Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Осаждение пленок и отжиг радиационных дефектов в кремниевых структурах при воздействии ИК и УФ излучений

Диссертация: Осаждение пленок и отжиг радиационных дефектов в кремниевых структурах при воздействии ИК и УФ излучений
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались и представлялись на Всесоюзном научно-техническом семинаре «Радиационная технология в производстве интегральных схем» (г.Воронеж, 1988 г.), Международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы фундаментальных наук» (г.Москва, 1991 г.-, VI Всесоюзной научно-технической конференции «Применение электронно-ионной… Читать ещё >

Осаждение пленок и отжиг радиационных дефектов в кремниевых структурах при воздействии ИК и УФ излучений (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. АНАЛИЗ ЛИТЕРАТУРНЫХ ДАННЫХ ПО ИСПОЛЬЗОВАНИЮ ИЗЛУЧЕНИЙ ОПТИЧЕСКОГО ДИАПАЗОНА ДЛЯ АКТИВАЦИИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ МИКРОСХЕМ. &
  • I. Л.Очистка поверхности полупроводниковых пластин ультрафиолетовым излучением
    • 1. 2. Фотостимулированное УФ излучением осаждение диэлектрических слоев. ^
    • 1. 3. Отжиг радиационных дефектов и диффузия примеси под действием оптической активации. &&
    • 1. 4. Постановка задач диссертации
  • 2. ФОТОХИМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ГАЗОВОЙ ФАЗЕ ПРИ ОЧИСТКЕ ПОВЕРХНОСТИ И ОСАВДЕНИИ ПЛЕНОК
    • 2. 1. Фотовозбуздение и фотодиссоциация кислорода
    • 2. 2. Исследование влияния очистки поверхности подложки УФ излучением на адгезию алюминиевой металлизации и фоторезиста. 4/
    • 2. 3. Фотовозбуждение и фотодиссоциация компонентов газовой смеси ТЭ0С/
    • 2. 4. Термодинамический анализ реакций
    • 2. 5. Моделирование газофазной кинетики. So
    • 2. 6. Выводы
  • 3. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ НА ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ В УСЛОВИЯХ ИК И УФ ОБРАБОТКИ ПРИ ОСАЖДЕНИИ.5?
    • 3. 1. Закономерности поглощения излучения поверхностью
    • 3. 2. Адсорбционная способность и каталитическая активность поверхности кремния
    • 3. 3. Оценка эффективного потенциала адсорбции
    • 3. 4. Механизм диссоциации ТЭОС в условиях излучения оптического диапазона.&euro
    • 3. 5. Оценка энергии активации диссоциации адсорбированных молекул ТЭОС на поверхности кремния
    • 3. 6. Выводы.W
  • 4. ОТЖИГ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ И ДИФФУЗИЯ ПРИМЕСИ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ УФ И ИК ДИАПАЗОНА
    • 4. 1. Возникновение поверхностного нагрева при импульсной термообработке совместным ИК и УФ излучениями
    • 4. 2. Модель отжига радиационных дефектов и диффузии примеси при ИТО совместным ИК и УФ излучениями
    • 4. 3. Экспериментальное исследование отжига ионно-легированных слоев и диффузии примеси под воздействием ИТО совместно с УФ излучением.8 б
    • 4. 4. Выводы
  • 5. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОСТИМУЛИРОВАННЫХ ПРОЦЕССОВ. М
    • 5. 1. Оборудование для исследования влияния УФ и ИК излучений. .Э
      • 5. 1. 1. Установка импульсной термообработки совместно с УФ излучением
      • 5. 1. 2. Установка фотохимического осаждения из газовой смеси ТЭ0С/09.№
    • 5. 2. Исследование свойств и характеристик низкотемпературного диоксида кремния осажденного из смеси ТЭОС/кислород
    • 5. 3. Влияние УФ излучения на параметры МДП-структур и транзисторов
    • 5. 4. Исследование газовых сенсоров на основе двухслойных термических оксидных пленок.№
    • 5. 5. Выводы.№

Актуальность темы

Развитие микроэлектроники по пути уменьшения размеров элементов интегральных схем вызывает необходимость создания новых высокоэффективных технологий, снижающих или устраняющих недостатки традиционных методов формирования микросхем, связанные с высокими температурновременными режимами.

