Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Опыт создания конкурентоспособных наукоемких продуктов микроэлектроники в США, Японии, Республике Корея, на Тайване и возможности его использования в России

ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Ни в одной из областей глобальной экономики 1990;х гг. немыслим прогресс без микроэлектронной и вычислительной техники. Темпы развития микроэлектроники, высокопроизводительных компьютеров, систем обработки информации, широта и эффективность их внедрения во все сферы человеческой деятельности не имеют аналогов в истории науки и техники:!) конец 1940;х гг.-изобретение биполярного транзистора (БТ… Читать ещё >

Опыт создания конкурентоспособных наукоемких продуктов микроэлектроники в США, Японии, Республике Корея, на Тайване и возможности его использования в России (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. ТЕХНОЛОГИЯ И ЭКОНОМИКА (ТЕХНОЭКОНОМИКА) — МОЩНЫЕ ДВИЖУЩИЕ СИЛЫ МИРОВОГО ЭЛЕКТРОННОГО БИЗНЕСА
    • 1. 1. Глобализация экономики и мирово микроэлектроники 1990-х годов
    • 1. 2. Потенциал технологического предложения для горячего рыночного спроса
    • 1. 3. Техноэкономические тенденции развития мирового микроэлектронного бизнеса
    • 1. 4. Стратегические ресурсы микроэлектронного менеджмента
  • 2. США И ЯПОНИЯ НА МИРОВОМ РЫНКЕ ВЫСОКИХ ТЕХНОЛОГИЙ. ИНФОРМАЦИОННЫЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ВЫЗОВ «ДЖАПАН ТЕК»
    • 2. 1. Тонус конкуренции и эффективный механизм конкуренции-кооперации для разработки КНП
    • 2. 2. Мировой рынок микроэлектроники: научно-технологический и экономический потенциал лидеров
    • 2. 3. Некоторые аспекты организации увеличения объёма производства и сбыта в микроэлектронном бизнесе
    • 2. 4. Японские высокие информационные микроэлектронные технологии- потенциал и особенности
    • 2. 5. Японская стратегия: наука-основа микроэлектронного бизнеса, микроэлектронный бизнес-опора науки
    • 2. 6. Государственная политика Японии стимулирования конкуренции и преобразования «джапан инк.» в «Джапан тек»
    • 2. 7. Технологические, экономические барьеры и структурная перестройка японской микроэлектронной индустрии середины-конца 1990 гг
  • 3. ТАЙВАНЬСКИЙ ФЕНОМЕН В СФЕРЕ ВЫСОКИХ ТЕХНОЛОГИЙ
    • 3. 1. Становление и развитие экспортно-ориентированных наукоемких отраслей промышленности Тайваня
    • 3. 2. Особенности, тенденции и перспективы развития микроэлектронной промышленности Тайваня в 1990-х годах
    • 3. 3. Фирмы, корпорации, Центры Тайваня: организационная структура, специализация, партнёрство, рыночная стратегия
  • 4. РАЗВИТИЕ ИНДУСТРИИ ВЫСОКИХ ТЕХНОЛОГИЙ В РЕСПУБЛИКЕ КОРЕЯ
    • 4. 1. Приоритеты отраслей высоких электронных технологий в государственной политике Республики Корея
    • 4. 2. Высокие стандарты наукоемких отраслей промышленности Республики Корея в мировом технологическом пространстве
    • 4. 3. Республика Корея на рынке микроэлектроники: новые тенденции середины-конца 1990-х годов
    • 4. 4. Перспективы конкуренции-кооперации фирм НИС Азии в борьбе за технологическое лидерство
  • 5. ОТЕЧЕСТВЕННАЯ И МИРОВАЯ МИКРОЭЛЕКТРОННАЯ ИНДУСТРИЯ НА ПОРОГЕ XXI ВЕКА: ЭКОНОМИЧЕСКИЕ ПРЕДПОСЫЛКИ ПОСТРОЕНИЯ НОВЕЙШЕЙ ПРОИЗВОДСТВЕННО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЙ БАЗЫ
    • 5. 1. Инфраструктура мировой и отечественной микроэлектроники и возможности современного российского производственно-технологического базиса
    • 5. 2. Экономические особенности развития отечественной микроэлектронной индустрии
    • 5. 3. Проблема преодоления экономических барьеров и возврата инвестиций для перспективных технологий и производств
    • 5. 4. Влияние экономики производства на технологию УБИС. Минипроизводс-тва УБИС как эффективный симбиоз технологии и экономики
    • 5. 5. Технико-экономические предпосылки и основы построения новейшей отечественной производственно-технологической базы минифабов
    • 5. 6. Оценка ожидаемых изменений основных технико-экономических и социальных показателей производственно-хозяйственной деятельности ми
    • 5. 7. Сравнение на предмет конкурентоспособности технико-экономических
    • 5. 8. Перспективы разработки «опережающих» КНП с учётом тенденций национального и глобального партнёрства в рыночной конкурентной среде
    • 5. 9. Кризис на фондовых рынках Восточной Азии: уроки для экономики России, ее информационной, микроэлектронной сферы высоких технологий

общая характеристика работы. Актуальность исследования.Развитие мировой экономики и экономические связи в наше динамичное время научно-технологического прогресса (НТП) конца XX века по своему содержанию и организационным формам приобрели принципиально новое качество, обогатились новыми чертами и характеристиками [1−3]. Как никогда прежде, глобализация, конкурентоспособность и технология в их взаимосвязанности оказывают существенное, а иногда и решающее, влияние на развитиесовре-менных механизмов и закономерностей мировой экономики.

Особую актуальность и значимость приобретает конкурентоспособность отдельной страны, которая позволяет в конкурентной среде мирового рынка обеспечить высокий или достойный уровень жизни, гармонизировать внутренние социально-экономические отношения.

Научно-технологический прогресс, как показывает опыт развитых и развивающихся стран, связан с мировой предпринимательской деятельностью, которая, чаще всего, направлена на технологические инновациии и инвестиции, нововведения и внедрения в укрупняемые производства сферы высоких информационных технологий [4−9] со спецификой среднего и крупного бизнеса [10−11]. Прогрессивны в широком смысле слова «опережающие» технологические инновации для увеличения конкурентоспособности создаваемых информационных продуктов и собственно агрессивной стратегии бизнеса в рыночной конкурентной среде [5,12−14 ].

Эффективность технологических инноваций и конкурентного производства микроэлектронной, компьютерной, телекоммуникационной промышленности напрямую связана с распространением информационного предпринимательства. Решающим фактором, влияющим на этот процесс, является значительная «чистая прибыль от информационного предпринимательства» в конкурентной сфере мирового рынка, при оценке которой используются данные привлекательности предпринимательского, инновационного и инвестиционного климата в реальных складывающихся экономических условиях [6,15,16].

Именно для получения высокой прибыли на мировом конкурентном рынке экономический субъект биэнеса-предприниматель (фирма)-реализует творческие технологические инновации, кардинальную или частичную модернизацию существующего производства [17−20].

Рубеж XX—XXI вв.ековвремя переоценки ценностей в науке, технологии, организации информационной индустрии, время структурной перестройки мирового хозяйства, радикальных преобразований в экономическом взаимодействии стран и регионов. Апогей новой информационной, технологической революции, глобальной информатизации и интеллектуализации всего мирового сообщества, всеобщей электронизации, компьютеризации, коммуникативности хозяйства [21−24] пришелся на этот эпохальный рубеж истории и, во многом, определил профиль мировой экономики и экономики России.

В условиях глобализации экономики значительно ускоряется внедрение и распространение информационных технологий во всех сферах мирового хозяйства [22,24−26]. Как следствие, беспрецедентно возрастает взаимосвязанность экономик разных стран и регионов, протекают бурные процессы обмена информацией, капиталами, материальнымии интеллектуальными продуктами, услугами [27−31].

Одной из наиболее быстро и эффективно развивающихся отраслей мировой экономики, в которой задействованы сложные технологии, является микроэлектронная и компьютерная индустрия. В различных секторах динамичного мирового рынка потоки информационных технологий включают в себя самый широкий спектр производимых конкурентоспособных наукоемких продуктов (КНП) полупроводниковой отрасли. Среди них передовые конкурентоспособные продукты: элементно-технологическая база сверхвысокой степени интеграции на кремниевых больших и сверхбольших интегральных схемах (БИС и СБИС), а также ультраБИС (УБИС) для персональных компьютеров (ПК), супери нейрокомпьютинга, телекоммуникационных систем связи и управления.

Решающую роль в совершенствовании новых поколений УБИС для перспективных персональных компьютеров, высокопроизводительных суперкомпьютеров, систем связи играют базовые технологии с топологическими нормами «глубокого субмикрона», производство усовершенствованных поколений быстродействующих, низковольтных, маломощных, плотноупакованных СБИС на основе субмикронной технологии. Микроэлектронная субмикронная индустрия неразрывно связана с экономикой на стадиях научно-исследовательских и опытно-конструкторских разработок (НИОКР), производства и коммерциализации создаваемых конкурентоспособных наукоемких продуктов.

Никогда еще за почти сорокалетнюю историю интегральной микроэлектроники с момента ее зарождения в 1957;1958 гг. тенденции технологического и экономического воплощения УБИС, высокопроизводительных вычислительных систем не были таким образом переплетены и взаимовлияющи. Это даже послужило причиной для начала использования в зарубежной научной, технической и экономической литературе неоогизмов типа «техноэ-кономика» или «технономика» (симбиозного определения тенденции «Tech-nonomics» от базовых элементов «Technology» и «Economics»).

