Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Оптическая регистрация микроволновых резонансов в низкоразмерных полупроводниковых структурах, полученных в результате самоорганизованного роста

Диссертация: Оптическая регистрация микроволновых резонансов в низкоразмерных полупроводниковых структурах, полученных в результате самоорганизованного роста
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Исследованы рекомбинационные процессы в системе CsBr: Pb, в которой в результате самоорганизованного роста образовались нанокристаллы СэРЬВгз с размерами порядка 6 нм, встроенные в решетку CsBr. Обнаружено излучение микрои нанокристаллов СэРЬВгз в туннельном послесвечении и фотостимулированной люминесценции. Туннельное послесвечение обусловлено туннельной рекомбинацией электронных и дырочных… Читать ещё >

Оптическая регистрация микроволновых резонансов в низкоразмерных полупроводниковых структурах, полученных в результате самоорганизованного роста (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Введение. I. Обзор литературы
    • 1. 1. Исследования щелочно-галоидных кристаллов
    • 1. 2. Исследования микро- и нанокристаллов, встроенных в кристаллическую матрицу галогенидов цезия
    • 1. 3. Исследования систем с квантовыми ямами и квантовыми точками на основе InAs/GaAs. 16 1.4 Цели работы
  • II. Методика эксперимента
    • 2. 1. Метод оптического детектирования магнитного резонанса (ОДМР)
    • 2. 2. Установка ОДМР
    • 2. 3. Спектрометр ЭПР
    • 2. 4. Гелиевая станция
    • 2. 5. Приготовление образцов
      • 2. 5. 1. Приготовление образцов KBr: AgBr
      • 2. 5. 2. Приготовление образцов CsBr: Pb и KBrrAg
      • 2. 5. 3. Приготовление образцов InGaAsN/GaAs и InAs/GaAs
  • III. Конфайнмент электронно-дырочной рекомбинации в самоорганизованных нанокристаллах AgBr в кристаллической матрице КВг
    • 3. 1. Экспериментальные результаты
    • 3. 2. ОДМР при различной микроволновой мощности и частоте модуляции
    • 3. 3. Обсуждение результатов
      • 3. 3. 1. ОДМР обменно-связанных донорно-акцепторных пар
      • 3. 3. 2. Изменения ОДМР при изменении длины волны регистрации, 44 микроволновой мощности и частоты модуляции
      • 3. 3. 3. Форма линий ОДМР обменно-связанных пар в объемном 45 кристалле
      • 3. 3. 4. Оценка размеров нанокристаллов AgBr
  • IV. Исследование направленного переноса энергии электронно-дырочной рекомбинации от ионной кристаллической матрицы к самоорганизованным нанокристаллам
    • 4. 1. Экспериментальные результаты
    • 4. 2. Обсуждение результатов
  • V. ОДМР в квантовых ямах InGaAsN/GaAs и квантовых точках 61 InAs/GaAs
    • 5. 1. Экспериментальные результаты
    • 5. 2. Обсуждение результатов

Настоящая работа посвящена исследованию рекомбинационных процессов в низкоразмерных полупроводниковых системах, полученных в результате самоорганизованного роста. Объектами исследования являются квантовые точки или микрокристаллы, образовавшиеся внутри щелочно-галоидного кристалла на основе самоорганизованного роста, а также полупроводниковые структуры на основе арсенида галлия с квантовыми ямами и квантовыми точками. Исследования проведены методами радиоспектроскопии и оптической спектроскопии.

Исследования систем пониженной размерности в последнее время получили широкое распространение. Создание одиночных и периодически повторяющихся потенциальных ям путем комбинации материалов, имеющих различные энергии запрещенной зоны и пространственные размеры, ограничивающие движение электронов и дырок, позволило получить новые твердотельные структуры с уникальными оптическими и электронными свойствами. Изучение эффектов, связанных с пространственным ограничением и смешиванием волновых функций носителей, и других особенностей поведения носителей в полупроводниковых наноструктурах, крайне важно для разработки нового поколения полупроводниковых приборов.

