Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Стимулированное излучение донорами V-группы в деформированном кремнии

Диссертация: Стимулированное излучение донорами V-группы в деформированном кремнии
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В кремнии решеточное поглощение мало, и с учетом развитой технологии, создание ТГц источников на основе кремния представляет устойчивый интерес на протяжении десятков лет. К настоящему времени эффект стимулированного ТГц излучения получен на внут-рицентровых переходах оптически возбуждаемых доноров V группы (сурьма, фосфор, мышьяк, висмут) в кремнии. Линии генерации лежат в диапазоне 47 — 59 мкм… Читать ещё >

Стимулированное излучение донорами V-группы в деформированном кремнии (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава I. Доноры V группы в кремнии
    • 1. 1. Теория мелкого примесного центра в кремнии
    • 1. 2. Спектроскопия мелких примесных центров в кремнии
    • 1. 3. Спектр примесного центра в деформированном кристалле
    • 1. 4. Влияние деформации на оптические свойства примесных центров
    • 1. 5. Пьезоспектроскопия мелких доноров в кремнии
    • 1. 6. Лазеры дальнего ИК диапазона на примесных переходах в кремнии
    • 1. 7. Сечение фотоионизации доноров в деформированном кремнии
    • 1. 8. Релаксация носителей заряда в зоне проводимости
    • 1. 9. Захват электронов на притягивающие центры
    • 1. 10. Захват электронов на нейтральные доноры
    • 1. 11. Поглощение дальнего ИК излучения П центрами
    • 1. 12. Релаксация электронов по примесным состояниям
  • Глава II. Методика эксперимента
    • 2. 1. Экспериментальная установка
    • 2. 2. Поляризатор
    • 2. 2. Исследуемые образцы
  • Глава III. Стимулированное излучение доноров сурьмы в деформированном 55 кремнии
    • 3. 0. Особенности Бг. БЬ и взаимное расположение глав
    • 3. 1. Эффект стимулированного излучения в БгЯЪ без деформации
    • 3. 2. Интенсивность выходного излучения в деформированном Бг-Б
    • 3. 3. Временные зависимости импульсов излучения Бг-БЬ при одноосном 61 сжатии вдоль направлений [100]
    • 3. 4. Спектральные измерения
    • 3. 5. Влияние одноосной деформации на энергетический спектр БгЯ
    • 3. 6. Безизлучательная релаксация на междолинных фононах. Поглоще- 68 ние ТГц излучения П центрами в деформированном БгЯЪ
  • Глава IV. Стимулированное излучение доноров фосфора в деформированном 71 кремнии
    • 4. 0. Особенности Бг. Р
    • 4. 1. Эффект стимулированного излучения в без деформации
    • 4. 2. Измерение интенсивности выходного излучения Бг. Р при одноос- 74 ном сжатии вдоль направления [100]
    • 4. 3. Спектральные измерения излучения 57при одноосном сжатии 76 вдоль направления [100]
    • 4. 4. Временные зависимости импульсов излучения Бг. Р при одноосном 78 сжатии вдоль направления [100]
    • 4. 5. Случай деформации вдоль кристаллографического направления 80 [110]
    • 4. 6. Изотопически чистый nSi: P при одноосном сжатии вдоль [100]
    • 4. 7. Влияние одноосной деформации на энергетический спектр Si: P
    • 4. 8. Безизлучательная релаксация на междолинных фононах в одноос- 87 но-деформированном Si: P
  • Глава V. Стимулированное излучение доноров мышьяка в деформированном 90 кремнии
    • 5. 0. Исследование Si: As
    • 5. 1. Эффект стимулированного излучения в Si: As без деформации
    • 5. 2. Измерение интенсивности выходного излучения Si: As при одноосном сжатии вдоль направления [100]
    • 5. 3. Измерение интенсивности выходного излучения Si: As при одноосном сжатии вдоль направления [013]
    • 5. 4. Измерение интенсивности выходного излучения Si: As при одноосном сжатии вдоль направления [110]
    • 5. 5. Спектральные измерения излучения SiAs при одноосном сжатии вдоль направлений [100] и [110]
    • 5. 6. Временные зависимости импульсов излучения Si: As при одноосном сжатии вдоль направлений [100] и [013]
    • 5. 7. Влияние одноосной деформации на энергетический спектр Si: As
    • 5. 8. Безизлучательная релаксация на междолинных фононах в одноосно деформированном Si: As
  • Глава VI. Стимулированное излучение доноров висмута в деформированном 109 кремнии
    • 6. 0. Об особенностях B
    • 6. 1. Лазерный эффект в недеформированном SiB
    • 6. 2. Выходная интенсивность стимулированного ТГц излучения в Si: Bi при одноосной деформации вдоль направления [100]
    • 6. 3. Выходная интенсивность стимулированного ТГц излучения в Si: Bi при одноосной деформации вдоль направления [110]
    • 6. 4. Спектральные особенности стимулированного излучения Si: Bi в условиях одноосной деформации вдоль направлений [100] и [110]
    • 6. 5. Временные зависимости импульсов излучения Si: Bi при одноосном сжатии вдоль направления [100]
    • 6. 6. Влияние одноосной деформации на энергетический спектр Si: B
    • 6. 7. Безизлучательная релаксация на междолинных фононах в одноосно-деформированном Si: B
  • Глава VII. Основные факторы, влияющие на характеристики стимулированного излучения. Оптимальные параметры
    • 7. 0. Сравнение доноров
    • 7. 1. Влияние деформации [100] на внутрицентровую релаксацию с участием междолинных фононов/- и g- типа
    • 7. 2. Распределение электронов по долинам и инверсия при одноосной деформации вдоль [100]
    • 7. 3. Поглощение ТГц излучения отрицательными донорами и внутрен- 135 ние потери в среде
    • 7. 4. Оптимальные значения деформации сжатия

