Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Процессы самоорганизации наноструктур в углеродистой среде, активируемой потоком электронов, в сильных электрических полях

Диссертация: Процессы самоорганизации наноструктур в углеродистой среде, активируемой потоком электронов, в сильных электрических полях
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Необходимо отметить, что освоение нанометрового диапазона размеров элементов резко усложняет технологию, а в ряде случаев сталкивается с принципиально новыми проблемами, решение которых требует 7 нетрадиционных подходов. Один из таких подходов состоит в использовании процессов самоорганизации пространственных наноструктур для формирования элементов наноэлектроники. В широком смысле под… Читать ещё >

Процессы самоорганизации наноструктур в углеродистой среде, активируемой потоком электронов, в сильных электрических полях (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Реальные объекты, в которых углеродсодержащий материал оказывается в нанометровом изолирующем зазоре с сильным электрическим полем, инициирующим поток электронов
    • 1. 1. Явление электроформовки в «сэндвич"-структурах металл-диэлектрик-металл
    • 1. 2. Электроформовка как результат образования углеродистого проводящего материала в изолирующей щели МИМ-структуры.>
    • 1. 3. Последние результаты исследования электроформовки в МИМ-структурах
    • 1. 4. Модификация поверхности с помощью сканирующего туннельного микроскопа
    • 1. 5. Экспонирование в сканирующем туннельном микроскопе тонких органических пленок
  • Глава 2. Особенности поведения сканирующего туннельного микроскопа в эмиссионном режиме с тонким слоем диэлектрика в изолирующем зазоре
    • 2. 1. Макет СТМ с электромагнитным сканером
    • 2. 2. Эффект переключения величины изолирующего зазора СТМ с тонким слоем диэлектрика. Элементарная модель
    • 2. 3. Учет скачка потенциала на границе диэлектрик — вакуум
    • 2. 4. Зависимость величины изолирующего зазора СТМ от напряжения на зонде
  • Глава 3. Механизм проводимости электроформоваиных МИМструктур и модель возникновения ]Ч-образной статической вольт-амперной характеристики нано-МИМ-диода с фиксированной шириной изолирующего зазора
    • 3. 1. Механизм процессов в МИМ-структуре с углеродистой средой и сильным электрическим полем в изолирующем зазоре. Нано-МИМ-диод
    • 3. 2. Схема внутренних обратных связей в нано-МИМ-диоде. Самоформирование наноструктуры в углеродистой среде
    • 3. 3. Уравнения стационарной модели нано-МИМ-диода с углеродистой активной средой при фиксированной ширине изолирующего зазора
    • 3. 4. Типичные результаты моделирования. Ы-образные вольт-амперные характеристики
  • Глава 4. Учёт перколяции. Самоформирование и смоорганизация нанометрового изолирующего зазора в углеродистой проводящей среде в МИМ-структурах
    • 4. 1. Учет перколяции в модели нано-МИМ-диода и самоформирование изолирующего зазора в углеродистой проводящей среде
    • 4. 2. Стационарная модель нано-МИМ-диода с углеродистой активной средой с учетом перколяции
    • 4. 3. Роль механизма модуляции прозрачности потенциального барьера. В АХ при малых напряжениях
    • 4. 4. Температурная зависимость вольт-амперной характеристики в модели проводимости МИМ-структуры с учетом перколяции
    • 4. 5. Электроформовка в МИМ-структуре как процесс самоорганизации нанометрового изолирующего зазора в возникающей углеродистой проводящей среде
  • Глава 5. Нано-МИМ-диод в виде открытой «сэндвич"-МДМструктуры и лабораторная технология ее изготовления
    • 5. 1. Конструкция нано-МИМ-диода в виде открытой «сэндвич"-МДМ-структуры
    • 5. 2. Лабораторная технология изготовления открытых «сэндвич"-МДМ (МДП)-структур с нанометровой изолирующей щелью. Технологические маршруты
    • 5. 3. Методика контроля процесса травления нанометрового слоя диэлектрика in situ путем измерения адмитанса системы
    • 5. 4. Исследование процессов формирования диэлектрических пленок нанометровой толщины электрохимическим анодированием
  • Глава 6. Экспериментальные исследования электрофизических характеристик нано-МИМ-диодов в виде открытой «сэндвич"-структуры A1-A1203-W с углеродистой активной средой
    • 6. 1. Стенд для электроформовки и измерения характеристик МИМ-структур
    • 6. 2. Особенности электроформовки открытых «сэндвич"-МИМ-структур AI-AI2O3-W с нанометровой изолирующей щелью
    • 6. 3. Особенности квазистатических вольт-амперных характеристик электроформованных открытых «сэндвич"-МИМ-структур А1-А1203^
    • 6. 4. Физический механизм проводимости открытой «сэндвич"-МИМ-структуры со встроенным диэлектриком. Самоорганизация углеродистых проводящих наноструктур
    • 6. 5. Автоколебания проводимости МИМ-структуры со встроенным диэлектриком
  • Глава 7. Прикладные аспекты исследования процессов самоорганизации в структурах с активной проводящей средой в нанометровой изолирующей щели
    • 7. 1. Способ самоформирования единичной проводящей наноструктуры при подаче напряжения на электроды нано-МИМ-диода
    • 7. 2. Концепция памяти на основе нано-МИМ-диода с активной проводящей (углеродистой) средой
    • 7. 3. Исследования условий электроформовки в открытых «сэндвич"-структурах
  • Выводы

Долговременная тенденция повышения степени интеграции при изготовлении интегральных схем (ИС), которая наблюдается с начала развития микроэлектроники и обеспечивается, в основном, за счет уменьшения размеров элементов, сделала актуальными в настоящее время исследования и разработки приборов с нанометровыми размерами, а также технологии изготовления соответствующих твердотельных структур (нанотехнологии). В то же время переход от микрок наноэлементам, в отличие от предыдущих этапов процесса миниатюризации, нельзя рассматривать просто как соответствующее масштабирование их размеров. Это связано с тем, что при таком переходе, во-первых, зачастую нарушаются условия применимости традиционных физических моделей и представлений, используемых в микроэлектронике, и становятся неработоспособными соответствующие приборы, а во-вторых, появляются принципиально новые физические эффекты возможные только в нанометровых пространственных масштабах, которые, с одной стороны, необходимо учитывать при изготовлении наноструктур, а, с другой стороны, могут быть положены в основу принципиально новых приборов наноэлектроники [1]. Яркой иллюстрацией последнего утверждения является активно развиваемое в последние годы направление, названное «одноэлектроникой» [2−4].

Мощным фактором, стимулирующим усилия в развитии нанотехнологии, послужило появление таких прецизионных инструментов как сканирующий туннельный микроскоп (СТМ) [5] и его технологические модификации, которые открыли новые возможности для реализации нанолитографии [6] и контроля наноструктур. Из-за ограниченной производительности вряд ли можно рассчитывать на применение их в серийном и массовом производстве ИС, где основную роль, очевидно, будет играть проекционная рентгеновская литография [7, 8]. Тем не менее они определённо будут иметь важное значение на этапе исследований и разработок приборов наноэлектроники.

