Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Разработка и исследование технологических основ формирования легированных анодных пленок диоксида кремния

Диссертация: Разработка и исследование технологических основ формирования легированных анодных пленок диоксида кремния
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Реализация центральных задач данной проблемы обеспечит научнотехнический прорыв в отечественных микрои нанотехнологиях, физики, химии и электроники слоев анодных оксидов, которые представляют значительный интерес для электрохимии, твердого тела, ионной проводимости диэлектриков (твердых электролитов) и многих других областей науки и техники, в которых применяется анодное окисление 5 металлов… Читать ещё >

Разработка и исследование технологических основ формирования легированных анодных пленок диоксида кремния (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. МЕХАНИЗМЫ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ КОМПОНЕНТОВ ЭЛЕКТРОЛИТОВ С КРЕМНИЕМ, КАРБИДОМ КРЕМНИЯ И НИТРИДОМ КРЕМНИЯ
    • 1. 1. Природа контролирующей стадии процессов анодирования кремния, карбида и нитрида кремния в гальваностатическом режиме
    • 1. 2. Механизмы анодного окисления кремния
    • 1. 3. Механизмы анодного окисления карбида кремния
    • 1. 4. Механизмы анодного окисления нитрида кремния
  • 2. КИНЕТИКА ФОРМИРОВАНИЯ ЛЕГИРОВАННЫХ АНОДНЫХ ОКСИДНЫХ ПЛЕНОК КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ И ЕГО СОЕДИНЕНИЯХ
    • 2. 1. Кинетика анодного окисления кремния в фосфатных, боратных и арсенатных электролитах
    • 2. 2. Кинетика анодного окисления карбида кремния в фосфатных и боратных электролитах
    • 2. 3. Кинетика анодного окисления нитрида кремния в боратных и фосфатных электролитах
  • 3. СОСТАВ, СТРОЕНИЕ И СВОЙСТВА ЛЕГИРОВАННЫХ АНОДНЫХ ОКСИДНЫХ ПЛЕНОК БгНА КРЕМНИИ И ЕГО СОЕДИНЕНИЯХ
    • 3. 1. Влияние концентрации фосфатных, боратных и арсенатных электролитов на содержание фосфора, бора и мышьяка в анодном диоксиде кремния
    • 3. 2. Распределение легирующих примесей по толщине анодных оксидных пленок кремния
    • 3. 3. Строение легированных анодных оксидных пленок кремния
    • 3. 4. Строение легированных реанодированных оксидных пленок кремния
    • 3. 5. Свойства легированных анодных оксидных пленок кремния
  • 4. ДИФФУЗИЯ ПРИМЕСЕЙ В КРЕМНИЙ ИЗ ЛЕГИРОВАННЫХ АНОДНЫХ ОКСИДНЫХ ПЛЕНОК (ЛАОП) КРЕМНИЯ
    • 4. 1. Влияние технологических режимов формирования ЛАОП на параметры диффузионных слоев
    • 4. 2. Влияние температуры и времени диффузии на параметры легированных фосфором и бором слоев кремния
    • 4. 3. Диффузия фосфора в кремний из электролитически легированных термических оксидных пленок кремния
    • 4. 4. Совместная диффузия фосфора (бора) и мышьяка в кремний
    • 4. 5. Диффузия фосфора в кремний из анодных оксидных пленок в условиях быстрой термической обработки
  • 5. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ЛАОП ПРИ СОЗДАНИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
    • 5. 1. Использование фосфорсодержащих ЛАОП для изготовления кремниевых МОП — транзисторов
    • 5. 2. Формирование п+ - слоя на светоприемной
  • 1. стороне мишени кремникона
    • 5. 3. Формирование эмиттерных и базовых областей п-р-п транзисторов диффузией фосфора и бора из анодных оксидных пленок кремния
    • 5. 4. Применение диффузии бора из анодных оксидных пленок в технологии кремниевых интегральных микросхем
    • 5. 5. Перспективные технологические схемы с использованием ЛАОП в качестве твердого диффузанта

Актуальность темы

диссертации.

Достижение технологической независимости от иностранных государств в разработке, производстве и применении электронной компонентной базы, используемой в электронных системах, которые имеют стратегическое значение для национальной безопасности является основной целью политики России в области развития электронной промышленности на среднесрочный период [1].

Электрохимические процессы гальванической’металлизации, анодного растворения и оксидирования металлов и полупроводников — составная часть технологии радиоэлектронных устройств. и микрои нанотехнологий [2−5].

Электроника слоев" SiC>2 на кремнии [6] является фундаментальной базой проектирования и технологии изготовлениякремниевых приборов и интегральных микросхем и наноэлектронной аппаратуры.

Среди известных методов получения оксидных пленок на поверхности полупроводников [7] анодноег окисление в электролитах вызывает особый интерес благодаря уникальной, возможностиконтролировать по величине напряжения формирования толщину растущего слоя, оксида с наноразмерной точностью непосредственно во время протекания процесса (in situ).

Другое ценное достоинство метода электролитического анодирования (ЭА) заключается в том, что он позволяет создавать на кремниевых подложках своеобразную «мозаику» легированных анодных оксидных пленок (ЛАОП), содержащих примеси разного типа и различной концентрации. Это достигается путемчередования процессов локального ЭА и фотолитографии. После высокотемпературного отжига подложек с такой «мозаикой» получаются сложные полупроводниковые структуры.

Впервые об анодировании кремния в концентрированной серной кислоте, при котором Si ведет себя как вентильный металл, сообщали Гюнтершульце и Бетц [8, 9, с. 220]. В результате систематических 4 исследований кинетики роста, состава, строения, свойств и технологических возможностей применения анодного 8Ю2, начиная с работы Шмидта и Михеля, опубликованной в 1957 году [10], к настоящему времени накоплена достаточно обширная информация по данным вопросам. В работах [11, 12] показано, что фосфатные и боратные ЛАОП являются перспективными диффузантами для наноэлектронной технологии. Однако электрохимия ЛАОП недостаточна изучена [13].

До сих пор «отсутствует фундаментальная теория, описывающая физико-химический механизм введения легирующей примеси в состав оксидной пленки полупроводника в процессе электролитического анодирования» [14, с. 7].

Большой вклад в создание предпосылок для построения такой теории внесли научные школы Анохина В. З., Байрачного Б. И., Богоявленского А. Ф., Ерусалимчика И. Г., Изидинова С. О., Конорова П. П., Лабунова В. А., Одынца Л. Л., Пархутика В. П., Сорокина И. Н., Угая Я. А., Урицкого В. Я., Чистякова Ю. Д., Шаталова А. Я., Шишияну С. Т. и др.

Механизм внедрения вещества электролита совершенно не изучен, также как не изучена*структура анионсодержащего слоя" [15, с. 54]. Известна пока лишь гипотетическая модель внедрения [15, с. 59].

Инжекция и перенос носителей заряда через границу электролит-ЗЮг и в слоях 8Юг под действием электрического, поля* были подробно рассмотрены в [6]. Однако механизмы электрохимического взаимодействия-анионов с материалом анода на границе (ЭЮ, 813Ы4) — 8Юг ранее практически не рассматривались.

Реализация центральных задач данной проблемы обеспечит научнотехнический прорыв в отечественных микрои нанотехнологиях, физики, химии и электроники слоев анодных оксидов, которые представляют значительный интерес для электрохимии, твердого тела, ионной проводимости диэлектриков (твердых электролитов) и многих других областей науки и техники, в которых применяется анодное окисление 5 металлов и полупроводников с целью получения пленок и покрытий различного назначения.

В связи с этим электроника анодных оксидных пленок кремния и его соединений, формируемых в легирующих электролитах, — перспективное научное направление [16−18].

Цели и задачи работы.

Целью настоящей работы является разработка физико-химических и технологических основ получения легированных анодных оксидных пленок кремния и его соединений, предназначенных для создания элементов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.

Для достижения этой цели необходимо было решить следующие задачи'.

