Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Разработка научных основ создания и совершенствования базовых элементов микроэлектроники и микросистемной техники методами приборно-технологического моделирования

Диссертация: Разработка научных основ создания и совершенствования базовых элементов микроэлектроники и микросистемной техники методами приборно-технологического моделирования
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Результаты диссертациониой работы внедрены в учебный процесс в Московском государственном институте электронной техники. Разработанная автором методология приборно-технологического моделирования, методики расчета различных типов интегральных элементов использованы при разработке и модернизации лекционных курсов и лабораторных практикумов по ряду учебных дисциплин, в том числе: «Моделирование… Читать ещё >

Разработка научных основ создания и совершенствования базовых элементов микроэлектроники и микросистемной техники методами приборно-технологического моделирования (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. Роль и задачи приборно-технологического моделирования на современном этапе
    • 1. 1. Основные проблемы развития методов проектирования в микроэлектронике
    • 1. 2. Этапы развития и основные цели приборно-технологического моделирования (ПТМ)
    • 1. 3. Проблемы использования ПТМ как метода создания и совершенствования элементов микроэлектроники и микросистемной техники. Постановка задачи
  • 2. Анализ и классификация объектов и средств приборно-технологического моделирования
    • 2. 1. Классификация технологических операций и технологических маршрутов как объектов моделирования
    • 2. 2. Основные типы конструктивно-технологических узлов современных интегральных микросхем
    • 2. 3. Особенности элементов микросистемной техники, как объектов приборно-технологического моделирования
    • 2. 4. Сравнительный анализ программных средств ПТМ
  • 3. Разработка концепции эффективного использования ПТМ как метода создания и совершенствования базовых элементов микроэлектроники и микросистемной
  • Ф техники
    • 3. 1. Основные принципы эффективного применения метода приборно-технологического моделирования
    • 3. 2. Программная среда приборно-технологического моделирования как основа системы «виртуального производства»
    • 3. 3. Разработка интеллектуальных систем моделирования и управления на основе нейросетевых структур и методов нечеткой логики
  • 4. Разработка методологии применения ПТМ для научного исследования и проектирования элементов интегральной и микросистемной техники
    • 4. 1. Специфика объектов ПТМ и выбор программной среды
    • 4. 2. Анализ размерности объекта и распараллеливание вычислений
    • 4. 3. Выделение критичных элементов и разработка маршрута моделирования
    • 4. 4. Основные этапы применения концепции эффективного использования
  • 5. Методики выполнения основных этапов приборно-технологического моделирования
    • 5. 1. Выбор моделей для описания объектов ПТМ
    • 5. 2. Методика проведения этапа предварительной калибровки
    • 5. 3. Организация моделирования в программной среде «виртуального производства»
  • 6. Практическая реализация методов приборно-технологического моделирования при разработке элементов интегральной и микросистемиой техники
    • 6. 1. Проектирование и оптимизация технологических маршрутов
    • 6. 2. Проектирование конструктивных элементов быстродействующих
  • КМОП СБИС
    • 6. 3. Проектирование конструктивных элементов силовых
  • КМОП ИС
    • 6. 4. Моделирование элементов микросистемной техники
    • 6. 5. Моделирование элементов оптоэлектроники
  • 7. Особенности приборно-технологического моделирования МОП-транзисторов
  • КНС-и КНИ-типа
    • 7. 1. Транзисторные структуры КНС- и КНИ-типа как основа радиационностойких ИС
    • 7. 2. Учет физических эффектов при построении модели элемента
    • 7. 3. Методика использования ПТМ при расчете трехмерных транзисторных структур КНС- и КНИ-типа

Современное микроэлектронное производство строится на основе концепции компьютерно-интегрированного производства. Развитие и использование математических моделей технологических процессов и создаваемых в результате их применения приборов является одной из основ данной концепции, позволяет работать с контролируемыми объектами, будь то параметры отдельной технологической операции, электрофизические параметры слоев или параметры схемотехнической модели прибора на выходе производства.

Область приборно-технологического моделирования, являющаяся неотъемлемой частью современного производства изделий микроэлектронной и микросистемной техники, представляет собой систему научных знаний и прикладных программных инструментов, позволяющих осуществлять полномасштабное моделирование технологических процессов и приборов, успешно решать широкий круг задач по ® разработке новых полупроводниковых приборов, оптимальных и устойчивых к разбросу параметров технологических маршрутов, повышать технологичность выпускаемых изделий и производства в целом.

Поскольку в основе используемых моделей лежит фундаментальная система уравнений, метод приборно-технологического моделирования носит универсальный характер. Однако эффективность его применения зависит от квалификации пользователя и требует проведения предварительных исследований. С одной стороны, имеется многообразие возможностей приборно-технологического моделирования как ф универсального инструмента, позволяющего решать целый ряд проблем проектирования от выбора параметров отдельных операций до комплексного расчета характеристик прибора в обрамлении элементов схемы. С другой стороны, налицо множество специфических объектов моделирования и подходов к организации процесса проектирования и изготовления конечного изделия, частью которого является приборно-технологическое моделирование. Разработай ряд конкретных примеров моделирования приборов и встраивания методик использования приборио-технологического моделирования в процесс создания новых и совершенствования имеющихся изделий, т. е. решено большое количество частных задач.

Таким образом, разработка и обоснование научных подходов к проблеме эффективного и падежного использования приборно-технологического моделирования ® (ПТМ) в качестве метода создания и совершенствования базовых элементов микроэлектроники и микросистемной техники является актуальным направлением научно-технических исследований. Результаты таких исследований позволяют решать широкий круг задач по разработке технологических процессов, интегральных полупроводниковых приборов, оптимальных и устойчивых к разбросу параметров технологических маршрутов, обеспечивать интерфейс между производством и дизайн-центрами, повышать технологичность выпускаемых изделий и производства в целом.

Целью диссертационной работы является исследование и разработка научных основ повышения эффективности методов создания и совершенствования базовых элементов микроэлектроники и микросистемной техники и разрабатываемых конструктивно-технологических решений путем всестороннего применения систем и средств приборно-техпологического моделирования.

Для достижеиия поставленной цели необходимо решить следующие задачи:

— провести анализ и классификацию базовых приборных структур, технологических процессов и маршрутов и средств приборпо-технологического моделирования и выделить элементы, критичные с точки зрения повышения эффективности процессов создания и совершенствования изделий микроэлектроники и микросистемной техники;

— разработать общую концепцию повышения эффективности методов создания и совершенствования базовых элементов микроэлектроники и микросистемной техники путем использования приборно-технологического моделирования (ПТМ);

— создать методологию научного исследования и проектирования на основе ПТМ, позволяющую учитывать специфику объекта моделирования;

— разработать методики выполнения основных этапов ПТМ, включая выбор моделей, предварительную калибровку параметров, использование многофакторного.

Ф эксперимента в процессе моделирования;

— практически реализовать разработанные подходы к сквозному моделированию при проектировании и изготовлении элементов микроэлектроники и микросистемпой техники.

Научная новизна результатов, получепных в диссертационной работе, заключается в следующем:

1. В результате проведенного анализа объектов и средств приборно-технологического моделирования выделены их основные характеристики и элементы, критичные при разработке изделий микроэлектроники и микросистемной техники. К критичным элементам, в частности, относятся:

— технологические операции формирования структуры сложного функционального.

Ф состава;

— области со сложным рельефом и/или высоким градиентом распределения примеси и параметры сетки в этих областях;

— характеристики границ раздела между слоями;

— области с высокими значениями плотпости тока, напряженности электрического поля, скорости генерации — рекомбинации носителей, с плавающим потенциалом, параметры сетки в этих областях, выбранные модели для описания протекающих физических эффектов и численные значения входящих в них параметров.

2. Предложена концепция использования систем приборно-технологического моделирования для повышения эффективности создания и совершенствования базовых элементов микроэлектроники и микросистемной техники, основными принципами которой являются:

— реализация преимуществ сквозного подхода к моделированию, основанного на объединении технологического, приборного и схемотехнического уровней;

— предварительный анализ моделируемого процесса или прибора, определение его основных характеристик, специфики и критичных элементов с целью построения оптимального маршрута моделирования;

— использование специально разработанной методологии приборно-технологического моделирования и методик выполнения отдельных этапов, позволяющих сократить количество пробных вариантов, долю объемных и длительных расчетов, формализовать процедуры выбора программных средств, моделей и значений параметров, использовать ранее накопленный опыт по моделированию данной технологии или конструкции прибора;

— активное внедрение методов приборно-технологического моделирования в сферу промышленного производства, охватывающее разработку конструктивно-технологических узлов, повышение технологичности изделий методами «виртуального производства», развитие интеллектуальных методов моделирования и управления технологическими процессами.