Для повышения степени интеграции, надежности, долговечности и быстродействия интегральных схем необходимо снижение температуры и (или) длительности используемых при их изготовлении технологических операций очистки, окисления или осаждения окисла на поверхности пластин, перераспределения примеси и различных термических обработок.

Наиболее перспективным методом обеспечивающим снижение длительности термических операций является импульсная термообработка (ИГО). Диапазон длительностей температурного воздействия при использовании МТО достаточно широк: от пикосекунд до десятков секунд. Но наибольшее распространение в силу экономичности, отсутствия градиентов температуры по толщине подложки, возможности точного контроля температуры получил, так называемый, режим теплового баланса, основанный на применении ИК излучения галогенных ламп с длительностью импульса термообработки от единиц до десятков секунд.

Наряду с этим, зарекомендовало себя в последнее время использование оптического излучения для инициирования химических реакций в газовой фазе и структурных превращений в поверхностном слое при проведении процессов осаждения металлических, полупроводниковых и диэлектрических пленок, а также травлении и легировании. Резонансное возбуждение и селективный разрыв химических связей молекул оптическим излученем УФ диапазона позволяет значительно снизить температуру протекания процессов в газовой фазе и на поверхности. Однако, практическое применение УФ обработки ограничено недостаточной изученностью физико-химических процессов, протекающих в зоне реакции.

Кроме того, в литературе отсутствуют работы по совместному использованию МТО и УФ излучения, для уменьшения длительности термообработки с помощью МТО, и одновременного снижения ее температуры за счет снижения энергии активации процессов.

Цель и задачи работы. Целью данной диссертационной работы является исследование возможности совместного использования УФ и ИК излучений для снижения температуры и длительности процессов осаждения диоксида кремния, окисления пленок металлов и перераспределения примеси.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

— создание необходимого оборудования для проведения процессов очистки поверхности, осаждения диоксида кремния, окисления пленок металлов и перераспределения примеси с совместным использованием УФ и ИК излученийтеоретически проанализированы и промоделированы фотохимические реакции при осаждении диоксида кремния из газовой фазы ТЭ0С/02 с использованием УФ облучения;

— исследованы физико-химические процессы, протекающие при осаждении SiOg на поверхность кремния в условиях ИК и УФ облучения, а также качество получаемой пленки;

— исследовано совместное влияние ИК и УФ облучения на перераспределение примеси в ионно-легированных слоях кремния.

Научная новизна работы.

— впервые, на основании термодинамических расчетов, получены энтропия и энтальпия тетраэтоксисилана (ТЭОС) в газообразном состоянии;

— построена кинетическая модель для расчета скорости осаждения диоксида кремния;

— рассчитана энергия активации диссоциации ТЭОСпоказано, что УФ излучение понижает энергию активации молекулы ТЭОС в 3 раза по сравнению с неактивированным состоянием;

— на основе рассмотрения спектров поглощения кремниевой подложкой УФ и МК излучения показано, что интенсивное поглощение УФ излучения и разогрев приповерхностного слоя по всей глубине поглощения УФ происходит до температуры 600−700°С;

— установлено, что под действием МТО с УФ стимуляцией происходит снижение длительности перераспределения примеси в ионно-легированных слоях в 2−4 раза за счет увеличения коэффициента диффузии в I’I02−5'I02 раз по сравнению с МТО без УФ, причем коэффициент ускорения диффузии уменьшается с увеличением времени отжига по закону exp (-tA);

— показано, что наибольшее влияние на полупроводниковые приборы при МТО оказывает УФ составляющая спектра излучения.

