Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Структурная динамика многокомпонентных твердых растворов соединений A3 B5 и A4 B6, формируемых в поле температурного градиента

Диссертация: Структурная динамика многокомпонентных твердых растворов соединений A3 B5 и A4 B6, формируемых в поле температурного градиента
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Важным фактором современного научно-технического прогресса является развитие новых подходов в теории и практике получения кристаллических структур с ценными для приборной реализации физическими свТТйствами. Применительно к жидкофазным методам синтеза сложных полупроводников в технологии их получения обозначилось направление, связанное с программированием характеристик приборов состоянием жидкой… Читать ещё >

Структурная динамика многокомпонентных твердых растворов соединений A3 B5 и A4 B6, формируемых в поле температурного градиента (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. Обзор литературы
    • 1. 1. Особенности процесса ЗПГТ
    • 1. 2. Физико-математические модели структурной динамики межфазных границ при ЗПГТ
    • 1. 3. Постановка задачи исследования
  • Выводы
  • 2. Математическое моделирование Межфа^нбй4″ динамики в процессах ЗПГТ
    • 2. 1. Формулировка физико-математической модели ЗПГТ трехкомпонентной гетеросистемы
    • 2. 2. Решения задачи структурной стабильности зоны при ЗПГТ методом асимптотических разложений
    • 2. 3. Анализ структурной стабильности жидкой зоны при ЗПГТ гетероструктур GaSb/GaSb, GaP/ GaP и PbSnTe/PbTe
  • Выводы
  • 3. Термодинамические и технические аспекты получения твердых растворов GaSb/GaSb, GaP/GaP, PbSnTe/PbTe
    • 3. 1. Расчет фазовых равновесий гетеросистем
  • GaSb/GaSb, GaP/GaP, PbSnTe/PbTe
    • 3. 2. Критические явления в гетеросистемах GaSb/GaSb, GaP/GaP и PbSnTe/PbTe
    • 3. 3. Теоретическое исследование устойчивости кристаллов при контакте с неравновесной жидкой фазой в гетеросистемах GaSb/GaSb, GaP/GaP и PbSnTe/PbTe
    • 3. 4. Формирование исходного профиля межфазных границ методом фотолитографии
    • 3. 5. Технологические особенности процесса получения твердых растворов GaSb/GaSb, GaP/GaP, PbSnTe/PbTe
  • Выводы
  • 4. Свойства гетероструктур GaSb/GaSb, GaP/GaP,
  • PbSnTe/PbTe и информационно-прикладные аспекты
    • 4. 1. Структурное совершенство гетероструктур GaSb/GaSb, GaP/GaP, PbSnTe/PbTe
    • 4. 2. Электрофизические свойства и вопросы практического использования гетероструктур GaSb/GaSb, GaP/GaP, PbSnTe/PbTe
    • 4. 3. Спектры фотолюминесценции гетероструктур и их информационно-технический анализ
  • Выводы

Актуальность работы.

Важным фактором современного научно-технического прогресса является развитие новых подходов в теории и практике получения кристаллических структур с ценными для приборной реализации физическими свТТйствами. Применительно к жидкофазным методам синтеза сложных полупроводников в технологии их получения обозначилось направление, связанное с программированием характеристик приборов состоянием жидкой фазы. Изучение закономерностей эволюции межфазных границ и условий их морфологической стабильности позволяет оптимизировать технологические процессы получения существующих твердых растворов (TP) полупроводников, используя различные приемы управления их составом и структурой, а также разработать методы получения новых материалов электронной техники.

Большой интерес представляет исследование процессов структурной эволюции при зонной перекристаллизации градиентом температур (ЗПГТ) [1] материалов электронной техники. Структурные изменения в пересыщенном расплаве, как на начальных стадиях роста, так и в дальнейшем, являются фактором, определяющим формирование элементной базы приборов. Основой этих процессов являются диффузионные и кинетические явления. Исследование диффузии в гетеросистемах затруднено сложным характером взаимодействия ростовых компонентов. Уже для трехкомпонентных систем сложность моделирования заключается в необходимости учета процессов взаимной диффузии. Эти процессы имеют сугубо нелинейную динамику, однако, моделирование перекристаллизации твердых растворов так называемыми «пассивными» жидкими зонами позволяет с допустимыми упрощениями описать реакцию гетерофазной системы на малые возмущения, 5 неизбежные в процессах жидкофазной эпитаксии. Для исследований были.