1. Изучить термодинамические закономерности взаимодействия и его соединений (81С и 81з^) с компонентами легирующих электролитов.

2. Исследовать кинетику анодного окисления кремния и его соединений в легирующих электролитах.

3. Определить характер и степень влияния легирующих добавок на состав, строение и свойства анодных пленок диоксида кремния.

4. Выявить особенности диффузии примесей в кремний из легированных анодных оксидных пленок 81 и его соединений.

5. Оценить технологические возможности использования легированных анодных оксидных пленок и его соединений для создания элементов кремниевых приборов и интегральных микросхем.

Научная новизна диссертационной работы.

1. Экспериментально установлено, что в гальваностатическом режиме электролитического анодирования Б!, БЮ и 81зК4 образование анодных оксидов кремния происходит с активационным контролем процесса.

2. Теоретически определено, что мера химического сродства кремния с анионами многокомпонентных электролитов повышается в следующем порядке:

Н 2 РО — >НРО >РО Г >В (ОН) — >НАбО >Н 2 АэО — >АБО 3~ >ОН" >N0 — >N0″ .

3. Теоретически определено, что мера химического сродства карбида кремния с анионами многокомпонентных электролитов повышается в следующем порядке:

Н2РО->НРО^- >РО^>В (ОН)^>НСОз>СОз2->ОН->ЫОз >N0-. 4. Теоретически определено, что мера химического сродства нитрида кремния с анионами многокомпонентных электролитов повышается в следующем порядке:

Н2РО- >НРО^- >Р034″ >В (ОН) — >ОН~ >N0″ >N0-.

5. Теоретически выявлена общность механизмов формирования ЛАОП на Б!, и 813К4, состоящая в том, что образование легированного анодного БЮг осуществляется через элементарные стадии возникновения промежуточного соединения БЮ.

6. Экспериментально обнаружено, что в легирующих электролитах повышается скорость анодирования кремния, карбида и нитрида кремния.

7. Экспериментально установлено, что порядок по легирующим компонентам Н3ВО3, Н3РО4 и НзАбС^ анодных реакций формирования ЛАОП меньше 1, т. е. эти реакции не являются элементарными (одностадийными).

8. Экспериментально установлено, что зависимости скорости роста формирующего напряжения от плотности тока имеют степенной характер, что указывает на активационный характер процесса анодирования 81, и 813^ в гальваностатическом режиме.

9. Экспериментально установлено, что зависимости концентрации легирующих добавок в ЛАОП от их содержания в легирующих электролитах описываются адсорбционными уравнениями Фрейндлиха и Ленгмюра в областях низких и высоких концентраций соответственно.

10. Экспериментально выявлено, что при реанодировании анодных оксидных пленок кремния в фосфатных и боратных электролитах происходит внедрение фосфати борат-анионов со скоростью, превышающей скорость образования новых слоев 8Ю2.

11. Теоретически выявлено, что, несмотря на установленную неоднородность распределения фосфора и бора по толщине ЛАОП, временные и температурные зависимости поверхностного сопротивления и глубины залегания р-ппереходов и распределения примесей в них удовлетворительно согласуются с математической моделью диффузии примесей из равномерно легированной оксидной пленки.

Практическая значимость работы.

1. Получены экспериментальные зависимости глубины залегания р-п-переходов, поверхностного сопротивления и поверхностной концентрации от технологических параметров- (времени и температуры диффузиифосфора или бора’из ЛАОП в кремний) и аппроксимирующие выражения для них, позволяющие осуществлять выбор режимов диффузии для формирования легированных слоев кремния, с заданными электрофизическими характеристиками.

2. Получены экспериментальные зависимости поверхностного сопротивления и глубины залегания’р-ппереходов от времени и плотности тока поляризации, позволяющие выбирать условия легирования пленок термического диоксида кремния фосфором для формирования в кремнии р-п переходов с заданными электрофизическими характеристиками.

3. Разработана технология изготовления кремниевых МОП-транзисторов со встроенным каналом п~-типа с использованием фосфатных ЛАОП.

4. Экспериментально установлено, что пробивное напряжение у транзисторов п-р-п типа с эмиттерными областями, сформированными диффузией фосфора из ЛАОП, в 1,7 раза выше, чем в случае диффузии из традиционно используемого треххлористого фосфора.

5. Экспериментально установлено, что фототранзисторы с базовыми областями, полученными диффузией бора из ЛАОП, имеют значения коэффициента усиления р в схеме с общим эмиттером в 2,6 раза выше, чем при диффузии бора из традиционно используемой кварцевой пластины, насыщенной борным ангидридом.

6. Экспериментально вьмвлено, что применение диффузии примесей из ЛАОП позволит сократить число высокотемпературных операций при изготовлении ИС на взаимодополняющих МОП транзисторах до двух.

7. Экспериментально выявлено, что при использовании в качестве твердого диффузанта анодноокисленных пленок нитрида кремния и термического диоксида кремния вскрытие контактных окон после диффузии возможно без фоторезистивной маски за счет более высокой скорости травления ЛАОП, чем маскирующего покрытия, что позволит исключить одну фотолитографическую операцию при создании диодных структур фотодиодных матриц.

8. Разработана технологическая оснастка и установка для проведения процессов группового электролитического анодирования полупроводниковых подложек.

9. Разработан пакет прикладных программ для осуществления компьютерных расчетов термодинамических функций анодных реакций. Внедрение результатов работы.

Комплекс программ физико-химического моделирования (ФХМ-1) для АРМ исследователя электрохимических технологических процессов микроэлектроники применен в ОКБ НЭВЗ НПО «Адрон» (г. Новосибирск).

Конструкция установки для группового электролитического анодирования с десятипозиционным вращающимся токоподводом использована в НИИ МВС ЮФУ (г. Таганрог).

Полученные в диссертационной работе результаты используются в лекционных курсах учебных дисциплин по специальностям 210 201, 210 104 и 210 601 на кафедре технологии микрои наноэлектронной аппаратуры ТТИ ЮФУ (г. Таганрог).

Пакет прикладных программ «Физико-химическое моделирование процессов анодного окисления металлов и полупроводников» используется в ОАО «Алмаз» (г. Ростов-на-Дону).

Материалы диссертации были использованы при выполнении работ по государственному контракту № 02.740.11.0122 (ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России на 2009;2013 годы»).

Научные положения, выносимые на защиту.

1. Термодинамические закономерности взаимодействия кремния, карбида кремния и нитрида кремния с компонентами фосфатных, арсенатных и боратных электролитов.

2. Кинетические закономерности анодного окисления кремния, карбида кремния и пленок нитрида кремния в фосфатных, арсенатных и боратных электролитах.

3. Технологические закономерности формирования фосфор-, бори мыщьяксодержащих анодных оксидных пленок кремния.

4. Технологические закономерности диффузионного легирования кремния из фосфор-, бори мыщьяксодержащих анодных оксидных пленок кремния.

5. Технологические аспекты создания кремниевых МОП-транзисторов, п-р-птранзисторов, диодов и резисторов с использованием легированных анодных оксидных пленок кремния.

Краткое содержание работы.

Во введении обоснована актуальность темы.

В первой главе на основе анализа литературных данных показано, что в гальваностатическом режиме ЭА А1, 81, 8Ю и 813Н4 на линейных участках вольт-временных зависимостей образование анодных оксидов протекает с активационным контролем.

Рассчитаны термодинамические функции и предложены механизмы анодных реакций Б!, и 813Ы4 с компонентами электролитов.

Установлено, что мера химического сродства кремния с анионами многокомпонентных электролитов увеличивается в следующем порядке: Н2Р0->НР0^>Р034->В (0Н)->НА80Г>Н2АЗ0^>А50^>0Н->Ш3->К0-.

Выдвинуто предположение о том, что образование анодного 8102, легированного оксидами Аб, В и Р происходит через стадию возникновения 810. Оксид кремния реагирует со всеми анионами. В результате все суммарные реакции образования 8Юг протекают-в две элементарнйе стадии.

