Взаимозависимость оптических свойств, кристаллической структуры и состава кристаллов CdS (O)
Диссертация
Последний раздел 1.5 посвящен описанию роли ИЭП кислорода с привлечением теории «непересекающихся зон — ВАС». Кислород неизбежно присутствует в соединениях 111 и, несомненно, влияет на свойства халькогенидов, но роль его не ясна. Сравнительно молодая теория ВАС впервые позволила учесть присутствие кислорода, который является изоэлектронным акцептором (ИЭА), замещая серу в узлах решетки Сс18… Читать ещё >
Список литературы
- Справочник химика. Т.1. Под ред. Б. П. Никольского. М Госхимиздат. 1962.
- Новоселова A.B. Пашинкин А.С./Давление пара летучих халькогенидов металлов/ М. Наука 1978
- Зломанов В. П. Новоселова A.B. Р-Т-Х диаграммы состояния халькогенидов металлов М.Наука 208 (1987)
- Таблицы физических величин. Справочник под ред. Кикоина И. К. Атомиздат 1976.
- Несмеянов А.Н. Давление пара химических элементов М. АН СССР1961.
- Туманов A.A., Шахверди H.H. / Труды по химии и химической технологии// в.1, с. 134−141(1962) — в.2, с.372−377 (1962).
- Shiosawa L.R., Jolt J.M. /Applied Research Laboratories 60−107. Contract F.336. 15−68-C-1601 /Austin, Washington Decomposition of CdS homogenous at fixed PCd and Ps. P. 1−68 (1969).
- Погорелов А.Д. Термическая диссоциация сульфидов цинка и кадмия . ЖФХ. 22 (6) 14−24 (1948).
- Boer K.W., Boun K.W. /Самоактивированная полупроводниковая проводимость кристаллов CdS/Phys. Stat. Sol. 3, 1684−1694 (1963)
- By Куанг, Фок М.В./ О соотношении между оптической и термической глубинами электронных ловушек / Труды ФИАН 79. С.39−63 (1974).
- Дмитриенко К.А., Тараненко Л. В. /Температурная зависимость (4,2−300К) резонансных линий экситонных переходов в монокристаллах А2В6// ФТП 19 (5) 788−794(1985).
- Физика соединений А2Вб- М. Наука. Под. ред. А. Н. Георгобиани. Москва. 1986г
- Морозова Н.К., Данилевич Н. Д. / Особенности спектров SA люминесценции CdS(O) / Физика и техника полупроводников. 44 (4) 458−462 (2010).
- Д.А. Мидерос. Автореф. канд. дис. Ф-М. наук (М., МЭИ, 2008).
- K.M. Yu, W. Walukiewicz, J. Wu, W. Shan, J.W. Beeman, M.A. Scarpulla, O.D. Dubon, P. Becla./ Diluted II-VI Oxide Semiconductors with Multiple Band Gaps./ / Phys. Rev. Lett. 91 (24), 246 403 (2003).
- W. Sahn, W. Walukiewicz, J.W. Ager III, E.E. Haller, J.F. Geisz, D.J. Friedman, J.M. Olson. / Phys. Band anticrossing in dilute nitrides // J. Phys: Condens. Matter. 16. P. S3355-S3372 (2004).
- Теплицкий В.А./Разработка и исследование технологий выращивания монокристаллов сульфида кадмия с заданными и управляемыми в процессе роста свойствами/ Автореф. дис. канд. химия, наук. МЛ 989.
- Марков Е.В., Давыдов А.А./Выращивание ориентированных кристаллов CdS из паровой фазы//Неорган.матер. 11 (10) 1755−1757 (1975).
- Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. М.: Мир, 1969.
- Kukk P., VaremaT. /Hight-temperature conductivity relaxation in undoped CdS and CdSe single crystals/ J.Sol. State Chem. 43. 320−325 (1982).
- Гурвич A.M. /Введение в физическую химию кристаллофосфоров/ М.: Высшая школа, 1982
- Назарова Л.Д./ Анализ дефектообразования и построение Р-Т- х диаграммы сульфида кадмия / Диплом. Москва. МЭИ. 1991.
