Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Плёнки диоксида ванадия в устройствах индикаторной техники и микроэлектроники

Диссертация: Плёнки диоксида ванадия в устройствах индикаторной техники и микроэлектроники
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

У термоуправлением и размером рабочего поля от 12×12 до 48><60мм, обладающего оптической эффективностью не менее 2% на длинах волн: 0,9- 1,06- 1,15 мкм предназначенного для корреляторов, обеспечивающих обработку двумерных изображениймногоэлементных тепловых приемников на основе пленок VO2 и схем их управления с диаметром приемной площадки 2,3+2,8 мм регистрирующих излучение с длительностью… Читать ещё >

Плёнки диоксида ванадия в устройствах индикаторной техники и микроэлектроники (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. Исследование кристаллической структуры, морфологии поверхности и электрических, оптических свойств слоев У02, полученных путем окисления на воздухе пленок V
    • 1. 1. Фазовый состав, распределение фаз по толщине оксидного слоя ванадия, отклонение от стехиометрии слоя фазы У в зависимости от технологии изготовления
    • 1. 2. Электрические параметры оксидного слоя ванадия в зависимости от его толщины
    • 1. 3. Оптические свойства среды А?-У
    • 1. 4. Размеры и форма кристаллитов оксидного слоя ванадия в зависимости от вариации технологии изготовления
  • 2. Технология изготовления сред А?-У02-Д (диэлектрик) и их оптические и светотехнические параметры
    • 2. 1. Технология изготовления, цветовые переходы, яркостные и цветовые контрастности сред А?-У
    • 2. 2. Отработка технологии изготовления сред А?-У02 с заданной петлей термического гистерезиса
    • 2. 3. Технология изготовления сред А?-У02 на гибких диэлектрических подложках
    • 2. 4. Отработка процессов изготовления пленочных структур А€-У02-АК-11ЗФ, А?-У02−8Ю2, А?-У02-А?20э
  • 3. Исследования эксплуатационных параметров преобразователей изображения на основе термохромных сред А?-У02-Д
    • 3. 1. Потребляемая мощность, время реакции и релаксации преобразователей изображения
    • 3. 2. Пороговая чувствительность, порог разрушения среды
    • 3. 3. Дифракционная эффективность трёхслойных термохромных сред
    • 3. 4. Долговечность и стойкость к механическим нагрузкам, воздействию оптического и ионизирующего излучений
  • 4. Конструкции устройств регистрации, записи и хранения оптической информации
    • 4. 1. Преобразователи изображения А?-У02-Д на гибких диэлектрических подложках в аэродинамических экспериментах
    • 4. 2. Модуль на основе термохромных индикаторов для отображения буквенно-цифровой информации
    • 4. 3. Визуализатор оптического излучения
    • 4. 4. Голографический транспарант. 211 4.4.1 Голографические транспаранты на основе среды А^-УОг-Д в устройствах когерентно-оптической обработки информации
  • 5. Конструкции устройств измерений, записи и ослабления электромагнитного излучения
    • 5. 1. Приемники оптического излучения
    • 5. 2. Автономный измеритель распределения энергии мощности) излучения ОКГ
    • 5. 3. Анализатор пространственно-энергетических характеристик лазерного излучения
    • 5. 4. Модуль ИК — излучения
    • 5. 5. Терморегулируемый ограничитель СВЧ мощности
  • Выводы
  • Литература

Приложение. Программа сбора, обработки и визуального отображения измерительной информации

Настоящая работа направлена на решение задач по разработке новой технологии изготовления оптической реверсивной термохромной среды, предназначенной для отображения, записи и хранения оптической информации и созданию на её основе промышленных устройств индикаторной техники и изделий оптоэлектроники.

Исследование термохромных свойств оксидной плёнки ванадия, разработка серийной технологии её изготовления, а также разработка индикаторных устройств отображения информации на основе окисно-ванадиевой плёнки проводилось исследование в период с 1975 по 1988 годы в НИИ знакосинтезирующей электроники «Волга» г. Саратов совместно с ФТИ им. А. Ф. Иоффе АН СССР. Указанные работы входили в отраслевую программу МЭП СССР «Обеспечение народного хозяйства СССР вакуумными люминесцентными индикаторами, интегральными схемами управления и индикаторными устройствами». Итоги выполнения программы в части разработки нового термохромного материала и создания средств визуального отображения информации на его основе отражены в работе [1] и заключаются в следующем:

1. разработана и внедрена в серийное производство НИИ «Волга» технология изготовления окиснованадиевых плёнок размером 100×100 мм с заданными термохромными параметрами. Выход годных плёнок составляет не менее 84%;

2. на основе окиснованадиевых плёнок созданы:

— новый класс термохромных знакосинтезирующих индикаторов ОД0.339.301ТУ с площадью информационного поля от 1 до 100 см и размером знака от 40 до 80 мм;

— конструкция плоского многосекционного табло для отображения буквенно-цифровой и мнемонической информации;

— промышленный образец визуализатора электромагнитного излучения ВИ-1 ОД0.335.407ТУ, для экспрессного анализа распределения энергии (мощности) по сечению луча ОКГ на длинах волн 0,337−40,6 мкм;

— конструкции плёночных структур ФТИРОС-фотопроводник, ФТИРОС-рентгенпроводник для записи, хранения ближнего инфракрасного и рентгеновского излучения.

Недостатком термохромных индикаторов [2−3] является их низкое быстродействие, поэтому они могут применяться в устройствах группового и коллективного пользования, где можно сочетать тенденцию к увеличению размеров индикатора или всего устройства с потребляемой мощностью и требуемым быстродействием. Указанные индикаторы предназначены для эксплуатации в условиях внешней освещенности выше некоторого минимума, например, от комнатного до прямого солнечного освещения. Важным фактором является возможность цветового кодирования отображаемой информации, так как в зависимости от технологии изготовления [4] цветовые переходы таких индикаторов могут охватывать любой из видимого диапазона спектра.

Визуализация излучения в УФ, видимой и ИК-областях спектра с помощью визуализатора электромагнитного излучения ВИ-1 [5] обеспечивает проведение контрольно-юстировочных работ при регулировках и настройках лазерных источников излучения. Недостатком прибора является необходимость привлечения дополнительных средств (набора калиброванных нейтральных светофильтров) при экспрессном исследовании структуры электромагнитных полей по сечению лазерного луча.

