Оптические свойства полупроводниковых структур с неоднородным распределением электронной плотности
Диссертация
Научная и практическая значимость работы определяется тем, что в ней установлены границы применимости представлений о пониженной размерности для ряда электронных свойств неоднородных полупроводниковых структур. Развитые теоретические представления позволяют давать рекомендации, существенные для выращивания твердотельных сверхрешеток, наименее подверженных деградации. Полученные в работе… Читать ещё >
Список литературы
- Келдыш Л. В. О влиянии ультразвука на электронный спектр кристалла.// ФТТ. -ИХ.2. — Т. 4. — В. 8. — С. 2265−2267.
- Esaki L., Tsu R. Superlattice and negative differential conductivity in semiconductors.// IBM J. Res. Develop. 1970. — V. 14. — N 1. — P. 61−65.
- Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М. Квантовая механика. Нерелятивистская теория. -Москва, Наука, 1989. 768 с.
- Андо Т., Фаулер А., Стерн Ф. Электронные свойства двумерных систем. Москва, Мир, 1974. — 752 с.
- Шкловский Б. И., Эфрос А. Л. Электронные свойства легированных полупроводников. Москва, Наука, 1979. — 416 с.
- Ipatova I., Mitin V. Introduction to silid-state electronics. Addison-Wesley, 1996. — 354 p.
- Келдыш Л. В. Кулоновское взаимодействие в тонких пленках полупроводников и полуметаллов.// Письма в ЖЭТФ. 1979. — Т. 29. — В. 11. — С. 716−719.
- Андрюшечкин Е. А, Силин А. П. Экситоны в квантовых ямах и квантовых проволоках.// ФТТ. 1993. — Т. 35. — В. 7. — С. 1947−1956.
- Муляров Е. А., Тиходеев С. Г. Диэлектрическое усиление экситонов в полупроводниковых квантовых нитях.// ЖЭТФ. 1997. — Т. 111. — В. 1. — С. 274−282.
- Днестровский В. С., Жуков Е. А., Муляров Е. А., Тиходеев С. Г. Линейное и нелинейное поглощение экситонов в полупроводниковых квантовых нитях, кристаллизованных в диэлектрической матрице.// ЖЭТФ. 1998. — Т. 114. — В. 2(8). — С. 700−710.
- Витлина Р. 3., Чаплин А. В. Плазменные колебания многокомпонентных двумерных систем.// ЖЭТФ. 1981. — Т. 81. — В. 3(9). — С. 1011−1021.
- Силин А. П., Шубенков С. В. Граничные условия для узкощелевых гетероструктур, описываемых уравнением Дирака.// ФТТ. 1998. — Т. 40. — В. 7. — С. 1345−1346.
- Kisin М. V., Gelmont В. L., Luryi S. Boundary-condition problem in Kane model.// Phys. Rev. B. 1998. — V. 58. — N 8. — P. 4605−4616.
- Тахтамиров Э. Е., Волков В. А. Обобщение метода эффективной массы для полупроводниковых структур с атомарно резкими гетеропереходами.// ЖЭТФ. 1999. -Т. 116. — В. 5(11). — С. 1843−1870.
- Zivanocig S., Milanovig V., Konig Z. I. Intraband absorption in semiconductor quantum wells iil’the presence of a perpendicular magnetic field.// Phys. Rev. B. 1995. — V. 52. — N 11. -P. 8305−8311.
- Белявский В. И., Копаев Ю. В., Шевцов С. В., Заварзин А. Н. Квазистадионарное состояние дырочных пар в гетероструктурах с квантовыми ямами.// ЖЭТФ. 1996. — Т. 109. — В. 6. — С. 2179−2188.
- Капаев В. В., Копаев Ю. В. Зависимость от импульса размерности электронных состояний в гетероструктурах.// Письма в ЖЭТФ. 1997. — Т. 65. — В. 2. — С. 188 193.
- Алещенко Ю. А., Казаков И. П., Капаев В. В., Копаев Ю. В. Трансформация размерности экситонных состояний в квантовых ямах с несимметричными барьерами в электрическом поле.// Письма в ЖЭТФ. 1998. — Т. 67. — В. 3. — С. 207−211.
- Казаринов Р. Ф., Сурис Р. А. О возможности усиления электромагнитных волн в полупроводниках со сверхрешеткой.// ФТП. 1971. — Т. 5. — В. 4. — С. 797−800.
- Faist J., Capasso F., Sivco D. L., Sirtori C., Hutchinson A. L., Cho A. Y. Quantum cascade laser.// Science. 1994. — V. 264. — N 5158. — P. 553−556.
- Fukuzawa Т., Mendez E. E., Hong J. M. Phase transition of an exciton system in GaAs coupled quantum wells.// Phys. Rev. Lett. 1990. — V. 64. — N 25. — P. 3066−3069.
- Лозовик Ю. E., Юдсон В. И. Новый механизм сверхпроводимости: спаривание между пространственно разделенными электронами и дырками.// ЖЭТФ. 1976. — Т. 71. -В. 2(8). — С. 738−753.
- Криволапчук В. В., Москаленко Е. С., Жмодиков А. Л., Ченг Т. С., Фоксон С. Т. Проявление коллективных свойств пространственно-непрямых экситонов в асимметричных двойных квантовых ямах.// ФТТ. 1999. — Т. 41. — В. 2. — С. 325−329.