В случае карбида кремния^ реакционная способность его по отношению к анионам многокомпонентных электролитов повышается в следующем ряду:

Н 2 РО — >НРО >РО >В (ОН) — >НСО- >СО >ОН" >N0- >N0 -. Причем, как ина кремнии, образование легированного оксидами фосфора или бора анодного БЮг на 81С включает стадию возникновения оксида кремния^ который реагирует со всеми анионами, а все суммарные реакции образования ЭЮг протекают через три или две элементарные стадии.

Мера химического сродства нитрида кремния с анионами многокомпонентных электролитов повышается в ряду:

Н2РО- >НРО^ >Р034″ >В (ОН) — >0Н" >N0″ >N0-.

Взаимодействие 81зИ4 с анионами в процессе его электролитической конверсии в ЛАОП также протекает через стадию образования 8Ю, реагирующего со всеми анионами. Поэтому все суммарные реакции получения БЮг происходят в две элементарные стадии.

Выдвинуто предположение о том, что наличие в ЛАОП не только диоксида кремния и оксидов легирующих элементов, но и кислот склонных к гелеобразованию указывает на возможность возникновения на их поверхности «гель-слоя». Это обстоятельство косвенно свидетельствует в пользу справедливости коллоидно-электрохимической теории А. Ф. Богоявленского и коллоидной модели структуры поверхности оксида кремния для процессов электролитического анодирования Б!, и 813К4.

Во второй главе приведены результаты исследования кинетических особенностей анодирования материалов в присутствии анионов легирующих элементов в электролитах на основе органических растворителей.

Установлено, что добавки Н3РО4, Н3Аз04 и Н3В03 в анодирующие растворы вызывают повышение скорости роста анодного 8Ю2.

Впервые определены порядки анодных реакций 81, и 813М4 по концентрациям легирующих компонентов анодирующих растворов, которые имеют значения меньше 1. Это указывает на то, что процессы анодного окисления данных материалов не являются одностадийными (элементарными).

Показано, что гальваностатическое анодирование 81, 8Ю и 813>14 протекает с активационным контролем.

В третьей главе представлены результаты изучения влияния легирующих компонентов электролитов на состав, строение, и свойства анодных оксидов 81 и 813>Т4.

Показано, что зависимости концентрации легирующих элементов в пленках анодного диоксида кремния от содержания Н3В03, Н3Р04 и Н3Аб04 в анодирующих растворах на основе этиленгликоля и тетрагидрофурфурилового спирта с удовлетворительной точностью аппроксимируются адсорбционными уравнениями Фрейндлиха и Ленгмюра в областях низких и высоких концентраций легирующих добавок в электролитах.

Обнаружено, что фосфор и бор неравномерно распределены по толщине ЛАОП кремния: вблизи поверхности и в объеме имеются слои с повышенной концентрацией примесей. При этом структура борсодержащих ЛАОП более неоднородна, чем фосфорсодержащих ЛАОП.

Выявлено, что внутренние и внешние слои электролитически легированных термических оксидных пленок обогащены легирующими примесями. При этом концентрация бора почти на порядок выше концентрации фосфора.

Установлено, что реанодирование анодных оксидных пленок кремния в фосфатных и боратных электролитах вызывает проникновение в них фосфати борат-анионов со скоростью, превышающей в 22 и 7 раз соответственно скорость образования новых слоев 8Ю2 .

Показано, что ЛАОП выращенные в электролитах на основе ТГФС и ЭГ по качеству приблизительно одинаковы, а боратные добавки в электролиты в обоих случаях вызывают более сильное ухудшение качества АОП по сравнению с фосфатными добавками.

В четвертой главе рассмотрены результаты исследования свойств ЛАОП как твердого диффузанта.

Исследовано влияние условий получения ЛАОП и диффузии фосфора или бора из них в кремний, на глубину залегания р — п переходов, поверхностное сопротивление и поверхностную концентрацию диффузионных слоев.

Получены экспериментальные зависимости глубины залегания р-п-переходов, поверхностного сопротивления и поверхностной концентрации от времени и температуры диффузии фосфора или бора из ЛАОП в кремний и аппроксимирующие выражения для них, позволяющие осуществлять выбор режимов диффузии для формирования легированных слоев кремния с заданными электрофизическими параметрами.

Определены значения энергии активации процессов диффузии фосфора (3,2 эВ) и бора (4,6 эВ) в кремнии.

Приведены экспериментальные • зависимости параметров диффузионных слоев, позволяющие выбирать условия легирования пленок термического Si02 фосфором для формирования в кремнии р-n переходов с требуемыми электрофизическими параметрами.

Впервые показана возможность применения ЛАОП для совместной диффузия фосфора или бора с мышьяком в кремний.

Установлено, что наибольшее уменьшение плотности дислокаций в диффузионных слоях фосфора с мышьяком происходит при соотношении массовых долей H3P04: H3As04 в этиленгликоле равном 14:0,2, а в диффузионных слоях бора с мышьяком при соотношении массовых долей НзВОзгНзАзОд в нитратно-этиленгликолевом растворе равном 5:0,002. Причем в диффузионных слоях бора максимальное увеличение плотности дислокаций по сравнению> с исходным кремнием в 3 раза меньше, чем в диффузных слоях фосфора в случаях их однокомпонентной диффузии.

Рассмотрены особенности диффузии фосфора в кремний из анодных оксидных пленок в условиях быстрой термической обработки.

Концентрационные профили Р в Si сильно отклоняются от гауссового распределения и проходят намного ниже кривых, задаваемых аппроксимирующим выражением:

N (x, t) = (3 -1015/V7cDt) ехр (- x2/4Dt).

В случае аппроксимации erfc распределением по формуле:

N (x) = 1,34−1019 erfc (x/2-Лй), наблюдается меньшее отклонение аппроксимирующих от экспериментальных кривых.

Несовпадение экспериментальных зависимостей с теоретическими обусловлено, вероятно, тем, что фосфор неравномерно распределён по толщине ЛАОП и пребывает в них в виде Р2О5 и Р. Следовательно, при кратковременном отжиге концентрация фосфора на поверхности раздела непостоянна и меньше её среднего уровня 3−1020 см" 3.

В случае же длительного термического отжига в результате сложного процесса перераспределения Р между АОП и кремнием концентрация атомов фосфора на внутренней границе остаётся практически постоянной в течение достаточно длительного времени и распределение Р в диффузионных слоях более удовлетворительно согласуется с математической моделью диффузии из равномерно легированной оксидной плёнки.

Выражение для температурной зависимости коэффициента диффузии фосфора Б в диапазоне 1173 — 1373 К имеет видгО = 7,34 ехр (-3,1/кТ).

Значение энергии активации диффузии Р всего на 3,2% ниже, чем при длительном термическом отжиге в диффузионной печи (3,2 эВ).

В пятой главе охарактеризованы возможности разработаной технологии изготовления кремниевых МОП-транзисторов с использованием фосфатных ЛАОП для создания областей истока, стока, встроенного канала п" - типа и подзатворного диэлектрика.

Установлено, что пробивное напряжение 11Эб у транзисторов типа КТ-315 с эмиттерными областями, сформированными диффузией фосфора из ЛАОП в 1,7 раза выше, чем в случае диффузии из РС1зФототранзисторы с базовыми областями, полученными диффузией бора из ЛАОП имеют значения коэффициента усиления р в схеме с общим эмиттером в 2,6 раза выше, чем при диффузии В из кварцевой пластины, насыщенной борным ангидридом.

Приведены перспективные маршрутные технологии с применением ЛАОП в полупроводниковой электронике.

Выводы.

1. Показаны возможности разработаной технологии изготовления кремниевых МОП-транзисторов с использованием фосфатных ЛАОП для создания областей истока, стока, встроенного канала п-типа и подзатворного диэлектрика.

2. Установлено, что пробивное напряжение иэб у п-р-п транзисторов с эмиттерными областями, сформированными диффузией фосфора из ЛАОП, в 1,7 раза выше, чем в случае диффузии из РС1з. Фототранзисторы с базовыми областями, полученными диффузией бора из ЛАОП имеют значения коэффициента усиления р в схеме с общим эмиттером в 2,6 раза выше, чем при диффузии В из кварцевой пластины, насыщенной борным ангидридом.