- Хариф Я. Л. Кудряшов Н.И. Ковтуненко П.В./Диаграмма парциональное давление —температура состав сульфида кадмия// Изв. АН СССР. Неорган, матер. 22 (12) 1962−1966 (1986).
- Морозова Н. К / Собственно-дефектные структуры ZnBvl. //Неорган. Матер. 27 (7) 1375−1380 (1991),
- Ермолович И.Б., Горбунов В. В., Конозенко И. Д. /Собственные дефекты в CdS, облученном тепловыми нейтронами/ /ФТП. 11. (9) 1812−1817 (1977).
- Физика и химия соединений АгВб под. Ред С. А. Медведева М.Мир.1970г
- Гавриленко В.И. Оптические свойства полупроводников. Киев: Наукова думка. 1987.
- Kulp В.А., Kelley R.H./ p-type photoconductivity and infiared quenching in electron-bombarded CdS// J. of Appl. Phys. 32 (7) 1290−1292 (1961).
- Кудряшов Н. И. Хариф Я. Л. Ковтуненко П. В. /Влияние отклонения от стехиометрии сульфида кадмия на характер кривых ТСТ // Изв. АН СССР. Норг. материалы. 22 (12) 2058−2059 (1986).
- Кобелева С.П. Влияние собственных точечных дефектов на процессы испарения халькогенидов кадмия и цинка. Автореф. канд. дис. физ-мат.наук. М. 1982.
- Кудряшов Н.И., Хариф Я. Л., Ковтуненко П.В./ Граница области гомогенности сульфида кадмия// Изв. АН СССР.Неорган.матер.21 (5) 876 (1985).
- Луцкая О.Ф., Ормонт Б. Ф., Фольман Ю./К вопросу о термодинамике вакансий, возникающих в монокристаллах CdS при их обрабботке в парах серы // Известия АН СССР. Неорган.матер. 5 (6) 1000−1003 (1969).
- Taylor A.L., Fillipovich G, Lindberg G.K./ Indentification of Cd vacancies in neutron-irradiated CdS by electron paramagnetic resonance// Sol. State Commun.5 (11) 15−20(1988).
- Е.Н.Корсунская, И. В. Маркевич. /Дрейф междоузельных атомов в электрическом поле в чистых и легированных Li кристаллах CdS // ФТП.15 (2) 52−55 (1981).
- М.Ю Ребров, В. Т. Бублик / Период решетки монокристаллов сульфида кадмия, выращенных при разных давлениях паров собственных компонентов//Доклады АНСССР. Физика 307 (3) (1989).
- Kroger F.A. Vink H.J. and Van den Boomgaard./ Controlled conductivity in CdS single Crystals// Z. Physik. Chem.203 (1−2) 1 (1954).
- Абрикосов Н.Х./ Полупроводниковые соединения, их получение и свойства // М. Наука. 1977.
- E.T.Hendelman and D.G. Thomas/The effects of low temperature heat treatments on the conductivity and photoluminescence of CdS/ /J. Phys. Chem. Solids. 26. P.1261−1267(1965).
- Морозов A.B./Исследование оптических свойств CdS//Aвтopeф. дис.канд.ф-м. наук. М. МЭИ 1993.
- А.В. Морозов, И. А. Каретников, Н. Д. Данилевич и др./Влияние кислорода на оптические свойства CdS// ФТП. 28 (10) 1699−1713 (1994).
- Гайсинский В.Б. /Динамика эффектов при ионной имплантации монокристаллов CdS // ФТП 19 (11) 16−28 (1985).
- Полупроводниковая электроника. Справочник. Под ред. Бранского П. И. Киев. 1975.
- Атомная диффузия в полупроводниках. Под ред. Д. Шоу М.: 1975
- Механизм фотостимулированной диссоциации Д-А пар в кристаллах CdS и твердых растворах CdSxSe! x /А. Гарягдыев, И. Я. Городецкий и др. //ФТП. 21 (3) 89−93 (1987).
