Особенности электрофизических свойств твердотельных структур при воздействии наносекундных импульсов электромагнитного излучения
Диссертация
В главе рассмотрен материал о сверхкоротких импульсах электромагнитного излучения (СКИ ЭМИ), представляющих собой последовательности импульсов с амплитудой ~ 103 В длительностью фронтов < 10'9с в диапазоне частот следования от 100 Гц до 1 МГц. Показано, что повторяющиеся ЭМИ с подобными параметрами обладают целым рядом специфических свойств, позволяющих их использовать для решения новых задач… Читать ещё >
Список литературы
- Стрюков Б. А. О некоторых закономерностях кинетики деградации полупроводниковых структур под воздействием мощных сверхвысокочастотных импульсов / Б. А. Стрюков, С. И. Ленчук // Радиотехника и электроника, 2000, № 7, -С. 887−892.
- Усанов Д. А. Возникновение S-образных участков на вольт-амперных характеристиках диодов с р-п-переходом под действием СВЧ-излучения / Д. А. Усанов, A.B. Скрипаль, Н. В. Угрюмова // ПЖТФ, 1999, — Т 25, № 1, -С. 42−44.
- Усанов Д. А. Отрицательное дифференциальное сопротивление туннельного диода, наведенное внешним СВЧ-сигналом / Д. А. Усанов,
- C.Б.Вениг, В. Е. Орлов // ПЖТФ, 1999, — Т 25, № 2, -С. 39−42.
- Усанов Д. А. Возникновение отрицательного сопротивления в структурах на основе р-п-перехода в СВЧ поле / Д. А. Усанов, A.B. Скрипаль, Н.В. Угрюмова//ФТП, -1998, -Т 32, № 11,-С. 1399−1402.
- Беляев А. А. Влияние сверхвысокочастотной обработки на электрофизические характеристики технически важных полупроводников и поверхностно-барьерных структур / A.A. Беляев, А. Е. Беляев, И. Б. Ермолович // ЖТФ, 1998, — Т 68, № 12, -С. 49−53.
- Антипин В.В. Влияние мощных импульсных микроволновых помех на полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы / В. В. Антипин, Д. В. Громов, В. А. Годовицын, А. О. Кожевников, A.A. Раваев // Зарубежная электронная техника, 1995, № 1, -С. 37−52.
- Camp М. Influence of the Technology on the Destruction Effects of Semiconductors by Impact of EMP and UWB Pulses / M. Camp, H. Garbe,
- D.Nitsch // IEEE EMC, 2002, P. 87−92.
- Camp M. Predicting the breakdown behaviour of microcontrollers under EMP/UWB impact using a statistical analysis / M. Camp, H. Gerth, and H. Haase // IEEE EMC, 2002, P. 368−379.
- Nitsch D. Susceptibility of some electronic equipment to HPEM threats / D. Nitsch, M. Camp, F. Sabath, J. Luiken, and H, Garbe // IEEE Transaction on electromagnetic compatibility, 2004, -V 46, № 3, -P. 380−388.
- Camp M. Influence of the Technology on the Destruction Effects of Semiconducters by Impact of EMP and UWB Pulses / M. Camp, H. Garbe, D. Nitsch // Technical reports of Munchen University, 2004.
- Herlemann H. Shielding of Electronic Systems against Transient Electromagnetic Interferences / H. Herlemann, S. Korte, M. Camp, H. Garbe, M. Koch, and F. Sabath // Advances in Radio Science, -2005, -V 3, -P. 131−135.
- Richardson R.E. Modeling of low- level rectification RFI in bipolar circuitry / R.E. Richardson // IEEE Transaction on electromagnetic compatibility, 1979, -V 21, № 4, -P. 307−311.
- Lertsirimit C. EMC coupling to a circuit board from a wire penetrating a cavity aperture / C. Lertsirimit, D.R. Jackson, D.R. Wilton, D. Erricolo, and H.Y. Yang // 2004 IEEE AP-s International Symposium Digest, 2004.
