Особенности кристаллизации и сегнетоэлектрических свойств тонких поликристаллических пленок цирконата-титаната свинца, полученных двухстадийным методом

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

С привлечением широкого ряда диагностических и физических методов было проведено исследование особенностей кристаллизации и свойств поликристаллических пленок ЦТС толщиной 300 и 500 нм, полученных двухстадийным методом — осаждением при низкой температуре на Р^ТЮг/ЗЮг/Б! подложку с последующим высокотемпературным отжигом, при 535−580°С. Пленки осаждались ВЧ магнетронным распыл ением-керамической мишени состава PbZro, 54Tio, 460з, содержащей дополнительно 10 мол.% РЬО в атмосфере рабочего газа аргон-кислород с добавкой углерода (режим «1») и без добавки углерода (режим «2»).

На основе полученных результатов можно сделать следующие выводы.

1. Изучена кристаллизация перовскитовой фазы в тонких пленках ЦТС на развитом рельефе нижнего платинового электрода. Методом атомно-силовой микроскопии показано, что шероховатость, поверхности платинового электрода препятствует формированию перовскитовой фазы.

2. Характер кристаллизации перовскитовой фазы в пленках, осажденных врежимах «1» и «2», существенно различается:

— перовскитовые пленки, сформированные в режиме «1», характеризуются двумя модификациямиперовскитовой фазы («фаза-1» и «фаза-2»), первое из которых представляло собой слабоориентированную структуру, а второе — плотно упакованную <110>-выраженную текстуру, состоящую из конгломерата лучистых розеток;

— перовскитовые пленки, сформированные в режиме «2», кристаллизуются непосредственно в форме лучистых розеток в исследованном интервале температур отжига.

3. Метод электронно-зондового рентгеновского микроанализа использован для определения состава тонких многокомпонентных пленок ЦТС и изменения состава по толщине. Показано, что:

— соотношение. атомов Т/7х в пленке соответствует соотношению атомов в мишени;

— с ростом Тотж происходит перемещение (миграция) сверхстехиометрического (избыточного) свинца в пленках к поверхности пленок и его последующее испарение;

— наибольшая скорость миграции свинца к поверхности пленки осуществляется по межфазным границам — пирохлор-перовскит и «фаза-1» -«фаза-2».

4. Разработана качественная модель, позволяющая объяснить экспериментально наблюдаемое изменение соотношение интенсивностей рентгеновского спектра элементов пленки 1с/1рь, 1с/1п и 1рь/1п с изменением угла падения генерирующего электронного пучка.

5. Трансформация из «фазы-1» в «фазу-2» представляет собой процесс рекристаллизации перовскитовой фазы, происходит неравномерно по поверхности образцов в широком интервале температур отжига (535−570°С), сопровождается уходом углерода и избыточного свинца из объема и с поверхности пленки, появлением и разрастанием островков плотноупакованной <110>-текстуры в поликристаллической перовскитовой4 матрице, уменьшением объема пленки и шероховатости ее поверхности, Таким образом, рекристаллизация фазы перовскита обладает основными чертами, присущими фазовым переходам 1 рода.

6. Вне зависимости от режимов получения пленок, с ростом температуры отжига формировалась плотноупакованная <110>-перовскитовая текстура, характеризующаяся величинами диэлектрической проницаемости ^ ~ 9 001 100 и потерь tg5 ~ 0,02−0,05. Величина внутреннего поля и, соответственно, униполярность, зависела как от режимов формирования пленок, так и температуры отжига.

7. Обнаружено, что в пленках, полученных как в режиме «1», так и «2» диэлектрическая проницаемость ек проходит через минимум с ростом температуры отжига. Причины такого поведения оказываются различными. В первом случае это связывается с процессом миграции атомов избыточного (сверхстехиометрического) свинца к поверхности тонкой пленки и образовании на ее поверхности эффективного слоя окисленного свинца с низкой величиной диэлектрической проницаемости. На пленках толщиной 500 нм толщина слоя оксида свинца оценивалась в ~ 5 нм.

Во втором случае, снижение величины £к с ростом Тотж связывается с накоплением избыточного оксида свинца на нижнем интерфейсе сегнетоэлектрической пленки из-за изменения соотношения скоростей латерального движения межфазной границы пирохлор-перовскит и миграции оксида свинца к поверхности пленки.

