Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Математическое моделирование, расчет и оценка параметров эффективных охладителей мощных силовых полупроводниковых приборов

Диссертация: Математическое моделирование, расчет и оценка параметров эффективных охладителей мощных силовых полупроводниковых приборов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В настоящее время увеличение выпуска преобразовательной техники привело к развитию производства силовых полупроводниковых приборов. По оценкам отечественных экспертов, спрос на них в России неуклонно растет. Потребность проявляется не только в силовых полупроводниковых приборах, но и в охладителях, которые используются вместе с ними. Охладители позволяют расширить диапазоны нагрузок… Читать ещё >

Математическое моделирование, расчет и оценка параметров эффективных охладителей мощных силовых полупроводниковых приборов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Список сокращений и обозначений

1 Изучение и анализ исследований по проблемам разработки и испытаний охладителей мощных силовых полупроводниковых приборов.

1.1 Обзор видов охлаждения и конструкций охладителей для мощных силовых полупроводниковых приборов.

1.2 Анализ требований к надежности и охлаждению полупроводниковых приборов в зависимости от тепловых режимов работы.

1.3 Анализ существующих методов измерения тепловых сопротивлений охладителей.

1.4 Обзор программ и методов расчета тепловых сопротивлений охладителей.

1.5 Проблемы разработки и испытаний эффективных охладителей мощных силовых полупроводниковых приборов.

2 Моделирование и разработка программных средств для анализа и оптимизации параметров охладителей.

2.1 Концепция построения математической модели.

2.2 Описание объекта моделирования.

2.3 Разработка математической модели, описывающей теплообменные процессы, протекающие в охладителе.!.

2.4 Реализация математической модели в виде программ для ЭВМ.

2.5 Проверка адекватности математической модели.

3 Разработка испытательного стенда для исследования тепловых характеристик охладителей мощных силовых полупроводниковых приборов.

3.1 Задачи разработки испытательного стенда.

3.2 Разработка аппаратной части испытательного стенда.

3.3 Разработка программного комплекса по управлению испытательным стендом.

3.4 Метрологическое обеспечение разработки испытательного стенда.

4 Оптимизация и испытания охладителей, исследование результатов моделирования.

4.1 Анализ и оптимизация массогабаритных параметров охладителей.

4.2 Исследование результатов анализа и оптимизации охладителей.

4.3 Оценка точности проведенных экспериментов.

Актуальность темы

.

В настоящее время увеличение выпуска преобразовательной техники привело к развитию производства силовых полупроводниковых приборов. По оценкам отечественных экспертов, спрос на них в России неуклонно растет. Потребность проявляется не только в силовых полупроводниковых приборах, но и в охладителях, которые используются вместе с ними. Охладители позволяют расширить диапазоны нагрузок полупроводниковых приборов и значительно увеличивают срок их службы. Надежность и долговечность мощных силовых полупроводниковых приборов и преобразователей на их основе в значительной степени определяются их тепловым режимом работы, т. е. температурным полем в приборе и его изменением во времени. При конструировании полупроводниковых приборов и преобразователей стремление к повышению токосъема с одного прибора и мощности всего преобразователя, с одной стороны, и к созданию компактных конструкций, с другой, приводит к повышенному выделению тепла. В связи с этим проблема отвода тепла от мощных силовых полупроводниковых приборов с целью обеспечения нормального теплового режима работы определила приоритеты научно-исследовательских работ по проектированию охладителей силовых полупроводниковых приборов.

Изучению и решению вопросов по проблемам теплоотвода посвящено большое количество работ под авторством Радашевича А. Б., Лесина Б. А., Венделанда В. М., Мочалова Б. В., Дульнева Г. Н., Рабинерсона А. А., Ашкинази Г. А., Borst D.V., Cooper D., Ikeda S., Araki Т., Tsuda S., Waki Y. [1 — 7] и др.

В настоящее время проблемам обеспечения нормального теплового режима работы полупроводниковых приборов уделяют особое внимание и производители электронных компонентов, например, SEMIKRON, EPIC, MITSUBISHI [8, 9] и др. Результаты исследований в данных компаниях периодически отражаются в работах Annacker R., Hermwill М., Li J.,.

Seng D [10, 11, 12] и др.

