Методы увеличения времени функционирования КМОП СБИС запоминающих устройств в составе бортовой аппаратуры космических аппаратов
Диссертация
Актуальность диссертации. По данным работы в последнее время в нашей стране и за рубежом наметилась тенденция к применению в БА КА элементов индустриального класса вместо дорогих и труднодоступных зарубежных элементов космического класса путем реализации широкой программы отбраковочных, сверхотбраковочных и диагностических испытаний на основе анализа методов неразрушающего контроля, а также… Читать ещё >
Список литературы
- Проблемы методологии проектирования космических аппаратов с длительным сроком активного существования / Алавердов В. В., Левицкий Ю. Е., Лукьященко В. И. и др // Радиационная стокость электронных систем «Стойкость-99». М.: СПЭЛС-НИИП, 1999.1. С. 7−8.
- Попов В.Д. Проблемы и возможности применения коммерческих интегральных схем в военной и космической технике // Chip News.-1999. № 5(38).-С28−32.
- Данилин Н. С. Информационные технологии и сертификация элементной базы новых российских космических телекоммуникаций. М.: РИО РТА, 2000.
- Гобчанский О.П. Применение microPC в вычислительных комплексах специального назначения // Современные технологии автоматизации. 1997. — № 1. — С.38−41.
- Rad effects in the new Millennium old realities and new issues/ NREC98, Newport Beach, California. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 1998.
- Кужевский Б. M. Ядерные процессы в атмосфере Солнца и солнечное космическое излучение. М.: Энергоатомиздат, 1985.
- Физический энциклопедический словарь. М.: Сов. Энциклопедия, 1983.
- Ширшев JI. Г. Ионизирующие излучения и электроника. М.: «Сов. Радио», 1969.
- Новые наукоемкие технологии в технике: Энциклопедия: В 20 т. М.: ЗАО НИИ «ЭНЦИТЕХ», 2000. Т. 16, 17.
- Першенков B.C., Попов В. Д., Шальнов А. В. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС. М.: Энергоатомиздат, 1988.
- Попов В. Д., Ройзин Н. М. Роль ионизации в образовании поверхностных состояний // Микроэлектроника, 1973. Т. 2. — Вып. 6.-С. 552−556.
- Киблик В. Я., Литовченко В. Г., Литвинов Р. О. Исследование радиационных состояний в МДП структурах // Микроэлектроника. 1979. Т. 8. — Вып. 6. — С. 534 — 538.
- Оспищев Д.А., Попов В. Д. Определение энергии активации ЭПР-центров в пленках двуокиси кремния на кремнии // Физическая основа надежности и деградации полупроводниковых приборов: тез. докл. М.: МНТОРЭС, 1992. С. 31−33.
- Shanfield Z., Moriwaki М. Critical Evaluation of the Midgap-Voltage-Shift Method for Determining Oxide Trapped Charge in Irradiated MOS Devices // IEEE Trans. On Nucl. Sci. 1987.- V. NS-34. -N6.-P. 1159−1161.
- Оспищев Д.А., Попов В. Д. Исследование дефектов оксида кремния методом «облучение отжиг» // Физика окисных пленок. Тез. докл. — Петрозаводск: ПТУ, 1994. С. 23−26
- Никифоров А. Ю., Телец В. А., Чумаков А. И. Радиационные эффекты в КМОП ИС. М.: «Радио и связь», 1994.
- Воронкова Г. М., Кузьминова А. В., Попов В. Д. Исследование крупных дефектов в МОП-структурах после облучения и низкотемпературного отжига // Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах. Мат. докл. М.: МНТОРЭС, 1997. С. 335−340.
- Андрианова Л. В., Верхотуров В. И., Попов В. Д. Метод классификации изделий при отборе МОП ИС // Электронная техника. Сер. 8. Вып. 5(147). 1991. С. 58−60.