3. Разработана методология исследования и проектирования приборов и технологических процессов интегральной и микросистемпой техники на основе использования средств приборно-технологического моделирования, включающая учет специфики объекта моделирования, анализ размерности объекта и разбиение на модули с целью снижения размерности и распараллеливания вычислений, разработку оптимального маршрута моделирования, а также методики выполнения основных этапов приборно-технологического моделирования в процессе создания и совершенствования разрабатываемых конструктивно-технологических решений.

4. Разработана обобщенная модель базового технологического процесса изготовления КМОП интегральных схем с проектными нормами 0.5 — 0.35 мкм и на ее основе методология повышения технологичности изготавливаемых в данном процессе изделийустановлены закономерности, связывающие электрические параметры элементов интегральных схем с параметрами технологического процесса.

5. На основании проведенных исследований разработаны принципы интегрированного подхода к приборно-технологическому моделированию элементов и конструкций микросистемной техники, сочетающих микромеханические и интегральные конструктивно-технологические узлы, а именно, объединение принципа интеграции уровней моделирования по вертикали с горизонтальной интеграцией программных средств и моделей на приборном уровне, обеспечивающей моделирование физических эффектов, лежащих в основе преобразования энергиина их основе предложена методика расчета и оптимизации пьезорезистивпых элементов с использованием средств приборно-техпологического моделирования.

6. В результате проведенного анализа предложен комплексный подход к приборно-технологическому моделированию конструкций элементов для радиационно-стойких интегральных схем. Показано, что для таких структур существенным является учет пространственного распределения конструктивно-технологических и физических параметров. Разработан метод расчета субмикронных МДП-транзисторных структур КНСи КНИ-типа, обеспечивающий уточнение электрических характеристик, в зависимости от конструктивно-технологического способа установления контакта к областям с плавающим потенциалом.

Практическая значимость работы определяется следующими основными результатами:

— Разработанный в диссертации научный подход к развитию и использованию методов приборно-технологического моделирования и разработанная методология моделирования позволяют повысить эффективность процесса приборно-технологического моделирования в целом, путем решения проблем учета специфики объекта и критичных элементов, выбора моделей и численных значений параметров, путем построения рационального маршрута моделирования и схемы использования программных средств.

Полученные научные и научно-методические результаты обеспечивают существенное снижение вычислительных затрат в процессе моделирования, повышают «выход годных» виртуальных экспериментов и делают приборно-технологическое моделирование доступным и эффективным для использования в практике инженерного проектирования.

— Практическая значимость работы подтверждается внедрением следующих результатов:

1. Разработанная модель базового технологического КМОП-процесса с проектными нормами 0.5 — 0.35 мкм использовалась при отработке технологии опытного производства НИИ Системных исследований РАН. Выполненная отработка параметров технологических операций и оптимизация конструкции КМОП-транзисторов и конструктивно-технологического узла мелкощелевой изоляции позволила сократить сроки проектирования базового технологического маршрута и количество опытных партий при аттестации технологических операций и маршрута в целом. Экономический эффект от использования результатов работы, подтвержденный актом внедрения, составил 1,372 тыс. рублей.

2. Проведена апробация разработанной методики предварительной калибровки технологических моделей базового технологического маршрута на базе производственного комплекса ОАО «Ангстрем». Применение данной методики позволит существенно сократить сроки настройки производственных мощностей предприятия па выпуск изделий, разрабатываемых на основе конкретного конструктивио-технологического решения, что подтверждается соответствующим актом.

3. Разработанная в диссертационной работе методология исследования и проектирования приборов и технологических процессов интегральной и микросистемной техники на основе использования средств приборно-технологического моделирования использовалась при проведении целого ряда научно-исследовательских работ, проводимых в МИЭТ и Технологическом центре, а также при подготовке кандидатских диссертаций: «Исследование и разработка конструктивно-технологических методов улучшения параметров силовых планарных МОП транзисторов» (Швец A.B., 2004 г.), «Исследование и разработка конструктивно-технологических решений создания планарных мощных МОП-транзисторов с повышенным значением пробивного напряжения для интеллектуальных силовых интегральных схем» (Красюков А.Ю., 2005 г.), «Исследование и разработка двухколлекторного латерального биполярного магниточувствительного транзистора» (Козлов A.B., 2005 г.), «Исследование и разработка методов приборно-технологического моделирования конструкций и маршрутов создания субмикронных МДП-структур» (Балашов А.Г., 2005 г.). Практическая значимость данных работ также подтверждена соответствующими актами внедрения.

4. Результаты диссертациониой работы внедрены в учебный процесс в Московском государственном институте электронной техники. Разработанная автором методология приборно-технологического моделирования, методики расчета различных типов интегральных элементов использованы при разработке и модернизации лекционных курсов и лабораторных практикумов по ряду учебных дисциплин, в том числе: «Моделирование технологических процессов», «Моделирование в среде ISE TCAD», «Специальные разделы микроэлектроники», «Электропика» и других, а также при написании учебного пособия «Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем», издательство БИНОМ. Лаборатория знаний.-Москва, 2005 г.

На защиту выносятся:

1. Основные научные принципы эффективного применения ПТМ как метода создания и совершенствования базовых элементов микроэлектроники и микросистемной техники:

— максимальное использование преимуществ сквозного подхода к моделированию, основанного па объединении технологического, приборного и схемотехнического уровней;

— выделение специфики моделируемого объекта и внешних воздействий на этапе предварительного исследования, что позволяет построить оптимальный маршрут моделирования;

— построение процесса моделирования на основе разработанной методологии приборпо-техпологического моделирования с использованием методик для выполнения отдельных этапов, позволяющих сократить количество пробных вариантов, долю объемных и длительных расчетов, формализовать процедуры выбора программных средств, моделей и значений параметров.

2. Классификация объектов приборно-техиологического моделирования: технологических операций и маршрутов — по типу и функциональному составу моделиконструктивно-технологических узлов — по типу структуры, размерности задачи, характерному размеру конструктивных элементов, основному материалу конструкции.

3. Метод приборно-технологического моделирования элементов микросистемной техники, объединяющий вертикальную интеграцию уровней моделирования с горизонтальной интеграцией программных средств, позволяющей моделировать процессы преобразования энергии в устройстве.

4. Структура системы «виртуального производства», настроенная на реальный производственный процесс, и принципы организации моделирования в рамках данной системы.

5. Методика моделирования пьезорезистивных интегральных элементов, входящих в состав датчиков и устройств микросистемпой техники.

6. Результаты трехмерного приборно-технологического моделирования КНИ МОП-транзисторов с топологическим способом реализации контакта к подзатворной области.

Апробация работы.

Основные результаты исследований, изложенные в диссертации, и ее научные положения докладывались на российских и международных конференциях, совещаниях и семинарах: II республиканская конференция «Математическое моделирование элементов и фрагментов БИС», Рига, 1990 г.- Всероссийская научно-техническая конференция «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники, Таганрог, 1994, 1995, 1997, 1998 гг.- Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника и информатика — 95» .-Зеленоград, 1995; Third European Congress on Intelligent Techniques and Soft Computing.- Aachen, Germany.-1995; Workshop on Design Methodologies for Microelectronics.-Smolenice Castle, Slovakia.- 1995; Вторая Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника и информатика — 97» — Москва, МИЭТ, 1997 г.- Всероссийская Научно-техническая конференция «Микрои наноэлектроника — 98» -Звенигород, 1998 г.- Третья Международная научно-техническая конференция «Электроника и информатика — XXI век» — Москва, МИЭТ, 2000 г.- Международная научно-техническая конференция «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники, Таганрог, 2002, 2004 гг.- IV Международная научно-техническая конференция «Электроника и информатика — 2002» — Москва, Зеленоград, 19−21 ноября 2002 г.- 4-ая Международная научно-практической конференция «Вузовская наука, промышленность, международное сотрудничество», Минск, 2002; XV научно-техническая конференция «Датчики и преобразователи информации систем измерения, контроля и управления», 2003; International Conference «Microand nanoelectronics — 2003» ICMNE -2003, October 6th — 10th, 2003. — Moscow — Zvenigorod, RussiaVI International Congress on Mathematical Modeling. September 20−26, 2004, Nizhny Novgorod, Russia.