Необходимо отметить, что освоение нанометрового диапазона размеров элементов резко усложняет технологию, а в ряде случаев сталкивается с принципиально новыми проблемами, решение которых требует 7 нетрадиционных подходов. Один из таких подходов состоит в использовании процессов самоорганизации пространственных наноструктур для формирования элементов наноэлектроники [9 — 11]. В широком смысле под самоорганизацией понимают самопроизвольное, не требующее внешних организующих воздействий, установление в неравновесных диссипативных средах устойчивых регулярных структур [12]. Параметры установившихся структур не зависят, в определенных пределах, от изменения начальных условий и определяются только свойствами среды. Применительно к наноструктурам это означает наличие в системе таких взаимодействий, таких внутренних обратных связей, которые навязывают образующимся структурам определенные пространственные характеристики и размеры, лежащие в нанометровом диапазоне, подавляя все отклонения от этого стационарного состояния. В связи со сложностью и недостаточной исследованностью процессов самоорганизации в твёрдом теле вообще, и в нанометровых пространственных масштабах в особенности, они представляют и самостоятельный научный интерес.

Очевидна привлекательность процессов самоорганизации для нанотехнологии: нет необходимости владеть инструментом на порядок более точным, чем размер самой создаваемой структуры, как это имеет место в традиционной технологии структурирования с помощью литографии [13], в данном случае структура образуется самопроизвольно. В то же время ясно, что такой подход не обладает универсальностью, и с его помощью удастся формировать только некоторые специфические структуры в ограниченных условиях. Тем не менее использование самоорганизации даже в узких целях представляется целесообразным. Наибольший эффект будет получен совместным применением традиционной микротехнологии, которая может обеспечить универсальность создаваемой конструкции, и методов самоорганизации наноструктур, которые должны выступать в виде надстройки над хорошо развитой в настоящее время технологией микроэлектроники.

В данной работе исследуется один из таких процессов самоорганизации наноструктур, что обеспечивает актуальность темы диссертации. Он имеет место в случае приложения внешнего напряжения к узким изолирующим зазорам, содержащим среду с переменной проводимостью, меняющейся при прохождении через неё потока электронов за счет изменения состава и 8 молекулярной структуры среды. Аналогичный по сути процесс, называемый электроформовкой, но рассматривавшийся с других позиций, изучается уже в течение нескольких десятилетий [14]. Явление электроформовки состоит в необратимых изменениях электрических характеристик структур металл-изолятор-металл (МИМ-структур), помещенных в углеродсодержащую среду, при воздействии внешнего напряжения и проявляется, прежде всего, в увеличении на несколько порядков проводимости структур и появлении у них И-образных вольт-амперных характеристик (ВАХ). Предлагаемые в данной работе подходы позволили совершенно с новой точки зрения посмотреть на электроформовку, установить её близость к процессам, имеющим место при модификации поверхности с помощью СТМ, более глубоко понять их механизмы и на этой основе предложить ряд новых представлений, моделей и технических решений.

Целью работы является исследование процессов в углеродсодержащем материале с проводимостью, активируемой потоком электронов, в сильном электрическом поле, которые в определённых условиях могут приводить к самоорганизации устойчивых наноструктур в образующейся углеродистой проводящей среде, и создание на основе этих исследований физических и методических основ формирования и использования таких наноструктур.

Для достижения поставленной цели решались следующие основные задачи: теоретически и экспериментально исследовать поведение изолирующего зазора СТМ с внешней обратной связью, стабилизирующей туннельный ток, работающего в эмиссионном режиме (при относительно больших напряжениях на зонде), в случае наличия в зазоре тонкого слоя диэлектрика;

— на основе результатов, полученных в ходе исследований СТМ, работающего в эмиссионном режиме при наличии в изолирующем зазоре углеродсодержащего материала, а также с использованием имеющихся в литературе экспериментальных данных по электроформованным МИМ-структурам разработать механизм и модели процессов в углеродистой среде, активируемой потоком электронов, в сильных электрических полях (анализ этих моделей и привел к пониманию того, что в таких объектах имеет место процесс самоорганизации наноструктур в возникающей проводящей среде) — 9.

— разработать конструкцию и лабораторную технологию изготовления МИМ-структуры с изолирующей щелью шириной несколько десятков нанометров (нано-МИМ-диода с углеродистой активной средой) как нового прибора наноэлектроники, предложенного на основе развитых механизма и моделей процессов в углеродистой среде, с проводимостью, активируемой потоком электроноввыполнить экспериментальные исследования процесса электроформовки и электрофизических характеристик нано-МИМ-диода в виде предложенной открытой «сэндвич"-структуры, изучить особенности процесса самоорганизации наноструктур в образующейся проводящей углеродистой среде в таких объектах;

— исследовать возможности практического использования процесса самоорганизации проводящих наноструктур, наметить пути применения нано-МИМ-диода с проводящей активной средой для построения энергонезависимой памяти.

Научная новизна работы состоит в следующем.

1. Выявлены близость условий и идентичность физико-химических процессов, имеющих место, с одной стороны, в электроформованных МИМ-структурах, а с другой, — в СТМ при модификации поверхности в присутствии на ней органических молекул.

2. Впервые на простой модели показана возможность существования эффекта переключения величины изолирующего зазора СТМ, работающего в эмиссионном режиме, при наличии в зазоре тонкого слоя диэлектрика (бифуркации состояний равновесия) — исследована зависимость особых точек от основных параметров, характеризующих такую системуприсутствие эффекта переключения подтверждено экспериментально для случая тонкого слоя диэлектрического адсорбата на металлической поверхности.

3. Предложены механизм и модели процессов в электроформованных МИМ-структурах для условий сильных электрических полей, которые учитывают наличие внутренних обратных связей в таких системах и в основе которых лежат туннелирование через потенциальный барьер с переменной (модулируемой) прозрачностью, возникающий в нанометровом изолирующем зазоре структуры, и образование частиц проводящей фазы с интенсивностью, пропорциональной потоку электронов, за счёт диссоциативного прилипания.

10 электрона к органической молекулерассмотрены возможные механизмы модуляции прозрачности потенциального барьера.

4. Предложен механизм изменения ширины изолирующего зазора электроформованной МИМ-структуры за счет перколяции при образовании частиц проводящей фазы в диэлектрической среде (формованном диэлектрике), активируемой потоком электронов, которое уравновешивается термически активируемым процессом их удаленияпоказано, что стационарный зазор имеет принципиально нанометровую ширину.

5. На основе анализа предложенных моделей, а также имеющихся экспериментальных данных показано, что электроформовка в МИМ-структурах, сопровождающаяся созданием сильных электрических полей и активированием проводимости углеродсодержащей среды потоком электронов, по своей сути есть процесс самоорганизации нанометрового изолирующего зазора в возникающей углеродистой проводящей среде.