- Катеринич И.И., Оспищев Д. А., Попов В. Д. Метод ускоренных испытаний МОП интегральных схем // Шумовые и деградационныепроцессы в полупроводниковых приборах. Мат. докл. М.: МНТОРЭС им. А. С. Попова, 1994. С. 143−148.
- Литовченко В. Г. Влияние радиационно-термических обработок на характеристики полупроводниковых структур // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 1982. — Вып. 2. — С. 10−14.
- Поливанов А.П., Попов В. Д. Модель восстановления работоспособности элементов СБИС ОЗУ после у-облучения // Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах. М-лы научно-техн. семинара. М.: МНТОРЭС им. А. С. Попова, 2000. С.315−318.
- Попов В.Д. Исследование дефектов в пленках Si02 методом измерения напряжения пробоя // Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах. М-лы научно-тех. семинара. М.: МНТОРЭС им. А. С. Попова, 1996. С.210−214.
- Chou N. J., Eldridge J. M. On the statistics govering defect density determination on Si02 films // J. Electrochem. Soc. 1973. — Vol. 120. -№ 8.-P. 1139−1140.
- Горлов М. И, Королев С. Ю. Физические основы надежности интегральных микросхем. Воронеж: Изд-во Воронежского университета, 1995.
- А. П. Поливанов, В. Д. Попов Исследование восстановления работоспособности элементов СБИС после воздействия ионизирующего пространства // Приборы и системы управления. -1999.-№ 8.
- Oldman Т. R., McGarrity J. М. Ionization of Si02 by heavy charged particles // IEEE Trans, on Nucl. Sci. 1981. — V. NS-27. — N6. — P. 39 753 980.
- The search for neutron induced hard errors in VLSI structures / J. R. Spour, S. Othmer, A. Bahraman e.a. // IEEE Trans, on Nucl. Sci. 1981. -V.NS-28. — N6. — P. 3968−3973.
- Neil H. E. Weste, Kamran Eshraghian. Principles of CMOS VLSI desing. Addition-wesley publishing company, 1985.
- Raymond J.P., Petersen E.L. Comparison of neutron, proton and gamma ray effects in semiconductor devices // IEEE Trans, on Nucl. Sci. 1987. — Vol. NS-34. — N6. — P. 1622−1628
- Николаев Ю. M. Воздействие ионизирующих излучений на интегральные микросхемы энергонезависимой памяти // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. Вып. 1−2. ЦНИИатоминформ, 2001. С. 123−124.
- Катеринич И.И., Попов В. Д. Определение интенсивности радиационно-стимулированных отказов интегральных микросхем // Микроэлектроника. Т. 26. — № 1. — 1997. — С. 134−136.
- Попов В.Д., Поливанов А. П. Оценка вероятности безотказной работы КМОП СБИС ПЗУ в режиме переключения // Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2001». Научно-тех. сб. Вып.4. М.: Паимс, 2001. С.31−32.
- Поливанов А. П., Попов В. Д. Прогнозирование работоспособности микроэлектронных устройств в робототехнических системах для экстремальных условий // мат. X Научно-техн. конф. «Экстремальная робототехника». С-Пб: СПбГТУ, 1999. С. 430−436.
- А. П. Поливанов, В. Д. Попов. О возможности применения microPC в бортовых устройствах космических аппаратов // Chip News. № 4. — 2000. — С. 70−72.
- Гобчанский О.П. Проблемы создания бортовых вычислительных комплексов малых космических аппаратов // Современные технологии автоматизации. 2001. — № 4. — С.28−34.
- Попов В. Д. Радиационная физика приборов со структурой металл-диэлектрик-полупроводник. М.: Изд. МИФИ, 1984.
- В.Д. Попов. Вероятность безотказной работы ИС при различных «запасах» по дозе ионизирующего излучения // Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2001». М.: Паимс, 2001. С. 29−30.
- Гобчанский О., Попов В., Николаев Ю. Повышение радиационной стойкости индустриальных средств автоматики в составе бортовой аппаратуры // Современные технологии автоматизации. 2001. — № 4. — С.35−38.