v.49, extra part. — p.3−31.
  17. Де-Бур Ж. Г. Электронная эмиссия и явления адсорбции. М. — Л.: ОНТИ НКТП, 1936.
  18. Н.Ф., Герни Р. В. Электронные процессы в ионных кристаллах. Пер. с англ. — М.: ИЛ, 1950.
  19. Ч.Б., Васильченко Е. А., Лущик А. Ч. Низкотемпературный распад экситонов с рождением дефектов в ионных кристаллах. Вопросы атомной науки и техники, Сер. Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение. — 1981.- № 1 (15). с. 17−27.
  20. Seitz F. Rev.Mod.Phys. 1946, v. 18, № 3, — p. 384−406.
  21. Ч.Б., Васильченко Е. А., Лущик А. Ч. и др. Экситонные и примесно-экситонные механизмы создания F-H пар в щелочно-галоидных кристаллах. Тр. ИФ АН ЭССР. — 1983. — т.54, — с. 5−37.
  22. Ч.Б., Лийдья Г. Г. Материалы VII совещания по люминесценции (кристаллофосфоры). 1959, с. 101−116.
  23. Н., Klick С. С. //Phys.Rev.-I960,-v.117.-№ 4,-р.1005−1010.
  24. Г. К., Гиндина Р. И., Лущик Ч. Б., Эланго А. А. Тр. ИФ АН ЭССР. 1964. -т.30 — с. 3−15.
  25. Г. И., Власов В. П., Герасимов Ю. М. Декодирование поверхности твердых тел. -М.: Наука, 1976.
  26. G.A. // Philos. Mag. 1958. — v.3.-№ 9.- p.1042−1045.
  27. А., Йыги X.P.-B., Лущик Ч. Б. //Тр. ИФ АН ЭССР, — 1985, — т.57, — с.37−56.
  28. А., Йыги Х.Р.-В., Никифорова О.А.//Тр.ИФ АН ЭССР. 1986, — т.58.-с.70−80.
  29. Йыги Х.Р.-В., Лущик Ч. Б., Малышева А. Ф., Тийслер Э. С. //ФТТ, — 1972,-т.14.-№ 1.-с. 117−123.
  30. Fuchs W., Wiegand D. A. J. Phys. And Chem. Solids. 1975, v.36, № 1, p.17−25.
  31. Sakaguchi K., Suita T. Techn. Rep. Osaka Univ. 1952, v.2, p. 177 183.
  32. Kanzig W., Woodruff T.V. Electron spin resonance of H-centers. -Phys.Rev., 1958, v.109, № 1, p.220−221.
  33. Маггопе M.J., Patten F.W., Kabler M.N. Phys. Rev. Lett. -1973, v.31,№ 7, p.467−471.
  34. Herch H.N. Proposed exitonic mechanism of color-center formation in alkali halides.//Phys.Rev.-1966-vol, 148.-p.928−932.
  35. Pooley D. F-centre production in alkali halides by electron-hole recombination and subsequent <100> replacement sequence: a discussion of the electron-hole recombination.//Proc. Phys.Soc. -1966.-vol.87,N.2-p.245−246.
  36. И. К. Современные представления о механизме рекомбинационной люминесценции щелочногалоидных кристаллофосфоров.// Изв. АН СССР, сер.физ.-1966.-т.30, N4.-с.564−569.
  37. И.К., Лущик Ч. Б., Эланго М. А. Экситонный механизм создания F-центров в бездефектных участках ионных кристаллов //ФТТ.-1968.-т.10.-с.2753−2759.
  38. Toyozawa Y. A proposed model of excitonic mechanism for defect formation in alkali halides. // J.Phys.Soc.Japan.- 1978, — v.44 № 2, — p.482−488.
  39. Pooley D. F-centre production in alkali halides by electron-hole recombination and subsequent <110> replacement sequences: a discussion of the electron-hole recombination. // Proc. Phys. Soc.- 1966, — v.87.-№ 2.-p.245−256.
  40. H.H. О роли либрационных колебаний в распаде автолокализующихся экситонов на дефекты. // ФТТ, — 1985 т.27.-вып.7, — с.2095−2097.
  41. Smoluchowski R., Lazareth O.W., Hatcher R.D., Dienes G.J. Mechanisms of point-defect formation in ionic crystals. // Phys. Rev. Letters.- 1971, — v.27.- p.1288−1290.
