Автоматическое управление формой растущего монокристалла
Диссертация
Вторая глава посвящена разработке и исследованию полной математической модели процесса выращивания монокристаллов методом Чохральского, которая включает динамику процесса кристаллизации, возмущений, действующих на процесс, инерционных свойств каналов управления и математическую модель, фотопирометрического датчика. Математическая модель построена на основе физических законов, методов… Читать ещё >
Список литературы
- Материалы ХХУ1 съезда КПСС. М.: Политиздат, 1981, — 223с.
- Сидоров Ю.И., Савельев В. Н. Состояние и перспективы разработки и производства кремния для силового полупроводникового приборостроения. В кн.: Труды Всесоюзного «электротехнического института. М., 1980, № 90, с.66−74.
- А.Я.Нашельский. Монокристаллы полупроводников. М.: Металлургия, 1978. — 200с., ил.
- А.Я.Нашельский, В. С. Гнилов. Расчеты процессов выращивания легированных монокристаллов. -М.: Металлургия, 1981. 91с., ил.
- Получение профильных монокристаллов и изделий способом Степанова/Антонов П.И., Затуловский Л. М., Костыгова A.C. и др. -Л.: Наука, 1981. 280с., ил.
- Гольд И.М. Управление процессом выращивания монокристаллов методом Чохральского-Диссертация канд.техн.наук. М. 1975, — 165с.- В надзаг.: Моск. ин-т химич.машиностроения.
- Исследование динамики процессов выращивания кристаллов, систем управления и метрологических характеристик элементов. Отчет/ Центр. научно-исслед.ин-т компл. автоматизации- Руководитель темы В. А. Сухарев. № IP?9 016 266- Инв. № Б823 358. — M., 1979, — 126с.
- В.А.Татарченко, Е. А. Бренер. Устойчивость процесса кристаллизации из расплава при капиллярном формообразовании. -Изв.АН СССР. Сер.Физ., 1976, т.40,г/17, с.1456−1467.
- В.А.Татарченко. Кристаллизация из расплава при капиллярном формообразовании. В кн.: 4 международная школа специалистов по росту кристаллов. Суздаль, 1980, ч.1, с.181−202.
- В.С.Лейбович. Применение динамической модели границы раздела фаз для управления формообразованием кристаллов, выращиваемых способом Чохральского. В кн.: 4 международная школа специалистов по росту кристаллов. Суздаль, 1980, ч.1,с.205−216.
- В.С.Лейбович. Автоматическое управление диаметром кристаллов в методе Чохральского. В кн.: Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, Наука, 1981, с.108--121.
- САУ процессом роста монокристаллов «Диаметр"/ В. С. Лейбович, В. А. Федоров, В. А. Сухарев, В. М. Шушков. II Всесоюзная конференция по росту кристаллов: Тезисы докладов. Харьков, Ротапринт ВНИИ монокристаллов, 1982, с. 71.
- Zinnes А.Е., Nevis В.Е., Brandie C.D. Automatic Diameter Control of Czochralski Growth Crystals. J.Cryst.Growth, 1973, v.19, p.187−192.
- Установка для выращивания кристаллов с контролем по весу на- 163 основе ЦВМ и системы «КАМАК». Препринт ФИАН СССР. М.: 1978, Л> 148, с.1−22.
- И.М.Гольд, В. С. Лейбович, Х. И. Макеев.Об идентификации выращивания монокристаллов методом Чохральского. Цветные металлы, 1972, № 6, с.53−55.
- И.М.Гольд, В. С. Лейбович. Математическая модель процесса выращивания монокристаллов методом Чохральского. В кн.: Автоматизация химической промышленности. М., Машиностроение, 1973, C.7-II.
- И.М.Гольд, В. С. Лейбович. Динамическая модель процесса выращивания монокристаллов методом Чохральского. Цветные металлы, 1974, № 10, с.47−50.
- И.М.Гольд, В. С. Лейбович.Тепловые условия и положение фронта кристаллизации при выращивании монокристаллов методом Чохральского. Цветные металлы, 1975, J? 3, с.51−54.
- В.С.Лейбович, А. И. Погодин. Определение параметров процесса формообразования кристаллов в переходных режимах. Изв. АН СССР. Сер.физ., 1980, т.44, № 2, с.366−372.