- Ларионов А. В., Тимофеев В. Б. О конденсации экситонов в GaAs/AlGaAs двойных квантовых ямах.// Письма в ЖЭТФ. 2001. — Т. 73. — В. 6. — С. 342−350.
- Шик А. Я. Сверхрешетки периодические полупроводниковые структуры (обзор).// ФТТ. — 1974. — Т. 8. — В. 10. — С. 1841−1864.
- Авен М., Пренер Дж. Физика и химия соединений AIIBYI. Москва, Мир, 1970. -624 с.
- Верма А., Кришна П. Полиморфизм и политипизм в кристаллах. Москва, Мир, 1969. — 273 с.
- Zunger A., and Mahajan S. In: Handbook on Semiconductors. Edited by T. S. Moss. V. 3, edited by S. Mahajan. Elsevier Science. Amsterdam. 1994. P. 1399.
- Cahn J. W. On spinodal decomposition.// Acta Met. 1961. — V. 9. — P. 795−801.
- Cahn L. W. On spinodal decomposition in cubic crystal.// Acta Met. 1962. — V. 10. -P. 179−801.
- Ландау JI. Д., Лифшиц Е. М. Электродинамика сплошных сред. Москва, Наука, 1992. — 662 с.
- Гольцман Г. Н., Смирнов К. В. Электрон-фононное взаимодействие в двумерном электронном газе полупроводниковых гетероструктур при низких температурах.// Письма в ЖЭТФ. 2001 — Т. 74. — В. 9. — С. 532−538.
- Пекар С. И. Исследования по электронной теории кристаллов. Москва-Ленинград, Гостехиздат, 1951. — 256 с.
- Горьков Л. П., Дзялошинский И. Е. К теории экситона Мотта в сильном магнитном поле.// ЖЭТФ. 1967 — Т. 53. — В. 2(8). — С. 717−722.
- Нокс Р. Теория эксигпонов. Москва, Мир, 1966. — 220 с.
- Elliot R. J., Loudon R. Theory of the absorption edge in semiconductors in high magnetic field.// J. Phys. Chem. Solids. 1960. — V. 15. — N ¾. P. 196−207.
- Hasegawa H., Howard R. E. Optical absorption spectrum of hydrogenic atom in a strong magnetic field.// J. Phys. Chem. Solids. 1961. — V. 21. — N ¾. — P. 179−198.
- Буркова JI. А., Дзялошинский И. E., Друкарев Г. Ф., Мояозоя Б. С. Водородопо-добная система в скрещенных электрическом и магнитном полях.// ЖЭТФ. 1976. -Т. 71. — В. 2(8). — С. 526−530.
- Vincke М., Le Dourneuf М., Вауе D. Hydrogen atom in crossed electric and magnetic fields: transition from weak to strong electron-phonon decentring.// J. Phys. B: At. Mol. Opt. Phys. 1992. — V. 25. — N 12. — P. 2787−2807.
- Potekhin A. Y. Structure and radiative transitions of hydrogen atom moving in a strong magnetic field.// J. Phys. B: At. Mol. Opt. Phys. 1994. — V. 27. — N 6. — P. 1073−1090.
- Bezchastnov V. G., Potekhin A. Y. Transitions between shifted Landau states and photoionization of hydrogen atom moving in a strong magnetic field.// J. Phys. B: At. Mol. Opt. Phys. 1994. — V. 27. — N 15. — P. 3349−3361.
- Potekhin A. Y. Hydrogen atom moving across a strong magnetic field: analytical approximations.// J. Phys. B: At. Mol. Opt. Phys. 1998. — V. 31. -N 1. — P. 49−63.
- Лёрнер И. В., Лозовик Ю. Е. Экситон Мотта в квазидвумерных полупроводниках в сильном магнитном поле.// ЖЭТФ. 1980. — Т. 78. — В. 3. — С. 1167−1175.
- Butov L. V., Lai С. W., Chemla D. С., Lozovik Yu. E., Campman K. L., Gossard A.C. Observation of magnetically induced effective-mass enhancement of quasi-2d excitons.// Phys. Rev. Lett. 2001 — V. 87 — N 21 — 216 804 — 4pp.
- Lozovik Yu. E., Ovchinnikov I. V., Volkov S. Yu., Butov L. V., Chemla D. C. Quasi-two-dimensional excitons in finite magnetic fields.// Phys. Rev. B. 2002 — V. 65. — N 23. -235 304 — 11pp.
- Бычков Ю. А., Иорданский С. В., Элиашберг Г. М. Двумерные электроны в сильном магнитном поле.// Письма в ЖЭТФ. 1981. — Т. 33. — В. 3. — С. 152−155.
- Kallin С., Halperin В. I. Excitations from a filled Landau level in the two-dimensional electron gas.// Phys. Rev. B. 1984. — V. 30. — N 10. — P. 5655−5668.
- Pinczuk A., Valladares J. P., Heimann D., Gossard A. C., English J. H., Tu C. W., PfeifFer L. and West K. Observation of roton density of states in two-dimensional Landau-level excitations.// Phys. Rev. Lett. 1988. — V. 61. — N 23. — P. 2701−2704.
- Sohn L. L., Pinczuk A., Dennis B. S., PfeifFer L. N., West K. W., Brey L. Dispersive collective excitation modes in the quantum Hall regime.// Solid St. Commun. 1995. — V. 93. — N 11.897.902.