  42. Kotomin E., Shluger A. Quantum-chemical simulation of Frenkel pairs separation in a LiF crystal. // Solid State Communications.- 1981.-v.40.- p.669−672.
  43. Ч.Б., Эланго M.A. Экситонный механизм создания радиационных дефектов в ионных кристаллах. //В кн.: Радиационная физика неметаллических кристаллов. Минск, — Наука и техника, — 1970.-с. 195−202.
  44. Itoh N., Saidoh М. Radiation-induced dynamic motion of interstitial halogen in alkali halides. // J. Phys. Colloq. 1973, — v.34.- С9, — p.101−105.
  45. К abler M.N. Ionisation damage processes in inorganic materials. 11 Radiation damage processes in materials. Ser. E: Appl. Sci. / Ed. By C.H.S. Dupuy.- 1975, — № 8, — p.171−207.
  46. Itoh N., Stoneham A. M., Harker A. H. The initial production of defects in alkali halides: F and H centre production by non-radiative decay of self-trapped excitons. // J. Phys. C: Solid State Phys- 1977.- v.10.- p.4197−4209.
  47. Tanimura K., Itoh N. Selective non-radiative transitions at excites of the self-trapped exciton in alkali halides. // J. Phys. And Chem. Solids. -1984, — v.45.- № 3, — p.323−340.
  48. B.M., Корепанов В. И., Яковлев А. Н. Образование и эволюция первичной радиационной дефектности в щелочно-галоидных кристаллах. // Труды школы-семинара «Люминесценция и сопутствующие явления». -Иркутск.- 1999, — с.5−14.
  49. В.М. О температурной зависимости накопления радиационных дефектов в ионных кристаллах. //Изв. Вузов. Физика. -1979. -2. -с.86−90.
  50. В.М. Эволюция дефектности в ионных кристаллах после импульсного радиационного возбуждения. «Сильноточные имп. электр. пучки в техн.» «Наука».-Н-ск.-1983.-с.61−72.
  51. В.М., Корепанов В. И., Яковлев В. Ю. Эволюция первичной радиационной дефектности в ионных материалах. //Изв. Вузов. Физика. -1996. -11. -с.5−29- Russian Physics Jour. 39,11,1997, p.1009−1028.
  52. Bradford Y.N., Williams R.T., Faust W.L. Study of F center formation in KC1 on a picosecond time scale.//Phys. Rev.Lett.-1975.-vol.35,No.5.-p.300−304.
  53. Williams R.T., Bradford J.N., Faust W.L. Short-pulse studies of exciton relaxation and F center formation in NaCl, KC1 and NaBr./ZPhys.Rev.B.-1978.-vol. 18, No. l2.-p.7038−7057.
  54. Ч.Б., Лущик А. Ч. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах.-М.: Наука. Гл.ред.физ.-мат.лит.-1989.-264с.
  55. И.А., Васильченко Е. А., Лущик А. Ч., Лущик Ч. Б. Образование и стабилизация F центров после прямого создания автолокализованных экситонов в кристаллах КС1.//ФТТ.-1999.-т.41.-вып.З.-стр.433−440.
  56. Williams R.T. Intersystem crossing, polarization and defect formation induced by optical excitation of self-trapped excitons in alkali halides.//Phys.Rev.Lett.-l 976. -Vol.36,No.l0.-p.529−532.
  57. Yoshinari Т., Iwano H., Hirai M. F-H center formation by the optical conversion in self-trapped excitons in KC1 crystals.//J.Phys.Soc.Jap.-1978.-vol.45,No.3.-p.936−943.
  58. It oil N. Creation of lattice defects by electronic excitation in alkali halides.//Adv.inPhys.-1982.-vol.31,No.5.-p.491−551.
  59. Ч.Б., Васильченко E.A., Кудрявцева И. А., Кирм М. М., Лущик А. Ч. Размножение электронных возбуждений и создание стабильных радиационных дефектов в ионных кристаллах. //Изв. Вузов. Физика. -1996. -И. -с.30−44.
  60. Sugiyama Т., Fujiwara Н., Suzuki Т., Tanimura К. Femtosecond time-resolved spectroscopy of self-trapping processes of holes and electron-hole pairs in alkali bromide crystals. // Phys. Rev. В, -1996,-vol.54.-N 21, — p. 15 109−15 119.