Практическая значимость.

— разработан пакет программ «CVD-I» для расчета режимов, необходимых для получения диоксида кремния при фотохимическом разложении ТЭ0С/02;

— создана лабораторная установка для фотохимического осаждения диоксида кремния толщиной до 180нм на пластины диаметром до 76 мм из смеси ТЭ0С/02 в температурном диапазоне 200−500°С;

— создан ряд установок для импульсной термообработки полупроводниковых структур излучением галогенных ламп в секундной длительности облучения, в том числе и с УФ стимуляцией, в температурном диапазоне 300−1350°С, позволяющих обрабатывать пластины диаметром до 100 мм в условиях опытного и серийного производства;

— на основании экспериментальных исследований адгезии алюминиевых пленок и фоторезиста установлено, что УФ излучение и ИТ0 повышает в 2 раза эффективность очистки поверхности кремния по сравнению со стандартной жидкостной обработкой;

— на основе технологии с применением ИТО и УФ стимуляции созданы структуры двухслойных окислов, отличающиеся терморезистивными и газочувствительными свойствами.

Диссертационные исследования являются частью плановых научно-исследовательских работ лаборатории новых технологий кафедры «Микроэлектроники и технологии БИС» Таганрогского Государственного радиотехнического университета, выполняемых в период I992−1997 гг. по единому заказу-наряду Государственного Комитета Российской Федерации по Высшему образованию и финансируемому из средств Госбюджета, а также хоздоговорных работ (Ш I13325, 13 328, 13 332, 13 353), выполненных в ТРТУ в I987−1995 гг.

Основные положения выносимые на защиту:

— совместное использование УФ и ИТО при очистке поверхности кремниевой подложки улучшает эффективность очистки в 2 раза по сравнению с жидкостной отмывкой;

— кинетическая модель для расчета скорости осаждения диоксида кремния при фотохимическом разложении ТЭ0С/02;

— УФ излучение в качестве активирующего воздействия понижает энергию активации молекулы ТЭОС в 3 раза по сравнению с неактивированным состоянием;

— показано, что в результате ИТО с применением УФ излучения возникает поверхностный разогрев по всей глубине поглощения УФ только при температурах отжига до 700 °C;

— применение ИТО с УФ стимуляцией снижает длительность перераспределения примеси в ионно-легированных слоях в 2−4 раза за счет увеличения коэффициента диффузии в I" 102−5'1СГ раз по сравнению с МТО без УФ, при этом коэффициент ускорения диффузии уменьшается с увеличением времени отжига по закону exp (-t/u);

— при МТО наибольшее влияние на полупроводниковые структуры оказывает УФ составляющая спектра.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались и представлялись на Всесоюзном научно-техническом семинаре «Радиационная технология в производстве интегральных схем» (г.Воронеж, 1988 г.), Международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы фундаментальных наук» (г.Москва, 1991 г.-, VI Всесоюзной научно-технической конференции «Применение электронно-ионной технологии в народном хозяйстве» (г.Москва, 1991 г.), Международной конференции «Advanced and laser technologies — ALT'92″ (Moscow, 1992 г.)» Всероссийской научно-технической конференции с Международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (г.Таганрог, 1994 г.), научно-технической конференции «Вакуумная наука и техника» (г.Гурзуф, 1994 г.), на ежегодных научнотехнических конференциях профессорско-преподавательского состава, аспирантов и сотрудников ТРТУ (г.Таганрог, 1986;1995 гг.).

Публикации. По результатам диссертационной работы опубликовано 14 печатных работ, получено 4 авторских свидетельства на изобретения.

Объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка цитированной литературы из 87 наименований. Общий объем диссертации У35 стр., включая 31 стр. иллюстраций, 9 таблиц.

5.5.Выводы.

5.5.1.Создано экспериментальное оборудование для исследования влияния ИК и УФ излучений при осаждении диоксида кремния, отжиге ионно-легированных слоев и окислении пленок металлов.