8. При рекристаллизации фазы перовскита обнаружена сильная пространственная неоднородность значений диэлектрической проницаемости, достигающая при Тотж — 560 °C ~ 6 раз. Появление аномально высоких значений £к связывается с образованием пор на «межфазной» («фаза-1» и «фаза-2») границе и формированием на порах объемного заряда.

9. Построена модель рекристаллизации перовскитовой фазы в тонкой пленке ЦТС, иллюстрирующая все стадии наблюдаемого процесса.

1. Paz de Araujio С.A., Taylor G. 1. tegrated Ferroelectrics. // Ferroelectrics. 1991. V.116. P.215−228.

2. Scott J.F. Application of modern ferroelectrics. // Science. 2007. V.315, p.954−961.

3. Scott J. F., Paz de Araujo C.A. Ferroelectric Memories // Science. 1989. V. 246. P. 1400−1405.

4. Izyumskaya N., Alivov Y.-I., Cho S.-J., Morko§ H., Lee H., Kang Y.-S. Processing, structure, properties, and applications of PZT thin films. // Critical Reviews in Solid State and-Materials Sciences. 2007. V.32. P. 111−202.

5. Watanabe H., Mihara Т., Paz de Araujo C.A. Device effects of varios Zr/Ti ratios of PZT thin-films prepared by sol-gel method. // Integrated Ferroelectrics. 1992. V.l. P.293−304.

6. Hren P.D., Rou S.H., Al-Shareef H.N., Ameen M.S., Auciello O., Kingon A.I. Bottom electrodes forintegrated Pb (Zr, Ti)03 films. // Integrated Ferroelectrics. 1992. V.2. P.311−325.

7. Tagantsev A.K., Stolichnov I., Colla E. L., and Setter N. Polarization fatigue in ferroelectric thin films: basic experimental findings, phenomenological scenarios, and microscopic features. // J. Appl'. Phys. 2001. V. 90. P.1387−1402.

8. Tagantsev A.K., Gerra G. Interface-induced phenomena in polarization responseof ferroelectric thin films. //J.Appl.Phys. 2006. V.100. 51 607.

9. Xu Y., Mackenzie J.D. Ferroelectric thin films prepared by sol-gel processing. // Integrated Ferroelectrics. 1992. V.l. P. 17−42.

10. Polla D.L. Microelectromechanical systems based ferroelectric thin films. // Microelectronic Engineering. 1995. V.29. P.51−58.

11. Shorrocks N.M., Patel A., Walker M.J., Parsons A.D. Integrated thin film PZTpyroelectric detector arrays. // Microelectrinic Ingineering. 1995. V.29. P.59−66.

12. Whatmore R.W. Ferroelectrics, microsystems and nanotechnology. // Ferroelectrics. 1999. V.225. P.179−192.

13. Trolier-McKinstry S., Muralt P. Thin film piezoelectric for MEMS. // J.Electroceram. 2004. V.12. P.7−17.

14. Технология, свойства и применение сегнетоэлектрических пленок и структур на их основе. Под редакциейАфанасьева В. П, Козырева А.Б.-СПб.: Элмор. 2007 г. 247с.

15. Вендик О. Г Сегнетоэлектрики находят свою «нишу» среди управляющих устройств СВЧ // ФТТ. 2009. Т.51. Вып.7. С.1441−1445.

16. Shirane B.G., Suzuki К., Takeda A. Phase-transitions in solid solutions of PbZr03 and PbTiQ3 (II). X ray study. // J.Phys.Soc.Japan. 1952. V.7. P.12−18.

17. Смоленский* Г. А., Пасынков P.E. К термодинамической, теории сегнетоэлектриков со структурой перовскита. // ЖЭТФ: 1953. Т.24. Вып.1, С.69−78.

18. Song Z.-T., Ren W., Zhang L.-Y., Yao X., Lin Ch. A, study on abnormal electric properties of lead lanthanum titanate thin films caused by excess PbO. // Thin Solid Films. 1999. V.353. P.25−28.

19. Афанасьев В. П., Мосина Г. Н., Петров A.A., Пронин И. П., Сорокин Л. М., Тараканов Е. А. Особенности поведения конденсаторных структур на основе пленок цирконата-титаната свинца с избытком оксида свинца". //.