3 5 выбраны две гетеросистемы, А В — Ga-Sb-Bi, Ga-P-Bi, при получении которых жидкие зоны формируются на основе висмутакомпонента с коэффициентом распределения Квг<0,01, а также гетеросистема А4Вб — Pb-Sn-Te (с использованием свинцовых жидких зон). Кристаллизация во всех системах имеет место при относительно низких температурах (~103К), что облегчает проведение экспериментов по выращиванию соответствующих ТР.

Анализ морфологических изменений в кристаллизующейся гетеросистеме был бы неполным при рассмотрении соединений только одного.

3 5 класса (например, А В). Рассматриваемому спектральному диапазону ИК-области соответствуют также TP А4В6. Кроме того, в отношении гетеросистем Ga-Sb-Bi, Pb-Sn-Te ЗПГТ практически не исследовался. Имеется ограниченная информация по получению TP Ga-P-Bi. Исследование эволюции межфазных границ проводилось только для бинарных систем эвтектического типа [2]. Поэтому тема диссертационной работы является актуальной с научной и практической точки зрения.

Цель работы.

Целью работы является исследование структурных преобразований в ходе кристаллизации TP Ga-Sb-Bi, Ga-P-Bi, Pb-Sn-Te, определение теоретических критериев, разграничивающих различные режимы кристаллизацииэкспериментальное изучение процессов получения эффективной элементной базы приборов оптоэлектроникиисследование свойств выращенных гетероструктур.

Для реализации поставленной цели решались следующие задачи: разработка математической модели процессов ЗПГТ, позволяющей адекватно описать характер эволюции малых возмущений фронта растворения и кристаллизацииопределение начально-краевых условий на исследуемых гетерофазных границаханализ динамики развития морфологической нестабильности фронтов растворения и кристаллизациианализ фазовых превращений в гетеросистемах Ga-Sb-Bi, Ga-P-Bi и Pb-Sn-Teанализ устойчивости рассматриваемых систем к спинодальному распадуанализ начальных стадий роста эпитаксиальных слоев (ЭС), исследование устойчивости подложки при контакте с раствором-расплавомисследование структурного совершенства полученных твердых растворовисследование фотолюминесцентных свойств многокомпонентных полупроводников GaSb, GaP и PbSnTeразработка практических рекомендаций получения приборных гетероструктур GaSb/ GaSb, GaP/ GaP и PbSnTe/PbTe.

Научная новизна.

Модельные представления эволюции возмущений фронта кристаллизации, перемещающегося в поле температурного градиента, развиты на основе представлений неравновесной термодинамики. 7.

2. Впервые исследована устойчивость межфазных границ в тройных гетеросистемах, кристаллизующихся в поле температурного градиента.

3. Для исследованных гетеросистем экспериментально обоснована возможность квазилинейного описания структурной динамики перекристаллизации при определенном соотношении между размерами возмущений и характерным масштабом ростовой композиции.

4. Теоретически исследовано влияние величины упругих напряжений, температуры роста, химического состава TP на положение и размеры областей термодинамической неустойчивости гетероструктур GaSb/GaSb, GaP/GaP и PbSnTe/PbTe.

5. Исследованы технологические особенности метода ЗПГТ, разработана технологическая оснастка для проведения процессов гомогенизации и защиты подложки от термического травления.

Основные научные положения, выносимые на защиту.

1. Разработанная модель эволюции случайных возмущений в трехкомпонентной гетерофазной системе позволяет в квазилинейном приближении адекватно описать структурную динамику процесса роста.

2. Реализованный метод ЗПГТ с подпиткой из твердого источника позволяет получать однородные эпитаксиальные слои твердых растворов GaSbbxx/GaSb (х<0,01), GaPi. xx/GaP (х<0,001) и Pb, x SnxTe/PbTe (х<0,2) толщиной до 200 мкм. 8.