- Райх M. Э., Эфрос Ал. JI. Уширение линии диамагнитного экситона в твердых растворах.// ФТТ. 1984. — Т. 26. — В. 1. — С. 106−113.
- Кулаковский В. Л., Эдельштейн В. М. Влияние движения экситонов на люминесценцию. Непрямые запрещенные переходы в Ge.// ЖЭТФ. 1984. — Т. 86. — В. 1. -С. 338−342.
- Ашкинадзе Б. М., Фишман И. М. Исследование электронно-дырочных капель в германии в греющем СВЧ поле. Нестационарность зародышеобразования.// ЖЭТФ.- 1980. Т. 78. — В. 5. — С. 1793−1810.
- Гершензон Е. М., Гольцман Г. Н., Мултановский В. В., Птицына Н. Г. Кинетика связывания электронов и дырок в экситоны в германии.// ЖЭТФ. 1983. — Т. 84. -В. 2. — С. 640−651.
- Х^рченко В. А. Излучательная рекомбинация локализованных экситонов Мотта в сильном магнитном поле.// ЖЭТФ. 1982. — Т. 83. — В. 5(11). — С. 1971−1977.
- Shinodo М., Sugano S. Interband optical transitions in extremely anisotropic semiconductors. I. Bound and unbound exciton absorption.// J. Phys. Soc. Jpn. 1966. — V. 21. — N 10. -P. 1936−1946.
- Akimoto 0., Hasegawa H. Interband optical transitions in extremely anisotropic semiconductors. II. Coex^tence of exciton and Landau levels.// J. Phys. Soc. Jpn. 1967.- V. 22. N 1. — P. 181−191.
- MacDonald A. H., Ritchie D. S. Hydrogenic energy levels in two dimensions at arbitrary magnetic fields.// Phys. Rev. B. 1986. — V. 33. — N 12. — P. 8336−8344.
- Eric-Yang S.-R., Sham L. J. Theory of magnetoexcitons in quantum wells.// Phys. Rev. Lett.- 1987. V. 58. — N 24. — P. 2598−2601.
- Bauer G. E. W., Ando T. Theory of magnetoexcitons in quantum wells.// Phys. Rev. B. -1988. V. 37. — N 6. — P. 3130−3133.
- Edelstein W., Spector H. M., Marasas R. Two-dimensional excitons in magnetic fields.// Phys. Rev. B. 1989. — V. 39. — N 11. — P. 7697−7704.
- Tsui D. C., Stormer H. L., Gossard A. C. Two-dimensional magnetotransport in the extreme quantum limit.// Phys. Rev. Lett. 1982. — V. 48. — N 22. — P. 1559−1562.
- Laughlin R. B. Anomalous quantum Hall effect: an incompressible quantum fluid with fractionally charged excitations.// Phys. Rev. Lett. 1983. — V. 50. — N 18. — P. 1395−1398.
- Wigner E. On the interaction of electrons in metals.// Phys. Rev. 1934. — V. 46. — N 11. -P. 1002−1011.
- Grimes С. C., Adams G. Evidence for a liquid-to-crystal phase transition in a classical, two-dimensional sheet of electrons.// Phys. Rev. Lett. 1979. — V. 42. — N 12. — P. 795−798.
- Iordanskii S. V., Muzykantskii B. A. Light absorption in a two-dimensional Wigner crystal in high magnetic fields.// J. Phys: Condens. Matter. 1991. — V. 3. — N 46. — P. 9103−9113.
- Kohn W. Cyclotron resonance and de Haas-van Alphen oscillations of an interacting electron gas.// Phys. Rev. 1961. — V. 123. — N 4. — P. 1242−1244.
- Berg A., Dobers M., Gerhardts R. R. and von Klitzing K. Magnetoquantum oscillations of tl}p nuclear-spin-lattice relaxation near a two-dimensional electron gas.// Phys. Rev. Lett. -1990. V. 64. — N 21. — P. 2563−2566.
- Iordanskii S. V., Meshkov S. V., Vagner I. D. Nuclear-spin relaxation and spin excitons in a two-dimensional electron gas.// Phys. Rev. В 1991. — V. 44. — N 12. — P. 6554−6557.
- Bychkov Yu. A., Rashba E. I. Excitons and deexcitons in a neutral two-dimensional magnetoplasma with a strong population inversion.// Phys. Rev. B. 1991. — V. 44. — N 12.- P. 6212−6219.
- Potemski M., Maan J. C., Ploog K. and Weimann G. Properties of a dense quasi-two-dimensional electron-hole gas at high magnetic fields.// Solid St. Commun. 1990. — V. 75.- N 3. P. 185−188.
- Stern F. Polarizability of a two-dimensional electron gas.// Phys. Rev. Lett. 1967. — V. 18.- N 14. P. 546−548.
- Fetter A. L. Electrodynamics of a layered electron gas. I. Single layer.// Ann. Phys. (N. Y.).- 1973. V. 81. — N 2. — P. 367−393.
- Dahl D. A., Sham L. J. Electrodynamics of quasi-two-dimensional electrons.// Phys. Rev. B.- 1977. V. 16. — N 2. — P. 651−661.
- Sooryakumar R., Pinczuk A., Gossard A. C., Wiegmann W. Dispersion of collective intersubband excitations in semiconductor superlattices.// Phys. Rev. B. 1985. — V. 31.- N 4. P. 2578−2580.