Основные публикации по теме диссертации.

Всего по тематике исследований автором опубликовано 54 работы, в том числе 26 статей, 27 тезисов докладов, учебное пособие. Основные положения диссертационного исследования полностью представлены в опубликованных работах. К основным публикациям можно отнести следующие:

Крупкина Т. Ю. Расчет характеристик МДП-транзистора с неоднородным распределением примеси в подложке. «Известия вузов MB и ССО СССР». Радиоэлектроника.-1985.-Т.28, № 12.-С.31−34.

Барииов В.В., Крупкина Т. Ю., Радченко К. Б. Пакет прикладных программ для иитерактивиого моделирования МДП-структур. «Управляющие системы и машины».-1987;№ 5, с.89−92.

Барииов В.В., Бахмач О. Ф. Крупкина T.IO. Нейро-иечеткие методы в системах моделирования и адаптивного управления технологическими процессами производства СБИС. Сборник научных трудов «Научные основы разработки новых технологий и технологического оборудования производства СБИС» (под ред. проф. П.Е.Кандыбы) -Москва, 1998. С.121−132.

Баринов В.В., Бахмач О. Ф., Калинин A.B., Крупкина Т. Ю., Шелыхманов М. А. Повышение технологичности СБИС на основе концепции виртуального производства. Микроэлектроника — № 4, том 28, 1999 г. стр.283−292.

Артамонова Е.А., Королев М. А., Крупкина Т. Ю., Ревелева М. А. Интегрированная среда обучения в области технологии и элементной базы микроэлектронных устройств. Вузовская наука, промышленность, международное сотрудничество. Материалы 4-й Международной научно-практической конференции. — Минск, 2002. 4.2. — С.99−103.

Крупкина Т. Ю. Использование пакета ISE TCAD при приборно-технологическом моделировании элементов микросистемной техники. Известия вузов. Электроника. 2003, № 6. С. 32−35.

Verner V.D., Balashov A.G., Galushkov A.I., Krupkina T.Y. Simulation of vertical planar-doped-barrier MOSFET (PDBFET). VI International Congress on Mathematical Modeling. September 20−26, 2004, Nizhny Novgorod, Russia. Book of Abstracts. University of ф Nizhny Novgorod, 2004. C.266.

Крупкина T.IO. Методика анализа пьезорезистивного эффекта в элементах микросистемной техники с использованием пакета программ ISE TCAD. Микросистемная техника, 2004, № 6. С.25−27, 48.

Крупкина Т. Ю. Особенности приборно-технологического моделирования транзисторных структур КНСи КНИ-типа. Микроэлектроника.- Т.34. 2005, № 5. С. 393 403.

Королев М.А., Крупкина Т. Ю., Чаплыгин Ю. А. Приборно-технологическое моделирование при разработке изделий микроэлектроники и микросистемной техники. Известия вузов. Электроника. 2005, № 4−5. С. 64−71.

Выводы к главе 7.

1. Исследованы особенности углубленного анализа радиационно-стойких КНИ МОП — транзисторных структур с учетом пространственного распределения ловушек и времени жизни носителей в активном объеме структуры и трехмерного моделирования специальных топологических вариантов транзисторов в программной среде ¡-БЕ ТСАО.

Разработаны методики моделирования приборных характеристик, позволяющие более корректно учитывать влияние реального распределения параметров материала пленки кремния на электрические характеристики МОП — транзисторов КНСи КНИ — типа.

Проведено численное моделирование реальных транзисторных структур по описанию технологического маршрута их изготовления, выполнено сравнение с экспериментальными электрическими характеристиками.

Показана необходимость обоснованного выбора параметров физической модели с использованием результатов экспериментальных исследований, прежде всего по определению значения времени жизни носителей в активной области и его зависимости от толщины пленки.

Заключение

.

Представленные в данной диссертационной работе результаты можно коротко суммировать следующим образом:

1. Проведен анализ основных проблем развития методов проектирования в микроэлектронике и определена роль приборно-технологического моделирования как связующего базиса при разработке конструкций интегральных элементов и технологических маршрутов их изготовления, неотъемлемой части современного компьютерно — интегрированного производства, важного элемента повышения технологичности разрабатываемых изделий и совершенствования интерфейса между производством и дизайн-центрами.

2. Определены объективные факторы, усложняющие использование приборно-технологического моделирования в процессе проектирования изделий микроэлектронной и микросистемпой техники, а именно:

— большое количество используемых программных модулей и необходимость объединения их в рамках маршрутов моделирования;

— необходимость разделения решаемой проблемы на подзадачи и введения иерархичности в построении численной модели;

— учет специфики каждого объекта исследований и особенностей внешних воздействий;

— обоснованный выбор численных значений параметров, входящих в используемые модели.

3. Выделены базовые характеристики моделей операций и конструктивно-технологических узлов, предложена их классификация как объектов приборно-технологического моделированияна основании проведенного анализа определены критичные элементы процесса приборно-технологического моделирования:

— технологические операции сложного функционального состава;

— области со сложным рельефом и/или высоким градиентом распределения примеси и параметры сетки в этих областях;

— характеристики границ раздела между слоями;

— области с высокими значениями плотности тока, напряженности электрического поля, скорости генерации — рекомбинации носителей, с плавающим потенциалом, параметры сетки в этих областях, выбранные модели для описания протекающих физических эффектов и численные значения входящих в них параметров.

4. Сформулированы основные принципы наиболее эффективного применения метода приборно-технологического моделирования:

— максимально использовать достоинства метода, связанные с возможностью комплексного анализа технологических и конструктивных параметров, их взаимосвязи и влияния на характеристики устройства в целом;

— полностью выполнять этап предварительного исследования, включающий определение специфики объекта моделирования и внешних воздействий, критичных элементов в процессе моделирования, определение маршрута моделирования;

— сокращать количество пробных вариантов, длительных и объемных расчетов путем использования разработанной методологии приборно-технологического моделирования и методик выполнения отдельных этапов.

5. Разработаны подходы к использованию ПТМ в рамках системы компьютерноинтегрированного производствапредложена структура системы «виртуального производства», построенная па основе откалиброванных моделей и программных средств приборно-технологического моделированияисследованы возможности и предложены варианты применения нейро-нечетких моделей для управления технологическими процессами.

6. Разработана методология применения ПТМ для научного исследования и проектирования элементов интегральной и микросистемной техники, включающая.

— анализ специфики объекта моделирования при выборе программных средств и построении маршрута моделирования;

— принципы выбора размерности на этапах технологического и приборного моделирования;

— условия разбиения моделируемой структуры на модули;

— основные этапы решения задач с использованием ПТМ и организацию процесса моделирования.

7. Для основных этапов процесса приборно-технологического моделирования разработаны методики, обеспечивающие эффективное применение ПТМ: методика выбора моделей, методика проведения предварительной калибровки с созданием специальной базы данных, методика организации моделирования, обеспечивающая адекватность структуры «виртуального» и реального производства.

8. С целью апробации результатов работы выполнено исследование и проектирование целого ряда интегральных структур и технологических процессов, представляющих научный и практический интерес, в том числе базового технологического процесса изготовления КМОП структур с проектными нормами.

0.5 — 0.35 мкм, субмикронных МОП — транзисторов с вертикальным затвором, силовых МОП — транзисторов с улучшенными характеристиками. Разработаны методики приборно-технологического моделирования пьезорезистивных структур, входящих в состав датчиков и интегральных элементов микросистемной техники, методики расчета и оптимизации оптоэлектронных структур, методики углубленного анализа радиационно-стойких КНИ МОП — транзисторов с учетом пространственного распределения ловушек и времени жизни носителей в активном объеме и особенностей топологической реализации контактов к подзатворной области.

9. Практическая значимость диссертационной работы подтверждается актами внедрения и использования полученных результатов в НИИ Системных Исследований РАН, на ОАО «Ангстрем», в Московском государственном институте электронной техники, в НПК «Технологический Центр». Результаты использованы при выполнении учебно-методических работ [223−225], в том числе в рамках Центра приборно-технологического моделирования МИЭТ[226], внедрены в учебный процесс в МИЭТ.