- The weighing metod of automatic Caochralski Crystal Growth. II Control equipment / Bardaley W., Hurle D.T.J., Joyce G.C., Wilson G.C. J. Cryst. Growth, 1977, v.40, N 1, p.20−28.
- Э.Л.Лубе Современные методы контроля и управления процессом кристаллизации. В кн.: Рост кристаллов, М., 1980, т.13, с.304−313.
- Paitz J. Kristallyatmero automatikus szabalyzasa.- Kozpon-ti fizika kutato Intezet Publikation, 1979, evf.32,old 1−25.- 164
- D.T.I.Hurle.Control of diameter in Czochralski and related crystal growth techniques. J.Cryst.Growth, 1977, v.42, p.473−482.
- Тепло- и массообмен при получении монокристаллов / Кона-ков П.К., Веревочкин Г. Е., Горяинов I.A. и др. М.: Металлургия, 1971. — 239с., ил.
- Пат.54−150 377 (Япония). Способ выращивания монокристаллов / Тада Кодзи, Намба Хиропуни. -Заявл. 18.05.78, № 53−59 828- Опубл.26.II.79- НКИ 13 (7) В 5222, (В 0PI7/I8).
- Пат.54−152 683 (Япония) Способ выращивания монокристаллов/ -Намба Хирокуни. Заявл. 23.05.78, № 52−187 531- Опубл. 1.12.79- НКИ 13(7)1)522.2 (В01П 17/18).
- Пат.4 207 293 (США) Circumferential arror signal apparaturs for crystal rod pulling / Scholl Richard A., Col. J’ohn
- Заявл.5.12.77, JE 857 331, Опубл.10.06.80- НКИ 422/249 (ВОН! 9/00).
- Н.В.Быканов, В. А. Винокуров. Цифровые задатчики геометрии кристаллов. II Всесоюзная конференция по росту кристаллов: Тезисы докладов. Харьков, Ротапринт ВНИИ монокристаллов, 1982, с.31−32.
- О.Г.Налбандян. Влияние флуктуации параметров системы на процесс кристаллизации по Чохральскому. II Всесоюзная конференция по росту кристаллов: Тезисы докладов. Харьков, Ротапринт ВШИ монокристаллов, 1982, с. 80.
- Автоматическое управление процессом роста монокристаллов.
- В.С.Лейбович, В. А. Сухарев, В. М. Шушков, В. А. Федоров. Приборыи системы управления, 1975, № 5, с.7−9.- 165
- Bardsleyw W., Hurle D.T.J., Ioyce G.C. The weighing metod of Automatic Czochralski Crystal Growth. I. Basic theory.--J.Cryst.Growth, 1977, v.40, N1 p.13−20
- Б.Л.Тиман, С. Ф. Бурачас. Разращивание кристаллов по диаметру при вытягивании из расплава. В кн.: Сборник научных трудов ВНИИ монокристаллов. Харьков, 1978, № I, 7−10.
- Изучение условий выращивания кристаллов методом Чохральско-го/ С. Ф. Бурачас, Б. Л. Тиман, В. Г. Бондарь, М. Ф. Дубовик. В кн.: Сборник научных трудов ВНИИ монокристаллов. Харьков, 1978, J6 I, с.1−5.
- Управление процессом роста кристаллов ниобата лития путем контроля уровня расплава / С. Ф. Бурачас, В. И. Кривошеин, П. Е. Стадник, Б. Л. Тиман. 6 Международная конференция по росту кристаллов: Расширенные тезисы. М., 1980, т. З, с.15−16.
- Автоматизированное вытягивания из расплава крупногабаритных щелочногаллоидных монокристаллов/ В. И. Горилецкий, В.А.Неме-нов, В. Г. Проценко и др. 6 Международная конференция поросту кристаллов: Расширенные тезисы. М., 1980, т. З, с.17−18.
- Автоматизированная установка для получения сегнетоэлектрических кристаллов/ С. Ф. Бурачас, В. М. Бындин, М. Б. Космына, П. Е. Стадник. II Всесоюзная конференция по росту кристаллов: Тезисы докладов. Харьков, Ротапринт ВНИИ монокристаллов, 1982, с. 31.
- Я.В.Васильев. А. Ф. Неермолов. Весовой аналоговый регулятор поперечного сечения для метода Чохральского. II Всесоюзная конференция по росту кристаллов: Тезисы докладов, Харьков, Ротапринт ВНИИ монокристаллов, 1982, с. 33.
