Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Релаксация электронных возбуждений в кристаллах оксида бериллия

Диссертация: Релаксация электронных возбуждений в кристаллах оксида бериллия
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Обнаружено метастабильное оптическое поглощение «околоцинковых» электронных возбуждений в кристаллах Ве0−2п. Сформулированы условия образования и распада связанных с примесью цинка экситона малого радиуса, электронного 7п±центра и коррелированной с ним автолокализованной дырки. Впервые получены данные о существовании в широкозонных оксидах метастабильного оптического поглощения, возникающего при… Читать ещё >

Релаксация электронных возбуждений в кристаллах оксида бериллия (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. РЕЛАКСАЦИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ ВОЗБУЖДЕНИЙ В ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ
    • 1. 1. Автолокализация электронных возбуждений в диэлектриках
    • 1. 2. Автолокализованные экситоны в модельных ЩГК и широкозонных оксидах
    • 1. 3. Структура и свойства ВеО
      • 1. 3. 1. Кристаллическая структура ВеО, особенности симметрии и химической связи
      • 1. 3. 2. Электронная энергетическая структура ВеО
      • 1. 3. 3. Люминесценция и центры окраски в ВеО
    • 1. 4. Задачи настоящей работы
  • 2. ХАРАКТЕРИСТИКА ОБЪЕКТОВ ИССЛЕДОВАНИЯ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ МЕТОДИК
    • 2. 1. Образцы кристаллов оксида бериллия
    • 2. 2. Техника эксперимента
      • 2. 2. 1. Синхротронные исследования
      • 2. 2. 2. Особенности изучения ориентационных эффектов при использовании синхротронного излучения
      • 2. 2. 3. Исследования люминесценции и транзитного оптического поглощения ВеО при воздействии электронного пучка
    • 2. 3. Обработка экспериментальных результатов
  • 3. РЕЛАКСАЦИЯ СОБСТВЕННЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ ВОЗБУЖДЕНИЙ В КРИСТАЛЛАХ ВеО
    • 3. 1. Ветвление релаксации электронных возбуждений
    • 3. 2. Модель двух типов аксиальных АЛЭ
    • 3. 3. Ориентационные эффекты в миграции электронных возбуждений
  • Выводы к главе
  • 4. МОДЕЛЬ АВТОЛОКАЛИЗОВАННЫХ ЭКСИТОНОВ В ВеО
    • 4. 1. Оптические проявления расщепления триплетных состояний АЛЭ
    • 4. 2. Комплексная модель автолокализованных экситонов в ВеО
  • Выводы к главе
  • 5. РЕЛАКСИРОВАННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ ВОЗБУЖДЕНИЯ В КРИСТАЛЛАХ ВеО С ПРИМЕСЯМИ И ДЕФЕКТАМИ РЕШЕТКИ
    • 5. 1. Релаксированные электронные возбуждения в кристаллах ВеО^п
      • 5. 1. 1. Люминесценция и транзитное оптическое поглощение экситона, локализованного около +
      • 5. 1. 2. Транзитное оптическое поглощение 2п±центров
      • 5. 1. 3. Особенности термостимулированных рекомбинационных процессов в кристаллах ВеО-2п
      • 5. 1. 4. Модель «околоцинкового» экситона
    • 5. 2. Люминесцентно-оптические свойства кристаллов ВеО с анионными вакансиями
      • 5. 2. 1. Люминесцентные свойства Р-центров
      • 5. 2. 2. Метастабильное оптическое поглощение возбужденных Б-центров
    • 5. 3. Влияние примесей и дефектов решетки на процессы релаксации ЭВ
  • Выводы к главе 5
  • ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Актуальность темы

Современное развитие радиационной техники и технологии, ядерной энергетики, нелинейной оптики, твердотельной микроэлектроники связано с решением задач радиационной физики твердого тела, в том числе с исследованием радиационно-стойких оптических материалов. Существующая общемировая тенденция к использованию в вышеперечисленных областях деятельности монокристаллов с пониженной (по отношению к кубической) симметрией кристаллической решетки должна опираться на систему модельных представлений о процессах эволюции электронных возбуждений в таких кристаллах.

Однако на настоящий момент существуют лишь разрозненные данные о динамике электронных возбуждений (ЭВ) в низкосимметричных ионных кристаллах. Поэтому принято считать наиболее перспективным путь тщательного изучения закономерностей эволюции ЭВ в модельных низкосимметричных объектах. Наиболее подходящим для этих целей является оксид бериллия (ВеО), обладающий промежуточной (между хорошо исследованными кубическими ЩГК и многокомпонентными низкосимметричными объектами) гексагональной кристаллической структурой типа вюрцита.

