Разработка неразрушающих методов исследования полупроводников и низкоразмерных полупроводниковых структур
Диссертация
На основе теоретических и экспериментальных исследований эффекта Шубниковаде Гааза в электронном антимониде индия разработан и внедрен автоматизированный, неразрушающий метод локального, бесконтактного определения концентрации свободных носителей заряда в вырожденных полупроводниках. Метод основан на измерении периода оптических осцилляций Шубниковаде Гааза (осцилляций интенсивностей пропускания… Читать ещё >
Список литературы
- Ландау Л.Д. Собрание трудов. М. Наука, 1969, т. 1, с. 47.
- Landau L. Diamagnetism des Metalls. Zeitschr. der Physik, 1930, Bd. 64, s.629.
- Ландау Л.Д., Лифшиц Е. М. Квантовая механика. М. Наука, 1974, 552 с.
- Аскеров. Б.М. Кинетические эффекты в полупроводниках. Л. Наука, 1970, 303 с.
- Аскеров. Б.М. Электронные явления переноса в полупроводниках. М. Наука, 1985, гл. 6, 223 с.
- Брандт Н.Б., Чудинов С. М. Эффект Шубникова де Гааза и его применение для исследования энергетического спектра металлов, полуметаллов и полупроводников. УФН, 1982, т. 137, в. З, с. 479−499.
- Schubnikow L.W., de Haas W.I. Leiden Comm. Kamerlingh Onnes Lab., 1930, N.207, 207a, 210a, 210b- Proc. Netherlands Roy Acad. Sci., 1930, v. 33, p.p. 130,163.
- Titeica S. Uber die Widerstandsanderung von Metallen im Magnetfeld. Annalen der Physik, 1935, Bd. 22, s. 129.
- Ахиезер А. Об изменении сопротивления металлов в магнитном поле. ЖЭТФ, 1939, т.9, в.4, с. 426.
- Ю.Румер Ю. Б. К теории электропроводности металлов в магнитном поле. ЖЭТФ, 1952, т.22,в.2, с. 214.
- П.Клингер М. И. К теории гальваномагнитных явлений в полупроводниках. ЖЭТФ, 1956, т. 31, в. 6, с. 1055.
- Зырянов П.С., Клингер М. И. Квантовая теория явлений переноса в кристаллических полупроводниках. М. Наука, 1976, 437 с.
- Adams E.N., Holdstein T.D. Quantum theory of transverse galvanomagnetic phenomena. J. Phys. Chem. Solids, 1959, v. 10, N. 4, p.254- В. сб. Вопросы квантовой теории необратимых процессов. Под ред. В.Л. Бонч-Бруевича, М. Ил., 1961, с. 255.
- Шалыт С.С., Эфрос A.JI. К вопросу о квантовой осцилляции гальваномагнитных эффектов в арсениде и антимониде индия. ФТТ, 1962, т. 4, с. 1233.
- Bawers R., Yafet Y. Energy levels df conduction in a magnetic field. Phys. Rev., 1959, v. 115, N. 5, p. 1165.
- Kane O. Band structure of indium antimonide. J. Phys. Chem. Solids, 1957, v. 1, N. 4, p. 249.
- Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов 3 и 5 группы. М., Мир, 1967, с. 46.
- Румер Ю.Б., Рывкин М. Ш. Термодинамика, статистическая физика и кинетика. М., Наука, 1977, 267 с.
- Frederikse H.P.R., Holster W.R. Galvanomagnetic effects in n-type InSb. Phys. Rev., 1957, v. 108, N. 5, p. 1136.
- Broom R. Magnetoresistance of n-type InSb at 4,2 K. Proc. Phys. Soc., 1958, v. 71, p. 470.
- Бреслер M.C., Парфеньев P.B., Шалыт С. С. К вопросу о влиянии спина электронов на осцилляции Шубникова де Гааза в n-InSb. ФТТ, 1965, т. 7. с. 1266.
- Амирханов Х.Н., Баншров Р. Н. Влияние спина на квантовые осцилляции гальваномагнитных эффектов в n-InSb. ФТТ, 1966, т.8. с. 2189.
- Frederikse H.P.R., Holster W.R. Oscillatory galvanomagnetic effects in n-type InSb. Phys. Rev., 1958, v. 110, N. 4, p. 880
- Sladek R.I., Magnetoresistance oscillations in singlecrystal and polycrystalline InSb. Phys. Rev., 1958, v. 110, N. 4, p. 817.
- Bresler M.C., Redko N.A., Shalyt S.S. Quantum oscillations of transport coefficients in n-type InSb. Phys. Stat. Sol., 1966, v. 15, p. 745.
- Закиев Ю.Э. К вопросу об осцилляции продольного магнитосопротивления в сильно легированном арсениде индия электронного типа. 1966, т. 8, в. 6, с. 147.
- Амирханов Х.И., Баширов Р. Н. Гальваномагнитные явления в n-InSb в сильных магнитных полях. ФТП, 1967, т.1, с. 667.
- Баширов Р.Н., Гаджиев P.M. Влияние спина на квантовые осцилляции поперечного магнитосопротивления в селениде ртути. ФТП, 1967, т. 1, с. 443.
- Argyres P.N. Quantum theory of longitudinal magnetoresistance. J. Phys. Chem., Solids, 1958, v. 4, N. l, p. 19.
- Stratton R. Influence of interelectronic collisions on conduction and breakdown in polar crystals. Proc. Roy. Soc., 1958, a 246, p. 406.
- Isaacson R.A., Bridges F. Shift of the magnetoresistance oscillation maxima due to an electric field in InSb. Solid State Commun., 1966, v. 4, N 12, p. 635.
- Sailer D.G., Hanes L.K., Goodwin M.W., Stephens A.E. Shubnikov-de Haas effect studies on optically heated electrons in n-InSb. J. of Magnetism and Magnetic Materials, 1979, v. 11, p. 247.
- Гуревич B.JI., Фирсов Ю. А. К теории электропроводности полупроводников в магнитном поле. ч. II, ЖЭТФ, т. 41, с. 512.
- Argyres P.N. Theory of electrical conduction in high magnetic fields. J. Phys. Chem., Sol., 1959, v. 12, N. 1, p. 89−96.
- Эфрос A.JI. Осцилляции поперечной электропроводности в сильном магнитном поле, обусловленные рассеянием на оптических фононах в металлах. ФТТ, 1961, т. 3, в. 9, с. 2848.
- Клингер М.И. К теории линейных необратимых процессов в сильном магнитном поле. ФТТ, 1961, т. 3, с. 1342.