Из опубликованных по данной тематике научных работ можно сделать вывод, что для производителей и разработчиков охладителей мощных силовых полупроводниковых приборов актуальны проблемы по созданию новых, оптимальных с точки зрения теплоотвода охладителей, заключающиеся в использовании адекватных и согласованных методик проектирования, расчета, анализа и испытаний, которые реализуются современными аппаратными и программными комплексами.

Поэтому рассмотрение вопросов по проектированию, разработке и испытаниям эффективных охладителей мощных силовых полупроводниковых приборов в свете описанных проблем обуславливает актуальность диссертационного исследования.

Цель и задачи исследований.

Целью работы является совершенствование существующих и разработка новых охладителей мощных силовых полупроводниковых приборов.

Для реализации поставленной цели в диссертационном исследовании решаются следующие задачи:

1. Разработка имитационной математической модели, описывающей теплообменные процессы, протекающие в охладителе.

2. Разработка пакета прикладных программ для анализа существующих и разработки новых охладителей.

3. Анализ и оптимизация массогабаритных параметров существующих охладителей мощных силовых полупроводниковых приборов.

4. Разработка специализированного испытательного стенда для экспериментального подтверждения полученных результатов.

Методы исследований.

В диссертации использованы существующие и вновь разработанные программные средства, методы математического моделирования, схемотехники, теории измерений.

Научная новизна.

1. Разработана новая имитационная математическая модель, описывающая теплообменные процессы, протекающие в охладителе.

2. Созданы алгоритмы по расчету тепловых сопротивлений охладителей мощных СПП.

3. Разработан новый пакет прикладных программ по расчету тепловых сопротивлений и анализу массогабаритных параметров охладителей мощных СПП.

4. На основе созданного пакета прикладных программ предложены новые эффективные охладители мощных СПП.

5. Разработан новый программный комплекс по управлению специализированным испытательным стендом для испытания охладителей.

Практическая значимость полученных результатов.

Предложены алгоритмы и программные средства, позволяющие решать задачи:

— по расчету тепловых сопротивлений охладителей;

— по оптимизации массогабаритных параметров охладителей;

— по контролю и расчету параметров охладителей при их испытаниях с помощью специализированного испытательного стенда.

Разработанные программно-аппаратные средства позволили провести испытания изготовленных охладителей и подтвердить результаты, полученные с помощью математической модели.

Основные научные результаты, выносимые на защиту.

1. Имитационная математическая модель, описывающая теплообменные процессы, протекающие в охладителе.

2. Пакет прикладных программ, его алгоритмы и описание.

3. Специализированный испытательный стенд для испытаний охладителей мощных силовых полупроводниковых приборов.

4. Программный комплекс по управлению испытательным стендом.

5. Новые конструкции охладителей мощных C1JL1JL.

Личный вклад автора диссертации.

Обоснование задач исследований в первой главе выполнены совместно с группой ученых. Разработка математической модели, описывающей теплообменные процессы, протекающие в охладителе, компьютерное моделирование, написание программных средств, проектирование испытательного стенда, испытания и анализ полученных результатов выполнены автором самостоятельно.

Достоверность результатов.

Достоверность результатов работы основана на экспериментальном подтверждении адекватности разработанной модели и на совпадении экспериментальных и расчетных данных.

Апробация работы.

Основные положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на:

— заседаниях кафедры теоретической и общей электротехники ГОУВПО Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарева, г. Саранск, 2006 г., 2007 г., 2008 г;

— объединенных заседаниях кафедры прикладной математики ГОУВПО Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарева и Средневолжского математического общества, г. Саранск, 2008 г., 2009 г;

— 12 научной конференции молодых ученых, аспирантов и студентов, г. Саранск, 2007 г;

— V Всероссийской научно-технической конференции в секции «Проблемы и перспективы развития отечественной светотехники, электротехники и энергетики», г. Саранск, 2007 г;

— 13 научной конференции молодых ученых, аспирантов и студентов, г. Саранск, 2008 г;

— 8 Международной научной конференции «Дифференциальные уравнения и их приложения», г. Саранск, 2008 г;

— VI Международной научно-технической конференции «Проблемы и перспективы развития отечественной светотехники, электротехники и энергетики» г. Саранск, 2008 г;

— VIII Научно — технической конференции молодежи, г. Москва, 2008 г.

