Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Неразрушающие высоколокальные методы электронно-зондовой диагностики приборных структур микро-и наноэлектроники

Диссертация: Неразрушающие высоколокальные методы электронно-зондовой диагностики приборных структур микро-и наноэлектроники
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В настоящей работе детально изучены информационные возможности традиционных методов диагностики микроструктур в РЭМ, и на основе анализа этих методов намечены пути их дальнейшего совершенствования и развития. Разработан также ряд новых оригинальных методов диагностики, причем основное внимание уделено вопросам комплексного физического тестирования, т. е. одновременному контролю по многим… Читать ещё >

Неразрушающие высоколокальные методы электронно-зондовой диагностики приборных структур микро-и наноэлектроники (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1.
  • Основные закономерности взаимодействия электронного зонда с твердым телом
    • 1. 1. Упругое и неупругое рассеяние электронов
    • 1. 2. Пробеги электронов и потери энергии при рассеянии
      • 1. 2. 1. Функция потерь энергии 14 1.2.2 Сравнительный анализ пробегов электронов средних энергий в различных мишенях
    • 1. 3. Информационная глубина и контраст изображений в режиме отраженных электронов РЭМ
      • 1. 3. 1. Два метода визуализации подповерхностных микроструктур в
      • 1. 3. 2. О контрасте изображений в режиме отраженных электронов
    • 1. 4. Распределение ОРЭ по энергиям как функции глубины и угла выхода
      • 1. 4. 1. Связь энергии ОРЭ и глубины их отражения
      • 1. 4. 2. Зависиости распределений по энергиям и глубинам выхода от углов детектирования
    • 1. 5. Обоснование выбора тороидального спектрометра для целей микротомографии в отраженных электронах
  • Глава 2.
  • Физические обоснования методов спектроскопии и нанотомографии в обратнорассеянных электронах
    • 2. 1. Пространственное разрешение в режиме отраженных электронов
      • 2. 1. 1. Размытие электронного зонда в твердотельной мишени и глубина выхода отраженных электронов
      • 2. 1. 2. Оценки латерального разрешения режима ОЭ в зависимости от энергии первичных электронов
    • 2. 2. Решение обратной задачи повышения пространственного разрешения в режиме отраженных электронов в РЭМ
      • 2. 2. 1. Экспериментальное определение диаметра электронного зонда
      • 2. 2. 2. Результаты моделирования экспериментов по реконструкции размытых изображений
    • 2. 3. Определение полной энергии отраженных электронов в зависимости от углов падения и выхода. Оптимизация полупроводниковых детекторов в РЭМ
      • 2. 3. 1. Средняя энергия ОРЭ как функция угла выхода электронов
      • 2. 3. 2. Расчет сигнала полупроводникового детектора для моноэнергетических электронов
      • 2. 3. 3. Расчет детектируемого сигнала для отраженных электронов
    • 2. 4. Контраст изображений в режиме детектирования отраженных электронов в сканирующей электронной микроскопии и микротомографии
      • 2. 4. 1. Контраст изображений в режиме детектирования ОЭ при использовании кремниевого р-п детектора
      • 2. 4. 2. Контраст изображений в электронной микротомографии
  • Глава 3.
  • Экспериментальная реализация диагностической электронной нанотомографии и спектроскопии в РЭМ
    • 3. 1. Устройство электронно-зондового диагностического нанотомографа
      • 3. 1. 1. Устройство прибора и методики эксперимента
    • 3. 2. Демонстрационные примеры микротомографической дигностики трехмерных интегральных микросхем
    • 3. 3. Спектроскопия вторичных и отраженных электронов в РЭМ
      • 3. 3. 1. Особенности электронной спектроскопии в РЭМ
      • 3. 3. 2. Восстановление истинных спектров отраженных электронов с учетом аппаратной функции спектрометра
    • 3. 4. Спектроскопия вторичных электронов. Мониторинг потенциального рельефа и локально легированных участков полупроводников
    • 3. 5. Методы электронно-индуцированного потенциала и тока в бесконтактной диагностике электрических барьеров полупроводниковых материалов и микроэлектронных структур
  • Заключения и
  • выводы

Актуальность и общая характеристика работы. В последние годы заметно проявляется тенденция перехода от микрои нанотехнологиям, и, как следствие, например микроэлектронные устройства все чаще замещаются наноэлектронными приборными структурами. В свою очередь развитие наноэлектроники требует сопровождения адекватными высоколокальными неразрушающими методами диагностики, позволяющими решать вопросы дефектоскопии, контроля качества, физики отказов соответствующих новых изделий.