Наибольший интерес к новой реверсивной термохромной среде на основе диоксида ванадия проявляется при использовании её для целей оптоэлектроники. Применение в оптоэлектронике пленочных сред на основе диоксида ванадия связано со значительными изменениями их оптических и электрических свойств при фазовом переходе полупроводник-металл (ФППМ), обусловленным нагревом сред в диапазоне 44^-75 °С [6]. Фазовым переходом в средах на основе диоксида ванадия управляют путем их нагрева непосредственной кондукцией, пропусканием электрического тока, а также падающим излучением в ультрафиолетовом, видимом инфракрасном диапазоне длин волн. ФППМ в указанных средах протекает за время 10″ 11 с, характеризуется наличием температурного гистерезиса оптических и электрических свойств, что обеспечивает реверсивную память [7]. По данным работы [8], среда А?-УС>2 обладает: постоянной чувствительностью 10″ 4 и.

3 2.

10″ Джхсм" в режиме памяти соответственно в диапазонах длин волн 0,3+3,37мкм и 5ДН10, бмкмразрешающей способностью в режиме адиабатической засветки соответственно не менее 1000 и 100 мм" 1 на длинах волн 1,06 и 10,6 мкмсохраняет эксплуатационные параметры при цикличности записи-стирания информации не менее 109. К недостаткам среды АЕ-У02, получаемой по способу [9], следует отнести сравнительно низкую величину дифракционной эффективности в видимой 0,5% и инфракрасной областях спектра 1,4%, а также необходимость защиты среды от влаги. Следует заметить, что температуру фазового перехода можно варьировать вплоть до комнатной с помощью легирования пленок диоксида ванадия [8].

В период с 1989 до 1992 годов в НИИ «Волга», в соответствии с программой важнейших работ по ВПК, проводились разработки новых технологий с целью изготовления термохромной среды А?-У02-Д (алюминиевое зеркало — слой У02 — слой диэлектрика) с улучшенными оптическими параметрами.

В настоящее время разработано большое число материалов, предназначенных для записи, хранения оптической информации с различными принципами действия, допускающими многократную перезапись оптической информации: фототермопластические, фотохромные, электрооптические, магнитооптические и термохромные [10−14]. Общие требования к реверсивным средам сводятся: запоминающая среда должна быть физически и химически стабильной в течение длительного времени, выдерживать не менее 109 циклов запись-стирание без изменения рабочих характеристик, обладать высокой чувствительностью при записи и эффективностью при считывании записанной информации, возможностью эксплуатации как в нормальных условия, так и в условиях воздействия атмосферных факторов и ионизирующих излучений. Кроме того, требования к оптическим характеристикам сред зависят от способа записи, считывания и стирания. Для записи с поразрядной организацией используют двухмерные среды (пленки толщиной порядка 0,2 мкм). При голографической записи используют как двухмерные, так и трехмерные среды. Очень важными параметрами являются высокая плотность записи и возможно большее отношение пороговой энергии разрушения материала среды к пороговой энергии записи. Как видно из вышеперечисленного, сравнительный анализ достоинств и недостатков регистрирующих сред проводят по большому числу параметров, и они зависят от конкретного назначения устройства, его технологичности и экономичности и т. д. В таблице 1 приведены реверсивные регистрирующие среды, выпускаемые промышленностью и пригодные для записи оптической информации в реальном масштабе времени [12−14].

Фототермопластические материалы имеют дифракционную эффективность ~ 34%, а их чувствительность такая же, как у фотоэмульсии. Недостатками фототермопластиков являются малая скорость записи и стирания, а также небольшая цикличность. Скорость записи — стирания ограничивается скоростью отвода тепла от подложки после воздействия каждого проявляющего и стирающего теплового импульса, а увеличение цикличности возможно с уменьшением вредного воздействия коронного разряда на термопластике. Среди магнитооптических материалов наиболее перспективны висмутзамещенные феррогранатовые плёнки, недостатками которых являются сравнительно высокая энергия записи и не очень высокая разрешающая способность, при относительно не высокой дифракционной эффективности К10%.

Таблица В. 1. Характеристики реверсивных сред.

Материал Спектральная чувствительность, мкм Энергия записи, Дж/см2 Разрешающая способность, мм" 1 Время 1 Число циклов запись-стирание Время хранения.

Записи, с. 1 Стирания, с.

Фототермопластические 0,48 — 0,63 ю" Мо-5 4100 10″ 2 Ю" 4 103 неограниченно.

Магнитооптические неселективны ю-2 500 10″ 6 10″ 6 неограниченно неограниченно.

Термо-хромные неселективны ю-4 2000 ю-9 3-Ю'7 неограниченно неограниченно.

Термохромная среда А^-УОг по чувствительности и разрешающей способности находится между фототермопластическими и магнитооптическими материалами. Недостатком среды А?-У02 является низкая дифракционная эффективность -1,4% и постоянная потребления энергии в режиме хранения информации. Технологический процесс изготовления среды А?-У02 по сравнению с выше указанными средами отличается чрезвычайной простотой и базируется на серийно выпускаемом оборудовании.

Существуют реальные возможности по управлению оптическими и электрическими свойствами сред на основе пленок диоксида ванадия путем вариации технологического режима их изготовления. Исследованию путей достижения этих возможностей и посвящена настоящая работа.

Большой интерес и практическое значение вызывает использование 1 реверсивных сред для побитовой и голографической записи оптической информации в запоминающих устройствах, а также в схемах оптических корреляторов и оптических процессоров [13,15−17]. Для указанных целей актуальна разработка голографического транспаранта с термоуправлением на основе пленочной структуры А?-У02-Д и разработка устройства направленного источника ИК-излучения с регулируемой длительностью и частотой следования импульсов, обеспечивающую побитовую запись.

Появление термохромной реверсивной среды на основе плёнок УОг стимулировало возникновение многих направлений её применения, где ожидаются значительные технические результаты и экономический эффект. Такой областью применения является экспериментальная аэродинамика, в которой проводятся измерения тепловых потоков на поверхности различных тел, обтекаемых потоком газа [18]. Использование для этих целей термохромной среды А?-УОг на гибкой диэлектрической подложке, обладающей малой инерционностью, высокой реверсивностью, повышает достоверность, скорость получения информации, а также дает возможность многократного повторения эксперимента без изменения условий обтекания контролируемого тела потоком газа и вытеснит применяющуюся для этих целей плоскую термочувствительную среду на основе жидких кристаллов [18]. Узкий температурный диапазон перехода одного цвета в другой (0,1-^5 °С), большая инерционность ~ 0,1 с жидких кристаллов накладывают трудности в регистрации изменения цвета во времени, а также в определении местоположения цветовой картины.

Другим перспективным направлением является разработка тепловых приёмников, способных регистрировать импульсное излучение с пико-секундной длительностью [19]. Применение в качестве термочувствительного слоя приёмника плёнки У02 позволяет выполнить приёмник с указанными характеристиками и размером приёмной площадки достигающей сотни квадратных сантиметров, при этом сохраняется равномерное распределение чувствительности по приемной площадке. Кроме того, конструкция приемника отличается простотой, высокой долговечностью и стойкостью к различным факторам внешнего воздействия (приемники могут использоваться в космическом пространстве).