Таким образом, в представленной работе осуществлена разработка и обоснование научных подходов к решению актуальной проблемы эффективного и надежного использования приборно-технологического моделирования (ПТМ) в качестве метода создания и совершенствования базовых изделий микроэлектронной и микросистемной техники: проведена классификация и анализ объектов и средств приборно-технологического моделирования, выделены критичные элементыпредложены основные принципы концепции использования систем приборно-технологического моделирования для повышения эффективности процесса проектирования изделий микроэлектрониой и микросистемной техникиразработана методология научного исследования и проектирования на основе ПТМ и методики выполнения основных этаповпрактически реализованы разработанные подходы к сквозному моделированию в проектировании изделий микроэлектропной и микросистемной техники, что позволило сократить сроки проектирования базовых элементов и технологических маршрутов, повысить устойчивость характеристик элементов к разбросу технологических параметров, разработать усовершенствованные конструкции элементов с принципиально улучшенными характеристиками.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Suhir Е. Microelectronics and photonics — the future // Microelectronics Journal.-V. 31, Iss. 11−12 December 2000.- P. 839−851.
  2. Chatterjee P.K., Doering R.R. The future of microelectronics/ЯЕЕЕ Proceedings 86 1 (1998).- P. 176−183.
  3. K.A., Орликовский A.A. Технологии СБИС. Основные тенденции развития // Электроника. Наука, технология, бизнес.- 1996. N 5−6. — С. 3−11.
  4. Van Rossum М. Future of microelectronics: evolution or revolution? //Microelectronic Engineering 34 1 (1996).- P. 125−134 (December).
  5. Begley D.L. Global trends and the future of laser communications // Proceedings of the SPIE — International Society of Optical Engineers (USA) 2990 (1997).-P. 134−140.
  6. И. Современные технологии беспроводной связи // М., «Техносфера».-2004. 167 с.
  7. Глобальная экологическая перспектива 3. М. «Интердиалект+». 2002. — 504 с.
  8. Shenai К. High-power robust semiconductor electronics technologies in the new millennium // Microelectronics Journal, — V. 32, Iss. 5−6.- May-June 2001.- P. 397−408.
  9. Garner M., Udrea F., Lim H. Т., Ensell G., Popescu A. E., Sheng K., Milne W. I. Silicon-on-insulator power integrated circuits // Microelectronics Journal.-V. 32, Iss. 5−6.-May-June 2001.-P. 517−526D.
  10. Kinzer D. Advanced power semiconductors and ICs for DC/DC converter applications //Microelectronics Journal.- V. 35, Iss. 3.- March 2004.- P. 225−233
  11. Д.М., Васильев A.A., Лучинин B.B., Мальцев П. П. Перспективы развития микросистемной техники в XXI веке // Микросистемная техника.- 1999, № 1.- С.3−6.
  12. М.А., Тихонов Р. Д., Чаплыгин Ю. А. Интегрированные микросистемы -перспективные элементы микросистемной техники // Микросистемная техника. -2003, № 7.- С. 6−7.
  13. Abraham М., Ehrfeld W., Hessel V., Kamper К.Р., Lacher M., Picard A. Microsystem technology: between research and industrial application // Microelectronic Engineering.- V. 41−42.- March 1998 P. 47−52.
  14. B.O. О новых подходах к разработке сложных интеллектуальных систем// Микросистемная техника.- 2002, № 2.- С. 24−28.
  15. Hahn К., Bruck R. An approach to layout and process verification for microsystem physical design // Microsystem Technologies.- V. 3 .- 21February 1997.- P. 53−60.
  16. Zha X.F., Du H. Manufacturing process and material selection in concurrent collaborative design of MEMS devices // Journal of Micromechanics and Microengineering.- V.13.- 2003.- P. 509−522.
  17. Belaubre P., Guirardel M., Leberre V., Pourciel J.-B., Bergaud C. Cantilever-based microsystem for contact and non-contact deposition of picoliter biological samples // Sensors and Actuators A: Physical.-V. 110, Iss. 1−3, 1 February 2004.-P. 130−135.
  18. Jakovenko J., Husak M., Lalinsky T. Design and simulation of micromechanical thermal converter for RF power sensor microsystem // Microelectronics Reliability.- V. 44, Iss. 1.-January 2004.-P. 141−148.
  19. Ю.И. Применение технологий МЭМС и МСТ в автомобильной технике // Микросистемпая техника.- 2003, № 12.- С. 23−28.
  20. В.И., Войнов В. В. Перспективы применения микроробототехнических систем // Микросистемная техника, — 2003, № 5.- С. 34−39.
  21. D. Е&bdquo- Phillimore J., Cross R., Nicolau D. V. Nanotechnology at the crossroads: the hard or the soft way? // Microelectronics Journal.- V. 31, Iss. 7.- 30 July 2000.- P. 611−616.
  22. Sealy C. Roadmap for nanoelectronics// Materials Today.- Sep 2004 .-P. 18
  23. Tsukagoshi K., Yoneya N., Uryu S., Aoyagi Y., Kanda A., Ootuka Y., Alphenaar B. W. Carbon nanotube devices for nanoelectronics// Physica B: Condensed Matter.-V. 323, Iss. 1−4, Oct 2002.-P. 107−114.
  24. K.A., Бочаров Л. Ю., Мальцев П. П., Троицкий И. И. Квантовая технология -новые аспекты панотехнологии // Микросистемная техника.- 2004, № 4.- С.30−36
  25. В. А. О терминологии: наночастицы, наносистемы, нанокомпозиты, ианотехнологии // Микросистемная техника.- 2004 г., № 9.- С. 2−4.
  26. Dryden M. H. Design for reliability// Microelectronics and Reliability.- V. 15, Iss. 5.1976.- P. 399−436.
  27. Rebollo J., Millan J. Radial confinement in lateral power devices // Microelectronics Journal.-V. 32, Iss. 5−6.-May-June 2001.-P. 481−484.
  28. Khare J., Feltham D., Maly W. Accurate Estimation of Defect-Related Yield Loss in Reconfigurable VLSI Circuits// IEEE Journal of Solid State Circuits.- Feb. 1993.- No. 2.-P. 146−156.
  29. Khare J., Maly W., Thomas M. E. Extraction of Defect Size Distributions in an IC Layer
  30. Using Test Structure Data//IEEE Transactions of Semiconductor Manufacturing.- V. 7.-No. 3.-P. 354−368.
  31. Chen T., Kim V.-K., Tegethoff M. IC yield estimation at early stages of the design cycle //Microelectronics Journal.-V. 30, Iss. 8, Aug 1999.-P. 725−732.
  32. Murarka S. P. Multilevel interconnections for ULSI and GSI era // Materials Science and Engineering: R: Reports.- V. 19, Iss. 3−4.-1 May 1997.- P. 87−151.
  33. Homma T., Yamaguchi M., Kutsuzawa Y., Otsuka N. Electrical stability of polyimide? siloxane films for interlayer dielectrics in multilevel interconnections // Thin Solid
  34. Films.- Feb 1999.- P. 237−241.
  35. Zantye P.B., Kumar A., Sikder A.K. Chemical mechanical planarization for microelectronics applications // Materials Science and Engineering: R: Reports.- Oct 2004.- P. 89−220.
  36. Homma Y., Furusawa T., Morishima H., Sato H. Low permittivity dielectrics and global planarization for quarter-micron multilevel interconnections // Solid-State Electronics.-Jul 1997 .- P. 1005−1011.
  37. Kilijanski M.S., Shen Y.-L. Analysis of thermal stresses in metal interconnects with multilevel structures // Microelectronics Reliability.- Feb 2002, — P. 259−264.
  38. Cil I. Internet-based CDSS for modern manufacturing processes selection and ® justification //Robotics and Computer-Integrated Manufacturing.- Jun 2004 .- P. 177−190.