5.5.2.Эксперименты по фотохимическому осаждению S109 из газовой смеси ТЭОС/кислород подтвердили снижение температуры осаждения под влиянием УФ излучения на 200−250°С по сравнению с пиролитическим процессом. Получены основные технологические зависимости, позволяющие выбрать оптимальный режим фотохимического осаждения диоксида кремния из смеси ТЭОС/кислород при варьировании газовым потоком, плотностью мощности излучения, температурой и временем проведения процесса.

5.5.3.Проведена оценка влияния УФ излучения на параметры ЬЩ1 структур и транзисторов, которая позволила сделать вывод о эффективности применения ультрафиолета для управления изменением параметров данных приборов. Установлено, что при ИТО наибольшее влияние на полупроводниковые приборы оказывает УФ составляющая спектра излучения.

5.5.4.Применение установки фотостимулированной ИТО 'ФМТ0−20МВпозволило создать ряд окислов двухслойных структур, которые являются хорошими терморезисторами и газочувствительными элементами, что позволяет их использовать в термои газочувствительной технике.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

1. На основе экспериментальных исследований адгезии алюминиевых пленок и фоторезиста установлено, что совместное использование УФ и ИТО улучшает эффективность очистки поверхности Si подложки в два раза по сравнению с жидкостной отмывкой.

2. Впервые расчетным путем получены энтальпия (-1017кДж/моль) и энтропия (809,2Дж/мольград) ТЭОС в газообразном состоянии.

3. На основе термодинамического описания возможных реакций ТЭОС в газовой фазе под действием УФ облучения построена кинетическая модель расчета скорости осавдения диоксида кремния, использующая уравнения баланса, позволяющая рассчитывать скорость осаждения диоксида кремния в зависимости от скорости подачи газовых реагентов.

4. Рассчитанная энергия активации диссоциации ТЭОС показала, что использование УФ излучения понижает энергию активации в 3 раза, причем наибольшее снижение энергии активации диссоциации наблюдается при уменьшении длины волны.

5. Теоретически обосновано и экспериментально показано, что до температуры 700 °C снижение длительности перераспределения примеси в ионно-легированных слоях в 2−4 раза при ИТО с УФ стимуляцией происходит за счет увеличения коэффициента диффузии в ГК^-Б-Ю2 раз.

6. Создано экспериментальное оборудование для исследования возможности применения ИК и УФ излучений при осаждении диоксида, отжиге ионно-легированных слоев и окислении пленок.

7. Получены основные зависимости, позволяющие выбрать оптимальный режим осавдения диоксида кремния варьируя газовым потоком, плотностью мощности излучения, температурой и временем проведения процесса.