С целью микроминиатюризации элементов и устройств СВЧ целесообразна разработка термоуправляемого ограничителя СВЧ-мощности на основе плёнок У02 в щелевых линиях передачи.

Продолжение развитие работ по данным направлениям проводятся в Саратовском государственном техническом университете, где и выполнен основной объём диссертационной работы.

Целью диссертационной работы являлась разработка термохромных реверсионных сред на основе пленок диоксида ванадия с улучшенными оптическими параметрами, а также конструкций устройств для отображения, регистрации, визуализации, записи и хранения оптической информации. Это достигнуто:

1. Проведением всесторонних физических исследований методами термографии, рентгенои электронографии, вторично-ионной масс-спектрометрии, растровой электронной микроскопии процесса формирования оксидных пленок ванадия путем окисления на воздухе, напыленных плёнок ванадия на жестких и гибких диэлектрических подложках.

2. Проведением комплексных исследований зависимости оптических и электрических свойств слоя ванадия от технологии его изготовления.

3. Разработкой новых способов изготовления преобразователей изображения на основе плёночной структуры А?-У02-Д (диэлектрик) на жестких и гибких диэлектрических подложках.

4. Разработкой серийной технологии изготовления среды А?-У02-Д на жестких и гибких диэлектрических подложках, базирующейся на серийно выпускаемом оборудовании, обеспечивающим получение среды с заданными параметрами при массовом изготовлении.

5. Проведением комплексных испытаний преобразователей изображения на основе структуры А?-У02-Д на долговечность в условиях воздействия механических нагрузок, климатических факторов, стойкости к воздействию оптического и ионизирующего излучений.

6. Разработкой методов расчета и схем измерения светотехнических, оптических, голографических характеристик среды А?-У02-Д.

7. Применением методов расчета нестационарной теплопроводности для полупространства с ограниченным источником энергии, расчета конечных элементов одномерного нестационарного температурного поля для оценки плотности энергии в зависимости от длительности импульса излучения, вызывающей нагрев среды А?-У02-Д до заданной температуры и разрешающей способности среды, метода решения нестационарного нагрева неограниченной пластины источником постоянной мощности и её охлаждения для расчета потребляемой мощности, времени реакции и релаксации преобразователей изображения на основе среды А?-У02-Д.

8. Разработкой устройства для исследования распределения тепловых потоков на поверхности тел сложной формы с использованием среды А?-У02-Д, выполненной на полиимидной подложке.

9. Разработкой устройств индикаторной техники и оптои микроэлектроники:

— модулей из 5×7 термохромных индикаторов для отображения буквенно-цифровой информации в устройствах группового и коллективного пользования для эксплуатации в условиях освещенности от интенсивной внешней до комнатнойвизуализатора оптического излучения на основе среды А?-У02-Д с управляемым терморегулятором обеспечивающим экспрессный контроль пространственно-энергетических характеристик импульсного и непрерывного лазерного излученияголографического транспаранта на основе среды А?-У02-Д с.

•у термоуправлением и размером рабочего поля от 12×12 до 48><60мм, обладающего оптической эффективностью не менее 2% на длинах волн: 0,9- 1,06- 1,15 мкм предназначенного для корреляторов, обеспечивающих обработку двумерных изображениймногоэлементных тепловых приемников на основе пленок VO2 и схем их управления с диаметром приемной площадки 2,3+2,8 мм регистрирующих излучение с длительностью импульса 10″ 9-Мс, с диапазоном измерения на длинах г л волн 0,33, 39 мкм и 5,0-^-10,6 мкм соответственно от 3−10″ до 1,3 Дж/см и от 1,3−10″ 5 до 5,8 Дж/см2- автономного измерителя распределения энергии (мощности) импульсного и непрерывного лазерного излучения ИРЭ — 24 на длинах волн 0,3-Н0,6мкм, содержащего многоэлементный приемник из пленки V02, видеоконтрольный блок, осуществляющий визуализацию в четырех цветах и оцифровку измерительной информациианализатора, пространственно — энергетических характеристик импульсного и непрерывного лазерного излучения на длинах волн 0,3-^-10,бмкм, содержащего многоэлементный приёмник на основе VO2 персональный компьютер IBM PC/XT и устройство сопряжениямодуля ИК-излучения со схемой управления на основе импульсного полупроводникового лазера на длине волны 0,89 мкм для записи побитовой оптической информациитермоуправляемого ограничителя СВЧ-мощности на основе пленок VO2 в щелевых линиях передачи, обеспечивающего на частотах 7−40 ГГц затухание СВЧ — колебаний до 10 дБ, при неравномерности АЧХ 0,5 дБ и начальных потерях 1,8 дБ.

291 Выводы.

1. Выявлено, что рост оксидной пленки при окислении слоя ванадия толщиной с1 на воздухе при 480 ±10° С происходит по параболическому закону с преобладанием диффузии ионов металла над ионами кислорода, что приводит к формированию оксидной пленки толщиной 2с1 в виде многослойной структуры состоящей из поверхностного слоя фазы У205 — 5% всей толщины, основного слоя фазы У02 — 75% всей толщины с показателем нестехиометрии, уменьшающимся по его толщине по параболическому закону, нижележащих слоев из фаз Уз05, У203, УО, V — 20% всей толщины для оксидного слоя толщиной 70−120 нм соответственно. Нестехиометричность основного слоя расширяет фазовый переход в пределах 44ч-86°С, при этом коэффициент поглощения уменьшается на порядок величины на длинах волн 0,54−1,2 мкм по сравнению с стехиометрическими пленками У02 той же толщины. Многослойный характер оксидного слоя и нестехиометричность слоя фазы У02 обусловливают увеличение отражения слоя в полупроводниковом состоянии, тем самым значительно повышая контраст изображения.

2. Высота кристаллитов столбчатой формы в оксидных поликристаллических пленках на основе У02, толщиной 704−140 нм равна толщине пленки, а их размеры в плоскости пленки составляют 504−140 нм соответственно, при этом ширина петли гистерезиса фазового перехода изменяется от 18 до 10 °C, а скачок удельного поверхностного сопротивления составляет от 1 до 2-х порядков величины. На петле имеет место участок шириной 7−13°С соответственно квазилинейного изменения удельного поверхностного сопротивления со скачком при фазовом переходе в один порядок величины. По мере увеличения толщины оксидного слоя растёт его поглощение, размер кристаллитов в плоскости пленки превышает их размер по высоте, происходит повышение степени перекрытия между кристаллитами и образование сростков, что обуславливает уменьшение пространственного разрешения и контраста изображения.