Публикации.

По результатам выполненных исследований опубликовано 12 печатных работ и получено 2 свидетельства о регистрации разработок в отраслевом информационном фонде.

Объём и структура диссертации.

Диссертация состоит из введения, четырех разделов, заключения, списка использованных источников и приложений. Общий объём диссертации составляет 176 страниц, включая 20 таблиц, 51 рисунок, 68 формул и 3 приложения.

Список использованных источников

составляет 110 наименований.

Заключение

.

Проведенные в диссертационной работе исследования показали, что одним из направлений развития рассмотренной области является повсеместное использование математического аппарата и вычислительных средств при разработке, анализе и испытаниях охладителей мощных силовых полупроводниковых приборов.

В работе дано теоретическое и практическое обоснование решений по единым подходам нормирования, разработки, испытаний и оценки параметров охладителей мощных силовых полупроводниковых приборов, разработаны алгоритмы, созданы технические и программные средства.

В рамках настоящей работы решены следующие задачи:

1. Разработана имитационная математическая модель, описывающая теплообменные процессы, протекающие в охладителе;

2. Реализация имитационной математической модели в ряде алгоритмов позволила разработать пакет прикладных программ для расчета тепловых сопротивлений и анализа массогабаритных параметров охладителей;

3. Разработан специализированный испытательный стенд для испытаний охладителей мощных СПП;

4. Анализ и оптимизация, проведенные с помощью имитационной математической модели, позволили получить охладители, тепловые сопротивления которых:

— для П2 100 АД31-ОПТ на 12,5% меньше теплового сопротивления охладителя П2 100 АД31;

— для БК 265-ОПТ на 37,1% меньше теплового сопротивления охладителя БК 265;

— для БК 1538-ОПТ на 24,5% меньше теплового сопротивления охладителя БК 1538.

Эффективность разработанных охладителей подтверждена испытаниями на существующем и разработанном специализированном испытательном стенде. Максимальная погрешность результата измерения теплового сопротивления составляет 0,005 °С/Вт или 4,7% от измеренного значения.

Сформулированы рекомендации предприятиям, занимающимся разработкой СПП и охладителей, по улучшению метрологических характеристик испытательных стендов и применению современных программных средств при разработке и испытаниях охладителей.