- Пат.55−113 696 (Япония). Выращивание полупроводниковых монокристаллов методом вытягивания/ Хосикава Кэйго, Акай Ясуаки, Муромоцу Фумио. Заявл. 23.02.79, № 54−21 157, опубл.2.09.80- НКИ C30BI5/20, HOI L 21/02.
- Cohen Charles. Magnetic field breeds skylab-like semiconductors. Electronisc, 1980, v.53, Ж15, p.83−84.
- Magnetic field method for producung high-quality silicon crystals. Jap.Ind.and Technol.Bull., 1980, v.8, Щ, p.23−24.
- Дэнси гидзюку/ Исава Набуюки, Сато Хироси, Сато Томи, Хоси
- Киндзи. Electron.End., 1980, 22, № 12, p.93−98 (яп.).
- А.Э.Микельсон, Я. Х. Корклинь. Управление процессом кристаллизации цри помощи магнитных полей. 6 Международная конференция по росту кристаллов: Расширенные тезисы. M., 1980, т. З с.22−24.
- Whiffin P.A., Brice J.С. The suppression of thermal oscillations in Czochralski growth. J.Cryst.Growth, 1971, v.10,1. N 1, p.91−96.
- I.R.Carruthers. Plow transitions and interface shapes in the Czochralski growth of oxide crystals.-J.Cryst. Growt., 1976, v, 36, p.212−214.
- Carruthers J.E. Orogins of convective temperature oscillations in crystals growth melts. J.Cryst.Growth, 1976, v. 32, p. 13−26.
- В.С.Лейбович, Х. И. Макеев. Оценивание параметров мениска расплава в процессе роста кристалла, выращиваемого способом Чохральского. Калинин, Физика кристаллизации, • 1981, В 4, с.86−94.
- С.Р.Перепежин, Н. Р. Попов, А. В. Радкевич. Стабилизация скорости вытягивания монокристаллов. В кн.: Сборник научных трудов ВНИИ монокристаллов. Харьков, 1978, I, с.123−124.
- А.с. 586 338 (СССР).Измеритель уровня расплава/ С.Ф.Бура-час, В. Д. Маликов, В. И. Костенко и др. Заявл. 03.10.76- № 451 492- опубл. в Б.И. 1977, № 48, МКИ в 013 17/18.
- А.с. 220 961 (СССР) Способ контроля диаметра кристалла/ О. П. Белогрудов, А. В. Радкевич. Заявл. 05.06.66 & 201 002 Опубл. в Б.И. 1968, № 21, МЕСИ В 013 17/18.
- Пат.54−9175 (Япония). Устройство для выращивания монокристаллов. Факуда Кацуеси, Хирано Хитоси. Заявл. 24.06.77, № 52−74 409- Опубл. 23.01.79- НКИ 13(7) Б 522.2, (В 013 17/18).
- Digges T.G., Hopkins R.H., Seidensticker R.H. The basis automatic diameter control utilizing bright ring menisc-kus reflections. J.Cryst.Growth, 1975, v.29, p.326−328.
- Developments in the nieghing method of automatic crystal polling / W. Bardsley, B. Cockayne, G.W.Green et.al.- J. Cryst. Growth, 1974, v.24/25, p.369−373*
- Э. Л. Лубе. Современные тенденции в контроле и управлении процессами кристаллизации. В кн.: 5 Всесоюзное совещание по росту кристаллов: Тезисы совещания. Тбилиси, 1977, т.2, с.19−20.
- В.И.Ильченко. Ультразвуковой метод контроля кривизны и скорости движения фронта кристаллизации.-В кн.: Диэлектрики и полупроводники. Киев, Вища школа, 1976, вып.9, с. 67- 69.
- В.И.Ильченко, В. Г. Тиняков. Исследование цроцесса роста монокристаллов методом ультразвукового зондирования. В кн.: Диэлектрики и полупроводники. Киев, Вища школа, 1976, вып.9, с.69−77.
- Фотоэлектропирометр для измерения градиентов температур при выращивании кристаллов кремния/ Камарали В. В., Бузу-нов А.И., Муравицкий С. А. и др. Приборы и техника эксперимента, 1976, № 2, с.218−219.
- Infrared TV system of computer controlled Czochralski crystal growth/D.E. о’копе, T.W.Kwap, L. Gubitz, A.L.Bed-nowitz. J.Cryst.Growth, 1972, v. 13/14,p.624−628.