3. Оксидные пленки на основе V02 толщиной 70+120 нм на алюминиевом зеркале обладают термохромными параметрами, обеспечивающими цветовое кодирование отображаемой информации. Защитный диэлектрический слой на основе материалов с показателем преломления 1,38+1,6 толщиной 200+400 нм на 13+19% увеличивает яркостный контраст без существенного изменения цветовой окраски и обеспечивает эксплуатацию среды А?-У02-Д на открытом воздухе. Индикатриса яркостного контраста среды имеет диффузный характер и симметрична относительно оси падающего светового потока (±65°).

4. Скорость нагрева среды А?-У02-Д до температуры фазового перехода определяется толщиной и теплофизическими параметрами слоев среды и подложки, а также величиной энергетической экспозиции источника излучения. При перегреве оксидной плёнки относительно температуры фазового перехода происходит процесс постадийной перестройки кристаллической решётки фазы V02 из моноклинной в тетрагональную со скоростью звуковых волн.

5. Предложены методы: решение задачи нестационарного нагрева пластины источником постоянной мощности и её охлаждения для расчёта потребляемой мощности, времени реакции и релаксации различных конструкций преобразователей изображения на основе среды А?-У02 -Дрешение задачи нестационарной теплопроводности для полупространства с ограниченным источником энергии, конечных элементов расчёта IBM PC/XT для расчёта чувствительности, лучевой прочности среды A?-V02 -Д в зависимости от её конструкции и длительности импульса излучения.

6. Получены экспериментальные данные чувствительности, лучевой прочности среды А?-У02-Д на различных подложках в диапазоне импульса излучения 10″ 9 +1с, и величины разрешения среды на длинах волн 1,06 и 10,6мкм.

7. Разработаны методы, схемы, и приведены результаты измерений эксплуатационных параметров сред: яркостной и цветовой контрастноститермического гистерезиса коэффициента отражения на длинах волн 0,5-И, 2мкм и удельного поверхностного сопротивлениядифракционной эффективности среды на длинах волн 0,63- 1,06- 1,15 мкмдолговечности среды в условиях постоянного и импульсного воздействия оптического излучения, климатических факторов, воздействия солнечной радиации и ионизирующих излучений.

8. Промышленная технология изготовления преобразователей изображения на основе среды А?-УС>2-Д на жёстких и гибких диэлектрических подложках размером до 100×100 мм с равномерной чувствительностью по всей поверхности.

9. Показано применение преобразователя изображения на основе среды А?-У02-Д, изготовленного на полиимидной или алюминий содержащей полиимидной подложках для визуализации тепловых потоков на телах сложной формы при обтекании их потоком газа в гиперзвуковой 1 трубе Т-326.

10. Разработаны конструкции модулей из 5×7 термохромных индикаторов для отображения буквенно-цифровой и мнемонической информации в устройствах группового и коллективного пользования для эксплуатации при освещенности от интенсивной внешней до комнатной, а также воздействия посторонних электромагнитных полей.

11 Разработаны конструкции визуализаторов оптического излучения с экраном на основе среды А?-УС>2-Д с регулируемой чувствительностью и тремя градациями яркости изображения в режиме памяти для экспрессного исследования пространственно-энергетических характеристик импульсного излучения в диапазоне длительности импульса 10~9-И с и непрерывного лазерного излучения на длинах волн 0,3 -г-10,6 мкм.

12 Разработана конструкция голографического транспаранта с термоуправлением на основе среды А?-У02-Д, для корреляторов с одновременным преобразованием, предназначенных для обработки двумерных изображений в реальном масштабе времени на длинах волн 0,63−5-1,2 мкм.

13 Разработаны конструкции многоэлементных тепловых приемников на основе пленок У02 и схемы их управления на длинах волн 0,3+3,39 мкм и 5,0+10,6 мкм, при длительности импульса излучения 10″ 9+1с, с плотностью.

Л с Л энергии соответственно от 3−10″ до 1,3 Дж/см и от 1,3−10″ до 5,8 Дж/см .

14 Разработаны конструкции измерителя распределения энергии (мощности) ИРЭ-24 и анализатора пространственно-энергетических характеристик импульсного и непрерывного лазерного излучения на длинах волн 0,3+10,6 мкм, обеспечивающие соответственно на мнемоническом экране видеоконтрольного блока визуализацию в четырёх цветах и оцифровку измерительной информации и отображение на экране дисплея персонального компьютера цветовой и цифровой картины пучка лазерного излучения в реальном масштабе времени.

15. Разработан модуль ИК-излучения со схемой управления на основе импульсного полупроводникового лазера на длине волны 0,89 мкм для записи побитовой оптической информации.

16. Разработан ослабитель СВЧ-мощности с внутренней памятью на основе плёнки диоксида ванадия, конструктивно сопряженной с щелевой линией передачи, обеспечивающий на частотах 7−10 ГГц затухание СВЧколебаний до 10 дБ, при неравномерности АЧХ 0,5 дБ и начальных потерях 1,8 ДБ.