Одним из эффективных базовых методов субмикронной диагностики является сканирующая электронная микроскопия с ее нанометровым пространственным разрешением и богатым набором детектируемых сигналов. Но традиционные стандартные режимы работы растрового электронного микроскопа (РЭМ) уже не обеспечивают комплексной диагностики приборных структур микрои наноэлектроники, которая требует специфической информации как о трехмерном строении (топологии) объектов, так и об их локальных электрофизических характеристиках. В настоящее время становятся все более востребованными электронно-зондовые бесконтактные и неразрушающие методы и аппаратура для одновременного определения и контроля все большего числа параметров вновь создаваемых приборных структур, а также количественной характеризации этих параметров.

В настоящей работе детально изучены информационные возможности традиционных методов диагностики микроструктур в РЭМ, и на основе анализа этих методов намечены пути их дальнейшего совершенствования и развития. Разработан также ряд новых оригинальных методов диагностики, причем основное внимание уделено вопросам комплексного физического тестирования, т. е. одновременному контролю по многим информационным параметрам, как топологических, так и электрофизических. Такое комплексное универсальное исследование дает несомненное преимущество, т.к. обеспечивает возможность получения максимально достоверной информации от ряда сигнальных откликов при одном сканировании объекта.

Новые разработки способствуют более экспрессному, многофункциональному контролю тестируемых микрои наноэлектронных компонент приборных структур твердотельной электроники.

Целью и основной задачей работы были разработка высоколокального неразрушающего диагностического комплекса на основе сканирующего электронного микроскопа, позволяющего проводить научно-исследовательские работы по тестированию объектов по максимальному числу функциональных параметров как при создании новых наноустройств, так и при дефектоскопии и анализе отказов готовых приборов.

Основными требованиями, представляемыми к предложенному комплексу, являются нанометровое пространственное разрешение, бесконтактность, принципиально неразрушающий характер проводимых испытаний, достоверность и высокая информативность экспрессных исследований.

Научная новизна и практическая значимость работы определяются следующими основными результатами, полученными впервые:

— на основе анализа размытия электронного зонда в твердотельной среде и потерь энергии первичных электронов найдены оптимальные условия детектирования обратно рассеянных электронов (ОРЭ) в томографических экспериментах: необходимо детектировать ОРЭ, обладающих наиболее вероятной энергией и отраженных на наиболее вероятной глубине под наиболее вероятным углом выхода из поверхности образца;

— определены условия получения максимального контраста изображений массивных и многослойных микроструктур с учетом особенностей конфигурации детекторов ОРЭ и способов получения видеосигналов;

— на основе решения обратных задач, учитывающих аппаратные функции прибора, показаны возможности реконструкции размытых изображений заглубленных микроструктур и регистрируемых спектров ОРЭ в РЭМ;

— значительно модифицирован и усовершенствован электронно-зондовый томографический комплекс, что позволило в разы повысить пространственное разрешение при послойном мониторинге планарных микрои наноструктур, примерно в два раза повысить энергетическое разрешение и чувствительность тороидального спектрометра;

— реализована возможность снятия электрических спектров электронов в РЭМ во всем энергетическом диапазоне — вторичных, обратнорассеянных, упруго-отраженных;

— проведена модернизация диагностической установки, что позволяет проводить тестирование объекта одновременно по многим топологическим и электрофизическим параметрам;

— физически обоснован эффект визуализации локально легированных участков примесями ри птипов при спектроскопической постановке экспериментов;

— намечены пути количественной оценки толщин нанометровых покрытий и уровней легирования полупроводниковых кристаллов.

Практическая значимость диссертационной работы заключается в разработке и реализации лабораторной модели многофункционального электронно-зондового диагностического комплекса, работоспособность, эффективность и потенциальные возможности которого широко продемонстрированы на ряде примеров изучения строения и характеристик приборных устройств полупроводниковой электроники.

Достоверность результатов работы подтверждается хорошей корреляцией теоретических моделей с результатами экспериментов на тестовых образцах, а также с некоторыми результатами, полученными по отдельным разделам исследований другими методами, на которые в работе приводятся обширные ссылки.

Защищаемые положения.

