Термическая стабильность газообразных смесей органических производных элементов III и U групп
Диссертация
Получены комплексы алкильных производных элементов III и V группы, которые стабильны при температурах ниже 370 К. Изучена термическая диссоциация комплексов Me3Al: AsMe3, Me3Ga: AsMe3, Me3In: AsMe3, Me3Al: PH2Bu-t в газовой фазе при 360−480 К. Определены энтальпии термической диссоциации, соответственно равные 65,5 ± 0,5- 43,2 ± 1,2- 50,1 ± 0,5 и 63,7 + 1,5 кДж/моль. При термической диссоциации… Читать ещё >
Список литературы
- Жук Б. В. Осаждение эиитаксиальных слоев из паров металлоорганических соединений.//Успехи химии. 1985. Т.54. № 8. С. 1312−1334.
- Shaw D.W. Mechanism in vapor epitaxy of semiconductors.// J. Crystal Growth. Theory and Techniques, (ed. Goodman C.H.)/ Plenum Press, London. 1974. V.l. P. 1−48.
- Яблоков В.А., Яблокова H.B. Кинетика термического разложения алкиль-ных производных элементов III и V групп.// Успехи химии. 1995. Т.64. № 10. С.1017−1030.
- Didchenko R., Alix J.E., Toeniskactter R.H. Reactions of phosphine with tri-methylindium.// J. Inorg. Nucl. Chem. 1960. V.14. №½. P.35−37.
- Harrison B.C., Tompkins E.H. Preparation of indium antimonide and gallium arsenide films.// Inorg. Chem., 1962. V.l. № 4. P.951−953.
- Manasevit H.M. Single-crystal gallium arsenide on insulating substrates.// Appl. Phys. Lett. 1968. V.12. № 4. P. 156−159.
- Manasevit H.M., Simpson W.I. The use metal-organics in the preparation of semiconductor materials. 1. Epitaxial gallium-V compounds.// J. Electrochem. Soc. 1969. V.116. № 12. P.1725−1732.
- Manasevit H.M.. The use metal-organics in the preparation of semiconductor materials. III. Studies of epitaxial III-V aluminum compound formation using trimethylaluminum.// J. Electrochem. Soc. 1971. V. l 18. № 4. P. 647−650.
- Manasevit H.M., Erdmann F.M., Simpson W.I. The use metal-organics in the preparation of semiconductor materials. IV. The nitrides of aluminum and gallium.// J. Electrochem. Soc. 1971. V. l 18. №. P.1864−1868.
- Manasevit H.M., Simpson W.I. The use metal-organics in the preparation of semiconductor materials. V. The formation of In-group V compounds and alloys.// J. Electrochem. Soc. 1973. V.120. № 1. P.135−137.
- Metalorganic vapor phase epitaxy./ Proc.Int.Conf., Ajaccio, 4−6 May, 1981.// J.Crystal.Growth. 1981. V.55. № 1. P. 1−262.
- Suzuki M., Sato M. Diffusivity and thermal cracking rate of metalorganic gases by chromatography.// J. Electerochem. Soc. 1985. V.132. № 7. P. 16 841 688.
- Leys M.R. Metal organic vapour phase epitaxy.// Chemtronics. 1987. Y.2. № 4. P. 155−164.
- Lee P.W., Omstead T.R., Mckenna D.R., Jensen K.F. In situ mass spectroscopy and thermogravimetric studies of GaAs MOCVD gas phase and surface reactions.// J. Cryst. Growth. 1987. V.85. № 1−2. P. 165−174.
- Разуваев Г. А., Грибов Б. Г., Домрачев Г. А., Саломатин Б. П. Металлоорга-нические соединения в электронике. М: Наука. 1972. 479 с.
- Грибов Б.Г., Домрачев Г. А., Жук Б.В., Каверин Б. С., Мельников В. В., Суворова О. Н. Осаждение пленок и покрытий разложением металлооргани-ческих соединений. М: Наука. 1981. 322 с.
- Домрачев Г. А., Захаров Л. И., Шевелев Ю. А. Устойчивость металлоорга-нических соединений в процессах их синтеза и распада. // Успехи химии. 1985. Т.54. С. 1260.
- Yeddanapalli L.M., Schubert С.С. Thermal and photochemical decomposition of gaseous aluminum trimethyl.// J. Chem. Physics. 1946. 1. V.14. № 1. P. 1−7.
- Ziegler K., Nagel K., Pfohl W. Pyrolyse von Aluminiumtrialkylen.// Lieb. Ann. Chem. 1960. V.629. P.210−221.
- Suzuki N., Anayama C., Masu K., Tsubouchi K., Mikoshiba N. Pyrolysis and photolusis of trimethylaluminum.// Jap. J. Appl. Phys. 1986. V.25. № 8. Pt 1. P. 1236−1242.
- Баев A.K., Шурин B.H., Тишевич В. И. Термораспад метальных соединений алюминия и индия.// Труды VI Всерос. конф. по металлоорганической химии. Н.Новгород. 1995. Т.2. С. 254.
- Laubengayer A.W., Gilliam W.F. The alkyls of the third group elements. 1. Vapor phase studies of the alkyls of aluminum, gallium and indium.// J. Amer. Chem. Soc. 1941. V.63. № 2. P.477−479.
- Тельной В.И. Прочность связей в органических соединениях непереходных элементов по термохимическим данным.// Тр. по химии и хим. Технологии. Вып. 1. ГГУ. Горький. 1974.С.28−39.
- Squire D.W., Dulcey C.S., Tin М.С. Formation of CH3 radicals in the decomposition of trimethyl aluminum on hot solid surfaces.// Chem. Phys. Lett. 1985. V.116. № 6. P.525−528.