Показать весь текст

Список литературы

  1. A.C. Исследование термохромных свойств окиснованадиевыхпленок и создание на их основе устройств отображения информации: Автореф. дис. канд. техн. наук. JL: ФТИ, 1988. 18с.
  2. М.И., Олейник A.C., Смоляков В. Ф. Термохромныеиндикаторы на основе материала ФТИРОС // Электронная промышленность, 1982. Вып. 5−6. С. 108−111.
  3. A.C. Устройства отображения информации на основепленочных структур оксида ванадия // Электронная промышленность, 1984. Вып. 5. С. 19−20.
  4. A.C. Светотехнические параметры индикаторов на основетермохромного материала ФТИРОС // Электронная техника. Сер. Электровакуумные и газоразрядные приборы, 1981. Вып. 3. С. 25−27.
  5. Визуализатор на основе материала ФТИРОС / A.C. Олейник, В.Ф.
  6. , В.М. Степанов, Н.М. Руденко // Электронная промышленность, 1982. Вып. 5−6. С. 111−113.
  7. Фазово-трансформационный интерференционный реверсивныйотражатель света (ФТИРОС) / Б. П. Захарченя, И. К. Мешковский, Е. И. Теруков, Ф. А. Чудновский // Письма в ЖТФ. 1975. Т.1. Вып. 1. С.8−11.
  8. Dayton D., Eden. Vanadium dioxide storage material. // Optical Enginering, 1981. Vol. 20. N3. P. 377−378.
  9. Ф.А. Фазовый переход металл-полупроводник в окислахванадия: Автореф. дис. д-ра физ.-мат. наук. JL: ФТИ, 1979. 47с.
  10. А. с. 530 595 СССР, МКИ H-01L 21/363 Способ изготовленияпреобразователя изображения / Б. П. Захарченя, Е. И. Теруков, Ф. А. Чудновский. Приоритет 08.06.76.
  11. А.Я. Магнитооптические устройства хранения и обработкиинформации // Новое в жизни, науке, технике. Сер. Радиоэлектроника и связь. М.: Знание, 1978. 64 с.
  12. A.A., Захарченя Б. П., Чудновский Ф. А. Фазовый переход металлполупроводник и его применение / Л.: Наука, 1979. 183с.
  13. ., Арсено А., Баласубраманьян Н. Оптическая голография: Пер. с англ. / Под ред. Г. Колфилда. М.: Мир, 1982. Т. 1. 376 с.
  14. С.Г., Черкасов Ю. А. Фотографические процессы регистрацииинформации// ОМП, 1991. № 11. С. 51−56.
  15. ., Арсено А., Баласубраманьян Н. Оптическая голография: Пер. с англ. / Под ред. Г. Колфилда. М.: Мир, 1982. Т. 2. 736 с.
  16. И.Г. Введение в Фурье-оптику: Пер с англ. М.: Мир, 1985. 182с.
  17. Применение методов фурье-оптики / Под ред. Г. Старка- Пер. с англ. Подред. И. Н. Компанца. М.: Радио и связь, 1988. 536с.
  18. Применение плавящихся термоиндикаторов для измерения тепловыхпотоков к моделям в аэродинамических трубах / М. М. Ардашева, С. А. Ильина, H.A. Ладыгин, Г. И. Майкапар и др. // Ученые записки ЦАГИ. М, 1972. Т. 3. N1.C. 20−36.
  19. Измерение энергетических параметров и характеристик лазерногоизлучения / Б. Я. Бурдаев, P.A. Валитов, М. А. Винокур и др.- Под ред. А. Ф. Котюка, М.: Радио и связь, 1981. 286 с.
  20. Ryabova L.A., Servinov I.A., Darevsky A.S. Preparation and properties ofpyrolysis of vanadium oxide films // J. Elektrochem.Sos. 1972. Уо1. 119. № 4. P. 427−429.
  21. MacChesney J.B., Potter J.P., Guggenheim H.I. Reparation and properties ofvanadium dioxide films // J. Elektrochem.Sos. 1968. Vol 115. № 1. P.52−55.
  22. Duchene J., Terraillon M., Pailly M. R. F. and D.C. reactive sputtering forcrystalline and amorphous VO2 thin film deposition // Thin Solid Films. 1972. Vol. 12. № 2. P. 231 -234.
  23. B.B., Фрайман Б. С. Получение и характеристикипереключения пленочных элементов на основе двуокиси ванадия // Электронная техника. Сер. Материалы. 1975, Вып. 12. С.118−120.
  24. Пат. 3.834.793 США, МКИ G 02f 1/28, 1973. Dichromic mirror havingmultilayer thin films including vanadium dioxide / T. Lloyd, Mc. Connel. Приоритет. 10.09.74.
  25. Balberg S., Trokman I. High-contract optical Storage in V02 films // Appl.
  26. Phys, 1975. Vol. 46. N5. P. 2111−2119.
  27. Buhling D., Michalowsky L. Influence of the Manufacturing Parameters on
  28. Film Structure and Properties of Reactively Sputtered Vanadium Dioxide Films. //Vide. 1976. Vol. 31. N185. P. 185−188.
  29. A.C. Влияние технологических факторов на фазовый состав иморфологию оксинованадиевых структур ФТИРОС // Электронная техника. Сер. Электровакуумные и газоразрядные приборы. 1983. Вып. 1.С. 42−46.
  30. В.Г., Бегишев А. Г., Игнатьев А. С. Влияние отклонения отстехиометрического состава на электронную структуру и фазовый переход металл-изолятор в двуокиси ванадия // ФТТ. 1979. Т. 21. Вып. 5. С. 1482−1488.
  31. Физико-химические свойства окислов: Справочник / Под ред. Г. В.
  32. СамсоноваМ.: Металлургия, 1978. 472 с.
  33. Anderson G.//Acta Chem. Scand., 1954. Vol. 8. P. 1599.
  34. В. Диффузия в металлах. Процессы обмена мест. Пер. с нем./Подред. Б. И. Болтакса. М.: Изд. иностр. лит., 1958. 381 с.
  35. Bruckner W., Voldennauer W., With H. The range of homogeneity of VO2 andthe influence of the composition on the physical properties//Phys. St. Sol (a), 1975. N29. P. 63.
  36. Ю.Р. Коррозия и окисление металлов. Пер. с англ./Под ред. И.Л.
  37. Розенфельда. М.: Машгиз, 1962. 856 с.
  38. Электронная и ионная спектроскопия твердых тел. Под ред. Л.
  39. , Дж. Вэнника, В. Декейсера. Лондон, 1978 г. Пер. с англ. Под ред. В. И. Раховского. М.: Мир, 1981. 467 с.
  40. Benninghoven A. Developments in secondary ion mass spectroscopy andapplications to surface studies // Surface Science 1975. N53. P. 556−625.
  41. A.C. Реверсивная среда ФТИРОС для записи и храненияоптической информации // Неорганические материалы, 1991. Т.27. N3. С. 534−538.
  42. Л. Нанесение тонких пленок в вакууме. Пер. с англ. Н.В.
  43. Васильченко. М.: Госэнергоиздат, 1963. 608 с.
  44. A.c. 1 480 598 СССР, МКИ G ОЗН 1/18, H01L 21/361 Способ изготовленияголографического транспаранта на основе пленок двуокиси ванадия/ A.C. Олейник, Ф. А. Чудновский, Е. Б. Шадрин. Приоритет 15.01.89.
