Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Влияние поляризации кристаллов на строение и туннельную рекомбинацию радиационных дефектов

Диссертация: Влияние поляризации кристаллов на строение и туннельную рекомбинацию радиационных дефектов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Предложенный метод внедренного молекулярного кластера является в настоящее время единственным методом, реализующим последовательный подход к построению волновой функции всего бесконечного кристалла в модели молекулярного кластера и учитывающий обменное и кулоновское взаимодействие кластера с остатком кристалла, в том числе инерционную и безынерционную поляризацию, для расчета электронной… Читать ещё >

Влияние поляризации кристаллов на строение и туннельную рекомбинацию радиационных дефектов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. УЧЕТ ЭФФЕКТОВ КОРРЕЛЯЦИИ И ПОЛЯРИЗАЦИИ В РАСЧЕТЕ ЭЛЕКТРОННОЙ И ПРОСТРАНСТВЕННОЙ СТРУКТУРЫ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРИСТАЛЛАХ
    • 1. 1. Расчет поляризации кристалла дефектом с помощью методов классической электростатики
      • 1. 1. 1. Рассмотрение безынерционной поляризации кристалла в теории Мотта и Литлтона
      • 1. 1. 2. Вычисление инерционной поляризации кристалла полем дефекта в модели жестких ионов
      • 1. 1. 3. Совместный учет инерционной и безынерционной поляризации
    • 1. 2. Электронная корреляция и поляризация
      • 1. 2. 1. Учет корреляции в методах квантовой химии молекул и твердых тел
      • 1. 2. 2. Метод разделения на локализованные электронные группы
    • 1. 3. Учет искажения электронной структуры дефектной области кристалла
      • 1. 3. 1. Метод резольвентных функций Грина
      • 1. 3. 2. Моде ль центральной молекулы
      • 1. 3. 3. Молекулярные модели кристаллов с точечными дефектами
    • 1. 4. Выводы по главе
  • 2. ТЕОРИЯ ВНЕДРЕНИЯ МОЛЕКУЛЯРНОГО КЛАСТЕРА В ПОЛЯРИЗУЮЩУЮСЯ РЕШЕТКУ
    • 2. 1. Помещение кластера в кристалл
      • 2. 1. 1. Общие уравнения метода внедренного молекулярного кластера
  • 2. I.2.Экранировка взаимодействия электронов кластера и изменение их собственной энергии. '
    • 2. 1. 3. Формулировка общих граничных условий в модели молекулярного кластера
    • 2. 2. Рассмотрение безынерционной поляризации в случае несмещенных из узлов атомов
    • 2. 3. Вычисление инерционной и безынерционной поляризации кристалла
    • 2. 3. Л .Динамика решетки совершенного кристалла
    • 2. 3. 2. Общее рассмотрение инерционной поляризации кристалла вне кластера в дипольном приближении
    • 2. 3. 3. Вычисление полной поляризации остатка кристалла дефектом
    • 2. 4. Выводы по главе
  • 3. САМОСОГЛАСОВАННЫЙ УЧЕТ ПОЛЯРИЗАЦИИ КРИСТАЛЛА В КОНТИНУАЛЬНОМ ПРИБЛИЖЕНИИ
    • 3. 1. Общее рассмотрение поляризации ионного кристалла полем точечного дефекта. III
  • 3. I.I.Энергия внедренного кластера в ионном кристалле. III
    • 3. 1. 2. Энергия дефектного кристалла в начальном и конечном электронных состояниях системы
    • 3. 2. Континуальное приближение при рассмотрении поляризации кристалла
    • 3. 2. 1. Континуальное приближение для начального электронного состояния
    • 3. 2. 2. Континуальное приближение для конечного электронного состояния
    • 3. 2. 3. Общая схема самосогласованного расчета электронной структуры дефекта в кристалле
    • 3. 3. Приближение точечных поляризующих зарядов
    • 3. 3. 1. Вычисление поля поляризации
    • 3. 3. 2. Вычисление дипольного поля
    • 3. 3. 3. Энергия поляризации кристалла в начальном электронном состоянии
    • 3. 3. 4. Энергия поляризации кристалла в конечном электронном состоянии
    • 3. 4. Выводы по главе
  • 4. ВЛИЯНИЕ ПОЛЯРИЗАЦИИ НА ЭЛЕКТРОННУЮ И ПРОСТРАНСТВЕННУЮ СТРУКТУРУ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ
    • 4. 1. Применимость континуального приближения
      • 4. 1. 1. Анионная вакансия в кристалле КС£
      • 4. 1. 2. Вакансия в КС£ с учетом инерционной поляризации
  • 4. Л.3.Энергия образования вакансии в ионном кристалле
    • 4. 2. Энергия поляризации для ряда точечных дефектов в ионных кристаллах
    • 4. 2. Л.Модификация метода ЧПДП и его параметризация
      • 4. 2. 2. F и агрегатные центры
      • 4. 2. 3. Собетвенные дырочные центры в кристаллах LiF и КСС
    • 4. 3. Туннельная рекомбинация радиационных электронных и дырочных центров в LiF и ксе
      • 4. 3. 1. Рассмотрение ближайших пар дефектов
      • 4. 3. 2. Пары далеких дефектов
    • 4. 4. Моделирование локализации дырки в[/."] центре в My
    • 4. 5. Выводы по главе