3. Приведены перспективные маршрутные технологии с применением ЛАОП в полупроводниковой электронике, имеющие следующие достоинства:

— применение диффузии примесей из ЛАОП позволит сократить число высокотемпературных операций при изготовлении КМОПИС до двух;

— при использовании в качестве твердого диффузанта анодноокисленных пленок нитрида и термического диоксида кремния можно вскрывать контактные окна после диффузии без фоторезистивной маски за счет более высокой скорости травления ЛАОП, чем маскирующего покрытия, что позволит исключить одну фотолитографическую операцию при создании диодных структур фотодиодных матриц.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

1. • Предложены механизмы процессов, протекающих при формировании легированных анодных оксидных пленок (ЛАОП) 81, 8Ю и.

Термодинамический анализ анодных реакций показал возможность образования «гель-слоя» на поверхности анодного 8Ю2. Это является косвенным подтверждением справедливости коллоидно-электрохимической теории А. Ф. Богоявленского для процессов анодирования кремния и его соединений в легирующих электролитах.

2. Теоретически установлено, что мера химического сродства кремния с анионами многокомпонентных электролитов увеличивается в следующем порядке:

Н2Р0->НР0^>Р0^->В (0Н)^>НА80^>Н2А801>А8034->0Н->М0-Ж0-.

Показано, что образование анодного 8Ю2, легированного оксидами Аб, В и Р, происходит через стадию возникновения 8Ю. Оксид кремния реагирует со всеми анионами, а суммарные реакции образования 8Ю2 протекают в две элементарные стадии.

3. Теоретически установлено, что мера химического сродства карбида кремния с анионами многокомпонентных электролитов повышается в следующем ряду: н2ро- >нро4~ >ро4~ >в (он)4 >нсо! >соз~>он>ж>1.

Показано, что образование легированного оксидами фосфора или бора анодного 8Ю2 на 8Ю включает стадию возникновения оксида кремния, который реагирует со всеми анионами, а все суммарные реакции образования БЮ2 протекают в три элементарные стадии.

4. Теоретически установлено, что мера химического сродства нитрида кремния с анионами многокомпонентных электролитов повышается в ряду: н2ро- >нро^- >ро^ >в (он)" >он" >n0″ >n0-.

Взаимодействие 8131М4 с анионами в процессе его электролитической конверсии в ЛАОП протекает через стадию образования 8Ю, реагирующего со всеми анионами. Поэтому все суммарные реакции получения 8Юг происходят в две элементарные стадии.

Таким образом, выявлена общность механизмов образования ЛАОП 81, 8Ю и 813>Т4.

5. Экспериментально обнаружено, что в присутствии легирующих компонентов в электролитах повышается скорость роста анодных оксидных пленок на кремнии, карбиде и нитриде кремния.

6. Экспериментально определено, что порядки суммарных анодных реакций формирования ЛАОП по Н3В03, Н3Р04 и Н3Аз04 в электролитах на основе этиленгликоля меньше 1. Это указывает на то, что они не являются элементарными (одностадийными). На линейных участках вольт-временных и^) кривых зависимости скорости роста формирующего напряжения от постоянной плотности тока <�Ш/с11-(]г) с высокой точностью аппроксимируются выражением сШ/сЙ = оу Д Следовательно, имеет место активационный контроль.

7. Экспериментальные зависимости концентрации легирующих компонентов в ЛАОП кремния от содержания Н3В03, Н3Р04 и Н3Аб04 в анодирующих растворах на основе этиленгликоля и тетрагидрофурфурилового спирта с удовлетворительной точностью аппроксимируются адсорбционными уравнениями Фрейндлиха и Ленгмюра в областях низких и высоких концентраций легирующих добавок в I электролитах соответственно.

8. Экспериментально установлено, что фосфор и бор неравномерно распределены по толщине ЛАОП кремния: вблизи поверхности и в объеме имеются слои с повышенной концентрацией примесей. При этом структура борсодержащих ЛАОП более неоднородна, чем фосфорсодержащих ЛАОП.

9. Экспериментально установлено, что ЛАОП, выращенные в электролитах на основе ТГФС и ЭГ, по качеству приблизительно одинаковы,.

213 а боратные добавки в электролиты в обоих случаях вызывают более сильное ухудшение качества ЛАОП по сравнению с фосфатными добавками.

10. Экспериментально обнаружено, что внутренние и внешние слои электролитически легированных термических оксидных пленок обогащены легирующими примесями. При этом концентрация бора почти на порядок выше концентрации фосфора.

11. Экспериментально выявлено, что при реанодировании анодных оксидных пленок кремния в фосфатных и боратных электролитах происходит внедрение фосфати борат-анионов со скоростью, превышающей в 22 и 7 раз соответственно скорость образования новых слоев БЮг .

При анодном электролитическом легировании термических пленок диоксида кремния скорость проникновения фосфат-анионов составляла 0,31 нм/с, то есть более, чем в 20 раз ниже по сравнению с пленками анодного 8Юг. Скорость проникновения борат-анионов в пленки термического 8Юг равна 0,19 нм/с, то есть также приблизительно в 20 раз ниже, чем в случае анодных пленок БЮг.

12. Экспериментально определено влияние условий получения ЛАОП и диффузии фосфора или бора из них в кремний на глубину залегания р-п-переходов, поверхностное сопротивление и поверхностную концентрацию диффузионных слоев.

13. Получены экспериментальные зависимости глубины залегания р-п-переходов, поверхностного сопротивления и поверхностной концентрации от времени и температуры диффузии фосфора или бора из ЛАОП в кремний и аппроксимирующие выражения для них, позволяющие осуществлять выбор режимов диффузии для формирования легированных слоев кремния с заданными электрофизическими параметрами.

Рассчитаны значения энергии активации процессов диффузии фосфора (3,2 эВ) и бора (4,6 эВ) в кремнии.

14. Экспериментально установлено, что временные и температурные зависимости параметров диффузионных слоев и распределения примесей в.

214 них удовлетворительно согласуются с математической моделью диффузии примесей из равномерно легированной оксидной пленки.

15. Разработана технология изготовления кремниевых МОП-транзисторов с использованием фосфатных ЛАОП для создания областей истока, стока, встроенного канала п" -типа и подзатворного диэлектрика.

16. Экспериментально установлено, что пробивное напряжение иэб у п-р-п транзисторов с эмиттерными областями, сформированными диффузией фосфора из ЛАОП, в 1,7 раза выше, чем в случае диффузии из РС13. Фототранзисторы с базовыми областями, полученными диффузией бора из ЛАОП, имеют значения коэффициента усиления р в схеме с общим эмиттером в 2,6 раза выше, чем при диффузии В из кварцевой пластины, насыщенной борным ангидридом.

17. Экспериментально подтверждено, что применение диффузии примесей из ЛАОП позволит сократить число высокотемпературных операций при изготовлении КМОПИС до 2.