- Florig H.K. IEEE Spectrum, 1988, March. P.50−53
- Goldstein B.M., Stettner R. IEEE Trabs., 1979, v. NS-27, N 6. P. 50 065 011.
- Anderson W.T., Simons M., King E.E., Dietrich H.B., Lambert R.J. // IEEE Trans., 1982, VNS-29, № 6, -P. 1533−1538.
- Kocot C., Stolter C.A. // IEEE Trans., 1982, V ED-29, № 7, — P. 1059−1064.
- Барановский O.K. Увеличение частотного диапазона спектральной плотности шума кремниевых р-п-структур при облучении гамма-квантами / O.K. Барановский, П. В. Кучинский, В. М. Лутковский, А. П. Петрунин, Е. Д. Савенок // ФТП, 2001, -Т 35, № 3, -С. 352−356.
- Викулин Н.М. Физика полупроводниковых приборов / Н. М. Викулин, В. И. Стафеев ИМ.: Советское радио, -1980, С. 296.
- Wunsch D., Bell R. // IEEE Trans. 1968, V NS-15, № 6, -P. 244−259.
- Tasca D.M. // IEEE Trans. 1970, V NS-17, -P. 364−372.
- Christou A. Annual Proc. Reliab. Physics, 1980, P. 140−144.
- Anand Y. // Microwave Journ., March, 1979.
- Amdory R.A. / R.A. Amdory, V.G. Puglielly, R.E. Richardson // IEEE Trans., -1975, V EMC-17, № 4, -P. 216−225.
- Whalen J.J. // IEEE Trans., 1977, V EMC-19, № 2, — P. 49−56.
- Whalen J.J. // IEEE Trans, -1975, V EMC-17, № 1, P. 220−225.
- Larson C. E, Roe J.M. // IEEE Trans., 1979, V EMC-21, — P. 283−290.
- Диденко A.H. Моделирование воздействия СВЧ-излучения на диодные структуры / А. Н. Диденко, В. В. Шуренков // Техническая физика, 2001, № 4, -С. 16−19.
- Аблязимова Н.А. Электрические свойства кремниевого р-n перехода в сильных СВЧ полях / Н. А. Аблязимова // ФТП, 1988, Т 22, № 11, -С. 20 012 007.
- Николаевский И.Ф. Некоторые свойства кремниевых диодов, облученных электронами / И. Ф. Николаевский, В. В. Шуренков // ФТП, -1974, -Т 7, -С. 1509−1511.
- Jenkins C. R, Durgin D.L. // IEEE Trans, 1975, -V NS-22, № 6, — P. 24 042 409.
- Зи С. Технология СБИС / С. Зи // М.: Мир, 1986. -С. 405.
- Бормонтов Е.Н. Физика и метрология МДП-структур / Е. Н. Бормонтов // Воронеж, 1997. -С 184.
- Nicollian Е.Н. The Si-SiC^ interface electrical properties as determined be metal-insulator-silicon conductance technique / Nicollian E. H, Goetzberger A. // Bell Syst. Tech. Jour, -1967, -V 46, № 5, -P. 1055−1133.
- Bormontov E.N. Simulation of C-V curves of MIS structures with nonuniformly distributed surface potential / E.N. Bormontov, S.V. Lukin // Proc. Of the 5th International Conference on Simulation of Devices and Technologies, -1996, -P. 35−39.
- Bertoni H.L., Carin L., Felsen L.B. // Ultra Wideband, Short — Pulse Electromagnetics / Plenum Press, — 1993.
- Bertoni H.L. Ultra Wideband, Short — Pulse Electromagnetics 2 / H.L. Bertoni and L. B. Felsen // Plenum Press, New York, — 1995.
- Baum C.E. Ultra Wideband, Short — Pulse Electromagnetics 3 / C.E. Baum, L. Carin and A.P. Stone (eds.), Plenum Press, New York, 1997.
