Сканирующая зондовая микроскопия радиационных эффектов на поверхности графита и кремния
Диссертация
Наиболее устойчивой модификацией чистого углерода в условиях земной коры является графит — минерал с гексагональной кристаллической слоистой решеткой. В слоях решетки атомы С располагаются в узлах гексагональных ячеек и отстоят друг от друга на расстоянии 1,42 А. Расстояние между слоями — 3,55 А. Связь между атомами С в одном слое — прочная, ковалентного типа, между слоями — слабая… Читать ещё >
Список литературы
- В. Гончаров, Н. С. Бурдаков, Ю. С. Виргильев, В. И. Карпухин, П. А. Платонов. Действие облучения на графит ядерных реакторов. М., «Атомиздат», 1978, 272 с.
- Материаловедение и проблемы энергетики. Под ред. Г. Либовица и М.Уиттингэма. М., «Мир», 1982, с.153−156, с. 313−366.
- А.А. Дроздовский, А. А. Коломиец, A.M. Козодаев, Т. Е. Третьякова. Способ уменьшения радиоактивности сильноточных ускорителей. Труды Международной конференции по электроядерным системам в перспективной ядерной энергетике, М., ИТЭФ, 1999, с. 254.
- S. Iijima. «Helical microtubules of graphitic carbon», Nature, 1991, v.354, p.56.
- П.Н. Дьячков. Углеродные нанотрубки материалы для компьютеров XXI века. «Природа», 2000, № 10, с. 97.
- M.S. Dresselhaus, G. Dresselhaus and P. Avouris. «Carbon Nanotubes: Synthesis, Structure, Properties, and Applications». Springer-Verlag, 2001, 464c.
- L.P. Biro, G.I. Mark, J. Gyulai, N. Rozlosnik, J. Kurti, B. Szabo, L. Frey, H. Ryssel. Scanning probe method investigation of carbon nanotubes produced by high energy ion irradiation of graphite. Carbon, 1999, v. 37, p. 739−744.
- L.P. Biro, B. Szabo, G.I. Mark, J. Gyulai, K. Havancsak, J. Kurti, A. Dunlop, L. Frey, H. Ryssel. Carbon nanotubes produced by high energy (E>100 MeV), heavy ion irradiation of graphite. Nucl. Instr. and Meth. B. 1999, v. 148, p. 1102−1105.
- L.P. Biro, G.I. Mark, J. Gyulai, K. Havancsak, S. Lipp, Ch. Lehrer, L. Frey, H. Ryssel. AFM and STM investigation of carbon nanotubes produced by high energy ion irradiation of graphite. Nucl. Instr. and Meth. B. 1998, v. 147, p. 142−147.
- H.K. Wickramasinghe. Progress in scanning probe microscopy. Acta mater. 2000, v. 48, p. 347−358.
- Большая советская энциклопедия. M., «Советская энциклопедия», 1972, т. 13, с. 1124.
- Silicon-On-Insulator Technology. -MRS Bulletin, 1998, v.23, № 12.13
- M.O. Попов. «Исследование автоэмиссионных и радиационных свойств углеродных материалов и возможности их применения в катодах люминесцентных источников света», кандидатская диссертация. М.: ГУП ГНЦ РФ ИТЭФ, 2000.
- М. Праттон. Введение в физику поверхности. Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика», 2000, 256 с.
- Д. Вудраф, Т. Делчар. Современные методы исследования поверхности. М., «Мир», 1989, 564с.
- Методы анализа поверхностей. Под ред. А.Зандерны. М., «Мир», 1979.
- М.И. Рязанов, И. С. Тилинин. Исследование поверхности по обратному рассеянию частиц. М., «Энергоатомиздат», 1985, 152 с.
- Советский энциклопедический словарь. М., «Советская энциклопедия», 1982, с. 1251.