6. Экспериментально исследованы основные особенности процесса самоорганизации углеродистых проводящих наноструктур в открытых «сэндвич"-структурах А1-А1203-? и торец которых, свободный для доступа органических молекул, представляет собой изолирующую щель нанометровой шириныпродемонстрирована существенная роль тонкого слоя окисла, расположенного в изолирующей щели на поверхности одного из металлических электродов (анода) — показано, что для таких систем в процессе электроформовки при определенных условиях образуются единичные структуры, имеющие нанометровые размеры по всем трем измерениям.

Практическая значимость работы состоит в следующем.

1. На основе анализа механизмов и моделей процессов в углеродсодержащей среде, активируемой потоком электронов, в сильных электрических полях предложен новый прибор — нано-МИМ-диод с активной углеродистой средой, представляющий собой МИМ-структуру с открытой для доступа органических молекул изолирующей щелью шириной несколько десятков нанометровпроцесс электроформовки в таком приборе не приводит к разрушению элементов конструкции, как это имеет место в традиционном МИМ-диоде, а область с углеродистой активной средой имеет размеры порядка ширины изолирующей щели.

2. Предложена конструкция нано-МИМ-диода в виде открытой «сэндвич"-МДМ (металл-диэлектрик-металл)-структуры, которая может быть.

ВЫВОДЫ.

1. Выявлены близость условий и идентичность физико-химических процессов, имеющих место, с одной стороны, в структурах металл-изолятор-металл (МИМ-структурах) при их электроформовке, а с другой, — в сканирующем туннельном микроскопе (СТМ), работающем в режиме модификации поверхности при наличии на ней органических молекул.

2. На простой модели продемонстрировано наличие бифуркации состояний равновесия в системе «СТМ с тонким слоем диэлектрика в изолирующем зазоре, работающий в эмиссионном режиме», проявляющейся как эффект переключения величины зазора. Исследован характер зависимости особых точек от основных параметров, характеризующих систему (толщины слоя диэлектрика, его диэлектрической проницаемости, напряжения на зонде СТМ), в различных приближениях. Экспериментально подтверждено наличие эффекта переключения для случая тонкого слоя диэлектрического адсорбата на металлической поверхности. Полученные результаты позволяют развить способ диагностики относительно толстых адсорбированных слоёв на проводящей поверхности.

3. Предложен механизм и разработана модель процессов в электроформованных МИМ-структурах для условий сильных электрических полей, объясняющие их КГ-образные ВАХ, эффекты переключения и памяти и включающие следующие существенные элементы:

— ограничение тока туннелированием через потенциальный барьер с переменной (модулируемой) прозрачностью, существующий в нанометровом изолирующем зазоре структуры на границе с катодом;

— образование в изолирующем зазоре частиц проводящей фазы с интенсивностью, пропорциональной току, за счёт диссоциации исходных органических молекул при электронном ударе;

— наличие замкнутых контуров внутренней обратной связи, объединяющих процессы, имеющие место в такой системе, и приводящих к самоформированию структуры (распределения частиц проводящей фазы) в изолирующем зазоре.

Рассмотрены несколько возможных механизмов модуляции прозрачности потенциального барьера в такой системе, в том числе, — за счёт расслоения диэлектрика.

4. Предложен механизм и разработана модель изменения ширины изолирующего зазора электроформованной МИМ-структуры за счет перколяции при образовании частиц проводящей фазы в исходной диэлектрической среде, находящейся в изолирующей щели и активируемой потоком электронов, которое уравновешивается термически активируемым процессом их удаления. Это приводит к образованию стационарного изолирующего зазора принципиально нанометровой ширины, что связано с туннельным механизмом протекания тока при его плотностях, необходимых для баланса процессов образования частиц проводящей фазы и их удаления.

5. Предложена концепция электроформовки в МИМ-структурах как процесса самоорганизации нанометрового изолирующего зазора в возникающей в изолирующей щели углеродистой проводящей среде, для запуска которого достаточно обеспечить при напряжении, большем некоторого критического значения, находящегося около 3 — 4 В, начальную проводимость МИМ-структуры, помещенной в углеродсодержащую среду. Этот процесс развивается как результат неустойчивости, возникающей в системе в условиях прохождения потока электронов и активируемого им образования частиц проводящей фазы.

6. Предложен новый прибор — нано-МИМ-диод с углеродистой активной средой, представляющий собой МИМ-структуру с открытой для доступа органических молекул изолирующей щелью шириной несколько десятков нанометров. Необходимая начальная проводимость в нем обеспечивается за счет высокой напряженности электрического поля при относительно малых напряжениях (до 15 В), поэтому процесс электроформовки не приводит к разрушению элементов конструкции, а область с углеродистой активной средой имеет размеры порядка ширины изолирующей щели. Прибор сохраняет основные особенности традиционных МИМ-диодов: И-образную ВАХ, эффекты переключения и памяти, — но занимает объем на несколько порядков меньший.

7. Предложена конструкция нано-МИМ-диода с углеродистой активной средой в виде открытой «сэндвич» -МДМ-структуры с изолирующей щелью в форме свободного для доступа органических молекул торца диэлектрической пленки толщиной несколько десятков нанометров. Разработана лабораторная технология её изготовления на базе структур АЬАЬОзЛУ и ЗьвЮг-" ^ Развита методика контроля процесса жидкостного травления нанометрового.

296 слоя диэлектрика in situ путём измерения адмитанса системы электролит (травитель) — диэлектрическая плёнка — проводящая подложка. Исследован процесс анодного выращивания окисла нанометровой толщины на поверхности кремния в кислотном электролите.

8. Выполнены экспериментальные исследования процесса самоорганизации углеродистых проводящих наноструктур в открытых «сэндвич» -МИМ-структурах AI-AI2O3-W с шириной изолирующей щели несколько десятков нанометров, в которых, в частности, выявлен особый характер электроформовки, приводящий в определённых условиях к формированию единичных проводящих элементов, и показана существенная роль тонкого слоя окисла на поверхности анода. Продемонстрировано наличие автоколебаний проводимости в такой системе.

9. Предложен способ формирования в изолирующей щели шириной порядка десятков нанометров, расположенной между двумя электродами и содержащей среду с активируемой потоком электронов проводимостью, единичного проводящего элемента, имеющего нанометровые размеры по всем трем измерениям, за счет его самоорганизации (зарождения и дальнейшего роста) при подаче напряжения в условиях наличия отрицательной обратной связи между током и напряжением, которая, в простейшем случае, может быть организована путем включения высокого и изменяемого балластного сопротивления последовательно источнику напряжения.

10. Предложена концепция энергонезависимой памяти на основе нано-МИМ-диодов с проводящей активной средой, выполненных в виде открытых «сэндвич» -структур, которая функционально представляет собой электрически перепрограммируемое ПЗУ и имеет высокую плотность записи информации.