В диссертационной работе защищаются:

1. Унифицированный электронно-зондовый диагностический комплекс на базе РЭМ, позволяющий проводить неразрушающий высоколокалный контроль топологических и электрофизических характеристик приборных структур микрои наноэлектроники.

2. Реализация вычислительных методов и экспериментальных приемов повышения пространственного разрешения в электронной микротомографии и энергетического разрешения в электронной микроскопии в РЭМ, позволяющие измерять спектры электронов во всем энергетическом диапазоне — от медленных вторичных до упруго-отраженных.

3. Интерпретация контраста изображения и его инверсии, а также информационной глубины при исследовании трехмерных микроструктур методом электронной микротомографии.

4. Спектроскопический вторично-электронный метод повышения чувствительности мониторинга распределения легирующих примесей в полупроводниковых кристаллах и его физическое обоснование.

Апробация работы.

Всего по результатам работы опубликовано 5 статей в реферируемых журналах и 11 публикаций тезисов докладов на российских и международных научных конференциях, список которых приводится в диссертации и автореферате.

Структура диссертационной работы.

Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения (основных выводов), списка используемой литературы. Первая глава является обзором научных трудов по теме диссертации, где изложены современные достижения в соответствующей области исследований, приводятся основные сведения, которые имеют прямое отношение к кругу решаемых в диссертации задач.

Заключение

и выводы.

1. Для перехода от микрок нанотомографии был значительно усовершенствован тороидальный электростатический электронный спектрометр, адаптированный к РЭМ, в частности изменена входная электронная оптика и весь тракт детектирования ОЭ, что позволило повысить трехмерное пространственное разрешение до единиц нанометров и существенно расширить область исследований при спектроскопии полного диапазона энергий электронов — от вторичных до упруго-отраженных.

2. Детально рассмотрены и решены физические проблемы улучшения пространственного разрешения в РЭМ и энергетического разрешения электронного спектрометра, что позволило во-первых улучшить указанные параметры и во-вторых более корректно и однозначно интерпретировать экспериментальные результаты послойного анализа топологии трехмерных компонент исследуемых структур.

3. На основе анализа процессов отражения электронов показано, что наилучшее пространственное разрешение и наиболее высокий контраст изображений при томографическом мониторинге послойного строения трехмерных микроструктур достигаются при детектировании отфильтрованных по наиболее вероятной энергии электронов, отраженных под определенным углом на наиболее вероятной глубине, равной глубине залегания скрытого под поверхностью фрагмента микроструктуры.

4. Реализована одновременная параллельная регистрация сигналов вторичных или отраженных электронов и электронно-индуцированных потенциалов в РЭМ, что значительно повысило экспрессность неразрушающего бесконтактного диагностического комплекса, его функциональные и информативные возможности при исследовании как трехмерной топологии, так и электрических характеристик структур микрои наноэлектроники.