- И. Урсу. Физика и технология ядерных материалов. М., «Энергоатомиздат», 1988,480 с. on
- Б.А. Калин, Д. М. Скоров, B. JL Якушин. Проблемы выбора материалов для термоядерных реакторов. М.: «Энергоатомиздат», 1985,184 с.
- В.М. Лебедев. Ядерная энергетика. Радиоактивные отходы и обеспечение безопасности. Обнинск, издательство ГЦИПК, 1998, с. 4, 73.
- А.Х. Касымов. Поверхностные свойства твердых тел, легированных ионной бомбардировкой. Ташкент, «ФАН», 1987, 104 с.
- У.А. Арифов, A.A. Алиев. Угловые закономерности взаимодействия атомных частиц с твердым телом. Ташкент, «ФАН», 1974, 286 с.
- A.JI. Суворов. Дефекты кристаллической и электронной структуры материалов. М., «МИЭМ», 1988, 80 с.
- Д. Хирт, И. Лоте. Теория дислокаций. М., «Атомиздат», 1972, 600 с.26
- В.Г. Бару, Ф. Ф. Волькенштейн. Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников. М., «Наука», 1978, 288 с.
- A.A. Ботаки, A.A. Воробьев, В. Л. Ульянов. Радиационная физика ионных кристаллов. М.: «Атомиздат», 1980, 280 с.
- В.А. Ивченко, H.H. Сюткин, Л. Ю. Кузнецова. Эффект аморфизации в приповерхностных объемах ионно-имплантированных сплавов. Письма в ЖТФ, 2000, т. 26, вып. 13, с. 5−10.29
- Г. А. Качурин. Стимулированная облучением твердофазная кристаллизация слоев аморфного кремния. Микроэлектроника, 1994, т. 23, вып. 6, с. 83.
- В.А. Тележкин. Теория радиационных дефектов в полупроводниках. Киев,
- Наукова думка", 1988, 132 с.11
- B.C. Вавилов, Н. П. Кекелидзе, Л. С. Смирнов. Действие излучений на полупроводники. М., «Наука», 1988,192 с.
- М.И. Гусева, Ю. В. Мартыненко. Радиационный блистеринг. УФН, 1981, т. 135, вып. 4, с. 672−691.33
- Н.В. Плешивцев, А. И. Бажин. Физика воздействия ионных пучков на материалы. М., «Вузовская книга», 1998.
- В.Ф. Реутов. Ш. Ш. Ибрагимов. Авторское свидетельство № 1 282 757 от 30.12.83. СССР. Способ изготовления плоских пластин кремния.
- Д.В. Вялых, С. И. Федосеенко. Исследование микротопографии поверхностей SIO2 и Si межфазной границы Si/Si02 в структурах SIMOX методом сканирующей туннельной микроскопии. ФТП, 1999, т. 33, вып. 6, с. 708−711.37
- В.П. Попов. Создание КНИ-структур для ультра больших интегральных схем. Известия ВУЗов: Электроника, 1998, № 5, с. 22.
- M. Bruel. Electronics Letters 1995, v. 31(14), p. 1201−1202.
- M. Bruel. Application of hydrogen ion beams to Silicon On Insulator material technology. Nucl. Instr. and Meth. B. 1996, v. 108, p. 313−319.
- В.П. Попов, Я. Бак-Мисюк, В. Ф. Стась, A.K. Гутаковский, А. И. Антонова. Механизм блистеринга в облученных водородом слоях кремния. 3-й
- Международный уральский семинар «Радиационная физика металлов и сплавов». Тезисы докладов. Снежинск, 1999, с. 78−79.
- М.И. Маковейчук, Е. О. Паршин. SIMOX/SOI Технология: состояние и перспективы. Труды VIII Межнационального совещания «Радиационная физика твердого тела», 1998, с. 427−431.
- М.А. Kozodaev, O.N. Makeev, A.L. Suvorov. STM analyses of surface phenomena in Si (100) under proton irradiation. Ultramicroscopy, 2000, v. 82, p. 111−117.