Во второй половине 1990;х годов именно симбиоз технологии и экономики (техноэкономика) во всем комплексе своих взаимосвязанных, взаи-мовлияющих проблем становится ключевым фактором разработки и освоения конкурентоспособных наукоемких продуктов: СБИС, УБИС, персональных компьютеров, рабочих станций, серверов, супери нейрокомпьютеров для сверхдинамичного мирового рынка информационных КНП (с имеющимся и прогнозируемым по данным Dataquest-1996,1997 гг. объемом продаж микроэлектроники и индустрии компьютеров-средств связи в млрд.долл.соответственно: 1 990г. -микроэлектронная промышленность-45 и индустрия компьютеров-средств связи-480−1993 г.-90 и 680- 1996 г.-170 и 810- 2000 г.-250−300 и 1000).Темпы развития микроэлектроники и вычислительной техники в странахтехнологических лидерах в 5−10 раз превышают темпы ВНП. Вложение средств в «опережающие» и принципиально новые технологии создания и выпуска микроэлетронных и компьютерных КНП в 3−5 раз превосходит этот показатель в других отраслях промышленности.

Определяющими факторами глобализации электронной индустрии и экономики высоких технологий становятся «доступ» и «эффективность». Когда технологические «ноу-хау», производственная деятельность и рынки электронной промышленности группируются в различных регионах, а прогресс определяется методами и масштабами конкурентоспособного производства и соответствующей эффективной рыночной деятельностью, ведущие позиции в информационном, микроэлектронном, компьютерном бизнесе завоевывают те фирмы или страны, которые имеют наиболее свободный доступ во все три вышеуказанные сферы.

Научно-технологическая, информационная революция рубежа XX—XXI вв. изменила не только темпы экономического роста и степень обновления и развития мирового сообщества, но, во многом, изменила и инструментарий научно-технического прогресса. В конце XX века уже информация, а не только энергия (механическая в XVIII—XIX вв., или электрическая, а затем ядерная в XX веке) становится основным инструментом организации хозяйственных структур мирового постиндустриального, технотронного сообщества. Сфера высоких технологий, сопряженных с электронизацией, производством информационных интеллектуальных продуктов, сфера научно-технологических интенсивных инноваций образуют фундаментальный стержень успешного развития и экономического процветания [5,29,31].

Индустрия высоких технологий стала ареной борьбы фирм из разных стран за доступ к передовому технологическому опыту, конкурентоспособным технологиям и возможностям экономически оправданных инвестиций [32−40]. Масштабы глобализации оказывают огромное влияние на научно-технологическую и производственную политику фирм-производителей, стимулируя выпуск высококачественных электронных изделий на уровне высочайших мировых стандартов [5,41−47].

Интеграция России в мировое хозяйство только начинается. Выход России на мировой рынок высоких технологий осложняется тем, что в 1990;х годах уровень развития отечественной микроэлектроники и компьютерной техники характеризуется отставанием. По данным, опубликованным в «Финансовых известиях» 1997, N10 (361), российская электроника-1997 г. характеризуется очень малым годовым обьёмом планируемых капитальных вложений в 150 млн долл. и обьёмом годовых экспортных поставок на уровне 80−100 млн долл.Для сравнения только в микроэлектронное производство в некоторых зарубежных странах в указанном году было вложено 36.9 млрд долл.(в Северной Америке-13,Японии-11.9,Республике Корея-5.38, Тайване-3.1,Европе-3.3 млрд долл.).При этом ежегодный прирост капитальных вложений фирм-мировых лидеров из США, Японии, Республики Корея в микроэлектронное производство составляет 9−12%, то есть в течение 5 лет увеличивается на 45−60%.

Разрыв, отделяющий отечественную интегральную микроэлектронику от уровня развития мировых лидеров США и Японии, составляет 2−3 поколения^ от развитых стран НИС Азии (Республика Корея, Тайвань) происходит отставание на 2−2.5 поколения. Опыт этих стран в становлении и развитии передовых высоких технологий и производства информационных конкурентоспособных наукоемких продуктов (КНП), по мнению диссертанта, мог бы быть полезным для извлечения уроков, оценки перспектив и разработки необходимых мер для развития микроэлектроники и вычислительной техники в России.

Вынужденная объективная констатация недопустимости перекоса в развитии отечественной микроэлектроники и вычислительной техники, отставания элементнотехнологической базы по всей совокупности техникоэ-кономических параметров, наряду с сокращением объема производства наукоемких отраслей в середине 1990;х годов [48−50], делают рассмотрение новейших мировых техноэкономических тенденций стратегического развития конкурентоспособных производств УБИС особенно актуальным для России.

В отечественной электронике, к сожалению, на сегодня существует устойчивая тенденция к дезинтеграции и падению объемов производства. Если уровень 1990 года принять за 100%, то к концу 1996;началу 1997 показатель объема производстваоколо 15%. Более того, в России технико-экономические производственные показатели уровня 1 микрона-1 Мб СБИС не удалось реализовать даже к 1997 году. Если в мировой интегральной микроэлектронике этот промышленно-технологический барьер субмикрона был преодолен в начале 1980;х годов, когда начался интенсивный массированный процесс строительства специализированных производственных зданий под «чистые комнаты» класса 10−100, то план отечественной программы «Субмикрон-95», составленный еще в 1990 году, фактически был сорван и восстановлению в современной ситуации не подлежит.

Только за период 1983;1989 г. г. число заводов, введенных в эксплуатацию с «чистыми помещениями» составило в США-110, в Японии-100, в НИС АТР и Западной Европеоколо 30. Причем стоимость заводов первой половины 1980;х годов составляла 80−150 млн. долларов, в конце 1980;х годов — около 300−800 млн долл., а в середине 1990;хсвыше 1 млрд. долларов. В СССР и России же до 1994;1997 года не было построено и не введено в эксплуатацию ни одного завода со «сверхчистыми комнатами» класса 10. При этом в период с 1985 по 1989 г. г., когда мировая микроэлектроника уже стремительно вышла на технологический уровень субмикрона, вложения в нашу микроэлектронику были значительно ниже, чем у мировых лидеров США, Японии, соответственно в 6,5 и 7,3 раза по НИОКР, и по капитальным вложениям в 5 и 7,5 раза, соответственно [50]. Отечественные предприятия сегодня не способны накопить необходимые средства для капитальных вложений в оборудование, НИОКР. Если в 1988 году на развитие производства направлялось 47% от объема реализации, то в 1993;1995 годахтолько 12%. В 1988 году налоги из рубля продукции «съедали» 25 копеек. В 1993;1995 г. г.- уже 32 копейки. В капитальное вложение ранее отчислялось 22 копейки, а сейчас практически ничего [48,50] .

Вхождение России как равноправного рыночного партнера в мировую микроэлектронную индустрию неизбежно связано, конечно же, наравне с другими факторами, с таким многогранным процессом как создание отечественного конкурентоспособного гибкого мелкосерийного минипроизводства (минифаба).Несмотря на определенные сложности в освоении нового, чрезвычайно перспективного минипроизвдства «глубокого субмикрона» с проектными нормами 0.2 микрона, циклом изготовления субмикронных изделий широкой номенклатуры от 2 до 5 дней, выходом годных микросхем свыше 90% при производительности около 100 тысяч микросхем в год, Россия должна приложить максимум усилий для его освоения. Такой вывод определяется приведенными в исследовании рядом расчетов:1) технико-экономические предпосылки и основы построения новейшей отечественной производственно-технологической базы минифабов-2) оценка основных технико-экономических показателей производственно-хозяйственной деятельности минифаба^) расчетом рентабельности, экономическим обоснованием высокой прибыльности и сверхприбыльности минипроизводства.

Для планомерного и эффективного освоения опыта создания перспективных минифабов в представленной работе проведен анализ эволюционной зависимости прибыли от инвестиций, выделена роль оптимальной инвестиционно-финансовой организации венчурных проектов, а также определены механизмы государственной поддержки данных производств. Сумеет ли Россия занять достойное место на рынке мировой микроэлектронной индуст-рии-покажет ближайшее будущее. объектом исследования являются движущие силы-технология и экономика (техноэкономика) — интенсивного развития микроэлектронного производства субмикронных изделий (СБИС, УБИС)-экономическая структура и менеджмент разработки конкурентных технологий и КНП на их основе фирм-мировых лидеров для различных секторов мирового рынка-содержание, методы, экономическое обоснование разработки конкурентных СБИС, УБИС в рамках глобализации микроэлектронного производства и бизнеса, научно-технологической и государственной политики ведущих мировых производителей: США, Японии, НИС Азии.

Особое внимание сосредоточено на исследовании механизмов комплексного взаимодействия всех факторов в цепочке: идея-фундаментальная наука-технология-производство КНП-коммерциализация КНП-адаптация к рыночному спросу в рамках общегосударственных и фирменных мер стимулирования научно-технологического прогресса, постоянной модернизации и реинжиниринга современного конкурентного микроэлектронного производства мировых лидеров.