Актуальность проблемы. Интерпретация электронных и ионных протического моделирования, позволяющих, исходя из достаточно общих предположений о моделях дефекта, выбрать наиболее полно удовлетворяющую экспериментальным данным. При этом можно исходить из различных критериев. Одним из них является, например, полная энергия кристалла с дефектом: «правильной» модели соответствует минимум на потенциальной поверхности системы fl" ] • Другим критерием является воспроизведение набора экспериментально наблюдаемых магнитно-резонансных параметров дефекта ([2] и т. д.Ясно, что выбор критерия определяет и выбор метода раачета [з-llj • Развиваемый нами подход состоит в расчете из как можно более общих соображений потенциальной поверхности кристалла с дефектом, нахождения наиболее энергетически выгодной конформации дефекта и путей и барьеров его перехода в другие конформации [3.2,13] • Одновременно получается распределение электронной плотности в системе, положение уровней одноэлектронных состояний дефекта относительно границ энергетических зон кристалла, энергии оптического поглощения и фотоионизации дефекта, соответствующий данному подходу метод должен удовлетворять следующим требованиям: 1) позволять рассчитывать электронную структуру как можно большего фрагмента кристалла, что дает возможность исходить из достаточно общих соображений при моделировании- 2) корректно учитывать взаимодействие рассматриваемого фрагмента кристалла со всем остальным кристаллом, кроме того, исследование, — процессов создания и рекомбинации дефектов [7> 10, 12, 13] требует одновременного рассмотрения дефектов в различных зарядовых состояниях в рамках одних и тех же приближений и методов. В кристаллах диэлек-тров в настоящее время это возможно только в рамках подхода, цессов дефектами требуе! разработки методов теореиспользующего модель молекулярного кластера (Mf{), т. е. упрощенного представления о кристалле с изолированным дефектом, как об ограниченном фрагменте кристаллической решетки. Эта модель получила широкое распространение [з, 9,40], однако последовательная теория, обосновывающая ее применимость, до сих пор не развита. Обоснование этой модели предполагает, с одной стороны, последовательное построение волновой функции всего бесконечного кристалла в модели щ (см., например ,[9, ю}), а с другойполный учет отклика остатка кристалла^обуиловленного его инерционьой и безынерционной поляризацией полем дефекта, вызванной отличием в распределении зарядовой плотности в дефектной области от соответствующей идеально^ кристаллу. Используемые в настоящее время методы учета поляризации кристалла дефектами существуют обособленно от конкретных методов расчета их электронной структуры и применяются, как правило, несамосогласованно с ниш.

