Синтез и свойства оптических композитов с наноразмерными частицами диоксида ванадия
Диссертация
Личный вклад автора состоит в получении экспериментальных образцов, проведении измерений оптических и электрических свойств изучаемых композитов, разработке модельных представлений и практических рекомендаций. Научный руководитель С. Д. Ханин принимал участие в постановке задачи, анализе полученных результатов, подготовке печатных работ. А. И. Сидоров участвовал в разработке методов синтеза… Читать ещё >
Список литературы
- Коновалова О.П., Сидоров А. И., Шаганов ИИ. Интерференционные системы управляемых зеркал на основе диоксида ванадия для спектрального диапазона 0.6−10.6 мкм // Оптический журнал. 1999. т. 66. № 5.-С. 13−21.
- Сидоров А.И. Физические основы и методы управления излучением в устройствах интегральной оптики: уч. пос. — Спб: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2007. 80 с.
- Parker J.C., Geiser U.W., Lam D.J., Xu Y, Ching W.Y. Optical properties of vanadium oxides V02 and V205 // J. Amer. Ceram. Soc. 1990. vol. 73. № 11. -P. 3206−3208.
- Бугаев A.A., Захарченя Б. П., Чудновский Ф. А. Фазовый переход полупроводник-металл и его применение. Л.: Наука, 1979. — 183 с.
- Bruckner W., Opperman И., Reichelt W., Terukov E.I., Tschudnovskii F.A., WolfE. Vanadiumdioxide. Akademie-Verlag, Berlin, 1983. — 252 p.
- Алиев P.A. Структурные и морфологические особенности фазовых превращений в пленках диоксида ванадия: Дис.. канд. физ.-мат. наук. СПб. 2005.-154 с.
- Хахаев И.А., Чудновский Ф. А., Шадрин Е. Б. Мартенситные эффекты при фазовом переходе металл-диэлектрик в пленке диоксида ванадия // ФТТ.- 1994. т. 36. вып. 10. С. 1643−1649.
- Ройтбурд A.JI. Основы теории мартенситных фазовых переходов // УФН.- 1974. т. 113. № 1. С. 69−90.
- Ильинский A.B., Климов В. А., Ханин С. Д., Шадрин Е. Б. Электрические и оптические явления в диоксиде ванадия вблизи фазового перехода полупроводник-металл // Известия РГПУ им. А. И. Герцена. № 6 (15): Физика: Научный журнал, СПб. 2006. — С. 291.
- Ланская Т.Г., Меркулов И. А., Чудновский Ф. А. Гистерезисные явления при фазовом переходе металл-полупроводник в окислах ванадия // ФТТ. -1978. т. 20. вып. 2. С. 336−343.
- Ильинский А.В., Силъва-Андраде Ф., Ханш С. Д., Климов В. А., Тимофеева И. О., Шадрин Е. Б. Формирование петли температурного гистерезиса при фазовом переходе металл-полупроводник в пленках диоксида ванадия // ЖТФ. 2002. т. 72. вып. 9. — С. 67−74.
- Алиев Р.А., Андреев В. Н., Капралова В. М., Климов В. А., Соболев А. И., Шадрин Е. Б. Влияние размера зерен на фазовый переход металл-полупроводник в тонких поликристаллических пленках диоксида ванадия // ФТТ. 2006. т. 48. вып. 5. — С. 874.
- Bugaev A.A., Cudialis V.V., Klochkov A.V. Induced optical anisotropy of VO2 films during picosecond excitation // Sov. Phys. Solid State. 1983. vol. 25. № 6.-P. 1890−1892.
- Пайерлс P. Квантовая теория твердых тел. М.: Ин. Лит., 1956. — 450 с.
- Мотт Н. Ф. Переходы металл изолятор. — М.: «Наука», 1979. — 342 с.
- Мотт Н.Ф., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах: 2 т. М.: Мир, 1982. — 662 с.
- Mott N.F. Metal insulator transitions // Cont. Phys. — 1973. vol. 14. № 5. — P. 401−413.
- Adler D., Broocs H. Theory of Semiconductor-Metal Transitions // Phys. Rev. 1967. vol. 155. № 3. — P. 826.
- Becker M.F., Buckman A.B., Walser R.W., Lepine Т., Georges P., Brun A. Femtosecond laser excitation dynamics of the semiconductor-metal phase transition in V02 // J. Appl. Phys. 1996. vol. 79. № 5. — P. 2404−2408.
- Cavalleri A., Toth Cs., Siders C.W., Squier J.A., Raksi F., Forget P., Kieffer J.C. Femtosecond structural dynamics in VO2 during an ultrafast solid-solidphase transition // Phys. Rev. Lett. 2001. vol. 87. № 23. — P. 237 401−1 -237 401−4.
- Petrov G.I., Yakovlev V. V. Nonlinear optical microscopy analysis of ultrafast phase transformation in vanadium dioxide // Opt. Lett. 2002. vol. 27. № 8. -P. 655−657.