- Гуревич В.Л., Фирсов Ю. А., Эфрос А. Л. Новый тип осцилляций магнитосопротивления полупроводников и полуметаллов. ФТТ, 1962, т. 4, с. 1813.
- Амирханов Х.И., Баширов Р. Н., Елизаров В. А. Магнитофононный резонанс в n-InSb. ФТТ, 1975, т. 17, N 1 с. 361.
- Шалыт С.С., Парфеньев Р. В., Муждаба В. М. К вопросу о новом типе осцилляций продольного магнитосопротивления в n-InSb. ЖЭТФ, 1964, т. 47, с. 1683.
- Парфеньев Р.В., Шалыт С. С. Экспериментальное подтверждение магнито-фононного резонанса в InSb n-типа. ЖЭТФ, 1964, т. 47, с. 444.
- Павлов С.Т., Фирсов Ю. А. Спин магнитофононный резонанс и осцилляции магнитосопротивления в полупроводниках. ЖЭТФ, 1965, т. 49, с. 1664.
- Аксельрод М.М., Цидильковский И. М. Спин магнитофононные и магнитофононные осцилляции магнитосопротивления в n-InSb. Письма в ЖЭТФ, 1966, т. 4, N6, с. 205.
- Цидильковский И.М., Аксельрод М. М., Соколов В. И. Осцилляции магнитосопротивления в чистом n-InSb. ФТТ, 1965, т. 7, с. 316.
- Поморцев Р.В., Пономарев А. И., Харус Г. И., Цидильковский И. М. Новый тип осцилляций продольного магнитосопротивления. ЖЭТФ, 1968, т. 54, с. 1347.
- Парфеньев Р.В., Харус Г. И., Цидильковский И. М., Шалыт С. С. Магнитофононный резонанс в полупроводниках. УФН, 1974, т. 112, N 3. с. 3−36.
- Chang L.L. and Howard W.E. Surface inversion and accumulation of anodized InSb. J. Appl. Phys. Lett., 1965, v. 7, p. 210.
- Kawaji S. and Catos H.C. The role of surface treatment in the field effect anomaly of n- type InSb at high magnetic fields. Surf. Sci., 1965, v. 6, p. 362.
- Kawaji S., Huff H. and Catos H.C. Field effect on magnetoresistance in n- type indiume antimonide. Surf. Sci., 1967, v. 3, p. 234.
- Cho A.Y. and Arthur J.R. «Molecular beam epitaxy» in Progress in Solid State Chemistry. Ed. by J.O. Mc Caldin and Somorjai G. (Pergamon, Oxford). 1976, v. 10, p.p. 157−191.
- Esaki L. and Chang L.L. Semiconductor superfine structures by computer controlled molecular beam epitaxy. Thin Solid Films. 1976, v. 36, p. 285.
- Dupnic R.D. and Dapkus P.D. Preparation and properties of Gai. xAlxAs GaAs heterostructure lasers grown by metalorganic chemical vapor deposition. IEEE J. Quant. Electron., 1979, QE-15, p. 128.
- Tsui D.C. and Logan R.A. Observation of two dimensional electrons in LPE -grown Gai. xAlxAs — GaAs heterojunctions. Appl. Phys. Lett., 1979, v. 35, p. 99.
- Алферов Ж.И., Жиляев Ю. В., Шмарцев Ю. В. Расщепление зоны проводимости в сверхрешетке на основе GaPxAsix. ФТП, 1971, т. 5, в. 1, с. 196. Алферов Ж. И. Физика и жизнь. СПб., Наука, 2000, 255 с.
- Blakeslee А.Е. and Aliotta Man made superlattice crystals. IBM J. Res. Dev. 1970, v. 14, p. 686.
- Шик А. Я. Явления переноса в одномерных сверхрешетках. ФТП, 1973, т. 7, в. 2, с. 261.
- Шик А. Я. Сверхрешетки (обзор). ФТП, 1974, т. 8, с. 1841.
- Маслюк В.Т., Феннич П. А. Полупроводниковые сверхрешетки. Зарубежная электронная техника. 1981, в. (241), с. 3−66.
- Schmelev G.M., Chaikovskii С.А., Chan Min Shon. The Conductivity in Semiconductors with Superlattice. Phys. Stat. Sol., 1976, v. 76, N 2, p. 811.
- Dohler G.H. Electron states in crystals with nipi superstructure. Phys. Status. Solidi., 1972a, В 52, p. 79−92.
- Dohler G.H. Electrical and optical properties of crystals with nipi superstructure. Phys. Status. Solidi., 1972b, В 52, p. 533−545.
- Dohler G.H. Doping superlattices. J. Vac. Sci. Technol. 1979, v. 16, p. 851.
- Dohler G.H. Semiconductor superlattices A new material for research and application. Physica Scripta. 1981, v. 24, p. 430−439.
- Tsui D.C., Stormer H.L., Gossard A.C. Two dimentional magnetotransport in extreme quantum limit. Phys. Rev. Lett., 1982, v. 48, N 22, p. 1559.
- Von Klitzing K., Dorda G., Pepper M. New method for high accuracy determination of the finestructure constant based on quantized Hall resistance. Phys. Rev. Lett., 1980, v. 45, N6, p. 494.
- Von Klitzing К., Ebert G. Two dimensionalSystems, Heterostructures and Su-perlattices^ Ed. By G. Bauer, F. Kuchar, H. Heinrich. Berlin — Heidelberg. — N.Y. -Tokio, 1984, p. 243.
- Пудалов B.M., Семенчинский С. Г. Инверсионные слои носителей заряда в квантующем магнитном поле. Квантовый эффект Холла. Поверхность: физика, химия, механика, 1984, N 4, с. 5−28.
- Ando Т., Fowler А.В., Stern F. Rev. Mod. Phys., 1982, v. 54, N. 2, p. 437−672- Андо Т., Фаулер А., Стерн Ф. Электронные свойства двумерных систем. Пер. с англ. под ред. Ю. В. Шмарцева. М., Мир, 1985,416 с.
- Квантовый эффект Холла: Пер. с англ. под ред. А. Я. Шика и Ю. В. Шмарцева. М., Мир, 1986, 232 с.
- Рашба Э.И., Тимофеев В. Б. Квантовый эффект Холла. ФТП, 1986, т. 20, N6, с. 977−1024.
- Галицкий В.М., Корнаков Б. М., Коган В. И. Задачи по квантовой механике. М. Наука, 1981, с. 18, с. 152.
- Shoenberg D. Magnetic oscillation in metals. Cambridge London, New York, Sydney, 1984, 680 p.- Шенберг Д. Магнитные осцилляции в металлах. Пер. с англ. М., Мир, 1986, 680 с. 200, с. 138.