Нагревание ростовой композиции в гетеросистеме Pb-Sn-Te на конечном этапе формирования градиента температуры со скоростью, превышающей 0,15 К/с, приводит к спонтанной кристаллизации и деградации структуры.

Обогащение жидкой зоны висмутом (X1 bi~65 ат. %) при кристаллизации TP в системах Ga-Sb-Bi и Ga-P-Bi обеспечивает морфологическую стабильность межфазных границ.

При перекристаллизации антимонида галлия висмутсодержащими жидкими зонами формируются упругонапряженные (а"75 кг/см2). твердые растворы GaSbHa подложке GaSb.

Нелинейный характер спектральных характеристик трехкомпонентных гетероструктур допускает возможность идентификации вариаций состава методом искусственных нейронных сетей.

Практическая значимость.

1. В рамках разработанной эволюционной модели в трехкомпонентной гетерофазной системе получена зависимость критического волнового числа гармонического возмущения, превышение которого приводит к релаксации системы. Это позволяет оценить максимальные размеры линейной неоднородности ростовой поверхности, не нарушающие ее морфологическую стабильность. Выбор висмута в качестве основного компонента жидкой зоны позволяет также понизить чувствительность системы к различного рода возмущениям на гетерофазных поверхностях.

2. Представленные инженерные методики расчета гетерогенных равновесий позволяют проводить корректировку режимов эпитаксии и осуществлять оптимизацию технологического процесса получения полупроводниковых гетероструктур.

4.

5. 9.

3. В поле температурного градиента были получены упругонапряженные эпитаксиальные слои TP GaSb/GaSb, GaP/GaP, как варизонные, так и однородные по составу.

4. Разработаны рекомендации по технологии получения TP GaSb/GaSb, GaP/GaP и PbSnTe/PbTe с заданной топологией активной зоны.

5. На основе твердых растворов Pbi. xSnxTe/PbTe (х<0,2) разработана приборная структура, для которой наблюдался эффект изменения частоты.

1 2 2 генерации в пределах ЮОч-ЗООО с" при пороговых токах (15)х10 А/см .

Апробация работы.

Результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на Всероссийских конференциях с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Таганрог, 1999, 2000 гг), Международной научн.-техн. конференции «Новые материалы и технологии на рубеже веков» (Пенза, 2000 г.), Международной конференции «Оптика полупроводников» (Ульяновск, 1999 г.), Международной науч.-техн. конференции «Информационные технологии в моделировании и управлении» (Санкт-Петербург, 2000 г.), межвузовских научно-технических конференциях, а также на конференциях, совещаниях, семинарах лаборатории физики полупроводников ВИ ЮРГТУ и кафедры физики ЮРГТУ.

Публикации и вклад автора.

По результатам исследований опубликовано 11 печатных работ, в которых полностью изложены наиболее важные положения диссертации. Основные результаты работы получены автором самостоятельно.

Объем работы и ее структура.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов, содержит 180 страниц машинописного текста, 61 иллюстрацию, 12 таблиц. Библиография включает 121 наименование.

Основные результаты и выводы.

1. Определены критерии, разграничивающие области релаксации малых случайных возмущений фронта кристаллизации. Возможность использования квазилинейного приближения обусловлена структурными особенностями пересыщенных расплавов на основе висмута и свинца.

2. В поле температурного градиента были получены эпитаксиальные слои твердых растворов GaSbi. xx/GaSb с х<0,01 (Т=833.883 К) — GaP/GaP с содержанием висмута до 0,1 ат. % (Т=1253. 1323 К) и PbixSnxTe (Х<0,2) Т=753.813 К, как варизонные, так и однородные по составу.

3. На примере гетероструктуры PbSnTe/PbTe установлено, что при кристаллизации трехкомпонентных халькогенидов необходимо уменьшать скорость нагревания рабочей композиции до значений 0,15 К/с при Т>2/зТраб, при более интенсивном росте температуры происходит деградация подложки.

4. Показано что преобладание висмута в расплаве выступает фактором, стабилизирующим динамику межфазных границ, так как в силу значительного ковалентного радиуса его атомы упорядочивают перемещение атомов ростовых компонентов к подложке. Однако, при содержании висмута в жидкой зоне более 65% резко возрастает дефектность структуры, что обусловлено сложным поведением висмута в твердой фазе.