  39. Kahraman С., Beskese A., Da Ruan. Measuring flexibility of computer integrated manufacturing systems using fuzzy cash flow analysis // Information Sciences. V. 168, Iss.l.- 3 December 2004.- P. 77−94.
  40. Yurdakul M. Selection of computer-integrated manufacturing technologies using a combined analytic hierarchy process and goal programming model // Robotics and Computer-Integrated Manufacturing. V. 20, Iss. 4.-August 2004.- P. 329−340.
  41. W. 1С Design in high-cost nanometer-technology Era//www.sigda.org/Archives/ ProceedingArchives/ Dac/Dac2001/papers/2001/dac01/pdffiles/022.pdf
  42. Kristoff P.R., Nunn. D.P. The process specification system for MMST// IEEE Transactions of Semiconductor Manufacturing.- V. 8.- No. 3.-1995.- P. 262−271.
  43. Chang H., Cooke L" Hunt M., Martin G., McNelly A., Told L. Surviving the SoC revolution // Kluwer Academic Publishers.- 1999, — 235 p.
  44. Wolf W. Modern VLSI Design. System-on-Chip Design // Prentice-Hall.- 2002.- 618 p.
  45. Abood G. System chip verification: Moving from 'ASIC-out' to 'System-in' methodologies // Electronic Design.- 1997, Nov., 3.- P.206−207
  46. Rashinkar P., Paterson P., Singh L. System-on-chip verification. Methodology and Techniques // Kluwer Academic Publishers.- 2002.- 372 p.
  47. Reinhardt M. Migration to deep-submicron design in the efficient way// Future Fab International.- 1998, No.5
  48. Otten R. H., Brayton R. K. Performance planning// Integration, the VLSI Journal.-V. 29, Iss. 1.-March 2000.-P. 1−24.
  49. E.A., Коноплев Б. Г. Субмикронные интегральные схемы: элементная база и проектирование // Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2001. 147 с.
  50. Н. К. A self-consistent iterative scheme for one-dimentional steady state transistor calculations // IEEE Trans. Electron Devices.- 1964.-V. ED-11.- P.455−465.
  51. Loeb H.W., Andrew R., Love W. Application of 2-dimensional solutions of the Shockley-Poisson equation to inversion-layer M.O.S.T. devices // Electron Lett.- 1968.-V.4.- P.352−354.
  52. Schroeder J. E., Muller R. S. IGFET analysis through numerical solution of Poisson’s equation // IEEE Trans. Electron Devices.- 1968.- V. ED-15.- P.954−961.
  53. Hu S. M., Schmidt S. Interaction in sequential diffusion processes in semiconductors // J. Appl. Phys.- 1968.- V.39.- P. 427−483.
  54. Hu S. M., Yeh Т. H. Approximate theory of emitter-push effect // J. Appl. Phys.- 1969.-V.40.-P.4615−4620.
  55. Ю. Р., Петросянц К. О. Расчет с помощью ЭЦВМ электрических характеристик одномерных полупроводниковых структур // Электронная техника. Сер. 2.- 1973, № 4.- С.3−16.
  56. Е. В., Чеботаев Е. В., Дьяконов В. М. Синтез диффузионной структуры интегрального транзистора // В кн.: Микроэлектроника. М., Советское радио.-1976.- Вып. 9.- С.56−69.
  57. Ю. Р., Петросянц К. О., Шилин В. А. Математические модели элементов интегральной электроники // М., Советское радио.- 1976.- 304 с.
  58. . С., Похвалина JI. С. Двумерная численная модель биполярного транзистора // Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн. наук.- 1977, № 4.- С. 59−69.
  59. Ю. Н., Руденко А. А., Шипилин А. В. Метод численного расчета нестационарных характеристик двумерных биполярных полупроводниковых структур // Электронная техника. Сер.З.- 1977, № 3.- С.3−12.
  60. . С., Римшанс Я. С. Численное моделирование переходных процессов в биполярных полупроводниковых приборах // Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн. наук.- 1978, № 4.- С. 70−78.
  61. . В., Дьяконов В. М., Кремлев В. Я. Двумерное моделирование стационарного режима работы биполярных транзисторных структур // Электронная техника. Сер.2.- 1979, № 5.- С.99−106.
  62. И.И., Мулярчик С. Г. Метод векторной релаксации систем в задачах численного анализа полупроводниковых приборов // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника.- 1981.- Т.24, № 6.- С.59−67.
  63. А.Н., Садовников А. Д. Основы численного моделирования биполярных транзисторных структур с учетом эффектов высокого легирования // В кн.: Техника средств связи.- М.-1981, вып.1.- С.44−52.
  64. Selberherr S., Schutz A., Potzl Н. W. MINIMOS, a two-dimensional MOS transistor analyzer//ШЕЕ J. Solid-State Circuits.- 1980.- V. SC-15.- P.598−611.
  65. Lee H.-G., Dutton R. W. Two-dimensional low-concentration boron profiles: Modeling and measurement // ШЕЕ Trans. Electron Devices.-1981.- V. ED-28.- P. l 136−1147.
  66. Mei L., Dutton R. W. A process simulation model for multilayer structures involving polycrystalline silicon // ШЕЕ Trans. Electron Devices.- 1982.- V. ED-29.- P.1726−1734.
  67. Mei L., Rivier M., Kwark Y., Dutton R. W. Grain-growth mechanisms in polysilicon // J. Electrochem. Soc.- 1982.- V. 129.- P.1791−1795.
  68. Bank R. E., Rose D. J., Fichtner W. Numerical methods for semiconductor device simulation // ШЕЕ Trans. Electron Devices.- 1983.- V. ED-30.- P.1031−1045.
  69. Dutton R. W. Modeling of the silicon integrated-circuit design and manufacturing process // IEEE Trans. Electron Devices.- 1983.- V. ED-30.- P.968−985.
  70. Fichtner W., Rose D. J., Bank R. E. Semiconductor device simulation // IEEE Trans. Electron Devices.- 1983.- V. ED-30.- P.1018−1030.
  71. Ho C. P., Plummer J. D., Hansen S. E., Dutton R. W. VLSI process modeling -SUPREM III // IEEE Trans. Electron Devices.- 1983.- V. ED-30.- P.1438−1453.
  72. Maldonado C. D. ROMANS II a two-dimensional process simulator for modeling and simulation in the design of VLSI devices //Appl. Phys.- 1983.- V. A31.-P.119−138.
  73. Masetti G., Seven M., Solmi S. Modeling of carrier mobility against carrier concentration in arsenic-, phosphorus-, and boron-doped silicon // IEEE Trans. Electron Devices.-1983.- V. ED-30.- P.764−769.
  74. Fair R. B., Wortman J. J., Liu J., Tischler M., Mosnari N. A. Modeling physical limitations on junction scaling for CMOS // IEEE Trans. Electron Devices.- 1984.- V. ED-31.- P. l 180−1185.
  75. Nassif S. R., Strojwas A. J., Director S. W. FABRICS II: A statistically based IC fabrication process simulator // IEEE Trans. Comput.-Aided Design.- 1984.- V. CAD-3.-P.40−46.
  76. Selberherr S. Process and device modeling for VLSI // Microelectron. Reliab.- 1984.-V.24.- P.225−257.
  77. Tang T.-W. Extension of the Scharfetter-Gummel algorithm to the energy balance equation // IEEE Trans. Electron Devices.- 1984.- V. ED-31.- P. 1912−1914.
  78. Borucki L., Hansen H. H., Varahramyan K. FEDSS a 2D semiconductor fabrication process simulator// IBM J. Res. and Dev.- 1985.- V.29.- P.263−276.
  79. Cham K. M., Oh S.-Y., Moll J. L. Computer-aided design in VLSI device development // IEEE J. Solid-State Circuits.- 1985.- V. SC-20.- P.495−500.
  80. Cox P., Yang P., Mahant-Shetti S. S., Chatterjee P. Statistical modeling for efficient parametric yield estimation of MOS VLSI circuits // IEEE Trans. Electron Devices.-1985.- V. ED-32.- P.471−478.
  81. Wang C. T. A new set of semiconductor equations for computer simulation of submicron devices // Solid-State Electronics.- 1985.- V.28.- P.783−788.