- М.И. Елинсон, Г. Ф. Васильев. Автоэлектронная эмиссия. М.:"Физматгиз", 1958.
- A.JI. Суворов, А. Ф. Бобков, С. З. Зайцев, М. О. Попов, Е. Н. Скороходов, Е. В. Давыдов. Катодолюминесцентные, высокоэффективные, экологически чистые источники света на основе автоэлектронной эмиссии материалов. Препринт ИТЭФ № 25−98, М.: 1998, 54 с.
- Kenneth A. Dean, Babu R. Chalamala. Curent saturation mechanisms in carbon nanotube field emitters. Appl. Phis. Let. 2000, v. 76, № 3, p. 375−377.
- M. Борн, Э. Вольф. Основы оптики. М.: Наука, 1973.
- Э. Руска. Развитие электронного микроскопа и электронной микроскопии -Нобелевские лекции по физике. УФН, 1988, т. 154, вып.2, с. 243.
- G. Binning, Н. Rohrer, Ch. Gerber, Е. Weibel. Physica. Ser. В, 1982, v. 109−110, p. 2075.
- E.W. Muller. Z. Physik, 1951, v.131, p. 136.
- Л.Д. Ландау, E.M. Лифшиц. Квантовая механика, M., «Наука», 1972.
- А.С. Давыдов."Квантовая механика. «Наука», М., 1973, 704 с.
- Туннельные явления в твердых телах. Под редакцией Э. Бурштейна и С.Лундквиста. М., «Мир», 1973,424 с.
- Д.И. Блохинцев."Основы квантовой механики. М., «ВШ», 1963.
- В.Ф. Елесин, А. В. Крашенинников, Л. А. Опенов, А. Л. Суворов. М.: Препринт ИТЭФ 1999 № 25.
- G.A.D. Briggs, A.J. Fisher. STM experiment and atomistic modelling hand in hand: individual molecules on semiconductor surfaces. Surf. Sci. Rep., 1999, v. 33, p. 1−81.
- E.W. Muller, Adv. Electron. Electron Phys., 1960, v. 13, p. 83.
- R. Vanselow, W.A. Schmidt, Z. Naturforsch. A, 1966, v. 21, p. 1960.
- E.W. Muller, J.A. Panitz, S.B. McLane, Rev. Sci. Instrum., 1968, v. 39, p. 83.
- R.J. Walko, E. W Muller, Phys. Stat. Sol. A, 1972, v. 9, p. K9.
- А.Л. Суворов. Автоионная микроскопия радиационных дефектов в металлах. М., «Энергоатомиздат», 1982.
- D.N. Seidman, Surf. Sci., 1978, v.70, p.532.
- K.M. Bowkett, D.A. Smith. Field-ion Microscopy. North Holland, Amsterdam, 1970.
- M.K. Miller, J.A. Horton, J. De Physique, 1987, v. 48-C6, p. 379.
- А.Л. Суворов, T.C. Голубева, C.B. Зайцев, А. Ф. Бобков. Поверхность, 1988, № 11, с. 48.
- A.L. Suvorov, T.L. Razinkova, A.G. Sokolov. Computers in Field Ion Microscopy. Phys. Stat. Sol. (A), 1980, v. 61, p. 11−52.
- A.JI. Суворов. ПТЭ, 1969, № 5, с. 5.
- А.Л. Суворов. Микроскопия в науке и технике. М., «Наука», 1980.
- А.Л. Суворов. Структура и свойства поверхностных атомных слоев металлов. М., «Энергоатомиздат», 1990, 296 с.70
- М. Миллер, Д. Смит. «Зондовый анализ в автоионной микроскопии» под ред. А. Л. Суворова. М., «Мир», 1993, 304 с.71
- R. Neumann. Scanning probe microscopy of ion-irradiated materials. Nucl. Instr. and Meth. B, 1999, v. 151 p. 42−55.72
- J.B. Malherbe, R.Q. Odendaal. Ion sputtering, surface topography, SPM and surface analysis of electronic materials. Appl. Surf. Sci., 1999, v. 144−145, p. 192−200.