Показать весь текст

Список литературы

  1. В.Н., Лунин Л. С., Попов В. П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1987. — 232 с.
  2. А.Н. Нелинейные явления в процессе эволюции межфазных границ при зонной перекристаллизации в поле температурного градиента: Дисс.. канд. физ.-мат. наук. Новочеркасск, 1988. — 175 с.
  3. Электрорадиоматериалы. / Б. М. Тареев, Н. В. Короткова, В. М. Петров, А. А. Преображенский. М.: Выс. шк., 1978. — 336 с.
  4. Ю.М., Цветков В. Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов. -М.: Выс. шк., 1990. -423 с.
  5. Н.Н., Пасынков В. В., Тареев Б. М. Электротехнические материалы. Ленинград: Энергия, 1977. — 350 с.
  6. В.М., Долгинов Л. М., Третьяков Д. Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Сов. радио, 1975. — 328 с.
  7. В.Н., Лунин Л. С. Пятикомпонентные твердые растворы AniBv. Ростов-на-Дону: Изд-во Рост, ун-та, 1992. — 193 с.
  8. В.В., Соколов И. А., Кузнецов Г. Д. Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1982. -352 с.
  9. В.Н. Зонная плавка с градиентом температуры. М., 1972. -240 с.
  10. Свойства элементов: Справочник. ч.1 / Под ред. Г. В. Самсонова. М.: Металлургия, 1976. — 456 с.
  11. А.В., Середин Л. М. Получение кремниевых стабилизирующих162структур для ФЭП методом ЗПГТ // Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр. Новочеркасск: НПИ, 1991. — С. 130 134.
  12. В.Н., Константинова Г. С. Морфология фронта перекристаллизации пересекаемого границей зерна в условиях ЗПГТ // Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр. -Новочеркасск: НПИ, 1991. С. 104−109.
  13. С.Ю., Нефедов А. С., Юрьев А. В. Условие стационарности при зонной перекристаллизации градиентом температуры // Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр. Новочеркасск: Новочерк. гос. техн. ун-т, 1996. — С. 11−14.
  14. Lozovskii V.N., Ovcharenko A.N., Popov V.P. Liquid-Solid Interface Stability // Prog. Crystal Growth Charact. 1986. — V. 13 — P. 145.
  15. Lozovskii V.N., Popov V.P. Temperature Gradient Zone Melting // Prog. Crystal Growth Charact. 1983. — V. 6 — P. 1.
  16. Antony T.R., Cline Н.Е. The Stability of Migrating Droplets in Solid // ActaMet. 1973. — V.21. -P.117.
  17. Antony T.R., Cline H.E. Thermomigration of aluminum rich liquid droplets in163silicon //J. Appl. Phys. -1972. -V.43., № 11 P.4391−4401.
  18. B.H., Попов В. П. О стабильности фронта роста при кристаллизации методом движущегося растворителя // Кристаллография. -1970. Т.15, № 1. С.149−155.
  19. Antony T.R., Cline Н.Е. Interface Stability in Temperature Gradient-Zone Melting//Acta Met. 1973. — V.21. — P.541−553.
  20. В.Ю., Гармашов С. И. О кинетике процесса зонной перекристаллизации градиентом температуры при нестационарных тепловых условиях // Кристаллография. -1992.-Т.37, вып. 1. С. 34−42.
  21. В.Г., Паллий Н. Д. О влиянии нестационарных тепловых условий на кинетику и стабильность движенияжидких включений в кристаллах // Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр. Новочеркасск: НПИ, 1985. — С. 78−83.
  22. О.Г. Рост и морфология кристаллов. М.: МГУ, 1989. — 304 с.
  23. Lander J.S. Instabilities and Patten Formation in Crystal Growth // Rev. Mod. Phys.- 1980.-V. 52.-P. 1.