  61. Fujiwara H., Suzuki Т., Tanimura K. Femtosecond time-resolved spectroscopy of the Frenkel-rair generation and self-trapped-exiton formation in KC1 and RbCl. // J.Phys.: Condens. Mater., -1997.-N 9, — p. 923−936.
  62. Fujiwara H., Suzuki Т., Tanimura К. Femtosecond spectroscopic study for the self-trapping process of holes in alkali-halides. // ICDIM-96. USA.
  63. Thoma E.D., Yochum H.M., Williams R.T. Subpicosecond spectroscopy of hole and exiton self-trapping in alkali-halide crystals. // Phys. Rev. B, -1997.-vol.56.-N 13.-p. 8001−8011.
  64. Thoma E.D., Yochum H.M., Sheldon P.A., Williams R.T. Subpicosecond Absorption Spectroscopy of Band-Gap Exitation and Defect Formation in Alkali Halide Crystals. //REI-9. -1996.
  65. B.M., Сигимов В. И. Яковлев В.Ю. Распад электронных возбуждений на пары френкелевских заряженных дефектов в кристалле KJ. //ФТТ.-1982.-т.24.-К9.-с.2747−2752.
  66. Suzuki Y., Kitamura Е., Hirai М. Time resolved spectroscopy in nano- and picosecond ranges on the F center formation process in KI crystals .//J. of Luminescence. -1987.-vol.38. -p.178−180.
  67. В.М., Корепанов В. И. Энергия образования первичной пары радиационных дефектов в кристалле MgF2.//H3B. ВУЗов, физика,-1977.-№ 9.-с. 146−147.
  68. В.М. Образование и накопление дефектов в кристаллах MgF2. Тез.докл.З Всесоюзн. сов. по рад. физике и хим. ионных крист. Рига, 1975.-ч.П.-с.124.
  69. В.М., Лисицына Л. А., Чинков Е. П. Образование элементарных радиационных дефектов в галоидных кристаллах с различным типом кристаллической решетки. //Изв. Вузов. Физика. -1995. -3. -с.13−19.
  70. В.М., Лисицына Л. А. Фокусированные соударения в кристаллах MgF2. //Изв. Вузов. Физика. -1975. -№ 7. -с.158.
  71. Franklin A. D .И J. Phys. Chem. Sol. 1968. — v.29.- p.823.
  72. В.И., Лисицын В. М. Исследование процессов взаимного преобразования F и М центров в MgF2. Тез.док. 3 Всесоюзн. сов. по рад. физике и химии ионных крист. Рига, 1975.-4.II.-c.253.
  73. В.М., Яковлев В. Ю., Корепанов В. И. Кинетика разрушения М-центров после импульсного облучения электронами в кристалле MgF2.// ФТТ, — 1978.-т.20.-№ 3.-с.731−733.
  74. В.М. О температурной зависимости эффективности образования радиационных дефектов в ионных кристаллах.// Изв. Вузов. Физика, — 1977.-№ 8.-с.158.
  75. В.М., Лисицына Л. А., Сигимов В. И. Пространственное разделение компонентов первичных пар радиационных дефектов в ионных кристаллах. // ФТТ.-1977.-т.19.-в.5,-с. 1495−1497.
  76. В.М. Энергия активации процесса накопления радиационных дефектов в ионных кристаллах.// Изв. Вузов. Физика.-1977.-№ 4.-с.158.
  77. В.М., Сигимов В. И. Вероятность аннигиляции компонентов первичной пары при термоактивированном движении.// Изв. Вузов. Физика, — 1977.-№ 10.-с.41−44.
  78. В.И. Кандидатская диссертация. Томск. — ТПИ, — 1979.
  79. П.В. Кандидатская диссертация. Томск. — ТГШ, — 1985.
  80. А. // Handbuch der Physic, Berlin.-1933.-Bd.24/2.-S.795−922.
  81. F. //Phys.Rev. 1953, — v.89.-№ 6.-p, 1299.
  82. Э. Д., Гаврилов В. В., Дейч Р. Г., Чернов С. А. Быстропротекающие радиационностимулированные процессы в щелочно-галоидных кристаллах. —Рига: Зинатне. — 1987. — 183 с.
  83. В.И., Лисицын В. М., Лисицына Л. А. Образование околодефектных экситонов в щелочно-галоидных кристаллах.//Изв. Вузов. Физика. -1996. -N11. -с.94−108.