8. На основе технологии с применением МТО и УФ стимуляции сформированы окислы композиции металлов Sl-Ni, Sl-Ag, Fe-Cr, V-Сг пригодные для использования в термо и газочувствительной технике.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Х.Румак Н. В. Компоненты МОП-интегральных микросхем./Под ред.А. П. Достанко. Мн.: Навука 1 тэхн! ка, 1991. — 311 с.
  2. П.С., Петрин А. И., Изидинов С. О. Основы конструирования и технологии обработки поверхности р-п-перехода. /Под ред. В. Е. Челнокова. М.: Сов. радио, 1978. — 224 с.
  3. З.Чистяков Ю. Д., Райнова Ю. П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. М.: Металлургия, 1979. — 408 с.
  4. Cleaning techniques for wafer surfaces./ Skidmore Kathy //Semicond.Ind. 1987. — 10, N9 — P.80−85.
  5. Electrical evaluation of wet and dry cleaning procedures for silicon device fabrication./Ruzyllo J., Hoff A., Prystak D.//J. Electrochem.Soc. 1989. — 136, N5 — P.1474−1476.
  6. UV cleaning of silicon surfaces studied by Auger spectroscopy / Krusor B.S., Blegelsen D.K., Ylgling R.D.// J.Vac. Sci and Technol.B. 1989. — 7, N1 — P.129−130.
  7. The formation of hydrogen passivated silicon single -crystal surfaces using ultraviolet cleaning and HP etching / Takahagi T.// J.Appl.Phys. 1988. — 64, N7 — P.3516−3521.
  8. Радиационно-стимулированные процессы в технологии функциональных слоев и элементов ИС / И. П. Алехин, Ю. С. Боков, Л. А. Вьюков, А. М. Маркеев, В. Н. Неволин, Н. Ф. Трутнев, В. Ю. Фоминский //Электронная промышленность 1992. — N3 — С.7−12.
  9. UV/ozon cleaning of surfaces / Vlg John R.// J.Vac. Sci and Technol. 1985. — A3, N3,Pt.1. — P.1027−1034.
  10. UV/ozon cleaning procedure for silicon surfacese / Baunak S., Zehe A.// Phys. Status Solid! A. 1989. — 115, N1. — P.203−207.
  11. Роль активных кислородных частиц в процессе УФ очистки поверхности неорганической подложки./А.И.Богданов, К. А. Валиев, Л. В. Беликов, С. Д. Душенков, М. И. Иванова /У Микроэлектроника. -1989. 18, N6 — С.540−543.
  12. Фотохимический способ очистки поверхности / Tan Kaisheng, Kexue Xuecan //J.Electron 1991. — 13, N6 — P.659−662.
  13. High, reaction selectivity on UV-laser induced desorption from chlorinated Si (111) 7×7 studed by Scanning tunneling mycroscopy/ S. Manada, S. Kenuichl //J.Ptoys.: Gondens.Matter.- 1993 5, N36 — P.6607−6612.
  14. Фотостимулированная диссоциация молекул на поверхности твердого тела / Э. Я. Зандберг, М. В. Кнатько, В. И. Палеев, М. М. Сущих //Изв. АН: сер.физическая. 1992. — т.56,N8 — С.21−27.
  15. Устройство для очистки подложек: Заявка IIII337 Япония,
  16. МКИ4Н01Ь21/304, в 08 в 3/02/ йоссии Ситаро, Миясито Мория- К.к. Тосиба. N62−269 716- Заявл.26.10.87- Опубл.2.04.89.
  17. Устройство для очистки поверхности полупроводниковой подложки перед молекулярно-лучевой эпитаксией. Заявка 60−107 821,
  18. Япония. Заявл.16.II.83, N58−213 986, опубл.13.06.85. МКИ H0IL 21/203.
  19. Устройство для УФ-облучения изделий. Заявка 59−161 824, Япония, заявл.04.03.83, N58−35 635, опубл.12.09.84. МКИ H0IL 21/302, H0IL 21/304.
  20. Способ очистки поверхности. Заявка 62−293 724. Япония МКИ 4 H0IL 21/304/ Тацуми Тору- заявл.13.06.86. Опубл.П.12.87.