- Rini M., Cavalleri A., Schoenlein R. W. Photoinduced phase transition in VO2 nanocrystals: ultrafast control of surface-plasmon resonance // Opt. Lett. — 2005. vol. 30. № 5. P. 558−560.
- Стефанович Д.Г. Электронное управление переходом металл-изолятор: Автореф. дис.. канд. физ.-мат. наук. Петрозаводск. 2002. 18 с.
- Величко А.А. Переключение в тонкопленочных микро- и наноструктурах на основе оксидов переходных металлов с переходом металл-изолятор: Автореф. дис.. канд. физ.-мат. наук. Петрозаводск. 2002. 20 с.
- Гуртов В.А., Малиненко В. П., Пергамент А. Л., Стефанович Г. Б., Стефанович Д. Г. Электронное управление переходом металл-изолятор: Тез. докл. 8-ой Межд. конференции «Физика диэлектриков». СПб. 2000. — с. 208−209.
- Аронов А.Г., Кудинов Е. К. Эффекты локализации электронов в V2.y03 // ЖЭТФ. 1968. т. 55. — С. 1344.
- Vikhnin V.S., Lysenko S., Rua A., Fernandez F., Liu H. The model of ultrafast light-induced insulator-metal phase transition in vanadium oxide // Physical Letters A. 2005. vol. 343. № 6. — P. 446−453.
- Caruthers E., Kleinman L., Zhang H.I. Energy Bands of Metallic V02 // Phys. Rev. B. 1973. vol. 7. № 8. — P. 3753−3760.
- Lazukova N.I., Gubanov V.A. The phase transition in V02 // Solid State Communications. 1976. vol. 20. № 7. — P. 649−651.
- Richard M.A., Coath J. A. Infrared, optical modulators for missile testing 11 Optic & Laser tehnol. 1998. vol. 30. — P. 137−140.
- Slater J.C., Johnson K.H. Near band gap optical absorption in semiconducting V02 // Phys. Rev. B. 1972. vol. 5. — P. 844.
- Goodenough J.D. Progress in Solid State Chemistry // J. Solid State Chem. -1971. vol.3.-P. 490.
- Ververy J.W., Haayman P.W. Molecular orbital calculation of s-electron densities of octaedrally centered transition metallic ion // Phisica. 1941. vol. 8.-P. 979.
- Zylberstein A., Mott N.F. Metal-insulator transition in vanadium dioxide // Phys Rev. B. 1975. vol. 11. № 11.-P. 4383−4395.
- Goodenough J.B. The two components of the crystallography transition in V02 // Sol. St. Comm. 1971. vol. 3. — P. 490−497.
- Sodakata I., Hanamura E. Contribution to the theory of metallic state in electron hole system // J. Phys. Soc. Japon. 1973. vol. 334. — P. 464.
- Мокеров В.Г., Бегишее A.P., Игнатьев A.C. Влияние отклонения от стехиометрического состава на электронную природу и фазовый переход металл-изолятор в двуокиси ванадия // ФТТ. 1979. т. 21. № 5. — С. 14 821 488.
- Бегишее А.В., Галлиев Г. Б., Игнатьев А. С., Мокеров В. Г., Пошин В. Г. Влияние нарушений периодичности кристаллической решетки на фазовый переход полупроводник металл в диоксиде ванадия // ФТТ. -1978. т. 20. № 6. — С. 1643−1650.
- Merenda P., Kaplan D., Sommers С. Near band optical absorption in semiconducting V02 // J. Physique. 1976. C4−59. — P. 37.
- Case F.C. An improved V02 thin films for infrared switching // Appl. Opt. -1991. vol. 30. № 28. P. 4119−4123.
- Chain E.E. Optical properties of vanadium dioxide and vanadium pentoxide thin films //Appl. Opt. 1991. vol. 30. № 19. -P. 2782−2787.
- Алиев Р.А., Климов В. А. Влияние условий синтеза на фазовый переход металл-полупроводник в тонких пленках диоксида ванадия // ФТТ. -2004. т. 46. вып. З.-С. 515.
- Олейник А.С., Смоляное В. Ф., Степанов В. М., Руденко Н. М. Визуализатор на основе материала ФТИРОС // Электронная промышленность. 1982. т. 5−6. — С.111−113.
- Бугаев А.А., Захарченя Б. П. Окисная пленка ванадия как регистрирующая среда для голографии // Квантовая электроника. — 1979. т. 6. вып. 7. С. 1459−1465.
- Belousova I.M., Belousov V.P., Danilov О.В., Danilov V.V., Sidorov A.I., Yachnev I.L. Photodynamics of optical limiting of power laser radiation // NLO B. 2000: vol. 27. № 1−4. — P. 233−248.
- Swaleu J.D., Kajzar F. Nonlinear absorption in optical limiting // NLO B. -2000. vol. 27. № 1−4. P. 13−32.
- Van Stryland E. W., Wu Y.Y., Kagau D.I. Optical limiting with semiconductors // J. Opt. Soc. Am. B. 1988. vol. 5. № 9. — P. 1980−1988.