- Краснополин И.Я., Пудалов В. М., Семенчинский С. Г. Физический репер сопротивления на основе квантового эффекта Холла. ПТЭ, N 6, 1987, с. 5−24.
- Portal J.C., Nicholas R.J., Brummell М.А. Quantum transport in Ga In As A1 InAs heterojunctions and the influence of intersubband scattering. Sol. State Commun., 1982, v. 43, N 12, p. 907.
- Portal J.C., Nicholas R.J., Brummell M.A. High magnetic field studies of the two dimentional electron gas in Ga In As -InP superlattice. Appl. Phys. Lett., 1983, v. 43, N3, p. 293.
- Portal J.C., Nicholas R.J. Resonance magnetophonon dans les systems bidimen-sionnels. Acta Electron., 1983, v. 25, N 2, p. 173.
- Tsui D.C., Engiert Th., Cho A.Y. and Gossard A.C. Observation of magnetopho-non resonances in a two — dimensional electronic system. Phys. Rev. Lett., 1980, v. 44, p. 341.
- Stormer H.L., Dingle R., Gossard A.C., Wiegmann W. and Sturge M.D. Two -dimensional electron gas at a semiconductor semiconductor interface. Solid. State Commun., 1983, v. 29, p .705.
- Gulder Y., Vieren J.P., Voisin P., Voos M., Chang L.L., and Esaki L. Cyclotron resonance and far infrared magnetoabsorption experiments in semimetallic InAs — GaSb superlattices. Phys. Rev. Lett., 1980, v. 45, p. 1719.
- Maan J.C., Gulder Y., Vieren J.P., Voisin P., Voos M., Chang L.L., and Esaki L. Three dimensional character of semimetallic InAs GaSb superlattices. Solid. State Commun., 1981, v. 39, p .683.
- Блад П., Ортон Дж. В. Методы измерения электрических свойств полупроводников. Зарубежная электроника, 1981, N 2 с. 39.
- Блад П., Ортон Дж. В. Методы измерения электрических свойств полупроводников. Зарубежная электроника, 1981, N 1 с. 27.
- Хахин Н.Б., Никулов В. В., Ефанов Н. Н. Выращивание кремниевых р i — п структур в низкотемпературном процессе эпитаксии при пониженном давлении. Электронная техника. Сер., электроника СВЧ, 4 (408), 1988, с. 63.
- Дмитрук H.JI. Методы контроля профиля легирования полупроводниковых пленок. Полупроводниковая техника и микроэлектроника, 1975, N 21, с. 84.
- Baxandall P.J., Colliver D.J., Fray A.F. An instrument for the rapid determination of semiconductor impurity profiles. J. Phys. E. (GB). Sci. Instrum., 1971, v. 4, N 3, p. 213.
- Severin P.J., Poodt G. Capacitance voltage measurements with a mercury — silicon diode. J. Electrochem. Soc., 1972, v. 119, N 10, p. 1384.
- Copeland J.A. Technique for directly plotting the inverse doping profile of semiconductor wafers. IEEE Trans. Electron Devices, 1969, ED-16, p. 445.
- Орлов O.M., Принц В. Я., Скок Э. М. Прибор для автоматического измерения профиля концентрации мелких уровней. ПТЭ, 1979, N 4, с. 258.
- Lehovec К. Determination of impurity and mobility distribution in epitaxial semiconducting films on insulating substrate by C-V and Q-V analysis. Appl. Phys. Lett., 1974, v. 25, N 5, p. 279.
- Дмитрук H.JI., Ляшенко B.H., Маева О. И. Определение профиля легирования и профиля подвижности носителей заряда в эпитаксиальных пленках на изолирующих подложках. ФТП, 1975, т. 9, в. 3, с. 556.
- Vilson R.G., Jamba D.M. Differential capacitance voltage profiling of Schottky barrier diodes for measuring implanted depth distributions in silicon. Nat. Bur. Stand (U.S.), Spec. Publ., 1978,400−71, 52 p.
- Миньков Г. М, Крутаев B.B., Рут О. Э. и Зверев Л. Л. Способ определения концентрации свободных носителей заряда в вырожденных полупроводниках. А. С. 1 000 945, Б.И. 1983, N 8, 28.02.
- Rau R., Caspari М. Faraday effect in germanium at room temperatur. Phys. Rev. 1955, v. 100 N2, p. 632.
- Пожела Ю.К. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках. М., Наука, 1977, 367 с.
- Пожела Ю.К., Ряука В. Л., Толутис Р. Б. Датчик для бесконтактного измерения концентрации носителей заряда в полупроводниках. А.С. N 345 948, Б.И., 1972, N 24.
- Tolutis R.B., Riauka V.L., Pozhela Yu, К. Helicon method for investigation of many-valley semiconductors. Phys. Stat. Sol., 1970, v. 42 N 2 p. 551.
- Кучис E.B. Методы исследования эффекта Холла. М., Сов. Радио, 1974, 318 с.
- Кучис Е.В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования. М., Радио и связь, 1985, 1990 264 с.
- Виткус A.M., Лауринавичус А. К., Пожела Ю. К., Яшинскас П. А. Автоматизированная установка для диагностики полупроводников геликонным СВЧ-методом. ПТЭ, 1980, N 3, с. 208.
- Пожела Р.Ю., Толутис Р. Б., Эберсонас Т. С. Бесконтактное измерение подвижности и концентрации носителей заряда в полупроводниках. ПТЭ, 1986, N 1, с. 185.
- Соболев B.C., Шкарлет Ю. М. Экранные и накладные датчики. Наука, Новосибирск, 1967,142 с.
- Гордиенко Ю.Е., Бородин Б. Г. Бесконтактное измерение подвижности носителей заряда в полупроводниках. ПТЭ, 1984, N 1, с. 189.
- Медведев Ю.В., Петров А. С., Скрыльников А. А. Устройство для бесконтактного локального определения подвижности носителей заряда в полупроводниках. ПТЭ, 1988, N 1, с. 189.
- Сальман Е.Г., Самойлов В. А., Вертопрахов В. Н. Источник малых токов для неразрушающего контроля структур металл диэлектрик — полупроводник. ПТЭ, 1980, N 4, с. 220.
- Данилов Г. Н., Лисюк Ю. В., Медведев Ю. В. Сверхвысокочастотный резонатор для бесконтактного измерения удельного сопротивления полупроводниковых пластин с высоким пространственным разрешением, ПТЭ, 1981, N 3, с. 206.