Актуальность темы

.

Поиск эффективных источников когерентного излучения в терагерцовом диапазоне частот 1−10 ТГц (дальнем ИК диапазоне 30−300 мкм) вызывает повышенный интерес уже на протяжении полувека. Это связано с огромным количеством возможных приложений: такие источники могут быть использованы в спектроскопии плазмы, газов и твердых тел, в радиоастрономии, в медицине, системах безопасности, в устройствах для хранения и передачи информации и т. д.

В настоящий момент существуют различные источники терагерцового излучения. К приборам вакуумной СВЧ электроники относятся лазеры на свободных электронах [1], имеющие рекордные мощности для данного диапазона, достигающие величин ~1МВт и возможность перестройки частоты в широком диапазоне, а также лампы обратной волны [2], с длинами волн до 100 мкм и мощностями ~1мВт. Недостатком первых является громоздкость. Вторые ограничены в продвижении в коротковолновую область из-за проблем миниатюризации замедляющих систем и уменьшения поперечных размеров пучка. К другому классу устройств ТГц диапазона можно отнести газовые лазеры, в которых получен большой набор линий генерации при оптическом возбуждении вращательно-колебательных переходов молекул (НгО, £>2О, СЩОН и другие) [3]. Тем не менее, ограниченный выбор линий и сложность в перестройке частот ограничивают сферу их применений.

Стремление получить компактный эффективный источник излучения терагерцового диапазона привело к реализации лазерного эффекта в полупроводниках. Первые полупроводниковые лазеры длинноволнового ИК излучения работали на межзонных переходах в узкозонных материалах РЬБпБе [4] и достигли длин волн ~40 мкм. Первыми источниками на внутри-зонных переходах стали лазеры на горячих дырках в германии: лазер на межподзонных переходах (70 — 200 мкм) [5,6], НЕМАГ (700 — 2000 мкм) [7], лазер на циклотронном резонансе в скрещенных электрическом и магнитном полях (100 — 400 мкм) [8,9]. Общим недостатком р-Се лазеров, ограничивающих их применение, является малая эффективность, что затрудняет реализацию непрерывного режима генерации. Позднее появились работы, сообщающие о стимулированном излучении разогретыми электрическим полем дырками в одноосно деформированном германии и возможностью работы в непрерывном режиме с перестройкой длины волны вблизи 100 мкм путем изменения приложенного давления [10].