11. Выполнены экспериментальные исследования процесса электроформовки в открытых «сэндвич» -структурах Si (p-THna)-Si02-W с шириной изолирующей щели, лежащей в диапазоне десятков нанометров, которые продемонстрировали принципиальную роль удельного сопротивления кремния в характере процесса электроформовки. Показана целесообразность изготовления элемента матрицы памяти на базе такой структуры.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Nanostructure Physics and Fabrication. Proceedings of the International Symposium. Ed. M. A. Reed and W. P. Kirk. Academic Press. 1989. 520 p.
  2. Averin D. V., Likharev К. K. Single-Electronics. // Quantum Effects in Small Disordered Systems. Ed. B. Al’tshuler et al. Elsevier. Amsterdam. 1990.
  3. Averin D. V., Korotkov A. N., Likharev К. K. Theory of single-electron charging of quantum wells and dots // Phys. Rev. B. 1991. V. 44. N 12. P. 61 996 211.
  4. Beenakker C. W. J. Theory of Coulomb-blockade oscillations in the conductance of a quantum dot // Phys. Rev. B. 1991. V. 44. N 4. P. 1646−1656.
  5. Binning G., Rohrer H. Scanning tunneling microscopy // Physica B. 1984. V. 127. N11. P. 37−45.
  6. Shedd G. M., Russell P. E. The scanning tunneling microscope as a tool for nanofabrication//Nanotechnology 1990. V. 1. P. 67−80.
  7. К. А., Раков А. В. Физические основы субмикронной литографии в микроэлектронике. М.: Радио и связь. 1984. 352 с.
  8. D., Tager A. A., Haruyama J., Almawlawi D., Moskovits M. Хи J. M. Nonlithographic Nano-Wire Arrays: Fabrication, Physics, and Device Applications // IEEE Transactions on Electron Devices. 1996. V. 43. N 10. P. 1646−1657.
  9. Martrou DMagnea N. Self organized vicinal semiconductors surfaces: a template for the growth of nanostructures // European Materials Research Society Spring Meeting (E-MRS'98). Book of abstracts. Strasbourg. 1998. P. D-3.298
  10. Физическая энциклопедия Т. 4. Гл. ред. А. М. Прохоров. М.: Большая Российская энциклопедия. 1994.
  11. У. Микролиторгафия Т. 1. М.: Мир. 1990. 606 с.
  12. Pagnia Н., Sotnik N. Bistable Switching in Electroformed Metal-Insulator-Metal Devices // phys. stat. sol. (a). 1988. V. 108. N 11. P. 11−65.
  13. Г. С., Селиванова Л. Н, Шумская Т. И. Эмиссия и проводимость катода типа конденсатора//РЭ. 1960. Т. 5. N 8. С. 1338−1341.
  14. Hichnott Т. W. Low-Frequency Negative Resistance in Thin Anodic Oxide Films // J. Appl. Phys. 1962. V. 33. N 9. P. 2669−2682.
  15. M., Марк 77. Инжекционные токи в твёрдых телах. М.: Мир. 1973.416 с.
  16. Э. И. Эмиссионные токи в твердых телах и диэлектрическая электроника // Микроэлектроника. Сборник статей. М.: Сов. Радио. 1969. С. 393−417.
  17. Simmons J. G. Conduction in thin dielectric films // J. Phys. D: Appl. Phys. 1971. V. 4. P. 613−657.
  18. Дж., Стоунхэм А., Морган Д. Электрические явления в аморфных пленках окислов // УФН. 1974. Т. 112. Вып. 1. С. 83−127.
  19. Ray А. К., Hogarth С. A. Ray А. К., Hogarth С. A. A critical review of the observed electrical properties of MIM devices showing VCNR // Int. J. Electronics. 1984. V. 57. P. 1−78.
  20. Hogarth C. A., Taheri E. H. Z. Further studies on thin-film structures of metal-borosilicate glass-metal // Int. J. Electronics. 1974. V. 37. N 2. P. 145−156.
  21. Verderber R. R., Simmons J. G., Eales B. Forming Process in Evaporated SiO Thin Films // Phil. Mag. 1967. V.l. P. 1049−1060.
  22. Simmons J. G., Verderber R. R. New conduction and reversible memory phenomena in thin insulating films // Proc. Roy. Soc. 1967. V. A301. P. 77−102.
  23. Emmer I. Conducting filaments and VCNR in Al-A102-Au structures with amorphous dielectric 11 Thin Solid Films. 1974. V. 20. P. 43−52.
  24. Г. А., Гапоненко В. M. Особенности электрической формовки и пробоя тонкопленочной системы металл-диэлектрик-металл // Изв. вузов. Физика. 1992. № 1. С. 58−63.
  25. Hichnott Т. W. Impurity conduction and negative resistance in thin oxide films // J. Appl. Phys. 1964. V. 35. P. 2118−2122.299
  26. Hickmott Т. W. Potential Distribution and Negative Resistance in Thin Oxide Films // J. Appl. Phys. 1964. V. 35. N 9. P. 2679−2689.
  27. Green P. D., Bush E. L., Rowlings I. R. The forming process in MIM thin film memory and cold cathode devices // Thin Film Dielectrics N. Y.: Electrochemical Society. 1968. P. 167−185.
  28. Barriac C., Pinard P., Davoine F. Etude des proprietes electriques des structures Al-Al203-metal // Phys. Stat. Sol. 1969. V. 34. P. 621−633.
  29. А. Авто-, термо- и вторично-эмиссионная спектроскопия. М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит. 1990. 320 с.
  30. Н. Электроны в неупорядоченных системах. М.: Мир. 1969.172 с.
  31. Morgenthaler Н., Pagnia Н. On the Electroluminescence from Evaporated Thin Gold Films // Phys. Lett. 1973. V. 42A. N 7. P. 529−530.
  32. П. Г., Ky. люпин Ю. А. Электронные процессы в островковых металлических пленках. Киев. Наукова думка. 1980. 239 с.
  33. . В., Томчук 77. М., Федорович Р. Д. Исследование отрицательного дифференциального сопротивления в диспергированных пленках золота // Изв. АН СССР. Сер. физич. 1986. Т. 50. N 8. С. 1601−1604.
  34. Bischoff М., Pagnia Н. Electroluminescence Spectra from Gold Island Structure Thin Films // Thin Solid Films. 1975. Y. 29 P. 303−312.
  35. Bach Th., Blessing R., Pagnia H., SotnikN. Temperature dependence of the on state regeneration in metal-insulator-metal diodes // Thin Solid Films. 1983. V. 103. P. 283−293.
  36. Blessing R., Pagnia H., Schmitt R. Evidence for the contribution of an adsorbate to the voltage-controlled negative resistance of gold island film diodes // Thin Solid Films. 1981. V. 78. P. 397−401.
  37. Pagnia H., Schnellbacher J., Sotnik N. A regeneration model for conducting filaments in MIM diodes //phys. stat. sol. (a). 1985. V. 87. P. 709−717.