- Трофименко А.П., Федорус Г.А.,/Исследование термически возбужденного тока в CdS // Укр. физич. журнал. 3 (1) 473−473 (1958).
- Sitter H. Humenberger J/ As D. investigation of deep levels in epitaxially grown CdS and CdTe layers/ Я. of Crystal Growth. 59 229−233 (1982).
- Данилевич Н.Д. / Исследование экситонной области спектров монокристаллов CdS выращенных при контролируемом отклонении от стехиометрии // Диплом. М. МЭИ. 1993.
- N.K. Morozova, N.D. Danilevich, V.M. Semenov, V.G. Galstyan ./ Some Specific Features of Edge Luminescence of CdS (O) in the Context of the Band’s Anticrossing Theory// Semiconductors. 43 (13) 1628−1634 (2009).
- Ермолович И.Б., Ерматов C.E. /Влияние имплантации протонов на люминесцентные свойства халькогенидов кадмия// ФТП 20 (3) 440−446 (1986).
- Рудневский Н. К./Спектральное определение сверхстехиометрических компонентов серы и кадмия в CdS/ / Аналитич.Химия. 22(7)1051−1053 (1967).
- Morigaki К. Hoshina Т./ Electron spin resonance studies of traped electrons in CdS// J. of Phys. Soc. of Jap. 24 (1) 120−126 (1968).
- Taguchi Т., Ray B. Point defects in II-VI compaunds// Prog. Cryst.Growth. 6. P. 103−162.(1983)
- Asano S., Tomishima J. / Lattice defects in zincblende// J. Phys. Soc. Japan. 3(10) 1119−1138 (1958).
- Мизецкая И.Б. /Отклонение от стехиометрии в CdS / / Изв. АН СССР.. Неорган.материалы. 10 (4) 733−734 (1974).
- Bube R.B./Infrared Queinching and unified descripton of photoconductivity phenomena in CdS and CdSe// Phys Rev. 99 (4) 1105 (1955).
- Бокий Г. Б., Кристаллохимия. M. Наука.(1971).
- Braynt F.G., Cox A.F.G./Heat treatment effects in CdS// Brit. J. Appl. Phys. 16(5) 1065−1070(1965).
- Мащенко B.E. / Спектроскопия экситонов Ванье Мота в чистых и активированных полярных кристаллах // Дис. докт. физ.-мат. наук. — Харков: УГУ, 1990.
- К.В.Санин, Ю. В. Рузь /Высокотемпературные исследования стационарной и неравновесной электропроводности кристаллов CdS/ / Укр.Физ. журн. 18(4)615−620(1973).
- Muller К.A., Schneider J./Conduction electron spine resonance in group II-VI semiconductors//Phys. Lett.4 (5) 288−292 (1963).
- N A Zeenath, К P Varkey and К P Vijayakumar /Electrical studies on trap levels present in n- and p-type spray pyrolysed CdS thin films// J. Phys.: Condens. Mater. 10. 2053−2063 (1998)
- Look D. C. / High-temperature annealing in electron-irradiated CdS// J. Appl. Phys. 45 (1) P. 492−493 (1974)
- Valyomana A G, Vijayakumar К P and Purushothaman C. / Conductivity studies on spray-pyrolysed CdS films in ambient conditions//.J. Mater. Sei. Lett. 9 1025 (1990).
- Woods J and Nicholas К G /Potochemical effects in CdS crystals// British J. Appl. Phys. 15 1361 (1964).
- Хюбнер К./Определяемые полярностью структурные эффекты в полупроводниках //Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск: Недра.Ч.П. 827 (1975).
- Исследование центров люминесценции, обязанных присутствию меди и кислорода в ZnSe / Морозова Н. К., Каретников И. А., Блинов В. В., Гаврищук Е. М. // ФТП. 35 (1) С. 25−33. (2001).
- Нгуен Чан Ха. / Связь некоторых свойств с дефектообразованием в ZnS и ZnSe // Маг. Дис. М.: МЭИ. 2007.