- Heyman E. Ultra Wideband, Short — Pulse Electromagnetics 4 / E. Heyman, B. Mandel-Baum, J. Shilon // Kluwer Academic Plenum Publishers, New York, -1999.
- Euroem 2000 (Euro Electromagnetics), Edinburg, Book of Abstracts.
- International Ultra Wideband Conference. Washington, D.C., September 2830,1999. Hosted by the UWB Working Group. 1999.
- Withington P. An Impulse Radio Communications System Ultra Wideband, Short — Pulse Electromagnetics / P. Withington, L.W. Fullerton // Plenum Press, -1993,-P. 113−120.
- Euroem 2004 (Euro Electromagnetics), Magdeburg, Book of Abstracts.
- Сахаров К.Ю. Излучатели электромагнитных импульсов и методы измерений их параметров / К. Ю. Сахаров // М., Московский государственный институт электроники и математики, — 2006, -С. 159.
- Иммореев И. Я. Сверхширокополосная локация: основные особенности и отличия от традиционной локации / И. Я. Иммореев // Электромагнитные волны и электронные системы, 1997, -Т 2, № 1, -С. 81−88.
- Финкелыптейн М.И. Подповерхностная радиолокация / М. И. Финкелыптейн // М.: Радио и связь, — 1994.
- М. Janoz М. Modelling and Simulation Methods to Asses EM Terrorism Effects / M. Janoz, H. Wipf // Proc. Of 13 Internat. Zurich Synposium and Technical Exhibition on EMC, 1999, -P. 191−194.
- Барсуков B.C. Комплексная защита от электромагнитного терроризма /
- B.C. Барсуков // Системы безопасности связи и телекоммуникаций, 2000, № 32, — С. 94−98.
- Лобарев В. Электромагнитный терроризм угроза XXI века / В. Лобарев, Ю. Парфенов, В. Фортов // Известия, — 1999, 20 янв., — С. 7.
- Рукин С. Н. Генераторы мощных наносекундных импульсов с полупроводниковыми прерывателями тока / С. Н. Рукин // ПТЭ, 1999, № 4,1. C. 5−36.
- Карауш А. С. Генератор излучатель наносекундных импульсов для систем видеоимпульсной подповерхностной радиолокации / A.C. Карауш, С. П. Лукьянов, В. Е. Семенчук, Р. В. Потемин // Электронная промышленность, — 1998, № 1, № 2, -С. 93−95.
- Шпак В. Г., Яландин М. И., Шунайлов С. А. и др. // Доклады РАН, -1999, № 1,-С. 50−53.
- Лайнс М. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / М. Лайнс, А. Глас. // -М.: Мир, -1981, -С. 736.
- Терехов В.А. Воздействие импульсного электромагнитного излучения наносекундного диапазона на полупроводниковые материалы и структуры / В. А. Терехов, Е. А. Тутов, А. Н. Манько, Э. П. Домашевская // Конд. Среды и межфазн. границы, 2001, -Т 3, № 1, -С. 86−90.
- Ландау Л. Д. Электродинамика сплошных сред : Учебное пособие для студ. физ. специальностей ун-тов / Л. Д. Ландау и Е.М. Лифшиц// -М.: «Наука», -1982, -С. 620.
- Аваев H.A. Основы микроэлектроники: Учебное пособие для вузов / H.A. Аваев, Ю. Е. Наумов, В. Т. Фролкин // -М.: «Радио и связь», -1991, -С. 288.
- Рудяк В.М. Эффект Баркгаузена / В. М. Рудяк // УФН, 1970, Т 101, -С. 429.
- Рудяк В.М. // ИАН 45,1586 (1981).
- Сидоркин A.C. Доменная структура в сегнетоэлектриках и родственных материалах / A.C. Сидоркин // -М.: «Физматлит», 2000, -С. 240.