  24. Bhatt V.P., Pandya G.R., Vyas A.R. Study of Solid-Liquid Interface of Bismuth-Antimony Alloy Single Crystals // Indian J. Pure Appl. Phys. 1980. -V.I8. — P. 58.
  25. Jamgotchian H., Billia В., Cappella L. Morphology of Solidification Front During Unidirectional Growth of Pb-Tl Alloys // J. Cryst. Growth. 1983. — V. 64. — P. 338.164
  26. Coulet A.L. Interfacial Stability During the Growth of a Dilute Binary Alloy-Thermodynamical Approach // J. Cryst. Growth. 1982. — V. 60. — P. 381.
  27. Billia В., Ahbout H., Cappella L. Stable Cellular Growth of a Binary Alloy // J. Cryst. Growth. -1981. V.51. — P. 81.
  28. Venugopalan D., Kirkaldy J.S. Prediction of Configuration Parameters in Cellular Solidification of Succinonitrile-Salol // Scripta Met. 1982. — V. 16. -P. 1183.
  29. C.B., Фролов А. А., Гук В.Г. Ячеистый рост кристаллов FeGe2 // Кристаллография. 1984. — Т. 29, № 5. — С. 1014.
  30. Huang S.C., Glicksman М.Е. Fundamentals of Dendritic Solidification. -I Steady-State Tip Growth // Acta Met. 1981. — V. 29. — P. 701.
  31. Huang S.C., Glicksman M.E. Fundamentals of Dendritic Solidification. -II Development of Side-Branch Structure // Acta Met. -1981. V. 29. — P. 717.
  32. Langer J.S., Muller-Krumbhar H. Mode Selection in a Dendritelike Nonlinear System // Phys. Rev. A. 1983. — V. 27. — P. 499.
  33. Sekerka R.F., Coriell S.R., McFadden G.B. Stagnant film model of the effect of natural convection on the dendrite operating State // J. of Crystal Growth. -1995.-V. 154.-P. 370−376.
  34. McFadden G.B., Coriell S.R. The Effect of Fluid Flow Due to the Crystal-Melt Density Change on the Growth of a Parabolic Isotermal Dendrite // J. of Crystal Growth. 1986. — V. 74. — P. 507−512.
  35. Sekerka R.F., Coriell S.R., McFadden G.B. The effect of container size on the dendritic growth in microgravity // J. of Crystal Growth. 1997. — V. 171. -P. 303−306.
  36. Н.А., Полежаев В. И. Математическое моделирование конвекции и концентрационных полей при росте эпитаксиальных слоев // Математическое моделирование. Получение монокристаллов и полупроводниковых структур: Сб. ст. М.: Наука, 1986. — С. 101−112.
  37. Н.В., Овчаренко А. Н. Физическая и математическая модель метода ЗПГТ с учетом гидродинамических эффектов / Новочерк. гос. унт. Новочеркасск, 1998. — 20 с. — Деп. в ВИНИТИ 04.08.98, № 2513 В-98.
  38. A.M., Чарыков Н. А. Новый термодинамический метод расчета фазовых диаграмм двойных и тройных систем, содержащих In, Ga, As и Sb // Неорг. материалы. -1991. Т.27, № 2. С.225−230.166
  39. Р.Х., Сахарова Т. В., Тарасов А. В., Уфимцев В. Б. Эпитаксиальный рост InAsi-x-ySbxBiY на подложках из InSb из висмутовых растворов // Неорг. материалы. 1992. — Т.28, № 3. — С.502−506.
  40. Р., Паркер Р. Рост монокристаллов. М.: Мир, 1974. -540с.
  41. А. Методы возмущений. -М.: Мир, 1976. 456 с.
  42. Д.Е. Устойчивость плоского фронта кристаллизации // Докл. АН СССР. 1960. — Т.133. — С.174.
  43. Д.Р. Введение в теорию устойчивости движения. М.: Наука, 1976. — 320 с.
  44. Д. Устойчивость движения жидкости. М.: Мир, 1976. -456с.
  45. В., Секерка Р. Морфологическая устойчивость частицы, растущей за счет диффузии или теплоотвода // Проблемы роста кристаллов. -М.: Мир, 1968. -С. 89.
  46. В.Маллинз, Р.Секерка. Устойчивость плоской поверхности раздела фаз при кристаллизации разбавленного бинарного сплава // Проблемы роста кристаллов. -М.: Мир, 1968.-С. 106.