- И.П. Калинкин, К. К. Муравьева, И. Б. Юргель / Получение монокристаллических пленок CdS, CdSe в условиях, близких к равновесию/ / Неорган.Матер. 6 (9) 1564−1567 (1970)
- Н.К.Морозова, В. В Блинов./ Равновесие собственных точечных дефектов в кристалле бинарного полупроводника// М. МЭИ. (2004).
- F. Chernow, Е. Courten, M. Douma et all / High-resistivity p-type CdS // Appl. Phys. Lett. 9 (4) 145−146 (1966)
- Сальников C.M. Методика расчета СТД в CdS. Магистерская диссертация. M. МЭИ. 2010 г.
- Van Gool W. et al./ Seif-activated fluorescence CdS, ZnS// Philips Res.Repts.15. P.238−253 (1960)
- Физико-химические свойства окислов. Справочник/Под. ред Г. В. Самсонова.М. Металлургия. 1978 г.
- А.Г.Хачатурян. Теория фазовых превращений и структура твердых растворов. М. Наука. 1974 г. 284с.
- Морозова Н.К., Д.А. Мидерос, В. Г. Галстян, Е.М. Гаврищук/ Особенности спектров люминесценции ZnS (O) и ZnSCu (O) с позиций теории непересекающихся зон.// ФТП. 42 (9) 1039−1044 (2008).
- Н.К.Морозова, Н. Д. Данилевич, В. М. Семенов, В. Г. Галстян и др./ Некоторые особенности прикраевой люминесценции CdS (O) с позиций теории непересекающихся зон//Изв.ВУЗов.Электроника. № 1.С.З-11 (2009).
- Голубева Н.П., Фок М.В. / Связанная с кислородом люминесценция «беспримесного» ZnS // ЖПС. 17 (2.) 261−268. (972)
- Федорченко О.В. / Термодинамика поведения кислорода в2 6соединениях, А В в процессе химического анализа с использованием газовой хроматографии // Маг. Дис. -М.: МЭИ. 1999.
- Морозова Н.К. / Сульфид цинка. Получение и оптические свойства // Под. ред. Фока М. В. М.: Наука, 1987.
- Зимогорский B.C., Морозов А. В. / О растворимости кислорода в CdS // Неорган, матер. 29 (7) 1014−1016 (1993).
- Morozova N. K, Danilevich N.D., Kanakhin А.А. / S-A luminescence spectra of in the context of the ВАС theory// Physica Status Solidi C. V.7 (6) 1501−1503 (2010)
- Морозова H.K., Данилевич Н. Д., Мирошникова И.Н./ Оптические свойства CdS // Матер, докладов 40 межд. науч-тех. семинара «Шумовые и деградац. процессы в полупроводниках» Изд. М. МЭИ. С. 154−158 (2010).
- О природе центров свечения в чистом CdS / Н. А. Власенко, Н. И. Витриховский, З. Л. Денисова и др. // Оптика и спектр. 21, (4) 466−475 (1966).
- Дмитриенко А.К. /Температурная зависимость экситонных переходов в А11BVI // ФТП. 19(5)20−27(1985).
- Морозова Н.К., Веселкова М. М. /Изменение ширины запрещенной зоны вюрцита при легировании кислородом // ЖПС 34.С.1094—1100 (1981).
- Морозова Н.К., Мидерос Д. А. /Связанный экситон на SA и SAL центрах ZnS(O) и ZnSe (O) // Изв. вузов. Электроника. № 3. С. 3−10. (2008)
- Роль фоновых примесей О и Си в оптике кристаллов ZnSe с позиций теории непересекающихся зон/ Н. К. Морозова, Д. А. Мидерос, Е. М. Гаврищук и др. // ФТП. 4 (2) 131−135(2008)
- Temperature dependence and bowing of the bandgap in ZnSeixOx / A. Polimeni, M. Capizzi, Y. Nabetani et al. //Appl. Phys. Lett. 84. 3304−3310. (2004)
- Влияние кислорода на электронную зонную структуру ZnS/ Н. К. Морозова, И. А. Каретников, Н. Д. Данилевич, В. М. Лисицын и др. // ФТП. 39,(5)513−520 (2005)
- Олешко В.И./Пороговые процессы в твердых телах при взаимодействии с сильноточными электронными пучками/ Автореф. дис.докт. ф-м. наук. Томск. ТПУ. 2009 г.