18. Экспериментально подтверждено, что при использовании в качестве твердого диффузанта анодноокисленных пленок нитрида и термического диоксида кремния можно вскрывать контактные окна после диффузии без фоторезистивной маски за счет более высокой скорости травления ЛАОП, чем маскирующего покрытия, что позволит исключить одну фотолитографическую операцию при создании диодных структур фото диодных матриц.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Ю.И. О стратегии развития электронной промышленности // Электронная промышленность. 2006. — № 4. — С. 4−16.
  2. А.П., Ланин В. Л., Хмыль A.A., Ануфриев Л. П. Технология радиоэлектронных устройств и автоматизация производства / Под. общ. ред. А. П. Достанко. -Мн.: Выш. шк. 2002. 415 с.
  3. Э.Ю., Денисенко Ю. И., Рудаков В. И. Формирование сквозных отверстий, в кремниевой подложке // Письма в ЖТФ. 2002. — Т. 28. — Вып. 24. — С.75−79.
  4. O.A., Коноплев Б. Г., Поляков В. В., Светличный A.M., Смирнов В. А. Исследование режимов фотонно-стимулированной зондовой нанолитографии методом локального анодного окисления пленки титана // Нано- и микросистемная техника. — 2008. № 1. — С. 14−16.
  5. С. А., Белов А. Н. Электрохимические процессы в технологии микро- и наноэлектроники. — М.: Высшее образование. 2009. -257 с.
  6. А.П., Булавинов В. В., Коноров П. П. Электроника слоев Si02 на кремнии. Л.: Изд-во ЛГУ. 1988.-303 с.
  7. А., Бетц Г. Электролитические конденсаторы / Пер. с нем. Б. М. Тареева и Р.Н. Тареевой- под ред. Б. М. Тареева. М.: Оборонгиз. 1938.-200 с.
  8. Юнг Л. Анодные оксидные пленки / Пер. с англ. Л. Н. Закгейма и Л. Л. Одынца. Л.: Энергия. 1967. — 232 с.
  9. Schmidt P.F., Michel W. Anodic formation of oxide films on silicon // J.216
  10. Electrochem. Soc. 1957. -V. 104. -№ 4. -P. 230−236.
  11. И.Л., Табулина Л. В., Становая Л. С., Русальская Т. Г. Особенности синтеза анодных пленок оксида кремния в водно-органических растворах, содержащих ортофосфорную кислоту // Электрохимия. — 2006. — Т. 42.-№ 4.-С. 370−376.
  12. И.Л., Табулина Л. В., Становая Л. С., Русальская Т. Г., Шостак Ю. А. Синтез и особенности использования анодных боросиликатных диффузантов // Микроэлектроника. 2008.- Т. 37. — № 5. -С. 344−351.
  13. Zhang G. Electrochemistry of silicon and its oxide. New York etc: Kluwer/Plenum. 2001. — P. 510.
  14. Ю.Д., Бредихин И. С., Милешко Л. П. Анодные окисные пленки кремния как твердый диффузант в планарной технологии // Зарубежная электронная техника. — М.:ЦНИИ «Электроника». 1976. -№ 1(134).-С. 3−38.
  15. Л.Л., Орлов В. М. Анодные оксидные пленки. — Л.: Наука. 1990.-200 с.
  16. Л.П., Королев" А.Н. Электроника анодных оксидных пленок кремния и его соединений, формируемых в легирующих электролитах. Таганрог: Изд-во ТТИ ЮФУ. 2009. — 186 с.
  17. Mileshko L.P. Doped Anodic Oxide Films Obtained on Silicon and Silicon Compounds: Preparation, Properties, and Application // Inorganic Materials.-2009.-Vol. 45. No. 13. — PP. 1494−1510.
  18. Л.П. Особенности процессов гальваностатическогоанодирования алюминия, кремния и пленок нитрида кремния // Известия217вузов. Электроника. 2007. — № 5. — С. 88−90.
  19. С.В. Получение пленочных конденсаторов с максимальной удельной емкостью на основе анодированного алюминия // В сб. Радиофизика и микроэлектроника. Воронеж. 1970. — С.79−85.
  20. С.П., Одынец JI.JI. Электрохимическое окисление кремния в этиленгликоле // Электрохимия. — 1966. Т.2. — Вып.З. — С. 346 350.
  21. DelPOca C.J. Properties of anodic oxide films formed in the anodization of silicon nitride // J. Electrochem. Soc. 1973. — V.120. — № 9. — P.1226−1230.
  22. Я.А., Анохин B.3., Владимирова JI.H., Анохина А. И. Анодное окисление кремния в этиленгликоле в присутствии кислородсодержащих анионов элементов Y группы и бора // В сб. Полупроводниковые материалы и их применение. Воронеж. 1974. — С. 136−140.
  23. Я.А., Шаталов А.Я, Анохин В. З., Владимирова Л. Н. Особенности анодного окисления кремния в гальваностатическом режиме // В кн. Нитевидные кристаллы и тонкие пленки. 4.2. Воронеж. 1975. — С. 410−415.
  24. Mileshko L.P., Sorokin I.N., Bondarenko V.P. Anodic oxidation of silicon in H3PO4 and H3BO3 containing solution // Abs. 40th Int. Soc. Electrochem. Meeting, Kyoto. Japan. Sept. 17−22. 1989.-P. 748−749.
  25. Л.П., Варзарёв Ю. Н. Кинетические и термодинамические особенности анодного окисления карбида кремния в электролитах на основе этиленгликоля // ФХОМ. 2000. — № 2. — С. 45−48.
  26. Revesz A.G. Noncristalline structure and electronic conduction of silicon dioxide Films // Phys. Stat. Sol. -1967. № 24 (115). — P. l 15 — 126.
  27. Madou M.J., Games W.P., Fransen F., Cardon F. Anodic oxidation of p-type silicon in methanol as compared to glycole // J. Electrochem. Soc. 1982. -V.129. — № 12.-P.2749−2752.
  28. Young L. Temperature rise during formation of anodic oxide films in //
  29. Trans. Faraday Soc. 1957. — V.53. — №.2. — P. 229−233.218
  30. Sharma S.K., Chakravaty B.C., Singh S.N., Das B.K. Growth kinetics of thin anodic oxide of silicon and its dependence on phosphorus concentration in silicon // Thin Solid Films. 1988. — V.163. — P. 373−377.
  31. A.T., Ковач C.K. Электрохимия тугоплавких металлов. -Кие: Техшка. 1983.- 160 с.
  32. Ю.П. Некоторые закономерности, связывающие физиико-химические и диэлектрические свойства веществ // Электронная техника. Сер.5. Радиодетали. 1972. -Вып.2 (27). С. 63−69.
  33. Strydom W.J., Lombaard J.C. and Pretorius R. Low temperature formation of insulating layers on silicides by anodic oxidation // Solid- State Electronics. -1987. V.30. — № 9. — P. 947- 951.
  34. A.H., Катаева H.A., Харина Jl.T. Курс химии. М: Высш. школа. 1983.-511 с.
  35. А.А. Составление химических уравнений. — М.: Высш. школа. 1979.-293 с.
  36. А.Г., Сладков И. Б. Термодинамические расчеты в металлургии. -М.: Металлургия. 1985. 136 с.
  37. В.А., Хавин З. Я. Краткий химический справочник /Под ред. А. А. Потехина и А. И. Ефимова. Л.: Химия. 1991. — 432 с.
  38. В.П. Термодинамические свойства растворов электролитов. -М.: Высш. школа. 1982. — 320 с.
  39. Р.А., Андреева Л. Л., Молочко В. А. Справочник по неорганической химии. Константы неорганических веществ. — М.: Химия. 1987. 320 с.
  40. В.И., Матвеев Г. М., Мчедлов-Петросян О.П. Термодинамика силикатов / Под ред. О.П. Мчедлова-Петросяна. — М.: Стройиздат. 1986.-408 с.
  41. Физико-химические свойства окислов. Справочник / Г. В. Самсонов, А. Л. Борисова, Т. Г. Жидкова и др./ Под ред. Г. В. Самсонова. М.: Металлургия. 1978. — 472 с.
  42. Л.П. Анодное окисление кремния в легирующих электролитах // ФХОМ. 2004. — № 3. — С. 81 -92.
  43. Л.П., Варзарев Ю. Н. Анодное окисление кремния в арсенатных электролитах на основе этиленгликоля // ФХОМ. 2004. — № 6. -С. 43−47. .