20. Письма в ЖТФ. 2001. Т.21. Вып.11. С.56−63.

21. Lee E.G., Park J.S., Lee J.K., Lee J.G. Influence of annealing on the ferroelectric properties of Pt/Pb (Zr, Ti)03/Pt thin film capacitors. // Thin Solid' Films. 1997. V.310. P.327−331.

22. Vorotilov K.A., Yanovskaya M.I., Dorokhova O.A. Effect of annealing conditions on alkoxy-derived PZT thin films. Microstructural and C-V study. // Integrated Ferroelectrics. 1993. V.3. P.33−49.

23. Пронин И. П., Каптелов Е. Ю., Афанасьев В. П. Крамар Г. П. Диэлектрическая неоднородность в униполярных пленках ЦТС. // Материалы межд. научной конф. «Пленки- 2005» 22−26 ноября^ 2005 г., МИРЭА, Москва. Часть 1, С.29−31.

24. Gruverman A., Rodriguez В J., Kingon A.I., Nemanich R.J., Tagantsev A.K., Cross J.S., Tsukada M. Mechanical stress effect on imprint behavior of integrated ferroelectric. // Appl.Phys.Lett. 2003. V.83. P.728−730.

25. Яффе Б., Кук У., Яффе Г. Пьезоэлектрическая керамика. М.: Мир. 1974 г. 288с.

26. Смоленский Г. А., Боков В. А., Исупов В. А., Крайник Н. Н., Пасынков Р. Е., Шур М. С. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. Ленинград: Наука. 1971 г. 476с.

27. Wersing W. Analysis of phase mixtures in ferroelectric ceramics by dielectric measurements // Ferroelectrics. 1974. V.7 N¼ P. l63−165.

28. Xu Yu. Ferroelectric materials and their applications. N. Holland-Amsterdam-London-New York-Tokyo. 1991. P.391.

29. Барфут Дж., Тейлор Дж. Полярные диэлектрики и их применения. — М.:1. Мир. 1981 г. 526с.

30. Окадзаки К. Технология керамических диэлектриков.- М.: Энергия, 1976 г. 336с.

31. Iijima К, Ueda I, Kugimiya К. Preparation and properties oflead zirconatetitanate thin films. // Jpn. J:Appl.Phys. 1991. V.30. P.2149−2151.

32. Лайнс M., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. / М: Мир. 1981 г. 736с.

33. Dawber М., Rabe К.М., Scott J.F. Physics of thin-film ferroelectric oxides. // Review, of Modern Physics. 2005. V.77. P. 1083−1130.

34. Woodward D.I., Knudsen J., Reaney I.M. Review of crystal and domain structures in, the PbZrxTi! x03 solid solution. // Phys.Rev. B. 2005. V.72. 104 110.

35. Shirane G., Suzuki K. Crystal structure of Pb (Zr-Ti)03. // J. Phys. Soc. Japan. 1952. V.7. P.333−333.

36. Ефимов И. Е., Козырь И .Я., Горбунов Ю. И. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность. М.: Высш. шк. 1986 г. 464с.

37. Коленко Е. А. Технология лабораторного эксперимента: Справ. СПб.: Политехника. 1994 г. 751с.

38. Децик В. Н., Каптелов Е. Ю., Кукушкин С. А., Осипов А. В., Пронин И. П. Кинетика начальной стадии формирования тонкой пленки. // ФТТ. 1997. Т.39. Вып.1. С.122−127.

39. Al-Shareef H.N., Gifford K.D., Rou S.H., Hren P., Auciello O., Kingon A. Electrodes for ferroelectric thin films. // Integrated Ferroelectrics. 1993. V.3. P.321−332.

40. Losego M.D., Jimison L.H., Ihlefeld J.F., Maria J.-P. Ferroelectric responsefrom lead zirconate titanate thin films prepared directly on low-resistivity copper substrates. //Appl.Phys.Lett. 2005. V.86. 172 906.

41. Kingon A.I., Srinivasan S. Lead zirconate titanate thin films directly on copper electrodes for ferroelectric, dielectric and piezoelectric applications. // Nat. Mat. 2005. V.4. P.233−237.