Показать весь текст

Список литературы

  1. , Г. Н. Теплообмен в радиоэлектронных устройствах Текст. / Г. Н. Дульнев. М. — JL: Госэнергоиздат, 1963. — 288 с.
  2. , Б.В. Оптимальный расчет ребристых радиаторов полупроводниковых триодов Текст./ Б. В. Мочалов // Электротехника. -1970. -№ 11. -С. 24 -31.
  3. , А.А., Режимы нагрузки силовых полупроводниковых приборов Текст. / А. А. Рабинерсон, Г. А. Ашкинази. М.: Энергия, 1976. -296 е.: ил.
  4. Borst, D.V. Inverter thyristors what affects themhow to characterize them Текст./ D.V. Borst, D. Cooper, «Electronic Component», vol. 2. — № 10. — 1969.-C. 1177- 1188.
  5. Ikeda, S. The di/dt capability of thyristors Текст./ S. Ikeda, T. Araki, «Proceeding of the IEEE», vol. 55. № 8. — 1967. — C.1301 -1305.
  6. Ikeda, S. The current pulse ratings of thyristors Текст./ S. Ikeda, S. Tsuda, Y. Waki, «IEEE Transactions on Electron Devices», № 9. 1970.- C. 765 — 770.
  7. PCC HP High-Power Capacitors for Heavy-Duty Applications, EPCOS AG Электронный ресурс. Электрон, текстовые, граф. данные, 2002. — 1 электрон, опт. диск (CD-ROM): зв., цв. — Систем, требования: ограничены требованиями к ОС MS Windows.
  8. Capacitors for Power Electronics, EPCOS AG Электронный ресурс. -Электрон, текстовые, граф. данные, 2001. 1 электрон, опт. диск (CD-ROM): зв., цв. — Систем, требования: ограничены требованиями к ОС MS Windows.
  9. , R. 1200 V Modules with Optimised IGBT and Diode Chips Электронный ресурс.: статья / R. Annacker, M. Hermwill- Режим доступа:117www.semikron.com, Semikron Elektronik GmbH, 2000.
  10. Li, J. Modern IGBT/FWD chip sets for 1200 V applications Электронный ресурс.: статья / J. Li, R. Hetzer, R. Annacker, B. Koenig- Режим доступа: www.semikron.com, Semikron Elektronik GmbH, 2000.
  11. Li, J. Using 128-series IGBT modules to upgrade iverters with 124-series modules Электронный ресурс.: статья / J. Li, D. Seng- Режим доступа: www.semikron.com, Semikron International, 1998.
  12. Колпаков, А.И. SEMITRANS один в пяти лицах Электронный ресурс.: статья / А. И. Колпаков // Электронная версия статьи, журнал Компоненты и технологии, М., № 8, Режим доступа: http://www.compitech.ru/html.cgi/arhiv/index.htm, 2003.
  13. , И.И. Новые дискретные транзисторы компании IXYS Текст. / И. И. Полянский // Электронные компоненты (монтаж компонентов). М. — 2005.- № 6.- С. 37−38.
  14. , С.С. Силовые конденсаторы нового поколения РСС HP от EPCOS AG Текст. / С. С. Пряхин // Электронные компоненты (монтаж компонентов). М. — 2005. — № 6.- С. 41 — 42.
  15. , С.С. Новое имя в силовой электронике России Текст. / С. С. Волошин // Электронные компоненты (монтаж компонентов). М. — 2004. -№ 6. — С. 59 — 60.
  16. , S. Тепловые параметры силовых модулей в широтно-импульсных преобразователях Электронный ресурс.: статья / S. Konrad, Режим доступа: http://www.semikron.com/internet/index.jsp?sekId=144, Technical University of Ilmenau, Germany, 2000.
  17. Электронные компоненты (монтаж компонентов) Текст.: журнал/ учредитель ООО «ИД Электроника». 2004, М., № 11.
  18. Электронные компоненты (монтаж компонентов) Текст.: журнал/ учредитель ООО «ИД Электроника». 2005, М., № 6.
  19. , А.И. Новые модули IGBT компании SEMIKRON-лучше и дешевле Текст. / А. И. Колпаков // Электронные компоненты (монтажкомпонентов). М. — 2005. — № 6. — С. 29 — 34.
  20. Компоненты и технологии Текст.: журнал, М., № 2, 2003.
  21. Компоненты и технологии Текст.: журнал, М., № 8, 2000.
  22. , А.И. Автоматизация теплового расчета оконечных каскадов на IGBT транзисторах Текст. / А. И. Колпаков // Экспресс Электроника. М.- 1998. -№ 5. С. 21−22.