В напряженных гетеросистемах существуют механизмы, приводящие к самоорганизованному росту ориентированных микрои нанокристаллов, встроенных в решетку объемного материала (матрицы). Особый интерес представляют полупроводниковые наноструктуры, в которых квантовый эффект пространственного ограничения (конфайнмента) носителей и экситонов приводит к высокой эффективности излучения. Эти явления могут быть использованы при создании различных оптических систем для квантовой электроники, а также являются перспективными при разработке оптических материалов, применяемых в компьютерной рентгеновской радиографии (X-ray storage phosphors). Встроенные нанокристаллы имеют значительно меньшую ширину запрещенной зоны по сравнению с матричным кристаллом, поэтому системы таких нанокристаллов могут рассматриваться как массивы ориентированных квантовых точек. Одним из перспективных технологических процессов создания низкоразмерных структур типа квантовых точек и нанокристаллов является их самоорганизованный рост.

Радиоспектроскопия — электронный парамагнитный резонанс (ЭПР) и основанные на ЭПР методы — является спектроскопией на уровне микрои нано-электронвольт. То есть это очень тонкий инструмент для изучения малых расщеплений энергетических уровней различных систем под действием внешнего магнитного поля, а также воздействий внутри исследованных систем. Метод ЭПР является основным при определении электронной структуры различных дефектов и возбуждений в полупроводниках.

Однако, вследствие сравнительно низкой чувствительности традиционного метода ЭПР, исследования систем пониженной размерности этим методом широкого распространения не получили. В низкоразмерных системах количество исследуемых парамагнитных центров значительно ниже, чем в объемных кристаллах тех же размеров, что затрудняет исследование методами традиционной радиоспектроскопии из-за их недостаточной чувствительности.

Оптические методы обладают намного большей чувствительностью и пространственной селективностью, но их разрешение и возможность получить структурную информацию о дефекте на микроскопическом уровне не могут сравниться с методами радиоспектроскопии.

Достоинства ЭПР и оптики удалось совместить в методе двойного микроволново-оптического резонанса — оптически детектируемом магнитном резонансе (ОДМР). Метод ОДМР на сегодняшний день зарекомендовал себя как эффективный инструмент для исследований в области физики полупроводников и твердого тела, позволяющий получить детальную информацию об электронной структуре дефектов и экситонов. Высокая чувствительность, хорошее разрешение и пространственная избирательность позволяют использовать метод ОДМР для изучения дефектов, носителей и экситонов в квантовых ямах, сверхрешетках, квантовых точках и нанокристаллах. Метод ОДМР представляет особый интерес для исследования влияния эффектов пространственного ограничения на физические характеристики носителей, экситонов и рекомбинационных процессов.

В диссертационной работе представлены результаты исследований трех принципиально различных типов наноструктур.

1. Исследование методом оптически детектируемого магнитного резонанса (ОДМР) рекомбинационных процессов, происходящих в самоорганизованных микрои нанокристаллах AgBr, внедренных в кристаллическую матрицу КВг. Галогениды серебра AgCl и AgBrнепрямозонные полупроводники, которые обладают уникальными оптическими свойствами (образование скрытого изображения), способствующими их широкому применению в фотографии. Ориентированные нанокристаллы галогенидов серебра, образующиеся в результате самоорганизованного роста в матрице ионных щелочно-галоидных кристаллов, являются полезными модельными объектами для исследования эффектов пространственного ограничения носителей методами радиоспектроскопии, так как электронные и дырочные центры, а также локализованные экситоны в объемных кристаллах AgCl и AgBr изучены детально. Эффекты пространственного ограничения (конфайнмента) носителей являются характерной особенностью низкоразмерных полупроводниковых систем.

2. Исследование методом ОДМР нанокристаллов СэРЬВгз, образовавшихся в кристаллической матрице CsBr в результате самоорганизованного роста. Исследования проводились методом оптической регистрации магнитных резонансов рекомбинирующих центров и экситонов по туннельному послесвечению (ТП) и фотостимулированной люминесценции (ФСЛ). V.

3. Исследования методами ОДМР и оптически детектируемого циклотронного резонанса (ОДЦР) наноструктур на основе арсенида галлия: с квантовыми ямами InGaAsN/GaAs и квантовыми точками InAs/GaAs, перспективными для создания лазеров в ИК области 1.3 мкм. Полупроводниковые структуры с квантовыми ямами и квантовыми точками играют важную роль в развитии современной физики полупроводников. Для понимания зонной структуры необходимо измерять и понимать основные параметры, такие как эффективная масса ш* или эффективный g-фактор. Точное экспериментальное определение этих параметров является основополагающим для проверки теоретической модели при расчетах зонной структуры. Электронные свойства самоорганизованных квантовых точек InAs/GaAs представляют особый интерес для создания приборов на их основе: лазерных диодов с длиной волны 1.3 мкм, излучающих в окне прозрачности оптоволокна. Структуры с квантовыми ямами InGaAsN/GaAs с низким содержанием i азота рассматриваются как перспективный материал для создания лазеров с длиной волны 1.3 мкм.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. В нанокристаллах AgBr, образующихся в результате самоорганизованного роста в ионном кристалле КВг, методом оптически детектируемого магнитного резонанса обнаружены эффекты пространственного ограничения (конфайнмента) рекомбинации обменно-связанных донорно-акцепторных пар: ограничение максимального расстояния в рекомбинирующих парах размерами нанокристаллов, и изменение g-фактора мелких электронных центров. На основе анализа обменных взаимодействий определено распределение донорно-акцепторных пар по расстояниям и оценены размеры нанокристаллов.