  47. A.M. Общая задача об устойчивости движения. М.: Ленгиз, 1950.-115 с.
  48. Delves R.T. Theory of Interface Stability // J. of Crystal Growth. Ed. Pamplin B.R. -1974., P. 40.
  49. Delves R.T. Interface Stability in Temperature Gradient-Zone Meting on Thermodynamic // Phys. Stat. Solid. -1967. -V.20, № 2. -P.639.
  50. P. Устойчивость поверхности раздела фаз при зонной плавке с градиентом температуры // Проблемы роста кристаллов. -М.: Мир, 1968. -С. 197.167
  51. В.Н., Попов В. П. О стабильности процесса зонной плавки с градиентом температуры // Кристаллография, — 1972. Т. 17, № 6. — С. 1232.
  52. А.А. Устойчивость плоского фронта роста при анизотропной поверхностной кинетике // Тез. докл. IV Всесоюз. совещ. По росту кристаллов. Ереван: Изд-во АН Арм. ССР, 1972. — С. 168.
  53. Wollkind D.J., Segel L.A. A Nonlinear Stability Analyses of Freezing of a Dilute Binary Alloy // Phil. Trans. Roy. Soc. -1970. V.268. -P. 351.
  54. Теория ветвления и нелинейные задачи на собственные значения. / Под ред. Дж.Б.Келлера, С.Антмана. М.: Мир, 1974. — 254 с.
  55. Д.Е. Об аналогии между устойчивостью фронта кристаллизации и устойчивостью метастабильной фазы // Кристаллография. 1972. — Т.17, № 6. — С. 1103.
  56. Sriranganathan R., Wollkind D.J., Oulton D.B. Nonlinear Stability Analyses of the Solidification a Dilute Binary Alloy in the Three-dimensional Caze // J. of Crystal Growth -1983. V.62. -P. 265.
  57. Wollkind D.J., Oulton D.B., Sriranganathan R. A Nonlinear Stability Analyses of a Model Equation for Alloy Solidification // J. Physique -1984.-V.45.-P. 505.
  58. Sivashinsky G.I. On Cellular Instability in the Solidification of a Dilute Binary Alloy // Physica -1983. -V.8D -P. 243.
  59. Langer J.S. Instabilities and Pattern Formation in Crystal Growth // Rev. Mod. Phys.-1980.-V.52. -P.l.
  60. Kerszberg M. Pattern Selection in Directional Solidification // Phys. Rev. B. -1983. V.28, № 1. — P.247.
  61. Ben-Jacob E., Goldenfeld N., Langer J.S., Schon G. Dynamics of Interfacial Pattern Formation//Phys.Rev.Let. 1983. — V.51, № 21. — P.1930.168
  62. Ben-Jacob E., Goldenfeld N., Langer J.S., Schon G. Boundary layer Model of Pattern Formation in Solidification // Phys.Rev.A. — 1984. — V.29, № 1. -P.330.
  63. Nara S., Haken H. An Approach Pattern Formation in Crystal Growth // J. Cryst. Growth. 1983. — V.63. -P.400.
  64. Smith J.B. Shape Instabilities and Pattern Formation in Solidification: A New Method for Numerical Solution of the Moving Boundary Problem // J. Comput. Phys. 1981.-V.39.-P.112.
  65. B.H., Кукоз В. Ф., Овчаренко A.H. Зонная перекристаллизация в поле температурного градиента в системе кремний-германий // Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр.. Новочеркасск: НПИ, 1989. — С.131−138.
  66. А.Н., Колесниченко А. И., Кукоз В. Ф. Морфологическая устойчивость плоских межфазных границ при выращивании кристаллов Si-Ge // Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр.. Новочеркасск: НПИ, 1991. — С.118−122.
  67. А.И., Юрьев В. А., Кукоз И. Ф. Экспериментальные исследования морфологической устойчивости межфазных границ в системе кремний-германий // Межвуз. сб. науч. тр. НГТУ. Новочеркасск: Новочерк. гос. техн. ун-т, 1993. — С.32−35.