Цель работы состоит в установлении связи мззззду электронной и пространственной структурой радиационных дефектов в ионных кристаллах и обусловленной ими поляризацией кристалла, а также влияние поляризации на спектрально-люминесцентные характеристики рекомбинации дефектов. Для этого необходимо развить последовательный метод помещения кластера в остальной кристалл с учетом обменного и куло-новского взаимодействия кластера с остатком кристалла, включая его поляризацию дефектом. Положения, выносимые на защиту Г13−18]: 1. №тод внедренного молекулярного кластера для исследования электронной и пространственной структуры точечных дефектов в кристаллах.

2. Конкретная реализация метода внедренного молекулярного кластера для расчета электронной и пространственной структуры точечных дефектов и их спектрально-люминесцентных характеристик.

4 в объеме ионных кристаллов, использующая континуальное прибли- 1 жение для расчета инерционной и безынерционной поляризации кристалла дефектом,.

3. Результаты расчетов характеристик изол1фованных электронных и дырочных дефектов в кристаллах LiF и КСЕ.

4. Результаты исследования влияния поляризации в расчетах взаимодействия и энергий излучательной туннельной рекомбинации пар {^^к] и {Т, Н|-центров в кристаллах LiF, т.

5. Результаты квантово-химического моделирования примесной локализации дырки на примере ГLi J центра в кристалле М^О ,.

Диссертационная работа, помимо Введения, включает четыре главы, Выводы и Заключение •.

В первой главе дан обзор существующих методов расчета инерционной и безынерционной поляризации кристалла дефектом, обсуждается связв корреляции электронов с безынерционной поляризацией и, на основании этого, рассматривается обоснование методов классической электростатики, широко используемых для расчетов безынерционной поляризации. Дан критический анализ существующих моделей и методов расчета электронной и пространственной структуры дефектов в кристаллах.

Во второй главе предложен метод внедренного молекулярного кластера для расчета электронной и пространственной структуры точечных дефектов в кристаллах, в которых возможно разделение электронной плотности на локализованные группы (структурные элементы). Подробно рассматривается как задача об электронной структуре кластера, помещенного в поляризованный остаток кристалла и выбор для цегго < соответствующих граничных условий, так и методы точного вычисления в рамках модели оболочек поляризации остатка кристалла полем дефекта.

В третьей главе рассмотрена конкретная реализация метода внедренного молекулярного кластера для расчета характеристик дефектов в объеме ионных кристаллов, использующая континуальное приближение для вычисления поляризации кристалла дефектом в ходе самосогласованного расчета его электронной структуры.

В четвертой главе дан критерий применимости континуального приближения при расчете поляризации кристалла дефектом. Рассмотрены характеристики изолированных электронных (F, Fz? F2~) и дырочных (HjVk^z) центров в объеме LiF и KCi с учетом поляризации ими кристаллов. Обсувдаются результаты исследования роли поляризации в расчетах взаимодействия и энергий излучательной туннельной рекомбинации пар { FfH} и { F, Укцентров в кристаллах LiF и KQt. Рассматриваются результаты квантово-химического моделирования примесной локализации дырки на примере [L/J центра в кристалле M (jO. t.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Пак полученные общие результаты, так и расчеты конкретных объектов показывают, что учет инерционной и безынерционной поляризации является принципиально важным для корректного моделирования формы и относительного расположения адиабатических потенциальных поверхностей основного и возбужденных электронных состояний дефектов в ионных кристаллах, т. е. энергий их оптического поглощения, люминесценции и рекомбинации, а также частот локальных колебаний.

2. Предложенный метод внедренного молекулярного кластера является в настоящее время единственным методом, реализующим последовательный подход к построению волновой функции всего бесконечного кристалла в модели молекулярного кластера и учитывающий обменное и кулоновское взаимодействие кластера с остатком кристалла, в том числе инерционную и безынерционную поляризацию, для расчета электронной и пространственной структуры как нейтральных, так и заряженных точечных дефектов и процессов их рекомбинации в рамках одних и тех же приближений.

3. Осуществленная в настоящей работе конкретная реализация метода внедренного молекулярного кластера в виде пакета программ для ЭВМ позволяет проводить квантово-химическое модел1фование широкого класса реальных (а не модельных) дефектов и связанных с ними процессов в ионных кристаллах (нейтральные и заряженные дефекты с сильной релаксацией окружения, пары близких дефектов на различных расстояниях друг от друга).