  21. Установка жидкостной отмывки. Заявка 60−7731, Япония. Заявл.27.06.83, N58−115 527, опубл.16.01.85. МКИ H0IL 21/304.
  22. Установка для очистки пластин. Заявка N60−60 729, Япония. Заявл.08.04.85, опубл. 14.09.86. МКИ H0IL 21/304.
  23. Метод удаления органических пленок. Заявка 60−77 430, Япония. Заявл.04.10.83 N58−184 521, опубл.02.05.85. МКИ H0IL 21/306.
  24. Приспособление для промывки полупроводниковых пластин. Заявка 60−72 233, Япония. Заявл.28.09.883, N58−179 949, опубл.24.04.85. МКИ H0IL 21/304.
  25. Устройство для очистки пластин. Заявка 60−53 032, Япония. Заявл.02.09.83, N58−160 338, опубл.26.03.85. МКИ H0IL 21/31.
  26. Устройство для термообработки. Заявка 60−223 128, Япония. Заявл.20.04.84, N59−78 465, опубл.07.II.85. МКИ H0IL 21/302.
  27. Способ очистки полупроводниковых пластин. Заявка 4 871 416, США. МКИ 4 В 44 CI/22. Опубл.05.10.90.
  28. Энергии разрыва химических связей. Потенциалы ионизации и сродство к электрону./Л.В.Гурович, Г. В. Караченцев и др. М.: Наука, 1974 — 351с.
  29. Технология СБИС: В 2-х кн. Кн.1. Пер. с англ./Под ред. С.Зи. М.: Мир, 1986. — 404с.
  30. Ю.Д., Каминский В. В., Гришин В. М., Шведова В. В. Использование электромагнитного излучения в газофазных процессах технологии полупроводников.//Обзоры по ЭТ, вып.5, 1976. 82с.
  31. Near ultraviolet (260−37Опт) enhancement of silicon oxidation./Nayar V., Boyd I.V.//Chemtronics 1989. — 4, N2. P. 101−103.
  32. Toyoda Yoshihiro, Moue Kohji et al. Preparation of Si09film by photo-induced chemical vapor deposition using a deuterium lamp and its annealing effect// Jap.J.Appl.Phys. 1987. -Pt.1,26, — N6. — P.835−840.
  33. Inoue K. Okugama M., Hamakawa Y. Growth of SiO^ thin filmby selective excitation Photo-OVD using VUV light//Jap.J.Appl. Phys. 1988. — v.27,N11. — P7L2152-L2154.
  34. Shachan-Dlamand Y., Chun T., 01dhanz W.G. The electrical properties of Hg Sensitized «Photox» oxide layers deposited at80°0// Solid State Electronics. 1987. 30, N2. — P.227−233.
  35. Jun-ichi Takanashi and M. Tabe. Irradiation effects on chemical vapor deposition of SIO^.//Jap.J.Appl.Phys. 1985 24, N3.- P.274−278.
  36. Takaaki Kawahara, A. Yuuki, Y.Matsui. Reaction mechanism of chemical vapor deposition using tetraethylorthoslllcate and ozon at atmospheric pressure.//Jap.J.Appl.Phys. 1992. — v.31, pt.1,N9a. — P.2925−2930.
  37. Y.Ishikawa. Enhanced thermal oxidation of silicon in sheam ambient by UV-irradiation.//Jap.J.Appl.Phys.Pt.2. 1992. -v.31,N6b. — P.750−752.
  38. Laser ablation deposition./Dieleman J.//Jap.J.Appl.Phys. Pt.1. 1992. — 31. N6b — P.1964−1971.
  39. Гукетлев Ю.Х., Васенков А. А., Гарицын А. Г., ФеДоренко В.В., Лазерная технология интегральных схем. М.: Радио и связь.1991. 320с.
  40. Film growth mechanism of photo-chemical vapor deposition/ T.Inishima. Mat.Res.Soc.Symp.Proc. — 1988. — v.105.- P.59−70.
  41. Laser indiced chemical vapor deposition of S109./
  42. P.K.Boyer et al.//Appl.Phys.Le11. 1982. — v.40. -P.716−718.
  43. ATF laser photochemical deposition of amorphous silicon from disilane: spectroscopic studies and comparison with thermal GVD/D./ D. Eres et al.// Appl.Surf.Sci. 1989. — v.36. — P.70−80.
  44. Deposition оf high quality SiO Layers from TEOS by excimer laser./A.Klump et al.//Appl.Surf.Sci. 1989. — v.36. -P.141−149.