  45. A.B. Теория теплопроводности. М.: Высшая школа, 1967. 600 с.
  46. А.И., Жидких В. М. Расчеты теплового режима твердых тел. Л.:1. Энергия, 1976. 352 с.
  47. Г. С. Оптика / М.: Наука, 1976. 928 с.
  48. B.C., Лисицын Б. Л. Элементы индикации: Справочник. 2-еизд., перераб. и доп. М.: Энергия, 1980. 304 с.
  49. ОСТ 11.339.810−82. Индикаторы жидкокристаллические. Методизмерения контрастности.
  50. ГОСТ 7721–89 Источники света для измерений цвета. Типы.
  51. Технические требования. Маркировка.
  52. ГОСТ 8.332−78 Световые измерения. Значения относительнойспектральной световой эффективности монохроматического излучения для дневного зрения.
  53. Д., Вышецки Г. Цвет в науке и технике. Пер. с англ. / Под ред.
  54. Л.Ф. АртюшинаМ.: Мир, 1978. 598с.
  55. ГОСТ 13 088–67. Колометрия. Термины, буквенные обозначения.
  56. Kelly К., Iudd D. The ISCC-NBS method of designating colors and adictionary of names //Natl, bur. std. circ. 1955. P. 553.
  57. Stiles W.A. Modified helmholte line element in brightness-colour spase //
  58. Pros. phys. sos. 1946. Vol. 58. P. 41.
  59. M. Современная кристаллография. T.l. Симметриякристаллов. Методы структурной кристаллографии. М.: Мир, 1969. 392 с.
  60. П. Высокотемпературное окисление металлов. Пер. с англ. / Подред. О. П. Колчина. М.: Мир, 1969. 392 с.
  61. Г. Методика электронной микроскопии / Под ред. В.И.
  62. Рожанского. М.: Мир, 1972. 300 с.
  63. Л.С., Фукс М. Я., Косевич В. М. Механизм образования исубструктура конденсированных пленок. М.: Наука, 1972. 320 с.
  64. Технология тонких пленок: (Справочник) / Под. ред. Л. Майссела, Р.
  65. Глэнга, Нью-Йорк, 1970. Пер. с англ. Под ред. М. И. Елинсона, Г. Г. Смолко. T.l. М.: Сов. радио, 1977. 664 с.
  66. ГОСТ 2789–73 Шероховатость поверхности. Параметры ихарактеристики.
  67. В.Д., Родионов Ю. А. Тонкопленочные микросхемы дляприборостроения и вычислительной техники. М.: Машиностроение, 1976. 328 с.
  68. М.М. Эллипсометрия. М.: Сов. радио, 1974.200с.
  69. Измерение оптических постоянных и толщин электропроводящих пленокна прозрачой подложке, используемых в качестве электродов индикаторных устройств. / Г. И. Видро, Е. Г. Мухина, И. А. Морозова и др./ Заводская лаборатория. 1976. С. 554−555.
  70. М., Вольф Э. Основы оптики. Пер. с англ./ Под ред. Г. П.
  71. Мотулевича. М.: Наука, 1970. 855 с.
  72. Технология тонких пленок: (Справочник) / Под. ред. JI. Майссела, Р.
  73. Глэнга, Нью-Йорк, 1970. Пер. с англ. Под ред. М. И. Елинсона, Г. Г. Смолко. Т.2. М.: Сов. радио, 1977. 768с.
  74. Varga I.E., Bailev W.A. Evaporation, Sputtgring and lonplating- Pros and
  75. Cons // Solid-State Technology, 1975. Vol. 16. N12. P. 79−86.
  76. M.M. Бертонас В. Измерение цветовых контрастов // ОМП.1978. N8. С. 3−5.
  77. ГОСТ 21 829–76. Система «человек-машина». Кодирование зрительнойинформации. Общие эргономические требования.
  78. Blihling D. Eigenschaften eines V02-Anzeigebauebementes // Radio fernsehenelectronic. 1978. N1. P.25−26.
  79. Оптические константы двухфазных пленок на основе двуокиси ванадия /
  80. B.Н. Беляков, В. А. Дмитриев, В. Н. Корнетов и др. // Автометрия. 1981. N5. С. 114−116.
  81. A.C., Хахаев И. А. Схемы измерения оптических параметровголографических транспарантов на основе пленок ФТИРОС // Письма в ЖТФ. 1990. Т.16, Вып. 22. С. 5−10.
  82. Ю.А. Применение полиимидных материалов в зарубежнойавиационной и космической технике // Пластические массы. 1981. № 10.1. C. 23−30.
  83. А. с. 738 480 СССР, МКИ H01L 31/18. Способ изготовленияпреобразователей изображения на основе окислов ванадия / В.Н.
  84. , Б.П. Захарченя, Т.Г. Ланская, A.C. Олейник, Ф. А. Чудновский. Приоритет 07.02.80.
  85. А. с. 1 085 457 СССР, МКИ H01L 31/18. Способ изготовленияпреобразователей изображения на основе окислов ванадия / Н. К. Блинова, Н. И. Малинин, A.C. Олейник, А. Б. Березина, Т. И. Селиванова, Ю. Б. Зимин. Приоритет 08.12.83.
  86. Физическая энциклопедия. Т. 3. М.: Большая российская энциклопедия, 1992. С. 459.
  87. X. Справочник по физике: Пер с нем. М.: Мир, 1982. 520 с.
  88. Ф.П. Фотолитографические методы в технологииполупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Энергия, 1978. 96 с.
  89. ГОСТ 9.032 74. Покрытия лакокрасочные. Классификация иобозначение.
  90. ГОСТ 9.104 79. Покрытия лакокрасочные. Группы условийэксплуатации.
  91. А. С Применение сред А^-УОг-д для визуализации оптическогоизлучения // Актуальные проблемы электронного приборостроения АПЭП-2002: Материалы международной конференции.-Саратов: СГТУ, 2002. с. ЗЗ 1−334.
  92. ГОСТ 20.57.406 81. Комплексная система контроля качества. Изделияэлектронной техники, квантовой электроники и электротехнические. Методы испытаний.
  93. B.C. Теплофизические свойства материалов (справочноеруководство). М.: Машгиз, 1959. 356 с.
  94. В.Н., Метелкин И. И., Решетников A.M. Вакуумно-плотнаякерамика и ее спаи с металлами. Под ред. Н. Д. Девяткова. М.: Энергия, 1973.408 с.
  95. Н.П., Пасынков B.B. Материалы в радиоэлектронике. М,
  96. JL: Госэнергоиздат, 1961. 352 с.
  97. Таблицы физических величин: Справочник / Под ред. И. К. Кикоина. М.:1. Атомиздат, 1976. 1008 с.
  98. Г. Н. Теплообмен в радиоэлектронных устройствах. M.-JL:
  99. Госэнергоиздат, 1963. 288 с.
  100. Лазерная и электронно-лучевая обработка материалов: Справочник / H.H.
  101. , A.A. Углов, И.В. Зуев, А. И. Кокора. М.: Машиностроение, 1985. 496 с.
  102. Лазерная техника и технология. В 7 кн. Кн. 4 лазерная обработканеметаллических материалов: Учеб. пособие для ВУЗов / А. Г. Григорьянц, A.A. Соколов- Под ред. А. Г. Григорьянца. * М.: Высш. шк. 1988, 191с.