  23. , А.И. Автоматизация теплового расчета оконечных каскадов на IGBT транзисторах Текст./ А. И. Колпаков // Экспресс Электроника. М.- 1998. № 6. — С. 27 — 29.
  24. Applications handbook — Power semiconductor devices. International Rectifier Электронный ресурс.: текстовые и графические данные Режим доступа: http://www.semikron.com/internet/index.jsp?sekId=13, Semikron Elektronik GmbH, 1995.
  25. Diebold, E.J., Luft, W. Thermal Impedance of Cooling Fins, AIEE Transactions, PI Электронный ресурс.: текстовые и графические данные/ E.J. Diebold, W. Luft // Режим доступа: http://www.semikron.com/internet, Semikron Elektronik GmbH, 2005.
  26. Goldman, W. E. An Introduction to the Art of Heat Sinking, Electronic Packaging and Production Электронный ресурс.: текстовые и графические данные / W.E. Goldman // Режим доступа: http://www.semikron.com/internet, Semikron Elektronik GmbH, 2005.
  27. General Considerations for IGBT and IPM, Mitsubishi Application Notes Электронный ресурс.: текстовые и графические данные Режим доступа: http://www.mitsubishichips.com/Global/common/cfm/eDataSheets.cfm7FOLDER =/product/power, 2007.
  28. Thermal Considerations in the Application of Silicon Rectifier. IR Designer’s Manual Электронный ресурс.: текстовые и графические данные Режим доступа: http://www.mitsubishichips.com/Global/common/cfm/eDataSheets.cfm? FOLDER=/product/power, 1991.
  29. , Е.А. Справочник по полупроводниковым приборам Текст. /
  30. Е.А. Москатов. Изд 2-е, испр. — Таганрог, 2000. — 219 е.: ил.
  31. Сайт компании Охладитель-СПП Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.ohladitelspp.ru. — 2008.
  32. ТУ 16−729.377−83. Охладители воздушного охлаждения для приборов штыревого и таблеточного исполнения Текст. Саранск: [б.и.], 1983. — 96 с.
  33. ТУ 16−729.111−78. Охладители водяного охлаждения для приборов штыревого и таблеточного исполнения Текст. Саранск: [б.и.], 1983. — 96 с.
  34. Охладители компании SEMIKRON Электронный ресурс.: электронный каталог — справочник по охладителям. Режим доступа: www.semikron.com. -2008.
  35. , О.Г. Силовые полупроводниковые приборы Текст. / О. Г. Чебовский, Л. Г. Моисеев, Р. П. Недошивин. 2-е издание. — М.: Энергоатомиздат, 1985. — 400 е.: ил.
  36. , А. А., Обеспечение тепловых режимов изделий электронной техники Текст. / А. А. Чернышев, В. И. Иванов, А. И. Аксенов, Д. Н. Глушкова. М.: Энергия, 1980. — 216 е.: ил.
  37. ГОСТ 20 859.1−89 (СТ СЭВ 1135−88). Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования Текст. Введ. 1990−01−01. — М.: Госстандарт СССР, Издательство стандартов, 1990. — 24 с.
  38. ГОСТ 23 900–87 (СТ СЭВ 1136−86). Приборы полупроводниковые силовые. Габаритные и присоединительные размеры Текст. Введ. 1988−0701. — М.: Госстандарт СССР, Издательство стандартов, 1988. — 37 с.
  39. Протокол № 4/06 испытаний охладителя из профиля БК-1538 длиной 300 мм Текст. Саранск: [б.и.], 2006. — 10 с.
  40. Протокол № 7/06 испытаний охладителя длиной 300 мм Текст. -Саранск: [б.и.], 2006. 10 с.
  41. Протокол № 6/04 испытаний охладителя из профиля DXC 573 длиной 900 мм Текст. — Саранск: [б.и.], 2004. — 10 с.
  42. , А.И. Контрольная точка, или об умении читать DATASHEET «между строк» Текст. / А. И. Колпаков, Е. Е. Карташев // Электронныекомпоненты (монтаж компонентов). М. — 2005. — № 6. — С. 119 — 126.
  43. Freyberg, М. Measuring Thermal Resistance of Power Modules Электронный ресурс.: статья / M. Freyberg, U. Scheuermann- Режим доступа: http://www.semikron.com/internet/index.jsp?sekId=144, SEMIKRON Int, 2003.