- Данилов Г. Н., Егоров В. П., Медведев Ю. В., Пахоруков В. А., Петров А. С., Пивоваров Б. Л., Сафронов А. И. Автоматизированная установка для измерения распределения удельного сопротивления по площади полупроводниковых пластин. ПТЭ, 1986, N 2, с. 205.
- Ковчавцев А.П., Крылин С. М., Половинкин В. Г., Халиуллин Н. И. Автоматизированная установка для измерения высокочастотных вольт фарадных характеристик структур металл диэлектрик — полупроводник. ПТЭ, 1985, N6, с. 174.
- Гордиенко Ю.У., Дудкин Ю. А., Бородин Б. Г. Установка для исследования фотопроводимости полупроводников при сверхвысокочастотном смещении. ПТЭ, 1977, N 1, с. 239.
- Андреев Б.А., Герштейн Л. И., Иконников В. Б., Шмагин В. Б. Бесконтактный способ регистрации спектров фотопроводимости полупроводников. ПТЭ, 1985, N3, с. 172.
- Андреев Б.А., Ивашкин А. В., Лифшиц Т. М., Максимов Г. А., Шмагин В. Б. Спектрометр для исследования фотопроводимости полупроводников в дальней инфракрасной области на основе ИКС — 31. ПТЭ, 1985, N 4, с. 173.
- Гайслер В.А., Курочкина Т. В. Установка для локальной спектроскопии комбинационного рассеяния света полупроводниковых структур. ПТЭ, 1988, N4, с. 170.
- Альперович В.Л., Минаев А. О., Мощенко С. П., Терехов А. С. Установка для поляризационной модуляционной спектроскопии полупроводников. ПТЭ, 1988, N4, с. 172.
- Мощенко С.П., Морозов Б. В., Терехов А. С. Управляемый ЭВМ лазерный зонд для исследования распределения оптических и фотоэлектрических свойств по площади полупроводниковых структур. ПТЭ, 1989, N 2, с. 205.
- Заболоцкий С.Е., Калинушкин В. П., Плоппа М. Г., Мурина Т. М. Установка для исследований скоплений электрически активных примесей в полупроводниках методом МУРС. ПТЭ, 1984, N 4, с. 206.
- Астафьев О.В., Калинушкин В. П., Юрьев В. А. Сканирующая лазерная микроскопия в среднем ИК-диапазоне как метод исследования полупроводниковых материалов. Микроэлектроника, 1996, т. 25 N 1, с. 41−53.
- Штурбин А.В., Шалыгин В. А. Определение диффузионно рекомбинаци-онных параметров полупроводников бесконтактным методом. ФТП, 1995, т. 29, в. 11, с. 2040.
- Zongxin Wang and Youling Chu. Use of microwave photoconductivity to measure semiconductor properties. Solid State Electron. 1991, v. 34, N 7, p. 735.
- Овсюк B.H., Сусляков A.O., Захарьяш Т. И., Васильев В. В., Студеникин С. А., Сидоров Ю. Г., Дворецкий С. А., Варавин B.C., Михайлов Н. Н. Фотосопротивления на основе пленок CdHgTe. Автометрия., 1996, N 4, с. 45.
- Бородовский П.А., Булдыгин А. Ф., Студеникин С. А. СВЧ методы измерения параметров эпитаксиальных пленок КРТ. Автометрия, 1996, N 4, с. 59.
- Булдыгин А.Ф., Вдовин А. В., Студеникин С. А., Токарев А. С., Варавин B.C. Исследование спектра фотопроводимости пленок CdHgTe СВЧ методом. Автометрия, 1996, N 4, с. 73.
- Грейштейн Б.А., Иконников В. Б., Шмагин В. Б. Бесконтактный способ регистрации спектров фотопроводимости полупроводников. ПТЭ, 1985, N 3, с. 172.
- Долганин Ю.Н., Тулубенский А. Г. Измерение фотоэлектрических свойств полупроводников методом оптической модуляции. ПТЭ, 1988, N 6, с. 172.
- Бровкин Ю.Н., Жиделев Б. В., Костылев С. А., Прохорьев Е. Ф. Универсальный точечный емкостной зонд для исследования параметров полупроводников. ПТЭ, 1978, N 6, с. 187.
- Якубеня С.Н., Шварков Д. С. Неразрушающий локальный контроль качества полупроводниковых материалов СВЧ фазовым методом. ПТЭ, 1997, N 3, с. 167.
- Казаков Б.Н., Сафиуллин Г. М., Латышев В. А., Яковлева Ж. С. Приставка к оптическому спектрометру для измерения концентрационного профиля и коэффициента распределения примеси по кристаллу. ПТЭ, 1997, N 3, с. 148.
- Креминь В.Г. Автоматизированная установка для исследования воль амперных и вольт фарадных характеристик полупроводниковых приборов. ПТЭ, 1998, N1, с. 78.
- Принц В.Я., Булдыгин А. Ф., Папаев И. А., Трошнев А. Ю. и др. Бесконтактная электрическая характеризация наноструктур. Полупроводники. Отв. ред. чл.-кор. РАН И. Г. Неизвестный, ЦЭРИС, 1994, 306 с.
- Осадчий В.М. Моделирование распределения электронов в структурах AlGaAs/GaAs (5 Si), выращенных на винциальных поверхностях. ФТП, 1999, т. 33, в. 10, с. 1229.
- Синявский Э.П., Соковнич С. П. Внутризонное поглощение света в квазидвумерных системах во внешних электрических и магнитных полях. ФТП, 1999, т. 33, в. 7, с. 828.
- Бородовский П.А., Булдыгин А. Ф. Определение подвижности и концентрации электронов в тонких полупроводниковых пленках на сверхвысоких частотах с помощью плазменного резонанса. ФТП, 1999, т. 33, в. 10, с. 1224.
- Кирпичев В.Е., Кукушкин И.В., Бисти В. Е., К.фон Клитцинг, Эберл К. Магнитооптические измерения циклотронной массы и g фактора легких дырок в GaAs. Письма в ЖЭТФ, 1995, т. 64, в. 11, с. 766.
- Стерн Ф. Квантовые свойства поверхностных слоев пространственного заряда. В кн. Новое в исследовании поверхности твердого тела. Вып. 2, М., Мир, 1977, с. 280−305.
- Овсюк В.Н. Исследование электронных процессов в полупроводниках с областями пространственного заряда. Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук., Новосибирск, 1983, 436 с.