  68. Л.С., Овчаренко А. Н., Кулинич Н. В. Эволюция межфазных границ в процессах перекристаллизации в поле температурного градиента // 17-ая Российская конференция по ЭМ'98: Тез. докл., 15−18 июня 1998 г. -Черноголовка, 1998. С. 175.
  69. Л.С., Кулинич В. И., Кулинич Н. В. Модель роста фрактальных объектов в процессе электрокристаллизации металлов // Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр. Новочеркасск: Набла, 1996.169- С.75−80.
  70. Н.В., Ревина С. В. Исследование обобщенной системы Лэнгфорда с косимметрией и без нее. / Рост. гос. ун-т -Ростов н/Д, 1996. -35 с.-Деп. В ВИНИТИ 17.01.96, № 198−8-96.
  71. Л.С., Овчаренко А. Н., Кулинич Н. В. Влияние конвекции на устойчивость межфазных границ в методе ЗПГТ // Юбилейный сб науч. тр. проф.-препод, состава науч. техн. конференции НГТУ, 14−18 апр. 1997 г. -Новочеркасск: НГТУ, 1997. С.7−8.
  72. B.C. Уравнения математической физики. М.: Наука, 1971.512 с.
  73. А.А. Процессы кристаллизации. Современная кристаллография. Т.З. М.: Наука, 1980. — С. 5.
  74. .Я. Теория кристаллизации в больших объемах. М.: Наука, 1975.-256 с.
  75. Р.П. Введение в вычислительную физику. М.: Изд-во Моск. физ.-техн. ин-та, 1994. 528 с.
  76. Справочник химика. / Б. П. Никольский, О. Н. Григоров, М. Е. Позин и др.170
  77. T.l. Ленинград: Изд-во хим. лит., 1963. — 1072 с.
  78. Справочник химика. / Б. П. Никольский, О. Н. Григоров, М. Е. Позин и др. Т.2. Ленинград: Изд-во хим. лит., 1963 — 1170 с.
  79. Физические величины: Справочник. / А. П. Бабичев, Н. А. Бабушкина, А. М. Братковский и др. Под ред. Григорьева И. С., Мейлихова Е. З. М.: Энергоатомиздат, 1991. 1232 с.
  80. Химическая энциклопедия. В 5 т. / И. Л. Кнунянц (гл. ред.) и др. М.: Сов. энцикл., 1988.
  81. А.А. Физические основы конструирования, технологии РЭА и микроэлектроники. М.: Радио и связь, 1981. — 248 с.
  82. В.В., Москвин П. П., Сорокин B.C. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов. -М.: Металлургия, 1991. 175 с.
  83. Расчет фазовых равновесий в многокомпонентных системах. / А. И. Казаков, В. А. Мокрицкий, В. Н. Романенко, Л.Хитова. М.: Металлургия, 1987. — 136 с.
  84. В.М. Теория изоструктурных фазовых переходов. Новочеркасск: НГТУ, 1995. 43 с.
  85. А.Г. Теория фазовых превращений и структура твердых растворов. М.: Наука, 1974. — 384 с.
  86. Onabe К. Thermodinamics of type Ai.xBxCi.yDy III-V qurternary solid solutions // J. Phis. Chem. Solids. 1982. — V.43, № 11, — Pp. 1071−1086.
  87. Г. Т., Крылов E.T. Особенности теплопроводности решетки халькогенидов свинца PbTe, PbSe, PbS // Физика твердого тела. 1983. -Т.25, № 12. — С.3713−3716.
  88. Д.Л.Алфимова. Исследование многокомпонентных висмутсодержащих171соединений АЗВ5 в поле температурного градиента. Дис.. канд. техн. наук. Новочеркасск, 2000, — 186с.
  89. И.Е., Шутов С. В., Кумоткина Т. Ф. Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия из раствора в расплаве висмута // Неорг. материалы. 1995. — Т. 31, N 12. — С.1520−1522.
  90. В.Г., Сидоров Д. В., Соколов В. И. Влияние внутренних механических напряжений на характеристики светодиодов из арсенида галлия // Физика и техника полупроводников 1998. — Т.32. № 11. — С. 1393−1398.