  38. Gregor L. V. Electrical conductivity of polydivinylbenzen films // Thin Solid Films. 1968. V. 2. N 3. P. 235−246.
  39. Pender L. F., Fleming R. J. Memory switching in glow discharge polymerized thin films // J. Appl. Phys. 1975. V. 46. N 8. P. 3426−3431.
  40. ЯсудаХ. Полимеризация в плазме. М.: Мир. 1988. 376 с.
  41. Segui Y., Bui A., Carchano Н. Switching in polystyrene films transition from on to off state // J. Appl. Phys. 1976. V. 47. N 1. P. 140−143.300
  42. В. М. О природе образования формованных каналов в тонкопленочных МДМ-системах // Изв. вузов. Физика. 1992. N 5. С. 115−120.
  44. Rakshani A. E., Hogarth C. A., Abidi A. A. Observation of local defects caused by electrical conduction through thin sandwich structures of Ag-SiO/BaO-Ag // J. Non. Crist. Sol. 1976. V. 20. N 1. P. 25−42.
  45. Hickmott T. W. Energetic Electronic Processes and Negative Resistance in Amorphous Ta-Ta205-Au and A1-A1203-Au Diodes //Thin Solid Films. 1972. V. 9. p. 431−446.
  46. Thurstans R. E. The structure and electrical properties of the electroformed MIM structure // Thin Solid Films. 1979. V. 57 P. 153−156.
  47. Robertson J., O’Reilly E. P. Electronic and atomic structure of amorphous carbon // Phys. Rev. B. 1987. V. 35. N 6. P. 2946−2957.
  48. Hogarth C. A., Kompany A. A study of thermal-voltage memory effects in M-I-M structures with co-evaporated Si0/B203 as the insulator material // Int. J. Electronics. 1982. V. 53. N 4. P. 301−309.
  49. Alekseenko В. V., Fedorovich R. D. Influence of adsorption on current-voltage characteristics of discontinuous metal films // Thin Solid Films. 1982. V. 92. N3. P. 253−263.
  50. Pagnia Н., Sotnik N., Stauss Н. Influence of Organic Molecules on the Current-Voltage Characteristics of Planar MIM Diodes // phys. stat. sol. (a). 1985. V. 90. P. 771−778.
  51. Borbonus M., Pagnia H., Sotnik N. Influence of gas composition on regeneration in metal-insulator-metal diodes // Thin Solid Films. 1987. V. 151. P. 333−343.
  52. Alekseyenko В. V., Fedorovich R. D., Tomchuck P. M. The Effect of Adsorption in Development of the VCNR in Island metal Films // Mater. Sci. 1987. V. XIII. N3−4. P. 161−166.
  53. Bischoff M., Olt M., Pagnia H. Electroluminescence spectra of discontinuous conducting films // Thin Solid Films. 1988. V. 165. P. 49−54.
  54. Pagnia H., Schlemper K., SotnikN. Studies of Electroformed Gold Island Film Diodes under Bias in, а ТЕМ // Mater. Lett. 1987. V. 5. N 7−8. P. 260−262.
  55. С. А., Степкин В. И. Распределение потенциала в пленках с переключением сопротивления // Поверхность ФХМ. 1983. N 1. С. 51−59.
  56. Nepijko S. A., Pagnia Н., Styopkin V. I. Electron Induced Off-Switching in Au Island Films Diodes // phys. stat. sol. (a). 1985. V. 90. P. K113-K116.
  57. Berg F., Pagnia H., Sotnik N. Energy Threshold Behaviour of Electron Induced MIM Switching // phys. stat. sol. (a). 1986. V. 95. P. K91-K94.
  58. Muralt P., Pohl D. W., Denk W. Wide-range, low-operating-voltage, bimorph STM: application as potentiometer // IBM J. Res. Develop. 1986 V. 30 P. 443−450.
  59. Muralt P., Pohl W. Scanning tunneling potentiometry // Appl. Phys. Lett. 1986. V. 48. N8. P. 514−516.
  60. Pagnia H., Sotnik N., Wirth W. Scanning tunneling microscopic investigations of electroformed planar metal-insulator-metal diodes // Int. J. Electronics. 1990. V. 69. N 1. P. 25−32.
  61. Pagnia H. Metal-insulator-metal devices with carbonaceous current paths // Int. J. Electronics. 1990. V. 69. P. 33−42.
  62. Brauer S., Pagnia H., SotnikN. The filamentary model of electroformed MIM devices still up to date // Int. J. Electronics. 1994. V. 76. N 5. P. 707−711.
  63. Franzka S., Knell G., Pagnia H., SotnikN. Visualization of carbon layers in electroformed MIM diodes // Int. J. Electronics. 1994. V. 76. N 5. P. 723−725.
  64. Bischoff M. Carbon-nanoslit model for the electroforming process in M-I-M structures // Int. J. Electronics. 1991. V. 70. N 3. P. 491−498.
  65. Jones D. I., Stewart A. D. Properties of hydrogenated amorphous carbon films and the effects of doping // Phil. Mag. B. 1982. V. 46. P. 423−434.
  66. Sharp R. G., Palmer R. E «Concerted» regeneration of electroformed metal-insulator metal devices // J. Appl. Phys. 1996. V. 79. N 11. P. 8565−8570.
  67. Sharp R. G., Palmer R. E. Evidence for field emission in electroformed metal-insulator-metal devices // Thin Solid Films. 1996. V. 288. P. 164−170.
  68. Sharp R. G., Palmer R. E. Regeneration of electroformed metal-insulator-metal devices: a new model // J. Phys.: Condens. Matter. 1996. V. 8. P. 329−338.302
  69. В. А., Шалимова М. Б. Фотоэлектрические явления в переключающих кремниевых структурах с фторидами редкоземельных элементов // Физика и техника полупроводников. 1999. Т. 33. Вып. 7. С. 795 800.
  70. В. Б., Волков Ю. П., Рожков В. А. Микроканалы проводимости в диэлектрической плёнке оксида иттербия // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. N 12. С. 21−24.
  71. В. М., Демидович Г. Б., Козлов С. Н., Петров А. А. Адсорбционно-управляемая «канальная» проводимость в окисленном пористом кремнии // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. N 2. С. 27−31.
  72. Г. А., Гапоненко В. М., Гынгазов С. А., Крамор С. С., Лубсанов Р. Б., Троян П. Е. Физико-технологические аспекты создания матриц МДМ-катодов для плоского вакуумно-люминесцентного экрана // РЭ.1992.Вып. 4.С. 713−720.
  73. Binning G., Rohrer H., Gerber С., Weibel E. Tunneling through a controllable vacuum gap // Appl. Phys. Lett. 1982. V. 40. N 2. P. 178−180.
  74. Van de LeemputL. E. C., van Kempen H. Scanning tunneling microscopy // Rep. Prog. Phys. 1992. V. 55. P. 1165−1240.
  75. Кук Й. (Y. Kuk), Силверман 77. (P. J. Sulverman) Растровая туннельная микроскопия // ПНИ. 1989. N 2. С. 3−22.
  76. Р. К., Tersoff J. Scanning tunneling microscopy // J Appl. Phys. 1987. V.61.N2. P. R1-R23.