Предметом исследования послужили фундаментальные основы глобального микроэлектронного производства и бизнеса субмикронных СБИС, УБИС, коммерциализации КНП, доминирующие факторы и параметры горячего рыночного спроса и предложения середины-конца 1990;х гг.-новейшие техноэкономические тенденции и механизмы конкуренции-кооперации фирм рассматриваемых стран и регионов-практические методы государственного и фирменного планирования и долгосрочного перспективного прогнозирования научно-технологического прогресса и неукоснительной модернизации производства КНП-воздействие научно-технологической политики фирм-мировых лидеров в конкурентной среде мирового рынка на фундаментальную науку, поисковые исследования, патентно-лицензионную деятельность, инновационные аспекты развития мирового и отечественного микроэлектронного производствам также международное партнёрство в рамках глобализации экономики и мировой конкуренции-кооперации.

Целью диссертационной работы являются: 1) комплексный анализ экономических механизмов формирования и развития высоких микроэлектронных технологий, методов создания и коммерциализации конкурентоспособных наукоёмких продуктов в США, Японии, Республике Корея, Тайване-2) комплексный анализ взаимосвязанных технологических и экономических (техноэко-номических) тенденций, закономерностей конкуренции-кооперации глобального микроэлектронного производства и бизнеса конкурентоспособных наукоёмких продуктов фирм США, Японии, Республики Кореи, Тайваня, организации взаимодействия фундаментальной науки, технологии и промышленности в фирмах этих стран — 3) оценка предпосылок, в том числе экономических, и перспектив построения новейшей микроэлектронной технологической базы в России, а также разработка экономической стратегии организации и скорейшего создания отечественного гибкого производства УБИС по технологиям «глубокого субмикрона» .

СТЕПЕНЬ РАЗРАБОТАННОСТИ ТЕМЫ.

Концепции глобализации микроэлектронной индустрии и мировой техно-экономической конкуренции-кооперации применительно к США, Японии, Южной Корее, Тайваню, а также становления и запуска минипроизводств «глубокого субмикрона» по изготовлению УБИС в России, в научной литературе изучены мало.

Еще не сложилась целостная научная картина развития высоких технологий и новейших тенденций техноэкономического развития мировой электронно-компьютерной индустрии 1990;х гг. Изучение данной проблематики оказалось возможным при условии сочетания по крайней мере трех основных блоков знания: общеэкономической теориизарубежного опыта исследования проблематики высоких технологийотечественной научной литературы, журнальных публикаций.

Наиболее активно из общеэкономической теории использовались работы Шумпетера Й. и Портера М., посвященные исследованию понятий инновации, предпринимательской прибыли, а также теории конкуренции. В ходе работы важное значение приобрели исследования американских экономистов Макконнелла К. и Брю С., полно раскрывающих сущность предпринимательства и его важнейшие взаимосвязанные аспекты. Изучение структур мировых рынков в представленной работе во многом опиралось на фундаментальные труды Самуэльсона П.

Диссертантом проработана проблематика современных и перспективных производств новых поколений по массовому и мелкосерийному изготовлению конкурентоспособных УБИС, широко обсуждаемая на престижных конференциях по электронике в Вашингтоне: IEDM-1994;199 7, а также мировых форумах по технологиям и разработкам конкурентоспособных СБИС и компьютеров в Калифорнии: ISSC-1993;1997 г. г., на симпозиумах по полупроводниковым производствам СБИС и УБИС: ISSM-1994; 1996 г. г. в Японии и США. Как видно из списка проработанных дисертантом источников, центральная проблема предлагаемого исследования разрабатывалась преимущественно в зарубежной литературе. Значительное влияние на развитие диссертационного исследования оказали работы по экономике мирового микроэлектронного производства и бизнеса профессора Техасского университета Д. Хикса (работы 1993;1996 гг.) и президента компании VLSI Research из Кремниевой Долины Д. Хатчинсона (исследования 1993;1996 гг.).

Важную группу зарубежных источников составила информация о стратегии развития микроэлектронных фирм и наукоемких отраслей (в первую очередь информационно-компьютерной, микроэлектронной, телекоммуниацион-ной), полученная из общедоступных источников ведущих зарубежных фирм, университетских «центров экселенции», научно-исследовательских институтов, консалтинговы: и коммерческих структур. В работе использованы ряд конкретных фактологических и научных данные японских организаций JET-RO, JBI, a также материалы из США, Европы, НИС Азии: Dataquest, ICE, VLSI Research, Gartner Group, Disc Trend, IDC, Henderson Ventures, Aberdeen, In-fo-Corp, Yankee Group, Frost & Sullivan и др.

И, наконец, при анализе инновационной и инвестиционной политики, глобальной конкуренции в наукоемком производстве, очень ценными оказались исследования Акса 3. и Андрича Д. 7], Исикавы К. и Канимори К. 25], Кауфмана X. 34], Кэмпбелла С. 14], Кодета М. 26], Конноли П. 12], Масанори М. 23], Накадзуки Х., Тацуно Ш. 24], Хили Д. 6], Шимаку-ры К., Эрнста Д. и Коннора Д. [5].

В данном исследовании предпринята попытка расширить рамки указанных научных работ, выявить новейшие техноэкономические тенденции в сфере высоких микроэлектронных субмикронных технологий для США, Японии и НИС Азии, их конкурентного электронно-компьютерного производства раскрыть поучительные, как представляется диссертанту, для России процессы конкуренциикооперации фирм, возникновения национальных и международных альянсов фирм-лидеров для успешного освоения и продвижения на рынок конкурентоспособных технологий и продуктов.

В России ряд авторов также исследовали различные аспекты анализируемой в диссертации проблематики. Выделим в работы Анчишкина А. 1], Агеева А. 16], Абдеева Р. 44], Андрианова Н., Богданова Г., Болотина Б., Денисова Ю. 22], Динкевича А., Дынкина А. 48], Дьякова Ю. 50], Емельянова С. 49], Журавского Р. 31], Иванчикова А. 32], Каминского В., Коваленко И., Кокошина А., Кошкина А., Лобачевой Е. 30], Нович-кова А., Обминского Э-, Петрова А., Покровского В. 29], Родионова А. 34], Ракитова Л. 42,43], Сенаторова А., Тихоцкой И., Шиловцева С. 38], Чуфрина Г., Целищева В., Яковлева А., Яковца И. [29] и др. Анализ и результаты исследований данных авторов были ограничены временными рамками^ основном, 1960;1980;х и начала 1990;х гг. Однако проработка книг и журнальных статей данных авторов и других российских специалистов оказали диссертанту существенную помощь в формировании концепции его исследования .

Методология исследования.

Методология исследования включает: сбор данных из вышеупомянутой экономической и технологической литературы по вопросам наукоёмких и сырьевых отраслей, каталогов и фирменных проспектов, трудов последних научно-технических и экономических форумов (в первую очередь по наукоёмким отраслям), систематизацию патентных и лицензионных источников из Роспатента и Торгово-промышленной Палаты РФ за последние 5−7 лет, получение информации о стратегии развития фирм и наукоёмких отраслей (в первую очередь информационно-компьютерной, микроэлектронной, телекоммуникационной) из источников и баз данных зарубежных научно-учебных (университеты," центры экселенции"), промышленных (фирмы, заводы, корпорации) и государственных (НИИ) организаций. Анализ течений, тенденций и явлений в сфере развития высоких технологий и экономики (техноэкономи-ка) на основе системного, эволюционного подхода к проблематике работы.

Научная новизна работы и положения, выдвигаемые на защиту диссертантом, и их практическая актуальность для современной России:

— Рассмотрено, как в мировой экономике, социально-экономическом развитии стран парадигма глобализации, конкурентоспособности и высокой информационной технологии проступает на первый план и ускоряет научно-технологический прогресс, повышает эффективность предпринимательской деятельности, стимулирует интеграцию фундаментальной науки, технологии, производства и коммерциализации КНП.

— Показано, что во второй половине 1990;х годов симбиоз технологии и экономики (техноэкономика) во всём комплексе взаимосвязанных проблем становится ключевым фактором разработки и освоения КНП для сверхдинамичного мирового рынка информационных, электронных, компьютерных, телекоммуникационных КНП.

— Подтверждено на новых, ранее не использованных материалах, что определяющими факторами глобализации электронной индустрии и прогресса высоких технологий являются «доступ» и «эффективность», а также научно-технологический потенциал и надежность финансово-экономической базы фирм. Приведён анализ временных зависимостей объема продаж микроэлектронных изделий от инвестиций в производство, на основе которого выявлена тенденция поддерживания уровня годовых инвестиций от 15 до 22% от объема продаж в рассматриваемых странах. Для ряда фирм-мировых лидеров из США и Японии этот уровень может превышать 25%.

— Рассмотрены новейшие уникальные данные системной интеграции конкурентоспособных высокотехнологичных продуктов, работа над которыми объединяет в тесном партнёрстве ранее непримиримых в определенных секторах мирового рынка конкурентов из США, Японии, Южной Кореи, Тайваня и ряда других стран НИС Азии, что, в свою очередь, приводит к возникновению феномена эффективных национальных и международных фирменных альянсов, предпринимательская деятельность которых играет решающую роль в освоении новых сегментов мирового рынка высоких технологий .