5. Новые физико-технические решения визуализации (с рекордными значениями контраста) локально легированных областей в полупроводниковых кристаллах методами спектроскопии вторичных электронов и детектировании электронно-индуцированных потенциалов намечают пути и возможности количественного мониторинга распределении ри ппримесей в диапазоне от 1016 до Ю20 см" 3 с улучшенной в 3 раза чувствительностью к величине концентрации легирующей примеси и с пространственным разрешением, определяемым паспортными параметрами РЭМ (до единиц нанометров), что пока было невозможно достичь другими электронно-зондовыми аналитическими методами.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Wentzel G. Zwei Bemerkungen uber die Zerstereuung korpuskularer Strahlen als Beugungserseheinungen// Z.Phys. 1927. V. 40 p.590
  2. N.F. Mott, H.S.W. Massey. The Theory of Atomic Collisions 3rd edition Oxford Univ. Press. London 1965.
  3. F.Salvat, R. Mayol. Elastic scattering of electrons and positions by atoms. Scrodinger and Dirac partial wave analysis // Comp Commu 1993 v 74 p 358
  4. R.F. Egerton. Measurment of inelastic/elastic scattering ratio for fast electrons and its use in the study of radiation damage// Phys Stat Sol (a) 1976 v 1976 v 37 p663
  5. H.Bethe, Zur Theorie des Durchganges schneller Korpuskelstrahlen durch Materie // Ann Phys 1930 V 5 p325
  6. M.J. Berger, S.M. Seltzer. Tables of energy loss and ranges of electrons and positions. // Nat Acad Sei Nat Res Council publ. 1133 Washington D.C. 1964 p 205
  7. N. Bohr The penetration of atomic particles through matter // Kgl. Danske Videnskabernes, Selskab, Matematisk-fysiske Meddelelser. 1948. V. 18. № 8.
  8. R.D. Birkhoif The passage of fast electrons through matter // Encyclopedia of Physics. Springer, Berlin. 1958. V. 34. P. 53
  9. H. A. Bethe, J. Ashkin. Passage of radiation through matter. // Experimental Nuclear Physics. Willey, New York. 1953. V. 1. P. 166.
  10. T. S. Rao-Sahib, D. B. Wittry. X-ray continuum from thick element targets for 10−50 keV electrons. // J. Appl. Phys. 1974. V. 45. P. 5060.
  11. D. C. Joy, S. Luo. An empirical stopping power relationship for low energy electrons // Scanning. 1989. V. 11. P. 176.
  12. Практическая растровая электронная микроскопия. Под. ред. Д.Голдстейна. / М.: Мир 1978 г. С. 656.
  13. W., Antolak A.J., Meredith R.J. // J. Appl. Phys. 1987. V.61. P.4612
  14. Т., Shimizu R., Harada K., Kato T. // J. Appl. Phys. 1974. V.45. P.733.
  15. Kanaya K., Okayama S.: Penetration and energy-loss theory of electrons in solid targets. J. Phys. D.: Appl. Phys. 5. 43−58 (1972).
  16. V.E., Thomas R.N. // Brit. J. Appl. Phys. 1964. V.15. P. 1283.
  17. Fitting H.-J. // «The energy loss of transmitted and backscattered electrons» PhysRev 1954 p. 345−355
  18. A.E. // Z. Naturforsch. 1957. V.12A. N7. P.89.
  19. Т.Е., Hoff P.A. // J. Appl. Phys. 1971. V.42. N13. P.5837.
  20. L. Reimer, R. Senkel. Monte-Carlo simulation in low voltage scanning electron microscopy. //Optic. 1995. V. 98. P. 85/
  21. M. R. Sogard. Backscattered electron energy spectra for thin films from an extension of the Everhart theory. // J. Appl. Phys. 1980. V. 51. № 8 P. 4412.
  22. C. Mellen. Micro-tomography in a SEM using BSE information. // Eur. Microsc. Anal. 2001. V. 37. P. 9−11.
  23. Wells O. Effects of collector take-off angle and energy filtering of the BSE image in the SEM. // Scanning. 1979. V. 2. P. 199.
  24. В.А., Разгонов И. И. Прямое наблюдение послойной катодолюминесценции тонкопленочной структуры. //ЖТФ. 1989. Т. 59. № 4. С. 180−182