Оксид бериллия характеризуется уникальными физико-химическими свойствами: несвойственная широкозонным оксидам структура вюрцита, аномально большая величина запрещенной зоны (10,63 эВ) сочетаются с повышенной радиационной, химической и механической стойкостью, высокой теплопроводностью, пьезои пироэлектрическими свойствами. С позиций локальной симметрии кислородных узлов кристаллы ВеО занимают промежуточное положение между высоко-(]У^О) и низкосимметричными (А1203) бинарными оксидами, 5 одновременно обнаруживая проявления экситонов, характерные для обоих типов структур, и приобретая тем самым статус «модельного» объекта. Существование в ВеО выделенного оптического направления делает возможным использование методов ориентационной спектроскопии.

Цель настоящей работы: исследовать пути создания и эволюции ЭВ с учетом специфики кристаллической структуры ВеОразвить представления об особенностях автолокализации ЭВ в ВеОустановить характер и степень влияния извалентных примесей и дефектов решетки на динамику собственных ЭВ в ВеО, на эффективность создания и природу околодефектных ЭВ.

Для достижения поставленной цели реализован комплексный подход к постановке эксперимента и обработке экспериментальных результатов, а именно:

1) использование методик люминесцентной и абсорбционной спектроскопии с временным разрешением, позволяющих изучать релаксационные процессы в широком временном и спектральном диапазонах, в том числе в области вакуумного ультрафиолета;

2) применение поляризационной спектроскопии для исследования ориентационных эффектов в динамике и структуре ЭВ;

3) совместное изучение спектрально-кинетических, поляризационных, температурных характеристик люминесценции и короткоживущего поглощения (КП) для выявления характерных черт в оптических проявлениях ЭВ;

4) использование современного математического аппарата для анализа спектрально-кинетических, поляризационных и температурных свойств люминесценции и короткоживущего поглощения оптических центров.

Научная новизна:

Впервые проведены детальные люминесцентные исследования ориентационных эффектов в динамике и структуре электронных возбуждений в ВеО. Выявлены закономерности в эволюции ЭВ, обусловленные существованием в ВеО выделенной оптической оси. Проанализировано ветвление релаксации ЭВ между конкурирующими каналами. Доказано существование выделенного направления миграции ЭВ — направления оптической оси С. Развиты модельные представления о структуре автолокализованных экситонов (АЛЭ) в ВеО. Показано, что один из каналов релаксации свободных экситонов реализуется через состояние короткоживущего дефекта, подобного Р±центру. Обнаружены люминесценция и короткоживущее оптическое поглощение с миллисекундными временами жизни. Показано, что они обусловлены расщеплением возбужденных триплетных состояний автолокализованных экситонов.

Обнаружено метастабильное оптическое поглощение «околоцинковых» электронных возбуждений в кристаллах Ве0−2п. Сформулированы условия образования и распада связанных с примесью цинка экситона малого радиуса, электронного 7п±центра и коррелированной с ним автолокализованной дырки. Впервые получены данные о существовании в широкозонных оксидах метастабильного оптического поглощения, возникающего при оптических переходах электрона, релаксированного в наинизшее возбужденное триплетное состояние Р-центра. Показано, что это переходы в более высоколежащие синглетные состояния Р-центра. 7.

Практическая ценность:

1. Использование ориентационных эффектов в эволюции ЭВ низкосимметричного кристалла ВеО перспективно для создания детектирующих сред, избирательных к направлению падения регистрируемого излучения, элементов памяти с оптической записью информации.

2. Установленная природа создания и распада комплекса «околоцинковых» ЭВ является основой для целенаправленной модификации люминесцентно-оптических свойств широкозонных диэлектриков методом косвенной активации.

3. Выявленные каналы перекачки энергии в условиях нескольких конкурирующих процессов актуальны для повышения стабильности ТЛД-дозиметров с Р-центрами и оптических матриц излучателей с инверсной заселенностью.

Автор защищает:

1. Существование в кристаллах ВеО ориентационных эффектов в динамике электронных возбуждений: а) наличие перекрестного ветвления процессов релаксации ЭВб) наличие выделенного направления миграции ЭВ — направления оптической оси С.

2. Явление расщепления триплетных возбужденных состояний автолокализованных экситонов двух неэквивалентных пространственных конфигураций.

3. Условия формирования и структуру связанного экситона малого радиуса в кристаллах Ве0−2п. Закономерности локализации носителей заряда, связанных с ионами цинка.

4. Природу метастабильного оптического поглощения возбужденного триплетного состояния Б-центра. 9.

Выводы к главе 5.

1. Методом люминесцентной и абсорбционной спектроскопии с временным разрешением исследованы процессы релаксации электронных возбуждений в кристаллах ВеО с собственными и примесными дефектами кристаллической решетки.