- Квон З.Д., Неизвестный И. Г., Овсюк В. Н., Ржанов Ю. А. Магнитосопротивление инверсионных каналов на поверхности германия. В. сб. Физика тонкопленочных систем. Под. ред. Ржанова А. В., Новосибирск, ИФП CO-РАН СССР, 1978, с. 61−66.
- Тейлер В.А., Маргулис В. А., Чудаев И. В., Чучаев И. И. Проводимость электронного газа в квантующем магнитном поле при рассеянии на точечных дефектах. ЖЭТФ, 1995, т. 107, в. 1, с. 187.
- Ридли. Квантовые процессы в полупроводниках. М., Мир, 1986, 304 с.
- Неизвестный И.Г., Соколова О. В., Шамиряк Д. Г. Одноэлектроника. Часть II. Применение одноэлектронных приборов. Микроэлектроника, 1999, т. 28, N 3, с. 163−174.
- Кейси X., Паниш М. Лазеры на Гетероструктурах. В 2-х томах, т. 1. Пер. с англ. М., Мир, 1981, 299 с.
- Журавлев К.С., Торопов А. И., Шамирзаев Т. С., Бакаров А. К., Раков Ю. Н., Мякишев Ю. Б. Применение высокочистых слоев AlxGa^As в эпитаксиаль-ных структурах для мощных полевых СВЧ транзисторов. Письма в ЖЭТФ, 1999 г., т. 25, в. 15, с. 8.
- Корнилович А.А., Пак С.П. Электрические свойства вырожденных диодных структур Ge и GaAs, полученных методом жидкостной эпитаксии.
- В. сб. науч. работ. Физика полупроводников и полупроводниковых приборов. Новосибирск, СОАН СССР, 1967, с. 87 90.
- Медведев Ю.В., Скрыльников А. А. Измерение магнитосопротивления полупроводников ВЧ и СВЧ датчиками квазистационарного типа. М., ЦНИИ Электроника, Серия 8, Вып. 1 (274), 1988, с. 18.
- Лисинкова Н.Г., Духновский М. П., Крысов Г. А., Федоров Ю. Ю. Исследование фоточувствительности полупроводниковых материалов неразрушаю-щим СВЧ методом. М., ЦНИИ Электроника, Серия 8, Вып. 1 (274), 1988, с. 29.
- Васильев В.В., Есаев Д. Г., Кравченко А. Ф., Осадчий В. М., Сусляков А. О. Исследование влияния варизонности эпитаксиальных слоев на эффективность работы фотодиодов на основе твердых растворов Cdx Hgix Те. ФТП, 2000, т.34, в. 7, с. 877.
- Овсюк В.Н., Протасов Д. Ю., Талипов Н. Х. Применение метода «спектр подвижности» к исследованию имплантированных слоев HgCdTe. Тез. докл. IV Российской конференции по физике полупроводников. Полупроводники' 99., Новосибирск, Академгородок, 1999, с. 285.
- К. фон Клитцинг. Квантовый эффект Холла. Нобелевская лекция 1985 г. УФН, т. 150, N1, с. 107.
- Квантовый эффект Холла. Пер. с англ. Под ред. Р. Пренджа, с. Гирвина. М. Мир, 1989, 408 с.
- Карабутов А.В., Нунупаров М. С. Квантовый эффект Холла в полупроводниках и перспектива его использования в науке и технике. Итоги науки и техники. Электроника. М., ВИНИТИ, 1990, т. 27, с. 135−173.
- Цидильковский И.М. Электроны и дырки в полупроводниках. М., Наука, 1972, 640 с.
- Смит Р. Полупроводники. Пер. с англ. Под ред. Н. А. Ленина. М., Мир, 1982, 558 с.
- Оптические свойства полупроводников, (полупроводниковые соединения А3В5) Под ред. Р. Уиллардсона и А. Бира. Пер. с англ. под. ред. чл.-кор. АН. Е. Ф. Гросса. М., Мир, 1970, с. 486.
- Ахманов С.А., Коротаев Н. И. Методы нелинейной оптики в спектроскопии рассеяния света. М., Наука, 1981, 544с.
- Бобылев Б.А., Вдовин А. В., Гайслер В. А., Кравченко А. Ф., Палкин A.M., Скок Э. М., Торчинов Х. З. Методы спектроскопии полупроводников. Под ред. д.ф.-м.н. Э. М. Скока. Новосибирск, ИФП СОАН СССР, 1986, 167 с.
- Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. Л. Физматгиз., 1962, 420 с.
- Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. М., Наука, 1978, 615 с.
- Сапцов В.И., Скок Э. М. Магнитооптические эффекты в антимониде индия. Препринт 15, ИФП СО АН СССР, Новосибирск, 1987, 25 с.
- Зеегер К. Физика полупроводников. Пер. с англ. Под. ред. Ю. К. Пожелы. М., Мир, 1977,615 с.
- Блейкмор Дж. Физика твердого тела. Пер. с англ. под. ред. Д. Г. Андрианова и В. И. Фистуля. М., Мир, 1988, 608 с.
- Рассеяние света в твердых телах. Под ред. М. Кардоны, М., Мир, 1979, 390 с., 1985, 292 с.
- Летохов B.C. Проблемы лазерной спектроскопии. УФН, 1976, т. 118, с. 199.
- Алиев M.P., Козлов Д. Н., Смирнов В. В. Когерентная спектроскопия комбинационного рассеяния высокого разрешения. Письма в ЖЭТФ, 1977, т. 26, с. 31.
- Ахманов С.А., Короткевич Н. И., Орлов Р. Ю., Шумай Н. Л. Активная спектроскопия комбинационного рассеяния света в непрерывном режиме. Письма в ЖЭТФ, 1976, т. 23, с. 276.
- Березовец В.А., Фарбпггейн И. И., Шнайдер Д. Особенности спектрального состава магнитопроводимости двумерного аккумулирующего слоя на поверхности теллура (юТо). ФТТ, 1999, т. 41, в. 3, с. 537.
- Белл. Р.ДЖ. Введение в фурье спектроскопию. Пер. с англ. М., Мир, 1975,381 с.
- Гудмен Дж. Введение в фурье оптику. Пер. с англ. под ред. Г. И. Косо-урова. М., Мир, 1970, 364 с.
- Герасимов Н.П., Козырев С. В., Овсюк В. Н., Потапов С. В., Славинская Н. С., Черемных П. А., Шмарцев Ю. В. Ультраквантовый предел холловской проводимости двумерного электронного газа на поверхности кремния. Письма в ЖЭТФ, 1983, т. 38, в. 2, с. 73.
- Нелинейная спектроскопия. Под ред. Н. Бломбергена. М., Мир, 1979, 586 с.