- L. Porte, M. Phaner, C.H. de Villeneuve, N. Moncoffre, J. Tousset. Scanning tunneling microscopy study of single-ion impacts on graphite surface. Nucl. Instr. and Meth. B, 1989, v. 44, p. 116−119.
- L. Porte, C.H. de Villeneuve, M. Phaner. STM-observation of local damages induced by ion implantation on graphite surface. J. Vac. Sci. Technol. B, 1991, v. 9(2), p. 1064−67.
- Yasunori Koga, Yasumichi Miyazaki and Nobuyuki Nakagiri. STM Study of the Effects of Etching on the Surface of Kish-Graphite. Japanese J. Appl. Phys., 1988, v. Surf. Sci. Letters 27, p. L976-L978.76
- W. Boise, K. Reimann, U. Geyer, K.P. Lieb. Surface and sub-surface defects on graphite after single ion impact studied with STM Nucl. Instr. and Meth. B, 1996, v. Surf. Sci. Letters 118, p. 488−492.77 • •
- Biro L.P., Gyulai J., Havancsak K. Scanning-tunneling-microscopy investigation of 215-MeV Ne-irradiated graphite surface. Phys. Rev. B, 1995, v. 52, № 3, p. 2047−2053.78
- P. Biro, J. Gyulai, K. Havancsak. Atomic scale investigation of surface modification induced by 215 MeV Ne irradiation on graphite. Nucl. Instr. and Meth. B, 1996, v. 112, p. 270−274.7Q
- G.M. Shedd and P.E. Russel. The effects of low-energy ion impacts on graphite observed by scanning tunneling microscopy. J.Vac. Sci. Technol. A., 1991, v. 9 (3), p. 1261−1264.
- R. Coratger, A. Claveria, A. Chahboun, V. Landry, F. Ajustron, J.Beauvillain. Effects of ion mass and energy on the damage induced by an ion beam on graphite surfaces: a scanning tunneling microscopy study. Surf. Sci., 1992, v. 262, p. 208−218.
- R. Coratger, A. Chahboun, V. Sivel, F. Ajustron and J. Beauvillain. Scanning tunneling microscopy of the damage induced by ion bombardment on a graphite surface. Ultramicroscopy, 1992, v. 42−44, c. 653−659.
- А.Ю. Дидык, C.B. Латышев, В. К. Семина, А. Э. Степанов, А. Л. Суворов, А. С. Федотов, Ю. Н. Чеблуков. Исследование воздействия ионов криптона с энергией
- MeV на высокоориентированный пиролитический графит. Письма в ЖТФ, 2000, т. 26, вып. 17, с. 1−5.
- P.I.Oden, T. Thundat, L.A.Nagahara. et al. Surf. Sci. Lett., 1991, v. 254, p.454−459.
- Д.В. Куликов, A.JI. Суворов, P.A. Сурис, Ю. В. Трушин, B.C. Харламов. Физическая модель формирования периодической структуры на поверхности пиролитического графита при высокоэнергетическом ионном облучении. Письма в ЖТФ, 1997, т. 23, № 14, с. 89−93.
- L.P. Biro, J. Gyulai, К. Havancsak, A. Yu. Didyk, L. Frey, H. Ryssel. In-depth damage distribution by scanning probe methods in targets irradiated with 200 MeV ions. Nucl. Instr. and Meth. B, 1997, v. 127/128, p. 32−37.527
- P. Biro, J. Gyulai, K. Havancsak, A. Yu. Didyk, S. Bogen, L. Frey, H. Ryssel. New method based on atomic force microscopy for in-depth characterization of damage in Si irradiated with 209 MeV Kr. Nucl. Instr. and Meth. B, 1997, v. 122, p. 559−562.on
- J.R. Hahn, H. Kang., S. Song, I.C. Jeon. Observation of charge enhancement induced by graphite atomic vacancy: A comparative STM and AFM study. Phys. Rev. B, 1996, v. 53, № 4, p. R1725-R1728.