  44. Freyberg, M. Measuring Thermal Resistance of Power Modules. Application Note VI.0 Электронный ресурс.: статья / M. Freyberg- Режим доступа: http://www.semikron.com/internet/ index. jsp?sekld=144, SEMIKRON Int, 2003.
  45. , Ф. Измерение температур в технике Текст. / Ф. Линевег. М.: Металлургия, 1980. — 544 с.
  46. Hecht, U Static and trancient thermal Resistance of advanced power modules Электронный ресурс.: статья / U. Hecht, U. Scheuermann, Режим доступа: http://www.semikron.com/internet/index.jsp?sekId=144, Semikron Elektronik Semikron Elektronik GmbH, 2002.
  47. Usage of SKiiP Systems, SEMIKRON Электронный ресурс.: текстовые и графические данные Режим доступа: http://www.semikron.com/internet/ index. jsp?sekld=12, Semikron Elektronik GmbH, 2002.
  48. Scheuermann, U. Reliability of Pressure Contacted Intelligent Power Modules Электронный ресурс.: статья / U. Scheuermann, Режим доступа: http://www.semikron.com/internet/ index. jsp?sekld= 144, Semikron Elektronik GmbH, 2002.
  49. Held, M. Fast power cycling test for IGBT modules in traction application,
  50. Электронный ресурс.: статья / М. Held, P. Jacob, G. Nicoletti, P. Scacco, M.H. Poech, Режим доступа: http://www.semikron.com/internet/index.jsp? sekld=147, Semikron Elektronik Semikron Elektronik GmbH, 1999.
  51. ГОСТ 24 461 80. (СТ. СЭВ 1656 — 79). Приборы полупроводниковые силовые. Методы измерений и испытаний Текст. Введ 1980. — М.: Издательство стандартов, 1981. — 56 с.
  52. ГОСТ 25 293–82. Охладители воздушных систем охлаждения силовых полупроводниковых приборов. Общие технические условия Текст. Введ 1980. М.: Издательство стандартов, 1981. — 56 с.
  53. Методика экспериментального определения тепловых сопротивлений охладителей СПП при естественном и принудительном воздушном охлаждении Текст.: Ред.1. Саранск: [б.и.], 1974. — 10 с.
  54. Методика измерения скорости охлаждающего воздушного потока в полупроводниковых преобразовательных агрегатах Текст. Саранск: [б.и.]. — 1974.-8 с.
  55. , Ф.Ф. Тепломассообмен: Учебное пособие для вызов Текст. / Ф. Ф. Цветков, Б. А. Григорьев. 2-е изд., испр. и доп. — М.: Изд-во МЭИ, 2005.- 548 е.: ил.
  56. , Э.К. Интенсификация теплообмена в каналах Текст. / Э. К. Калинин. 3 изд., пер. и доп. — М.: Машиностроение, 1990. — 206 с.
  57. , С.В. Численное решение задач теплопроводности и конвективного теплообмена при течении в каналах Текст. / С. В. Патанкар, пер. с англ. Е. В. Калабина, ред. Г. Г. Янькова. М.: Изд-во МЭИ, 2003.-310 с.
  58. , А.А. Численные методы решения задач конвекции — диффузии Текст. / А. А. Самарский, П. Н. Вабищевич. М.: Эдиториал УРСС, 1999.-247 с.
  59. , Л.И. Тепловой расчет радиаторов силовых полупроводниковых вентилей Текст./ Л. И. Ройзен, И. Н. Дулькин, Н. И. Ракушина, В кн.: Силовые полупроводниковые приборы. М.: Информэлектро, 1969.1. С. 122−133.
  60. , Е.Ф. Основы расчета ребристых охладителей полупроводниковых вентилей электроподвижного состава Текст. / Е. Ф Бартош // Вестник ВНИИЖТ. 1970. — Вып. 2. — С. 11−15.
  61. , А.А. Метод приближенного расчета охладителя с развитой поверхностью для полупроводникового прибора Текст. / А. А. Рабинерсон // «Преобразовательная техника». 1970. — № 9−10. — С. 27−30.
  62. , А.И. Программа теплового расчета SEMISEL Электронный ресурс.: статья / Электронная версия журнала Компоненты и технологии, М., № 9, Режим доступа: http://www.kit-e.ru/articles/powerel/20 029 102.php, 2002.
  63. , А.И. Принципы работы и особенности программы теплового расчета SEMISEL Текст. / А. И. Колпаков, Е. Е. Карташев // Электронные компоненты (силовая электроника). М. — 2004. — .№ 6. — С. 94 — 102.