- Pkczuk A., Schmitt-Rink S., Danan G., Valladares J. P., Pfeiffer L. N., West K. W. Large exchange interactions in the electron gas of GaAs quantun wells.// Phys. Rev. Lett. 1989. -V. 63. — N 15. — P. 1633−1636.
- Gammon D., Chanabrook В. V., Ryan J. C., Ratzer D. S., Yang M. J. Exchange and correlation in the nonhomogeneous electron gas in semiconductor nanostructures.// Phys. Rev. Lett. -1992. V. 68. — N 12. — P. 1884−1887.
- Olego D., Pinczuk A., Gossard A. C., Wiegmann W. Plasma dispersion in layered electron gas: A determination of GaAs-(AlGa)As heterostructures.// Phys. Rev. B. 1982. — V. 25. -N 12. — P. 7867−7870.
- Pinczuk A., Lamont M. G., Gossard A. C. Discrete plasmons in finite semiconductor multilayers.// Phys. Rev. Lett. 1986. — V. 56. — N 19. — P. 2092−2095.
- Fasol G., Mestres N., Hughes H. P., Fischer A., Ploog K. Raman scattering by coupled-layer plasmons and in-plane two-dimensional single-particle excitations in multi-quantum-well structures.// Phys. Rev. Lett. 1986. — V. 56. — N 23. — P. 2517−2520.
- Лифшиц E. M., Питаевский Л. П. Физическая кинетика. Москва, Наука, 1979. -528 с.
- Fetter A. L. Electrodynamics of a layered electron gas. II. Periodic array.// Ann. Phys. (N. Y.). 1974. — V. 88. — N 1. — P. 1−25.
- Das Sarma S., Quinn J. J. Collective excitations in semiconductor superlattices.// Phys. Rev. H. 1982. V. 25. — N 12. — P. 7603−7618.
- Bloss W. L., Brody E. M. Collective modes at a superlattice plasmons, LO phonon-plasmons, and magnetoplasmons.// Solid St. Commun. — 1982. — V. 43. — N 7. — P. 523−528.
- Романов Ю. А., Ерухимов M. III. Акустические плазменные волны в тонких пленках.// ЖЭТФ. 1968. — Т. 55. — В. 4(10). — С. 1561−1565.
- Weisbuch С., Dingle R., Gossard А. С., Wiegmann W. Optical characterization of interface disorder in GaAs-GaixAlxAs multi-quantum-well structures.// Solid State Commun. 1981.- V. 38. N 8. — P. 709−712.
- Hegarty J., Sturge M. D., Weisbuch C., Gossard A. C., Wiegmann W. Resonant reyleigh scattering from an inhomogeneously broadened transitions: a new probe of the homogeneous linewidth.// Phys. Rev. Lett. 1982. — V. 49. — N 13. — P. 930−932.
- Lee K., Shur M. S., Drammond K. J., Магсос H. Low-field mobility of 2-d electron gas in ibvdulated-doped Al^Gai-^As/GaAs layers.// J. Appl. Phys. 1983. — V. 54. — N 11. -P. 6432−9638.
- Walukiewicz W., Ruda H. E., Lagowski J., Gatos H. C. Electron mobility in modulated-doped heterostructures.// Phys. Rev. B. 1984. — V. 30. — N 8. — P. 4571−4582.
- Шлимак И. С., Эфрос А. Л., Янчев И. Я. Исследование роли флуктуации состава в твердых растворах Ge-Si.// ФТП. 1977. — Т. 11. — В. 2. — С. 257−261.
- Jain J. К., Allen Р. В. Plasmons in layered films.// Phys. Rev. Lett. 1985. — V. 54. — N 22.- P. 2437−2440.
- Fasol G., Mestres N., Dobers M., Fischer A., Ploog K. Determination of single-particle relaxation time from light scattering spectra in modulated-doped quantum wells.// Phys.
- Rev. В. 1987. — V. 36. — N 3. — P. 1565−1569.
- Аверкиев H. С., Голуб Л. Е., Тарасенко С. А. Квазидвумерный эффект Шубникова -де Гааза.// ЖЭТФ 2000. — Т. 117. — В. 2. — С. 407−410.
- Averkiev N. S., Golub L. Е., Tarasenko S. A., Wfflander M. Theory of magneto-oscillation effects in quasi-two-dimensional semiconductor structures.// J. Phys.: Cond. Matter 2001. -V. 13. — N 12. — P. 2517−2530.
- Herman M. A., Bimberg D., Christen J. Heterointerfaces in quantum wells and epitaxial growth process: Evaluation by luminescence technique.// J. Appl. Phys. 1991. — V. 70. — N 2. -P. R1-R52.
- Рытов С. M. Акустические свойства мелкодисперсной мреды.// Акустический журнал. 1956. — Т. 2. — В. 1. — С. 71−83.
- Ruf Т., Belitsky V. I., Spitzer J., Sapega V. F., Cardona M., Ploog K. Raman scattering from folded phonon dispersion gaps.// Phys. Rev. Lett. 1993. — V. 71. — N 18. — P. 3035−3038.
- Belitsky V. I., Ruf Т., Spitzer J., Cardona M. Theory of disorder-induced acoustic-phonon Raman scattering in quantum wells and superlattices.// Phys. Rev. B. 1994. — V. 49. -N 12. — P. 8263−8272.