- Hay J.N., Hooper P.G., Robb I.C. Monomer-dimer equilibria of triethylalu-minium. //J. Organomet. Chem. 1971. V.28. № 2. P. 193−204.
- Smith W.L., Wartik T. Investigation of the thermal decomposition of trieth-ylaluminum. // J. Inorg. and Nucl. Chem. 1967. V.29.№ 3. P.629−645.
- Сахаровская Г. Б., Корнеев H.H., Смирнов H.H., Попов А. Ф. Термическое разложение алюминийалкилов.// Ж. общ. химии. 1974. № 3. С.584−590.
- Bhat R., Koza М.А., Chang С.С., Schwarz., Harris T.D. The growth and characterization of AlGaAs using dimethyl aluminum hydride.// J.Cryst.Growth. 1986. V.77. № 1−2. P.7−10.
- Leys M.R. Carbon incorporation in MOVPE grown AlxGaj. xAs a mechanistic approach. // Chemtronics. 1989. V.4. P.31−34.
- Hiraoka Y.S., Mashita. Ab initio study on the dimer structures of trimethyla-luminum and dimethylaluminumhydride.// J.Cryst.Growth. 1994. V.145. № 1−4. P.472−477.
- Yoshida S., Sasaki M. In-situ AlAs selective area growth by metalorganic molecular beam epitaxy using dimethylaluminumhydride and tris-dimethylaminoarsine.// J.Crist. Growth. 1995. V.152. № 4. P.347−350.
- Coates G.E., Downs A.J. The vibrational spectrum and structure of trimethyl-gallium.//J. Chem. Soc. 1964. № 9. P.3353−3356.
- Jacko M.G., Price S.J.W. The pyrolysis of trimethyl gallium.// Canad. J. Chem. 1963. V.41. № 6. P.1560−1567.
- Skinner H.A. The strengths of metal-to-carbon bonds.// Adv. Organomet. Chem. 1964. V.2. P.49−114.
- Травкин H.H., Грибов Б. Г., Румянцева В. П., Тоноян И. Б., Зорина Е. Н. Термографическое исследование металлоорганических соединений. IV.
- Термическое разложение алкильных соединений галлия.// Ж.общ.химии.1975. Т.45. № 2. С.316−319.
- Фролов И.А., Друзь Б. Л., Фукин К. К., Домрачев Г. А. О механизме термораспада триметилгаллия.// Редколегия ж. кинетика и катализ АН СССР. Н., 1976. 10 с. Деп. в ВИНИТИ 1 марта 1976 г за № 755−76 Деп.
- Иванов JI.C., Фатюшина Н. П., Наливайко Н. Н., Тимашков В. Н., Садофье-ва С.А. Кинетика термораспада триметилгаллия.// Научн.тр.н.-и. и про-ект.ин-та редкомет. пром-ти. Гиредмет. 1982. Т.112. С.10−13.
- Баев А.К., Губарь Ю. Л. Термическое разложение триметилгаллия.// Ж.физ.химии. 1976. Т.50. № 10. С. 2722.
- Коренчук Н.М., Гринберг Е. Е., Морозова Л. Н., Потепалов В. П. Термическое разложение триметилгаллия в потоке гелия и водорода.// Электронная техника. Сер. Материалы. 1973. Вып.5. С.38−41.
- Слепнев Ю.В., Саломатин Б. А., Иванютин Л. А. О пиролизе органических производных галлия в присутствии арсина.// В сб.: Арсенид галлия. Томск. Томский ун-т. 1976. В.5. С. 107−109.
- Yoshida М., Watanabe Н., Uesugi F. Mass-spectrometric study of Me3Ga and Et3Ga decomposition reaction in H2 and N2.// J.Electrochem.Soc. 1985. V.132. № 3. P.677−679.
- DenBaars S.P., Maa P.Y., Dapkus P.D., Danner A.D., Lee H.C. Homogeneous and heterogeneous thermal decomposition rates of trimethylgallium and arsine and their relevance to the growth of GaAs by MOCVD.// J.Cryst.Growth. 1986. V.77. № 1−2. P.188−193.
- Larsen C.A., Buchan N.I., Li S.H., Stringfellow G.B. Decomposition mechanisms of trimethylgallium.// J.Cryst.Growth. 1990. V.102. № 1−2. P.103−116.
- Tsuda M., Oikawa S., Morishita M., Mashita M. On the reaction mechanism of the pyrolyses of TMG and TEG in MOCVD growth reactors.// Jap.J.Appl.Phys. 1987. Pt 2. V.26. № 5. P.564−566.
- Donnelly V.M., MsCaulley J.A. Products of thermal decomposition of trieth-ylgallium and trimethylgallium adsorbed on Ga-stabilized GaAs (100).// Surface Sci. 1990. V.238. № 1−3. P.34−52.
- Francis J.T., Benson S.W., Tsotsis T.T. Observation of the methyl radical during the surface decomposition reaction of trimethylgallium .// J.Phys.Chem. 1991. V.95. № 12. P.4583−4586.
- Francis J.T., Benson S.W., Tsotsis T.T. Kinetics of the very low pressure py-rolysis of trimethylgallium and arsine.// J.Cryst.Growth. 1991. V.112. № 2−3. P.474−486.
- Lin R., Cadwell L., Masel R.I. Mass spectroscopic study of the cracking of trimethylgallium in a heated doser.// J.Vac.Sci and Tochnol.A. 1994. V.12. № 1. P.179−184.
- Рабинович И.Б., Нистратов В. П., Тельной В. И., Шейман М. С. Термодинамика металлоорганических соединений. // НР1ГУ. Нижний Новгород. 1996. С.122−125.