2. Систематизированы проявления «околоцинкового» экситона малого радиуса в люминесценции и транзитном оптическом поглощении кристаллов ВеО-2п. Установлены общие, черты и различия таких экситонов и АЛЭ, обусловленные особенностями электронной структуры кристаллов Ве0−2п. Сформулированы необходимые условия образования связанного с цинком экситона малого радиуса.

3. Впервые обнаружено метастабильное оптическое поглощение электронных 2п±центров, определены температурные диапазоны процессов аннигиляции пространственно коррелированных дырочных центров и 7п±центров (110 К), рекомбинации пространственно более разделенных дырочных ([2п]±) и электронных {Ъп±) пар (160 К), термической делокализации электронов с 2п±центров (310 К).

4. Показано, что высокая вероятность пространственной корреляции дырочных центров и 2п±центров свидетельствует в пользу возможности автолокализации дырок. Показано, что создание коррелированных электронно-дырочных пар, образующих экситоноподобное состояние, не является исключительным свойством.

118 оксида бериллия, а присуще многим широкозонным диэлектрикам с различной степенью симметрии кристаллической решетки и может быть обнаружено в новых перспективных сложных широкозонных материалах.

5. Впервые обнаружены оптические переходы из возбужденного триплетного состояния F-центра. Показано, что эти переходы осуществляются в более высоколежащие синглетные состояния F-центра и определяются правилами отбора, аналогичными стационарному поглощению и излучательной релаксации триплетных F-центров.

6. Изучение температурных зависимостей люминесцентных свойств аддитивно-окрашенных кристаллов ВеО позволило выявить термоактивированные каналы передачи энергии между релаксированными ЭВ и F-центрами, что является практически значимым с точки зрения ТЛД-дозиметрии.

7. Проведен комплексный анализ влияния примесей и дефектов решетки на процессы динамики собственных ЭВ, установлено отличие таких процессов для кристаллов с электронными и дырочными центрами окраски.

8. Проанализированы спектрально-кинетические ' и температурные свойства наиболее «длинных» компонентов ТОП ВеО. Показан дырочный характер центров, ответственных за эти компоненты. Выдвинута гипотеза о принадлежности этих компонентов автолокализованным дыркам.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В широком спектральном и временном диапазоне с привлечением комплекса экспериментальных методов ориентационной люминесцентной и абсорбционной спектроскопии с временным разрешением при использовании различных источников возбуждения изучены процессы релаксации электронных возбуждений в кристаллах оксида бериллия. Анализ полученных результатов позволяет сформулировать следующие выводы:

1. Для кристаллов ВеО обнаружено наличие ветвления в релаксации электронных возбуждений, проявляющегося как в образовании, так и излучательном распаде автолокализованных экситонов двух конфигураций.

2. Показано, что один из каналов релаксации электронных возбуждений предположительно реализуется в виде короткоживущего дефекта, совпадающего по своим спектрально-кинетическим признакам с Р±центром.

3. Обнаружено выделенное направление миграции свободных экситонов — направление оптической оси С.

4. Обнаружено расщепление возбужденных триплетных состояний автолокализованных экситонов. Проанализирован спектр оптического поглощения этих состояний. Показано, что трехполосная структура этого спектра соответствует короткоживущему поглощению триплетных автолокализованных экситонов.

5. В кристаллах ВеО-2п обнаружено и интерпретировано метастабильное оптическое поглощение связанных с цинком экситонов малого радиуса. Сформулированы необходимые условия для образования «околоцинкового» экситона малого радиуса.

6. Обнаружено и детально изучено наведенное поглощение 2п±центров в кристаллах ВеО-2п. Выделены электронные и дырочные полосы поглощения. Интерпретировано три температурных стадии разрушения 2п±центров.

7. Обнаружено явление существования пространственно коррелированных электронно-дырочных пар в кристаллах ВеО-2п. Подтвержден факт автолокализации дырок путем обнаружения их эффективной рекомбинации со своим генетическим партнеромэлектроном, локализованном на ионе.

8. Впервые получены данные о существовании в широкозонных оксидах метастабильного оптического поглощения, возникающего при оптических переходах электрона, релаксированного в наинизшее возбужденное триплетное состояние Б-центра. Интерпретированы оптические переходы между синглетными и триплетными возбужденными состояниями.

Наиболее полно результаты диссертации отражены в статьях.

116], [118−120].

Автор искренне признателен своему научному руководителю, профессору A.B. Кружалову, за всестороннюю и постоянную поддержку.

Огромное спасибо за колоссальную помощь в работе хочется сказать моим научным консультантам: с. н. с. C.B. Горбунову и доценту.

B.Ю. Иванову с пожеланием им скорейших защит докторских диссертаций.

За участие в экспериментах и обсуждении результатов благодарен профессорам В. Ю. Яковлеву и В. А. Пустоварову, к. ф.-м. н.

C.B. Кудякову.