  25. Saparin G.V., Obyden S.K., Ivannikov P.I., Mokhov E., Roenkov A.D. Three-dimentional studies of SiC polytype Transformations. // Scanning. 1997. V. 19. P. 269−274.
  26. B.B., Гвоздовер P.C., Гостев A.B., Pay Э.И., Савин В. О. Развитие и новые применения модуляционных методов микротомографии в растровой электронной микроскопии. // Изв. АН. Серия физич. 1997. Т. 61. № 10. С. 1959−1965.
  27. В.В., Дремова H.H., Рау Э.И. Характеристики, особенности и примеры применения тороидального энергоанализатора в растровой электронной микроскопии. //ЖТФ. 1996. Т. 66. № 10. С. 172
  28. Н. Hoffmeister, L. Reimer, Н. Kohl. Untersuchungen zu Austrittstiefen- und energiespektren der ruekgestreuten Elektronen im Rasterelektronenmikroskop mittels Monte-Carlo Simulation. // Optik. 1999. V. 110. Suppl. 8. P. 47.
  29. L. Reimer, M. Reipenhausen. Detector strategy for secondary and backscattered electros using multiple detector system. // Scanning. 1985. V. 7. P. 221.
  30. Э.И.Рау, В. О. Савин, Р. А. Сеннов, Б. Г. Фрейнкман, Х.Хоффмайстер. «Исследование электронно-оптических характеристик тороидального спектрометра». Изв. АН, серия физическая, 2000, т.64, № 8, с. 1574−1578.
  31. Э.И.Рау, В. О. Савин, Р. А. Сеннов, М. Н. Филиппов, Ху Веньго. «Экспериментальное определение трансмиссионных характеристик и энергетического разрешения тороидального спектрометра для растрового электронного микроскопа». Поверхность, 2000. № 2. с. 10−21.
  32. Rau E.I., Robinson V.N.E. // Scanning 1996 V.18 p.556−562.
  33. Niedrig H. Rau E.I. //Nuclear Instr. Methods in Phys. Research 1998. V.142. p523−534/
  34. A.B., Дицман C.A., Лукьянов Ф. А., Орликовский H.A., Pay Э.И., Сеннов P.A. «Метод и аппаратура электронной микротомографии в сканирующей электронной микроскопии». Приборы и техника эксперимента (2010). № 4. С.124−134.
  35. А.Ф., Дицман С. А., Лукьянов Ф. А., Орликовский H.A., Рау Э.И., Сеннов P.A. «Электронно-зондовая неразрушающая бесконтактная диагностика приборных структур микроэлектроники». Микроэлектроника (2010). Т.39. № 5. С.327−336
  36. H.A., Рау Э.И. «Контраст изображений в режиме детектирования отраженных электронов в сканирующей электронной микроскопии и микротомографии». Известия РАН, серия физическая (2011). Т.75. № 9. С.1305−1311.
  37. Рау Э.И., Гостев A.B., Евстафьева E.H., Орликовский H.A., Татаринцев A.A., Трубицын A.B.
  38. Электронно-зондовый томографический комплекс на базе РЭМ для диагностики микро- и наноструктур Санкт-Петербург 2011 Сборник ВТ 12−3 часть 1 «ВЫСОКИЕ ТЕХНОЛОГИИ, ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ, ЭКОНОМИКА» Том 3, Часть 1, стр. 285
  39. С.А., Лукьянов Ф. А., Орликовский Н.А., Pay Э.И., Сеннов Р. А. «К вопросу о пространственном разрешении в режиме отраженных электронов в РЭМ». Тезисы Докладов «XXII Российская конференция по электронной микроскопии». Черноголовка (2008). С. 127.
  40. Lukyanov F.A., Orlikovsky N.A., Rau E.I., Sennov R.A. «Combined electron-beam method of the diagnostic of 3D-microelectronic structures in scanning electron microscopy». Zvenigorod «International Conference «Micro- and Nanoelectronics» 2009 P.03−19.
  41. Н.А. Орликовский, Э.И. Pay «О контрасте изображений в режиме отраженных электронов в РЭМ» Черноголовка «XVII Российский Симпозиум по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел.» 2011 стр 60
  42. Orlikovsky N.A. Rau E.I. Tatarintsev A. A. Electron-beam diagnostics microtomography and spectroscopy of microelectronics device structures. 37th International Conference on Micro and Nano Engineering 2011 4.1 P-MEMS-005