4″ Проведенное моделирование локализации дырки на [Li J центре в кристалле М (}0 позволило конкретизировать модель центра,.

А- «установить ограниченность известной модели и в кристалле и рассчитать электронную структуру и энергию оптического поглощения.

5* Показано, что зависимость энергии радиационно-туннельного 1 перехода электрона от расстояния между электронным и дырочным радиационными дефектами определяется, в основном, изменением с расстоянием между ними энергии переполяризации кристалла парой дефектов.

6. Результаты расчетов поляризации Гг,/", ^? Н9 /к^г-центрами кристаллов LiF и КС1 свидетельствуют о том, что общепринятое приближение линейного отклика при рассмотрении всех перечисленных дефектов оказывается применимым на расстоянии не ближе третьей сферы ионов ближайшего окружения дефекта и зависит от заряда дефекта и степени искажения им решетки, что означает необходимость микроскопического рассмотрения электронной структуры ионов внутри указанной области.

191 ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

Результаты настоящей работы убедительно свидетельствуют о применимости развитого порода .к исследованию строения дефектов и связанных с ними процессов в объеме ионных кристаллов. Дальнейшее обобщение и развитие этого метода возможно по следующим основным направлениям:

1) применение к кристаллам с более сложной структурой, имеющим ковалентную (валентные полупроводники) или, например, ионно-кова-лентную связь (SiC^A^^ И Др.) — это требует развития теории структурных элементов (оптимизация выбора структурных элементов совершенного кристалла путем сравнения вычисленных фононных спектров (§ с экспериментомоптимизация параметров обменных потенциалов взаимодействия кластера с остатком кристалла (§ 2.1.3) по результатам зонных расчетов);

2) применение к дефектам вблизи границы раздела фаз: твердое тело-вакуум, твердое тело-растворительв последнем случае необходимо обобщение теории для учета поляризации поверхностью кристалла и дефектом полубесконечного растворителяреализация такого подхода позволила бы непосредственно перейти к. моделированию процессов растворения, катализа, коррозии и т. д;

3) применение к парам хорошо разделенных друг от друга дефектовэто требует обобщения теории на случай кластера, представляющего собой двухсвязную область.

Представляет также интерес проверка предложенных в работе граничных условий, учитывающих обменное взаимодействие кластера с остатком кристалла, и точного метода вычисления поляризации кристалла дефектом в рамках модели оболочек.

В заключение приношу искреннюю благодарность своему научному руководителю Готлибу В. И. за постоянное внимание и руководство работой.

Я признателен сотрудникам ЛГУ им. П. Стучки Котомину Е. А. и Шлюгеру А. Л. за полезные советы, постоянную помощь и поддержку. Я благодарен также моей семье за терпение, помощь и поддержку!