За участие и постоянную дружескую поддержку спасибо профессорам А. Б. Соболеву и Б. В. Шульгину, доцентам B.JI. Петрову, А. Ю. Кузнецову, С. Ю. Соковнину, ассистентам О. Б. Мильдеру и О. В. Рябухину.

А также автор благодарен всем своим родственникам, друзьям и подругам (в особенности одной — единственной и любимой).

Показать весь текст

Список литературы

  1. РашбаЭ.И. Автолокализация экситонов // Экситоны. М.: Наука, 1985.С.385−424.
  2. Л.Д. О движении электронов в кристаллический решетке! Собрание трудов. Т.1. М.: Наука, 1969. С.90−91.
  3. Я.И. О поглощении света и прилипании электронов и положительных дырок в кристаллических диэлектриках // ЖЭТФ. 1936. Т.6. N.5. С.647−655.
  4. Peierls R. Zur Theorie der Absorptionspektren festen Korper //Ann. Phys. 1932. V.13. N 5. S.905−952.
  5. A.C. Теория поглощения света в молекулярных кристаллах. Киев: Изд. АН УССР, 1951. 176 с.
  6. Э.И. Теория сильного взаимодействия электронных возбуждений с колебаниями решетки в молекулярных кристаллах // Опт. и спектр. 1957. Т.2. N.I. С.75−87, 88−98.
  7. С.И. Исследования по электронной теории кристаллов. М.:ГИТТЛ, 1951.256 с.
  8. Frenkel J.I. On the transformation of light into heat in solids // Phys.Rey. 1931. V.37. N.I. P. 17−39.
  9. Дж. Поляроны // Поляроны. М.:Наука, 1975. С. 13−206.
  10. П.С., Клингер М. И. Квантовая теория явлений электронного переноса в кристаллических полупроводниках. М.:Наука, 1976. 480 с. 1. Castner T.G., Kanzig W. The electronic structure of V-centers // J.Phys.Chem.Sol. 1957. V.3. N.3−4. P. 178−199.
  11. Druger S.D., Knox R.S. Theory of trapped-hole centers in rare-gas solids // J. Chem. Phys. 1969. V.50. N.8. P.3143−3153.
  12. И.М., Пекар С.И. Экситоны в ионных кристаллах123
  13. Докл. АН СССР. 1952. Т.83. N.6. С.825−828.
  14. Г. Теория экситонов в кристаллах // УФЫ. 1959. Т.68. N4. С.565−619.
  15. К.Б. Физика щелочно-галоидных кристаллов / под ред. К. К. Шварца. Рига: Латв. ун-т. 1962.С. 15−31.
  16. Kabler M.N. Low-temperature recombination luminescence in alkali halide crystals // Phys.Rev. 1964. V. A136. N.5. P. 1296−1302.
  17. Э.Д., Лусис Д. Ю., Чернов С. А. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-галоидных кристаллов. Рига, Зинатне, 1979. 243 с.
  18. И.Л., Лийдья Г.Г, Лущик Ч. Б. Люминесценция свободных и автолокализованных экситонов в ионных кристаллах // (Труды ИФ АН ЭССР. 1976.Т.46.С.5−81.
  19. С.П. Свободные и автолокализованные квазичастицы в кристаллах // Труды ИФ АН ЭССР, 1976.Т.46.С.143−169.
  20. Cho К. ToyozawaY. Exciton-phonon interaction in optical spectra -self-trapping, zero-phonon line and phonon side bands // J.Phys. Soc.Jpn. 1971. V.30.N6. P. 1555−1574.
  21. Sumi H., ToyozawaY. Urbach-Martienssen rule and exciton trapped momentary by lattice vibration // J.Phys.Soc.Jpn. 1971. V.31. N 2. P.342−358.
  22. Sumi H. Exciton-phonon interaction in coherent potential approximation with application to optical spectra // J.Phys.Soc.Jpn. 1972. V.32. N 3. P.616−628.
  23. Toyozawa Y. Symmetry breaking excitonic instabilities in deform-able lattices // Proc. of the 16 Internat. Conf. of the Phys. Semiconduct. Montpllier 1982. P.l. P.23−29.
  24. В.В., Шерман А. В. Горячая люминесценция автолокализующихся экситонов // ФТТ. 1980. Т22. N 11. С. 3254−3262.
  25. Subi H. Phase diagram of the exciton in the phonon field // J.Phys. Soc.Jpn. 1977. V.43. N.4. P. l286−1294.
  26. Kabler M.N., Patterson D.A. Evidence for a triplet state of the self-trapped exciton alkali halide crystals // Phys.Rev.Lett. 1967. V.19. N.ll. P.652−654.
  27. Williams R., Kabler M.N. Excited state absorption spectroscopy of self-trapped exciton in alkali halides // Phys.Rev.B. 1974. V.9. N.4. P. 18 971 907.