  44. Некрасов Б. В: Основы общей химии- Т.2. М.: Химия. 1973. — 688с.
  45. Croset М., Petreanu Е., Samuel D., Amsel О. and Natai J. H2018 study of the: source of oxygen in the anodic oxidation of silicon and tantalum in some organic solvents // J. Electrochem. Soc. 1971.- V. l 18. — № 5. -P. 717−727.
  46. В. Анодное окисление кислородсодержащих соединений: В- кн.:. «Электрохимия- органических соединений» / Пер. с англ. под. ред. А. П. Томилова, Л. Г. Феоктистова. М.: Мир. 1976. — С. 377−391.
  47. Duffek E.E., Benjamini Е.А. and Mylroie С.Е. The anodic Oxidation of Silicon in Ethelene Glycol Solutions // Electrochemical Technology. 1965. — V.3. № 3−4.- P. 75−80.
  48. Duffek E.F., Mylroie C.E. and-Benjamini E.A. Electrode reactions and mechanism of silicon anodization’in N- methylacetamide // J- Electrochem. Soc. -1964. V. l l 1. -№ 9. — Р.1042-Г046.
  49. Lyklema J. The Electrical Double Layer on Oxides // Croatica Chemica
  50. Acta. 1971. — V.43. — № 4. -P.249−260.
  51. B.B., Грибанова E.B., Тихомолова К. П. Коллоидно-химические исследования ферритов и феррито-образующих оксидов // Обзоры по электронной технике. — 1987. Сер.6. Материалы. — Вып. 7 (1316). -56 с.
  52. А.Ф. О механизмах образования оксидной пленки на алюминии (обзор теорий). В кн.: «Анодная защита металлов» — .М.: Машиностроение. 1964. С. 22−34.
  53. А.Ф. О теории анодного окисления алюминия // Изв. ВУЗов. Хим. и химическая технология. 1971. Т. XIV. — № 5. — С. 712−717.
  54. А.Ф. О химизме анодного окисления металлов. В сб.: «Анодное окисление металлов». — Казань: КАИ. 1983. — С. 3- 7.
  55. И.Г. Физико-химические свойства повер-хности окисла кремния и их связь с некоторыми технологическими процессами // Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. — 1975. Вып.7 (99). — С.128−135.
  56. Л.П. Механизмы формирования легированного фосфором или бором анодного S1O2 на карбиде кремния // Известия вузов. Электроника. -2007. № 2. — С. 10−15.
  57. Л.П., Варзарев Ю. Н. Анодное окисление пленок Si3N4 на кремнии в боратных и фосфатных электролитах на основе этиленгликоля // ФХОМ. 2002. — № 3. — С. 38−44.
  58. Л.П. Механизмы электрохимического формирования Si02 из структур SisNrSi // Известия вузов. Электроника. 2007. — № 1. — С. 3−11.
  59. Д.М., Шмидт П. Ф., Ларкин М. В. Изготовление221интегральных дополняющих приборов с помощью электрохимических методов // ТИИЭР. 1964. — Т.52. — № 12. — С. 1570 — 1572.
  60. Schmidt P.F., Owen А.Е. Anodic oxide films for device fabrication in silicon. I. The controlled incorporation of phosphorus into anodic oxide films on silicon // J. Electrochem. Soc. 1964. — V. l 11. — №.6. — P. 682 — 688.
  61. Schmidt P.F., O' Keeffe T.W., Oroshnik J.F. and Owen A.E. Doped anodic oxide films for device fabrication in silicon. II. Diffusion sources of controlled composition and diffusion results // J. Electrochem. Soc. 1965. -V.l 12.-№ 8.-P. 800 -807.
  62. Croset M. La silice anodique: proprietes et applications // L' onde Electrique. 1968. — V.48. -№ 501.-P. 1057−1064.
  63. Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия / Под ред. Р. Бургера и Р. Донована- пер. с англ. — Ml: «Мир». 1969.-451с.
  64. С.О., Блохина А. П. Кинетика анодного окисления и фотоэлектрохимическое поведение кремния в этиленгликоле с добавками Н20 и NH4NO3. Электрохимия. 1973. — T. IX. — Вып. 10. — С. 1426 — 1433.
  65. С.О., Блохина А. П. Камыса Н.Г. Низкотемпературное окисление кремния анодированием в тетрагидрофурфуриловом спирте // ЖПХ. 1974. — № 1. — С. 158−162.
  66. П.П., Урицкий В. Я., Мельницкий В. А. Кинетика электрохимического окисления кремния и свойства межфазовой границы. Микроэлектроника. 1975 — Т. 4. — Вып. 1. — С. 61 — 64.
  67. В.А., Кожитов Л. В., Баранов И. Л. Исследование влияния типа электролита на процесс получения анодных оксидных плёнок кремния // Электронная техника. Сер. Материалы. 1975. — Вып. 11. — С. 55−64.
  68. В.И., Сорокин И. Н., Низкотемпературное электрохимическое окисление кремния в безводных электролитах // Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника. 1976. — Вып. 5(65). — С. 80−84.
  69. И.Л., Становая Л. С., Физико-химическое исследование222процесса формирования анодных плёнок диоксида кремния в безводных электролитах. // Электрохимия. 1987. — Т. XXIII. — Вып.9. — С. 1178−1186.
  70. Mende G., Hensel Е., Fenske F., Elietner H. The Electrophysical properties of anodically grown silicon oxide films // Thin Solid Films. 1989. -V.168. — № 1.-P. 51−60.
  71. Ghowsi K., Gale R.J. Theoretical model of the anodic oxidation growth kinetics of Si at constant voltage // J. Electrochem. Soc. 1989. — V.136. — № 3. -P. 867−871.
  72. Montero I., Gomez-San Roman R.J., Albella J.M. Low temperature nonilluminated anodization of n-type silicon // J. Vac. Sci. Technol. B. 1990. -V.8. — № 3. — P. 544−550.
  73. Salace G., Patat J.M. Tunnelling spectrscopy possibilities in metall-oxide-semiconductor devices with a very thin oxide barrier // Thin Solid Films. -1992.-Y.207.-P. 213−219.
  74. Mende G., Fenske F., Flietner H., Jeske M., Schultze J.V. Localised anodic oxide films on Si: preparation and properrties // Electrochimica Acta. -1994. V.39. — № 8/9. — P. 1259−1264.
  75. В.Я. Особенности влияния электронно-дырочных процессов на начальную стадию анодного окисления кремния // Конденсированные среды и межфазные границы. 1999. — Т. 1. — № 3. — С. 219−223.
  76. Parkhutik V., Costa Gomes F., Moya Tarasona L., Fenolossa Estebe R. Oscillatory kinetics of anodic oxidation of silicon influence of the cristllographic orientation // Microelectronics Reliability. — 2000. — V.40. — P. 795−798.
  77. Parkhutik V. Silicon anodic oxides grown in the oscillatory anodizationregime kinetics growth, composition and electrical propertis // Solid-State223
  78. Electronics. 2001. — V.45. — P. 1451−1463.
  79. Baranov I.L., Stanovaya L.S., Tabulina L.V. Peculiarities of electrochemical synthesis of nanosized Si02 // Reviews and short notes to Nanomeeting 2003 «Physics, Chemistry and Application of Nanostuctures».Minsk. Belarus. 2003. — P.403−406.
  80. Shishiynu S.T., Lupan O.I., Shishiynu T.S., Sontea V.P., RaiLean S.K. Propertis of Si02 thin films prepared by anodic oxidation under UV illumination and rapid photothermal processing // Electrchimica Acta. 2004. — V.49. — P.4433−4438.
  81. В.П., Анохин B.3., Владимирова Л. Н. Исследование кинетики роста легированных оксидов на кремнии // В сб.: Полупроводниковые материалы и их применение. — Воронеж: ВГУ. 1974. -С. 193−197.
  82. Madou M.J., Morrison S.R., Bondarenko V.P. Introduction of Impuries in Anodically grown Silica// J. Electrochem. Soc. 1988. — V.135. — № 1. — P. 229 — 235.