  84. Delbecq С.J., Shoemaker D., Yuster P.H. EPR and optical absorption study of BrCl" and associated centers in doped KC1 crystals.//1.-Phys.Rev.B, 1971, vol. 3, № 2,p.473−487- II. Phys.Rev.B, 1973, vol.7,№ 8, p.3933−3944.
  85. Goldberg L.S., Meistrich M.L. Optical and electron-spin-resonance studies of the JCl"-Vk-center in KC1-J.//Phys.Rev., 1968, vol.172, № 8, p.877−885.
  86. В.Б., Крейнин О. Л.//Деп. в ВИНИТИ № 1606−74.
  87. Ланг И.Г.//ЖЭТФ.-1977.-т.72,в.6.-е.2152−2160.
  88. Н.Н. Теория примесных центров малого радиуса в ионных кристаллах. М.: Наука.-1974.-336с.
  89. В.И., Лисицын В. М., Стреж В. В., Бочканов П. В., Малышев A. A./AMT.-1985.-v.27,№ 10.-c.3052−3056.
  90. Arimoto О., Kan’no К., Nakamura К., Nakai Y.//J. Phys. Soc. Jap. — 1984. — V. 53. — № 1. — P. 70—73.
  91. Hirai M.//J. Phys. Cheni. Sol. — 1990. — V. 51. —№ 7, —P. 737—745.
  92. E. А., Саломатов В. H., Тайиров М М.//Тр. ИФАНЭССР, — 1986.—Вып. 58, —С. 100—110.
  93. И. А., Пензина Э. Э. Электронные центры окраски в ионных кристаллах. Иркутск.: -1977. -208 с.
  94. А.К., Акилбеков А. Т., Эланго А. А. Влияние примесей лития и натрия на радиационное дефектообразование в области температур 4,2−3 00К в кристаллах КВг.// ФТТ. -1982. -т.24, № 10. -с.2920−2924.
  95. Ч.Б., Лущик А. Ч. // Тезисы докл. VI всесоюзного совещания по радиационной физике и химии ионных кристаллов. -Рига: Ин-т физики АН ЛатвССР, 1986, — с.7−8.
  96. Ю.В. //Тр.ИФ АН ЭССР,-1984,-Т.55.-С.106−142.
  97. Н.А., Гиндина Р. И., Лущик Ч. Б. //ФТТ.-1974,-т. 16,№ 2.-с.379−384.
  98. А.Ч. // Изв. АН ЭССР. Физ., мат.- 1980, — т.29, № 2, — с.173−180.
  99. Lushchik Ch., Elango A., Gindina R et.al.// Semiconductors and Insulators. -1980.- v.5, № 2, — p. 133−152.
  100. W.H., Markham J.J. // Phys.Rev.- 1952, — v.88.-№ 5.-p. 1043−1049.
  101. Itoh N.//Crystal Lattice Defects.- 1972.-v.3.-№ 3.-p.115−143.
  102. M., Itoh N. // J. Phys. And Chem. Solids.- 1973, — v.34.-№ 7, — p.1165−1171.
  103. Lushchik Ch., Elango A., Gindina R. et al.//Semiconductors and Insulators. 1980, — v.5.- № 2.-p.l33−152.
  104. Ч.Б., Гиндина P.И., Йыги Х.Р.-В. и др.//Тр. ИФ АН ЭССР. 1975, — т.43.-с.7−62.
  105. Y., Morita К., Matsunami N., Itoh N. //J. Phys. Colloq. (France).- 1976, — v.37.- CI.- p.95−100.
  106. A., Dauletbekova A., Elango A. //Phys.status solidi (b).- 1985.-v.127, — № 2,-p.493−501.
  107. A., Elango A. //Phys.status solidi (b).- 1984.-v.122.-№ 2,-p.715−723.
  108. A., Nurakhmetov Т., Elango A. //Phys.status solidi (b).- 1980.-v.100, — № 1.- p.289−296.
  109. E., Sibley W. // Point defects in solids. V. l General and ionic crystals/ Ed. J. Crawford, L.Slifkin. N.Y.: Plenum press, 1972, — p.201−283.
  110. H. // Optical properties of solids/ Ed. F. Abeles. -Amsterdam: North-holland, 1972, — p.653−754.
  111. B.J., Compton W.D. // Phys. Rev. A. Gen. Phys.-1965, — v.138, № 3, — p.893−911.
  112. Ueta M.//J. Phys. Soc. Jap.- 1952,-v.7,№l.-p.l07−113.
  113. П.П. Поляризованная люминесценция атомов, молекул и кристаллов.- М.: Физматгиз, 1959.