  28. Block D., Wasiela A., Merle d’Anbique Y. ENDOR of self-trapped exciton in KC1 // J.Phys.C: Solid State Phys. 1978. V.ll. P.4201−4211.
  29. Marrone M.J., Patten F.W., Kabler M.N. EPR in triplet states of the self-trapped exciton // Phys.Rev.Lett. 1971.V.3 N.7. P.467−471.
  30. Ч.Б., Лущик А. Ч. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах. М.:Наука. Гл. ред. физ.-матлит., 1989.264 с.
  31. Eshita Т., Tanimura К., Itoh N., Nishimura Н. Two slowly decaying luminescence bands in alkali iodides // J.Phys.Soc.Japan.1985. V.54.N.11. P.4418−4430.
  32. Ohata Т., Hayashi Т., Koshmo S. .Decay times of intrinsic luminescence in Rbl // J.Phys.Soc.Japan. 1987. V.56. N. l 1. P.4194−4195.
  33. Mirayama K., Mozigaki K., Sakuragi S. et al. Optically detected ESR of the excited states in silver halides // J.Phys.Soc. Japan. 1976. V.41. N.5. P. L617−1624.
  34. Time resolved spectroscopic study on the type I self-trapped excitons in alkali halide crystals. I. Emission spectra and decay behavior / Matsumoto Т., Kawata Т., Miyamoto A., Kan’no K. // J.Phys.Soc.Jpn. 1992. V.61. N. l l. P.4229−4241.
  35. Time resolved spectroscopic study on the type I self-trapped excitons in alkali halide crystals. II. Excitation spectra and relaxation125processes 7 Matsumoto Т., Shirai M., Kan’no K. // J.Phys.Soc.Jpn. 1995. V.64. N.3. P.987−1001.
  36. A. P., Трухин A.H. Точечные дефекты и элементарные возбуждения в кристаллическом и стеклообразном Si02. Рига:3инатне, 1985.244 с.
  37. А.И., Абрамов В. Н., Роозе Н. С. и др. Автолокализованные экситоны в Y2O3 //Письма в ЖЭТФ. 1978. Т.28. N.10. С.652−655.
  38. А.И., Абрамов В. Н., Уйбо Т. В. Рентгенолюминесцентные и термолюминесцентные проявления автолокализованных экситонов в У20з и р~Оа2Оз // Опт. и спектр. 1985. Т.58. N.3, С.603−606.
  39. Люминесценция автолокализованных экситонов в а-А1203 / Кулис П. А., Рачко З. А., Спрингис М. Е. и др. // Тез. докл. Всесоюзн. Конф. по физике вакуумного ультрафиолета и его взаимодействию с веществом. Рига: Изд-во Латв. ГУ. 1986. С. 53.
  40. А.И., Намозов Б. Р., Мюрк В. В. Релаксированные электронные возбуждения в А12Оэ, Y3A15012, YA103 // ФТТ. 1985. Т.27. N•10. С. 3030−3037.
  41. Релаксация электронных возбуждений в оксиде бериллия: 1. Автолокализованные экситоны / Иванов В. Ю., Пустоваров В. А., Горбунов С. В., Кружалов А. В. // ФТТ. 1994. Т.36. N.9. С.2634−2647.
  42. Tanimura K., Itoh N., Itoh C. Lattice relaxation induced by126electronic excitation in A1203 // J.Phys.CrSolid State Phys.1986. V.19 N.35. P.6887−6892.
  43. Кузнецов А.И.,. Куусман И.JI. Собственная коротковолновая люминесценция оксидов металлов // Изв. АН СССР (серия физическая). 1985. Т.49. N.10. С.2026−2031.
  44. Hayes W., Kane M.J., Salminen О. et al. ODMR of recombination centres in crystalline quartz // J.Phys.C.: Solid State Phys. 1984. V.17. N.16 P.2943−2951.
  45. Hayes W., Kane M.J., Salminen O. et al. An ODMR study of exciton trapping in Y203 and A1203 // J.Phys.C.: Solid State Phys. 1984. V. 17. N.14 P.1383−1387.
  46. Tanimira Т., Halliburton L.E. Polarization of the X-ray-induced blue luminescence in quartz // Phys.Rev.B. 1986. V.34. N.4. P.2933−2935.
  47. Griscom D.L. Defects in amourphus insulators // J. Non-crystalline Solids. 1978. V.31. N.2. P.241−266.
  48. A.P., Скуя Л. Н., Шендрик A.B. Радиационные собственные дефекты в стеклообразном кремнеземе: немостиковый кислород // Физ. и хим. стекла. 1978. Т.4. N.4. С.405−410.
  49. .П. Исследование короткоживущих дефектов в оксидах при импульсном электронном облучении.: Дисс. .канд. физ.-мат. наук. Томск. 1981. 195 с. (Томский политехнический институт)