— Сопоставлены творческие соперники: мировые технологические лидеры США и Япония. Центральное место отведено описанию опыта США. В частности, на конкретных примерах показана работа феномена техноэкономики и конкуренция-кооперация.Сделан вывод, что высокотехнологичная, наукоемкая отрасль США обладает рядом специфических черт: а) высочайшая скорость проектирования и освоения новых КНП-б) сфокусированность организованного инновационного процесса на достижении лучших и, даже, предельно возможных результатов-в) гибкость, сбалансированность внутрифеирменной структуры-г) динамичные взаимоотношения в рамках конкуренции-кооперации с выгодными партнерами.

— Изучена проблематика становления, развития и технологического прорыва информационных микроэлектронных технологий Японии. Выявлены ряд особенностей разработок КНП, совершенствования методов планирования и стимулирования научно-технологического прогресса базовых отраслей повышения эффективности поисковых исследований, НИОКР, патентно-лицензионной деятельности и их практической отдачи. Проведены анализ и детальное рассмотрение японской стратегии разработки, производства, коммерциализации КНП: наука и технология-основа бизнеса-бизнес-опора науки и технологии. Критически прослежены, в частности, в пределах имеющейся информации, некоторые изъяны в финансово-экономических обоснованиях ряда проектов.

— Показано, что Япония имеет приоритет и первенство в объёме реализуемой на мировом рынке технологоёмкой и наукоёмкой продукции на основе целенаправленной организации процесса создания КНП, творческо-техноло-гического поиска, охватывающего всю цепочку-от зарождения идеи и создания теории до развития и внедрения прорывной технологии, и, далее, до разработки и коммерциализации на её основе КНП в микроэлектронном, компьютерном, телекоммуникационном бизнесе ведущих японских фирм.

— Обосновано положение, что ключом к новым японским возможностям укрепления технологического лидерства является создание своих собственных, принципиально новых и «опережающих» конкурентных технологий и их трансферта вместе с КНП за рубеж, что составит суть развития японских наукоёмких отраслей и фирм за порогом текущего века. Проанализированы механизмы государственной политики и меры японского правительства с приложением максимума усилий на инновационно-инвестиционную деятельность в фундаментальной науке и принципиальных научно-технологических знаниях.

— Анализ материалов, характеризующих аспекты государственного планирования, регулирования и развития научно-технологического прогресса в Южной Корее и Тайване от конца 1970;х г. г. а также 1980;1990;х г. г., послужил основой для вывода о целенаправленной, эффективной деятельности государства, решающей роли государства в становлении и бурном развитии экспортно-ориентированных наукоёмких отраслей микроэлектронной и компьютерной промышленности этих стран.

— Сформировано представление о том, что в своей экспортно-ориентированной научно-технологической политике середины 1990;х гг. Южная Корея и Тайвань поддерживают тенденцию к открытости рынков и используют ее для повышения технологического потенциала и конкурентоспособности не только электронной индустрии, но и всей своей промышленности в целях ускорения развития экономики с обеспечением, одновременно, децентрализации управления технологическим прогрессом фирм и создания эффективных, гибких методов общегосударственного регулирования, планирования и прогнозирования.

— Рассмотрены особенности развития наукоёмких отраслей промышленности Южной Кореи и Тайваня, пути успешного освоения и продвижения КНП на мировой рынок: а) целенаправленная политика правительства, благодаря которой сложились благоприятные условия для ускоренного развития наукоёмких отраслей в свободных экономических зонах — б) перемещение в Южную Корею и Тайвань ряда передовых предприятий американских и японс ких фирм и совместное создание и освоение КНПв) формирование гибких, мобильных национальных фирм, способных быстро переходить от выпуска одних КНП к других с учетом конъюнктуры мирового рынка — г) формирование корпуса национальных интеллектуальных, руководящих, инженерно-технических кадров, а также квалифицированной рабочей силы в наукоёмких отраслях высоких технологий.

— В рамках проведенных исследований зарубежного опыта обозначена и очевидная обратная задача: извлечение творческих уроков для России. В качестве исходных выделены: а) опыт экспортно-ориентированной стратегииб) механизмы разработки, внедрения и коммерциализации КНП, обеспечивающие динамику становления информационных, интеллектуальных наукоемких отраслей Южной Кореи и Тайваня (заметим, что пятилетний срок осуществления технологического прорыва в сфере микроэлектронной, компь-ютерной промышленности значительно, почти в три раза, короче срока аналогичного процесса в Японии).

— Обобщены и кратко сформулированы экономические особенности современного состояния отечественной микроэлектроники, динамика ее развития. Выделены направления и проблемы развития интегральной электроники на пути изготовления конкурентоспособных субмикронных СБИС. Обоснованы возможности высочайшей рентабельности микроэлектронных перспективных производств по изготовлению КНП на базе «опережающих» и принципиально новых технологий с учётом эффективности механизмов взаимодействия в цепочке: наука-технология-производство-коммерциализация КНП.

— Показано, что реальное функционирование современных полупроводниковых массовых мегафабов и мелкосерийных минифабов возможно только при обеспечении выполнения главного критерия-максимальной экономической эффективности. В то же время, для перспективных мелкосерийных минифабов производства субмикронных СБИС и УБИС необходимо соблюдение выполнения трех главных взаимосвязанных факторов: максимальной экономической эффективностимаксимальной технической сложностиконкурентоспособности разрабатываемых и производимых СБИС и УБИС.

— Сделан вывод о целесообразности, необходимости и, самое главное, реальной возможности запуска мелкосерийного гибкого производства в России по технологии 0.2-мкм УБИС (уровня 256 Мб-1 Гб).Результаты проведенного анализа свидетельствуют, что идеология оперативной индивидуальной ультрачистой обработки пластин позволяет с меньшими затратами изготавливать на «пилотном производстве» 0.2- мкм УБИС с потенциально реализуемыми конкурентоспособными параметрами.

— Обоснованы пути и перспективы разработки отечественных микроэлектронных КНП с учётом тенденций и эффективных механизмов национального и международного партнёрства в рыночной конкурентной среде, а также на основе опоры на отечественные сырьевые отрасли и финансово-промышленные группы.

— Показано, что на пути мощного развития мировой микроэлектронной индустрии возникают волны валютно-финансовых кризисов на фондовых рынках и биржах Восточной Азии. При высокой вероятности повторяемости финансовых кризисов, региональных и мировых, России необходимо выбрать ориентиры максимально быстрого, инновационного развития конкурентных производственных высокотехнологических отраслей (информационных, микроэлектронных и др.), эффективно и с громадной пользой для национальных интересов насыщающих внутренние и внешние рынки.

Прикладной, практический аспект исследования проблематики высоких технологийтехноэкономический подход создания гибкого, оперативного, ультрачистого минипроизводства гигабитного диапазона, позволяющего обеспечить конкурентные, на мировом уровне, высокие технико-эксплуатационные характеристики, обосновать производственные затраты для оптимальных инвестиций потенциальных партнёров и кредиторов (при организации эффективных взаимовыгодных кредитных линий).Исследование характеризует новые методы обеспечения высокой конкурентоспособности, рентабельности производимых на минипроизводствах КНП с потенциальной возможностью реализации прибыли и сверхприбыли. Показано, что благодаря оперативности изготовления на минифабах КНП (вплоть до десятков часов) и улучшения их параметров по мере масштабирования УБИС в область «глубокого субмикрона» можно ожидать повышения эффективности минифаба с потенциально возможной реализацией сверхприбыли.

Диссертация состоит из пяти частей, введения и заключения.

Введение

обосновывает тему, цели диссертации, очерчивает круг изучаемых проблем, методологию их решения, содержит краткий библиографический обзор.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Ни в одной из областей глобальной экономики 1990;х гг. немыслим прогресс без микроэлектронной и вычислительной техники. Темпы развития микроэлектроники, высокопроизводительных компьютеров, систем обработки информации, широта и эффективность их внедрения во все сферы человеческой деятельности не имеют аналогов в истории науки и техники:!) конец 1940;х гг.-изобретение биполярного транзистора (БТ), внедрение в промышленное производство дискретных БТ-2) конец 1950;х-начало 1960;х гг. -изобретение и разработка первых интегральных схем (ИС) со степенью интеграции до нескольких единиц-десятков компонентов в кремниевом кристалле-3) конец 1960;х гг.-в интегральных схемах средней степени интеграции (СИС) достигнуто размещение десятки-сотни активных компонентов биполярного транзистора-4) середина 1970;х гг.-степень интеграции больших интегральных схем (БИС) превысила тысячи компонентов-5) началосередина 1980;х гг.-степень интеграции в сверхбольших интегральных схемах (СБИС) выросла до миллиона активных компонентов-6) конец 1980;х-середина 1990;х гг.-степень интеграции в СБИС и ультраБИС (УБИС) превысила уровень десятков миллионов активных компонентов.

После изобретения и экспериментального изготовления транзистора фирма Bell Labs с 1952 г. свободно предлагала свои патентные права на транзистор другим компаниям всего за 25 тыс.долларов.Это мотивировалось реальной возможностью ускорения технического прогресса при замене в радиоэлектронных системах различного назначения ламповых схем на полупроводниковые. Однако даже интенсивная разработка и появление на мировом рынке в середине 1950;х гг. компактных мобильных «транзисторных радиоприёмников», в чём приуспели ряд компаний Японии и США, не предвещало становление долговременных экономических механизмов формирования прибыли с ежегодным ростом продаж изделий полупроводниковой электроники в единицы-десятки млрд. долларов.