Наибольший резонанс получили успехи в развитии источников стимулированного излучения на переходах между состояниями размерного квантования СаАя/АЮаАя и 1п-ОаАз/АПпАя гетероструктурах при вертикальном транспорте электронов [11]. Возможность выращивать требуемые многослойные гетероструктуры с моноатомной точностью [12] позволила смоделировать и реализовать различные лазерные схемы. В результате квантово-каскадным лазерам удалось перекрыть диапазон 3−24 мкм, 67 — 200 мкм и работать при температурах до 150 К. [13] Достижения в этом направлении отчасти способствовали спаду интереса ко многим другим идеям создания полупроводниковых источников в этом диапазоне. Тем не менее, квантово-каскадные лазеры имеют ряд недостатков, среди которых отсутствие генерации в диапазоне 30 — 50 мкм из-за сильного решеточного поглощения [14].

В кремнии решеточное поглощение мало [14], и с учетом развитой технологии, создание ТГц источников на основе кремния представляет устойчивый интерес на протяжении десятков лет. К настоящему времени эффект стимулированного ТГц излучения получен на внут-рицентровых переходах оптически возбуждаемых доноров V группы (сурьма, фосфор, мышьяк, висмут) в кремнии [15,16]. Линии генерации лежат в диапазоне 47 — 59 мкм и связаны с 2р—*з переходами. Данный источник является первым и пока единственным источником терагерцового диапазона в кремнии. Также можно отметить работы по получению инверсии населенностей в объемном Бг. В в скрещенных электрическом и магнитном полях [17] и получение электролюминесценции из 57/57Се гетероструктур [18,19].

Цель работы.

Целью диссертационной работы являются экспериментальные исследования влияния одноосной деформации на формирования инверсии населенности между локализованными состояниями доноров V группы (БЪ, Р, Аз, Вг) в кремнии и характеристики стимулированного излучения при оптическом возбуждении СОг лазером.

Научная новизна.

1. Впервые получено стимулированное излучение из кремния, легированного донорами V группы (БЪ, Р, Ая, Вг'), в условиях одноосного сжатия кристалла вдоль кристаллографических направлений [100], [110]- исследованы выходная интенсивность, временные и спектральные характеристики выходного излучения в зависимости от величины.

2. Впервые экспериментально показано, что изменение состояний доноров в одноосно деформированном кремнии может приводить к снижению порога генерации, росту квантовой эффективности, появлению новых частот генерации.

3. Впервые экспериментально показано, что взаимодействие с междолинными фононами /и £-типа определяет времена жизни примесных состояний 2ро, 2р±-, ^(Гг) доноров 8Ь, Р и Аэ в кремнии.

Научная и практическая значимость.

Научная значимость состоит в получении новых данных о физике релаксационных процессов состояний доноров в кремнии при их фотовозбуждении, способных приводить к формированию инверсной заселенности примесных состояний и генерации излучения в диапазоне 4,9−6,3 ТГц в условиях низких температур.

Практическая значимость определяется реализацией кремниевого лазера с малым порогом и новыми частотами генерации. Данный источник может быть использован в качестве гетеродина в радиоастрономии. Результаты работы показывают возможность получения непрерывного режима генерации в деформированном кристалле.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Оптическая накачка одноосно деформированного кремния, легированного донорами V группы (БЬ, Р, Аз, Вг), позволяет получить эффект стимулированного излучения на внут-рицентровых переходах между 2р и состояниями при гелиевых температурах.

2. Изменение величины одноосной деформации приводит к изменению инверсии населен-ностей, квантовой эффективности, порогов, а также спектральных характеристик стимулированного излученияособенности поведения каждого донора связаны с величиной «химического сдвига».

3. Для каждого донора существуют области оптимального давления, где наблюдается наименьшее значение пороговой интенсивности накачки и/или наибольшее значение выходной мощности стимулированного излучения.

4. Зависимое от деформации кристалла расщепление 1лсостояния, связанное со спин-орбитальным взаимодействием, определяет спектр стимулированного излучения доноров В1 в кремнии.

Личный вклад автора в получение результатов.

— Определяющий вклад в подготовку и проведение экспериментальных исследований по получению стимулированного излучения из кремния, легированного донорами У-группы, и измерению его выходной интенсивности в условиях одноосного сжатия кристалла и фотоионизации излучением СОг лазера [А1- А9].