  50. Э.Х., Лущик Ч.Б, Куусман И. Л. Сосуществование связанных с дефектами экситонов большого и малого радиусов в твердых телах // Письма в ЖЭТФ. 1984. Т.39 N.2. С.54−56.
  51. Я.А., Лацис И. Э., Рачко З. А. и др. Люминесценция кристаллов MgO и СаО с изоэлектронными примесями // Точечные дефекты и люминесценция в кристаллах окислов. Рига: Изд-во Латв.ГУ. 1981. С.59−82.
  52. Jansons J.L., Kulis Р.А., Rachko Z.A. et al. Luminescence of Ga-doped a-Al203 crystals // Phys.Stat.Solidi (b).1983. V.120. N.2. P.511−518.127
  53. С. А., Алукер Э. Д. Механизм возбуждения сцинтилляций в детекторах на основе щелочно-галоидных кристаллов // Твердотельные детекторы ионизирующих излучений: труды симпозиума ТТД-97. Екатеринбург. УГТУ. 1998. С. 30−36.
  54. Р.А. Окись бериллия. М.: Атомиздат 1980.221 с.
  55. Smith D.K., Newkirk H.W., Kahn J.S. Crystal structure and polarityof beryllium oxide // J.Electrochem.Soc. 1964. V. l 1. N.l.P .78−87.
  56. Austerman S.B. Growth and properties of beryllium oxide single crystals // J.Nucl.Mater. 1964. V. 14. N.3. P.225−236.
  57. Условия выращивания, строение и спектрально-люминесцентные свойства кристаллов ВеО / Маслов В. А., Рылов Г. М., Мазуренко В. Г. и др. // Тез.докл. 6 Междунар.конф. по росту кристаллов. М.:Изд-во ИК АН СССР. 1980. Т.2. С. 268.
  58. С.В., Кружалов А. В., Мазуренко В. Г. Аномальная теплоемкость ВеО // ФТТ. 1980. Т.22. N.10. С.3169−3171.
  59. Cline C.F., Dunegan H.L., Henderson G.W. Elastic constants of hexagonal BeO, ZnS and CdSe // J.Appl.Phys. 1967. V.38. N.4. P.1944−1948.
  60. H., Генри P. Электронные процессы в ионных кристаллах. М.:Иностр.лит-ра. 1950. 320 с.
  61. Newkirk H.W., Smith D.K., Kahn .L.S. Synthetic bromellite. Some optical properties//J.American Mineralogist. 1966 .V.51. N. l-2. P. 141−150.
  62. Yong-Xiang Xu, Ching W.Y. Electronic, optical and structural properties of some wurzite crystals // Phys.Rev.B. 1993. V.48. N.7. P.4335−4351.
  63. Philips J.C. Ionicity of the chemical band in crystals // Rev. Modern Phys. 1970. V.42. N.3. P.317−356.
  64. Pauling L. The nature of the chemical bond. New York: Cornell University Press. 1960. 91 p.
  65. Van Vechten J.A. Quantum dielectric theory of electronegativity in covalent systems. Ionization potentials and interband transition energies // Phys.Rev. 1969. V.187. N.3.P.1007−1024.128
  66. Jeffrey G.A., Parry G.S., Mozzi R.L. Study of the wurtzite-type binary compounds. Structures of aluminium nitride and beryllium oxide // J.Chem.Phys. 1956. V.25. N.5. P.1024−1032.
  67. O’Sullivan W. Study of the wurtzite-type binary compounds. .Valence band structure of BeO // J.Chem.Phys. 1959. V.30 .N.2. P.379−383.
  68. Chang K.J., Froyen S., Cohen M.L. The electronic band structures for zincblende and wurtzite BeO // J.Phys.C: Solid State Phys. 1983. V.16. N.18. P.3475−3480
  69. Chang K.J., Cohen M.L. Theoretical study of BeO: structural and electronic properties // Solid State Commun. 1984. V.5 N.6. P.487−491.
  70. И.В., Колобанов B.H., Михайлин B.B Электронная структура окиси бериллия // Вестиик МГУ.Сер.З. Физика. Астрономия. 1987. Т.28. N.4. С.67−72.
  71. А.Н., Топорнин К. Б., Эварестов Р. А. Локальные центры в кристалле окиси бериллия // Опт. и спектр. 1980. Т.48. N.2. С.277−282.
  72. Powell C.J. The origin of the characteristic electron energy losses in ten elements // Proc.Phys.Soc. 1960. V.76. N.491. Pt.5. P.413.
  73. Shall C.A., Walter J.A. Covalent and ionic models for the electric field gradient in BeO // J.Phys.C: Solid State Phys. 1969. V. 2. N.2. P.2301−2309.
  74. Mitiko M., Huromu M., Shiro Y. Ionicity scale and piezoelectricity of crystals with zink-blende and wurtzite-type structure // J.Phys.Chem.Sol. 1981. V.42. N.10. P.931−936.