  114. А., Йыги Х.Р.-В., Лущик Ч. Б.//ФТТ.-1986-т.28, № 3.-с.684−691.
  115. В. П., Кузнецов М. Ф., Малышев А. А., Стреж В. В.//ФТТ. — 1990' — Т. 32,—№ 5, —С. 1317—1322.
  116. Catlow C.R.A., Diller К.М., Norgett M.J. //J. Phys. С: Solid State Phys.- 1975, — v.8.-№ 3.- p. L34-L36.
  117. A., Nurakhmetov T. // Phys. status solidi (b).- 1976.-v.78.- № 2.- p.529−536.
  118. А.Ч. //Тр. ИФ АН ЭССР. 1980.-т.51.-с.39−56.
  119. К.Ш., Гиндина Р. И., Плоом Л. А. //Тр. ИФ АН ЭССР. 1980, — т.51.-с.143−162.
  120. Catlow C.R.A., Diller К.М., Hobbs L.W. //Philos. Mag.-1980, — v.42.-№ 2.- p.123−150.
  121. Э.Л., Политов Н. Г., Гетия М. Ш. // Электронные и ионные процессы в твердых телах. I.- Тбилиси: Мецниереба.- 1964.-е. 31−41.
  122. L.W., Hughes А.Е., Pooley D. // Proc. Roy. Soc. Lond. A.- 1973, — v.332.- p.167−185.
  123. Y. //Phys. satus solidi (a).-1971,-v.8.-№ 1,-p.283−289.
  124. Y. // J. Phys. Colloq. (France).- 1976, — v.37.- CI.- p.502−506.
  125. E.A., Шлюгер А. Л., Ермошкин A.H., Дзелме Ю. Р. Квантовохимические расчеты кристаллов NaF, NaCl и F-центров в объеме и на поверхности.// Межвуз.сб. научн. трудов.-Рига: Латв. ун-тим. ПетраСтучки-1980, — с.58−73.
  126. В.И., Миронов М. А. Марковские процессы. М.: Сов.радио. — 1977. -488с. ил.
  127. И.М. Численные методы Монте-Карло. М.: Наука. -1973. -312с. ил.
  128. В. И. Кандидатская диссертация. Томск. — ТПИ, — 1979.
  129. П. В. Кандидатская диссертация. Томск. — ТПИ, — 1985.
  130. А. Статистическая физика. М.: Мир, — 1973, — с. 192.
  131. В.М., Лисицына Л. А., Ликай Л. П. Изменение потенциальной энергии носителя заряда в области нейтрального дефекта./ Деп. в ВИНИТИ 17.07.79, 2622−79. 7с.
  132. Ч.Б., Витол И. К., Эланго М. А. Распад электронных возбуждений на радиационные дефекты в ионных кристаллах. УФН, -1977, — т.122, -в.2, -с.223−251.
  133. Bachmann К., Kanzig W. Paraelastishe Defectelektronen-Zentren in Alkalihalogeniden. Phys.Kondens.Meter.- 1968.-7.-p.284−317.
  134. Balzer R., Peisl H., Waidelich W. Volume change of KBr due to various point defects. Phys. status solidi.- 1969.-31.-p.K29-K33.
  135. UetaM. Сolor center studies in alkali halides by pulsed electron beam irradiation. J. Phys.Soc.Japan.- 1967.-23.-p. 1265−1279.
  136. B.M., Лисицына Л. А., Сигимов В. И. Пространственное разделение компонентов первичных пар радиационных дефектов в ионных кристаллах. // Ф ТТ.-1977.-т. 19.-в. 5,-с.1495−1497.
  137. В.М., Сигимов В. И. Вероятность рекомбинации F-Н пары при термоактивированном движении. // Изв. ВУЗов СССР,-1977.-№ 10.-с.41−44.
  138. В.М., Корепанов В. И., Яковлев В. Ю. Эволюция первичной радиационной дефектности в ионных материалах. //Изв. Вузов. Физика. -1996. -11. -с.5−29- Russian Physics Jour. 39,11,1997, р.1009−1028.
  139. Ч.Б., Лущик А. Ч. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах.-М. .Наука. Гл.ред.физ,-мат.лит.-1989.-264с
  140. В.М. Эволюция дефектности в ионных кристаллах после импульсного радиационного возбуждения. «Сильноточные имп. электр. пучки в техн.» «Наука».-Н-ск.-1983.-с.61−72.