— Равнозначный вклад в получение спектральных зависимостей стимулированного излучения доноров V группы при их фотоионизации в условиях одноосного сжатия кристалла [А4,А5,А8-А10] (совместно с Р. Х. Жукавиным и С.Г. Павловым).

— Равнозначный вклад в обсуждение и интерпретацию всех экспериментов по возбуждению доноров излучением СОг лазера в одноосно деформированном кремнии [А4,А5,А8-А10] (совместно с Р. Х. Жукавиным, С. Г. Павловым и В.Н. Шастиным), а также вопросов теоретического анализа внутрипримесной релаксации с испусканием междолинных фононов [АЗ, А6, А7] (совместно с В. В. Цыпленковым и В.Н. Шастиным).

Апробация работы.

Материалы, вошедшие в диссертационную работу, обсуждались на семинарах ИФМ РАН (Нижний Новгород), Нижегородского университета им. Н. И. Лобачевского, Института исследования планет (Берлин). Основные результаты диссертации представлялись на радиофизических конференциях ННГУ им. Н. И. Лобачевского (Нижний Новгород, 2003, 2004) — всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике (С.-Петербург, 2003) — всероссийском семинаре по терагерцовой оптике и спектроскопии в рамках конференции по фундаментальным проблемам оптики (С.Петербург, 2008) — X, XII, XV международных симпозиумах по нанофизике и наноэлектронике (Нижний Новгород, 2006, 2008, 2011) — 7, 9 и 10 Российских конференциях по физике полупроводников (Звенигород 2005, Новосибирск-Томск, 2009, Нижний Новгород, 2011) — 29-ой, 31-ой, 34-ой и 35-ой Международной конференции по инфракрасному, миллиметровому и терагерцовому излучению (Карлсруэ, Германия, 2004, Шанхай, Китай, 2006, Бусан, Корея, 2009, Рим, Италия, 2010) — совещании по нанофотонике (Н.Новгород, 2004) — XIX Международной конференции по когерентной и нелинейной оптике, лазерам, их приложениям и технологиям (Минск, Беларусь, 2007) — 12-ой международной конференции по рассеянию фононов в конденсированных средах (Париж, Франция, 2007) — 4-ой международной конференции по современной оптоэлектроники и лазерам (Алушта, Украина, 2008) — 16-ой международной конференции по динамике электронов в полупроводниках (Монтпелье, Франция, 2009) — международной конференции по ТГц и среднему ИК излучению (Турунк-Мармарис, Турция, 2009) — II и III симпозиуме по когерентному оптическому излучению полупроводниковых соединений и структур (Москва, 2010, 2011).

Публикации.

По теме диссертации опубликовано 10 печатных работ в реферируемых научных журналах и изданиях, а также 22 работы в материалах конференций.

Объем и структура диссертации.

Диссертация состоит из введения, семи глав и заключения. Общий Объем диссертации составляет 135 страниц, включая 130 рисунков и 7 таблиц. Список цитируемой литературы содержит 79 наименование, список публикаций автора по теме диссертации — 32 наименования.

Основные результаты работы.

1. Экспериментально показано, что одноосная деформация сжатия кристалла кремния вдоль кристаллографического направления [100] существенно влияет на стимулированное излучение оптически возбуждаемых доноров V группы (БЬ, Р, Ал, В[), увеличивая его эффективность и в 10−100 раз снижая пороговую интенсивность накачки.

2. На основании проведенных оценок и наблюдаемых зависимостей показано, что поглощение на отрицательно заряженных £Г донорах в кремнии приводит к существенным внутренним потерям и значительно уменьшает коэффициент/сечение усиления в ТГц лазерах на донорах V группы в кремнии в условиях их фотовозбуждения.

3. Измерены оптимальные значения величины деформации сжатия вдоль оси [100] кристалла кремния для стимулированного излучения донорами V группы. Установлено, что этот параметр зависит от элемента легирования и определяется величиной «химического сдвига» основного состояния.

4. Полученные зависимости интенсивности ТГц стимулированного излучения различных доноров V группы в кремнии от одноосной деформации кристалла вдоль [100] позволили установить роль междолинных ТА^, ЬА^, ТА-/, ЬА-/ Ю-/ ТО-/и ЬО^ фононов в релаксации возбужденных состояний этих центров.