  103. Е.И., Уферт К. Д., Чудновский Ф. А. Исследование электрическихсвойств пленок двуокиси ванадия // ФТТ, 1976. Т. 18. С. 2419−2481.
  104. В.Г., Сарайкин В. В. Изменение оптических свойств двуокисиванадия при фазовом переходе полупроводник-металл // ФТТ, 1976. Т. 18. Вып. 7. С. 1801−1805.
  105. Дж. Теория превращений в металлах и сплавах. Часть 1
  106. Термодинамика и общая кинетическая теория. Пер. с англ. / Под ред. А. Л. Ройтбурда. М.: Мир, 1978. 806 с.
  107. Физический энциклопедический словарь. Т.5. М: Советскаяэнциклопедия, 1966. 576 с.
  108. Н., Мермин Н. Физика твердого тела. Часть 1. Пер. с англ./ подред. М. И. Каганова. М: Мир, 1976. 399 с.
  109. Н., Мермин Н. Физика твердого тела. Часть 2. Пер. с англ./ подред. М. И. Каганова. М: Мир, 1976. 422 с.
  110. Метрологическое обеспечение энергетической фотометрии: Справочник
  111. Под ред. Б. М. Степанова. М.: Атомиздат, 1979. 138 с.
  112. Г., Егер Д. Теплопроводность твердых тел. Пер с англ. изд. / Подред. А. А. Померанцева. М.: Наука, 1964. 487 с.
  113. Г. Н., Испирян Р. А., Ярышев Н. А. Теплопроводность припостоянном и импульсном местном нагреве // Тепло-массообмен при взаимодействии потоков энергии с твердым телом: Труды Ленинградского ин-та точной механики и оптики. Л., 1967. Вып. 31. С. 5−19.
  114. ГОСТ 16 962 71. Изделия электронной техники и электротехники.
  115. Механические и климатические воздействия. Требования и методы испытаний.
  116. Duchene J. V02 film devices / Microelectronics, 1972. Vol. 4. P. 37−40.
  117. ГОСТ B.20.57.405−81. Комплексная система контроля качества изделияэлектронной техники, квантовой электроники. Методы оценки соответствия требованиям по стойкости к воздействию ионизирующих и электромагнитных излучений.
  118. ГОСТ В.20.39.404−81 Классификация по условиям применения итребования по стойкости к внешним воздействующим факторам.
  119. Физика тонких пленок. Современное состояние исследований итехнического применения. / Под ред. Г. Хасса, И. Франкомба, Р.
  120. Гофмана, Лондон, 1975. Пер с англ. под ред. А. Г. Ждана, В. Б. Сандомирского. Т.8. -М.: Мир, 1978. 359 с.
  121. .Г. Термоиндикаторы и их применение. М., 1972. 224с.
  122. Г. М. Применение жидких кристаллов в аэрофизическом эксперименте: Автореф. канд. дис. Новосибирск: ИТПМ, 1973. 19 с.
  123. A.C. Среда A?-V02 на алюминийсодержащей полиимидной подложке в аэродинамических экспериментах // Актуальные проблемы электронного приборостроения АПЭП-98: Материалы междунар. конф. Саратов: СГТУ, 1998. С. 66−69.
  124. A.B. Тепломассобмен (Справочник). 2-е издание перераб. и доп. М.: Энергия, 1978. 480 с.
  125. A.C. Модуль на основе термохромных индикаторов для отображения буквенно-цифровой и мнемонической информации // Датчики и системы. 2002 N.4 С. 25−29.
  126. И.И., Ломов Б. Ф., Соловейчик И. Е. Основы построения аппаратуры отображения в автоматизированных системах. Под ред. А .Я. Брейтбарта. М.: Сов. радио. 1975. 352 с.
  127. В.П., Стринжа М. В. Современные устройства отображения видеоинформации в автоматизированных системах управления // Техника индикации: Институт кибернетики АН УССР. К., 1976. С. З-24.
  128. Дисплей: Пер. с англ/ Под ред. Ж Панкова.-М.:Мир, 1982. З20.с.
  129. С.И. Теория теплопроводности. Учеб.-метод. пособие. Саратов: изд-во Сарат. Ун-та, 1984, 163с.
  130. И.И., Рожков О. В., Рождествин В. Н. Оптико-квантовые приборы: Учеб. пособ. для вузов / под ред. И. И. Пахомова. М.: Радио и связь. 1982. 456с.
  131. Ю.В. Основы лазерной техники. 2-е изд., перераб и доп. -К.: Выща шк. Головное изд-во. 1988. 383с.
  132. Особенности оптических свойств пленок двуокиси ванадия вблизи фазового перехода полупроводник-металл / Ю. М. Гербштейн, Т. В. Смирнова, Е. И. Теруков, Ф. А. Чудновский //ФТТ, 1976. Т. 18. Вып.2. С. 503−505.
  133. Г. Измерение лазерных параметров: Пер. с англ. / Под ред. Ф. С. Файзулова. М.: Мир, 1970. 539 с.
  134. Технологические лазеры: Справочник: в 2 Т. Т.2/ Г. А. Абильсиитов, В. Г. Гонтарь, A.A. Колпаков, JI.A. Новицкий и др. Под общ. ред. Г. А, Абильсиитова. М.: Машиностроение. 1994. — 544 с.
  135. Олейник А. С Экспресный метод контроля пространственно-энергетических характеристик лазерного излучения с помощью термохромных материалов А?-У02-Д // ПТЭ, 2002, N4.C.1−2.
  136. A.C. Оптические параметры пленочных реверсивных сред А?-У02-АК-113Ф и А?-У02-А?20з //ЖТФ. 1993. Т.63. Вып.1. С. 97−103.
  137. СГШиаД, Коллен Р., Роде У. Лазерная техника: Пер. с англ.-М.: Атомиздат, 1980. 256с.
  138. A.C., Столяров С. И. Схема регулятора температуры экрана визуализатора электромагнитного излучения // Измерительная техника, 1989. N12. С. 37−38.
  139. A.c. № 1 487 624 СССР, МКИ G 01, R29/08. Визуализатор электромагнитного излучения. /A.C. Олейник, М. И. Григорьева, В. Ф. Смоляков, Н. М. Руденко, В. М. Степанов Приоритет. 17.03.82.
  140. И.Ф., Малиновский В. К., Рябова Л. А., Сербинов И. А. Оптическая запись информации на пленках V02 // Микроэлектроника, 1975. Т.4. Вып.4. С 336−339.
  141. К.И., Казарян М. А., Мокеров В. Г. и др. Когерентные свойства лазера на парах меди и динамические голограммы на пленках двуокиси ванадия // Квантовая электроника, 1978. Т.5. № 2. С. 425−427.
  142. Ф.А. Фазовый переход металл-полупроводник в окислах ванадия и его техническое применение. ЖТФ, 1975. Т.45. Вып.8. С. 1561−1583.
  143. Рассеяние света при фазовом переходе полупроводник-металл в двуокиси ванадия / К. А. Валиев, В. Г. Мокеров, В. В. Сарайкин, А. Г. Петрова //ФТТ, 1977. Т.19. Вып.9. С. 1537−1544.
  144. ЯМР51У и фазовый переход полупроводник-металл в диоксиде ванадия / А. Г. Петров, Р. Н. Плетнев, Л. В. Золотухина, В. А. Губанов // Неорганические материалы, 1980. Т.16. № 4. С. 678−681.