42. Maiwa H., Ichinose N., Okazaki K. Preparation and properties of Ru and Ru02 thin film electrodes for ferroelectric thin films. // Jpn.J.Appl.Phys. 1994. V.33. P.5223−5226.

43. Nakamura T" Nakao Y., Kamisawa A., Takasu H: Preparation of Pb (Zr, Ti)03 thin films on Ir and Ir02 electrodes. // Jpn: J. Appl. Phys. 1994. V.33. P.5207−5210.

44. Auciello O., Gifford K.D., Lichtenwalner D. J, Dat R., Al-Shareef H.N., Bellur K.R., Kingon A.I. A review of composition-structure-property relationships for PZT-based heterostructure capacitors. // Integrated Ferroelectrics. 1995. V.6. P.173−187.

45. Bell J.M., Knight P.G., Johnston G.R. Ferroelectric-electrode interactions. //. Ferroelectric thin films: synthesis and basic properties. Edited by C. Paz de Araujo, J.F.Scott, G.W.Taylor. 1996. P.93−133.

46. Al-Shareef H.N., Kingon A.I., Chen X., Bellur K.R., Auciello O. Contribution of electrodes and microstructures to the electrical properties of Pb (Zr0.53Ti0.47)O3 thin film capacitors. // J. Mater. Res. 1994. V.9. P.2968−2975.

47. Ramesh R., Sands T., Keramidas V. G. Effect of crystallographic orientation on ferroelectric properties of PbZro.2Tio.8O3 thin films. // Appl. Phys. Lett. 1993. V.63.P.731−733.

48. Yang B., Aggarwal1 S., Dhote A.M., Song T.K., Ramesh R., Lee J. S. Lao.5Sro.5Co03/Pb (Nbo.o4Zro.28Tio.68)03/Lao.5Sro.5Co03 thin film heterostructures on Si using TiN/Pt conducting barrier. // Appl. Phys. Lett. 1997. V.71. P.356−358.

49. Chen X.Y., Liu Z. G. Preparation of PZT thin films on conductive perovskite LSCO electrodes films by pulsed laser deposition. // Ferroelectrics. 1997.1. V.195. P.175−178.

50. Wu W., Wong K.H., Choy C.L., Zhang Y.H. Top-interface controlled fatigue of epitaxial Pb (Zr0.52Ti0.48)O3 ferroelectric thinfilms on La0.7Sr0.3MnO3 electrodes. // Appl. Phys. Lett. 2000. V.77. P.3441−3443.

51. Ramesh R., Chan W.K., Wilkens B., Gilchrist H., Sands T., Tarascon J.M.,, Fork D.K., Lee J., Safari A. Fatigue and retention in ferroelectric Y-Ba-Cu-O/Pb-Zr-Ti-O/Y-Ba-Cu-O heterostructures. // Appl. Phys. Lett. 1992. V.61. P.1537−1539.

52. De Keijser M., Cillessen^ J.F.M., Janssen R.B.F., De Veirman A.E.M., de Leeuw D.M. Structural and electrical characterization of heteroepitaxial lead5 zirconate titanate thin films. // J. Appl. Phys. 1996. V.79. P.393−402.

53. Stolichnov I., Tagantsev A., Setter N., Cross J.S., Tsukada M. Top-interface-controlled switching and fatigue endurance of (Pb, La)(Zr, Ti)03 ferroelectric capacitors. //Appl. Phys. Lett. 1999. V.74. P.3552−3554.

54. Aoki K., Fukuda Y., Numata K., Nishimura A. Effects of titanium buffer layer on lead-zirconat-titanate crystallization processes in sol-gel deposition technique. //Jpn. J. Appl. Phys. 1995. V.34. P.192−195.

55. Remiens D., Descamps M., Jaber B., Thierry. Simple composition control of ferroelectric thin films grown by sputtering with an original oxides target design. // Microelectronic Engineering. 1995. V.29. P.213−216.

56. Kholkin A.L., Brooks K.G., Taylor D.V., Hiboux S., Setter N. Self-polarization effect in Pb (Zr, Ti)03 thin films. // Integrated Ferroelectrics. 1998. V.22. P.525−533.