  83. Л.П. Анодное окисление кремния, карбида и нитрида кремния // Тез. Докл. II Всесоюзной научной конференции «Физика окисных пленок». Т. И. Петрозаводск: ПТУ. 1987. — С. 31.
  84. Л.П. Электролиты для получения легированных анодных224оксидных пленок кремния. В сб. статей по материалам Всероссийской конф. «Современные электрохимические технологии». Саратов: СГТУ. 2002. — С. 163−167.
  85. Электрохимия металлов в неводных растворах / Пер. с англ.- под ред. Я. М. Колотыркина. М.: «Мир». 1974. — 352 с.
  86. С.И., Поворов Ю. М. Химические источники тока с электролитами на основе органических растворителей// Итоги науки и техники. Электрохимия. М.: ВИНИТИ. 19 741 Т.9. — С. 46−83.
  87. И.С., Милешко Л. П., Селиванова В. А. Электролит для легирования оксидной пленки кремния фосфором. Авт. свид. СССР. № 527 989 от 19.05.1975. БИПМ. 2001. — № 10.С. 334.
  88. Л.П., Бредихин И. С., Селиванова В. А. Электролит для легирования оксидной пленки * кремния бором. Авт. свид. СССР № 545 210 от 10.07. 1975. БИПМ.-2001.-№ 10.-С. 334.
  89. И.С., Милешко Л. П., Чистяков Ю.Д, Волкова Т. А., Палиенко А. Н. Электролит для анодного оксидирования кремния. Авт. свид. СССР'№ 602 054 от 2.10.1976. БИМП. -2001. -№ Ю. С. 335.
  90. Л.П., Волкова Т. А., Чистяков Ю. Д., Бредихин И:С., Палиенко А. Н., Шкиров В. С, Электролит для получения легированной оксидной пленки на кремнии. Авт. свид. СССР № 599 667 от 12.10.1976. БИМП. 2001. — № 10. — С. 334−335.
  91. И.С., Милешко Л. П., Чистяков Ю.Д, Волкова Т. А., Нагучев Д. Ш. Электролит для легирования оксидных пленок" кремния фосфором. Авт. свид. СССР № 615 785 от 14.01. 1977. БИМП. 2001. — № 10. -С. 335.
  92. Л.П., Волкова Т. А., Чистяков Ю. Д., Бредихин И. С., Нагучев Д. Ш. Электролит для легирования оксидных пленок кремния бором. Авт. свид. СССР № 616 893 от 01.03.1977. БИМП. -2001. № 10. — С. 334.
  93. И.С., Ломакина Т.П, Милешко Л. П., Чистяков Ю.Д.
  94. Электролит для легирования оксидных пленок кремния мышьяком. Авт.225свид. СССР № 682 055 от 10.02.1978. БИМП. 2001.-№ 10.-С. 335.
  95. Вредные вещества в промышленности: Справочник для химиков, инженеров и врачей / Под ред. Н. В. Лазарева и Э. Н. Левиной. Т. 1. Органические вещества. Л.: Химия. — 1976. — 592 с.
  96. Вредные вещества в промышленности: Справочник для химиков, инженеров и врачей / Под ред. Н. В. Лазарева и Э. Н. Левиной. Т. 2. Органические вещества. Л.: Химия. — 1976. — 624 с.
  97. Вредные вещества в промышленности. Справочник для химиков, инженеров и врачей / Под ред. Н. В. Лазарева и Э. Н. Левиной. Т. 3. Неорганические и элементоорганические соединения. — Л.: Химия. — 1977. — 608 с.
  98. Контроль химических и биологических параметров окружающей среды / Под ред. Л. К. Исаева. — СПБ, Эколого-аналитический информационный центр «Союз». 1988. — 896 С.
  99. С.С. Неглубокие диффузионные слои фосфора в кремнии // ТИИЭР. 1969. — Т.57. — № 9. — С. 38−46.
  100. И.С., Милешко Л. П., Глоба A.B., Срывкин Ю. М., Нагучев Д. Ш. Токоподвод для электрохимических процессов. Информационный листок № 711−77. Ростов — на — Дону: ЦНТИ. — 1977. -2 с.
  101. В.В., Зайцева А. К. Электроды для анодного окисления полупроводников // Приборы и техника эксперимента. — 1974. № 2. — С. 248- 249.
  102. Ю.И. Эллипсометрия. Воронеж: ВГУ. 1971. — 132 с.
  103. Л.П., Сорокин И. Н., Чистяков Ю. Д. Электролитическое формирование легированных оксидных плёнок на вращающихся кремниевых подложках // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. — 1979. Вып. 5(83). — С. 99−102.
  104. Л.П. Особенности кинетики анодного окисления вращающихся кремниевых пластин в легирующих электролитах // Известия вузов. Электроника. 2007. — № 6. — С. 70−71.
  105. А .Я., Владимирова Л. Н. Аналогия в формально-кинетическом описании роста анодного и термического Si02 // В сб.: Полупроводниковые материалы и их применение. Воронеж: ВГУ. 1977. -С. 66−69.
  106. Я.А., Анохин В. З., Владимирова Л. Н., Малевская Л. А. Кинетика анодного оксидирования кремния в электролитах на основе одноатомных спиртов // В сб.: Полупроводниковые материалы и их применение. Воронеж: ВГУ. 1974. — С. 179 — 201.
  107. Л.П. Физико-химическое моделирование процессов формирования легированных оксидных пленок // Тез. докл. Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро и нанотехнологии». Кисловодск. 2002. — С.227−229.
  108. Л.П. Применение модели коллоидного строения АОП наалюминии для описания механизма анодного окисления Si, SiC, Si3N4 // Тез.227докл. Республ. НТС «Анод 88». — Казань: КАИ. 1988. — С. 169 — 170.
  109. .В. Основы общей химии. Т.1. — М.: Химия, 1973. 656 с.
  110. В.В., Мальцев П. П. Широкозонные материалы основа экстремальной электроники будущего // Микроэлектроника. — 1999. — Т. 28. -№ 1.-С. 21−29.
  111. Bhatnagar М., Baliga B.J. Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC and Si for power devices // IEEE Trans, on Electron Devices. 1993. — V.40. — № 10. — P. 645−655.
  112. Alok D., Baliga B.J., McLarty P.K. Thermal oxidation of 6H-Silicon Carbide at enhanced growth rates // IEEE Trans, on Electron Device Letters. -1994.-V.15.- № 10.-P. 424−426.
  113. Restelli G., Ostidich A., Manara A. Anodic oxidation of silicon carbide // Thin Solid Films. 1974. — V.23. — № 1. — P. 23−29.
  114. Л.П., Сорокин И. Н., Чистяков Ю. Д. Кинетика электролитического оксидирования карбида и нитрида кремния // В кн. «Активируемые процессы технологии микроэлектроники». — М: МИЭТ. 1980.-С. 29−40.
  115. С.Г., Гецко О. М., Пасечник Ю. А., Снитко О. В. Электролюминисценция карбида кремния различных политипов при анодном окислении // Украинский физический журнал. 1980. — Т.25. — № 1. — С. 4148.
  116. Mileshko L.P. Anodic oxidation of silicon carbide in doping electrolytes on the basis of ethylene glycol // Abstracts V International Seminar on Silicon Carbide and Related Materials (ISSCRM-2004). Velikij Novgorod. 2004. -P.85−86.
  117. В.И., ВасильеваЛ.Л., Грищенко B.A. и др. Нитрид кремния в электронике. Новосибирск: Наука. 1982. — 200 с.
  118. Schmidt P.F., Wonsidler D.R. Conversion of silicon nitride to anodic
  119. Si02 // J. Electrochem Soc. 1967. — V. l 14. — № 6. — P. 603−605.228
  120. Tripp T.V. The anodic oxidation of silicon nitride films on silicon // J. Electrochem Soc. 1970. — V. 117. — № 2. — P. 157−159.
  121. Dell’oca C.J. Properties of anodic oxide films formed in the anodization of silicon nitride // J. Electrochem Soc. 1973. — V.120. — № 9. — P. 1225−1230.
  122. Г. В., Бондаренко В. П., Долгий Л. Н. Исследование кинетики превращений в тонких пленках нитрида кремния в процессе их анодирования // Весщ Акад. Навук БССР. Сер. Физ-мат навук. 1988. — № 6.- С. 82−86.