- K. Nordlund, J. Keinonen, T. Mattila. Formation of Ion Irradiation Induced Small-Scale Defects on Graphite Surfaces. Phys. Rev. Lett., 1996, v. 77, № 4, p. 699−702.
- H. Ogiso, W. Mizutani, S. Nakano, H. Tokumoto, K. Yamanaka. Lattice disorder and density of states change of graphite surface by single ion impact. Appl. Phys. A, 1998, v. 66, p. S1155-S1158.
- T. Matsukawa, S. Suzuki, T. Fukai, T. Tanaka, I. Ohdomari. STM observation of «craters» on graphite surface induced by single ion implantation. Appl. Surf. Sci., 1996, v. 107, p. 227−232.
- D. Marton, H. Bu, K.J. Boyd, S.S. Todorov, A.H. Al-Bayati, J.W. Rabalais. On the defect structure due to low energy ion bombardment of graphite. Surf. Sci. Lett., 1995, v. 326, p. L489−493.
- K. P. Reimann, W. Boise, U. Geyer and K. P. Lieb. Atomically Resolved Imaging of the Defect Structure on Graphite After Oblique Single-Ion Impact. Europhys. Lett., 1995, v. 30 (8), p. 463−468.
- V.F. Elesin, L.A. Openov. Clusters of interstitial carbon atoms near the graphite surface as a possible origin of dome-like features observed by scanning tunneling microscopy. Surf. Sci., 1999, v. 442, p. 131−140.
- S. Habenicht, K.P. Lieb, W. Boise, U. Geyer, F. Roccaforte, C. Ronning. Ion beam erosion of graphite surfaces studied by STM: Ripples, self-affine roughenning and near-surface damage accumulation. Nucl. Instr. and Meth. B, 2000, v. 161−163, p. 958−962.
- Elliot A. Eklund, Eric J. Snyder, R. Stanley Williams. Correlation from randomness: quantitative analysis of ion-etched graphite surfaces using the scanning tunneling microscopy. Surf. Sci., 1993, v. 285, p. 157−180.
- Elliot A. Eklund, R. Bruinsma, J. Rudnick, R. Stanley Williams. Submicron-Scale Surface Roughening Induced by Ion Bombardment. Phys. Rev. Lett., 1991, v. 67, № 13, p. 1759−1762.
- E. Bourelle, H. Konno, M. Inagaki. Structural defects created on natural graphite surface by slight treatment of oxygen plasma. STM observations. Carbon, 1999, v. 37, p. 2041−2048.
- H. Kemmer, S. Grafstrom, M. Neitzert, M. Wortge, R. Neumann, C. Trautmann, J. Vetter, N. Angert. Scanning tunneling microscopy of surface modifications induced by UNILAC heavy-ion irradiation. Ultramicroscopy, 1992, v. 42−44, p. 1345.
- Hong-Xing You, Norman M.N. Brown and Khalid F. Al-Assadi. The surface modification using argon radio-frequency plasmas of highly oriented pyrolytic graphite: a scanning tunneling microscopy study. Surf. Sci., 1992, v. 279, p. 189−198.
- Kazushi Hayashi, Sadanori Yamanaka, Hideyuki Watanabe, Takashi Sekiguchi, Hideyo Okushi, Koji Kajimura. Atomic force microscopy study of atomically flat (001) diamond surfaces treated with hydrogen plasma. Appl. Surf. Sci., 1998, v. 125, p. 120−124.
- A.JI. Суворов, Ю. Н. Чеблуков, H.E. Лазарев, А. Ф. Бобков, М. О. Попов, В. П. Бабаев. Исследование поверхностных и объемных дефектов в углероде и кремнии методами автоионной и сканирующей туннельной микроскопии. ЖТФ, 2000, т. 70, вып. 3, с. 56−61.