57. Kwok K.W., Wang B., Chan H.L.W., Choy C.L. Self-polarization in PZT films. //Ferroelectrics. 2002. V.271. P.69−74.

58. Gruverman A., Rodriguez B.J., Nemanich R.J., Kingon A.I. Nanoscale observationof photoinduced domain pinning andinvestigation of imprint bahavior in ferroelectric thin films. // Appl.Phys.Lett. 2002. V.92. P.2734−2739:

59. Schorn P., Ellerkmann U., Bolten D., Boettger U., Waser R. Non-linear behavior of PZT thin films. // Integrated Ferroelectrics. 2003. V.53. P.361−369.

60. Watamori M., Isono M., Madono H., Kawano Y., Sasabe K., Horao T., Oura K. Ion beam analysis of PZT thin films. // Appl.Surf.Sci. 1999. V.142. P.422−427.

61. Tagantsev A.K., Stolichnov I., Setter N" Cross J.S. Nature of non-linear imprint in ferroelectric films and long-term prediction of polarization loss in ferroelectric memories. //J.Appl.Phys. 2004. V.96. P.6616−6623.

62. Krupanidhi S.B., Roy D., Maffei N., Peng C.J. Pulsed excimer laser deposition of ferroelectric thin films. // Integrated-Ferroelectrics. 1992. V.l. P.253−268.

63. Tiwari V. S., Kumar. A., Wadhawan V.K. Kinetics of formation of the pyrochlore andperovskite phases in sol-gel derived lead zirconate titanate powder. //J. Mater. Res. 1998. V.13. P.2170−2173.

64. Adachi M., Matsuzaki T., Yamada N., Shiosaki T., Kawabata A. Sputter-deposition of lll.-axis oriented rhombohedral PZT films and their dielectric, ferroelectric and pyroelectric properties. // JpnJ.Appl.Phys. 1987. V.26. P.550.

65. Reaney I.M. Microstructural characterization of ferroelectric thin films in transwerse section. // Microelectronic Engineering. 1995. V.29. P.277−284.

66. Hwang K.S., Manabe T., Nagahama T., Yamaguchi I., Kumagai T., Mizuta S. Effect of substrate material on the crystallinity and epitaxy of Pb (Zr, Ti)03 thin flms. // Thin Solid Films. 1999. V.347. P. 106−111.

67. Lijuan Shi, Krupanidhi S.B., Haertling G.H. Development of ferroelectric Pb (ZrxTiix)03 thin films by metallo-organic decomposition process and rapid thermal annealing. // Integrated Ferroelectrics. 1992. V.l. P. 111−127.

68. Brooks K.G., Reaney I.M., Klissurska R., Huang Y., Buzsill L., Setter N. Orientation of rapid thermally annealed lead zirconate titanate thin films on (111) Pt substrates. //J. Mater. Res. 1994. V.9. P.2540−2553.

69. Spierings G.A.C., Van Zon J.B.A., Larsen P.K., Klee M. Influence of platinum-based electrodes on the microstructure of sol gel and MOD prepared lead zirconate titanate films. // Integrated Ferroelectrics. 1993. V.3. P.283−292.

70. Foster N.F. The deposition and piezoelectric characteristics of sputtered lithium niobate films. // J.Appl.Phys. 1969. V.40. P.420−423.

71. Sviridov E., Sem I., Alyoshin V., Biryukov S., Dudkevich V. Ferroelectric film self-polarization. // Mater.Res.Soc.Symp. Proc. 1995. V.361. P.141−146.

72. Spierings G.A.C.M., Dormans G.J.M., Moors W.G.J., Ulenaers M.J.E., Larsen P.K. Stresses in Pt/Pb (Zr, Ti)03/Pt thin-film stacks for integrated ferroelectric capacitors. //J.Appl.Phys. 1995. V.78. P.926−933.

73. Kholkin A.L., Brooks K.G., Taylor D.V., Hiboux S., Setter N. Self-polarization effect in Pb (Zr, Ti)03 thin films. // Integrated Ferroelectrics. 1998. V.22. P.525−533.

74. Kwok K.W., Wang B., Chan H: L.W., Choy C.L. Self-polarization in PZT films. // Ferroelectrics. 2002. V.271. P.69−74.

75. Frey J., Schlenkrich F., Schonecker A. Self-polarization^ and texture of wet chemically derived lead zirconate titanate thin films. // Integrated Ferroelectrics. 2001. V.35. P.195−113.