  91. И.И. О двойственной роли упругой энергии в спинодальном распаде твердых растворов // Физика материалов и металловедение. -1985.-Т. 60, Вып. 6.-С. 1139−1145.
  92. О.В., Моргун А. И. Изучение условий кристаллизации антимонида галлия в системе Ga-Sb-Bi // Журнал неорганической химии. 1985. — Т. ЗО, № 12. — С.3174−3176.
  93. В.Г., Моргун А. И., Уфимцев В. Б. Поведение висмута в172эпитаксиальных слоях GaSb // Изв. РАН. Неорганические материалы. 1993. — Т.29, N2. — С.177−180.
  94. Влияние условий эпитаксиального роста на характер твердого раствора, образующегося в слоях InSb / А. М. Квардаков, А. Э. Волошин, А. Вермке и др. // Неорган, материалы. -1991. Т.27. — № 3. — С.451−456.
  95. Р.Х., Сахарова Т. В., Жегалин В. А. Исследование условий формирования гетероструктур InAsi-xySbxBiy/InSb методом ЖФЭ // Неорган, материаллы. 1995. — Т. 31, № 11. — С. 1431 — 1436.
  96. Юб.Акчурин Р. Х., Сахарова Т. В., Тарасов А. В., Уфимцев В. Б. Эпитаксиальный рост InAsixySbxBiy на подложках из InSb из висмутовых растворов // Неорган, материалы. 1992. — Т.28, № 3. — С. 502 — 506.
  97. Р.Х., Акимов О. В. Тонкослойные упругонапряженные гетероструктуры InAsl-x-ySbxBiy/InSb: расчет некоторых физических параметров // Физика и техника полупроводников. 1995. — Т.29, вып. 2. -С. 362 -369.
  98. В.Г., Сидоров Д. В., Соколов В. И. Влияние внутренних механических напряжений на характеристики светодиодов из арсенида галлия // Физика и техника полупроводников. 1998. — Т. 32. № 11. — С. 1393−1398.
  99. С.С., Дашевский М. Я. Материаловедение полупроводников и металловедение. М.: Металлургия, 1973. 496 с.
  100. Т.И., Домако В. М. Особенности дефектообразования в эпитаксиальном арсениде галлия содержащем изовалентную примесь индия // Физика и техника полупроводников. 1989. — Т.23, № 4. — С. 626 630.173
  101. В.П., Отман Я. И., Челдышев В. В. Подавление «природных» акцепторов в GaSb путем изовалентного легирования висмутом // Физика и техника полупроводников. 1990. — Т.24, № 6. — С. 1095−1101.
  102. К. Материалы, используемые в полупроводниковых приборах. -М:. Мир, 1968. -350 с.
  103. А.И. Теория нейронных сетей. Кн.1. М.: Радиотехника, 2000. -415 с.
  104. А.Н. Представление непрерывных функций мпногих переменных суперпозицией функций одной переменной и сложением // Докл. АН СССР. -1957. Т. 114. — С. 953−956.
  105. Стаффорд. Многослойные обучающиеся схемы // Зарубежная радиоэлектроника. 1965. № 8. — С. 58−64.
  106. Ф. Принцыпы нейродинамики. М.: Мир, 1964. — 250 с.
  107. Chen S., Billings S.A., Grant P.M. Nonlinear system identification using neural networks // Int. Journal of Control. 1990. -Vol. 51. — Pp. 1215−1228.
  108. В., Lehr M.A. 30 years of adaptive neural networks: perceptron, madaline, and backpropagation // Proceedings of the IEEE. 1990. — Vol. 78, № 9.-Pp. 1415−1442.
  109. Kinjio H., Omatu S., Yamamoto Т., Tamaki S. Suboptimal control for nonlinear system using neural networks // Proc. Of 1st Asian Control Conference. -Tokyo, 1994. Pp. 551−554.
  110. Rumelhart D.E., Hinton G.E., Williams R.J. Learning Representations by Back-propagating Errors //Nature. 1986. — Vol. 323. — P. 533.
  111. Нейроуправление и его приложения. Кн. 2. / Под ред. А. И. Галушкина, В. А. Птичкина. М.: Радиотехника, 2000. — 271 с.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!