- Verleur H.W., Barker A.S., Berglund C.N. Optical properties of V02 between 0.25 and 5 eV // Phys. Rev. 1968. vol. 172. № 3. — P. 788−798.
- Tazawa M., Jin P., Tanemura S. Optical constants of V1. xWx02 films // Appl. Opt.-1998. vol. 37. № 10.-P. 1858−1861.
- Коновалова О.П., Сидоров А. И., Шаганов И. И. Управляемые V02 -зеркала для среднего ИК диапазона на основе интерферометра с «необращенными» полосами отражения // Оптический журнал. 1998. т. 65. № 4.-С. 20−23.
- Хахаев И.А. Синтез и исследование оптических свойств управляемых интерференционных структур на основе диоксида ванадия: Дис.. канд. физ.-мат. наук. Ленинград: ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН. 1991. 155 с.
- Griffiths С.Н., Eastwood Н.К. Influence of stoichiometry on the metal-semiconductor phase transition in vanadium dioxide // J. Appl. Phys. 1974. vol. 45. № 5. — P. 2201−2206.
- Suh J.Y., Lopez R., Feldman L.G., Haglund R.F. Jr. Semiconductor to metal phase transition in the nucleation and growth of VO2 nanoparticles and thin films // J. Appl. Phys. 2004. vol. 96. № 2. — P. 1209.
- Андреев B.H., Капралова B.M., Климов B.A. Влияние нестехиометрии на фазовый переход металл полупроводник в тонких пленках диоксида ванадия // ФТТ. — 2007. т. 49. № 12. — С. 356−360.
- Segaud J.P., Giraudo О., Indrigo С., Cavanna Е., Livage J. VO2 and AU-VO2 thin films prepared by sputtering and sol-gel for infrared optical power limiting // Nonlinear Optics. 1999. vol. 21. № 1−4. — P. 211−224.
- Шадрин Е.Б., Ильинский A.B. О природе фазового перехода металл-полупроводник в диоксиде ванадия // ФТТ. 2000. т. 42. № 6. — С. 10 921 099.
- Chain Е.Е. Characterization of vanadium oxide optical thin films by x-ray diffractometry // Appl. Opt. 1989. vol. 28. № 4. — P. 713−715.
- Сидоров А. И Управляемые У02-зеркала на основе трехзеркального интерферометра для спектрального диапазона 0.5−2.5 мкм // Оптический журнал. 2000. т. 67. № 6. — С. 39−44.
- Soukoulis С.М. Photonic Band Gap Materials // Advanced Studies Institute of NATO. 1996. Ser. E. vol. 315.
- Гапоненко С.В., Розанов Н. Н., Ивченко Е. Л., Федоров А. В., Бонч-Бруевич A.M., Вартанян Т. А., Прибелъский С. Г., Федоров А. В. Оптика наноструктур. — СПб: Недра, 2005. 235 с.
- Наноматериалы III. Фотонные кристаллы и нанокомпозиты на основе опаловых матриц / ред. Самойлович М. И. М.: ЦНИТИ «Техномаш», 2007. — 303 с.
- Golubev V.G., Kosobukin V.A., Kurdyukov D.A., Medvedev A.V., Pevtsov A.B. Government of opal photonic band gap by phase transition in V02 // Semiconductors. — 2001. vol. 35. P. 680.
- Акимов A.B., Вирченко A.B., Голубев В. Г., Каплянский A.A., Курдюков Д. А., Певцов А. Б., Щербаков A.B. Перестройка спектра брэгговской дифракции в композитах опал-УСЬ под действием лазерных импульсов // ФТТ. -2003. т. 45. № 2. С. 231 — 234.
- Голубев В.Г., Курдюков Д. А., Певцов А. Б., Селъкин A.B., Шадрин Е. Б., Ильинский A.B., Боейинк Р. Гистерезис фотонной зоны в фотонном кристалле V02 при фазовом переходе полупроводник-металл // ФТП. -2002. т. 36. вып. 9. С. 1122 — 1127.
- Сидоров А.И. Нелинейно-оптическое ограничение инфракрасного лазерного излучения в полупроводниках: Дис. докт. физ-мат. наук. СПб. 2004. 327 с.
- Борен К., Хафмен Д. Поглощение и рассеяние света малыми частицами. — М.: Мир, 1986.-664 с.
- Вахрушев С.Б., Кумзеров Ю. А., Окунева Н. М., Филимонов A.B. Физика наноразмерных структур. Наноструктуры в пористых средах: уч. пос. — СПб: Изд-во Политехнич. ун-та, 2008. 104 с.
- Гусев А.И. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. М.: Физматлит, 2009. — 414 с.
- Кульбачинский В.А. Двумерные, одномерные, нульмерные структуры и сверхрешетки. -М.: Изд-во физфака МГУ, 1998. 164 с.
- Neeves А.Е., Birnboim М.И. Composite structures for the enhancement of nonlinear-optical susceptibility I I J. Opt. Soc. Am. B. 1989. vol. 6. № 4. — P. 787−796.74.