  82. Mar J., Bhargavan K., Duvall S., Firestone R., Lucey D., Nandgaonkar S., Wu S., Yu K.-S., Zarbakhsh F. EASE an application-based CAD system for process design // IEEE Trans. Comput.-Aided Design.- 1987.- V. CAD-6.- P.1032−1038.
  83. Alvarez A. R., Abdi B. L., Young D. L., Weed H. D" Teplik J., Herald E. R. Application of statistical design and response surface methods to computer-aided VLSI device design //IEEE Trans. Comput.-Aided Design.- 1988.- V. CAD-7.- P.272−288.
  84. Bringer A., Schon G. Extended moment equations for electron transport in semiconducting submicron structures //J. Appl. Phys.- 1988.- V. 64.- P. 2447−2455.
  85. Krutsick T. J. White M. H. Consideration of doping profiles in MOSFET mobility modeling // IEEE Trans. Electron Devices.- 1988.- V. ED-35.- P. l 153−1155.
  86. Lombardi C., Manzini S., Saporito A., Vanzi M. A physically based mobility model for numerical simulation of nonplanar devices // IEEE Trans. Comput.-Aided Design.-1988.- V. CAD-7.- P. l 164−1171.
  87. Strojwas A. J., Director S. W. The process engineer’s workbench // IEEE J. Solid-State Circuits.- 1988.- V. SC-23.- P.377−386.
  88. Szeto S., Reif R. A unified electrothermal hot-carrier transport model for silicon bipolar transistor simulation // Solid-State Electronics.- 1989.- V.32.- P.307−315.
  89. . С. Численное моделирование полупроводниковых приборов. Рига, «Зинатне».- 1986.- 168 с.
  90. МОП СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов. Под ред. П. Антонетти и др. М. Радио и связь.- 1988.- 496 с.
  91. Моделирование полупроводниковых приборов и технологических процессов. Под ред. Д. Миллера. М. Радио и связь.- 1989, — 278 с.
  92. Numerical analysis of semiconductors devices and integrated circuits. Browne В. T., Miller J. J. H., Eds. Boole Press.- Dublin.-1981.
  93. Т. Ю. Сквозное приборно-технологическое моделирование для интерактивного проектирования элементов МДП СБИС. Дисс. на соиск. уч. степени канд. техн. наук.- М., МИЭТ.- 1987.
  94. Kosina H., Langer E., Selberherr S. Device modelling for the 1990s // Microelectronics Journal. V. 26, Iss. 2−3 .- March 1995.- P. 217−233.
  95. Pejcinovic В., Tang T-W., Lee S-C., Navon D.H. A numerical study of performance potential of Sil-xGex pseudomorphic heterojunction bipolar transistors // IEEE Transactions on Electron Devices.-V. 39, n 9.- 1992.-P. 2021−2028.
  96. Pejcinovic В., Tang H. K., Egley J.L., Logan L.R., Srinivasan G.R. Two-dimensional tensor temperature extension of the hydrodynamic model and its applications // IEEE Transactions on Electron Devices.- V. 42, n 12.- Dec, 1995.- P. 2147−2155.
  97. Вага E., Lorenzb J., Rysselb H. Three-dimensional simulation of layer deposition // Microelectronics Journal.- V. 29, Iss. 11.- November 1998.- P. 799−804.
  98. Stapper С. H., Rosner R. J. Integrated circuit yield management and yield analysis: development and implementation // IEEE Trans, on Semiconductor Manufacturing.- V. 8, no.2.- 1995.- P.95−102.
  99. Saito K., Sakaue M., Okubo Т., Minegishi K. Application of statistical analysis to determine the priority for improving LSI technology // IEEE Trans, on Semiconductor Manufacturing.- V. 5, no.l.- 1992.- P.47−54.
  100. Simpson M.R. PRIDE: An integrated design environment for semiconductor device simulation // IEEE Trans. Computer-Aided Design.-V. CAD-10, n.9.- Sept. 1991.-P. 1163−1174.
  101. Sanders T. J., Rekab K., Rotella F.M., Means D.P. Integrated circuit design for manufacturing through statistical simulation of process steps // IEEE Trans. Semiconductor Manufacturing.- V.5, n.4.- Nov. 1992.- P. 368−372.
  102. Boning D.S., Mozumder P.K. DOE/Opt: A system for design of experiments, response surface modeling, and optimization using process and device simulation // IEEE Trans. Semiconductor Manufacturing.- V.7, n.2.- May 1994.- P. 233−244.
  103. Gaston G., Walton A. The integration of simulation and response surface methodology for the optimization of 1С processes // IEEE Trans. Semiconductor Manufacturing.- V.7, n.l.- 1994.- P. 22−33.
  104. Plasun R., Stockinger M., Selberherr S. Integrated optimization capabilities in the VISTA technology CAD Framework // IEEE Trans. Computer-Aided Design.-V. CAD-17, n.12.- Dec. 1998.- P. 1244−1251.
  105. VWF Interactive Tools User’s Manual, 1st ed. // Silvaco International.- Santa Clara, CA.- Mar. 1994.
  106. TMA WorkBench Version 2.0 User’s Manual // Technology Modeling Associates, Inc.- Sunnyvale, CA.- Mar. 1996.
  107. Booth R., Dupas L., Cartuyvels R. NORMAN User’s Manual // IMEC.- Leuven, Belgium.- Feb. 1993.
  108. ISE TCAD RELEASE 6.1 User’s Manual V. l // ISE Integrated Systems Engineering.-Zurich, Switzerland.- 1999.
  109. Law M.E. Technology computer aided design characterization needs and requirements //Journal Vac. Sci. Technol. V. B 14, n 1.- 1996.- P. 213−217.
  110. Jonesa E. C., Ishidac E. Shallow junction doping technologies for ULSI // Materials Science and Engineering: R: Reports.- V. 24, Iss. 1−2.- Oct. 1998.- P. 1−80.
  111. Lutze J., Miranda T., Scott G., Olsen C. Variam N., Mehta S. Optimization of implant anneals to improve transistor performance in a 0.15 mkm CMOS technology // IEEE Electron Device Letters.- V. 21, n. 9.- Sept. 2000.- P.403−405.
  112. Matsuda T., Shishiguchi S., Kitajima H. Ultra shallow junction formation with high process controllability using optimized rapid thermal anneal process // Japan. Journal Appl.Phys.- V. 41.- 2002.- P.451−457.
  113. Fichtner W. Towards predictive engineering and FAB integration // ISE News. -Dec. 1999.
  114. Gross W. J., Vasileska D. Ferry D. K. Ultrasmall MOSFETs: the importance of the full Coulomb interaction on device characteristics // IEEE Trans, on Electron Devices.- V. 47, no. 10, — 2000, — 1831−1838.
  115. Yu Z., Dutton R. W., Kiehl R. A. Circuit/device modeling at the quantum level // IEEE Trans, on Electron Devices.- V. 47, no. 10.- 2000.- 1819−1825.
  116. Williams S. C., Kim K. W., Holton W.C. Ensemble Monte Carlo study of channel quantization in a 25-nm n-MOSFET // IEEE Trans, on Electron Devices.- V. 47, no. 10.2000.- 1864−1872.
  117. Bude J. D., Pinto M. R., Smith R. K. Monte Carlo simulation of the CHISEL flash memory cell // IEEE Trans, on Electron Devices.- V. 47, no. 10.- 2000.- 1873−1881.
  118. Causin P., Restelli M., Sacco R. A simulation system based on mixed hybrid finite elements for thermal oxidation in semiconductor technology // Computer Methods in Applied Mechanics and Engineering.- V.193, Iss. 33−35.- 2004.- P. 3687−3710.
  119. Palestri P., Mastrapasqua M., Pacelli A., King C. A. A drift-diffusion/ Monte Carlo simulation methodology for Sii. xGex HBT design // IEEE Trans, on Electron Devices.- V. 49, no. 7, — 2002.- 1242−1248.
  120. Park J. M., Klima R., Selberherr S. High-voltage lateral trench gate SOI-LDMOSFETs // Microelectronics Journal, V. 35, Iss. 3, — March 2004.- P. 299−304.
  121. Heitzinger C., Selberherr S. An extensible TCAD optimization framework combining gradient based and genetic optimizers // Microelectronics Journal, V. 33.2002.- P. 62−68.