Только с наступлением эры интегральных схем (от ИС и БИС к СБИС и УБИС) включился чисто экономический механизм получения огромной прибыли от увеличения числа элементов в кристалле, обеспечивающего с уменьшением геометрических размеров элементов постоянное снижение (до 25−35% в год) удельной стоимости воплощённых в кристалле вентиля, бита информации, прибора. Это связано с тем, что стоимость единицы площади обработанных пластин не меняется уже несколько десятилетий. Экономическую выгоду развивающейся полупроводниковой индустрии можно эффектно проиллюстрировать эволюцией увеличения БИС с эквивалентным объёмом памяти одной страницы книги (32 Кб-1 Мб, 1975;1985 гг.), СБИС-" книги" (4 Мб-256 Мб, 1985;1996 гг.), перспективные УБИС -" энциклопедии" (свыше 1−4 Гб) при неизменной стоимости единицы технологической обработки площади пластины. При этом уже в 1962 г. через 14 лет после изобретения транзистора полупроводниковая индустрия достигла уровня объёма продаж ИС в 1 млрд долл., в начале 1970 -х гг.-свыше 10 млрд долл., а в конце 1990;х гг.-свыше 200 млрд долл. Поэтому понятие «техноэкономика» как симбиоз технологии и экономики в производстве БИС может трактоваться не только как проявление коренного влияния прорывных технологий на экономику производства и бизнеса, но и как эффективное включение экономических механизмов извлечения прибыли из интегральных технологий в качестве побудительных мотивационных аспектов развития микроэлектроники.

Именно наступление эры интегральных схем изменило структуру национальных и международных экономических отношений, породило новые формы структурного производственного менеджмента по мере увеличения объёма продаж КНП и извлекаемой прибыли. На примере развития ведущих мировых электронных фирм из различных регионов-NEC (Япония), Intel (США), Samsung (Южная Корея), Acer (Тайвань) и др., анализируемых в главах 1−4, просматривается общая структура и общие этапы организации экономики производства и микроэлектронного бизнеса. К общим этапам развития организации производства и менеджмента относятся:

1) становление национальных отраслей и освоение национальных рынков,.

2) экспорт,.

3) создание зарубежных подразделений и представительств по продажам на внешних рынках. эффективному региональному маркетингу,.

4) создание зарубежных экономичных сборочных предприятий фирмами-резидентами ,.

5) создание за рубежом заводов по производству пластин и микросхем,.

6) мировая сетевая глобализация производства (центры проектирова-ния-производство-региональный бизнес и др.) под эгидой конкуренции-кооперации .

Для фирмы NEC характерна следующая эволюция: 1955 -1960 гг.- этап 1), объём продаж 10 млн долл.- 1960;1965 гг.-этап 2, 100 млн долл.-1970;1975 гг.-этап 3, 300 млн долл.- 1975;1983 гг.-этап 4, 1 млрд долл.:1983;1992 гг.- этап 5, 2−6 млрд долл.- 1993;1998 гг.-этап 6,6−10 млрд долл.К 1997 г. в структуру NEC входило 5 сборочных зарубежных заводов и 4 зарубежных мегафабов, 10 региональных маркетинговых подразделений и свыше 20 центров проектироования СБИС.

Для фирмы Intel характерна следующая эволюция: 1968 -1971 гг.-этап 1), объём продаж 10 млн долл.- 1972;1975 гг.-этап 2, 100 млн долл.-1975;1978 гг.-этап 3, 300 млн долл.- 1979;1985 гг.-этап 4, 1 млрд долл.:1988;1993 гг.- этап 5, 2−5 млрд долл.- 1993;1998 гг.-этап 6,6−25 млрд долл.

Для фирмы Samsung характерна следующая эволюция: 1965 -1975 гг.-этап 1), объём продаж 10 млн долл.- 1975;1978 гг.-этап 2, 100 МЛН ДОЛЛ.-1978;1982 гг.-этап 3, 300 млн долл.- 1983;1989 гг.-этап 4, 1 млрд долл.:1989;1993 гг.- этап 5, 2−5 млрд долл.- 1993;1998 гг.-этап 6,5−8 млрд долл.

В 1990;ые годы с переходом к субмикронным промышленным технологиям развитие мировой микроэлектронной индустрии стало проходить ещё более бурно. Тому, во многом, способствовали процессы глобализации экономики, оказывающие мощное влияние на деятельность микроэлектронных фирм, занятых освоением и производством КНП для мирового рынка:1) усиливаются тенденции слияния фирм, расположенных в разных странах-2) резко возрастает приобретение ведущими американскими и японскими фирмами тех или иных зарубежных компаний-3) происходит расширение деятельности зарубежных филиалов, когда американские и японские фирмы создают в других странах не только производственные и сбытовые отделения, но и научно-исследовательские центры-4) ускоренным темпом протекают процессы освоения и продвижения КНП на мировой рынок в рамках структур ТНК.

Глобализация, взламывая сопротивление переменам, всему новому, что поступает извне, ускоряет научно-технологический прогресс, углубляет процессы интеграции фундаментальной науки, технологии, производства, разработки и коммерциализации прорывных технологий и КНП на мировом рынке, обеспечивая процветание и благосостояние фирм и стран-мировых лидеров (США, Япония, Тайвань, Южная Корея).

Вместе с тем, существуют и значительные сложности, реальные противоречия, присущие процессам развития микроэлектронных технологий и производств КНП. Разработка перспективных субмикронных изделий связана с постоянным преодолением экономических и технологических барьеров и ограничений в ходе создания опытных образцов и дальнейшего производства субмикронной продукции. Во второй половине 1990;х гг. симбиоз технологии и экономики (техноэкономика) во всем комплексе взаимосвязанных проблем и аспектов становится ключевым фактором решения трудных задач освоения и продвижения КНП на мировой рынок.

Главнейшим условием успешного техноэкономического развития субмикронных производств в рамках определенного научно-технического направления является не только высокая динамика технических и экономических показателей, но и положение дел в сфере коммуникации разработчиков, менеджеров, региональных представителей по сбыту продуктов, а также развитие внутренних общественных связей по продвижению КНП к рыночному успеху.

В какой-то степени «идеальным» опытом, удобным для исследования процессов развития микроэлектроники 1990;х ггоказывается творческое соперничество двух мировых технологических лидеров-США и Японии. Описание опыта США и Японии вносит существенное дополнение в ряд положений, обозначенных в техноэкономической части работы. В частности, на конкретных примерах становится понятнее, что имеется в виду под феноменом техноэкономики, конкуренции-кооперации, образованием многообразных форм эффективных национальных и международных фирменных альянсов, деятельность которых играет решающую роль в освоении новых секторов мирового рынка высоких технологий.

Фирмы-лидеры США и Японии демонстрируют следующее:1) чрезвычайно важную роль скорости проектирования и освоения КНП-2) сфокусированность организованного инновационного процесса на достижение лучших и даже предельно возможных результатов-3) гибкость, сбалансированность организации внутрифирменной структуры-4) взаимоотношения в рамках конкуренции-кооперации с партнерами, обладающими необходимым «опережающим» технологическим опытом и ноу-хау разработок КНП.

Государственная политика японского правительства направлена на приложение максимума усилий на изменение приоритетов в фундаментальных науках и научно-технологических знаниях, чтобы кардинально изменить положение дел в конкурентной сфере высоких информационных технологий. На основе целенаправленной и системной организации творческого технологического поиска, охватывающего всю цепочку-от зарождения идеи до развития и внедрения прорывной технологии и, далее, до разработки и продажи на ее основе КНП, осуществляется развитие японских информационных микроэлектронных технологий. Фундаментальная наука и технология-основа микроэлектронногокомпьютерного, телекоммуникационного бизнеса, бизнес-опора науки и технологии,-составляют суть стратегии ведущих японских фирм. Япония сделала ставку на бизнес готовых КНП, а не на их отдельные фрагменты в виде патентов, технологических лицензий, что является оптимальным решением интенсивного полноценного финансирования научных исследований, НИОКР. Последние открывают перспективы новым японским возможностям укрепления технологического лидерства путем создания своих собственных принципиально новых, конкурентных технологий и их трансферта вместе с КНП за рубеж. Но даже благополучная Япония не избежала ряда ошибок. Япония, бросившая технологический вызов XXI веку, в то же время, вынуждена расплачиваться за то, что она ранее не смогла создать в стране серьезные стимулы для занятий фундаментальной наукой, базисными научно-технологическими исследованиями, в первую очередь, в области программного обеспечения и изобретений принципиально новых информационных технологий. Совсем не случайно, что именно в конце 1990;х гг., как бы наверстывая упущенное, японские специалисты настойчиво следят и знакомятся с новейшими работами в области фундаментальных исследований: а) программное обеспеченней) математическое моделирование в области разработок суперкомпьютеров и многое др. Об этом говорит, в частности, обилие заинтересованных японских специалистов на престижной Международной конференции, посвященной фундаментальным исследованиям в области программного обеспечения, которая состоялась в Москве, в Государственном Университете имени М. В. Ломоносова в мае 1998 года.

Разделение глобальной микроэлектронной индустрии на технологическую элиту, к которой несомненно принадлежат США и Япония, и производителей «средней руки» , — проблема еще не скорого будущего. Тем не менее, уже сегодня, можно сказать, что глобализация, во многом, являясь следствием перехода большинства стран от закрытых национальных экономик к открытым, вызвала резкий рост количества стран," имеющих отношение к микроэлектронике". Возник широкий круг стран-производителей «средней руки», которые в полном смысле нельзя отнести к сильным соперникам мировых лидеров США и Японии.