  64. Freyberg, М. Measuring Thermal Resistance of power Modules. PCIM Europe journal, Электронный ресурс.: статья / M. Freyberg, U. Scheuermann, Режим доступа: http://www.semikron.com/internet/index.jsp?sekId=144 2003.
  65. Thermal Considerations in the application of silicon rectifier, IR Designer’s manual Электронный ресурс.: текстовые и графические данные Режим доступа: http://www.semikron.com/ internet/ index. jsp?sekld=12, Semikron Elektronik GmbH, 1991.
  66. Сайт компании Mitsubishichips Электронный ресурс. Режим доступа: www.mitsubishichips.com. — 2008.
  67. Сайт компании Semikron Электронный ресурс. Режим доступа: www.semikron.com. -2008.
  68. Сайт компании Eupec Электронный ресурс. Режим доступа: www.eupec.com. — 2008.
  69. , А.И. Эффективные способы охлаждения силовых полупроводниковых приборов Текст. / А. И. Исакеев, И. Г. Киселев, В. В. Филатов. Л.: Энергоиздат. Ленингр. отд-ние, 1982. — 136 е.: ил.
  70. Колпаков, А.И. IGBT или MOSFET? Практика выбора Электронный ресурс.: текстовые и графические данные/ А. И. Колпаков // Режим доступа: http://www.elcp.ru/ 2006.
  71. , В.Н. Введение в математическое моделирование: Учебное пособие Текст. / В. Н. Ашихмин, М. Б. Гитман, И. Э. Келлер, О. Б. Наймарк, В. Ю. Столбов, П. В. Трусов, П. Г. Фрик. М.: Университетская книга, Логос, 2007. — 440 с.
  72. , В.Н. Теплотехника: Учебник для вузов Текст. / В. Н. Луканин, М. Г. Шатров, Г. М. Камфер и др. М.: Высш.шк., 1999. — 671 е.: ил.
  73. , В. П. Теплопередача Текст. / В. П. Исаченко, В. А. Осипова, А. С. Сукомел. 4 изд. — М.: Энергоиздат, 1981. — 417 с.
  74. , О.П. Теплотехника: Теплопередача и теплообменные аппараты. Теория подобия и экспериментальное исследование конвективного теплообмена Текст. / О. П. Шураев. Н. Новгород: ВГАВТ, 2006. — 52 с.
  75. , П.И. Техническая термодинамика и теплопередача. Сборник задач, ч. 2: учебное пособие Текст. / П. И. Бажан. Н. Новгород: ВГАВТ, 1996.-97 с.
  76. , В.Л. Теплотехника Текст. / В. Л. Ерофеев. М.: Академкнига, 2006. — 488 с.
  77. Основы теплопередачи в авиационной и ракетно-космической технике Текст. / Под ред. В. К. Кошкина. М.: Машиностроение, 1992. — 528 с.
  78. , В.В. Теплотехника: Учебное пособие Текст. / В. В. Крашенинников, В. И. Запрягаев, В. М. Потапов. Новосибирск: НГПУ, 2004. — 100 с.
  79. , В. Н. Теплотехника: Учеб. для вузов Текст. / В. Н. Луканин, М. Г. Шатров, Г. М. Камфер и др.- Под. ред. В. Н. Луканина. 3 е изд., испр. -М.: Высш.шк., 2002. — 671 с.
  80. , В.А. Техническая термодинамика Текст. / В. А. Кудинов, Э. М. Карташов. М.: Высш.шк., 2000. — 261 е.: ил.
  81. Тепломассообмен при получении полупроводниковых материалов Текст. / Под ред. А. В. Абдуллаева, В. И. Полежаева. М.: Наука, 1990. — 200 с.
  82. , С.С. Анализ подобия и физические модели Текст. / С. С. Кутателадзе. Новосибирск: Наука, Сиб. отд-ние, 1986. — 296 с.
  83. Надежность и эффективность в технике: Справочник Текст. / В 10 т./Ред. совет.: В. С. Авдуевский (пред.) и др. М.: Машиностроение, 1987 — (В пер.). Т. 4.: Методы подобия в надежности // Под общ. ред. В. А. Мельникова, Н. А. Северцева, 280 е.: ил.
  84. , Л.И. Методы подобия и размерности в механике Текст. / Л. И. Седов. М.: Наука, 1987. — 430 с.
  85. , В.А. Теория подобия и моделирования Текст. / В. А. Веников, Г. В. Веников. М.: Высш. шк., 1984. — 197 с.
  86. , М.А. Теория подобия и размерностей Текст. / М. А. Михалев. СПб.: Изд-во СПбГТУ, 2001. — 67 с.