- Chemla D.S. Non linear optical properties of condensed matter. Rep. Prog. Phys. 1980, v. 43. p. 1192.
- Levinson N.D., Song J.J. Coherent Raman spectroscopy. Feld Eds. M. S., Le-tohov V.S. Springer Verlag Berlin. Topics in Current Phys., 1980, v. 21.
- Druet S.A.J., Taran J. Р.Е. CARS (ACKP) Spectroscopy. Prog. Quant. Electron. 1981, v. 7, p. 1.
- Patel C.K.N., Slusher R.E. Optical nonlinearities due to mobile carriers in semiconductors. Phys. Rev. Lett. 1966, v. 17, N 19, p. 1011.
- Desilets C.S., Patel C.K.N. Characteristics of a low field Spin — flip Raman laser: Measurement of Raman gain. Appl. Phys. Lett. 1973, v. 22, N 10, p. 543.
- Brueck S.R.J., Moordian A. Spontaneous Spin flip Raman linear and nonlinear processes in InSb. Opt. Communs. 1973, v. 8, N 3, p. 263.
- Pascher H., Appold G., Hafele H.G. Spin flip Raman scattering from electrons in localized donor spates in n — InSb. Opt. Communs. 1975, v. 19, N 1, p. 100.
- Бломберген H. Нелинейная оптика. M., Мир, 1966, 424 с.
- Isaacson R.A. Electron Spin resonance in n type InSb. Phys. Rev. 1968, v. 169, N9, p. 312.
- Гершензон E.M., Певин H.M., Фогельсон M.C. Особенности парамагнитного резонанса электронов в n InSb. ФТТ, 1968, т. 10, N 9, с. 2880.
- Pidgeon C.R., Mitchell D.L., Brownf R.N. Interband magnetoabsorption in InAs, InAS. Phys. Rev. 1967, v. 154, N 3, p. 737.
- Johonson E.J., Dickey D.H. Infrared cyclotron resonance and related experiments in the conduction band of InSb. Phys. Rev. 1970, v. Bl, N 6, p. 2676.
- Colles M.J., Pidgeon C.R. Tunable lasere (review). Reports on progress in physics, 1975, v. 38, N 3, p. 378−422.
- Вдовин A.B., Скок Э. М. Исследование эффективного g фактора свободных электронов в InSb методом комбинационного рассеяния. ФТП, 1981, т. 15, N6, с. 1078.
- Pascher Н. Determination of the effective g value of n- InAs by four — wave mixing spectroscopy. Opt. Communs, 1982, v. 41, N 2, p. 106.
- Aggarwal R.L. Physics in high magnetic field. Proc. Oij. Intern. Seminar Ha-kone, Japan, 1980.
- Пашер X., Скок Э. М., Хефеле X. Спин флип резонанс фотопроводимости и магнитосопротивления в антимониде индия. Письма в ЖЭТФ, 1982, т. 36. № 4, с. 109.
- Jablonovitch Е., Blombergen N. Dispersion of the nonlinear optical susceptibility in n- InSb. Phys. Rev. 1971, v. 3, N 6, p. 2062.
- Бреслер M.C., Гусев О. Б. Циклотронный резонанс нелинейной оптической восприимчивости в InSb. ЖЭТФ, 1979, т. 76, N 2, сю 724.
- Missell F.P., Dresselhaus M.S. Study of the optical Shubnikov de Haas effect. Phys. Rev. 1972, v. 5, N 4, p. 1364.
- Скок Э.М., Студеникин C.A. Спиновый резонанс магнитосопротивления и фотоэдс в n-InSb при комбинационном рассеянии. ФТТ, 1983, т. 25, N 11, с. 3361.
- Вдовин А.В., Калугина Н. А., Сапцов В. И., Студеникин С. А., Скок Э. М. Природа осцилляций оптических и кинетических коэффициентов в антимониде индия. Изв. Ак. Наук СССР, 1986, т. 50, N 2, с. 304.
- Вдовин А.В., Студеникин С. А., Корнилович А. А., Уваров Е. И. Измерение резонансов в антимониде индия. Полупроводниковая тензометрия. Меж-вуз. сб. науч. трудов, НЭТИ, Новосибирск, 1988, с. 86 94.
- Todd Т.Н., Clayton С.М., Telfair W.B., McCubbin Т.К., Pliva Jr., Infrared emission of 12C160,13C, 60 and, 2C180. J. Mol. Spectr. 1976, v.62, p. 201−227.
- Корнилович A.A., Уваров Е. И. Прибор для автоматического локального измерения профилей концентрации носителей заряда в полупроводниковых структурах, ПТЭ, 1999, N 4, с. 134 138.
- То же Kornilovich А.А., Uvarov E.I.Device for Automated local measurement of charge carrier concentration profiles in semiconductor structures. Instruments and Experimental Techniques, № 4, 1999, pp. 558−562.
- Калужный B.M., Корнилович A.A., Уваров Е. И., Федан П. Н. Программный контроллер сопряжения ЭВМ и системы КАМАК. Микропроцессорные средства и системы. 1987, N 6, с. 68.
- Корнилович А.А., Студеникин С. А., Уваров Е. И. Способ определения концентрации носителей заряда в вырожденных полупроводниках. А.С. 1 694 018, Б.И. 1991 N 43, с. 228.
- Dennis R.B., Pidgeon C.R., Smith S.D., Wherrett B.S., Wood R.A. Stimulated spin flip Raman scattering a magnetically tunable laser. Proc. R. Soc. Lond. 1972, v. A 331, p. 203.
- Kornilovich A.A. Investigation of semiconductor structures and two-dimensional systems by non-destructive contactless methods. Proc. IEEE-Russia Conference ME-MIA'2001, Novosibirsk, 2001
- Корнилович А.А., Студеникин С. А., Скок Э. М., Вдовин A.B., Уваров Е. И. Магнитооптические методы исследования характеристик полупроводников. Материалы Российской научно-технической конференции. Новосибирск, 1996, т. 2, с. 35 -36.
- Dresselhaus M.S., Maurodes J.G. Optical de Haas Shubnikov effect in Antimony. Sol. St. Com., 1964, v. 2, N 10, p. 297.
- Дрессельхауз Г., Дрессельхауз M.C. Магнитооптические эффекты в твердых телах. В. кн. Оптические свойства полупроводников под ред. Р. Уил-лардсона и А. Вира. М., Мир, 1970, с. 313.
- Kornilovich A.A. Investigations of the Shubnikov de Haas effect in semiconductor by optical and microwave methods. Proc. of the IEEE -RUSSIA Conference MIA — ME'99, Sept. 21−23, 1999, Novosibirsk, p. 1. 10−1. 12.