  122. Alkalai L. Advanced microelectronics technologies for future small satellite systems // Acta Astronautica.- V. 46, Iss. 2−6 .- January-March 2000.- P. 233−239.
  123. Pelella M. M., Fossum J.G. On the performance advantage of PD/SOI CMOS with floating bodies/ЛЕЕЕ Trans. Electron Devices.-2002.- Vol.49, № 1.- P.96−104.
  124. Koh Y.-H., Oh M.-R., Lee J.-W., Wang J.-W., Lee W.-C., Kim H.-K. Body-contacted SOI MOSFET structure and its application to DRAM//IEEE Trans. Electron Devices.-1998.- Vol.45, № 5.- P.1063−1070.
  125. Joannou D.E., Duan F.L., Sinha S.P., Zaleski A. Opposite-channel -based injection of hot-carriers in SOI MOSFET’s: Physics and application/ЛЕЕЕ Trans. Electron Devices.-1998.- Vol.45, № 5.- P. l 147−1153.
  126. Tihanyi J., Schlotterer H. Influence of the floating substrate potential on the characteristics of ESFI MOS transistors//Solid-State Electronics.-1975.- Vol.18, № 4.-P.309−314.
  127. Hsiao T.C., Liu P., Woo J.C.S. Advanced technologies for optimized sub-quarter-micrometer SOI CMOS devices//IEEE Trans. Electron Devices.-1998.- Vol.45, № 5.-P. 1092−1098.
  128. Lee H., Lee J.-H., Shin H., Park Y.-J., Min H.S. An anomalous device degradation of SOI narrow width devices caused by STI edge influence/ЛЕЕЕ Trans. Electron Devices.-2002.- Vol.49, № 4.- P.605−611.
  129. Su D.K., Loinaz M., Masui S., Wooley B. Experimental results and modeling techniques for substrate noise in mixed-signal integrated circuits // IEEE Journal of SolidState Circuits.- 1993.- V. SC-28, No.4.- P.420−430.
  130. Stanisic B. R., Verghese N.K., Allstot D.J., Rutenbar R.A., Carley L.R. Addressing substrate coupling in mixed-mode ICs: simulation and power distribution synthesis // IEEE Journal of Solid-State Circuits.-1994.- V. SC-29, No.3.- P.226−237.
  131. Charbon E., Gharpurey R., Milliozzi P., Meyer R.G., Sangiovanni-Vincentelli A. Substrate noise // Kluwer Academic Publishers.- 2001.- 171 p.
  132. В. Особенности субмикронных МОП транзисторов // Chip news.- 2002.- N. 7.
  133. Yeh W.-K., Chou J.-W. Optimum halo structure for sub-O.lmkm CMOSFETs // IEEE Trans. Electron Devices.- 2001.- V.48, no. 10.- P.2357−2362.
  134. Shin H., Lee S. An 0.1-mkm asymmetric halo by Large-Angle-Tilt Implant (AHLATI) MOSFET for high performance and reliability // IEEE Trans. Electron Devices.- 1999.- V.46, no.4.- P.820−822.
  135. De I., Osburn C.M. Impact of super-steep-retrograde channel doping profiles on the performance of scaled devices // IEEE Trans. Electron Devices.- 1999.- V.46, no.8.-P.1711−1717.
  136. Pindl S., Berthold J., Huttner Т., Reif S., Schumann D., Philipsborn H. A 130-nm channel length partially depleted SOI CMOS-technology // IEEE Trans. Electron Devices.- 1999.- V.46 no.7.- P.1562−1566.
  137. Takato H., Sunouch K., Okabe N., Nitayama A., Hieda K., Horiguchi F., Masuoka F. Impact of surrounding gate transistor (SGT) for ultra-density LSI’s. // IEEE Trans. Electron Devices.- 1991.- V.38 no.3.- P.573−578.
  138. Т., Rosner W., Risch L., Korbel A., Langmann U. // Short-channel vertical sidewall MOSFETs // IEEE Trans. Electron Devices.- 2001.- V.48 no.8.- P. 17 831 788.
  139. Chang V.W.C., Cheng P.C.H. Fabrication of Gate-Ail-Around transistors using metal induced lateral crystallization // IEEE Electron Device Letters.- 2001.- V.22, no2.-P. 80−82.
  140. Gossner H., Eisele I., Risch L. Vertical Si-metal-oxide-semiconductor field effect transistors with channel lengths of 50nm by molecular beam epitaxy // Jpn. J. Appl. Phys.- 1994, — V.33, part 1, no.4B.- P.2423−2428.
  141. Hastings A. Art of analog layout // Prentice Hall.-2001.-539 p.
  142. Yeo Y.-C., Subramanian V., Kedzierski J., Xuan P., King T.-J., Bokor J., Ни C. Design and fabrication of 50 nm thin-body p-MOSFETs with a SiGe Heterostructure channel // IEEE Trans. Electron. Devices.-2002.-V.49, No 2, P. 279−286.
  143. H.A. Кремниевые микросенсоры и микросистемы // Микросистемная техника.- 2000, № 1.- С.40−43.
  144. Е.С., Зайцев Н. А., Равилов М. Ф., Романов И. М. Моделирование элементов микромеханики. Часть I // Микросистемная техника.- 2002, № 10.- С.18−25.
  145. Е.С., Зайцев Н. А., Равилов М. Ф., Романов И. М. Моделирование элементов микромехаиики. Часть II // Микросистемная техника.- 2002, № 11.- С.3−5.
  146. Т.Ю. Использование пакета ISE TCAD при приборно-техпологическом моделировании элементов микросистемной техники // Известия вузов. Электроника. 2003, № 6.- С. 32−35.
  147. Tezcan D. S., Eminoglu S., Akin Т. A low-cost uncooled microbolometer detector in standard CMOS technology // IEEE Trans. Electron Devices. V.50, No.2. — 2003.-P.494−499.
  148. User’s manual. ISE TCAD Release 7.0. ISE-Integrated Systems Engineering. Zurich, Switzerland, 2000.
  149. TMA Layout. Version 1.2 // Technology Modeling Associates, Inc.- Sunnyvale, California.- Oct. 1995.
  150. TSUPREM-4. Version 6.5 // Technology Modeling Associates, Inc.- Sunnyvale, California.- May 1997.
  151. MEDICI. Version 2.3 // Technology Modeling Associates, Inc.- Sunnyvale, California.- Feb. 1997.
  152. DFM Workbench // TMA Times.- 1997.- V.9.- No.2.
  153. Synopsys Products: TCAD // http://www.synopsys.com/products/tcad/tcad.html
  154. Silvaco Products // http://silvaco.com
  155. А.В., Ревелева M.A., Тихонов Р. Д. Исследование токов и относительной чувствительности по току биполярного магниточувствительного транзистора // Микроэлектроника. Т.32.- 2003, № 6.- С. 474−480.
  156. Su Y.H., Guo R.S., Chang S.C. Virtual fab: an enabling framework and dynamic manufacturing service provision mechanism // Information & Management. -2005.-Vol.42, № 2.- P.329−348.
  157. Upton D.M., McAfee A. The real virtual factory // Harvard Business Review. -1996.- July-August.- P.123−133.
  158. Chang S.C., Chou T.L., Guo R.S., Su Y.H., Lu L.L., Lai I.C. A dynamic binding model for service creation in virtual fab // Proceedings of the 1998 Semiconductor Manufacturing Technology Workshop, Hsinchu Taiwan, 16−17 June 1998.- P.131−138.
  159. Lemnios Z.J. Beyond MMST: The Virtual Factory // Solid-State Technology. -February 1994.- P.25−26.
  160. Banerjee S., Golhar D.Y. Electronic data interchange: characteristics of users and nonusers // Information & Management. -1994.- Vol.26. P.65−74.
  161. B.B., Бахмач О. Ф., Калинин А. В., Крупкипа Т. Ю., Шелыхманов Д. Е. Повышение технологичности СБИС на основе концепции виртуального производства//Микроэлектроника.- 1999,№ 4.- С.283−292.
  162. Brown S., Chance F., Fowler J.W., Robinson J. A Centralized Approach to Factory Simulation // Future Fab International. -1997.- Vol.1, № 3.- P.83−86.
  163. Т.Ю. Структура и основные элементы системы «виртуального производства // Известия вузов. Электроника. 2005, № 6. С. 56−59.
  164. О.Ф. Исследование и разработка методов моделирования для управления технологическими процессами компьютерно-интегрированного производства СБИС. Дисс. па соискание ученой степени кандидата техн. наук.// Москва.-1999.