Не таков научно-технологический прогресс Тайваня и Южной Кореи. Среди стран с открытыми экономиками Тайвань, а затем Южная Корея, в ускоренный, практически пятилетний срок, осуществили становление конкурентных наукоемких отраслей и вошли в мировой микроэлектронный бизнес (на что, несколько ранее, Японии пришлось потратить до 10−12 лет).Ориентация на разработку КНП в рамках техноэкономических тенденций конкуренции-кооперации стимулировала повышение технологического потенциала и конкурентоспособности не только микроэлектронной индустрии этих стран, но и всей промышленности Тайваня и Южной Кореи в целом.

Научно-технологические связи как Тайваня, так и Южной Кореи с фирмами и странами-мировыми лидерами, участие в перспективных международных альянсах, наравне со стратегией технологических трансфертов и коммерциализации КНП, оказались благоприятными для ускоренного развития микроэлектронной и компьютерной промышленности.

В работе, на материалах исследования микроэлектронной индустрии данных стран, систематизированы основные факторы успешного освоения и продвижения КНП на мировой рынок. А именно: а) целенаправленная научно-технологическая политика, благодаря которой сложились выгодные условия для ускоренного развития микроэлектронной индустрии в свободных экономических зонах-б) перемещение ряда передовых предприятий американских и японских фирм как на Тайвань, так и на территорию Южной Кореи и совместное создание и освоение КНП на базе развития высоких технологий^) формирование на Тайване множества небольших национальных конкурентоспособных фирн в области наукоемких отраслей, способных быстро переходить от выпуска одних КНП к другим с учетом тенденций развития и конъюнктуры мирового рынка-г) выделена роль Тайваня в мировом разделении труда и формировании единого мирового технологического пространства и рынка технологических знаний-д)формирование национальных интеллектуальных руководящих, инженерно-технических кадров, а также квалифицированной рабочей силы в наукоемких отраслях высоких технологий.

Опыт Южной Кореи особенно ценен как из-за универсальности используемых средств, рычагов экономического и технологического подъема, так и из-за обращения, при освоении и развитии наукоемких отраслей, к сугубо национально-психологическим особенностям, традициям и культуре. Выполнение комплексной программы компьютеризации, внедрение и освоение КНП, налаживание каналов сбыта продукции на мировом рынке, расширение способов партнерского воспроизводства КНП с мировыми центрами микроэлектронной и компьютерной промышленности, обеспечили успех обделенной природными ресурсами и не располагавшей сверхвысокой технологической культурой на начальной стадии страны в сфере высоких технологий.

Нами проанализирован опыт развития российской микроэлектроники с акцентом её проблематики середины-конца 1990;х гг., не получившей должного освещения в отечественной и зарубежной литературе. С одной стороны, необходимо отметить, что Россия интегрируется в единое мировое технологическое пространство со значительным опозданием от возникновения «эры БИС». С другой, значительный тормоз на пути новейшего развития отечественной интегральной микроэлектроники конца 1990;х гг. представляют реальный дефицит отечественного бюджета, сложность реструктуризации индустрии высоких технологий, а также валютно-финансовый кризис на фондовых рынках Восточной Азии, который разразился в октябре 1997 года (симптомы которого сохраняются в течение текущего 1998 г. Кризис послужил предостережением для России, которой необходимо выбрать ориентиры максимально быстрого становления национальных конкурентных высокотехнологических отраслей, насыщающих внутренние и внешние рынки.

У России имеются возможности и перспективы участия в многосторонних международных проектах и разработках для продвижения инвестиционных проектов в пограничных зонах Дальнего Востока и Сибири, предусматривающих, наравне со странами НИС Азии, совместное участие России, Японии, Китая. В последнее время наблюдается резкий подъем интереса к АТР и, прежде всего, к НИС АТР среди российских государственных и акционерных промышленных структур в связи с задачами создания эффективных условий для финансирования и поддержания российского научно-технологического потенциала, а также отечественных поисковых НИОКР с патентными разработками высокого мирового стандарта. Находит отклик у потенциальных деловых партнеров инициатива создания информационных каналов о технологических достижениях российской науки и технологии для их коммерческого приложения с партнёрами из Японии, НИС АТР.

В работе обобщены современное состояние, основные направления и проблемы развития отечественной интегральной электроники на пути изготовления конкурентоспособных субмикронных СБИС и УБИС «глубокого субмикрона». Структура затрат субмикронного производства СБИС, обеспечение высокого выхода годных СБИС и высокой функциональной сложности интегральных КНП («интеллекта в кристалле») позволяет реализовывать на полупроводниковых производствах (мегаи минипроизводствах) высочайший уровень рентабельности и прибыли, за счёт высочайшей гибкости и оперативности производства, минимизации себестоимости производства СБИС (в первую очередь на гибких, мелкосерийных минифабах) и увеличения цены продаваемых, конкурентных СБИС и, соответственно, объёма реализации.

Экономические особенности современного состояния и динамики развития отечественной микроэлектроники должны определяться, прежде всего, критериями максимальной экономической эффективности («товарности» для внутреннего и внешнего рынков) и максимальной технической сложности (а также конкурентоспособности) разрабатываемых СБИС. Поэтому реальное функционирование современных полупроводниковых массовых мегафабов и мелкосерийных минифабов по изготовления стандартной «товарной» продукции возможно только при обеспечении выполнения главного критерия-мак-симальной экономической эффективности. В то же время, для перспективных мелкосерийных минифабов производства сверхсложных УБИС и КНП необходимо обеспечение выполнения уже трех главных взаимовлияемых критериев: а) максимальной экономической эффективности-б) максимальной технической сложности-в) конкурентоспособности разрабатываемых и производимых СБИС и УБИС.

Целесообразность, необходимость и, самое главное, реальная возможность запуска мелкосерийного гибкого производства 0.2 мкм СБИС (уровня 256 Мб-1 Гб) бесспорны. Результаты проведенного анализа свидетельствуют, что идеология индивидуальной обработки пластин позволяет с меньшими затратами получать на «пилотном производстве» пользующиеся высоким спросом субмикронные изделия 0.2 мкм СБИС, УБИС с потенциально реализуемыми конкурентоспособными параметрами и минимальным циклом изготовления (в 2−5 дней).Сделан вывод, что основы экономической целесообразности скорейшей реализации производства УБИС «глубокого субмикрона» проистекают из реальности получения максимальной прибыли в классе УБИС, обеспечения высочайшей рентабельности мелкосерийного гибкого ми-нифаба по изготовлению конкурентоспособных микросхем при динамичном развитии производства в рыночной конкурентной среде.

Благодаря гибкости и минимальным срокам изготовления микроэлектронных КНП на минифабах (вплоть до десятков часов), улучшению их параметров, по мере масштабирования УБИС в область более «глубокого субмикрона», можно ожидать повышение эффективности и сокращение плавного цикла реинвестиций: для минифаба до 2−3 лет и для спейсфаба до 3−5 лет (против 6−7 лет для мегафабов).Причём прибыльность минифаба может возрастать с каждым реинвестиционным циклом-тенденции прямо противоположной наблюдаемой для типовых мегафабов, например, фирмы Intel.

Техноэкономический подход к созданию гибких, оперативных ультрачистых минифабов на земле и спейсфабов в космосе позволит обеспечить конкурентные на мировом уровне технико-эксплуатационные характеристики производства, обосновать необходимые производственные затраты для оптимальных инвестиций потенциальных партнёров и кредиторов (при организации эффективных взаимовыгодных кредитных линий).

Представляется, что результаты приведённых экономических исследований будут иметь теоретическое и прикладное значение для обоснования и прогнозирования ориентировочных сроков создания гибких, мелкосерийных производств с эффективными рыночными механизмами функционирования.

Определены пути и перспективы разработки отечественных микроэлектронных КНП с учетом тенденций и эффективных механизмов национального и международного партнёрства в рыночной конкурентной среде, а также на основе опоры на отечественные сырьевые отрасли и финансово-промышленные группы. Выгода от продажи современных конкурентных УБИС огромна. Можно сказать, что она, по-видимому, будет значительно превосходить те доходы, которые получают отечественные сырьевые отрасли (газовая, нефтяная) и, даже, золотодобывающая, поскольку килограмм УБИС стоит сегодня на мировом рынке в три-три с половиной раза дороже килограмма золота. Стоимость завтрашних изготовленных на минии спейсфабах интеллектуальных УБИС и систем на пластинах (СП, 2D-, 3D-WSI) будет ещё дороже: килограмм УБИС и систем на пластинах будет стоить в 4−8 раз дороже килограмма золота.