5. Экспериментально исследовано влияние одноосной деформации сжатия кристалла на спектр стимулированного излучения доноров V группы в кремнии. Обнаружено, что для доноров мышьяка и висмута сжатие кристалла приводит к переключению верхних рабочих состояний стимулированного излучения с 2р±на 2ро. Эффект связан с влиянием деформации на релаксацию состояний с участием междолинных ЬА-/ ТА-/и ТО-/ фононов.

6. Экспериментально обнаружено, что стимулированное излучение оптически возбуждаемых доноров висмута в [100] деформированном кремнии (2 кбар<�Р<3,3 кбар) развивается с частотой 164 см" 1 на переходах между состояниями доноров верхних 4А долин.

Заключение

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Knippels, G.M.H. Generation of frequency-chirped pulses in the far-infrared by means of a sub-picosecond free-electron laser and an external/ P.W. van Amersfoort, R.B. Vrijen, D.J. Maas, L.D. Noordam// Opt. Commun. — 1995. — Vol.118. — P. 546−550.
  2. Kozlov, G.V. Coherent Source for Submillimeter Wave Spectroscopy/ Kozlov G.V., Volkov A. A. // Topics in Applied Physics, edited by G. Gruner, published by Springer-Verlag 1998. -Vol. 74-P. 51−109.
  3. De Temple, Th. Pulsed Optically Pumped Far Infrared Lasers in Infrared and Millimeter Waves/ Th. de Temple// Edited by K.J. Button. N.Y. 1979. — Vol.1 — P. 129.
  4. , M.C. О временных задержках генерации излучения в лазерных диодах на основе халькогенидов свинца/ М. С. Мурашов, А.П. Шотов// Квантовая электроника. -1995. Т.22. Вып. 12. — С. 1255.
  5. , А.В. Перестраиваемый узкополосый лазер на межподзонных переходах дырок германия/ А. В. Муравьев, С. Г. Павлов, В.Н. Шастин// Квантовая электроника. -1993. Т. 20. Вып. 2. — С.142−148.
  6. Gavrilenko, V.I. Negative mass cyclotron resonance maser/ V.I. Gavrilenko and Z.F. Kra-sil'nik// Opt.Quant.Elect. 1991. — Vol.23. — S323-S329.
  7. Ivanov, Y.L. Generation of Cyclotron Radiation by Light Holes in Germanium/ Ivanov Y.L.// Optical and Quantum Electronics 1991. — Vol.23. — S253-S265.
  8. Mitygin, Yu.A. Wide-Range Tunable Sub-Millimeter Cyclotron Resonance laser/ Mitygin Yu.A., Murzin V.N., Stoklitsky S.A., Chebotarev A.P.// Optical and Quantum Electronics -1991. Vol.23.-S307-S311.
  9. , И. В. Межзонное излучение горячих дырок в Ge при одноосном сжатии/ И. В. Алтухов, М. С. Каган, В.П. Синие// Письма в ЖЭТФ. 1988. — Т.47. — С. 136.
  10. Williams, В. S. Terahertz quantum-cascade lasers // Nature Photonics. 2007. — Vol. 1. — P. 517−523.
  11. Kohler, R. Terahertz semiconductor-heterostructure laser/ Kohler R., Tredicucci A., Beltram F., Beere H., Linfield E., Davies G., Ritchie D., Iotti R.C., and Rossi F.// Nature. 2002. -Vol. 417.-P. 156−159.
  12. Williams, В. S. Terahertz quantum-cascade lasers // Nature Photonics. 2007. — Vol. 1. — P. 517−523.
  13. Dargys, A. Handbook on Physical Properties of Ge, Si, GaAs and InPI Dargys A. and J. Kundrotas// Science and Encyclopedia Publishers, Vilnius 1994. — P.262
  14. Dehlinger, G. Intersubband electroluminescence from silicon-based quantum cascade structures/ Diehl L., Gennser U., Sigg H., Faist J., Ensslin K., Grutzmacher D., Muller E.// Science. 2000. Dec 22. — 290 (5500). — P. 2277−2280.