  123. .П., Симахин Ю. Ф., Усманова М. М. Изучение пространственного распределения бора в карбиде кремния с помощью твердотельных детекторов // В сб.: Активационный анализ в народном хозяйстве. — Ташкент: «ФАН». 1972. С. 54−60.
  124. .П., Красивина Л. Е., Усманова М. М., Симахин Ю. Ф. Исследование концентрационных профилей сурьмы и фосфора в подложках и эпитаксиальных плёнках кремния // В сб.: Структура и свойства облучённых материалов. Ташкент: «ФАН». 1975. -С. 76−81.
  125. Н.И., Чернова А. И., Богатиков Б. Ф. Внутренний стандарт в нейтронно-активационном анализе кремния и веществ на его основе // Журнал аналитической химии. 1976.Т. — XXXI. — Вып. 6. — С. 1146- 1152.
  126. Ю.Д., Райнова Ю. П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. М: Металлургия. 1979. — 408 с.
  127. Л.П. Совместное легирование фосфором и мышьякоманодных оксидных пленок кремния // Неорганические материалы. 2009. —2291. Т.45.-№ 3.-С. 300−301.
  128. Методы анализа поверхностей / Под ред. А.Зандерны. Пер. с англ. -М.: «Мир». 1979. 582с.
  129. И.А., Милешко Л. П., Срывкин Ю. М. Состав и троение легированных анодных оксидных пленок кремния // Тез. докл. II Всесоюзной научной конф. «Физика окисых пленок». — Петрозаводск: ПТУ. 1987. Ч. 1.— С. 18.
  130. Л.П., Авдеев С. П., Нестюрина Е. Е. Состав, строение и свойства легированных анодных окисных пленок кремния // ФХОМ. 2003. -№ 3. — С. 47−52.
  131. Т.А. Фотоэлектронная и Оже-спектроскопия / Пер. с англ. И. А. Брытова, Н. И. Комяка, В. В. Кораблева — Л.: Машиностроение. 1981. — 431 с.
  132. Л.П. Влияние режима формирования анодных оксидных пленк в гальваностатическом режиме на содержание в них фосфора // Известия вузов. Электроника. —2008. № 4, — С. 68−69.
  133. Л.П. Анодное электролитическое легирование термических оксидных пленок // ФХОМ. 2002. — № 6. — С. 55−59.
  134. А.И., Новиков В. В., Приходько Н. В., Митникова И. М., Чепик Л. Ф. Тонкие неорганические пленки в микроэлектронике. Л.: «Наука». 1972. — 114 с.
  135. В.П. Распределение концентрации легирующего элемента в анодном окисле Si02 // В сб.: «Твердотельная электроника». — Воронеж: ВГУ. 1973.-С. 33−36.
  136. Интегральные схемы, принципы конструирования и производства / Пер. с англ., под ред. A.A. Колосова. М.: Советское радио. 1968. — 264 с.
  137. Н.В. Система кремний-двуокись кремния в МОП-структурах. Минск: Наука и техника. 1986. — 240 с.
  138. Л.П., Авдеев С. П. Реанодирование анодных оксидныхпленок в легирующих электролитах // ФХОМ. 2004. — № 4. — С.61 -63.230
  139. Дель’Ока С. Дж., Пулфри Д. Л., Янг Л. Анодные окисные пленки. Физика тонких пленок / Пер. с англ. под ред. В. Б. Сандомирского и А. Г. Ждана: Под общей ред. М. Х. Франкомба и Р. У. Гофмана. — М.: Мир. 1973. — T. VI.-С. 7−96.
  140. В.В., Трунов C.B. Влияние условий формирования на электрофизические свойства сверхтонких слоев Si02 // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1988. — Вып. 3(127). — С. 58 -60.
  141. Vertesy M. Instabilitaten in anodishen Siliziumoxidschichten // Krist. und Techn. 1974. — B. 9. — N 1. — P. 45−50.
  142. Л.П. Слоистое строение анодных пленок Si02, легированных фосфором или бором // Известия вузов. Электроника. — 2009. — № 1. —С. 12−15.
  143. Л.П., Авдеев С. П. Влияние процесса анодного окисления кремния на параметры диффузии примесей бора и фосфора из легированных оксидных пленок // Известия вузов. Электроника. 2004. -№ 5. — С. 25−32.
  144. Л.П. Диффузия As из анодных арсенатных оксидных пленок в Si // Неорганические материалы. 2008. — Т.44. — № 2. — С. 135−136
  145. A.B., Щеглова В. В. Легированные пленки двуокиси кремния в производстве полупроводниковых приборов // Обзоры по электроннойтехнике. Сер. «Полупроводниковые приборы». М.: ЦНИИ «Электроника».2 311 974.4.2. Вып.5.(203). — 67 с.
  146. Л.П., Авдеев С. П. Диффузия фосфора и бора в кремний из анодных оксидных пленок // ФХОМ. -2003. -№ 6. -С. 67−72.
  147. Л.П., Авдеев С. П. Совместная диффузия мышьяка с фосфором или бором из анодных окидых пленок в кремний // ФХОМ. -2004.-№ 2.-С. 84т86.
  148. W.Zagozdon-Wosik, P.B.Grabiec, G.Lux. Fabrication of Submicron Junctions Proximity Rapid Thermal Diffusion of Phoshorus, Boron and Arsenic //IEEE Trans. Electron Devices. — 1994. — V.41. — № 12. — P. 2281−2290.
  149. Д.А., Варзарев .Н., Милешко Л. П. Особенности диффузии232фосфора из анодной оксидной пленки в условиях быстрой термической обработки // Изв. вузов. Электроника. 1997. — № 5. — С. 48−50.
  150. Л.П., Варзарев Ю. Н., Авдеев С. П. Особенности распределения электрически активного фосфора в кремнии придиффузии из анодной оксидной пленки в условиях быстрой термической обработки // Известия вузов. Электроника. — 2004. № 6. — С. 90−91.
  151. Owen А.Е., Schmidt P.F. Diffusion from a plane, finit source into a second phase with special reference to oxide-film diffusion sources on silicon // J. Electrochem. Soc. 1968. — V. l 15. — № 5. — P. 548−552.
  152. B.E. Твердофазные процессы в полупроводниках при импульсном нагреве / Под. ред. В. А. Лабунова. Мн.: Навука i тэхшка. 1992. — 248 с.
  153. Технология СБИС. Кн.1. Пер. с англ./ Под ред. С.Зи. М.: Мир. 1986.-404 с.
  154. З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. Справочник. -М.: Радио и связь, 1991.-528 с.
  155. С.Т., Шишияну Т. С., Райлян С. К. Мелкие р п переходы в Si, изготовленные методом импульсного отжига // Физика и техника полупроводников. — 2002. — Т. 36. — Вып. 5.-С. 611−617.
  156. И.С., Копылов В. П., Милешко Л. П., Срывкин Ю. М., Чистяков Ю. Д. Установка для электрохимических процессов с многопозиционным вращающимся токоподводом. Инфор- мационный листок № 241−78. Ростов — на-Дону: ЦНТИ. 1978. — 3 с.
  157. Л.П. Формирование п± слоя на светоприемной сторонекремникона диффузией фосфора из анодной оксидной пленки // Электронная233промышленность. 2006. — № 4. — С. 85.
  158. Л.П., Авдеев С. П. Формирование эмиттерных и базовых областей п- р-п-транзисторов диффузией фосфора и бора из анодных оксидных пленок кремния // Электронная промышленность. — 2002. № 1. — С.67−68.
  159. Л.П., Авдеев С. П. Применение диффузии бора из анодных оксидных пленок в технологии кремниевых ИС // Электронная промышленность. 2004. — № 1. — С. 61−62.
  160. Л.П. Анодные пленки легированного диоксида кремния как диффузант в микроэлектронной технологии. Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии. ГУ Международная конференция. Кисловодск-Ставрополь: СевКавГТУ. 2004. — С. 99 — 102.
  161. Л.П. Применение легированных анодных оксидных пленок в технологии кремниевых приборов и интегральных микросхем // Электронная промышленность. 2004. — № 4. — С. 160−161.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!