  43. Н.А. Влияние функции отклика полупроводниковых детекторов электронов на их эффективность. Конф. молодых ученых «Физико-химия и технология неорганических материалов», 2011 г., стр:311
  44. J., Costley J., Lorimer G., Reed J. // Proc. X SEM Symp. Ed. O. Hare, Chicago. 1977. V.1.P.315.
  45. L.M., Kawasaki M., Boettcher S., Wells O.C. // J. Appl. Phys. 2005. V.97. P. l 14 506.
  46. Nosker R.W.Scattering of higly focused kilovolt electron beams by solids // J. Appl. Phys. 1969. V.40. N4. P. 1872.
  47. Fitting H.-J. //Phys. Stat. Sol. Ser. a. 1974. V.26. P.525.
  48. P., Andrae M., Rohrbacher K., Wernisch J. // Scanning. 1996. V.18. P.417.
  49. S.G. // Proc. Phys. Soc. 1963. V.82. P.465.
  50. D.B., Kyser D.F. // J. Appl. Phys. 1967. V.38. P.375.
  51. H.E. // Proc.Phys.Soc. 1965. V.85. P.855.
  52. H., Reimer L., Seidel H. // Z. Angew. Phys. 1970. V.29. P.331
  53. Reimer L. Image formation in low-voltage scanning electron microscopy. Ed. SPIE. Washington USA. 1993.P.144.
  54. U., Heydenreich J. // Ultramicroscopy. 1984. V. 15. P. 17
  55. M., Kawata H., Murata K. // J. Appl. Phys. 1995. V.77 (9). P.4706.
  56. N., Kikuchi N., Laudate A., Robertson V. // Advanced Materials and Processes. 2009. V. 167.1. 9. P. 28−31
  57. H. Hamerlick. // Scanning. 1987. V. 9. № 1. P. 32.
  58. Ю.А. Новиков, C.B. Пешехонов, A.B. Раков и др. // Изв. АН. Сер. физич. 1993. Т. 57. № 8. С. 84.
  59. Л.Б. Розенфельд, A.B. Суворинов. //Изв. АН. Сер. физич. 2000. Т. 64. № 8. С. 1594
  60. Wells О. Low-loss image for surface scanning electron microscope// Appl. Phys. Lett. 1971. V.19.P.232.
  61. Лукьянов Ф.А., Pay Э.И., Сеннов P.A. Глубина пробега первичных электронов, размытие электронного пучка и пространственное разрешение в электронно-зондовых исследованиях// Изв. РАН, сер.физич. 2009. Т.73. № 4. С. 463.
  62. Konkol A., Booker G.R., Wilshaw P.R. Backscattered electron contrast on cross section of interfaces and multilayers iin scanning electron microscope// Ultramicroscopy. 1995. V.58. P.233.
  63. И.М., Бородина И. Н., Тарасов В.К.Практический алгоритм вычета аппаратной функции при линейном профилировании методом преобразования, обратно свертке // Изв. АН СССР. сер.физич. 1990. Т.54. № 2. С. 332.
  64. Yano F., Nomura S. Deconvolution of scanning electron microscopy images // Scanning. 1993. V.15. P. 19.
  65. H.A., Лукьянов Ф.А., Pay Э.И., Сеннов P.A., Ягола А. Г. Повышение пространственного разрешения в режиме отраженных электронов в сканирующей электронной микроскопии. ИЗВ. РАН, серия физическая, 2011. 75, N9. 1248−1251
  66. А. Н. Гончарский A.B. Степанов В. В. Ягола А.Г. Численные методы решения некорректных задач. М. Наука, 1990.
  67. Т., Shimizu R., Hashimoto Н. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1974. V. 7. P. 695.
  68. H., Ruttiger K. // Zeitschrift Physik. 1954. Bd. 137. S. 426
  69. Т. E. // J. Appl. Phys. 1960. V.31. № 8. P. 1483
  70. Pay Э.И., Сеннов P.A. // Изв. РАН. Сер. физич. 2004. Т. 68. № 9. С. 1342.
  71. A.J., Williamson W. // J. Appl. Phys. 1985. V. 58. № 1. P. 526
  72. H. // Scanning Electron Microscopy. Ed. O’Hare. Chicago. 1981. V. 1. P. 29
  73. H. // Ann. Phys. 1957. V. 6. № 20. P. 144.
  74. E. H. // J. Phys. D. 1957. V. 8. № 1. P. 85.
  75. Z. // Scanning electron microscopy. Ed. O’Hare. Chicago. 1987. V. 1. P. 975.
  76. J. // Scanning. 1992. V. 14. P. 256.
  77. M., Rohrbacher К., Klein P., Wernisch J. // Scanning. 1996. V. 18. P. 401.
  78. Н.Г., Остроухов A.A., Романовский В. А. // ФТТ. 1962. Т. 4. Вып. 6. С. 1514.