Показать весь текст

Список литературы

  1. oh U"., Stonehsm A.M., Harker A.H. The initial production of defects in alkali halides. — J. Phys C, 1977, v. «10, Ho.15, p.4197−4214.
  2. Pantelides S.T. The electronic structure of impurities and other point defects in semiconductors. Revs.Mod.Phys., 1978, v. 50, Ко. 4, p.797−858.
  3. P.А. Кластерное приближение в теории точечных дефектов в твердых телах. ЖСХ, 1983, т.24, № 4, с.44−61.
  4. Н.Н. Теория примесных центров малых радиусов в ионных кристаллах. М.: Наука, 1974,-336 с.
  5. A.M. Теория дефектов в твердых телах. М.: Мир, 1978, т.1, — 569 е., т.2, — 357 с.
  6. И.М., Толпыго К. Б. Неэмпирические методы в теории твердого тела. ЖСХ, 1983, т.24, № 4, с.5−21.
  7. Р.А. Квантовохимические методы в теории твердого тела. Л.: Изд-во ЛГУ, 1982, — 280 с.
  8. Р.А., Котомин Е. А., Ермошкин А. Н. Молекулярные модели точечных дефектов в широкощелевых твердых телах. -Рига: Зинатне, 1983, 287 с.
  9. М., Бургуэн Ж. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория. М.: -Мир', 1984, — 263 с.
  10. Shluger A.L., Kotomin E.A., Tale I.A. Electronic structure of thallous centres and Tl±Vk recombination in KC1. -Solid St Comm-, 1983, v.46, N03, p.625−629.
  11. Shluger A., Kotomin E., Kantorovich Ь. Calculations of energies of radiative tunneling transitions between defects in alkali halides. Solid St.Comm., 1982, v.42e lffo.10,p.749−752.
  12. Kantorovich Ъ.К. Multipole theory of the polarization of Solids by point defects. I. Dipole approximation. phya* /stat. sol. (b), 1983, v.120, Ko. l, p.77−86.
  13. Kantorovich L.U. Multipole theory of the polarization of solids by. point defects. II. The point charge approximation. phys.stat.sol.(b), 1984, v.123, No. l, p.325−334.
  14. Л.Н. Метод внедренного кластера в нежесткую неточечную поляризующуюся решетку в расчете электронной структуры точечных дефектов в кристаллах. I. Изв. АН Латв. ССР, сер.физ. и техн. наук, 1985, & Печати.
  15. Л.Н. Метод внедренного кластера в нежесткую не-точечнуго поляризующуюся решетку в расчете электронной структуры точечных дефектов в кристаллах. II. Изв. АН Латв. ССР, сер.физ. и техн. наук, 1985, В печати.
  16. М.И., Абаренков И. В., Березин А. А., Эварестов Р. А. Применение схемы Хартри-Фока для расчета электронных центров в ионных кристаллах. В кн.: Проблемы теоретической физики. I. Квантовая механика. — Л.: Изд-во ЛГУ, 1974, с.208−262.
  17. И.Б., Полингер В. З. Вибронные взаимодействия в молекулах и кристаллах. М.: Наука, 1982, — 350 с.
  18. Mott К.P., Littleton M.I. Conduction in polar crystals* I. Electrolytic conduction in solid salts. J.Chem.Soc. Faraday Trans. I, 1938, v.34, Ho.2, p.485−499.
  19. Rittner E.S., Hutner R.A., du Prfe F.K. Concerning the work of polarization in ionic crystals of the NaCI type.
  20. Polarization around a single charge in the rigid lattice. J.Chem.Phys., 1949, v.17, No.2, p.198−203.
  21. Hutner R.A., Rittner E.S., du Ргё F.K. Concerning the work of polarization in ionic crystals of the NaCI type.1. Polarization around two adjacent charges in the rigid lattice.. J.Chem.Hhys., 1949, v.17, Ho.2, p.204−208.
  22. Du Prfe F.K., Hutner R.A., Rittner E.S. Concerning the work of polarization in ionic crystals of the NaCI type.
  23. I. Numerical results for a single charge in the rigid lattice. J.Chem.Phys., 1950, v.18, No.3, p.379−380.
  24. Wang J.C. Local fields near a point-charge defect in cubic ionic crystals. Phys.Rev.B, 1980, v.22, No.6, p.2725−2730.
  25. Wielopolski P. Electrostatic energy of ionic crystals containing point defects. I. Acta Phys.Polon., 1973, v. A44, No.2, p.177−184.
  26. Wielopolski P. The generalized polarizability function for crystals. II. Acta Phys.Polon., 1973, v. A44, No.2, p.185−193.