- TJ.Gross, R.Kersten.Automatik crystal pulling with optical diameter control using a Laser beam. J.Cryst. Growth, 1972, v.15, N2, p.85−88.
- K.I.Bachman, H.H.Kirsch, C.N.Vetter. Programmed Czochralski growth of metals. J.Cryst.Growth, 1970, v.7, N3, p.290−295.
- Автоматизированная установка выращивания монокристаллов корунда методом вытягивания из расплава / Р. Пернер, В. Стран-ски, И. Горак и др. В кн.: 5 Всесоюзное совещание по росту кристаллов: Тезисы совещания. Тбилиси, 1977, т.2,с. 212−213.
- В.С.Лейбович, Х. И. Макеев, А. И. Погодин. Динамика границы раздела фаз под действием возмущений при выращивании кристаллов способом Чохральского. В кн.: 6 Международная конференция по росту кристаллов. М., 1980, т.1, с.158−160.
- В.Уэлхоф, К. Ю. Гертнер, Автоматизированный процесс выращивания кристаллов. Измерение некоторых важных параметров роста. В кн.: Рост кристаллов. М., 1977, т.12, с.238−243.
- Пузырев В.А. Использование методов теории оптимального управления в радиоэлектронике. Зарубежная радиоэлектроника. 1979, $ 8, с.50−70.
- Morris A.I., Wright A.R., Nazer Y. Selftuning controlof some pilot plant processes Microprocess and Microsyst., 1981, v.5, N 1, p.3−12.
- Smith George E. Computer aided LSI circuit manufacturing process control. — 30-th Electron. Components Conf.,
- San Francisco, Calif., 1980. New York, H.Y., 1980, p.248−257.
- Дж.Гилмер Машинные модели роста кристаллов. Успехи физических наук, 1981, т.133, № 2, с.316−335.
- Пат.55−71 699 (Япония). Способ изготовления монокристаллов ИТ/ Ковасиота Масаюки, Нисорита Фумиото, Ито Ясухира, Эндо Сигэро. Заявл. 21.II.78, № 53−143 853- опубл. 29.05.80- НКИ С30В29/28, C0IGI5/00.- 170
- И.В.Салли, В. А. Дзензерский, Г. А. Сахно.О механизме роста кристаллов. В кн.: Физика кристаллизации. Калинин, 1979, с.3−8.
- К теории роста кристаллов/ И. В. Салли, О. И. Горский, Г. А. Сахно, Т. С. Тремба. В кн.: Физика кристаллизации. Калинин, 1978, с.22−26.
- И.В.Салли, Т. С. Тремба, Г. А. Сахно. К вопросу о кинетике растворения и роста кристаллов. В кн.: Физика кристаллизации Калинин, 1979, с.9−14.
- M.Jurisch, J. Barthel, W.Neumann. Geschwindigkeits Oszillationen beim Wachstum aus der Schmelze mit komplizierten Erstarrungeflachen. Kristall und Technik, 1977, v.12, N6, p.547−552.
- Hiyvet L., Matuchova Marie. Determination of Lenear Growth Rates of Grystals. The Shape Factors Method. Kristall und Technik, 1976, v.11, I 3, p, 245−253.
- Ю.Ф.Щелкин, А. А. Холодовская, Л. Н. Титюник. Анализ условий теплообмена кристалла с окружающей средой в процессе получения слитков из расплава методом Чохральского. В кн.: Научные труды Гиредает"а, М., 1980, т.103, с.3−15.
- Ю.Ф.Щелкин. Определение диаметра кристалла по известным условиям теплообмена слитка с окружающей средой в процессе получения слитков методом Чохральского. В кн.: Научные труды Гиредмет"а, М., 1980, т.103, с.33−44.
- Brandle C.D. Simlation of fluid flow in ??3 Саз °12 melts. J.Cryst. Growth, 1977, v.42, p.400−404.
- Structural and chemikal inhomogeneities in germanium single crystals growth under conditions of constitutionale supercooling / Bardsley W., Hurle D.I.J., Hart M., Lang A.R.-J.Cryst.Growth, 1980, v.49, N4, p.612−630.
- Zalewski Е., Zmija I. On the factors generating dislocations during oxide single crystal growth Ъу the Czochralski technigue Acta pphys. pol., 1981, v. A59, H 1, p.39−45.