Но, несомненно, подлинный золотой запас России составляет интеллектуальный потенциал страны. Россия продвигает в мировую микроэлектронику все новые и новые теоретические концепции и разработки (ведущие фирмы-лидеры США и Японии проявляют невиданную активность и заинтересованность российской концепцией создания спейсфабов).Необходимо не только продвигать оригинальные отечественные концепции в технологически развитые страны для их реального воплощения в промышленном производстве, но и срочно реализовывать на новейших направлениях развития отечественной электроники свой собственный накопленный и формируемый научно-технологический потенциал. Не упускать возможностей ускоренного «опережающего» развития высоких технологий под знаком самых главных российских приоритетов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А.И. Наука-техника-экономика.-МЭкономика, 1986.
  2. Л.И. Новый тип экономического мышления.М., Экономика, 1987.
  3. П. Экономика.-М., Прогресс, 1987.
  4. Chang C. White book for Taiwan I.С.Industry toward 2010.-EDMA, 1996.
  5. D.Ernst, D.Connor. Technology and global competition. The Challinge for newly industria1ing economics. OECAD, Paris, 1989.
  6. D.Healey. Japanese capital exports and asian economics development.- OECAD. Paris.1991.
  7. Acs Z., Andretsh D. Innovation, market structure and firm size.-Review of economics and statistics, 1988, N 4, p.567−574.
  8. M. Международная конкуренция.M.Международные отношения, 1993. 9-Хайман Д. Н. Современная микроэкономика: анализ и применение. В 2-хт.М.Финансы и статистика, 1992.
  9. Ю.Макконнел К., Брю С. Экономика:принципы проблемы и политика.Т.1,2 -М., Республика, 1992.
  10. И.Пиндайк Р., Рубинфельд Д.Микроэкономика.М.Экономика, 1992 т.М.Финансы и статистика, 1992.
  11. Connolly P. Enterpreneurs in Corporations.-New York, 1986.
  12. И., Реветлоу П. Экономика фирмы:Учебник-М.:Высшая школа, 1994.
  13. Экономика предприятия /Под ред. Горфинкеля В. Я. и Купрякова
  14. Е.М./М.:"Банки и биржи-ЮНИТИ", 1996.
  15. Campbell С. A decision theory model for entrepreneurial act.-Texas, 1991.
  16. А. Предпринимательство, проблемы собственности и культуры .-М.: 1991 .
  17. Й.Шумпетер. Теория экономического развития.- М.:1982.
  18. Основы предпринимательского дела. Благородный бизнес /Подред.Ю. М. Осипова, М.19 92.
  19. Основы предпринимательской деятельности (Экономическая теория.Маркетинг. Финансовый менеджмент).-М.Финансы и статистика, 1994.
  20. Долан Э.Дж., Линдсей Д. Рынок:микроэкономическая модель.-СПб., 1992.
  21. Ю.Д. Японская концепция «Техносферы 2010″// В сб. Японский опыт для Российских реформ, 1995, вып.1.
  22. Ю.Д. Информатизация -главное направление научно-технического прогресса в Японии.// В сб. Японский опыт для Российских реформ, 1995, вып.2,
  23. М.Masanori. Advanced Technology and the Japanese conribution.-Tokyo, 1983 .
  24. Ш. Тацуно. Стратегия-технополисы.- M. Прогресс, 1989.
  25. Х., Канимори К. Повышение качества в японских корпорациях . -М. 1995 .
  26. Godet M., Ruyssen О. The old world and the New technologies: challenges to Europe in a hostile World.-Comiss. of Europ communities. Brussels, Luxemburg, 1981, p. 111.
  27. В.Ю., Панова М. И. Экономические проблемы технического прогресса.- М., Мысль, 1994.
  28. И.В. Закономерности научно-технического прогресса и их планомерное использование.-М.1994.
  29. В.Н. Энергия, технический прогресс и экономический рост.-М., 1993.
  30. Е.Н. Научно-технологический прогресс:закономерности и противоречия.-М., 1993 .
  31. Журавский В. Капиталистический рынок оборудования: проблема конкурентоспособности.- М., 1991.
  32. А.Г. Теоретические и практические аспекты привлечения иностранных технологий в КНР.-М., 1991 .
  33. Lechman R., Hodges D. Benchmarking Semiconductor Manufacturing. //IEEE Trans. on semicond. manufacturing 1996, N 3, pp- 158−169 .
  34. Д. Основные характеристики рынка информационных услуг развитых капиталистических стран.-М., 1990.
  35. Жемчужников В. и др. Государственное финансирование научно-технического прогресса в развитых капиталистических странах.-М., 1990.
  36. Инновационная политика развитых капиталистических государств. ВНИИ системных исследований.-М., 1991.
  37. Инновационный процесс в странах развитого капитализма (методы, формы). (Под общей редакцией Рудаковой И.Е.) — М., 1990.
  38. с.И. Структурные сдвиги в воспроизводстве общественного продукта развивающихся стран (Южная Корея, Таиланд, Иран)-М., 1990.
  39. Структурные сдвиги в экономике развитых капиталистическихстран (роль новых технологий).-М., 1990.
  40. Экономические проблемы научно-технического прогресса развитых стран. -М., 1991.
  41. В. Деловая Япония-М.: 1991.
  42. А.И. Философия компьютерной революции.- М.:1991.
  43. А.И. Информационная революция:наука, экономика, технология. -М.:1993.
  44. Р.Ф. Философия информационной цивилизации.-М.:1994.
  45. А.А. Новый этап НТР (экономическое содержание и механизмы реализации).-М.1991.
  46. Hicks D. Deep Industrial Dynamics Shaping Next-Generation Simicon-ductor Manufacturing.-ISSM-1997,October 6−8,San Francisko, CA.
  47. Hutcheson D., Hutcheson 3. Technology and Economics in the Semiconductor Industry.-Scientific American, v.274,N1,p.54−62.
  48. B.C. О необходимости создания супер-ЭВМ в России.//Информационные технологии и вычислительные системы, 1995, N 1, с.5−11.
  49. С.В. Колонка главного редактора.О задачах журнала // Информационные технологии и вычислительные системы, 1995, N 1, с. З-4.
  50. Ю.Н., Попов А. А., Яковлев А. Т. Основные направления и проблемы развития микроэлектроники в России.// Информационные технологии и вычислительные системы, 1995, N 1, с.64−73.
  51. Bzhezinsky Z. New trends of development of tecnological indust-ry//California management review, 1988, November.
  52. Бубенников A.A.Моделирование техноэкономических тенденций развития микроэлектронного производства и бизнеса// Труды юбилейной научной конференции МФТИ, 1996, с. 94.
  53. А.Н., Бубенников А. А. Тенденции развития конкурентоспособных кремниевых КМОП-, биполярных и БИКМОП- СБИС. Часть 1. // Зарубежная радиоэлектроника, 1993, N 1, с.3−19.
  54. А.Н., Бубенников А. А. Тенденции развития конкурентоспособных кремниевых КМОП-, биполярных и БИКМОП- СБИС. Часть 2. // Зарубежная радиоэлектроника, 1994, N 3, с.3−25.
  55. А.Н., Бубенников А. А., Мамрыкин Г. И. Тайваньский феномен в сфере высоких технологий.//Проблемы Дальнего Востока РАН, 1993. N 5, с.67−76.
  56. А.Н., Бубенников А. А., Мамрыкин Г. И. Взлет южнокорейского дракона в стратосферу высоких технологий // Проблемы Дальнего Востока РАН 1994. N 1, с.45−57.
  57. Бубенников А.Н., Бубенников А. А., Электронная глобализация и НИС АТР// Проблемы Дальнего Востока РАН, 1996, N 1, с.28−41.
  58. Бубенников А.Н., Бубенников А. А. Информационный, технологический вызов Японии XXI в.:поверх барьеров//Проблемы Дальнего Востока, 1997, N 3.
  59. Бубенников А.Н., Бубенников А. А., Мамрыкин Г. И. Мировой рынок микроэлектроники: потенциал, конкуренция-кооперация // Мировая экономика и международные отношения РАН, 1995, N 6, с.112−124.
  60. А.Н., Бубенников А. А. Мировые программы освоения высоких субмикронных технологий конкурентоспособных СБИС //Заруб. радиоэлектроника, 1993, N 2, с. 75−84.
  61. А.N.Bubennikov, А.А.Bubennikov.A choice of flexible, ultraclean processing strategy for advanced minifabs of competitive ULSI //Proc.Baitic Electronic Conference, Tal1 inn, 1996, pp.125−129.
  62. A.H.Бубенников, A.A.Бубенников, A.A.Соловьев.Основы и особенности гибких ультрачистых производств субмикронных УБИС с индивидуальной обработкой пластин//3арубежная радиоэлектроника, 1996, N 6, с.54−63.
  63. А.Н.Бубенников, А. А. Бубенников.Микроэлектроника мобильной эры и финансовые кризисы. // Электроника, 1998, N 3, с.49−54.
  64. А.Н., Бубенников А. А. Методология интеграции проектной и предпроектной разработки СБИС средствами моделирования//В сб. докладов Международной научной конференции „Проблемы автоматизированного моделирования в электронике“, Киев, 1994, С. 100.
  65. Бубенников А.Н., Бубенников А. А. Модели стоимости производства и оборудования конкурентоспособных СБИС//В сб. докладов Международной конференции „Проблемы физической и биомедицинской электроники“, Киев, 1996 Г., с .190−193.