- Hemmert U., Yu M.L. //Appl.Phys.Letters. 1990. V.56. P.1883.
- Aspnes D.E., Colas E., Studna A.A., Bhat R, Koza M.A., Keramidas V.G. Kinetic limits of monolayer growth on (001) GaAs by organometallic chemical -vapor deposition.// Phys.Rev.Lett. 1988. V.61. № 24. P.2782−2785.
- Omstead T.R., Van Sickle P.M., Lee P.W., Jensen K.F. Gas phase and surface reactions in the MOCVD of GaAs from triethylgallium, triemethylgallium, and tertiarybutylarsine.//J.Cryst.Growth. 1988. V.93. № 1−4. P.20−28.
- Masi M., Simka H., Jensen K.F., Kuech T.F., Potemski R. Simulation of carbon doping of GaAs during MOVPE. // J.Cryst.Growth. 1992. V.124. P.483−492.
- Петухов Г. Г., Шабанова Н. Н., Щербаков В. Н., Фоминская JI.A. Термораспад триэтилгаллия и трет-бутилата диэтилгаллия.// Тр. по химии и хим.технологии. Горький. 1973.Вып.2(33). С.115−116.
- Paputa М.С., Price S.J.W. Pyrolysis of the triethylgallium by the toluene carrier technique.//Can .J.Chem. 1979. V.57. № 24. P.3178−3181.
- Александров Ю.А., Макин Г. И., Дружков O.H., Барышников Ю. Ю., Постникова Т. К. Термическое разложение триалкильных соединений галлия.//Ж.общ. химии. 1981. Т.51. № 1. С.70−74.
- Mashita M., Horiguchi S., Shimazu M., Kamon K., Minara M., Ishii M. The pyrolysis temperature of triethylgallium in the presence of arsine or trimeth-ylaluminum.// J. Cryst.Growth. 1986. Y.11. № 1−2. P. 194−199.
- Соколовский A.E., Баев A.K. Исследование теримического разложения триэтилгаллия. //Ж.общ.химии. 1993. Т.63. № 6. С.1210−1213.
- Соколовский А.Е., Черняк И. Н. Термораспад трипропил- и трибутилгал-лия.//Ж.общ.химии. 1997. Т.67. № 8. С. 1328−1329.
- Jacko M.G., Price S.J.W. The pyrolysis of trimethyl indium.// Canad. J. Chem. 1964. V.42. № 5. P. l 198−1205.
- Clark W.D., Price S.J.W. Determination of the mean In-CH3 bond dissociation energy.// Canad. J. Chem. 1968. V.46. № 10. P.1633−1634.
- Buchan N.I., Larsen С.А., Stringfellow G.B. Mass spectrometric studies of trimethylindium pyrolysis.//J.Cryst.Growth. 1988. V.92. № 3−4. P. 591−604.
- Karlicek R., Long J.A., Dihnelly V.M. Thermal decomposition of metalor-ganic compounds used in the MOCVD of Ш // J.Cryst.Growth. 1984. V.68. № 1. P. 123−127.
- Разуваев Г. А., Петухов Г. Г., Щербаков В. И., Дружков О. Н., Жильцов О. Ф. Термо- и фотораспад индийорганических соединений. // Ж.общ.химии. 1967. Т.37. № 7. С.1516−1520.
- Щербаков В.И., Жильцов С. Ф., Дружков О. Н., Разуваев Г. А. Термо- и фотораспад органических соединений Ga, In, Та. // Всес.совещ. «МОС для получения металлических и окисных покрытий». Тез.докл. Горький. 1974. С. 50.
- Лохов Н.С., Зорин А. Д., Томадзе А. В., Кузнецова Т. В., Занозина В. Ф., Яблоков В. А. Кинетика термического разложения триэтилиндия.// Ж.общ.химии. 1979. Т.46. В.9. С.1921−1923.
- Александров Ю.А., Дружков Ю. А., Барышников Ю. Ю., Постникова Т. К., Макин Г. И., Козыркин Б. И. Термическое разложение триалкильных соединений индия.// Ж.общ.химии. 1980. Т.50. № 12. С.2642−2645.
- Fry K.L., Kuo С.Р., Larsen С.А., Cohen R.M., Stringfellow G.B., Melas A. // J. Electron. Mater. 1986. V.15. P.91−99.
- York P.K., Beernink K.J., Kim J., Coleman J.J., Fernandez G.E., Wayman C.M. Ethyldimethylindium for the growth of InGaAs-GaAs strained-layer lasers by metalorganic chemical vapor deposition.// Appl.Phys.Lett. 1989. V.55. № 24. P.2476−2478.
- Nishikawa Y., Naritsuka S., Ishikawa M., Suzuki M., Kokubun Y. MOCVD growth of InGaAlP using ethyldimethylindium as an In source and application to visible-region lasers.//j.Cryst.Growth. 1990. V.104. № 2. P.245−249.
- Ogasawara M., Kamada H., Imamura Y. Characterization of InP growth by low-pressure MOVPE using ethyldimethylindium and tertiarybutylphosphine.// J.Cryst.Growth. 1991. V. 115. № 1−4. P.254−260.
- Scholz F., Ottenwalder D., Eckel M., Wild M., Frankowsky G., Wacker Т., Hangleiter A. Selective area epitaxy of GalnAs using conventional and nowel group III precursors.// J.Cryst.Growth. 1994. V.145. № 1−2. P.242−248.
- Eckel M., Ottenwalder O., Scholz F., Frankwsky G., Wacker Т., Hangleiter Y. //Appl.Phys.Lett. 1994. V.64. P.854−857.