- Корнилович A.A. Исследование осцилляций Шубникова де Гааза в полупроводниках. Материалы Международной научно-технической конференции. Информатика и проблемы телекоммуникаций. Электронно — физическая секция. Новосибирск, 1998, с. 129 — 130.
- Корнилович A.A. Определение параметров полупроводников по осцилляциям Шубникова де Гааза. Труды Международной конференции. АПЭП -98, Новосибирск, 1998, т. 2, с. 29 — 30.
- Kornilovich A.A. and Uvarov E.I. Non destructive automated methods for determination of parameters of semiconductor structures. Proc. IEEE — Russia conference. MIA — МЕЛ97, Novosibirsk, sept. 23 — 25, 1997, p. 27 — 30.
- Kornilovich A.A. Determination of parameters in semiconductors using the Shubnikov de Haas effect. Proc. 4th international conference APEIE — 98, Novosibirsk, 1998, v. 1, Selected papers on English, p. 22−23.
- Generazio E.R., Spector H.N. Free carrier absorption in quantizing magnetic fields. Phys. Rev. В., 1979, v. 20, N 12, p. 5162.
- Spector H.N., Adamska H. Free carrier absorption in quantizing magnetic fields: Degenerate carriers. Phys. Rev. В., 1982, v. 26, N 8, p. 4717.
- Moore B.T., Seiler D.G., Kahlert H. C02 laser — induced hot electron effect in n — InSb. Sol. St. Electronics, 1978, v. 21, N 1, p. 247.
- Ferry D.K. Energy diffusion equation in hot — electron problems: disturbance of the polar — optical — phonon distribution. Phys. Rev. В., 1973, v. 8, N 4, p. 1544.
- Kornilovich А.А., Studenikin S.A., Baturina T.I. and Buldigyn A.F. Microwave methods for contactless determination of transport parameters semiconductor structures. Proc. APEIE 96. in 11 vol., Novosibirsk, 1996, v. 1, p. 43 — 49.
- Корнилович A.A., Студеникин C.A., Булдыгин А. Ф. Способ бесконтактного определения концентрации свободных носителей заряда в вырожденных полупроводниках. Пат. N 2 037 911 РФ, 1995, Б.И., N 17, с 252.
- Корнилович А.А., Студеникин С. А., Булдыгин А. Ф. СВЧ установка для бесконтактного определения концентрации носителей в полупроводниковых структурах по эффекту Шубникова-де Гааза. ПТЭ, 1996, N 2, с. 131−133.
- Kornilovich А.А. Determination of parameters two-dimensional carriers using the quantum effects in 2D systems. Abs. Third Russian — Korean Int. Symposium on science and technology KORUS'99, Novosibirsk, 1999, v. 2, p. 681.
- Корнилович А.А. Физика в примерах. Гл. Магнитные квантовые эффекты в полупроводниках. Учебное пособие. НГТУ, 1994, 230 е., 2002, 278 с.
- Корнилович А.А., Уваров Е. И., Вдовин А. В., Скок Э. М. Полупроводниковый анализатор спектра монохроматического излучения. Труды IV международной конференции. АПЭП 98 (APEIE -98), 1998, Новосибирск т. 2, с. 102- 104.
- Корнилович A.A., Мамонов A.A. Измерения индуктивности и емкости туннельных диодов. Труды Всесоюзной науч. техн. конференции по радиотехническим измерениям. 1969, Новосибирск, СНИИМ, т. I.e. 45 -46.
- Корнилович А.А., Уваров Е. И., Москвичев И. Н. Прибор для измерения профиля концентрации носителей заряда. Проспект ВДНХ, 1987, с. 2.
- Корнилович А.А., Уваров Е. И., Нуйкин В. В., Ефанов Н. Н. Прибор для измерения концентрации носителей заряда. Тез. докл. Всесоюзной науч.-тех. конференции. Оптический радиоволновой и тепловой методы неразрушаю-щего контроля. 1989, Минск, 23 25 мая.
- Корнилович А.А., Уваров Е. И., Ефанов Н. Н. Исследование распределения легирующих примесей в тонких полупроводниковых структурах методом двух гармоник. Труды АПЭП 96 в 11 томах. 1996, Новосибирск, т.1, Электронно — физическая секция, с. 31 — 34.
- Кравченко А.Ф., Овсюк В. Н. Электронные процессы в твердотельных системах пониженной размерности. НГУ, Новосибирск, 2000, 448 с.
- Kornilovich A.A., Uvarov E.I. Device measurements of charge carrier profile in semiconductors.. Abst. The 1st Korea Russia International Symposium on Science and Technology University of ULSAN: Korea. 1997, p. 72.
- Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов. Пер. с англ. М., Мир, 1984, т. 1, с. 655., 1985, т. 1, 450 е., т. 2, 449 с.
- Гершензон Е.М., Литвак Горская Л.Б., Плохова Л. А., Зарубина Т. С. Методы определения параметров полупроводников и полупроводниковых пленок на СВЧ. Полупроводниковые приборы и их применение. Сб. ст. М., Сов. Радио, 1970, В. 23, с. 3.
- Теория линий передач сверхвысоких частот. Пер. с англ. под ред. А. И. Шпунова. М., Сов. Радио, 1951, т. 1.
- Jants W., Frey Th., Bachem K.H. Characterization of active layers in GaAs by microwave absorption. Appl. Phys. 1988. A 45, N 3, p. 223.
- Abramovitz M. and Stegum I A, Handbook of mathematical functions. U.S. Government Printing Office, Washington, 1964.
- Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Liberman V. I et.al. The controlled growth of high quality mercury cadmium telluride. Thin Solid Films. 1995, v. 267, p. 121.
- Firth W.J. Theory of Spin flip Raman amplification in InSb. Opt. Commun. 1973, v. 9, N 1, p. 84.
- Thomas D.E., Rowell J.M. Low level second harmonic detection system. Rev. Sci. Instr. 1965, v. 36, N 9, p. 1301.
- Wahlguist H., Modulation broadening of unsaturated lorentzian lines. J. Chem. Phys. 1961, v. 35, N5, p. 7708
- Arnolt R. Analytical line shapes for lorentzian signals broadened by modulation. Appl. Phys. 1965, v. 36, N 8, p. 2522.
- Myers О. E., Putzer E.J. Measurement broadening in magnetic resonance J. Appl. Phys. 1959, v. 30, N 12, p. 1987.