  15. Kagan, M. S. THz lasing of SiGe/Si quantum-well structures due to shallow acceptors/ M. S. Kagan, I. V. Altukhov, E. G. Chirkova, V. P. Sinis, R. T. Troeger, S. K. Ray, and J. Kolodzey// Physica Status Solidi В 2003. — Vol.235. Issue 1. — P. 135−138.
  16. Kohn, W. Theory of donor states in silicon/ W. Kohn, J.M. Luttinger // Phys. Rev 1955 — v. 90 (4).-P. 915
  17. , И.М., Электроны и дырки в полупроводниках/ И.М. Цидильковский// Наука, М. 1972. С.
  18. Вир, F.JI. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках/ Г. Л. Вир, Г. Е. Пикус// Наука, М. 1972, — 584 С.
  19. , W.E., / W.E.Krag, W.H.Kleiner, H.J. Zeiger// Proc. X Int. Confer. Phys. Semicond., Cambrige, USA, 1970, p. 271
  20. Pajot, B. High resolution study of the group V impurities absorption in silicon / B. Pajot, J. Kauppinen and R. Anttila // Sol. St. Communic. 1979. — Vol. 31, Issue 10. — P. 759−763.
  21. Jagannath, C. Linewidths of the electronic excitation spectra of donors in silicon / C. Jagannath, Z. W. Grabowski, and A. K. Ramdas // Phys. Rev. В 1981. — Vol. 23, Issue 5. — P. 2082−2098.
  22. , H. О. Последние достижения в теории экситонов и примесей в полупроводниках / Н. О. Липари, А. Бальдереши, И. Альтарелли // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1978. -Том42.-С. 1179.
  23. , Т. М. Примесная фотопроводимость германия, легированного сурьмой, мышьяком, бором или индием / Т. М. Лифшиц, Ф. Я. Надь, В. И. Сидоров // ФТТ. -1966.-Том 8.-С. 3208.
  24. , Б. А. Бесконтактный способ регистрации спектров фотопроводимости полупроводников / Б. А. Андреев, Л. И. Герштейн, В. Б. Иконников, В. Б. Шмагин // Приборы и техника эксперимента. -1985. № 3.-С. 172.
  25. , Б. А. Спектры фототермической ионизации примесей в высокочистых кремнии и германии / Б. А. Андреев, В. Б. Иконников, Е. Б. Козлов, В. Б. Шмагин // Высокочистые вещества. 1988. № 2. — С. 180.
  26. , G. В. Raman scattering from donor and acceptor impurities in silicon / G. B. Wright and A. Mooradian // Phys. Rev. Lett. 1967. — Vol. 18, Issue 15. — P. 608−610.
  27. Jain, K. Electronic Raman scattering and the metal-insulator transition in doped silicon / K. Jain, S. Lai, and M. V. Klein // Phys. Rev. B. 1976. — Vol. 13, Issue 12. — P. 5448−5464.
  28. Wright, G. B. Raman scattering from donor and acceptor impurities in silicon / G. B. Wright and A. Mooradian // Phys. Rev. Lett. 1967. — Vol. 18, Issue 15. — P. 608−610.
  29. Aggarwal, R. L. Optical determination of the symmetry of the ground states of group-V donors in silicon / R. L. Aggarwal and A. K. Ramdas // Phys. Rev. 1965. — Vol. 140, Issue 4A. -P. A1246-A1253
  30. Mayur, A. J. Redetermination of the valley-orbit (chemical) splitting of the Is ground state of group-V donors in silicon / A. J. Mayur, M. Dean Sciacca, A. K. Ramdas, and S. Rodriguez // Phys. Rev. B. 1993. — Vol. 48, Issue 15. — P. 10 893−10 898.
  31. Sauer, R. Optical determination of highly excited s-like donor states in silicon // J. of Luminescence. 1976. — Vols. 12−13. — P. 495−499.
  32. Н.Г. Генерация, усиление и индикация инфракрасного и оптического излучений с помощью квантовых систем. / Басов Н. Г., Крохин О. Н., Попов Ю. М. // УФН 1960. — Т.1.XII. Вып. 2. С. 162−209.