- Девятых Г. Г., Кедяркин В. М., Зорин А. Д. Термическое разложение фос-фина и стибина. // Ж.неорг.химии. 1969. № 8. Т. 14. С.2011−2015.
- Stringfellow G.B. A critical appraisal of growth mechanisms in MOVPE. // J.Cryst.Growth. 1984. V.68. № 1−2. P. l 11−122.
- Larsen C.A., Buchan N.I., Stringfellow G.B. Mass-spectrometric study pyroly-sis of PH3 and OMVPE growth layers InP.// J.Cryst.Growth. 1987. V.85. P. 148.
- Harrous M., Chaput L., Bendraoui A., Cadoret M., ParisetC., Cadoret R. Phos-phine and arsine decomposition in CVD reactors for InP and InGaAs growth.// .//J.Cryst.Growth. 1988. V.92. № 3−4. P.423−431.
- Buchan N.I., Larsen C.A., Stringfellow G.B. A mass spectrometric study of the simultaneous reaction mechanism of TMIn and PH3 to growth InP.// J.Cryst.Growth. 1988. V.92. № 3−4. P.605−616.
- Tamaru K. The decomposition of arsine.// J.Phys.Chem. 1955. V.59. № 8. P.777−780.
- Кедяркин B.M., Зорин А. Д. // Труды по химии и хим. технологии. Горький. 1965. Вып.З. С. 161.
- Фролов И.А., Китаев Е. М., Друзь Б. Л., Соколов Е. Б. Кинетика термораспада арсина в потоке.//Ж.физ.химии. 1977. Т.51. № 5. С.1106−1108.
- Smith G.P., Patrick R. Pyrolysis studies of main group metal-alkyl bond dissociation energies: VLPP of GeMe4, SbEt3, PbEt4, and PEt3.// Int.J.Chem.Kinet. 1983. V.15.№ 2. P.167−185.
- Яблоков B.A., Зеляев И. А., Макаров Е. И., Лохов Н. С., Тонина В. А. Термическое разложение алкильных производных фосфора, мышьяка, сурьмы и висмута в газовой фазе.// Тез.докл. 4 Всес.конф.по металлоорган.химии. Казань. 1988. 4.2. С.64
- Зеляев И.А., Макаров Е. И., Манин Ю. А. Термическое разложение органических соединений элементов V группы.// Всес.конф. «Получ., свойства, анализ и примен.соед.с молек. и кристал. решеткой для нов.техн.» 1991. Тез.докл. Н.Новгород. 1991. С. 31.
- Chen C.H., Larsen C.A., Stringfellow G.B., Brown D.W. MOVPE growth of InP using isobutylphosphine and tert-butylphosphine.// J.Cryst.Growth. 1986. V.77. № 1−3. P.11−18.
- Kurtz S.R., Olson J.M., Kibbler A. MOCVD of Ga0 52In0 4gP using tertiarybu-tylphosphine.// J.Electron.Mater. 1989. V.18. № 1. P. 15−18.
- Li S.H., Larsen C.A., Buchan N.I., Stringfellow G.B. Pyrolysis of tertiarybu-tylphosphine.// J.Electron.Mater. 1989. V.18. № 3. P.457−464.
- Li S.H., Buchan N.I., Larsen C.A., Stringfellow G.B. The effect of supplemental t-butyl radicals on the pyrolysis of tertiarybutylarsine, tertiarybutyl-phosphine and ditertiarybutylarsine .// J.Cryst.Growth. 1989. V.98. № 3. P.309−316.
- Li S.H., Buchan N.I., Larsen C.A., Stringfellow G.B. OMVPE growth mechanism for GaP using tertiarybutylphosphine and trimethylgallium.// J.Cryst.Growth. 1989. V.96. № 4. P.906−914.
- Li S.H., Buchan N.I., Larsen C.A., Stringfellow G.B., Kosar W.P., Brown D.W. Study of tertiarybutylphosphine pyrolysis using a deuterated source.// J.Appl.Phys. 1989. V.65. № 12. P.5161−5169.
- Kawakyu Y., Hori H., Ishikawa H., Mashita M. Low pressure metalorganic chemical vapor deposition of InGaP using tertiarybutylphosphine.// J.Cryst.Growth. 1991. V.114. № 4. P.561−564.
- Hincelin G., Zahzouh M., Mellet R., Pougent A.M. Growth of InP in chemical beam epitaxy with high purity tertiarybutylphosphine. // J.Cryst.Growth. 1992. V.120. № 1−4. P. l 19−123.
- Salim S., Lim C.K., Jensen K.F. Gas-phase decomposition reactions of tris (dimethylamino)phosphine, -arsine, and -stibine reagents. // Chim.Mater. 1995. V.7. № 3. P.507−516.
- Ayscough P.B., Emeleus H.J. The pyrolysis of trimethylarsine, tristrifluo-romethylarsine and related compounds.// J.Chem. Soc. 1954. № 10. P.3381−3388.
- Price S.J.W., Richard J.P. The pyrolysis of trimethylarsine.// Can.J.Chem. 1970. V.48. № 20. P.3209−3212.
- Яблоков B.A., Зеляев И. А., Макаров Е. И., Гатилов Ю. Ф., Гонина В. А., Зорин А. Д. Термическое разложение триметил- и триэтиларсина в газовой фазе.//Ж.общ.химии. 1986. Т.56. № 2. С.365−367.
- Яблоков В.А., Дозоров А. В., Подольская Н. И., Макаров Е. И., Гонина В. А. ИК- спектрометрический метод определения скорости термического разложения тетраметилгермания и триметиларсина в газовой фазе.// Ж.общ.химии. 1988. Т.58. № 9. С.2132−2135.