- В.И.Стеценко, Е. Н. Лукашина, И. В. Ермоленко. Образование галлий гадолиниевого граната. Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1981, т.17, Ш 3, с.463−465.
- Kock A.I.R. Crystalgrowth of bulk crystals: rification, doping and defects. Handb. Semiconductors, 1980, v.3, p. 247−333.
- Расчет температурного поля расплава и кристалла при нелинейных граничных условиях / Ю. Ф. Щелкин, В. А. Смирнов, И. В. Старшинова, А. А. Холодовская, В кн.: Научные труды Гиредмет"а. М., 1974, т.55, с.29−43.
- Ю.Ф.Щелкин, В. А. Смирнов, К вопросу постановки задач расчета температурного поля слитка в процессе выращивания из расплава. -.В кн.: Научные труды Гиредмет11а М., 1974, т.55 с.43−55.
- Т.А.Черепанова. Общие закономерности структурообразования межфазной границы при кристаллизации из расплавов. В кн.: Вопросы теории кристаллизации / Ученые записки Латвийского университета. Рига, 1975, с.3−23.
- Ю.М.Смирнов, Взаимосвязь тепловых условий и морфогологии фронта кристаллизации при росте монокристаллов германия. В кн.: Физика кристаллизации, 1978, № I, с.60−68.
- Влияние формы фронта кристаллизации на профиль концентраций в твердом теле / С. И. Аладьев, К. В. Курбанов, А.С.Охо-тин, А. Г. Усанов. В кн.: Материалы и процессы космической технологии. М., 1980, с.30−35.
- Б.Л.Тиман, О. Д. Колотий. Условия устойчивости положения фронта кристаллизации при выращивании кристаллов методом Степанова. В кн.: Монокристаллы и сциншяляторы. Харьков, 1977, с.6−10.
- Horic Y., Cherl S. An approximate method of solution for multidimensional crystal growth, problems. J.Cryst. Growth, 1975, v.29, H2, p. 248−256.
- Х.С.Багдасаров. Техника высокотемпературной кристаллизации и совершенство кристаллов. В кн.: 4 Международная школа специалистов по росту кристаллов. Суздаль, 1980, ч.1,с.234−249.- 173
- Ю.Ф.Щелкин. Определение диаметра кристалла по известным условиям теплообмена слитка с окружающей средой в процессе получения слитков методом Чохральского. Научные труды Гиредмет"а, М., 1980, т.103, с.33−44.
- Исследование термоупругих напряжений в связи с дислокационной структурой при выращивании монокристаллов полупроводниковых материалов из расплава методом Чохральского G.G. Вахрамеев, М. Р. Мильвидский, В. Б. Освенский и др.
- В кн.: Рост кристаллов. М., 1977, т.12, с.287−293.
- K.Mika, W.Uelhoff. Shape and stability of menisci in Czochralski growth and comparison with analitical approximations. J. Cryst, Growth, 1975, v. 30, p. 9−20.
- В.И.Полежаев.Особенности гидродинамики расплавов и растворов в процессе выращивания кристаллов. В кн.: 4 Международная школа специалистов по росту кристаллов. Суздаль, 1980, ч.1, с.279−297.
- И.А.Ремизов.Численное моделирование концентрационных полей легирующей примеси в расплаве при выращивании монокристаллов методом Чохральского. Физика и химия обработки материалов, 1980, $ I, с.38−45.- 174
- И.В.Старшинова.Численный анализ распределения температурв расплаве при выращивании монокристаллов методом Чохральс-кого. Физика и химия обработки материалов, 1980, J6 I, с.46−51.
- Некоторые особенности гидродинамики при выращивании кристаллов кремния методом Чохральского / В. П. Гришин, И. А. Ремизов, Н. И. Казимиров, Ю. П. Федулов. Научные труды Гйредмет"а1. М., 1975, т.65, с.11−19.
- The meniskus in Czochralski growth. /^Bardsley w., Prank P.C., Green G.W. et al.-J.Vrysy.Growth, 1974, v.23,N4, p, 341−344
- В.А.Татарченко.Устойчивость процесса кристаллизации из расплава при капиллярном формообразовании. В кн.: Росткристаллов. М., 1980, т.13, с.160−171.
- Т.Сурек, С. Кориел, Б.Чалмерс.Устойчивость формы кристалла в процессах роста, определяемого формой мениска. В кн.: Рост кристаллов. М., 1980, т.13, с.180−190.