- Низкотемпературная люминесценция CdS при низких и высоких уровнях возбуждения / В. И. Олешко, С. С. Вильчинская, Н. К. Морозова и др. // Изв. Вузов. Физика. 51 (11/3)101−106 (2008)
- В.И.Олешко, С. С. Вильчинская, В. М Лисицын и др /Спектрально-кинетические характеристики Д-А пар в кристаллах CdS и ZnSе./ /10 Int. Conf on Modification Materials with Particle Beams and Plasma Flows/Sept. 19−24.2010. Tomsk.TPU.
- J. Wu, W. Walukiewicz, E.E. Haller/ Band structure of highly mismatched Semiconductor alloys// Phys. Rev. B. 65 210−233 (2002).
- Корнейчук В.А., Лисица М. П., Яремко A.M. /Конденсация экситонов в CdS// ФТТ. 21 (6) 1723 1728 (1979)
- S.W.Koch, Н. Haug /Stimulated intrinsic recombination processes in II-VI compounds// Phys. Stat. Solidi (b) 89 (2) 431−440 (1978)
- Catalano I. M., Cingoliani A. and Minafra A. / Spontaneous and stimulated luminescence in CdS and ZnS excited by multiphonon optical pumping // Phys. Rev.
- B. V.8. P.1488−1492. (1973)
- Н.К. Морозова, В. В. Блинов, Е. М. Гавршцук, В. Г. Галстян, В. Г. Плотниченко, И. А. Каретников, B.C. Зимогорский./Влияние легирования кислородом на ИК пропускание и КЛ ZnSе// Неорг. матер. 37 (12)1439 (2001).
- Н.К. Морозова, И. А. Каретников, Е. М. Гаврищук./. О роли кислорода в формировании центров люминесценции ZnSe // Неорг. матер 35 (8) 917−922 (1999).
- Jingo Li, Su-Huai Wei /Alignment of isovalent impurity levels: Oxygen impurity in II-VI semiconductors //Phys. Rev. B, 73, 041 201 (2006).
- Квит A.B., Медведев С. А. и др./ Оптическая спектроскопия глубоких состояний в ZnTe// ФТП 40 (6)1010−17 (1998).
- И.В. Островский /Акустолюминесценция-новое явление акустооптики//Соросовский образовательный журнал Акустоэлектроника. № 11. C. 95−102 (1998)
- А.В. Морозов, В. Г. Галстян, И. А. Каретников и др. ./Влияние ионного легирования кислородом на оптические свойства CdS// Неорган. Матер. 30 (6) 731−736(1994).
- Y.Yang, H. Chen, X. Bao./Synthesis and optical properties CdS nanocrystallites in a poly matrix// J. Cryst. Growth. 252. P.251−256 (2003)
- N. Chestnoy, T.D. Harris, R. Hull, L.E.Brus/Luminescence CdS semiconductor clusters: the natura of emitting electronic state/J. Phys. Chem. 90 (15) 3393−3399 (1986).
- E. Menendez-Proupin, G. Gutierrez, E. Palmero, J. L. Pena / Electronic structure of crystalline binary and ternary Cd-Te-O compounds// Phys. Rev В 70, 3 5112(2004)
- X. Wu, R. Wang, B. Zou, L. Wang, S. Liu, J. Xu, J. / Optical properties of nanometer-sized CdO organosol // Mater. Res. 13. 604 (1998)
- Moumita Ghosh, C.N.R. Rao / Solvothermal synthesis of CdO and CuO nanocrystalsChemical // Phys. Lett. 393. 49397 (2004)
- И.Б.Ермолович, А. В. Любченко, М. К. Шейнкман / Механизм зеленой краевой люминесценции в CdS монокристаллах и параметры центров свечения // ФТП2 (11) 1639−1643 (1968).