- Mortimer С.Т. The metal-carbon bond in metal alkyls.// J.Chem.Education. 1958. V.35. № 8. P.381−384.
- Li S.H., Larsen C.A., Stringfellow G.B. Decomposition mechanisms of trimethylarsine.// J.Cryst.Growth. 1990. V.102. № 1−2. P. l 17−125.
- Яблоков B.A., Зеляев И. А., Макаров Е. И., Гатилов Ю. Ф., Гонина В. А. Термическое разложение триэтиларсина в газовой фазе.// Получ. и анализ чист. в-в. Горький. 1985. С.24−26.
- Яблоков В.А., Зеляев И. А., Макаров Е. И., Лохов Н. С. Исследование кинетики термического разложения этильных производных мышьяка, сурьмы и висмута.// Ж.общ.химии. 1987. Т.57. № 9. С.2034−2037.
- Соколовский А.Е., Баев А. К., Блудилина В. И., Губарь Ю. Л. Термическое разложение триэтиларсина. // Металлоорган.химия. 1988. Т.1. № 6. С. 13 231 326.
- Li S.H., Larsen С.A., Stringfellow G.B. Comparative pyrolysis studies of ethylarsines. // J.Cryst.Growth. 1991. V.107. № 1−4. P.32−36.
- Li S.H., Larsen C.A., Stringfellow G.B. Radical reactions in pyrolysis of tri-ethylarsine and diethylarsine. // J.Cryst.Growth. 1991. V. l 12. № 2−3. P.515−524.
- Соколовский A.E., Баев A.K. Термическое разложение трипропиларси-на.// Ж.общ.химии. 1994. Т.64. № 7. С. 1117−1119.
- Ш. Яблоков В. А., Зеляев И. А., Макаров Е. И., Гонина В. А., Каратаев Е. Н. Термическое разложение три-н-проииларсина в газовой фазе.// Получ. и анализ чист. в-в. Горький. 1988. С.33−35.
- Price S.J.W., Richard J.P. Determination of conditions for the suppression of CH3 + Sb (CH3)3 and evaluation of D (CH3)2-Sb-CH3.// Can.J.Chem. 1972. V.50. № 7. P.966−971.
- Price S.J.W., Trotman-Dickenson A.F. Metal-carbon bonds. Part 3. The py-rolysis of trimethylbismut, trimethylantimony and dimethyltin dichloride.// Trans. Faraday Soc. 1958. V.54. № 11. P. 1630−1637.
- DenBaars S.P., Maa B.Y., Dapcus P.D. // J.Electrochem.Soc. 1989. Y.136. № 7. P. 2067.
- Соколовский A.E., Баев A.K. Кинетика и механизм термораспада диэти-ларсина.//Кинетика и катализ. 1996. Т.37. № 3. С.340−342.
- Redwing J.M., Kuech T.F., Saylys D., Gaines D.F. Study decomposition mechanism of tertiarybutylarsine as precursors As.// J.Cryst.Growth. 1994. V.135. № 1−4. P.423−433.
- Larsen C.A., Buchan N.I., Li S.H., Stringfellow G.B. Decomposition mechanism of tertiarybutylarsine.// J.Cryst.Growth. 1989. V.94. № 3. P.663−672.
- Chen W.K., Ou J., Lee W.J. Organometallic vapor phase epitaxial growth of AlAsxSb!.x films using tertiarybutylarsine.// Jap.J.Appl.Phys. Pt 2. 1994. V.33. № 38. Pt 2. P.402−404.
- Sopanen M., Koljonen Т., Lipsanen ., Tuomi T. Growth of GalnAsSb using t-BuAsH2. // J.Cryst.Growth. 1994. V.145. № 1−4. P.492−497.
- Mashita M., Ishikawa H., Izumiya T. Comparative study on carbon incorporation in MOCVD AlGaAs layers between arsine and tertiarybutylarsine.// J.Cryst.Growth. 1995. V.155. № 3−4. P.164−170.
- Foster D.F., Glidewell C., Woolley G.R., ColeHamilton D.J. Evidence for reductive elimination of H2 in the decomposition of primary arsines.// J.Electron.Mater. 1995. V.24. № 11. P. 1731−1738.
- Lum R.M., Klingert J.K. Thermochemistry of alkularsine compounds used as arsenic precursors in metalorganic vapor phase epitaxy.// J.Appl.Phys. 1989. V.66. № 8. P.3820−3823.
- Zimmermann G., Plotzmann H., Stolz W., Gobel E.O., Gimmnich P., Greiling A., Lorberth J., Thalmann C., Rademann K. // .Cryst.Growth. 1992. V.136. № 1−4. P.142.
- Larsen C.A., Buchan N.I., Stringfellow G.B. // Appl.Phys.Lett. 1988. V.52. P.480−485.
- Coates G.E., Gracham J. Trimethylgallium. Part III. Reaction with diphenyl-phosphine and -arsine. // J.Chem.Soc. 1963. № 1. P.233−237.
- Соколовский A.E., Баев A.K. Исследование процессов, протекающих в системе триметилгаллий диэтиларсин.// Ж.общ.химии. 1997. Т.67. № 3. С.370−372.
- Hoshino М. A mass spectrometric study of the decomposition of trimethylar-sine (TMAs) with triethylgallium (TEGa).// Cryst.Growth. 1991. V.110. № 4. P.704−712.
- Соколовский A.E., Баев A.K. Механизм термического разложения в системе триэтилгаллий-триэтиларсин. // Ж.общ.химии. 1993. Т.63. № 10. С.2206−2209.