  45. Laser-induced chemical vapor deposition and characterization of amorphous silicon oxide fllms/J.Shirafu^i et ai.//Thin Solid films 1988 — v.157. — P.105−115.
  46. SlO-p film deposition by KrP excimer laser irradiation/
  47. S.Nishino et al.//Jap.J'.Appl.Phys. 1986. — v.25. — P. L87-L89.
  48. Selective growth of policrystalllne silicon by laser-induced cryogenic CVD/ T. Tanaka et al.//Jap.J.Appl.Phys. 1988.-v.27. — P.2149−2157.
  49. APT-4800 atmospheric pressure TEOS/Ozon CVD system.// Semicond.Int. 1992. — N9. — P.12−13.
  50. Фотостимулированная диффузия в кремнии./Зюзь JI.H. и др. //Оисьма в ЖЭТФ. 1970. — т.12. — 0.213−216.
  51. Фотостимулированная диффузия в кремнии./Малкович Р.Ш., Нистрюк 1/1.В.//Письма в ЖЭТФ.- 1973 т.17,вып.1. — С.3−4.
  52. К вопросу о фотостимулированной диффузии./ Зюзь Л. Н. и др.//Письма в ЖЭТФ.- 1973 т.17.вып.4. — 0.230−231.
  53. UV laser doping of silicon./ Ibbs K.G., Lloid M.L.//0pt. and laser techn.- 1983.- 15, N1.- P.35−39.
  54. Роль УФО при быстром термическом отжиге имплантированного бором кремния./ Герасимов и др.//Письма в ЖТФ. том.6,вып.1. -1980. — С.58−61 .
  55. В.Е. Твердофазные процессы в полупроводниках при импульсном нагреве./Под Ред. В. А. Лабунова. Мн.: Навука 1 тэхн1ка, 1992. — 248с.
  56. Ultraviolet laser doping оf silicon./Ibbs К.G., Lloyd M.L.//0pt. and Laser technol. 1989. — v.15,N1. — P.35−39.
  57. Halogen and mercury lamp annealing of Arsenic implanted into silicon/ Katsuhiro Y. et al.//Jap.J.Appl.Phys. 1887. -V.26,N2. — p. L8T-L90.
  58. Eliasson B., Hlrth М., Kogelschatz U. Ozone synthesis from oxigen in dielectric barrier discharges .//J. Phys. D: Appl. Phys. -1987.- N1, v.20. P.1421−1437.59.0кабе X. Фотохимия малых молекул./Пер.с англ. М.: Мир. 1961. — 500 с.
  59. Основы фотохимии координационных соединений./КрюкоЕ А.И., Кучмий С.Я.- отв. ред. Дилунг И.И.- АН УССР. Ин-т физ. химии им. Л. В. Писаржевского.- Киев: Наук. думка, 1990.-280с.6I.Weawer 0. Adhesion of thin films.//J.Vac.Sci.Techn.1975. N1, v.12. — P.18−25.
  60. М.й. Воздействие вакуумного УФИ на поверхность неорганических и органических веществ, применяемых в микроэлектронике.//Диссертация на соискание уч. степ.канд. физ.-мат. наук. Москва: Физико-технологический ин-т, 1989.-130с.
  61. Benjamin P., Weawer G. Measurement of adhesion of thin f11ms.//Proc.Roy.Soc., Ser.A."Mathematical and Physical Sciences". I960. — V.254,N1277. — P.163−176.
  62. Ю.Н., Поляков В. В. Модель низкотемпературного фотостимулированного осаждения диоксида кремния из тетраэтоксисилана.//СО.Научных трудов молодых ученых «300-летию г. Таганрога». Таганрог, ТРТУ. — 1995. С.44−48.
  63. М.Х., Карапетьянц М. Л. Основные термодинамические константы неорганических и органических веществ.- М.:Химия, 1968.-470с.
  64. А.А. Краткий справочник физико-химических величин/ Под ред. К. П. Мищенко. Л.:Химия, 1967.-187с.
  65. A.M., Соловьев С. И., Поляков В. В., Варзарев Ю. Н. Моделирование низкотемпературного фотостимулированного осаждения пленок диоксида кремния из тетраэтоксисилана при низком давлении. //СО."Вакууумная наука и техника", Гурзуф. 1994. — С.72.