2. Обнаружен направленный перенос энергии, выделяющейся в процессе спин-зависимой туннельной рекомбинации электронно-дырочных пар и автолокализованных экситонов в ионной кристаллической матрице CsBr к встроенным в матрицу в результате самоорганизованного роста полупроводниковым нанокристаллам СвРЬВгз. Спектры ЭПР рекомбинирующих электронных и дырочных центров в матричном кристалле были зарегистрированы по полосе излучения экситонов в низкоразмерной структуре СэРЬВгз, положение которой определяется размерами нанокристаллов.

3. В неотожженных низкоразмерных структурах с квантовыми ямами InGaAsN/GaAs с низким содержанием азота (2%) обнаружен сигнал ОДМР, приписанный электронам, с аксиальной симметрией: |g|||=3.61, |gi|=0.7. Изучены оптически детектируемый циклотронный резонанс и нерезонансные эффекты влияния микроволнового поля на фотолюминесценцию в структурах с квантовыми точками InAs/GaAs. Сигнал циклотронного резонанса соответствует электронам с эффективной массой 0.07то с циклотронными орбитами, ограниченными в двумерной системе, такой как гетероинтерфейс InAs/GaAs.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы. Во введении кратко обоснованы актуальность темы диссертационной работы, указана научная новизна и практическая значимость, изложены основные положения, выносимые на защиту. В первой главе дан обзор литературы по радиоспектроскопическим исследованиям нанокристаллов и сформулированы цели диссертационной работы. Вторая глава содержит сведения о методике эксперимента.

Заключение

.

1. В системе KBr: AgBr обнаружены микрои нанокристаллы AgBr, образовавшиеся в результате самоорганизованного роста в кристаллах КВг с большой концентрацией примеси AgBr. Показано, что подобно системе KCl: AgCl в матрице КВг образуются как достаточно большие микрокристаллы, сохраняющие свойства объемного AgBr, так и нанокристаллы с существенно иными спектрами люминесценции и ОДМР. Исследованы спектры люминесценции и ОДМР данной системы, а также зависимость ОДМР от длины волны люминесценции, микроволновой мощности и частоты модуляции СВЧ-поля.Установлено, что люминесценция нанокристаллов AgBr в области 500−650 нм обусловлена рекомбинацией обменно-связанных пар локализованная дырка — мелкий электронный центр с распределением расстояний между партнерами, причем максимальное расстояние ограничено размером нанокристалла. Обнаружено увеличение g-фактора мелких электронных центров вследствие эффекта конфайнмента в нанокристалле AgBr. Из анализа формы наблюдаемых сигналов ОДМР проведена оценка размеров нанокристаллов AgBr.

2. Исследованы рекомбинационные процессы в системе CsBr: Pb, в которой в результате самоорганизованного роста образовались нанокристаллы СэРЬВгз с размерами порядка 6 нм, встроенные в решетку CsBr. Обнаружено излучение микрои нанокристаллов СэРЬВгз в туннельном послесвечении и фотостимулированной люминесценции. Туннельное послесвечение обусловлено туннельной рекомбинацией электронных и дырочных центров в матрице CsBr, тогда как фотостимулированная люминесценция обусловлена как туннельной рекомбинацией электронных и дырочных центров, так и образованием автолокализованных экситонов в матрице CsBr. Наблюдение ТП и ФСЛ в полосе излучения нанокристаллов СвРЬВгз, встроенных в матрицу, однозначно свидетельствуют о направленном переносе энергии рекомбинации электронных и дырочных центров в матрице CsBr к нанокристаллам СбРЬВгз. Принципы направленного переноса энергии могут быть эквивалентны процессам, происходящим в биологических фото-системах. Зарегистрирован электронный парамагнитный резонанс электронных F-центров и автолокализованных дырок по туннельному рекомбинационному послесвечению в полосе излучения нанокристаллов СэРЬВгз, что непосредственно подтверждает существование механизма направленного переноса энергии от матрицы к нанокристаллу.