- Coates G.E., Green M.L.H., Wade К. Organometallic Compounds.// In Or-ganometallic Compounds. V.l. 3 rd Ed. Methuen. London. 1967. P.307.
- Schlyer D.J., Ring M.A. An examination of the product catalyzed reaction of trimethylgallium with arsine.// J.Organomet.Chem. 1976. V. l 14. P.9−19.
- Nishizawa J., Kurabayashi T. On the reaction mechanism of GaAs MOCVD.// J.Electrochem.Soc. 1983. V.130. № 2. P.413−417.
- Carli A.T., Gibart P., Druilhe R., Monteil Y., Bouix J., El Jani B. Metal or-ganics vapour phase epitaxy of GaAs: Raman studies of complexes formation.// Revue Phys.Appl. 1985. V.20. P.569−574.
- Graves R.M., Scuseria G.E. // J.Chem.Phys. 1992. V.96. P.3723−3726.
- Larsen С.A., Li S.H., Buchan N.I., Stringfellow G.B., Brown D.W. Kinetics of the reaction between trimethylgallium and arsine.// J.Cryst.Growth. 1990. V.102. № 1−2. P.126−136.
- Piocos E.A., Ault B.S. Matrix isolation studies of chemical vapor deposition: isolation and characterization of the trimethylgallium arsine adduct.// J.Am.Chem.Soc. 1989. V. l 11. P.8978−8979.
- Piocos E.A., Ault B.S. Infrared spectroscopic characterization of the trimethylgallium arsine adduct.// J.Phys.Chem. 1991. V.95. № 18. P.6827−6830.
- Белышева Г. В., Набиев Ш. Ш., Сенников П. Г., Ралдугин Д. А. ИК спектроскопия межмолекулярного взаимодействия триметилгаллия с арсином в жидкой фазе.// Препр./Рос.научн.центр «Курчат.ин-т» (Москва). 1995. № 5900/12. С. 1−20.
- Сенников П.Г., Ралдугин Д. А., Набиев Ш. Ш. ИК спектроскопическое исследование взаимодействия триметилгаллия с арсином в жидкой фазе. // Изв. РАН Сер.хим. 1996. № 9. С.2259−2262.
- Schlyer D.J., Ring М.А. An examination of the product catalyzed reaction of trimethylgallium with phosphine and the mechanism of the chemical vapor deposition of gallium phosphide and gallium arsenide.// J.Electrochem.Soc. 1977. V.124.№ 4. P.569−573.
- Thon A., Kuech T.F. High temperature adduct formation of trimethylgallium and ammonia.// Appl.Phys.Lett. 1996. V.69.№ 1. P.55−57.
- Liu Z, Lee R.T., Stringfellow G.B. Pyrolysis of tertiarybutylamine alone and with trimethylgallium for GaN growth.// J.Cryst.Growth. 1998. V.191. № 1−2. P.1−7.
- Jones A.C., Roberts J.S., Wright P.J., Oliver P.E., Cockayne B. Growth of AlxGa!.xAs by MOVPE using alternative alkylaluminium precursors.// Chem-tronics. 1988. V.3. № 9. P.152−155.
- Jones A.C. Development in metalorganic precursors for vapour phase epitaxy.// J.Cryst.Growth. 1994. V.145. № 1−4. P.505−511.
- Gladfelter W.L., Boyd D. C, Jensen K.F. Trimethylamine complexes of alane as precursors for the low-pressure chemical vapor deposition of aluminum.// Chem.Mater. 1989. V.l. P.339−343.
- Wee A.T.S., Murrell A.I., Singh N.K., O^Hare D., Foord I.S. Aluminum film growth by chemical vapor deposition of AlH3(NMe3)2.// J.Chem.Soc.Chem. Commun. 1990. № 1. P. l 1−13.
- Grady A. S, Markwell R.D., Russel D.K., Jones A.C. Infrared studies of exchange and pyrolysis reactions in mixtures of trimethylamine alane and trimethylgallium.// J.Cryst.Growth. 1990. V.106. № 2−3. P.239−245.
- Roberts J.S., Button C.C., David J.P.R, Jones A. C, Rushworth S.A. MOVPE growth of AlGaAs using trimethylamine alane.// J.Cryst.Growth. 1990. V. l04. № 3−4. P.857−860.
- Jones A.C., Rushworth S. A, Bohling D. A, Muhr G.T. Growth of Al. Ga^As by reduced pressure MOVPE using trimethylamine alane.// J.Cryst.Growth. 1990. V.106. № 2−3. P.246−252.
- Jones A. C, Rushworth S.A. Growth of low carbon content AlxGaj. xAs by reduced pressure MOVPE using trimethylamine alane.// J.Cryst.Growth. 1990. V.106. № 3.P.253−257.
- Grady A. S, Markwell R. D, Russel D. K, Jones A.C. Infrared studies of exchange and pyrolysis reactions in mixtures of trimethylamine alane and trieth-ylgallium.// J.Cryst.Growth. 1991. V. l 10. № 4. P.739−744.
- Dubois L.H., Zegarski B.R., Gross M.E., Nuzzo R.G. Aluminum thin film growth by the thermal decomposition of triethylamine alane.// Surface Sci. 1991. V.244. № 1−2. P.89−95.
- Benchimol J.L., Zhang X.Q., Gao Y., LeRoux G., Thibierge H., Alexandre F.A. Chemical beam epitaxy of AlGaAs and AlInAs using trimethylamine alane precursor.// J.Cryst.Growth. 1992. V.120. № 1−4. P.189−194.