  66. Вавилов В. С, Кекелидзе Н. П., Смирнов Л. С. Действие излучений на полупроводники.- М.:Наука, 1988.-192с.
  67. П.Н., Клочков В. П., Потыкевич Н. В. Полупроводниковая электроника.//Справочник. Киев: Наукова думка, 1975.- 703с.
  68. Д.Б., Прохоров Ю. И. Применение лучистого ИК нагрева в электронной промышленности. М.:Энергия, 1980. — 98с.
  69. В.Г., Волькенштейн Ф. Ф. Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников. М.:Наука, 1978.- 288с.
  70. Волькенштейн Ф.Ф.Физико-химия поверхности полупроводников М.:Наука, 1978. — 382с.
  71. А. Н. Сеченов Д.А.Поляков В. В. Получение пленок Siu9 при гетерогенной диссоциации тетраэтоксисилана при УФ-облучении.//ФИЗХОМ. 1995. — N2. — С.98−105.
  72. В. В. Герасимова В.В.Самойлов А. Г. Энергия активации реакций при гетерогенном катализе.//Доклады РАН. -1992.- Т.322,N4. С.744−748.
  73. З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. М.: Радио и связь, 1991. — 528с.
  74. Т.Д. Радиационно-стимулированная диффузия в полупроводниках. М.:Энергоатомиздат, 1991. — 288с.
  75. Т.Д. Фотостимулированные атомные процессы в полупроводниках. М.:Энергоатомиздат, 1984. — 136с.
  76. Светличный A.M., Сеченов Д. А., Поляков В. В. Предоперационная очистка поверхности полупроводниковых пластин УФ и ИК излучениями //Тезисы докладов 4 Всесоюзной НТК «Применение электронно-ионной технологии в нвродном хозяйстве». Москва. — 1991. — С.163.
  77. Svetlichnly A.M., Sechenov D.A., Polyakov V.V. Rapid thermal annealing ion-implanted layers silicon by infra-red and ultra-violet irradiations.//1992 International conference on advanced and laser technologies ALT'92. Pt.4 Moskow. — 1992. -P.132.
  78. Ю.А., Кудин В. Д. Методы контроля технологии производства полупроводниковых приборов. М.:Энергия. — 1973. -140с.
  79. Разработка и исследование способов повышения выхода годных КМОП БИС с помощью процессов импульсной обработки: Отчет по ОКР/ НИИ МВС при ТРТИ- Науч.рук.работы A.M. Светличный.
  80. N ГР 0I8407I84- mhb. N09852II62. Таганрог, 1985, 64с.
  81. X.С.Лебедев А. А., Экке В. В. Исследование электрофизических свойств кремниевых МДП-структур, облученных 7-квантами при наличии электрического поля в диэлектрике//Физика, Техника полупроводников. 1987. — Т.21,вып.2. — С.365−369.
  82. В.А., Иваненков О. Н., Курышев Г. Л. Зарядовые эффекты в МДП-структурах на антимониде индия//Физика, Техника полупроводников. 1986. — Т.20,вып.3. — С.738−743.
  83. В.Г., Горбань А. П. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводншс. Киев: Наукова Думка, 1978. — 316с.
  84. Особенности образования «аномального» положительного заряда при УФ-облучении МДП-структур/Лисовский И.П. и др.//Тезисы докладов XII Всесоюзной научно-технической коференции по микроэлектронике, 27−28 октября 1987 г. Тбилиси, 1987. — Ч.З. -0.7−8.
  85. Влияние температуры синтеза S13N4 на УФ-деградацию структур металл-Si^-SlO^-полупроводник/Ахмад А.Ф. и др.//Укр. Физический журнал. 1986. — Вып.5. — с.739−742.
  86. Degradation mechanism of lightly doped drain (LDD) n-cannel MOS-PET'S studied by ultraviolet light irradiation./ Saitoh M. et al./v J. Electrochem. Soc. 1985. — V.132, N10. -P.2463 — 2466.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!