- С.В.Цивинский.Применение теории капиллярных явлений к получению изделий заданной формы непосредственно из расплава по методу Степанова. Инженерно-физический журнал, 1962, т.5, $ 9, с.59−65.
- Rea Samuarl Н. Czochralski silicon pull rata limits.-J.Cryst. Growth, 1981, v.54, N 2, p.267−274.
- Surek Т., Goriell S.R., Chalmers B. The growth of shaped crystals from the melt- J.Cryst.Growth, 1980, v.50, Si, p.21- 32.
- Н.А.Соболева, А. Е. Маламед.Фотоэлектронные приборы. М.: ' Высшая школа, 1974. — 375с., ил.
- В.А.Пузырев, В. В. Клевцов.Автоматизация проектирования- 175 управляющих систем в радиоэлектронике. М.: Из-во МАИ, 1979, — В надзаг.: Моск. ордена Ленина авиац. ин-т им. С.Орджоникидзе.
- ПО. Дж. Бендат, А.Пирсол.Измерение и анализ случайных процессов. М.: Мир, 1971, — 408с., ил.
- В.Л.Лебедев, И. Д. Раскин.Исследование динамических характеристик основных параметров, воздействующих на рост кристаллов методом Чохральского. В кн.: Научные труды Гиредмет"а.М., 1981, т.105, с.57−61.
- Хрущев В.В. Электрические микромашины автоматических устройств. Л.: Энергия, 1976. — 383с., ил.
- Юферов Ф.М. Электрические машины автоматических устройств, — М.- Высшая школа, 1976, 416 е., ил.
- В.А.Бесекерский, Е. П. Попов. Теория систем автоматического регулирования. М.: Наука, 1975. — 768с., ил.
- В.Г.Срагович. Адаптивное управление. М.: Наука, 1981, — 384с., ил.
- Адаптивное управление сложными технологическими процессами/ Ядыкин И. Б., Афанасьев В. Н., Данилина А. Н., Данилин А.Б.-Зарубежная радиоэлектроника, 1980, 1 8, с.3−25.
- Койво Х.Н., Пузырев В. А. Самонастраивающиеся управляющие устройства. Зарубежная радиоэлектроника. 1981, № 8,с.46−59.
- В.А.Пузырев.Автоматизация проектирования самонастраивающихся регуляторов технологических процессов. М.: Из-во
- МАИ, 1982, В надзаг.: Моск. ордена Ленина и ордена Октябрьской революции авиац. ин-т им. С.Орджоникидзе.
- В.Н.Путков, И. И. Обросов, С. В. Бекетов.Электронные вычислительные устройства. Мн.: Выш. школа, 1981, — 333с., ил.- 176
- Р.П.Строганов. Управляющие машины и их применение. М.: Выш. школа, 1978, — 164с., ил.
- Е.П.Балашов, Д. В. Пузанков.Микропроцессоры и микропроцессорные системы. М.: Радио и связь, 1981, — 328с., ил.
- В.А.Пузырев, А. И. Зайцев, А. Б. Данилевич.Стохастический подход к задаче оптимального управления качеством монокристаллов. Депонированная рукопись в ЦБИИТЭИ приборостроения, 14.09,81, Ш 1628, 12 м.п.с.
- В.А.Пузырев, А. И. Зайцев, В. Н. Степченнов.> Моделирование возмущений процесса выращивания монокристаллов методом Чохральского. Депонированная рукопись, ЦНИИТЭИ, приборостроения, 13.07.82, $ 1883, II м.п.с.
- Разработка автоматизированной системы управления технологическим процессом выращивания монокристаллов методом Чохральского. Отчет/ Моск.авиац.ин-т, Руководитель темы В. А. Пузырев. № IP0I828060704- Инв. й 28 210 448 974. — М. 1981, — 67с., ил.
- В.П.Пузырев, А. И. Зайцев.Исследование самонастраивающейся системы управления процессом выращивания монокристаллов.-В кн.: Всесоюзная конференция «Теория адаптивных системи ее применения», Тезисы докладов и сообщений. М.-Л., 1983, с.348−349.
- В.А.Пузырев, А. И. Зайцев.Проблемы управления процессом выращивания монокристаллов из расплава. Зарубежная радиоэлектроника, 1982, В II, с.52−61.