  75. B.A., Шульгин Б. В., Кружалов A.B. и др. Моделирование электронного строения бериллийсодержащих кристаллов // Точечные дефекты и люминесценция в кристаллах окислов. Рига: Изд-во Латв. ГУ, 1981. С.23−46.
  76. А.П., Брытов И. А. Исследование энергетической129структуры Be и ВеО методом ультрамягкой рентгеновской спектроскопии // ФТТ. 1964. Т.6. N.l. С.43−53.
  77. В.А. Рентгеновские спектры и энергетические схемы ВеО и BN// ФТТ. 1971. Т. 13. N.3. С.907−909.
  78. Roessler D.M., Walker W.C., Loh Е. Electronic spectrum of crystalline beryllium oxide // J.Phys.Chem.Sol. 1969. V.30. N.l. P. 157 167.
  79. O.M., Бланк B.A. Оптические свойства и фотоэмиссия MgO и ВеО в области энергий фотонов 6−40 эВ // Опт. и спектр. 1976. T.41.N.2. С.278−283.
  80. Watanabe Н.Е. On the velocity analysis of electrons scattered by thin foils // J.Phys.Soc.Jpn. 1954. V.9. N.6. P.920−928.
  81. Hamrin K., Johansson G., Gelius U. et al. Valence bands and core levels of the isoelectronic series LiF., BeO, BN and graphite studied by ESCA //Physica Scripta. 1970. V.l. N.5−6 .P.277−280.
  82. Электронные возбуждения и радиационные дефекты в окислах шелочно-земельных металлов / Лущик Ч. Б., Куусман И. Л., Кярнер Т. Н. и др. // Радиационно-стимулированные явления в кислородосодержащих кристаллах и стеклах. Ташкент: ФАН. 1978. С.3−15.
  83. Albrecht Н.О., Mandevill С.Е. The luminescence of beryllium oxide // Phys.Rev. 1956. V.94. N.3. P.776−777.
  84. Albrecht H.O., Mandevill C.E. Storage of energy in beryllium oxide // Phys.Rev. 1956. V.101. N.4. P.1250−1252.
  85. Uchida Y., Matsui E., Nakagawa M. Cathodoluminescence of beryllium oxide and its related compounds // J.Phys.Soc.Jpn. 1962. V. l7. N.12. P 1904−1905.
  86. В.Ю., Фельдбах Э. Х., Горбунов C.B. и др. Низкотемпературная катодолюминесценция экситонов в оксиде бериллия // ФТТ. 1988. Т.ЗО. N.9. С.2728−2733.
  87. А.В. Электронные возбуждения, люминесценция и130дефекты в оксиде бериллия и сложных оксидных материалах: Дисс. .доктора физ.-мат. наук в виде научного доклада. Екатеринбург. 1992. 48 с. (Уральский государственный технический университет-УПИ).
  88. В.Ю. Электронные возбуждения и люминесценция в кристаллах оксида бериллия: Дисс. .канд. физ.-мат. наук. Свердловск. 1989. 178 с. (Уральский политехнический институт).
  89. C.B. Автолокализованные электронные возбуждения в кристаллах оксида бериллия: Дисс. .канд. физ.-мат. наук. Екатеринбург. 1997. 130 с. (Уральский государственный технический университет).
  90. Нестационарное оптическое поглощение двух типов автолокализованных экситонов в кристаллах оксида бериллия / Горбунов C.B., Кудяков C.B., Яковлев В. Ю., Кружалов A.B. // ФТТ. 1996. T.38.N.4. С.1298−1301.
  91. C.B. Центры окраски в кристаллах оксида бериллия: Дисс. .канд. физ.-мат. наук. Свердловск. 1986. 209 с. (Уральский политехнический институт).
  92. И.Н., Кружалов A.B., Маслов В. А. Люминесценция и парамагнитные центры в кристаллах BeO-Zn // ЖПС. 1988. Т.49. N.1. С.134−136.
  93. В.Ю., Анцыгин И. Н., Горбунов C.B., Кружалов A.B. и др. Особенности электронных возбуждений в кристаллах BeO-Zn // Опт. и спектр. 1988. Т.64. N.4 С.945−947.
  94. И.Н., Иванов В. Ю., Кружалов A.B. Спектрально-люминесцентные свойства ' кристаллов оксида бериллия, активированных цинком // ЖПС. 1991. Т.54. N.4. С.605−610.
  95. И.Н. Радиационные дефекты в кристаллах оксида бериллия: Дисс. .канд. физ.-мат. наук. Свердловск. 1990. 127 с. (Уральский политехнический институт).131
  96. Релаксация электронных возбуждений в оксиде бериллия: 2. Релаксация экситонов на изовалентных примесях / Иванов В. Ю., Пустоваров В. А., Горбунов C.B., Кудяков C.B., Кружалов A.B. // ФТТ. 1996. Т.38. N.11. С. 3333−3342.