- R.M. Feenstra and G.S. Oehrlein. Surface morphology of oxidized and ion-etched silicon by scanning tunneling microscopy. Appl. Phys. Lett., 1985, v. 47, № 2, p. 97−99.
- R.M. Feenstra and G.S. Oehrlein. Summary Abstract: Surface morphology of oxidized and ion-etched silicon by scanning tunneling microscopy. J. Vac. Sci. Technol B, 1985, v. 3(4), p. 1136−1137.
- I.H. Wilson, N.J. Zheng, U. Knipping, I.S.T. Tsong. Effects of isolated atomic collision cascades on Si02/Si interfaces studied by scanning tunneling microscopy. Phys. Rev. B, 1988, v. 38, № 12, p. 8444−8450.
- I.H. Wilson, N.J. Zheng, U. Knipping, I.S.T. Tsong. Scanning tunneling microscopy of ion impacts on semiconductor surfaces. J. Vac. Sci. Technol. A, 1989, v. 7, № 4, p. 2840−2844.1
- T.K.S. Wong and I.H. Wilson. Surface morphology of arsenic implanted silicon dioxide observed by atomic force microscopy. Nucl. Instr. and Meth. B, 1994, v. 91, p.639−643.
- H.J.W. Zandvliet, H.B. Elswijk, E.J. van Loenen, I.S.T. Tsong. Scanning tunneling microscopy and spectroscopy of ion-bombardment Si (lll) and Si (100) surfaces. Phys. Rev. B, 1992, v.46, № 12, p. 7581−7587.
- H. Feil, H.J.W. Zandvliet, M.-H. Tsai, John D. Dow, I.S.T. Tsong. Random and Ordered Defects on Ion-Bombarded Si (100)-(2xl) Surfaces. Phys. Rev. Lett., 1992, v. 69, № 21, p. 3076−3079.
- Pascal Brault, Philippe Dumas and Franck Salvan. Roughness scaling of plasma-etched silicon surfaces. J. Phys.: Condens. Matter, 1998, v. 10, p. L27-L32.
- Kenji Kimura, Akira Fukui, Kaoru Nakajima, Michi-hiko Mannami. Preparation ofsmooth Si (0 01) surfaces by glancing angle sputtering. Nucl. Instr. and Meth. B, 1999, v. 148, p. 149−153. 1 11
- G. Gottschalk, Th. Fries, C. Becker and K. Wandelt. Topography of sputtered Si (100) surfaces studied by STM in air. Ultramicroscopy, 1992, v. 42−44, p. 1376−1380.1 1 o
- P. Bedrossian. Generation and healing of low-energy ion-induced defects on Si (100)-2×1. Surf. Sci, 1994, v. 301, p. 223−232 191
- P. Bedrossian and T. Klitsner. Anisotropic Vacancy Kinetics and Single-Domain Stabilization on Si (100)-2xl. Phys. Rev. Lett, 1992, v. 68, № 5, p. 646−649.1 -«yj
- P. Bedrossian and T.Klitsner. Surface reconstruction in layer-by layer sputtering of Si (l 11). Phys. Rev. B, 1991, v. 44, № 24, p. 13 783−13 786.
- T. Osipowicz, J.A. van Kan, T.C. Sum, J.L. Sanchez, F.Watt. The use of proton microbeams for the production of microcomponents. Nucl. Instr. and Meth. B, 2000, v. 161−163, p. 83−89.
- R. Coratger, A. Claverie, F. Ajustron and J. Beauvillain. Scanning tunneling microscopy of defects induced by carbon bombardment on graphite surfaces. Surf. Sci, 1990, v. 227, p. 7−14.