76. Wu A., Vilarinho P.M., Shvarzman V.V., Suchaneck G., Kholkin A.L. Domain populations nr lead zirconate titanate thin films of different composotions via piezoresponse force microscopy. // Nanotecnology. 2005. V.16. P.2587−2595.

77. Afanasjev V.P., Petrov A.A., Pronin I.P., Tarakanov E.A., Pankrashkin A.V., Kaptelov E.Yu. and J. Graul. Polarization and self-polarization in PZT thin films. //J.Phys.: Condensed Matter. 2001. V.13. P.8755−8763.

78. Bruchhaus R., Pitzer D., Schreiter M., Wersing W. Optimized PZT thin films for pyroelectric IR detector arrays. // J.Electroceram. 1999. V.3. P. 151−162.

79. Kohler R., Neumann N., He? N, Bruchhaus R., Wersing W., Simon M. Pyroelectric devices based on sputtered PZT thin films. // Ferroelectrics. 1997. V.201. P.83−92.

80. Kobune M., Ishito H., Mineshige A., Fujii S., Takayama R., Tomozawa A.

81. Relationship between pyroelectric properties and electrode sizes in (Pb, La)(Zr, Ti)03 (PLZT) thin films. // Jpn.J.Appl.Phys. 1998. V.37, part I, № 9B. P.5154−5157.

82. Kohler R., Suchaneck G., Padmini P., Sandler Т., Gerlach G, Hofmann G. RF-sputtered PZT thin films for infrared sensor arrays. // Ferroelectrics. 1999. V.225. P.57−66.

83. Делимова JI., Грехов И., Машовец Д., Коо Ю. М., Ким С.-П., Парк Я. Метод определения заряда ловушек на интерфейсах тонкопленочной структуры металл/сегнетоэлектрик/металл. // ФТТ. 2006. Т.48. Вып.6. С.1111−1114.

84. Glinchuk M.D., Morosovska A-N. Ferroelectric thin film self-polarization indused by mismatch effect. // Ferroelectrics. 2005. V.317. P. 125−133;

85. Ogawa Т., Senda A., Kasanami T. Controlling the crystal orientations of lead titanate thin films. // Jpn.J.Appl.Phys. 1991. V.30, part I, №.9B, P.2145−2148.

86. Богомолов A.A., Сергеева OlH., Киселев Д. А., .Каптелов Е. Ю., Пронин И. П. Особенности пироэлектрических свойств тонких пленок цирконата-титаната свинца, содержащих избыток оксида свинца. // Письма в ЖТФ, 2005. Т.31. Вып.11. С.42−50.

87. Афанасьев В. П., Пронин И. П., Холкин А. Л. Механизмы возникновения и релаксации самопроизвольной поляризации в тонких сегнетоэлектрических пленках.// ФТТ. 2006. Т.48. № 6. С.1143−1146.

88. Пронин И. П., Каптелов Е. Ю., Афанасьев В. П. Крамар Г. П. Диэлектрическая неоднородность в униполярных пленках ЦТС. // Материалы межд. научной конф. «Пленки- 2005» 22−26 ноября 2005 г., МИРЭА, Москва. Часть 1, С.29−31.

89. Pronin I.P., Kaptelov E. Yu, Senkevich S.V., Sergeeva O.N., Bogomolov A.A., Kholkin A.L. Electricar properties of heterophase PZT thin films with excess lead oxide. // Integrated Ferroelectrics. 2009. V.106. P.81−93.

90. Воротилов K.A., Жигалина O.M., Васильев В. А., Сигов A.C. Особенности формирования кристаллической структуры цирконата-титаната свинца в системах Si—SIO2—Ti (Ti02)HPt—Pb (ZrxTi 1х) Оз. // ФТТ. 2009. Т.51. Вып.7. С.1268−1271.

91. Воротилов К. А., Котова Н. М., Сигов A.C., Жигалина О. М. Влияние метода синтеза пленкообразующего раствора на свойства пленок цирконата-титаната свинца. // Известия ВУЗов «Физика». 2008. № 11/3. С.151−156.

92. Квятковский O.E. Частное сообщение 2010.

93. Krupanidhi S.B. Resent advances in the deposition of ferroelectric thin films. // Integrated Ferroelectrics. 1992. V.l. P. 161−180.