  97. В.А. Исследования условий выращивания и свойств кристаллов оксида бериллия: Дисс. .канд. техн. наук. Свердловск. 1981. 167 с. (Уральский политехнический университет).
  98. Growth of ВеО monocrystals from solution-melt by Czochralski-Kiropulos method // International union of crystalography: XV Congress and General Assembly. Bordeaux. 1990. PS-13.03.02.
  99. Выращивание монокристаллов оксида бериллия и их физико-химические свойства / Маслов В. А., Кружалов A.B., Гиниятуллин К. Н. и др. // Химия твердого тела: Межвуз. сб. Свердловск. Изд. УПИ. 1980. С.99−105.
  100. Moller Т., Zimmerer G. Time resolved spectroscopy with synchrotron radiation in the vacuum ultraviolet // Physica Scripta. 1987. V. T17. P.177−185.
  101. В.Ю. Закономерности создания короткоживущих радиационных дефектов в ЩГК: Дисс. .доктора физ.-мат. наук. Екатеринбург. 1996. 243 с. (Уральский государственный технический университет).
  102. Мощные наносекундные импульсные источники ускоренных электронов. Под ред. Г. А. Месяца. Новосибирск. 1974. 137 с.
  103. Feldbach Е., Laash W., Varding D., Zimmerer G. Excitons in ВеО // Phys.Stat.Solidi (B). 1992. V.170. N.2. р.623−630.
  104. А.П., Кружалов А. В., Саар М.-Э. Перенос энергии в монокристаллах ВеО при облучении ультрамягким рентгеновским излучением //ФТТ. 1982. Т.24. N.6. С.1900−1901.
  105. Короткоживущее оптическое поглощение автолокаЛизованных дырок в кристаллах оксида бериллия / Горбунов С. В., Кудяков С. В., Яковлев В. Ю., Кружалов А. В. // ФТТ. 1996. Т.38. N.l. С.214−219.
  106. A.B., Лобач В. А., Огородников И. Н. и др. Оптические свойства локализованных электронов и дырок в гексагональных оксидных диэлектриках ВеО с примесями Li, В, Al, Zn // ЖПС. 1989. Т.51. N.6. С.997−1001.
  107. И.Н., Иванов В. Ю., Кружалов А. В. Новый парамаг штный центр в оксиде бериллия.// ЖТФ. 1988. Т.58. В.З. С.635−637.
  108. А.В., Огородников И. Н., Кудяков С. В. Излучательная релаксация низкоэнергетических электронных возбуждений и точечные дефекты в оксиде бериллия // Изв.ВУЗов. Физика. 1996. N.11. С.76−93.
  109. В. Henderson, J.E. Wertz. Defects in alkaline earth oxides with applications to radiation damage and catalysis. Tayloranf Francis, London (1977). 159 p.
  110. Luminescence excitation of color centers in beryllium oxide / Gorbunov S.V., Ivanov V.Yu., Kruzhalov A.V., Pustovarov V.A., Shulgin B.V. //Nucl.Instr.Meth.Phys.Res. 1987. V. A261. P. 148−149.133
  111. Gorbunov S.V., Kruzhalov A.V., Springis M.J. Optical Properties of the F-centre in beryllium oxide // Phys.Stat.Sol.(B) V.141. P.293−301.
  112. C.B., Баутин K.B., Яковлев В. Ю., Кружалов А. В. Метатстабильное оптическое поглощение релаксированных электронных возбуждений в кристаллах BeO-Zn // ФТТ. 1999. Т.41. N.4. С.601−605.
  113. И.Н. Термоактивационные рекомбинационные процессы и люминесценция в кристаллах оксида бериллия: Дисс. .канд. физ.-мат. наук. Свердловск. 1988. 184 с. (Уральский политехнический институт).
  114. Exciton dynamics and energy transfer in beryllium oxide crystals with defects / Bautin K.V., Kudyakov S.V., Ogorodnikov I.N., Kruzhalov A.V., Yakovlev V.Yu. // J.Lum. 1998. V.76−77. P.467−469.
  115. K.B., Плаксин Ф. Г., Кузин E.B. Оптические проявления релаксированных электронных возбуждений в кристаллах оксида бериллия // Межвузовский сборник научных трудов «Проблемы спектроскопии и спектрометрии». Екатеринбург. Изд.УГТУ. 1999. С.3−6.
  116. Behavior of trapped electronic excitations in oxide crystals / Gorbunov S.V., Bautin K.V., Kudyakov S.V., Kruzhalov A.V., Ivanov V.Yu., Yakovlev V.Yu. //Rad.Eff.&Def. 1999. V.150. P.95−101.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!