- T. Li, B.V. King, R.J. MacDonald, G.F. Cotteril, D.J. O’Connor, Q. Yang. A STM study of the effects of the ion incident angle and energy on surface damage induced by Ar+ bombardment ofHOPG. Surf. Sci, 1994, v. 312, p. 399−410.1 JS
- Gupta B. K, Juntingb J, Jensen U. M, Pedersen G. N, Sorensen G. Ion-induced modification of graphite coatings. Appl. Phys. Lett, 1992, v. 61, № 10, p. 1177−1179.127 •
- Andrienko and D. Haneman. Surface structures on cleaved silicon by scanningtunnelling microscopy. J. Phys.: Condens. Matter, 1999, v. 11, p. 8437−8444.128
- О. Shvedov et al. «1ТЕР Subcritical Neutron Generator Driven by Charged Particle Accelerator». Proc. of the Intern. Conf. on Acceleration-Driven Transmut. Technologiesand Applications. Las Vegas, 1994, p. 425. j-ji
- В.А. Баталии и др. Линейный ускоритель протонов «И-2» на энергию 25 МэВ. ПТЭ, 1967, № 5, с. 9−12.1 то
- N.V. Lazarev et al. 30 years Operation of 25 MeV Proton Linac 1−2 in ITEP at Beam current of 200−230 mA. -Proc. of the 1996 Intern. Linac Conf. (LINAC-96), 1996, p. 542−544.
- B.C. Дьянков, В. П. Королев, А. И. Кормилитцин и др. Обзор ARSRITP экспериментальных устройств для радиационных исследований. Физика металлов и металловедение, 1996, т. 81, ч. 2, с. 245.
- В.Т. Казазян, Б. А. Литвиненко, Л. П. Рогинетс, И. А. Савушкин. Физические основы использования кинетической энергии осколков деления в радиационной химии. Минск, «Наука и техника», 1972.
- С.В. Латышев, Ю. Н. Чеблуков. ЖТФ, 1998, т. 68, вып. 11, с. 27−31.138
- M. Томпсон. Дефекты и радиационные повреждения в металлах. М.: «Мир», 1971, с. 117.
- В.В. Mandelbrot. Fractals: Form, Chance and Dimension. San Francisco, «Freeman», 1977.
- Х.-О. Пайтген, П. Х. Рихтер. Красота фракталов. Образы комплексных динамических систем: пер. с англ. -М.: Мир, 1993, 176 е.
- В.В. Mandelbrot. The Fractal Geometry of Nature. San Francisco, «Freeman», 1982.
- E. Федер. Фракталы. M.: Мир, 1991, 260 с.
- Фракталы в физике. -Труды VI международного симпозиума по фракталам в физике (МЦТФ, Триест, Италия, 1985): пер. с англ. -М.:Мир, 1988, -670с.
- Б.М. Смирнов. Фрактальные кластеры. УФН, 1986, т. 149, вып. 2., с. 177−219.
- Р. Жюльен. Фрактальные агрегаты. УФН, 1989, т. 157, вып. 2, с. 339−357.
- И.М. Соколов. Размерности и другие геометрические критические показатели в теории протекания. УФН, 1986, т. 150, вып. 2., с. 221−255.150 j vicsek. Fractal Growth Phenomena. World Scientific, Singapore, 1989.
- Petre Constantin, Itamar Procaccia, K.R. Sreenivasan. Fractal Geometry of Isoscalar Surfaces in Turbulence: Theory and Experiments. Phys. Rev. Lett., 1991, v. 67, № 13, p. 1739−1742.1 fO ¦
- Felix Hausdorff, Dimension und Ausseres Mass, Mathematische Annalen, 1919, v. 79, p. 157−179.
- P.M. Кроновер P.M. Фракталы и хаос в динамических системах. М., «Постмаркет», 2000, 352с.
- A.B. Нейнмарк A.B. Определение поверхностной фрактальной размерности по данным адсорбционного эксперимента. Журнал Физ. Хим. 1990, т. 64, вып. 10, с. 2593−2605.
- H.D. Bale, P.W. Schmidt. Phys. Rev. Lett, 1984, v. 53, p. 596.
- H.J. Stapleton, J.P. Allen, C.P. Flynn, D.G. Stinson, S.R. Kurtz. Phys. Rev. Lett, 1980, v. 45, p. 1456.