- Abernathy C.R., Jordan A.S., Pearton S.J., Ren F., Baiocchi F., Bohlig D.A., Muhr G.T. The feasibility of using trimethylamine alane as an precursor for MOMBE.//J.Cryst.Growth. 1991. V.109. № 1−4. P.31−36.
- Hardtdegen H., Ungermanns Chr., Hollfelder M., Raafat Т., Carius R., Ha-senohrl St., Liith H. Using trimethylgallium and dimethylethylamine alane for AlGa growth. // J.Cryst.Growth. 1994. V.145. № 1−4. P.478−484.
- Hageman P.R., Olsthoorn S.M., Giling L.Y. Growth A^Ga^As high quality in MOVPE low-pressure using dimethylethylamine alane.// J.Cryst.Growth. 1994. Y.142. № 1−4. P.284−291.
- Черняк И.Н., Соколовский A.E., Шишко M.A., Баев А. К. Комплексооб-разование в системах триметилалюминия с триэтиламином и триметилар-сином. // Тез.докл. VI Всеросс.конф.по металлоорганич.химии. 1995. Н.Новгород. Т.1. С. 145.
- Яблоков B.A., Дозоров A.B., Харчевников B.M. Термическая диссоциация комплекса триметилгаллий-триметиларсин.// Металлоорган.химия. 1988. Т.1. № 3. С.638−640.
- Russell D.K., Grady A.S., Linney R.E., Mahmood Z., Markwell R.D. Association and exchange in dialkylgallanes in toluene solution.// J.Organomet.Chem. 1996. V.506. № 1−2. P.327−330.
- Пашков А.Ю., Вельский В. К., Булычев Б. М., Звукова Т. М. Триметила-миндихлоргаллан (Cl2Ga' NMe3)2 с межметаллической связью Ga Ga.// Изв. АН Сер.хим. 1996. № 8. С.2078−2081.
- Stringfellow G.B., Buchan N.I., Larsen С.A. Reactions in OMVPE growth of InP. // Initial Stages Epitaxial Growth: Symp., Anaheim, Calif., Apr. 22−24. 1987. Pittsburgh (Pa), 1987. P.255−259.
- Agnello P.D., Ghandhi S.K. A mass spectrometric study of the reaction of trimethylindium with arsine gas.// J.Electrochem.Soc. 1988. V.135. № 6. P.1530−1534.
- Agnello P.D., Chinoy P.B., Ghandhi S.K. A study of indium depletion in the OMVPE growth of GalnAs.// J.Cryst.Growth. 1990. V.102. № 3−4. P.775−784.
- Cheng C.H., Jones K.A., Motyl K.M. MOCVD growth of InGaAs using Me3Ga, AsMe3, AsH3 and Me3In or Et3In and analyses of adducts formed during the growth process.// J.Electron.Mater. 1984. V.13. № 4. P.703−726.
- Moss R.H., Evans I.S. New point of view in metalorganic gases epitaxy InP and GalnAs. // J.Cryst.Growth. 1981. V.55. № 1−4. P. 129−134.
- Walfram P., Reier F.W., Franke D., Schumann H Very high purity InP layers growth by adduct-MOVPE.// J.Cryst.Growth. 1989. V.96. № 3. P.691−692.
- Haigh J., O’Brien S. The mechanism of the growth of InP by MOCVD: a flow-tube investigation of the pyrolysis of the indium precursor.// J.Cryst.Growth. 1984. V.68. № 2. P.550−556.
- Bass S.J., Skolnick M.S., Chudzynska H., Smith L. MOCVD of indium phosphide and indium gallium arsenide using trimethylindium trimethylamine adducts.// J.Cryst.Growth. 1986. V.75. № 2. P.221−226.
- Reaves C.M., Bressler-Hill V., Varma s., Weinberg W.H., DenBaars S.P. Characterization of MOCVD-growth InP on InGaP/GaAs (001).// Surface.Sci. 1995. V.326. № 3. P.209−217.
- Jiang X.S., Clawson A.R., Yu P.K.L. InP-on-InGaAs interface with Ga and In coverage in metalorganic vapor phase epitaxy of InGaAs/InP superlattices.// J.Cryst.Growth. 1995. V.147. № 1−2. P.8−12.
- Stringfellow G.B. Fundamental aspects of vapor growth and epitaxy.// J.Cryst.Growth. 1991. V. 115. № 1 -4. P. 1 -11.
- Stringfellow G.B. Fundamentals of thin film growth.// J.Cryst.Growth. 1994. V.137. № 1−4. P.212−223.
- Dowben P.A., Spencer J.T., Stauf G.T. Deposition of thin metal and metal silicide films from the decomposition of organometallic compounds.// Ma-ter.Sci.and Eng.B. 1989. V.2. № 4. P.297−323.
- Nobumasa S., Chikashia A., Kazuya Т., Nabuo M. // Japan Appl.Phys. 1986. V.25. № 8. Pt 1. P.1236−1242.
- Protzmann H., Marschner Т., Zsebok O., Stolz W., Gobel E.O. Group III hydride precursors for the metalorganic vapour phase epitaxy (MOVPE) of (AlGa)As/GaAs heterostructures. // J.Cryst.Growth. 1991. V. l 15. № 1−4. P.248−253.
- Яблоков В.А., Митрофанова C.B., Булычев Б. М. Термораспад некоторых комплексов алкильных и гидридных соединений алюминия.// Ж.общ.химии. 1997. Т.67. № 4. С.543−547.
- Яблоков В.А., Дозоров А. В., Митрофанова С. В., Явич Б. С. Кинетика совместного термического разложения в газовой фазе триметиларсина и триметилгаллия.//Ж.общ.химии. 1989. Т.59. № 10. С.2268−2270.