  77. Gomez-Rodriguez J. M., Gomez-Herrero J., Baro A. M. Imaging cos (s, z): A Method to Separate the Geometric and Compositional Contributions on STM Barrier Height Profiles // Surface Science. 1989. V. 220. P. 152−164.
  78. Kaiser W. J., Jaklevic R. C. Spectroscopy of electronic states of metal with a scanning tunneling microscope // IBM J. Res. Devel. 1986. V. 30. N 4. P. 411−416.
  79. Дрейк (В. Drake), Зонненфелъд (R. Sonnenfeld), Шнайр (J. Schneir), Хансма (P. К. Hansma) Туннельный микроскоп для работы на воздухе и в жидкостях//ПНИ. 1986. N3. С. 134−139.
  80. Erlandsson R., McClelland G. M., Mate C. M., Chiang S. Atomic force microscopy using optical interferometry // J. Vac. Sci. Technol. A. 1988. V. 6. N 2. P. 266−270.303
  81. McCord M. A., Pease R. F. W. High resolution, low-voltage probes from a field emission source close to the target plane // J. Vac. Sci. Technol. В. V. 3. N 1. P. 198−201.
  82. Young R., Word J., Scire F. Observation of Metal-Vacuum—Metal Tunneling, Field Emission, and Transition Region 11 Phys. Rev. Lett. 1971. V. 27. N 14. P. 922−924.
  83. Gomer R. Possible Mechanisms of Atom Transfer in Scanning Tunneling Microscopy // IBM J. Res. Devel. 1986. V. 30. P. 428−436.
  84. Eaton H. C., Bayuzick R. J. Field-Induced Stresses in Field Emitters 11 Surface Science. 1978. V. 70. P. 408−426.
  85. Packard W. E., Liang Y., Dai N., Dow J. D., Nicolaides R., Jaklevic R. C., Kaiser W. J. Nano-machining of Gold and Semiconductor Surfaces // J. Microsc. 1988. V. 152. P. 715−720.
  86. Staufer U., Scandella L., Rudin H., Guntherodt H.-J., Garsia N. Tailoring nanostructures with a scanning tunneling microscope // J. Vac. Sci. Technol. B. 1991. V. 9. N 2. P. 1389−1393.
  87. Silver R. M., Ehrichs E. E., de Lozanne A. L. Direct writing of submicron metallic features with a scanning tunneling microscope // Appl. Phys. Lett. 1987. V. 51. N4.P. 247−249.
  88. Ehrichs E. E., de Lozanne A. L. Etching of silicon (111) with the scanning tunneling microscope // J. Vac. Sci. Technol. A. 1990. V. 8. N 2. P. 571 574.
  89. McCord M. A., Pease R. F. W. Exposure of calcium fluoride resist with the scanning tunneling microscope // J. Vac. Sci. Technol. B. 1987. V. 5. N 1. P. 430−433.
  90. Matsumoto K, Takahashi S., Ishii M., Hoshi M., Kurokawa A., Ichimura S., Ando A. Application of STM Nanometer-Size Oxidation Process to Planar-Type MIM Diode // Jap. J. Appl. Phys. 1995. V. 34. P. 1387−1390.
  91. Khavryutchenko V., Sheca E., Aono M., Huang D. H. STM Engineering on Si (l 11)7×7 Surface: Computational Modeling // Phys. Low-Dim. Struct. 1995. V. 12. P. 349−360.
  92. Koops H. W. P., Weiel R., Kern D. P. High-resolution electron-beam induced deposition // J. Vac. Sci. Technol. B. 1988. V. 6. N 1. P. 477−481.
  93. H. А., Ходос И. И., Иванов Э. Д., Додонова H. А. Формирование электронным пучком в РПЭМ субмикронных структур из304паров химических соединений // Известия АН сер. Физ. 1993. Т. 57. N 9. С. 38−42.
  94. В. М., Вишняков Б. А. Травление тонких плёнок металлов в атмосфере CCU, активируемое потоком электронов // Физика и химия обработки материалов. 1984. N 1. С. 112−116.
  95. П. Н., Фролов В. Д., Шавыкин А. Е., Хаврюченко В. Д., Шека Е. Ф., Никитина Е. А. Формирование наноразмерных структур на пленке а-С:Н в присутствии адсорбата // Письма в ЖЭТФ. 1995. Т. 62. Вып. 11. С. 868−872.
  96. Е. Ф., Михайлов Г. М., Редькин А. Н, Фиошко А. М. Зондовая нанолитография на плёнках аморфного гидрогенизированного углерода // Микроэлектроника 1998. Т. 27. N 2. С. 97−102.
  97. Albrecht Т. R, DovekM. М., KirkM. D., Lang С. A., Quate С. F., Smith D. P. Е. Nanometer-scale hole formation on graphite using a scanning tunneling microscope // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 55. N 17. P. 1727−1729.
  98. Penner R. M., Heben M. J., Lewis N. S. Mechanistic investigations of nanometer-scale lithography at liquid-corvered graphite surfaces // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58. N 13. P. 1389−1391.
  99. Mizutani W., Lnukai J., Ono M. Making a Monolayer Hole in a Graphite Surface by Means of a Scanning Tunneling Microscope // Jap. J. Appl. Phys. 1990. V. 29.P.L815−817.
  100. Yau S.-T., Saltz D., Wreikat A., Nayfeh M. H. Nanofabrication with a scanning tunneling microscope // J. Appl. Phys. 1991. V. 69. N 5. P. 2970−2974.
  101. Batra I. P., Garsia N., Rohrer H., Salemink H., Stoll E., Ciraci S. A study of graphite surface with STM and electronic structure calculations // Surf. Sci. 1986. V. 181. P. 126−138.
  102. Г. Ф. Столкновения электронов с атомами и молекулами. М.: Наука. 1978. 255 с.
  103. McCordM. A., Kern D. P., Chang Т. Н. P. Direct deposition of 10 nm metallic features with the scanning tunneling microscope // J. Vac. Sci. Technol. B. 1988. V. 6. N6. P. 1877−1880.
  104. Таблицы физических величин. Справочник под ред. И. К. Кикоина. М.: Атомиздат. 1976. 1008 с.305
  105. McCord M. A., Pease R. F. W. Lift-off metallization using poly (methylmethacrylate) exposed with a scanning tunneling microscope // J. Vac. Sci. Technol. B. 1988. V. 6. N 1. P. 293−296.
  106. McCord M. A., Pease R. F. W. The effect of reflected and secondary electrons on lithography with scanning tunneling microscope I I Surface Science. 1987. V. 181. P. 278−284.
  107. Dobisz E. A., Marrian C. R. K. Sub-30 nm lithography in a negative electron beam resist with a vacuum scanning tunneling microscope // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58. N22. P. 2526−2528.
  108. McCord M. A., Pease R. F. W. Lithography with the scanning tunneling microscope // J. Vac. Sci. Technol. B. 1986. V. 4. N 1. P. 86−88.
  109. JI. M. Физические свойства и применение лэнгмюровских моно- и мультимолекулярных структур // Успехи химии. 1983. Т. 52. Вып. 8. С. 1263−1300.