- L.D. Dillon, R.E. Rapp, O.E. Vilches. J. Low Temp. Phys, 1985, v. 59, p. 35.158
- К. Цаллис. Об измерении фрактальных размерностей по физическим свойствам. Труды VI международного симпозиума по фракталам в физике (МЦТФ, Триест, Италия, 1985) пер. с англ. М.: «Мир», 1988.
- J.J. Mecholsky, T.J. Mackin, and D.E. Passoja. Adv. Ceram, 1988, v. 22, p. 127.
- В.Д. Шабетник, Д. В. Шабетник, П. В. Шабетник. Фрактальная физика. «Физ. Мысль России», 2000, № 2, с. 91−103.161 ГОСТ 2789–73.162
- Н.Б. Демкин. Контактирование шероховатых поверхностей. М, «Наука», 1970.
- B.C. Лукьянов. Прогресс и новые задачи развития метрологии качества обработанных поверхностей. -Доклад на симпозиуме «Развитие высокоточных методов контроля качества обработанных поверхностей», М, ВНИИМС, 1987,17с.
- В.В. Mandelbrot, D.E. Passoja, A.J. Paullay. Fractal character of fracture surfaces of metals. Nature, 1984, v. 308, p. 721−722.
- D. Avnir, D. Farin, P. Pfeifer. Molecular fractal surfaces. Nature, 1984, v. 308, p. 261−263.167 p pfeifer5 d Avnir, D. Farin. Ideally irregular surfaces, of dimension greater than two, in theory and practice. Surf. Sci., 1983, v. 126, p. 569−572.
- M.B. Ерофеев, Б. А. Калин, B.A. Моисеев. Фрактальная размерность откольного разрушения алюминия при наносекундной длительности нагружающего импульса. Письма в ЖТФ, 1993, т. 19, № 10, с.14−17.
- S.T. Huntington, P. Mulvaney, A. Roberts, К.A. Nugent, М. Bazylenko. Atomic Force microscopy for the determination of refractive index profiles of optical fibers and waveguides: A quantitative study. J. Appl. Phys., 1997, v. 82 (6), p. 2730−2734.
- D.R. Denley. Scanning tunneling microscopy of rough surfaces. J. Vac. Sci. Technol. A, 1990, v. 8(1), p. 603−607.171 •
- Morgan W. Mitchell, Dawn A. Bonnell. Quantitative topographic analysis of fractal surfaces by scanning tunneling microscopy. J. Mater. Res., 1990, v.5, № 5, p.2244−2254.
- J. Krim, I. Heyvaert, C. Vanhasendonck, and Y. Bruynseraede. Scanning Tunneling Microscopy Observation of Self-Affme Fractal Roughness in Ion-Bombarded Film Surfaces. Phys. Rev. Lett., 1993, v. 70, № 1, p. 57−60.
- S. Talibuddin and J.P. Runt. Reliability test of popular fractal techniques applied to small two-dimensional self-affine data sets. J. Appl. Phys., 1994, v. 76(9), p.5070−5078.
- L. Vazquez, R.C. Salvarezza, P. Ocon, P. Herrasti, J.M. Vara, and A.J. Arvia. Self-affine fractal electrodeposited gold surfaces: Characterization by scanning tunneling microscopy. Phys. Rev., 1994, v. 49, № 2, p. 1507−1511.1 7S
- Spanos and E.A. Irene. Investigation of roughened silicon surfaces using fractal analysis. I. Two-dimensional variation method. J. Vac. Sci. Technol. A., 1994, v. 12, № 5, p. 2646−2652.
- Yu. N. Cheblukov, A.S. Fedotov, M.A. Kozodaev, B.A. Loginov, M.O. Popov, A.E. Stepanov, A.L. Suvorov. Quantitative scanning tunneling microscopy of radiation-induced modification of materials surface. Mater. Sci. and Eng. A, 1999, v. 270, p. 102−106.