  165. Thomas D.E., Armstrong-Helouvry В. Fuzzy logic control a taxonomy of demonstrated benefits // Proc. of the IEEE.- 1995.-V.83, No.3.- P.407−421.
  166. Bernard J.A. Use of a rule-based system for process control // IEEE Control System Magazine.- 1988.-V. 8, No.5.- P.3−13.
  167. Sugeno M., Kang G.T. Structure identification of fuzzy model // Fuzzy Sets and Systems.-1988.- P.15−33.
  168. Zadeh L.A. Fuzzy sets // Inform. And Control.- 1965.- V. 8.- P.338−353.
  169. Sugeno M., Yasukawa T. A fuzzy-logic-based approach to qualitative modeling // IEEE Trans, on Fuzzy Systems.- 1993.- V. 1, No.l.- P. 7−31.
  170. В.В., Бахмач О. Ф., Крупкина Т. Ю. Использование самоорганизующихся нейронных сетей при решении задач нечеткого управления //
  171. Тезисы докладов Всероссийской научно-технической конференции «Электроника и информатика 95». — Зеленоград.- 15−17 ноября 1995 г. С.303−304.
  172. Barinov V.V., Bahmatch O.F., Krupkina T.Y. Fuzzy Kohonen neural networks for qualitative modeling // Proc. Intern. Conf. EUFIT 95.- Aachen, Germany.- August 28−31.-1995.-V.1.- P.336−339.
  173. B.B., Бахмач О. Ф., Крупкина Т. Ю. Имитационное моделирование алгоритмов нечеткой кластеризации па основе ИНС // «Нейроинформатика и ее приложения «.-Тезисы докладов Всероссийского рабочего семипара.-Красноярск, 1994.-С.ЗЗ
  174. Barinov V.V., Bahmatch O.F., Krupkina T.Y. Analysis of unsupervised learning algo-rithms in neural networks for sets processing // Scientific Colloquim.-Ilmenau, Germany.- 1994.
  175. Barinov V., Kane G., Krupkina Т. Neural Network Based on VLSI Processing Memory // Proc. of Workshop on Design Methodologies for Microelectronics with Special Day on Cooperation.-Smolenice Castle, Slovakia.- 1995.-P.99−104.
  176. В.В., Бахмач О. Ф., Крупкина Т. Ю. Применение нейро-печетких методов управления в микроэлектронике // Тезисы докладов Второй Всероссийской научно-технической конференции «Электроника и информатика -97"-М., МИЭТ, 1997. Ч.2.- С. 80−81.
  177. В.В., Бахмач О. Ф., Крупкина Т. Ю. Применение обобщенной модели оборудования в компьютерно-интегрированном производстве СБИС //
  178. Тезисы Пятой Всероссийской научно-технической конференции «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» Таганрог, 1998. С. 56.
  179. Axelrad V. Grid quality and its influence on accuracy and convergence in device simulation // IEEE Trans. on Comp.-Aided Design of Integrated Circuits and Systems. -V.17,No.2.-1998.- P.149−157.
  180. Wu E. Y., Nowak E. J., Vayshenker A., Lai W. L., Harmon D. L. CMOS scaling beyond the 100-nm node with silicondioxide-based gate dielectrics// IBM J. Res. & Dev. V. 46, No. 2/3.-2002.
  181. Brand A., Haranahalli A., Hsieh N., Lin Y.C., Sery G., Stenton N. Woo B.J., Ahmed S., Bohr M., Thompson S., Yang S. Intel’s 0.25 Micron, 2.0Volts Logic Process Technology// Intel Technology Journal Q3'98.
  182. Gossner H., Eisele I., Risch L. Vertical Si-Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors with Channel Lengths of 50 nm by Molecular Beam Epitaxy// Jpn. J. Appl. Phys.- V. 33 (1994), Part 1, No. 4B.- April 1994.-P. 2423−2428.
  183. Murthy C.S., Gall M. Process variation effects on circuits performance: TCAD simulation of 256-Mbit technology/ЛЕЕЕ Trans. Comp.-Aided Design Integrated Circ. and Systems.-1997.- Vol.16, № 11.- P.1383−1389.
  184. Hasnat K., Murtaza S., Tasch A.F. A manufacturing sensitivity analysis of 0.35 mkm LDD MOSFETs // IEEE Trans. Semicon. Manuf.- 1994.- V.7, No. 1.- P.53−59.
  185. Н. Gossner, I. Eisele, L. Risch. Vertical Si-Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors with Channel Lengths of 50 nm by Molecular Beam Epitaxy // Jpn. J. Appl. Phys.- Vol. 33 (1994).- Part 1, No. 4B.- April 1994.- P. 2423−2428.
  186. W.Hansch, V. Ramgopal Rao and I.Eisele. The Planar-Doped-Barrier-FET: MOSFET overcomes conventional limitations // Proceedings from 27th European SolidState Device Research Conference (ESSDERC).- Stuttgart, Germany 1997. Tech. Dig. p.624.
  187. А. Мощные полупроводниковые приборы компании International Rectifier// Электроника: Наука, Технология, Бизнес.- 1997.- № 3−4.- С. 43−45.
  188. Ueda D., Tagagi H., Kano G. An ultra-low on-resistance power MOSFET fabrication by using a fully self-alligned process// IEEE Trans. Electron Devices.- 1987.-Vol. ED-34.-P. 926−930.
  189. Королёв M. A, Тихонов Р. Д., Швец A.B. Самосовмещенная технология силовых МОП транзисторов // Тезисы докладов на всероссийской научно-технической конференции Микро- и наноэлектроника 2001(МНЭ 2001), Звенигород, октябрь 2001 г.- С. 02−2.
  190. М.А., Крупкина Т. Ю., Тихонов Р. Д., Швец A.B. Оптимизация конструкции самосовмещенных силовых МОП-транзисторов методами приборно-технологического моделирования // Электронная техника. Сер.З.-Микроэлектроника. 2005, Вып.-2, в печати.
  191. В.А., Никифоров А. Ю. Микроэлектронные преобразователи физических величин и компоненты датчиков перспективная элементная база микросистемной техники// Микросистемная техника.- 2001, № 1.- С. 6−12.
  192. Т.Ю. Методика анализа пьезорезистивного эффекта в элементах микросистемной техники с использованием пакета программ ISE TCAD // Микросистемная техника, 2004, № 6. С.25−27, 48.
  193. Бир Г. Л., Пикус Г. Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках // М., Наука.-1972.-584 с.
  194. Balashov A., Krupkina Т., Tikhonov R. The investigation of peripheral photodiodes // International Conference «Micro- and nanoelectronics 2003» ICMNE -2003. Abstracts. October 6th — 10th, 2003. — Moscow — Zvenigorod, Russia. — D-3.
  195. M. Splinter, R. Ronen, R. Tremain. High voltage SOS/MOS devices and circuits elements // 1976 IEEE International Solid-State Circuits Conference.- Digest of Technical Papers.- V. XDC.- Feb. 1976.- P. 58−59.
  196. W. Redman-White, T.-R. Dunn, D.R.Lucas, P.A. Smithers, S.A. Winchcombe. A radiation hard frequency reference 1С // IEEE Trans. On Nuclear Science.- Dec. 1988.-V.35, Iss.6.-P. 1368−1371.
  197. Ф.П. Коршунов, Г. В. Гатальский, Г. М. Иванов. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. Минск, Наука и техника. 1978.
  198. Ф.П. Коршунов, Ю. В. Богатырев, В. А. Вавилов. Воздействие радиации на интегральные микросхемы. Минск, Наука и техника. 1986.
  199. АЛО. Никифоров, В. А. Телец, А. И. Чумаков. Радиационные эффекты в КМОП ИС. М. Радио и связь. 1994.
  200. Jun-Wei Chen, Robert J.Ко. Bulk traps in Silicon-on-Sapphire by conductance DLTS // IEEE Trans. Electron Devices. 1981. — March. — P.299−304.
  201. Т.Ю. Особенности приборио-технологического моделирования транзисторных структур КНС- и КНИ-типа.// Микроэлектроника.- Т.34.- 2005,№ 5.-С. 393−403.
  202. М.А., Крупкина Т. Ю., Ревелева М. А. Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. Уч.пособие. Т.1 // Изд-во БИНОМ. Лаборатория знаний. Москва.- 2005, в печати.
  203. М.А., Крупкина Т. Ю., Чаплыгин Ю. А. Приборио-технологическое моделирование при разработке изделий микроэлектроники и микросистемной техники // Известия вузов. Электроника.- 2005, № 4−5-С. 64−71.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!