  110. В. В. Полимерные слои и пленки Ленгмюра-Блоджетт. Влияние химической структуры полимера и внешних условий на формирование и свойства организованных планарных ансамблей // Успехи химии. 1994. Т. 63. Вып. 1. С. 3−42.
  111. В. В. Полимерные слои и пленки Ленгмюра-Блоджетт. Полиреакции в организованных молекулярных ансамблях, структурные превращения и свойства // Успехи химии. 1991. Т. 60. Вып. 6. С. 1155−1189.
  112. С. R. К., Colton R. J. Low-voltage electron beam lithography with a scanning tunneling microscope // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56. N 8. P. 755 757.
  113. Marrian C. R. K., Dobisz E. A., Colton R. J. Lithographic studies of a e-beam resist in a vacuum scanning tunneling microscope // J. Vac. Sci. Technol. A. 1990. V. 8. N4. P. 3563−3569.
  114. Marrian C. R. K., Dobisz E. A., Colton R.J. Investigations of undeveloped e-beam resist with a scanning tunneling microscope // J. Vac. Sci. Technol. B. 1991. V. 9. N2. P. 1367−1370.
  115. Albercht T. R., DovekM. M., Lang C. A., Grutter P., Quate C. F., Kuan S. W. J., Frank С. W., Pease R. F. W. Imaging and modification of polymers by scanning tunneling and atomic force microscopy // J. Appl. Phys. 1988. V. 64. N 3. P. 1178−1184.зов
  116. Н. В., Левин В. Л., Макаров Е. Б., Мордвинцев В. М. Сканирующий микроскоп в микролитографии // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1991. Вып. 1 (140). С. 3−7.
  117. Парк (S. Park), Куэйт (С. F. Quate) Теория цепи обратной связи и системы виброизоляции растрового туннельного микроскопа // ПНИ. 1987. N 11. С. 20−26.
  118. Lisowski W., van den Berg А. H. J., Kip G. А. M., Hanekamp L. J. Characterization of tungsten tips for STM by SEM/AES/XPS // Fresenius J. Anal. Chem. 1991. V. 341. P. 196−199.
  119. С. К, Савинов С. В., Яминский И. В. Зондирующие эмиттеры для сканирующей туннельной микроскопии // Электронная промышленность. 1991. N 3. С. 42−45.
  120. Дж. Г. Силы изображения в туннельных переходах металл-окисел-металл // Туннельные явления в твердых телах М.: Мир. 1973. С. 131−142.
  121. Gomez-Herrero J., Gomez-Rodriguez J. М., Ricardo Garcia, Baro А. M. High Ф values in scanning tunneling microscopy: Field emission and tunnel regimes // J. Vac. Sei. Technol. A. 1990. V. 8. N 1. P. 445−449.
  122. Янг (Young R.), Vopd (Ward J.), Скайер (Scire F.) Прибор для исследования микротопографии поверхности // ПНИ. 1972. N 7. С. 36−49.
  123. В. М., Левин В. Л. Эффект переключения величины туннельного зазора СТМ с диэлектрической пленкой в эмиссионном режиме // ЖТФ. 1994. Т. 64. Вып. 4. С. 124−134.
  124. Heben M. J., Dovek M. M, Lewis N. S., Penner R. M., Quate C. F. Preparation of STM tips for in-situ characterization of electrode surfaces // J. Microsc. 1988. V. 152. P. 651−661.
  125. H. В. Основы очистки, обезгаживания и откачки в вакуумной технике. М.: Советское радио. 1967. 408 с.
  126. X. Л. Оборудование для испарения материалов в сверхвысоком вакууме и анализ остаточных газов // Физика тонких пленок Т.1. М.: Мир. 1967. 343 с.
  127. А. Б., Неволим В. К. Отрицательное дифференциальное сопротивление микромостиков//Письма ЖТФ. 1992. Т. 18. Вып. 5. С. 1−3.
  128. Berthe R, Halbritter J. Coulomb barriers and adsorbate effects in scanning tunneling microscopy // Phys. Rev. B. 1991. V. 43. N 9. P. 6880−6884.
  129. В. M., Левин В. Л. Способ диагностики диэлектрического слоя на проводящей поверхности. Патент РФ N 2 047 930. 1995.
  130. В. М., Левин В. Л. Возможный механизм формирования N-образной вольт-амперной характеристики МИМ диода // ЖТФ. 1994. Т. 64. Вып. 12. С. 88−100.
  131. Hill Robert М. Pool-Frenkel Conduction in Amorphous Solids // Phil. Mag. 1971. V. 23. P. 59−86.
  132. Parik Mihir. Calculation of dissociative ionization cross sections of diatomic molecules //Phys. Rev. A. 1975. V. 12. N 5. P. 1872−1880.
  133. MeccuF. Отрицательные ионы. M.: Мир. 1979. 754 с.
  134. А. К, Фабрикант И. И. Рассеяние медленных электронов на молекулах//УФН. 1984. Т. 143. Вып. 1. С. 601−640.
  135. А. В., Смирнов Б. М. Диссоциативное прилипание электрона к молекуле // УФН. 1985. Т. 147. Вып. 3. С. 459−484.
  136. Johnson J. P., Christophorou L. G., Carter J. G. Fragmentation of aliphatic chlorocarbons under low-energy (<10 eV) electron impact // J. Chem. Phys. 1977. V. 67. N 5. P. 2196−2215.
  137. . M. Физика диэлектрических материалов M.: Энергия. 1973. 328 с.
  138. Д. В. Алмазные и алмазоподобные пленки // Алмаз в электронной технике. М.: Энергоатомиздат. 1990. С. 171−185.308
  139. В. М. Проводимость электроформованных структур металл-изолятор-металл с самоорганизацией нанометрового изолирующего зазора в углеродистой проводящей среде // Известия вузов. Электроника. 1998. N6. С. 23−32.
  140. В. М., Левин В. Л. Модель возникновения N-образной стационарной вольт-амперной характеристики нано-металл-изолятор-металл диода с углеродистой активной средой // ЖТФ. 1996. Т. 66. Вып. 7. С. 83−95.
  142. H., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. Т. 1. М.: Мир. 1982. 368 с.
  143. Г., Егер Д. Теплопроводность твердых тел М.: Наука 1964.187 с.
  144. Физические величины. Справочник. Под ред. И. С. Григорьева, Е. 3. Мейлихова. М.: Энергоатомиздат. 1991. 1232 с.
  145. Pagnia Н. Memory states in electroformed MIM diodes // Int. J. Electronics. 1994. V.76. N 5. P. 695−705.
  146. Mordvintsev V. M, Levin V. L. A Model of Static Conductivity of Nano-MIM-Diode with Carbonaceous Active Medium // Phys. Low-Dim. Struct. 1995. V. 12. P. 243−254.
  147. Л. В., Лифшиц Е. М. Электродинамика сплошных сред М.: Наука. 1982. 620 с.
  148. . М., Эфрос А. Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука. 1979. 416 с.
  149. В. М., Левин В. Л. Модель нано-МИМ-диода с углеродистой активной средой с учетом перколяции в изолирующей щели // Микроэлектроника. 1998. Т. 27. N 4. С. 265−274.