- Алферов Ж. И., Портной Е. JL, Рогачев А. А. О ширине края поглощения в полупроводниковых твердых растворах.// ФТП. 1968. — Т. 2. — В. 8. — С. 1194−1197.
- Chattopadhyay D. Alloy scattering in quantum-well structures of semiconductor ternaries.// Phys. Rev. B. 1985. — V. 31. — N 2. — P. 1145−1146.
- Stormer H. L. Nobel lecture: The fractional quantum Hall effect.// Rev. Mod. Phys. 1999. — V. 71. — N 4. — P. 875−889.
- Hiyanuzu S., Saito J., Nambu K., Ishikowa T. Improved electron mobility higher than 1Q6 cm2/Bc in selectively doped GaAs-AlGaAs heterostructures grown by MBE.// Jap. J. Appl. Phys. 1983. — V. 22. — N 10. — P. L609-L611.
- Adachi S. GaAs, AlAs and AlKGaixAs material parameters for use in research and device applications.// J. Appl. Phys. 1985. — V. 58. — N 3. — P. R1-R29.
- Силин А. П. Полупроводниковые сверхрешетки.// УФН. 1985. — Т. 147. — В. 3. -С. 485−521.
- Henoc P., Izrael A., Quillec М. and Launois Н. Composition modulation in liquid phase epitaxial Ini-^Ga^As^Pi-^ layers lattice matched to InP substrate.// Appl. Phys. Lett. -1982. V. 40. — No. 11. — P. 963−965.
- Glas F., Treacy M. M. J., Quillec M., and Launois H. Liquid phase epitaxial growth of In^Gai-^As/InP near solid instability.// J. Phys. (Paris). 1982. — V. 43. — No. 12. — P. C5−3 — C5−10.
- Mahajan S., Dutt В. V., Temkin H., Cava R. J., and Bonner W. A. Spinodal decomposution in InGaAsP epitaxial layer.// J. Cryst. Growth. 1984. — V. 68. — No. 2. — P. 589−595.
- Ueda 0., Komiya S-, Yamakoshi S., Umebu I., and Akita K. Comparison of defect formation in InGaAsP/InP and GaAlAs/GaAs.// Jap. J. Appl. Phys. 1983. — V. 22, — Suppl. 22−1. -P. 243−247.
- Norman A.G., and Booker G.R. Transmission electron microscope and transmission electron diffraction observations of alloy clustering in liquid-phase epitaxial (001) GalnAsP layers.// J. Appl. Phys. 1985. — V. 57. — No. 10. — P. 4715−4720.
- McDevitt T. L., Mahajan S., Laughlin D. E., Bonner W. A., and Keramidas V. G. Two-dimensional phase separation in Ini-^Ga^As^Pi-j, // Phys. Rev. B. 1992. — V. 45. — No. 12. — P.6614−6622.
- Chu S. N. G., Nakahara S., Strege К. E., and Johnston W. D., Jr. Surface layer spinodal decomposition in Ini^Ga^As^Pi^ and Ini-^Ga^As growth by hydride transport vapor-phase epitaxy.// J. Appl. Phys. 1985. — V. 57. — No. 10. — P. 4610−4615.
- Jun S. W., Seong T.-Y., Lee J. H. and Lee B. Naturally formed InxAlx-^As/In^Ali-^Asvertical superlattices. // Appl. Phys. Lett. 1996. — V. 68. — No. 24. — P. 3443−3445.
- Ueda 0., Takikawa M., Takechi M., Komeno J., and Umebu I. Transmission electron microscopy observation of InGaP crystals grown on (001) GaAs substrates by metalorganic chemical vapor deposition. // J. Cryst. Growth. 1988. — V. 93. — P. 418−425.
- Ueda 0., Fujii Т., Nakada Y., Yamada H., and Umebu I. ТЕМ investigation of modulated structures and ordered structures in InAlAs crystals grown on (001) InP substrates by molecular beam epitaxy.// J. Cryst. Growth. 1989. — V. 95. — P. 38−42.
- Hsieh K.C., Baillargeon J.N. and Cheng K.Y. Composition modulation and long-range ordering in GaP/InP short-period superlattices grown by gas source molecular beam epitaxy.// Appl. Phys. Lett. 1990. — V. 57. — No. 21. — P. 2244−2246.
- Cheng K. Y. Hsieh K.-C. and Baillargeon J. N. Formation of lateral quantum wells in vertical short-period superlattices by strain-induced lateral-layer ordering process.// Appl. Phys. Lett.- 1992. V. 60. — No. 23. — P. 2892−2894.
- Guyer J. E., Voorhees P. W. Morphological stability of alloy thin films.// Phys. Rev. B. -1996. V. 54. — N 16. — P. 11 710−11 724.
- Tersoff J. Stress-driven alloy decomposition during step-flow growth.// Phys. Rev. Lett. -1996. V. 77. — N 10 — P. 2017−2020.
- Ipatova I. P., Malyshkin V. G., Maradudin A. A., Shchukin V. A., Wallis R. F. Kinetic instability of semiconductor alloy growth.// Phys. Rev. B. 1998. -V. 57. — No 20. — P. 1 296 812 993.