  87. , Б.Я. Моделирование систем: Учеб. для вузов Текст. / Б. Я. Советов, С. А. Яковлев. 3-е изд., перераб. и доп. М.: Высш. шк., 2001. -343 е.: ил.
  88. , В.Б. Теплоотдача корпусов микросхем при естественном охлаждении Текст. / В. Б. Гидалевич, В. Ф. Давыдов, В. Н. Мешков и др. // «Вопросы радиоэлектроники» Сер. ТРТО. 1979. — вып. 3. — С. 20−23.
  89. , Д.И. Параметры теплового режима полупроводниковых микросхем Текст. / Д. И. Закс. М.: Радио и связь, 1983. — 128 с.
  90. , Д.И. Контроль теплового режима ИС по температуре корпуса Текст. / Д. И. Закс, Л. Ф. Наговицына // Электронная техника. Сер. Микроэлектроника. вып 2. — 1987. — С. 27−31.
  91. , А.Г. Теплообмен излучением: справочник Ю. А. Журавлев, Л. Н. Рыжков, А. Г. Блох. М.: Энергоатомиздат, 1991. — 431 с.
  92. Промышленная теплоэнергетика и теплотехника: справочник Текст. /под ред. А. В. Клименко, В. М. Зорина, Теплоэнергетика и теплотехника: справ, серия: в 4 кн.- кн. 4. М.: Изд-во МЭИ, 2004. — 631 с.
  93. , Г. Д. Теплопередача Текст. / Г. Д. Теляшева. М.: Энергоатомиздат, 1998. — 76 с.
  94. , Н.А. Краткий курс технической термодинамики и тепломассообмена Текст. / Н. А. Петухов. — Новосибирск: Новосиб. гос. аграр. ун-т. Ин-т мех. сел. хоз-ва, 1999. 196 с.
  95. , Ю.Г. Теплообмен при ламинарном течении жидкости в дискретно-шероховатых каналах Текст. / Ю. Г. Назмеев. М.: Энергоатомиздат, 1998. — 376 с.
  96. , В.Г. Методы перебора в решении физических задач Текст. /
  97. B.Г. Петросян, Т. В. Петросян // Информатика и образование. — 1996. № 3.1. C. 73−83.
  98. , М.С. Теплоэнергетика и теплотехника. Общие вопросы: справочник Текст. / М. С. Алхутов, А. А. Амосов, Т. Ф. Басова, Теплоэнергетика и теплотехника: справ, серия: в 4 кн.- кн. 1. М.: Изд-во МЭИ, 1999. — 528 с.
  99. , А.А. Обеспечение тепловых режимов изделий электронной техники Текст. / А. А. Чернышев, В. И. Иванов. М.: Энергия, 1980. — 216 с.
  100. Сайт компании НВМ IMT Электронный ресурс. Режим доступа: www.hbm.com. — 2007.
  101. ГОСТ 2.701−84. ЕСКД. Схемы. Виды и типы. Общие требования к выполнению Текст. Введ. 1985−07−01. — М.: Госстандарт СССР, Издательство стандартов, 1984. — 16 с.
  102. ГОСТ Р 8.585−2001. ГСИ. Термопары. Номинальные статические характеристики преобразования Текст. Введ. 2002−07−01. — М.: Госстандарт России, ИПК Издательство стандартов, 2001. — 68 с. •
  103. Описание CATMAN Электронный ресурс. — Электрон, текстовые, граф. данные, 2007. — 1 электрон, опт. диск (CD-ROM): зв., цв. Систем, требования: ограничены требованиями к ОС MS Windows.
  104. ГОСТ Р 8.568−97. ГСИ. Аттестация испытательного оборудования. Основные положения Текст. Введ. 1997−10−10. — М.: Госстандарт России, ИПК Издательство стандартов, 2004. — 9 с.
  105. ГОСТ 8.009−84. Государственная система обеспечения единства измерений. Нормируемые метрологические характеристики средств измерений Текст. Введ. 1984−07−13. — М.: Госстандарт СССР, Издательство стандартов, 1985. — 32 с.
  106. ГОСТ Р 8.596—2002. Метрологическое обеспечение измерительных систем. Основные положения Текст. Введ. 2002−09−30. — М.: Госстандарт России, ИПК Издательство стандартов, 2002. — 16 с.
  107. МИ 222−80. Методика расчета метрологических характеристик ИК ИИС по метрологическим характеристикам компонентов Текст. Введ. 1980−03−01. — М.: Госстандарт СССР, Издательство стандартов, 1981. — 20 с.
  108. МИ 2083−90. Рекомендация. ГСИ. Измерения косвенные. Определение результатов измерений и оценивание их погрешностей Текст. Введ. 199 201−01. — М.: Госстандарт СССР, Издательство стандартов, 1991. — 10 с.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!