94. Шур В. Я., Бланкова Е. Б., Субботин A.JI., Борисова Е. А., Баранников-A.B. Кинетика фазовых превращений при термическом отжиге в тонких золь-гель пленках PZT. // ФТТ. 2001. Т.43, Выт5. С.870−873.

95. Пронин И. П., Зайцева Н. В., Каптелов Е. Ю., Афанасьев В. П. Оптический контроль однофазности тонких поликристаллических сегнетоэлектрических пленок со структурой перовскита. // Известия РАН, сер. физ. 1997. Т.61, вып.2. С.379−382.

96. Сканирующий зондовый микроскоп «Смена» руководство пользователя. Москва, НИИФТ, НТ МДТ. 2005 г. 158с.

97. Миронов В. Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии. Нижний Новгород, Институт физики микроструктур. 2004 г. 114с.

98. Протасов К. В. Статистический* анализ экспериментальных данных. М.: Мир, 2005 г. 142с.

99. Основы технологии кремниевых интегральных схем. T.I. Окисление, диффузия, эпитаксия. // Под ред. Бургера Р., Донована Р. М.: Мир. 1969. 451с.

100. Микроинтерферометр Линника МИИ-4. Инструкция к пользованию. Ленинград, ЛОМО, 1967 г. 24с.

101. Каптелов Е. Ю. Униполярность тонких поликристаллических пленок цирконата титаната свинца: Дис. канд. физ. — мат.наук. СПб. 2005. 124с.

102. Афанасьев В. П., Крамар Г. П., Каптелов Е. Ю., Пронин И. П. Влияние нижнего электрода на формирование перовскитовой фазы в пленках ЦТС. // Кристаллография. 1998. Т.43. Вып.2. С.356−359.

103. Kwok С.К., Desu S.B. // Formation kinetics of Pb (ZrxTil-x)03 thin films. // J. Mater. Res. 1994. V.9. № 7. P.1728−1733.

104. Mansour S.A., Vest R.W. The dependence of ferroelectric and fatigue behaviors of PZT films on microstructure and orientation // Integrated Ferroelectrics. 1992. V. 1. P.57−69.

105. Dat R., Lichtenwalner D.J., Auciello O., Kingon A.I. Imprint testing of ferroelectric capacitors used for non-volatile memories. // Integrated Ferroelectrics. 1994. V.5. P.275−286.

106. Под редакцией Бриггса Д., Сиха М. П. Анализ поверхности методами ожеи рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, — М.: Мир. 1987 г. 600с.

107. Химическая энциклопедия: В 5 т.: т.4 / Редкол.: Зефиров Н. С. (гл. ред.) и др. -М.: Большая российская энциклопедия. 1995 г, 639с.

108. Рид С.Дж.Б. Электронно-зондовый микроанализ и растровая электронная микроскопия в геологии. М.: Техносфера. 2008 г. 232с.

109. Ichimura S., Shimizu R. Backscattering correction for quantitative Auger analysis: I. Monte Carlo calculations of backscattering factors for standard materials. // Surface Science. 1981. V. 112. P. 386−408.

110. Kanter H. Zur Riickstreuung von Elektronen im Energiebereich von 10 bis 100 keV. // Annalen der Physik. 1957. Bd 20. S.144−166.

111. Dey S.K., Barlingay C.K., Lee J.J., Gloerstad Т.К., Suchicital C.T.A. Advances in processing and properties of perovskite thin-films for FRAMs, DRAMs, and decoupling capacitors. // Integrated Ferroelectrics. 1992. V.l. P.181−194.

112. Koops C.G. On the dispersion of resistivity and dielectric constant of some semiconductors at audiofrequancies. //Phys.Rev. 1951. V.83. P.121−124.

113. Sayer M., Vfnsingh A., Arora A.K., Lo A. Dielectric response of ferroelectric films on non-metallic electrodes. // Integrated Ferroelectrics. 1992. V.l. P. 129 146.

114. Турик A.B., Радченко Г. С., Чернобабов А. И., Турик С. А. Супрунов В.В. Диэлектрические спектры неупорядоченных сегнетоактивных систем: поликристаллы и композиты. // ФТТ. 2006. Т.48. Вып.6. С.1088−1091.

115. Гегузин Я. Е. Очерки о диффузии в кристаллах. М: Наука. 1974 г. 254с.