- Федоров Д. JI., Суслина Л. Г., Арешкин А. Г. Зонная структура твердых растворов Zni-sMg^S.// ФТТ. 1982. — Т. 24. — В. 3. — С. 821−825.
- Китайгородский А. И. Смешанные кристаллы. Москва, Наука, 1983. — 278 с.
- Degems М. and Panish М. В. Phase equilibria in III—V quaternary systems application to Al-Ga-P-As.// J. Phys. Chem. Solids. — 1974. — V. 35. — P. 409−420.
- Stringfellow G. B. Micibility gaps in quaternary III/V alloys.// J. Cryst. Growth. 1982. -V. 58. — N 1. — P. 194−202.
- Stringfenow G. B. Spinodal decomposition and clusterng in III/V alloys.// J. Electronic Mater. 1982. — V. 11. — N 5. — P. 903−919.
- Stringfellow G. В. Immicibility and spinodal decomposition in III/V alloys.// J. Cryst. Growth. 1983. — V. 65. — N 1−3. — P. 454−462.
- Onabe K. Unstable region in III-V quaternary solid solution composition plane calculated tffth strictly regular solution approximation.// Jap. J. Appl. Phys. 1982. — V. 21. — N 6. -P. L323-L325.
- Ландау Л. Л., Лифшиц Е. М., Теория упругости. Москва, Наука, 1987. — 246 с.
- Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М., Статистическая Физика, 1-я часть. Москва, Наука, 1976. — 606 с.
- Toledano J.-C. and Toledano P., The Landau theory of phase transitions, World Scientific, Singapore, 1987. — 451 p.
- Khachaturyan A. G. Elastic strain during decomposition of homogeneous solid solution — periodic distribution of decomposition product.// Phys. stat. sol. 1969. — V. 35. — N 1. -P. 119−144.
- Хачатурян А. Г., Сурис P. А. Теория периодических распределений концентраций в пересыщенных твердых растворах.// Кристаллография. 1968. — Т.13. — N 1. -G- 83−89.
- Баранов А. Н., Джуртанов Б. Е., Литвак А. М., Сяврис С. В., Чарыков Н. А. Фазовые равновесия расплав твердое тело в системе Al-Ga-As-Sb.// Журнал неорг. хим. -1990. — Т. 35. — В. 4. — С. 1020−1023.
- Ipatova I. P., Malyshkin V. G., and Shchukin V. A. On spinodal decomposition in elastically anisotropic epitaxial films of III-V semiconductor alloys.// J. Appl. Phys. 1993. — V. 74. -No 11. — P. 7198−7210.
- Ipatova I. P., Malyshkin V. G., and Shchukin V. A. Compositional elastic domains in epitaxial layers of phase-separating semiconductor alloys. Phil. Mag. B. 1994. — V. 70. — No. 4. -P. 557−566.
- Grigorieva N. R., Grigoriev R. V., Denisov E. P., Fedorov D. L., Kazennov B. A., Novikov В. V.
- Optical manifestation of stacking faults in CdSixSex crystals.// J. Csyst. Growth. 2000. -V. 214/215. — P. 457−459.
- Григорьева H. P., Григорьев P. В., Денисов E. П., Казенное Б. А., Новиков Б. В., Федоров Д. JI. Исследование рентгеновскими и оптическими методами твердых растворов CdSixSex с дефектами упаковки.// ФТТ. 2000. Т. 42. — В. 9. — С. 15 701 578.
- Барановский С. Д., Эфрос A. JI. Размытие краев зон в твердых растворах.// ФТП.- 1978. Т. 12. — В. И. — С. 2233−2237.
- Halperin В. I. Green’s function for a particle in one-dimensional random potential.// Phys. Rev. 1965. — V. A139. — No 1. — P. 104−117.
- Суслина JI. Г., Илюхин А. Г., Федоров Д. JI., Арешкин А. Г. Уширение экситонных состояний в твердых растворах полупроводников.// ФТП. 1978. — Т. 12. — В. 11. -С. 2238−2243.
- Аблязов Н. Н., Райх М. Э., Эфрос A. JL Ширина линии экситонного поглощения в твердых растворах.// ФТТ. 1983. — Т. 25. — В. 2. — С. 353−358.
- Гельмонт Б. Л., Гаджиев А. Р., Шкловский Б. И., Шлимак И. С., Эфрос А. Л. Прыжковая проводимость в твердых растворах германия с кремнием.// ФТП. 1974.
- V. 8. В. 12. — С. 2377−2384.
- Miklosz J. С., Wheeler R. G. Exciton structure and magnetooptical effects in ZnS.// Phys. Rev. 1967. — V. 153. — N 3. — P. 913−922.
- Рухадзе А. А., Силин В. П. Метод геометрической оптики в электродинамике неоднородной плазмы.// УФН. 1964. — Т. 82. — В. 3. — С. 499−535.
- Пилия А. Д. Рассеяние волн в плазме при наличии трансформации.// ЖТФ. 1966.- Т. 36. В. 12. — С. 2195−2199.
- Будников В. Н., Варфоломеев В. И., Новик К. М., Пилия А. Д. Исследование усиленного рассеяния, связанного с линейной трансформацией волн.// Физика плазмы.- 1980. Т. 6. — В. 5. — С. 1050−1060.
- Горобей Н. Н., Ипатова И. П., Субашиев А. В. Электромагнитная теория гигантского усиления света адсорбированными молекулами.// Письма в ЖЭТФ. 1981. — Т. 34.- В. 4. С. 157−161.