3. С помощью метода ОДМР получен эффективный g-фактор для электронов в неотожженных структурах с несколькими квантовыми ямами с низким содержанием азота (In0.36Gao.64As0.98N0.02). Установлено, что g-фактор анизотропный с аксиальной симметрией, которая описывается двумя параметрами |g|||=|3.61, |gi|=0.7 для магнитного поля, параллельного и перпендикулярного направлению роста, соответственно. Предполагается, что знак g-фактора отрицательный. Из спектральных зависимостей вызванных микроволновым полем изменений интенсивности сигналов люминесценции AI обнаружено, что сигнал люминесценции в обоих неотожженных и отожженных образцах состоит из двух линий, связанных с различными процессами рекомбинации. Установлено, что до отжига у структуры наблюдались свойства, характерные для структуры с квантовыми ямами, но после отжига в структуре произошли изменения, в результате которых она стала подобна структуре с квантовыми точками. Изучены оптически детектируемый циклотронный резонанс и нерезонансные эффекты влияния микроволнового поля на фотолюминесценцию в двух типах структур с квантовыми точками InAs/GaAs: структур с квантовыми точками, образованными в результате осаждения с одним циклом InAs, и структур с вертикально-связанными квантовыми точками. Анизотропный низкополевой сигнал приписывается циклотронному резонансу, соответствующему эффективной массе 0.07шо электронов с циклотронными орбитами, ограниченными в двумерной системе, такой как гетероинтерфейс InAs/GaAs.