  79. P., Balladore J.L., Martinez J.P., Ouabbou А. // Scanning. 1995. V. 17. P. 377.
  80. P., Ouabbou A., Balladore J.L., Martinez J.P. // J. Phys. III. France. 1997. V. 7. P. 963.
  81. Lin P. S., Becker R.P. // Scanning Electron Microscopy. Ed. O’Hare. Chicago. 1975. P. 61.
  82. H.O., Suszcynsky D.M., Ritzan S.M., Korde R. // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1997. V. 44. № 6. P. 2561.
  83. A.B., Дицман С. А., Забродский В. В., Забродская Н. В., Лукьянов Ф.А., Pay Э.И., Сеннов P.A., Суханов В. Л. // Изв. РАН. Сер. физич. 2008. Т. 72. № 11. С. 1539.
  84. L. // Image formation in low-voltage scanning electron microscopy. Washington. SPIE Press. 1993. P. 33.
  85. F. Arnal, P. Verdier C.R.Acad.Sci.Paris. V.268, 1526 (1969).
  86. A.B. Гостев, В. Г. Дюков, C.A. Дицман и др. Изв. РАН, сер. физич. Т.74. № 7, 1010 (2010).
  87. H.-J. Hunger, L. Kuchler Phys.Stat.Sol. (a). V.56, 45 (1979).
  88. К. Kanaya, S. Ono J. Phys. D. V. 11, 1495 (1978).
  89. H.-J. Fitting J.Electr. Spectr. Rel. Phenom. V.136,265 (2004).
  90. H.H. Михеев, В. И. Петров, M.A. Степович Изв. АН СССР. сер. физич. 55 (9), 1474 (1991).
  91. Reimer L. Scanning Electron Microscopy. Springer Ed. Heidelberg. 1998. P. 260.
  92. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ. М.: Мир. 1984. т. 1. с. 154.
  93. Н. // in: Scanning Electron Microscopy. SEM Inc. Ed. O’Hare, Chicago. 1976. V.l. P. 9.
  94. Pay Э. И., Савин В. О., Сеннов Р. А. // Поверхность. 2000. № 12. С. 4.
  95. О. // Scanning. 1979. V. 2. Р. 199
  96. О., Savoy R., Bailey P. // in: Electron Beam Interaction with Solids. SEM Inc. Ed. O’Hare. Chicago. 1982. P. 287
  97. L., Popper W., Brocker W. // in: Scanning Electron Microscopy. SEM Inc. Ed. O’Hare. 1978. V. 1. P.705.
  98. P. F. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1994. V. 27. P.1533.
  99. Bongeier R., Go IIa U., Kassens L., Reimer L., Schindler В., Senkel R., Spranck M. // Scanning. 1993. V. 15. P. 1.
  100. F., Verdier P. // C. R. Acad. Sei. Paris. 1969. V. 268. P. 1526.
  101. K., Okayama S. // J. Phys. D. 1972. V. 5. P. 43.
  102. V. E., Thomas R. N. // Brit. J. Appl. Phys. 1964. V. 15. P. 1283.
  103. Rau E. I., Reimer L. // Scanning. 2001. V. 23. P. 235.
  104. В. П., Лебедь В. И. Метод Монте-Карло в рентгеновском спектральном микроанализе. Новосибирск. Наука. 1989 г. С. 110.
  105. Н. A., Back W., Menzel D., Liebl H. // Rev. Sei. Instr. 1981. V. 52., № 6. p. 835−845.
  106. F., Leckey R., Riley J. // Nucl. Instrum. Meth. in Phys. Research (B). 1985. V. 12. p. 282−291.
  107. A., Shelley E. // Nucl. Instrum. Meth. in Phys. Research (A). 1990. V. 298. p. 181−187.
  108. T. J., Richmond G., Bagley G., Wightman J. // Rev. Sei. Instr. 1997., V. 68. p. 2685−2692.
  109. J., Panajotovic R., Bellm S., Weigold E. // Rev. Sei. Instr. 2007. V. 78. p. 111 301 111 320.
  110. Дремова H.H., Pay Э.И., Робинсон В.//ПТЭ 1995 г. N1 c.144
  111. Pay Э. И., Сеннов P. А., Реймер Д., Хоффмайстер X. // Изв. АН., Сер. физич. 2001. Т. 65. с. 1328−1332.
  112. A., Hoang Н. // Ultramicroscopy, 2008. V. 109. p. 104−110
  113. Hoang Н., Osterberg M., Khursheed A.// Ultramicro scopy. 2011. V. 111. P. 1093−1100.
  114. Якимов Е.Б.// Изв. РАН сер. физич. 1992. т. 56. с. 31−44
  115. Semiconductor Material and Device Characterization, ed. by D.K. Schroder (J. Wiley, Sons Inc., 1998). P. 453
  116. Pay Э.И., Шичу Чжу. «Бесконтактный электронно-зондовый метод измерения диффузионной длины и времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниках» // ФТП (2001). Т.35. № 6. С.749−752.