  66. А.Н.Бубенников, А. А. Бубенников. Моделирование и оптимизация стоимости производства и оборудования перспективных УБИС //Труды Международной конференции „Актуальные проблемы твердотельной электроники“, Таганрог, 1996, с. 96.
  67. А.А. Техноэкономическиее инновации и эффективность стратегических альянсов в венчурном мега-и минипроизводстве конкурентоспособных УБИС //Труды научной конференции МФТИ, 1997.
  68. А.А., Бубенников А. Н. Моделирование технологии КМОП/БИКМОП СБИС//Труды Международной конференции „Информационные технологии в проектировании и бизнесе“, Гурзуф, 1993.
  69. Бубенников А. Н. Индустрия высоких технологий в эпоху глобальной конкуренции // МЭиМО, РАН, 1993, N 8, с.132−142.
  70. R.Neff, L.Malyniak.Development of microelectronics.-San-Jose, 1995
  71. Kester J. Japanese takeovers. New York, 1996.
  72. Morrison K. Financial planning of R#D in Japan-San-Francisco, 1996
  73. Business Week International, 1995−1996.
  74. Isicava H. Japanese methods of control of quality of production-Tokyo, 1996 .
  75. Shimitsu I. Programms of creatation of technologies.-Naganj, 1995
  76. X. Мир компьютеров в вопросах и ответах.-М.1995.
  77. White Paper on Science and Technology for 1996.-Science and Technology Agency, Tokyo, 1996.
  78. Kozo I. Research and Development in Japan present and future//Journal of Japanese Trade & Indastry, 1996, N 5, pp.42−46.
  79. Current R&D in science and technology-from NISTEP report// Science & technology in Japan 1996, N 53, pp.23−41 .
  80. National R&D Projects // JETRO, 1996, Apri1, pp.9−11.
  81. Summary of White Paper on Science and technology 1995 // Science & technology in Japan, 1996, N 55, pp.34−47.
  82. Nakai T. International joint research a must for the future // Japan, 1995,21st jannuary, pp.20−22.
  83. Program for developing advanced technologies in information and communications fields //Science & technol. in Japan, 1996, N55,pp.31−34.
  84. Keizal Doyukai (Japan Assotiation of Corporate Executieves):Making Japan a leading technological innovator-working for world harmony and prosperity-// Science & technology in Japan // 1996, N 55, pp. 50−56.
  85. Trends in technology export from today.-NISTEP of the Science and Technology Agency (STA)//STA Today 1996.
  86. Shimakura K-Mesh globalization of semiconductor manufacto-ring//Proc.ISSM, 1996, pp.18−21.
  87. Materials of Industrial Technology Research Institute (ITRI)-Tai-pei, 1994.
  88. Materials of ITRI-Taipei, 1995.
  89. Materials of ITRI-Taipei, 1996.
  90. У Инху Л. Участие Тайваня в международной миграции капиталов на современном этапе.//МГУ, Диссертационная работа.М., 1995.
  91. Hong C.S. Development of Taiwan technology.-Taipei, 1995.
  92. California management review, 1996, May.
  93. Taiwan Chip Industry upgrades itself. Taipei, 1995.
  94. Gillebrand D. Development of middle business in Taiwan in 1980−1990-th years.-Bonn, 1995.
  95. Патенты и лицензии. Обзор журнала за 1993−1996 гг.-М., 1996
  96. Khvang Т.1.Development of South Korea.- Seul, 1995.
  97. ITIS, Taiwan Industrial Technology Information Services, 1996.
  98. Electronics, 1990, N 12, p.15.
  99. SIA 1996 National Technology Roadmap for semiconductors.-Semiconductor Industry Assotiation, 1996.
  100. SIA 1997 National Technology Roadmap for semi conductors.-Semi -conductor Industry Assotiation, 1997.
  101. С., Ушаков А. Российская электроника замерла у последней черты.// Финансовые известия, 1997, N 10 (361)
  102. Proc.ISSM, 1997, San Francisco. 103. IEE, November 1995.104.IEE, March 1996.
  103. Electronic business Asia, July 1995.
  104. Electronics, 1993, N 7, p.p. 41−43.
  105. Electronics, 1994, N 7, p.p. 36−38.
  106. Electronics, 1990, N 12, p.p. 13−15.
  107. Electronics, 1992, N 1, p. 34−43.
  108. Electronics. 1990, N 12, p.p. 14−15.
  109. Taiwan statistical data book 1990. Taipei, 1991.
  110. Hutcheson D., Hutcheson J. Technology and economics in the semiconductor industry// Scientific American.V.274.N 1.P.54−62.
  111. A.H.Бубенников.А. А. Еубенников.Техноэкономика в производстве наукоёмких продуктов микроэлектроники // Электроника, 1997, N 6, с.49−54.
  112. A.N.Bubennikov, А.А.Bubennikov.Technonomics of manufacturing of silicon microsystems on WSI//Proc.Baltic Electronic Conference Tallinn, 1998.
  113. A.H.Бубенников, A.A.Бубенников, В. В. Ракитин.Техноэкономические основы разработки процессорных УБИС и систем на пластине // Приборы и системы управления, 1999, N 1.
  114. A.N.Bubennikov, А.А.Bubennikov, V.V.Rakitin //New Technonomics Trends and Concepts of Manufacturing for Competitive Deep-Submicron ULSI and WSI// ISSM'97,pp.A9-A12, San Francisco, CA, October 6−8 1997.
  115. Бубенников A.H.Бубенников А. А. Ракитин В.В.Техноэкономика производства процессорных УБИС и систем на пластинах на мини- и спейсфа-бах// Труды научной сессии МИФИ, 1998 г.
  116. Electronics. 1992, N 2, p.p. 30−32.
  117. Design news .1993, N 11, p.p. 100−104.
  118. Electronic component news. 1990, V34, N 2.
  119. East Asia high technology review. 1991, VI, N 4, p.l.
  120. Electronic business. 1991, V17, N 15, p.p. 11−12.
  121. Electronics. 1992, N 1, p.p.26−28.
  122. Special Issue on Engineering Research Centers.- Proc IEEE, 1993, V.81, N 1.
  123. X.P. Тактика успеха в бизнесе и науке (Творчество, деньги, слава) М., Интеллект, 1993, 155 с.
  124. В. Высокие технологии и экономика АТР.-М. 1995.
  125. Дихтль Е., Хершген X. Практический маркетинг.-М.Высшая школа, 1995.13 0. Котлер Ф.Основы маркетинга.-М.Прогресс, 1990.
  126. Ф.М. Внешнеторговые цены.-М.1990.
  127. Стоянова Е. С. Финансы маркетинга.-М.Перспектива, 1994.
  128. Теория потребительского поведения и спроса /Под ред.В. М. Гальперина.-СПб.Экономическая школа, 1993.
  129. Ценообразование и рынок /Под ред. Е- И. Пунина и С.Б.Рычко-ва.-М.Прогресс, 1992.
  130. Эванс Дж., Берман Б.Маркетинг.-М.Экономика, 1990.
  131. Экономика переходного периода /Под Ред.В. В. Радаева, А.В.Бузгали-на.-М.Изд-во МГУ, 1995.
  132. В.В. Ценовая политика фирмы. М.1995.
  133. В.И. Формирование себестоимости в 1996 году.-М.1996.139. „Neural networks, neurocomputers & beyoud: Technologies Applications & Markets“. Business Communications Company Inc/Norwalk CT 16 855- NC-117, 1992.
  134. Proc.of the 1996 Int.Symp.on Semicond.Manufacturing.Tokyo, 1996.
  135. Proc.of the 1997 Int.Symp.on Semicond.Manufacturing.San Francisco, 1997 .
  136. Sasaki H. Strategy of Japanese Semiconductor Industry//Proc.ISSM-1996,Tokyo, pp.3−6.
  137. Burger R. et al. The SIA’s Roadmap: Consensus for cooperati-on//Solid State Technology, 1995, N 2, pp.38−53.
  138. Nakatsuka H. DRAM Development Alliance // Proc. ISSM-96.Tokyo.1996.p.21−24.
  139. International DRAM Partnership-TI and Hitachi Experience//Proc. ISSM-96.Tokyo.1996.p.25−28.
  140. Sasaki H. Strategy of Japanese Semiconductor Indust-ry//Proc.ISSM -96.Tokyo.1996.p.3−6.
  141. Doering R. et al. The MMST program. An Overview // Solid state technology 1994. N 1. p.31−52.
  142. Doering R.R. et al. Exploring the Limits of Cycle Time for VLSI Processing. //1994 Symp.VLSI. p.31.
  143. Watson D. Computer Integrated manufacturing at Texas Instruments: Past, Present and Future.//Proc. ISSM-96.Tokyo.1996.p.46−49.
  144. Fukamoto T. et al. ULSI Fabs-where we are and will go in 2010/ //Proc. ISSM-96.Tokyo.1996.p.15−17.
  145. Hayashi Y. Semiconductor equipment in 300 mm Fab.//Proc. ISSM-96.Tokyo.1996.p.37−40.
  146. Financial Times, 1997, november, 24.
  147. California management review, november, 1997, vol.11,pp.64−73.
  148. Финансовые известия, 1998, N4, (454).
  149. California management review, 1997, december, vol.12,pp.81−94.155. Business Week, 1998, N 1.156. Деловой мир, 1997 N 12.
  150. Taiwan Semiconductor, 1997 december, 1997, Vol. 24, pp. 19−27
  151. Кагаку гидзюцу хакусё», 1997, December.
  152. THE ECONOMIST, 1997, November-December.
  153. Giesman J. Strategic alliances for highly efficient 300 mm wa ferfabs.//Proc. ESSDERC'19 97, Stuttgart, Germany, p.154−161.
Заполнить форму текущей работой