  141. Sugiyama Т., Fujiwara Н., Suzuki Т., Tanimura К. Femtosecond time-resolved spectroscopy of self-trapping processes of holes and electron-hole pairs in alkali bromide crystals. // Phys. Rev. В, -1996,-vol.54.-N 21,-p. 15 109−15 119.
  142. В.А., Яковлев В. Ю. Образование F-центров и автолокализованных экситонов в сильновозбужденных ЩГК. // ФТТ,-1988, — т. ЗО, — вып. З, — с.706−710.
  143. В. И. Кандидатская диссертация. Томск. — ТПИ, — 1979.
  144. БочкановП.В. Кандидатская диссертация. Томск. — ТПИ, — 1985.
  145. В.М., Серикова Г. П. Эффективность образования первичных радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах. // ФТТ. 1980,-т.22, — вып. 10.- с.2956−2959.
  146. Williams R.T., Kabler M.N., Hayes W., Stott J.P. Time-resolved spectroscopy of self-trapping excitons in fluorite crystals. // Phys.Rev.- 1976, — v.14.- p.725−740.
  147. B.M., Лисицына Л. А., Сигимов В. И. О механизме образования ос-I пар в щ.г.к. Изв. Вузов СССР. Физика.-1979.-№ 9.-с. 126, — Деп. ВИНИТИ, — 1979,-№ 222−79, — 13с.
  148. Ч.Б., Витол И. К., Васильченко Е.А.и др. Туннельная перезарядка френкелевских дефектов в CsBr. // ФТТ.-1981,-т.23.-с.1636−1642.
  149. В.М., Лисицына Л. А., Сигимов В. И. Пространственное разделение компонентов первичных пар радиационных дефектов в ионных кристаллах. // ФТТ.-1977.-т.19.-в.5,-с.1495−1497.
  150. Song K.S., Williams R.T. Self-Trapped Excitons. Springer-Verlag, Berlin-Heidelberg-New York .- 1993.- p. 229.
  151. Лисицын B. M Докторская диссертация. Томск. — ТПИ, — 1979.
  152. Williams R.T., Bradford Y.N., Faust W.L. Short-pulse optical studies of exciton relaxation and F-center formation in NaCl, KC1 and NaBr. // Phys. Rev. B. 1978. — v. 18, № 12, — p.7038−7057.
  153. M.A. Механизм и кинетика создания радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах рентгеновскими лучами// Тр. ИФА АН ЭССР, 1974, — вып.42, — с. 175−193.
  154. Karasawa Т., Hirai М. F center formation in КС1 andKBr crystals below 4.2 K. //J. Phys. Soc. Jap. -1976. -v. 40, № 3. -p.769−775.
  155. Kondo Y, Hirai M., Ueta M. Transient formation of color center in KBr crystals under the pulsed electron beam. // J. Phys. Soc. Jap. -1972. -v. 33, № 3. -p.151−157.
  156. Toyozawa Y. A proposed model of excitonic mechanism for defect formation in alkali halides. // J. Phys. Soc. Jap. -1978. -v. 44, № 2. -p.482−488.
  157. С.А. О температурной зависимости эффективности генерации френкелевских дефектов в щелочно-галоидных кристаллах. // ФТТ. 1980.-т.22. -вып.9.- с.1888−1890.
  158. Sonder Е. Temperature dependence of Frencel pair production from F-aggregate center destruction. // Phys. Rev. B. -1975. v. 12, № 4, — p. 15 161 521.
  159. Saidoh M., Itoh N. Radiation-induced dynamic motion of interstitial halogen in alkali halides.// J. Phys. Colloq. -1973. -v.34, № C9, -p.101−105.
  160. И.К. Механизмы фото диссоциации и измерительной рекомбинации дефектов в твердой матрице А1В7. Автореф. докт. дисс. ИФ АН ЭССР, Тарту, 1975.
  161. В.М., Сигимов В. И. Вероятность рекомбинации F-Н пары при термоактивированном движении. // Изв. ВУЗов СССР,-1977.-№ 10.-с.41−44.
  162. Bachmann К., Kanzig W. Paraelastishe Defectelektronen-Zentren in Alkalihalogeniden. Phys.Kondens.Meter.- 1968.-7.-p.284−317.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!