  117. Гостев A.B., Pay Э.И., Шичу Чжу, Якимов Е. Б. «О возможности измерения локальных параметров полупроводниковых материалов методом электронно-индуцированной ЭДС» // Изв. РАН, сер. физич. (2000). № 8. С. 1580−1585.
  118. Т., Matsunami Н. «Determination of lifetime and diffusion constant of minority carriers by a phase-shift technique using an EBIC» // J.Appl.Phys. (1981). V.52. N5. P.3428.
  119. E.H. Cosslet V.E. //J.Phys.D. 1972. V.5. p. 1969.
  120. P., Balladore J., Martinez J., Ouabbou A. //Scanning 1995. V.17. p. 377.
  121. F., Berger D., Niedrig H. //Scanning. 1999. V.21. p. 197.
  122. Pay Э.И., Сеннов P.A., Реймер Л., Хоффмайстер X. //Изв. РАН. Сер.физич. 2001. Т.65. с. 1328.
  123. В.П., Лубенченко A.B., Федорович С. В., Паволоцкий А. Б. //ЖТФ. 2002. Т.72. № 11. с. 100
  124. Н. D. // Exper. Technik der Physik. 1979. V. 27. № 4. p. 331−338.
  125. Cubric D. Kholine N. konishi I.// Nucl. Instr. Methods Phys. Research (A). 201 l.V.645.p.234−240
  126. A., Hansen H. S., Jansson C., Tougaard S. // Phys. Rev (B). 1992. V. 45. № 7. p. 3694−3702
  127. A.B., Лукьянов Ф.А., Pay Э.И., Сеннов P.A., Ягола А. Г. //Вестник МГУ. Серия 3 (физика, астрономия). 2009. № 5. с. 30.
  128. В.П., Ефременко Д. С., Лубенченко A.B. //Поверхность. 2008. N5. с. 45.
  129. Frank L., Stekly R., Zadrazil M., El-Gomati M., Mullerova I. //Microchim Acta. 2000. V.132. p. 179.
  130. Sommerkamp P. HZ. angew. Physik. 1970. V.28. N4. p. 220.
  131. H., Spyra W. // Z. Physik. 1954. V.157. p. 416.
  132. H. //Ann. Physik. 1957. V. 20. p.144.
  133. L., Senkel R. //Optik. 1995. V.98. N3. p. 85.
  134. El-Gomati M., Walker C.G., Assad A.M., Zadrazil M. // Scanning. 2008. V.30. p.2.
  135. С.И. Методы зондовой диагностики микроструктур: теория, моделирование и обратные задачи. Диссертация д.ф.-м.н. Черноголовка, ИПТМ РАН 2000 г.
  136. Joy D.C., Prasad M.S. Meyer H.// J Microscopy. 2004 V 215 p77−85
  137. Ю.А. Аналитическая вторично-элдектронная эмиссиометрия. М.: Научный мир 2006
  138. Thong J.T.L. Electron Testing Tecnology NY USA Plenum Press 1993 p.206
  139. Зи С. Физика полупроводниковых приборов М.:Мир1984 т. 1
  140. Perovic D, Castell М. Howie A. Lavoie С. Tiedje Т. Cole J. // Ultramicroscopy 1995 V.58 p.104−113
  141. C. Castell M., Wilshaw P. //J.Electr. Microscopy 2000 V49 рЗ 11−321
  142. Buzzo M. Ciappa M. Millan J Gorignon P. Fichtner W.// Microelectronic Engineering 2007 V.84. p.413−418
  143. Kazemian P. Mentink S. Rodenburg C. Humphreys C.//Ultramicroscopy 2007 VI07 p.140−150
  144. Schonjahn C., Humphreys J. Glick M., J.Appl.Phys 2002 V.92.p.7667−7671
  145. Lin Y., Joy D.C.// Surface Interface Analysis 2005 V 37.p.895−900 149. бонч-Бруевич В.JI., Калашников С.Г.// Физика полупроводников М.:Наука 1977. 672
  146. Touzin М. Goeuriot D., Goeuriot-Piecourt С., Juve D., Treheux D. Fitting H.-J.// J Appl. Phys 2006.V.99.p.l 14 110−114 114
  147. Casoux J.//J.Appl. Phys2011 V110.p.24 906−15
  148. Wong W.K., Rau E.I., Thong J.T. «Electron-acoustic and surface electron beam induced voltage signal formation in scanning electron microscopy analysis of semiconductors samples». //Ultramicroscopy (2004). V.101. P.183−195.
  149. Pay Э.И., Сеннов P.А. «Анализ кинетики сигналов в методах наведенного тока, тока смещения и электронно-индуцированного потенциала в РЭМ». // Изв. РАН, сер. физич. (2002). Т.66. № 9. С.1352−1355.
  150. Kolachina S., Phang J.C.H., Chan D.S.H., «Single contact electron-beam induced currents (SCEBIC) in semiconductor junctions» // Sol. State Electr. (1998). V.42. № 6. P.957−962.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!