  33. , А. К. Spectroscopy of the solid-state analogues of the hydrogen atom: donors and acceptors in semiconductors / A. K. Ramdas and S. Rodriguez // Rep. Prog. Phys. — 1981. — Vol. 44.-P. 1297−1387.
  34. McSkimin, H. J. Measurement of elastic constants at low temperatures by means of ultrasonic waves Data for silicon and germanium single crystals, and for fused silica // J. Appl. Phys. -1953. — Vol. 24, Issue 8. — P. 988−997.
  35. , E.B. Сечение фотоионизации примесного центра в деформированном кремнии / Демидов Е. В. (неопубликовано)
  36. Olson, D.W. Uniaxial stress dependence of the Orbach spin-lattice relaxation rate of phosphorous and arsenic donors in silicon / D. W. Olson* and T. G. Castner // Phys. Rev. В 1978. -Vol. 17-P.3318−3333
  37. Tekippe, V.J. Determination of the Deformation-Potential Constant of the Conduction Band of Silicon from the Piezospectroscopy of Donors/ Tekippe V.J., Chandrasekhar H.R., Fisher P. and Ramdas A.K. // Phys. Rev. B. 1972. — V.6 — P.2348−56
  38. Shastin V.N. Far-Infrared Active Media Based on Inraband and Shallow Impurity States Transitions in Si, / Shastin V.N. // 21th Int. Conf. on Infrared and Millimeter Waves, Berlin. Conference proceeding, 1996. — CT2.
  39. Н.Г. Генерация, усиление и индикация инфракрасного и оптического излучений с помощью квантовых систем. / Басов Н. Г., Крохин О. Н., Попов Ю. М. // УФН 1960. — Т. LXXII. Вып. 2. — С. 162−209.
  40. S.G. Pavlov. Stimulated emission from donor transitions in silicon / S.G. Pavlov R. Kh. Zhu-kavin, E. E. Orlova, V. N. Shastin, A. V. Kirsanov, H.-W. Hiibers, K. Auen and H. Riemann. // Phys. Rev. Lett. 2000. Vol.84. — P. 5220−5223.
  41. Pavlov, S.G. Far-infrared stimulated emission from optically excited bismuth donors in silicon/ S.G. Pavlov, H.-W. Hiibers, M.H. Rummeli, R.Kh. Zhukavin, E.E. Orlova, V.N. Shastin, and H. Riemann// Appl. Phys. Lett.- 2002.- v. 80, — P. 4717
  42. Pavlov, S.G. Terahertz optically pumped Si: Sb laser/ S.G. Pavlov, H.-W. Htibers, H. Riemann, R.Kh. Zhukavin, E.E. Orlova, V.N. Shastin// J. Appl. Phys.- 2002, — v. 92. P. 5632
  43. Htibers, H.-W. Stimulated terahertz emission from arsenic donors in silicon / H.-W. Htibers, S. G. Pavlov, R. Kh. Zhukavin, H. Riemann, N. V. Abrosimov, and V. N. Shastin // Appl. Phys. Lett. 2004. — Vol. 84, Issue 18. — P. 3600−3602.
  44. Ikezawa, M. Far-infrared absorption due to the two-phonon difference process in Si / M. Ikezawa and M. Ishigame // J. Phys. Society of Japan. 1981. — Vol. 50, No. 11. — P. 37 343 738.
  45. , И.Л. Доноры в многодолинных полупроводниках в приближении центральной ячейки нулевого радиуса/ И. Л. Бейнихес, Ш. М. Коган// ЖЭТФ 1987 — т. 93 1(7), С.285−301
  46. Ю, П. Основы физики полупроводников/ Ю П., Кардона М.// Физмат-лит, М. 2002. 560 С.
  47. , В.Н. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках/ В. Н. Абакумов, В. И. Перель, И.Н. Ясиевич//: Петербургский институт ядерной физики Б. П. Константинова РАН, СПб. 1997, — 376 С.
  48. Jacoboni, С. The Monte Carlo method for the solution of charge transport in semiconductors with applications to covalent materials/ C. Jacoboni, L. Reggiani// Rev. Mod. Phys.- 1983, — v. 55(3).-P. 645
  49. Lax, M. Cascade Capture of Electrons in Solids / M. Lax // Phys.Rev. 1960. — V. l 19. -P. 1502
  50. , A.B. / A.B. Гуревич, Л. П. Питаевский // ЖЭТФ 1964. — T.46. — C.1281