  150. Hickmott Т. W. Production and Annealing of Color Centers in rf Sputtered Si02 Films I I J. Appl. Phys. 1971. V. 42. N 6. P. 2543−2556.
  151. В. M., Левин В. Л. Температурная зависимость вольт-амперной характеристики в модели проводимости структуры металл-изолятор-металл с углеродистой активной средой // ЖТФ. 1998. Т. 68. N 9. С. 139−141.309
  152. Симмонс Джон Г. (Simmons J. G.) Прохождение тока сквозь тонкие диэлектрические пленки // Технология тонких пленок. Справочник. Т. 2. М.: Советское радио. 1977. С. 345−399.
  153. Pagnia Н., Sotnik N., Wirth W. High resolution potentiometry of electroformed MIM structure // Int. J. Electronics. 1992. V. 73. N 5. P. 833−835.
  154. Г. А., Гапоненко В. М О природе электрической формовки тонкопленочной системы металл-диэлектрик-металл // Изв. вузов. Физика. 1991. N 1. С. 65−67.
  155. К. А., Левин В. Л., Мордвинцев В. М. Электроформовка как процесс самоорганизации нанометрового зазора в углеродистой среде // ЖТФ. 1997. Т. 67. N 11. С. 39−44.
  156. Г., Пригожин И. Самоорганизация в неравновесных системах. М.: Мир. 1979. 512 с.
  157. В. Образование структур при необратимых процессах. М.: Мир. 1979. 279 с.
  158. Юнг Л. Анодные оксидные пленки. Л.: Энергия. 1967. 232 с.
  159. Физические основы надежности интегральных схем. Под ред. Ю. Г. Миллера. М.: Советское радио. 1976. 319 с.
  160. В. С. Основы электрохимии. М.: Химия. 1988. 400 с.
  161. Методы измерения в электрохимии. Ред. Э. Егер и А. Залкинд. Т. 1. М.: Мир. 1977. 576 с.
  162. . А., Ливанов В. А., Елагин В. И. Металловедение и термическая обработка цветных металлов и сплавов. М.: Металлургия. 1981. 416 с.
  163. Введение в фотолитографию. Под ред. В. П. Лаврищева. М.: Энергия. 1977. 400 с.
  164. С. Химическая физика поверхности твердого тела. М.: Мир. 1980. 488 с.
  165. D. В., Biegelsen D. К., Bringans R. D. Silicon surface passivation by hydrogen termination: A comparative study of preparation methods // J. Appl. Phys. 1989. V. 66. N 1. P. 419−424.
  166. Higashi G. S., Chabal Y. J., Trucks G. W., Raghavachari Krishnan Ideal hydrogen termination of the Si (111) surface // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56. N7. P. 656−658.310
  167. Зи С. Физика полупроводниковых приборов Т. 1. М.: Мир. 1984.455 с.
  168. Lewerenz Н. J. Anodic oxides on silicon // Electrochimica Acta. 1992. V. 37. N 5. P. 847−864.
  169. В. M., Шумилова Т. К Методика контроля процесса травления нанометрового слоя диэлектрика in situ путём измерения адмитанса системы // Микроэлектроника. 1999. Т. 28. N 2. С. 122−133.
  170. Л. Л., Орлов В. М. Анодные окисные пленки. JL: Наука. 1990. 200 с.
  171. В. П., Макушок Ю. Е., Сокол В. А., Литвинович Г. В. Исследование роста пористых оксидов на кремнии в кислотных электролитах // Весщ АН БССР (хш). 1986. N 6. С. 46−51.
  172. В. М., Муравьёва Н. Л. Исследование процессов формирования пленок окисла нанометровой толщины электрохимическим анодированием кремния // Микроэлектроника. 2000. Т. 29. N 3. С. 177−188.
  173. В. А., Плесков Ю. В. Электрохимия полупроводников. М.: Наука. 1965. 338 с.
  174. Л. А., Мельник В. Г., Одынец Л. Л. Анодное окисление кремния в чистой воде // ЖФХ. 1962. Т. 36. N 10. С. 2199−2204.
  175. К. В., Bardwell J. A., Baribeau J.-M. Physical characterization of ultrathin anodic silicon oxide films // J. Appl. Phys. 1994. V. 76. N 5. P. 31 143 122.
  176. J. A., Clark К. В., Mitchell D. F., Bisaillion D. A., Sproule G. I., MacDougall В., Graham M. J. Growth and Characterization of Room Temperature Anodic Si02 Films // J. Electrochem. Soc. 1993. V. 140. N 8. P. 2135−2138.
  177. Ю. П. Физика газового разряда. М.: Наука. 1987. 592 с.
  178. Л. И. Теоретическая электрохимия М.: Высшая школа. 1984. 519 с.
  179. D., Bardwell L. A., Clark К. В. Electrical Properties of Thin Anodic Oxides Formed on Silicon in Aqueous NH4OH Solutions // J. Electrochem. Soc. 1994. V. 141. N 5. P. 1309−1312.
  180. В. M., Кудрявцев С. Е., Левин В. Л. Вольт-амперные характеристики и механизм проводимости нано-МИМ-диода с углеродистой311активной средой в виде открытой «сэндвич"-структуры // Микроэлектроника. 1998. Т. 27. N 1.С. 49−57.
  181. М. К, Трубецков М. И. Введение в теорию колебаний и волн. М.: Наука. 1984. 430.
  182. В. М., Кудрявцев С. Е., Левин В. Л. Способ формирования проводящего элемента нанометровых размеров // Заявка на патент РФ.
  183. В. М., Левин В. Л. Элемент устройства памяти со структурой металл-изолятор-металл // Патент РФ. № 2 072 591. 1997.
  184. В. М, Кудрявцев С. Е., Левин В. Л.+ Савасин В. Л., Шумилова Т. К. Элемент устройства памяти со структурой металл-изолятор-металл // Патент РФ № 2 108 629. 1998.
  185. Ф. Интегральные схемы. Технология и применение. М.: Мир. 1981.280 с.
  186. И. П. Основы микроэлектроники. М.: Советское радио. 1980. 424 с.
  187. В. К, Льгпарь Ю. И. Электронные устройства автоматики и телемеханики. Л.: Энергоатомиздат. 1984. 432 с.
  188. А., Ворошилов К. Сегнетоэлектрические плёнки. Возможность интеграции с технологией ИС // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 1998. N 3−4. С. 75−78.
  189. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции. Под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мейера. М.: Мир. 1982. 576 с.
  190. П. Кинетика гетерогенных процессов. М.: Мир. 1976. 399 с.
  191. В. И., Бузанева Е. В., Радзиевский И. А. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки (физика, технология, применение). М.: Радио и связь. 1974. 248 с.
  192. Sharp R. G., Dixon-Warren St. J., Durston Р. J., Palmer R. E. The electronic catalyst: dissociation of chlorinated hydrocarbons by metal-insulator-metal electron emitters // Chem. Phys. Lett. 1995. V. 234. P. 354−358.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!