- Wilson G.V.H. Modulation effects in magnetic resonance: widths and amplitudes for lorenzian and Gauss lines. J. Appl. Phys. 1964, v. 35, N 4, p. 1217.
- Вдовин A.B., Скок Э. М., Уваров Е. И. Анизотропия g-фактора электронов в зоне проводимости. Письма в ЖЭТФ, 1985, т. 42, N 5, с. 191.
- Chen Y.F., Dobrowolska М., Furdyna J.K. G factor anisotropy of conduction electrons in InSb. Phys. Rev. B, 1985, v. 31, N 12, p. 7989.
- Голубев В.Г., Иванов-Омский В.И., Минервин И. Г., Осутин А. В., Поляков Д. Г. Непараболичностъ и анизотропия энергетического спектра электронов в GaAs. ЖЭТФ, 1985, т. 88, N 6, с. 2052.
- Yuen S.Y., Wolff Р.А., Lax В. Theory of spin flip Raman — scattering line shape in narrow-gap semiconductors. Phys. Rev. B, 1974, v. 9, N 8, p. 3394.
- Mozolonsski M.M., Dennis R.B., Mackenzil. Appl. Phys., 1979, v. 9, p. 205.
- Willet C.S. Handbook of Lasers. Ed. By R.I.Pressley. Cleveland. Chemical Rubber CO, 1971, p. 183.
- Yafet V., Keyes R.W., Adams E.N. Hydrogen atom in strong magnetic field. J. Phys. Chem. Sol. 1956, v. 1, N 3, p. 137.
- Вдовин A.B., Скок Э. М., Федан П. Н., Уваров Е. И. Комбинационное рассеяние на спиновом переходе свободных электронов в n-InSb. Оптика и спектроскопия, 1982, т. 52, в. 2, с. 206.
- Brutck S.R.J., Mooradian A., Blum F.A. Nearresonance spontanes spin — flip light scattering in InSb. Phys. Rev., 1973, v. 7, N 12, p. 5253.
- Вдовин A.B., Скок Э. М. Нелинейная оптическая спектроскопия магнитных резонансов. Изв. Ак. Наук СССР, Сер. физическая, 1983, т. 47, N 12, с. 2373.
- Алексенко А.Г., Коломберт Е. А., Стародуб Г. И. Применение прецизионных аналоговых ИС. М., Радио и связь, 1981, с. 89−109.
- Немчинов В.М., Никитаев В. Г., Ожогин М. А., Ляхович В. В. Под. ред. Степаненко И. П. Усилители с полевыми транзисторами. М., Сов. радио, 1980, с. 173.
- Kennedy D.P. and O’Brien R.R. On the measurement of impurity atom distribution in silicon by the differential capacitance technique. IBM J. Res. Deu. 1969, v. 13, p. 212.
- Шестопалов A.M. Расчеты варикапов с большим коэффициентом перекрытия по емкости. Изв. вузов., Радиоэлектроника, 1967, N 10, в. 6, с. 578.
- Шестопалов A.M. Нелинейные емкости с р п переходом, имеющим ступенчатое легирование высокоомной области. Радиотехника и электроника, 1968, т. 13, N6, с. 1072.
- Горюнов Н.Н., Носов Ю. Р. Полупроводниковые диоды. Параметры, методы измерений. М., 1968.
- Lucovsky G., Schwarz R.F., Emmons R.B. Transit time considerations in p -i — n diodes. J. Appl. Phys., 1964, v. 35, N 3, pt 1, p. 622.
- Garett G.B., Brattain W.H. Physical theory of semiconductor surfaces. Phys. Rev., 1955, v. 99, p. 376.
- Ebert R., Pasher H., Appold G., Hafele H.G. Magnetic Raman scattering in n-type indium antimonide. Appl. Phys., 1977, v. 14, № 2, p. 155.
- Корнилович A.A., Скок Э. М., Уваров Е. И. Исследование профилей и распределения легирующей примеси в субмикронных и низкоразмерных системах. Труды АПЭП 2000, Новосибирск, 2000, т. 2. с. 13 — 16.
- Корнилович А.А. Исследование полупроводников и низкоразмерных систем магнитооптическими и СВЧ методами. Труды АПЭП 2000, Новосибирск, 2000, т. 2., с. 9 — 12.
- Kornilovich A.A. Investigation of semiconductors and low-dimensional systems by magneto-optical and microwave methods., Proc. 5 th International conference APEIE-2000, Novosibirsk, 2000, v. l, Selected papers on English, p. 4 7.
- Вдовин A.B., Корнилович A.A., Скок Э. М., Уваров Е. И. Автоматизированные бесконтактные методы исследования нелинейного спинового резонанса и эффекта Шубникова де Гааза в полупроводниках и низкоразмерных системах. Автометрия, 2001, № 4, с. 62−75.
- Корнилович A.A. Методы исследования полупроводников и низкоразмерных систем. Материалы Международной научно-технической конференции. Информатика и проблемы телекоммуникации. Электронно физическая секция. Новосибирск, 2001, c. l 11 — 113.
- Корнилович А.А. Бесконтактный метод определения концентрации носителей заряда в вырожденных полупроводниках по оптическим осцилляци-ям Шубникова де Гааза. Сб. научных трудов НГТУ.-2001.-№ 4, с.79−88.
- Корнилович А.А. Метод исследования транспорта двумерных электронов в гетероструктурах GaAs/AlxGai.xAs по эффекту Шубникова-де Гааза на СВЧ. Сб. научных трудов НГТУ.-2001 .-№ 4, с.69−78.
- Kornilovich A.A. Determination of the transport parameters in two-dimensional semiconductor systems and thin films by contactless microware methods. Proc. 3rd Sib. Rus. workshop EDM'2002, Erlagol, 2002, v. 1, p. 75−76.
- Корнилович А.А. Исследование эффекта Шубникова-де Гааза в объемных полупроводниках и двумерных системах бесконтактными методами. Автометрия, 2002, т.38, № 4, с. 103−114.
- То же Kornilovich А.А. Investigation of the Shubnikov de Haas effect in bulk semiconductors and two-dimensional systems by contactless methods. Optoelectronics Instrumentation and Data Processing. Vol.38, № 4, 2002, pp85−94.
- Корнилович А.А. Бесконтактное определение подвижности и времени релаксации импульса носителей заряда в пленочных полупроводниковых структурах. Автометрия, 2002, т.38, № 5, с. 95−101.
- То же Kornilovich А.А. Contactless determination of carrier mobility and relaxation time of impulse in two-dimensional and thin film semiconductor structures. Optoelectronics Instrumentation and Data Processing. Vol.38, № 5, 2002, pp 83−89.