В заключение мне бы хотелось выразить огромную благодарность моему научному руководителю П. Г Баранову за направляющее руководство и постановку целей и задач. Неоценимую помощь в течение всей моей научной деятельности оказали Н. Г. Романов и М. В. Музафарова. Также выражаю искреннюю благодарность всем вместе и индивидуально сотрудникам лаборатории микроволновой спектроскопии кристаллов и моим коллегам А. Г. Бадаляну, И. В. Ильину, Г. Р. Асатряну, Р. А. Бабунцу, В. А. Храмцову, С. И. Голощапову, Д. О. Толмачеву и Е. А. Рузановой за полезные рекомендации, моральную поддержку и помощь в проведении экспериментов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. П.Г. Баранов, Ю. П. Вещунов, Р. А. Житников, Н. Г. Романов, Ю. Г. Шретер, Письма в ЖЭТФ 26,5,369 (1977).
  2. T.Tomaru, T. Ohyama, E. Otsuka, Appl. Magnetic Resonance 2,2, 379 (1991).
  3. M.Godlewski, W.M.Chen, B. Monemar, Critical Review in Solid State and Material Sciences 19, 4,241 (1994).
  4. B.C. Cavenett, Phys. Rev. B32,12, 8449 (1985).
  5. R.T. Warburton, J.G. Michels, R.J. Nicholas, J.J. Harris, C.T. Foxon, Phys. Rev. B46,20,13 394 (1992).
  6. D.M. Hofmann, M. Drechsler, C. Wetzel, B.K. Meyer, F. Hirler, R. Strenz, G. Abstreiter, G. Bohm, G. Weimann, Phys. Rev. B52, 75, 11 313 (1995).
  7. Y.F. Chen, Y.T. Dai, J.C. Fan, T.L. Lee, H.H. Lin, Appl. Phys. Lett. 67,9,12 561 995).
  8. П.Г. Баранов, Ю. П. Вещунов, Н. Г. Романов, ФТТ 22,12, 3732 (1980).
  9. Н.Г. Романов, В. А. Ветров, П. Г. Баранов, Письма в ЖЭТФ 37, 7, 325 (1983).
  10. P.G. Baranov, N.G. Romanov, Applied Magnetic Resonance 2,2,361 (1991).
  11. Н.Г. Романов, B.B. Дьяконов, В. А. Ветров, П. Г. Баранов, ФТТ 31, 11, 106 (1989).
  12. П.Г. Баранов, В. А. Ветров, Н. Г. Романов, В. И. Соколов ФТТ 27, И, 3459 (1985).
  13. П.Г. Баранов, В. А. Ветров, Н. Г. Романов, В. Г. Одинг, Письма в ЖТФ 11, 10, 1168 (1985).
  14. П.Г. Баранов, М. Ф. Буланый, В. А. Ветров, Н. Г. Романов, ФТТ 25, 7, 517 (1983).
  15. N.G. Romanov, P.G. Baranov, Semicond. Sci. Technol. 9,5,1080 (1994).
  16. P. Marchetti and R.S. Eachus, Adv. in Photochemistry 17,145 (1992).
  17. M.T. Bennebroek, A. Arnold, O.G. Poluektov et.al., Phys. Rev. B53, 156 071 996).
  18. M.T. Bennebroek, A. Arnold, O.G. Poluektov et.al., Phys. Rev. B54, 11 277 (1996).
  19. Frohlich D., HaselhoffM., Reimann K. and Itoh Т., Solid State Commun. 94, 189−194(1995).
  20. R.C. Brandt and F. C. Brown, Phys. Rev. 181,1241 (1969).
  21. A.P.Marchetti, M.S.Burbery, Phys.Rev. В 43,2378 (1991).
  22. A.P.Marchetti, K.P.Johansson, G.L.McLendon, Phys.Rev. В 47,4268 (1993).
  23. A.Marchetti, P.J.Rodney, W. von der Osten, Phys.Rev. В 64,132 201 (2001).
  24. H.W. van Kesteren, E.C. Cosman, W.A.J.A. van der Pool, and C.T. Foxon, Phys. Rev. B41,5283 (1990).
  25. J.M. Trombetta, T. A. Kennedy, D. Gammon, В. V. Shanabrook, and S. M. Prokes, Mater. Sci. Forum 83−87,1361 (1991).
  26. P.G. Baranov, P. Lavallard, R. Planel, and N.G. Romanov, Superlattices Microstruct. 12,327 (1992).
  27. P.G. Baranov, I.V. Mashkov, N.G. Romanov, P. Lavallard, and R. Planel, Solid State Commun. 87,649 (1993).
  28. P.G. Baranov and N.G. Romanov, in Proceedings of the 22nd International Conference on the Physics of Semicondconductors, edited by D.J. Lockwood (World Scientific, Singapore, 1994), p. 1400.
  29. N.G. Romanov, I.V. Mashkov, P.G. Baranov, P. Lavallard, and R. Planel, JETP Lett. 57, 802 (1993).
  30. N.G. Romanov, I.V. Mashkov, P.G. Baranov, P. Lavallard, and R. Planel, Solid-State Electron. 37,911 (1994).
  31. P.G. Baranov, V.A. Vetrov, B.R. Namozov, and N.G. Romanov, JETP Lett. 61, 792 (1995).
  32. P.G. Baranov, I.V. Mashkov, N.G. Romanov, C. Gordon, P. Lavallard, and R. Planel, JETP Lett. 60,445 (1994).
  33. P.G. Baranov, N.G. Romanov, A. Hofstaetter, A. Scharmann, C. Schnorr, F. A. Ahlers, and K. Pierz, JETP Lett. 64, 754 (1996).