  145. Олейник А. С Применение оптических реверсивных сред в когерентно-оптических устройствах обработки изображения // Актуальныепроблемы электронного приборостроения АПЭП-2002: Материалы международной конференции Саратов СГТУ, 2002.С.321−325.
  146. JI.B., Зборовский A.A., Иванов Б.Б.,. Цукерман Е. В Акустооптический голографический оперативный коррелятор // Письма в ЖТФ, 1991. Т. 17. Вып. 6. С. 39−42.
  147. М.И., Соколова И. В., Чудновский Ф.А.,. Шубников Е. И Регистрирующая среда на основе диоксида ванадия в корреляторе с совместным преобразованием // // Письма в ЖТФ, 1991. Т. 17. Вып. 23. С. 84−88.
  148. В.А., Профатилова Н. И., Щербина Д. М. Состояние и перспективы развития теплометрии потоков излучения: Обзорная информация. Сер. Образцовые и высокоточные методы измерений. М.: Госстандарт СССР, 1977. 24 с.
  149. Приемники инфракрасного излучения / Ж. Шоль, М. Марфан, М. Мюнш, П. Торель и др. Пер. с франц. Под ред. JI.H. Курбатова, М.:Мир, 1969.283с.
  150. Справочник по лазерам. Пер. с англ. Под ред. A.M. Прохорова в 2-х томах. Т.2 М.: Сов. Радио, 1978. 400с.
  151. A.C. Тепловой приемник оптического излучения на основе диоксида ванадия // Электронная промышленность, 1991. Вып.2. С. 9697.
  152. A.C. Тепловые приемники оптического излучения на основе пленок V02. // Актуальные проблемы электронного приборостроения
  153. АПЭП-98: Материалы междунар. конф. Саратов: СГТУ, 1998. С. 6972.
  154. A.C. Приемники излучения на основе поликристаллических пленок V02 // Датчики и системы, 2002. N9. с.41−45.
  155. Криксунов JI.3. Справочник по основам инфракрасной техники. М.: Сов. радио, 1978. 400 с.
  156. О.В. Расчет быстродействующих болометров // ЖПС, 1965. Т. З. Вып.5 С. 403−409.
  157. A.c. 1 487 624 СССР, МКИ G 01, J 25/20. Приемник инфракрасного излучения /A.C. Олейник. Приоритет. 15.02.89.
  158. A.C., Орехов М. В. Многоэлементный тепловой приемник на основе пленок V02 // Актуальные проблемы электронного приборостроения АПЭП -2000: Материалы международной конференции Саратов: СГТУ, 2000. С.325−327.
  159. Т.Г., Меркулов И. А., Чудновский Ф. А. Гистерезисные явления при фазовом переходе металл-полупроводник в окислах ванадия. //ФТТ, 1978. Т.20. Вып.2. С. 336−342.
  160. .П., Теруков Е. И., Чудновский Ф. А., Штейнгольц З. И. Характеристики материала ФТИРОС как среды для визуализации импульсного лазерного излучения.// ЖТФ, 1981. Т.51. Вып.1. С. 117 122.
  161. Тепловой приемник излучения (Решение о выдаче патента на изобретение № 2 003 101 007/28 МПК-7 G 01 J 5/20. Приоритет от 14.01.2003 г.) / Олейник A.C., Орехов М.В.
  162. A.C., Скатин Д. Л. Схема управления многоэлементным тепловым приемником на основе пленок V02 // Актуальные проблемы электронного приборостроения АПЭП -2000: Материалы международной конференции Саратов: СГТУ, 2000. С. 435−439.
  163. A.C. Схема управления многоэлементным тепловым приемником на основе пленок VO2 // Измерительная техника, 2002 N9. С.45−48.
  164. Применение прецизионных аналоговых микросхем / А. Г. Алексеенко, Е. А. Коломбет, Г. И. Стародуб. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Радио и связь. 1985. 304с.
  165. Аппаратура для определения пространственно энергетических характеристик лазерного импульсного ИК-излучения / И. М. Белоусова, Е. А. Гавронская, M.JI. Грабалин и др. / ОМП. 1991. № 8. С. 60−63.
  166. A.C., Дауров С. К. Измеритель распределения энергии (мощности) лазерного излучения // Актуальные проблемы электронного приборостроения АПЭП -2000: Материалы международной конференции Саратов: СГТУ, 2000. С. 382−386.
  167. A.C., Дауров С. К. Измеритель распределения энергии (мощности) лазерного излучения ИРЭ-24 // Метрология 2002. N.6 с. 1421.
  168. Патент на полезную модель № 31 646 РФ, МПК G 01 J5/00. Интерфейс измерительной системы анализатора пространственно-энергетических характеристик лазерного излучения / Олейник A.C., Дауров С. К, Орехов М. В., A.B. Мещеряков. Приоритет 24.03.2003
  169. Т.М., Тер-Хачатуров A.A. Измерительная техника: Учеб пособие для тех. Вузов. М.: Выш. Шк. 1991.384с.
  170. A.C., Дауров С.К, Орехов М. В. Система управления измерителя распределения энергии лазерного излучения // Актуальные проблемы электронного приборостроения АПЭП -2002.С.328−331.
  171. A.C., Дауров С.К, Орехов М. В. Система контроля пространственно-энергетического распределения лазерного излучения на базе компьютера класса IBM PC // Измерительная техника. 2003 N3 С.13−16.
  172. Языки программирования Ада, Си, Паскаль. Сравнение и оценка/ Под ред. А. Р. Фьюэра, Н. Джехани: Пер с англ. под ред. В. В. Леонаса. М.: Радио и связь, 1989. 368с.
  173. A.C., Пискарев C.B., Рыжов Е. А. Модуль оптического излучения // Измерительная техника, 1992. № 12. С. 28−29.
  174. И.Н., Милючихин В. Н., Першин А. Н. Термооптические среды для оптических запоминающих устройств // Электронная техника. Сер. Лазерная техника и оптоэлектроника. 1986. Вып.1. С. 1—44.
  175. Влияние фазового перехода металл-полупроводник в двуокиси ванадия на прохождение и отражение электромагнитного излучения / Д. И. Биленко, Э. А. Жаркова, Л. А. Рябова и др. //Письма в ЖТФ. 1976. Т. 6. Вып. 14. С. 638−641.
  176. Регистрируемый ослабитель субмиллиметрового излучения на основе пленок V02 / Д. И. Биленко, Э. А. Жаркова, Л. А. Рябова и др. // Радиотехника и электроника. 1979. Т. 24. N8. С. 1670−1672.
  177. В.Е., Олейник A.C. Распространение СВЧ-волны в щелевой линии передачи, содержащей терморегулируемую пленку окислов ванадия // Письма в ЖТФ. 1983. Т. 9. Вып. 9. С. 519−522.
  178. Малорадский Л. Г Микроминиатюризация элементов и устройств СВЧ. М.: Сов. Радио, 1976. 216с.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!