  51. D’Angelo, N. Ion-Electron Recombination N. D’Angelo // Phys.Rev.A 1965. — V.140. -P.1488
  52. , В.Н. / Абакумов B.H., Яссиевич И. Н. // ЖЭТФ 1976. — Т.71. — С.657
  53. Harrison, W.A. Scattering of Electrons by Lattice Vibrations in Nonpolar Crystals / Harrison
  54. W.A. //Phys.Rev. 1956. -V. 104. — P. 1281
  55. , Г. Квантовая механика атомов с одним и двумя электронами / Г. Бете, Э. Солпитер // пер. с англ., М."Физматгиз" 1960. — С.562
  56. N. Sclar. Properties of doped silicon and germanium infrared detectors. / N. Sclar // Progress in Quantum Electronics 1984, V.9. — P. 149−257.
  57. Karaiskaj D. Impurity absorption spectroscopy in Si-28: The importance of inhomogeneous isotope broadening. / Karaiskaj D., Stotz J.A.H., Meyer Т., Thewalt M.L.W., Cardona M. // Physical Review Letters 2003. V. 90. — P. 186 402−4.
  58. Oliveira, L.E. Effect of compressive uniaxial stress on the binding energies of D- centers in Si: P and Si: As / L.E. Oliveira, L.M. Falicov // Phys.Rev. B. 1986. — V.33. — P.6990
  59. Griffin, A. Thermal Conductivity of Solids IV: Resonance Fluorescence Scattering of Phonons by Donor Electrons in Germanium. / Griffin, A. and Carruthers, P. // Physical Review 1963. V. 131.-P. 1976−1995.
  60. Tamura, S. Lattice dynamics and elastic phonon scattering in silicon/ S. Tamura, J.A. Shields, J.P. Wolfe// Phys. Rev. В.- 1991.- v.44, 7.- P. 3001
  61. N.R.Butler, P. Fisher, and A.K.Ramdas, Excitation spectrum of bismuth donors in silicon, Phys.Rev.B, 12, 3200(1975)
  62. Castner, Jr., T. G. Raman spin-lattice relaxation of shallow donors in silicon // Phys. Rev. -1963.-Vol. 130, Issue l.-P. 58−75.
  63. , P. X. Стимулированное излучение при оптическом возбуждении доноров фосфора в кремнии дис. канд. физ.-мат.наук: защищена 22.12.2005 Жукавин P. X. / Нижний Новгород, Институт физики микроструктур РАН. 2005. — С.1 — 117
  64. Y.B. Levinson. Nonequilibrium phonons in nonmetallic crystals / Y.B. Levinson. // Modern Problems in Condensed Matter Science, edited by W. Eisenmerger and A.A. Kaplyanskii, published by North Holland, Amsterdam 1986. V. 16 — P. 91−120.
  65. , С.Г. Лазеры терагерцового диапазона частот на примесных центрах в кремнии и германии, дис. канд. физ.-мат.наук: защищена 22.12.2010 Пвлов С. Г. / Нижний Новгород, Институт физики микроструктур РАН. 2010. — С.1 — 217
  66. Al. Zhukavin, R.Kh. D~ centers in intracenter Sv. P lasers/ R.Kh. Zhukavin, S.G. Pavlov, K.A. Kovalevsky, H.-W. Huebers, H. Riemann, V.N. Shastin// J. Appl. Phys. 2005. — v.97. — P. 113 708 -(1−3)
  67. А4. Pavlov, S.G. Low-threshold terahertz Si: As laser// S.G. Pavlov, U. Boettger, H.-W. Huebers, R.Kh.Zhukavin, K.A.Kovalevsky, V.V. Tsyplenkov, V.N.Shastin, N. V. Abrosimov, H. Riemann// Appl. Phys. Lett.- 2007.-. v.90.- P. 141 109 (1−2)
  68. А 17. Ковалевский, К. А. Релаксация возбужденных состояний мелких доноров в кремнии при взаимодействии с междолинными фононами/ Ковалевский К. А., Цыпленков В. В., Шастин В.Н.// Тезисы к научной конференции по радиофизике, 5 мая 2006, Н.Новгород. С. 17
  69. Optoelectronics and lasers, Alushta, Crimea, Ukraine, 2008, IEEE Catalog No CFP08814-PRT. P.254−256
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!