- Горобей Н. Н., Ипатова И. П., Субашиев А. В. Генерация второй гармоники в отражении от неоднородного переходного слоя конечной толщины.// ФТТ. 1982.- Т. 24. В. 7. — С. 2064−2069.
- Горобей Н. Н., Ипатова И. П., Субашиев А. В. Электромодуляционные эффекты в рассеянии света в переходном неоднородном слое на границе металл-полупроводник.// ФТП. 1984. — Т. 18. — В. 4. — С. 685−690.
- Ипатова И. П., Субашиев А. В., Удод JI. В. Гиперкомбинационное рассеяние света от приповерхностного слоя полупроводника.// ФТТ. 1986. Т. 28. — В. 10. — С. 3044−3050.
- Рязанов М. И. О диэлектрической проницаемости неоднородной среды.// ЖЭТФ. -1995. Т. 108. — В. 5(11). — С. 1778−1786.
- Bloembergen N., Chang R. К., Jha S. S., Lee С. H. Optical second-harmonic generation in reflection from media with inversion symmetry.// Phys. Rev. 1968. — V. 174. — N 3. -P. 813−822.
- Garsia-Cristobal A., Cantaniero A., Trallero-Giner C., Cardona M. Resonant hyper-Raman scattering in semiconductors.// Phys. Rev. B. 1998. — V. 58. — N 16. — P. 10 443−10 451.
- Semenova L., Prokhorov K. Resonant hyper-Raman scattering of light in semiconductor crystals: Frolich exciton-lattice interaction.// in Raman scattering, eds. V. S. Gorelik, п. I). Kudryavtseva, Proceedings of SPIE, vol. 4069, pp. 190−198, 2000.
- Chen W. P., Chen Y. J., Burstein E. The interface EM modes of a «surface quantized» plazma layer on a semiconductor surface.// Surf. Sci. 1967. — V. 58. — N 1. — P. 263−265.
- Muller R. S., Kamins Т. I. Device Electronics for Integrated Circuits, Section 3, John Wiles and Sons, 1986.
- Ландау Л. Д., Пекар С. И. Эффективная масса яолярона.// ЖЭТФ. 1948. — Т. 18.- В. 5. С. 419−423.
- Feyman R. P. Slow electrons in a polar crystal.// Phys. Rev. 1955. — V. 97. — N 3. -P. 660−665.
- Полярони, под ред. Ю. А. Фирсова, Москва, Наука, 1975. — 424 с. 175. de Gennes P.-G. Effect of double exchange in magnetic crystals.// Phys. Rev. 1960. — V. 118.- N 1. P. 141−157.
- Нагаев Э. JI. Основное состояние и аномальный магнитный момент электронов проводимости в антиферромагнитном полупроводнике.// Письма в ЖЭТФ. 1967.- Т. 6. N 1. — С. 484−486.
- Кривоглаз М. А. Флуктуонные состояния электронов.// УФН. 1973. — Т. 111. — В. 4.- С. 617−654.
- Кривоглаз М. А., Трухценко А. А. Носители тока в ферромагнитных полупроводниках. Случай сильного взаимодействия.// ФТТ. 1969. — Т. 11. — В. 11. — С. 3119−3131.
- Wolf P. A. Theory of bound magnetic polarons in semimagnetic semiconductors. In: Semiconductors and semimetals, v. 25, Diluted magnetic semiconductors. Editors J. K. Furdina, J. Kossut, Academic Press, 1988, pp. 413−454.
- Yakovlev D. R., Ossau W., Landwehr G., Bicknell-Tassius R. N., Waag A., Uraltsev I. N. First observation and experimental proof of free magnetic polaron formation in CdTe/(CdMn)Te quantum wells.// Solid St. Commun. 1990. — V. 76. — N 3. — P. 325−329.
- Lee T. D., Low F., Pines D. The motion of slow electrons in polar crystal.// Phys. Rev. -1953. V. 90. — N 2. — P. 297−302.
- Chen Qinghu, Fang Minghu, Zhang Qirui, Wang Kelin, Wan Shaolong. A new variational calculation for N-dimensional polarons in the strong-coupling limit.// J. Phys: Cond. Matt.- 1996. V. 8. — N 38. — P. 7139−7145.
- Myake S. J. Strong-coupling limit of the polaron ground state.// J. Phys. Soc. Jpn. 1975. -V. 38. — N 1. — P. 181−182.
- Myake S. J. The ground state of the optical polaron in the strong-coupling case.// J. Phys. Soc. Jpn. 1976. — V. 41. — N 3. — P. 747−752.
- Лахно В. Д., Чуев Г. Н. Структура полярона большого радиуса в пределе сильной связи.// УФН. 1995. — Т. 165. — В. 3. — С. 285−298.
- Мясникова А. Э., Мясников Э. Н. Масса полярона большого радиуса.// ЖЭТФ. -1997. Т. 112. — В. 1(7). — С. 278−283.
- Myasnikova A. E., Myasnikov E. N. Inertial mass of the large polaron.// Phys. Rev. B. 1997.- V. 56. N 9. — P. 5316−5320.
- Wu Xiaoguang, Peeters F. M., Devreese J. T. Exact end approximate results for the ground-state energy of a Frolich polaron in two dimensions.// Phys. Rev. B. 1985. — V. 31. — N 6.- P. 3420−3426.