- К. Akimoto, Н. Okuyama, M. Ikeda /Isoelectronic oxygen in II-VI semiconductors //Appl.Lett. 60 (1) 91−93 (1992)
- B.A.Kulp / Displacement of the cadmium in single crystall CdS by electron bombardment CdS //Phys.Rev. 125 (6)1865−1869 (1962)
- Уоткинс Дж. Дефекты решетки в соединениях А2В6 // Точечные дефекты в твердых телах. М.: Мир, 1979. С.221−242.
- Maeda К. Nature of edge emission in cadmium sulfide //J. Phys: Chem. Solid .26. (9) 1419−1430 (1965).
- Власенко H.A., Витриховский Н. И., Денисова 3.JL, Павленко В. Ф. О природе центров свечения в чистом сернистом кадмии // Оптика и спектроскопия. 21 (4) 466−475 (1966)
- Ахоян А.П., Корсунская Н. Е., Маркевич И. В. Роль адсорбции кислорода в формировании спектров экситонной люминесценции кристаллов CdS //Журнал прикладной спектроскопии. 49 (5) 859−861 (1988)
- Травников В.В. Экситонные спектры чистых и окисленных поверхностей кристаллов CdS // Письма в ЖЭТФ.42 (9)357−360. (1985)
- Van Doom C.Z. / Abnormal green «edge» emission in CdS due to oxygen impurity // Solid State Comm.3 (4) 355−356 (1965)
- Ермолович И.Б., Матвиевская Г. И., Шейнкман M.K. О природе центров оранжевой люминесценции в сульфиде кадмия //ФТП 20, (8) 2620−1623 (1975)
- Ермолович И.Б., Горбунов В. В., Конозенко И. Д. Собственные дефекты в сульфиде кадмия, облученном тепловыми нейтронами //Физика и техника полупроводников 11(9)1812−1817 (1977)
- Краснопевцев В.В., Милютин Ю. В., Чан Ким Лой, Шапкин П.В. «Желтая» люминесценция CdS, легированного кислородом методом ионного внедрения // Краткие сообщ. По физике.(8) 12−17 (1974)
- Tanaka К, Kunioka A., Sakai Y. Electrical and optical properties of sputtered CdO films // Japanese J. Appl. Phys.8 (6) 681−691(1969)
- Лазарев В.Б., Соболев B.B. Шаплыгин И. С. Химические и физические свойства простых оксидов металлов. М.: Наука, 1983. С. 239.
- Tewari S. The electronic bandstructure of CdO by the augmented plane wave method // Solid State Comm.12 (6) 437−441 (1973)
- Maschke K., Rossler U. The electronic structure of CdO // Phys. Stat, solidi (b).28 (2) 577−588 (1968)
- Breeze A., Perkins P.G., An LCAO calculation of the band structure of cadmium oxide // Solid State Comm. l3.(7)1031−1033 (1973)
- Altwein M., Sinkerath H., Konak S. et all. The electronic structure of CdO //Phys. Stat, solidi (b).29 (1) 203−209 (1968)1 f
- Соболев B.B. Зоны и экситоны соединений группы, А В . Кишенев: Штиинца, 1980. с. 256.