- Яблоков В.А., Митрофанова С. В., Дозоров А. В. Термическое разложение диметилэтилиндия. .// Ж.общ.химии. 1997. Т.67. № 11. С. 1780−1782.
- Яблоков В.А., Митрофанова С. В., Княжанский С. Я. Кинетика термического разложения трет-бутилфосфина. .// Ж.общ.химии. 1994. Т.64. № 7. С.1113−1116.
- Яблоков В.А., Дозоров А. В., Митрофанова С. В., Явич Б. С. Термическая диссоциация комплексов Ме3А1 Me3As и Me3In — Me3As в газовой фазе.// Металлоорг.химия. 1991. Т.4. № 4. С.762−766.
- Митрофанова С.В., Яблоков В. А. Термическая стабильность комплекса трет-бутилфосфин тримети л алюминий. // Ж.общ.химии. 1997. Т.67. № 12. С.1977−1979.
- Henrickson C.H., Duffy D., Eyman D.P. Lewis acidity of alanes. Interactions of trimethylalane with amines, ethers, and phosphines. // Inorg.Chem. 1968. V.7. № 6. P.1047−1051.
- Алпатова H.M., Гавриленко В. В., Кесслер Ю. Н., Осипов О. Р., Маслин Д. Н. Комплексы металлоорганических, гидридных и галоидных соединений алюминия. М.: Наука. 1970. 284 с.
- Охлобыстин О.Ю. Влияние координации на реакционную способность металлоорганических соединений.// Успехи химии. 1967. Т.36. № 1. С.34−37.
- Almenningen A., Fernholt L., Haaland A. The molecular structure of the complex trimethylaluminium trimethylphosphane, (CH3)3A1P (CH3)3, determined by gas phase electron diffraction.// J.Organomet.Chem. 1978. V.145. P.109−119.
- Wierda D.A., Barron A.R. Adducts of trimethylaluminium with phosphine ligands: X-ray crystal structures of Me3AlP (o-tolyl)3.// Polyhedron. 1989. V.8. № 6. P.831−834.
- Coates G.E., Whitcombe R.A. Coordination complexes of methyl derivatives of indium and tallium. // J.Chem.Soc. 1956. № 9. P.3351−3354.
- Hall J.R., Woodward L.A., Edworth E.A. Raman and infra-red spectra of gallium trimethyl and indium trimethyl. // Spectrochim.acta. 1964. V.20. P.1249−1256.
- Muller N., Otermat A.L. The molecular weights of trimethylgallium and tri-ethylgallium in solution.// Inorg. Chem. 1965. V.4. № 3. P.296−299.
- Henrickson C.H., Eyman D.P. Lewis acidity of alanes. Interactions of trimethylalane with sulfides. // Inorg. Chem. 1967. V.6. № 8. P. 1461−1465.
- Abdul-Ridha H.H., Bateman J.E., Growte R.C., Hoge P., Jones A.C., Padda R., Patrikarakos D.G., Pemble M.E. // J.Cryst.Growth. 1994. V.145. № 1−4. P. 485−491.
- Яблоков B.A., Дозоров A.B., Митрофанова C.B., Явич Б. С. Кинетика совместного термического разложения в газовой фазе триметиларсина и триметилвалюминия.//Ж.общ.химии. 1990. Т.60. № 9. С.547−578.
- Герасимов Я.И. Курс физической химии. М.: Химия. 1966. Т.2. С. 159.
- Нечипоренко Г. Н., Петухова Л. Б., Розенберг A.C. Термический распад триалкиламиналанов.//Изв. АН СССР. Сер.хим. 1975. № 8. С.1697−1705.
- Bohling D.A., Abernathy C.R., Jensen K.F. Chemical / surface mechanistic considerations in the design of novel precursors for metalorganic molecular beam epitaxy.// J.Cryst.Growth. 1994. V.136. № 1−4. P. l 18−126.
- Hoffman E.G. Alkyl group exchange/ in aluminium trialkyls detected by proton magnetic resonance. // Trans.Faraday.Soc. 1962. V.58. P.642−649.
- Hui B.C. US Patent 4 720 560. 1988.
- Huang Z.S., Park Chinho, Anderson T.Y. // J.Organometal.Chem. 1993. V.449. № 1−2. P.77−84.
- Методы элементоорганической химии. Алюминий, галлий, индий./ под ред. Несмеянова А.Н./.- М.: «Наука». 1968.
- Todt Е., Dotzer R. Darstellung von Indium-trialkylen uber In-Mg Legierung oder Mischung. // Z.anorg.allg.Chem.1963. V.321. P.120−123.
- Tzschach AS., Deylig W. Arsen-organo-Verbindungen. V. Zur Darstellung der Lithium der vate des Mono- und Di-tert.butylarsins.// Z. Anorg. allg. Chem. 1965. V.336. № 1−2. P.36−41.
- АКАДЕМИЯ НАУК РОССИИ ОРДЕНАЛЕНИНА
- ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ имени А. Ф. ИОФФЕ-Петербург 194 021, Полмтехническая ул., 26 мегр. адрес: С.-Петер6ург. К-И, ФТИ
- Те*. 247−18−73, 247−23−75. 247−91−561.от
- Акт использования результатов диссертационной работы С. В. Митрофановой «Термическая стабильность газообразных смесей органических производных элементов III и V групп», представленной на соискание ученой степени кандидата химических наук.
- Зав. Лабораторией ФТИ им. А. Ф. Иоффе профессор, д.т.н.
- Ст. научный сотрудник ФТИ им. А. Ф. Иоффе к.ф.м.н.
- БАН «. 159, т. 50 ООО, 1+01−92 Г.