- Degani M. H., Hipolito 0., Lobo R., Farias G. A. Polarons in one-dimensional systems.// J. Phys. C: Solid State Phys. 1986. — V. 19. — N 16. — P. 2919−2924.
- Peeters F. M., Smondyrev M. A. Exact and approximate results for the polaron in one dimension.// Phys. Rev. B. 1991. V. 43. — N 6. — P. 4920−4924.
- Yildirim Т., Ercelebi A. The ground-state description of the optical polaron versus the effective dimensionality in quantum-well-type systems.// J. Phys.: Condens. Matt. 1991. — V. 3. -N 10. — P. 1271−1277.
- Thilagan A., Jai Singh. Polarons in quasi-two-dimensional structures.// Phys. Rev. B. 1994.- V. 49. N 19. — P. 13 583−13 588.
- Chen C. Y., Lin D. L., Jin P. W., Zhang S. Q., Chen R. Strong-coupling theory of quasi-two-dimensional polarons.// Phys. Rev. B. 1994. — V. 49. — N 19. — P. 13 680−13 684.
- Huang Kun, Rhys A. Theory of light absorption and non-radiative transitions in F-centers.// Proc. Roy. Soc. 1950. — V. A204. — N 1078. — P. 406−423.
- Бургуэн Ж., Ланно M. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты. Москва, Мир, 1985, 304 стр.
- Тябликов С. В. К теории поляронов. ЖЭТФ. 1952. — Т. 22. — В. 5. — С. 513−519.
- Kane Е. О. Band structure of indium antimonide.// J. Phys. Chem. Solids. 1957. — V. 1. -N 4. — P. 249−261.
- Галицкий В. M., Карнаков Б. М., Коган В. И. Задачи по квантовой механике. -Москва, Наука, 1992. 880 с.
- Abakumov V. N., Perel V. I., Yassievich I. N. Nonradiative recombination in semiconductors.- North-Holland, 1991, 320 p.
- Воробьёв Л. E. Внутризонная инверсия населенности и усиление ИК излучения приинжекции носителей заряда в квантовые ямы и квантовые точки.// Письма в ЖЭТФ.- 1998. Т. 68. — В. 5. — С. 392−399.
- Воробьёв Jl. Е. Инверия населенности и усиление ИК излучения при межзонных переходах электронов и резонансных Оже-процессах в квантовых ямах.// Письма в ЖЭТФ. 2000. — Т. 71. — В. 12. — С. 745−751.
- Пекар С. И., Рашба Э. И., Шека В. И. Свободный и автолокализованный экситон Ванье-Мотта в ионных кристаллах и энергии их теплового перехода друг в друга.// ЖЭТФ. 1979. — Т. 76. — В. 1. — С. 251−256.
- Эфрос Ал. Л., Эфрос А. Л. Межзонное поглощение света в полупроводниковом шаре.// ФТП. 1982. — Т. 16. — В. 7. — С. 1209−1214.
- Гельмонт Б. Л., Дьяконов М. И. Акцепторные уровни в полупроводнике со структурой алмаза.// ФТП. 1971. — Т. 5. — В. 11. — С. 2191−2193.
- Baldareschi A., Lipari N. О. Spherical model of shallow acceptor states in semiconductors.// Phys. Rev. 1973. — V. B8. — N 6. — P. 2697−2709.
- Efros Al. L. Luminescence polarization of CdSe microcrystals.// Phys. Rev. B. 1992. — V. 46.- N 12. P. 7448−7458.
- Efros Al. L, Rodina A. V. Band-edge absorption and luminescence of nonspherical nanometer-size crystals.// Phys. Rev. B. 1993. — V. 47. — N 12. — P. 10 005−10 007.
- Xia Jian-Bai. Electronic structures of zero-dimensional quantum wells.// Phys. Rev. B. 1989.- V. 40. N 12. — P. 8500−8507.
- Spagnolo V., Ventruti G., Scamarcio G., Lugara M., Reghini G. C. Frolich electron-phonon interaction in CdS^Sei-a- nanocrystals.// Superlattices and Microstructures. 1995. — V. 18.- N 2. P. 113−119.
- Scamarcio G., Spagnolo V., Ventruti G., Lugara M., Regnini G. C. Size dependence of electron-LO-phonon coupling in semiconductor nanocrystals.// Phys. Rev. B. 1996. — V. 53. — N 16.- P. R10489-R10492.
- Klein M. C., Hache F., Ricard D., and Flytzanis C. Size dependence of electron-electron coupling in semiconductor nanospheres: the case of CdSe. Phys. Rev. B. 1990. — V. 42.- N 17. P. 11 123−11 132.- 246
- Yungnickel V., Henneberger F., Puis J. Electron-phonon interaction in semiconductor quantum dots.// Proc. 22 Int. Conf. Phys. Semicond., v. 3, 2011−2014, (World Scientific, Singapure, 1994).
- Yungnickel V., Henneberger F. Luminescence related processes in semiconductor nanocrystals. — The strong confinement regime.// J. Luminesc. 1996. — V. 70. N. 1−6. — P. 238−252.
- Гупалов С. В., Ивченко Е. JI. Тонкая структура экситонных уровней в нанокристал-лах CdSe. ФТП. 2000. — Т. 42. — В. 11. — С. 1976−1984.