- Милославский В.К., Шкляревский О. И. Использование эффекта Бурштейна-Мосса для определения параметров энергетического спектра CdO // Физика и техника полупроводников. 5 (5)926−930 (1971)
- Koffuberg F.P. Thermo reflectance spectra of CdO: band gap and band=populations effects // Phys. Rev. B.3(10) 4470−4476 (1976)
- Бушева Г. В., Решетов В. И., Хромов В. А. и др. // Физика и техника полупроводников 22.(2) 201−205 (1988)
- Halsted R.E., Aven М. Photoluminescence of defect-exiton complexes in II-VI compounds // Phys. Rev. Lett.14 (3) 64−65 (1965)
- Давыдов A.C. Теория твердого тела. M. 1976
- Рашба Э.Н., Гурченишвили Г. Э. К теории краевого поглощения в полупроводниках // ФТТ. С. 1029−1031 (1962)
- Шалимова К.В., Андрушко А. Ф., Хирин В. Н., Морозова Н.К/. Оптические свойства порошков сульфида кадмия кубической модификации и изменение их при фазовом переходе // Изв. ВУЗов. Физика. N5. С.119−124 (1964)
- Suzuki К., Takeuchi S., Shino М./ Lattice image observation of defects in CdS and CdSe // Trans, Japan Inst. Metals. 24 (6) .435−442 (1983)
- Кабалкина С.С., Троицкая З.В./ Исследование структуры сернистого кадмия при высоком давлении до 90 кбар //Докл. АН СССР.251. N5. С. 1068−1070 (1963)
- Thomas J.J., Hopfield D.G./ Fine structure and magneto-optic effects in the spectrum of cadmium sulfide // Phys. Rev. B.122 (1) 35−52 (1961)
- Euwema R.N., Collins T.C., Shankland D.G., DeWitt J.S./ Convergence study of a self-consistent orthogonilized-plane-wave band calculation for hexagonal CdS //Phys. Rev. 162, N3.P.710−715 (1967)
- Nature of the fundamental band gap in GaNxPjx alloys / W. Shan, W. Walukiewicz, K.M. Yu, E.E. Haller, H.P. Xin, et al. // Appi. Phys. Lett. 2000. — Vol. 76, № 22.-P. 3251−3253.
- Effects of pressure on the band structure of highly mismatched Zrij. yMnyOxTe,.x alloys / W. Shan, K.M. Yu, W. Walukiewicz, J.W. Beeman, et al. // Appl. Phys. Lett. 2004. — Vol. 84, № 6. — P. 924−926.
- B.M. Keyes, J.F. Geisz, P.C. Dippo, R. Reedy, C. Kramer, et al. / Optical Investigation of GaNAs // AIP Conference Proceedings 462. Woodbury, NY: American Institute of Physics. 1999. — P. 511−516.
- W. Walukiewicz / Narrow band gap group Ill-nitride alloys // Physica E. -2004. Vol. 20. — P. 300−307.
- J.Wu, W. Walukiewicz and E.E. Haller / Band structure of highly mismatched semiconductor alloys: Coherent potential approximation // Phys. Rev. B. -2002.-Vol. 65. -P.233 210.
- J.J. Hopfield, D.G. Thomas and R.T. Lynch / Isoelectronic Donors and Acceptors //Phys. Rev. Lett. 1966. — Vol. 17. — P. 312−315.
- Interaction of localized electronic states with the conduction band: band anticrossing in II-VI semiconductor ternaries / W. Walukiewicz, W. Shan, K.M. Yu, M.J. Seong, H. Alawadhi, A.K. Ramdas // Phys. Rev. Lett. 2000. — Vol. 85, № 7. -P. 1552−1555.
- Sandu T., Kirk W. P. / Generalized band anticrossing model for highly mismatched semiconductors applied to BeSexTeix // Phys. rev. B. 72 (7), pp. 73 204.1−73 204.4 (2009)
- Sandu T., Radu I. Iftimie / Bandgaps and band bowing in semiconductor alloys // Solid State Comm. 150 (17−18), Pages 888−892 (2010)
- Krstajiva P.M., Peetersa F.M. and Helm M. / Landau levels and magnetopolaron effect in dilute GaAs: N // Solid State Comm. 150 (33−34), Pages 1575−1579 (2010)
- B.Fluegel, E.C.Xoung, A. Mascarenhas et all / E+ Transition in GaAsN and GaAsBi due IEI induced perturbation CB // Phys. Rev. B 76, 1 555 209 (2007)
- Thomas D.G., Hopfield J.J./ Exitons and the absorption edge of cadmium sulfide // Phys. Rev. ll9. (2) 570−574 (1960).
- T. K. Bergstresser, M. L.Cohen./ Electronic structure and optical properties wurtzite structure CdS, CdSe, ZnS // Phys. Rev. 164 (3) P. 1069−1080 (1967)
- L.C. Yan Voon, M. Cardona /Term linear in k in the band structure wurtzite // Phys. Rev. B 53 (16) P. 10 703−10 714 (1996)