  34. P.G. Baranov, N.G. Romanov, A. Hofstaetter, A. Scharmann, C. Schnorr, F. A. Ahlers, and K. Pierz, Inst. Phys. Conf. Ser. No. 155 (IOP Publ. Ltd, 1996), p. 893.
  35. P.G. Baranov, N.G. Romanov, A. Hofstaetter, C. Schnorr, W. von Forster, and B.K. Meyer, in Proceedings of the 6th International Symposium on Nanostructures: Physics and Technology, edited by Zh. Alferov and L. Esaki (St. Petersburg, 1998), p. 366.
  36. P.G. Baranov, N.G. Romanov, I.V. Mashkov, G.B. Khitrova, H.M. Gibbs, and O. Lungres, Fiz. Tverd. Tela (St. Petersburg) 37, 2991 (1995) Phys. Solid State 37, 1648 (1995).
  37. D. Bimberg, M. Grundmann, and N.N. Ledentsov, Quantum Dot Heterostructures, John Wiley and Sons Ltd., Chichester, 1998.
  38. P. Hackenschmied, G. Schierning, M. Batentschuk, and A. Winnacker, J. Appl. Phys. 93, 5109 (2003).
  39. M. Haselhoff and H.-J. Weber, Phys. Rev. В 58, 5052(1998).
  40. H. Vogelsang, O. Husberg, U. Kohler et al., Phys. Rev. B 61,1847 (2000).
  41. P.G. Baranov and N.G. Romanov, Appl. Magn. Resonance 21,165 (2001).
  42. P.G. Baranov, N.G. Romanov, V.L. Preobrazhenski, and V.A. Khramtsov, JETP Lett. 76,465 (2002).
  43. M. Nikl, K. Nitsch, K. Polak et al., Phys. Rev. В 51,5192 (1995) — M. Nikl, K. Nitsch, K. Polak et al., J. Luminescence 72−74,377 (1997).
  44. K. Suzuki, J. Phys. Soc. Jpn. 16, 67 (1961).
  45. А. Абрагам, Б. Блини. Электронный парамагнитный резонанс переходных ионов, 1973, Мир, Москва, Т. 2, С.249
  46. Дж. Вертц, Дж. Болтон, Теория и практические приложения метода ЭПР, Мир, М. 1975, 548 с.
  47. В. С., Adv. Phys. 4 475−538 (1981).
  48. P.G. Baranov, N.G.Romanov, Appl. Magn. Reson. 21,165 (2001).
  49. П.Г.Баранов, В. С. Вихнин, Н. Г. Романов, В. А. Храмцов, Письма в ЖЭТФ 72,475 (2000).
  50. Baranov P.G., Vikhnin V.S., Romanov et al., J. Phys.: Condens. Matter 13, 2651 (2001)
  51. В.Г. Грачев, ЖЭТФ 65,1029 (1987).
  52. D.J. Thomas, J.J. Hopfield, W.M. Augustyniak, Phys. Rev. 140, A202 (1965).
  53. W.A. Barry, G.D. Watkins, Phys. Rev. В 54,7789 (1996).
  54. J.J. Trombetta, T.A. Kennedy, Phys.Rev. В 48,17 031 (1993).
  55. P.J. Dean, in Progress in Solid State Chemistry, ed. J.O. McCaldin and G. Somaijai (Permagon, Oxford, 1973), vol.8, p.l.
  56. P.G. Baranov, V.A. Vetrov, and N.G. Romanov, Sov.Phys.-Solid State 25, 784 (1983).
  57. LP. Pashuk, N.S. Pidzyrailo, and M.G. Matsko, Sov.Phys. Solid State 23, 1263 (1981).
  58. Y. Urda, T. Fujita, and Y. Kazumata, J. Phys. Soc. Japan 46, 889 (1979).
  59. P.G. Baranov, Yu.P. Veshchunov, and N.G. Romanov, Sov. Phys.-Solid State 20, 1516 (1978).
  60. T. Kawazoe, K. Kobayashi, and M. Ohtsu, Appl. Phys.Lett. 86, 103 102 (2005), and references therein.
  61. Н.НЛеденцов, В. М. Устинов, В. А. Щукин, П. С. Копьев, Ж. И. Алферов, Д. Бимберг, Физика и техника полупроводников, т.32, № 4,385 (1997)
  62. I.P.Ipatova, V.G.Malyshkin, V.A.Shchukin. J. Appl. Phys., 74, 7198 (1993)
  63. Ж.И.Алферов, Д. Бимберг, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, С. С. Рувимов, В. М. Устинов, И.Хейденрайх. УФН, 165,224 (1995)
  64. V.Bressler-Hill, A. Lorke, S. Varma, P.M.Petroff, K. Pond, W.H.Weinberg. Phys.Rev. B, 50, 8479 (1994)
  65. N. Zurauskiene, G. Janssen, E. Goovaerts, A. Bouwen, D. Schoemaker, P. M. Koenraad, and J. H. Wolter, Phys. Stat. Sol. (b) 224,551 (2001)
  66. G. Janssen, E. Goovaerts, A. Bouwen, B. Partoens, B. Van Daele, N. Zurauskiene, P. M. Koenraad, and J. H. Wolter, Phys. Rev. В 68, 45 329 (2003)
  67. П.Г. Баранов, Н. Г. Романов, В Л. Преображенский, В. А. Храмцов, Конфайнмент электронно-дырочной рекомбинации в самоорганизованных нанокристаллах AgBr в кристаллической матрица КВг // Письма в ЖЭТФ, том 76, вып. 7, сс. 542−546 (2002).
  68. P.G. Baranov, N.G. Romanov, V.L. Preobrazhenski, and V.A. Khramtsov, Electron-Hole Recombination Confinement in Self-Organized AgBr Nanocrystals in a Crystalline KBr Matrix // Virtual Journal of Nanoscale Science and Technology, 2002.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!