  27. Wielopolski P., Stecki I. On the polarizational energy of the schottky defect. Acta Phys. P0lon., 1973, v. A44,1. No.2, p.195−200.
  28. Wielopolski P., Stecki I. On the long range periodic potential acting on a free electron in the rigid. lattice of polarizable atoms. Acta Phys.Polon., 1973″ v. A44, No.3, p.381−391.
  29. Stecki I., Wielopolski P. On the ion-electron interaction energy modified by a crystal lattice of polarizable atoms. V. Acta Phys.Polon., 1973, V. A44, No.3, p.393−399.
  30. Eichardson D.D. Shell model calculations of point defect formation ehergies in cubic ionic crystals. Comp.Phys. Comm., 1982, v.28, p.75−101.
  31. Catlow C.R.A., James R., Mackrodt W.C., Stewart R.F. Defect energetics in
  32. Horget M.J., Stoneham A.M., Pathak A.P. Electronic structure of the V^-centre in MgO. J.Phys.C, 1977, v.10,1. Ко.4, p.555−565.
  33. Cade P., Stoneham A.M., Tasker P.W. Self-traped.hole (V^-center) in"NaCi-type alkali halides. Phys. Rev"B, 1984, v.30, Ho.8, p.4621−4639″
  34. Colboura E.A., Mackrodt W.C. The calculated defect structure of.bulk.and ?001} surface cation. dopants in MgO.
  35. J.Mater.Sci., 1982, v.17, p*3021~3038.
  36. Neogy C., Deb S.K. Calculation of activation. energy of hydrogen diffusion in alkali halide crystals. Indian J. Pure Appl.Phys., 1981, v.19, p.509−511″
  37. Stoneham A.M., Bartram R.H. Distorsion and polarization near. color centres. Phys.Rev.B, 1970, v.2, No.8, p.3403−3415.
  38. Van Winsum J.A., Lee Т., Den Hartog H.W., Dekker A.J. The shape of the potential energy well of impurities In KClsLi+ and KF: M+ (M=Li, Na, K). J.PJiys.Chem.Solids, 1978, v.39,pЛ217−1223.
  39. Das T.P., Jette A.N., Knox R.S. Theory of the optical and magnetic properties of the self-trapped hole in lithium, fluoride. Phys.Rev., 1964, v.134, No.4, P. aio79-aio93.
  40. Jette A.N., Gilbert T.L., Das T.P. Theory of the self-trapped hole in the alkali halidee. Phys.Rev., 1969, v.184, No.3, p.884−894.
  41. Jette A.N., Das T.P. Theory of the self-trapped hole in
  42. СаР2. Phys.Rev., 1969, v.186, No.3, p.919−925.
  43. Druger S.D., Knox R.S. Theory of trapped-hole centres in rare-gas solids. J.Chem.Phys., 1969, v.50, N0.8, p.3143−3153.
  44. Abarenkov I.V. The model potential method for an extra electron in ionic crystals. phys.stat.sol.(b), 1974, v.6l, No.2, p.757−766.
  45. Abarenkov I.V., Antonova I.M. The extended polarizable ion lattice model. phys.stat.sol.(b), 1974, v.64, No.2,p.747−756... .
  46. Abarenkov I.V., Antonova I.M. F-centre in KC1 with the extended polarizable ion lattice model. phys.stat.sol.(b), 1974, v.65, No. l, p.325−332i
  47. Bounds P.J., Munn R.W. Polarization energy of a localized charges in a molecular crystal. II. Ckarge-quadrupole energy. Chem.Phys., 1981, v.59, Ho. l, p.41−45.
  48. Bounds P.J., Munn R.W. Polarization energy of a localized charges in a molecular crystal. III. Suhmolecule treatment. Chem.Phys., 1981, v.59, No. l, p.47−53.
  49. Eisenstein I., Munn R.W., Bounds P.J. Polarization energy of a localized charges in a molecular crystal. IV. Effect of. polarizability changes. Chem.Phys., 1983, v.74, No.3, p.307−320.
  50. Pox D. Stark shifts in molecular crystal spectra: solution for the point-dipole approximation. Chem.Phys., 1976, v. 17, No.2, p.273−284.
  51. Dunmur D.A., Munn R.W. Interpretation of the Stark effect in molecule crystals. Chem.Phys., 1975, v. ll, Ko.2,p.297−305.
  52. Munn R.W. Electrostatic energy of vacancy format ion in crystals of polar molecules. Chem.Phys., 1983, v.74, Ho.3, p.301−305.
  53. К.Б., Томасевич О. Ф. Волновая функция и энергия зонного электрона в кристалле NaCl. УФЕ, 1958, т. З,№ 2, с.145−167.
  54. Либерберг-Кучер Т. И. Энергия взаимодействия точечных зарядов в ионном кристале. ЖЭТФ, 1956, т.30, в.4, с.724−733.
  55. Е.И., Толпыго К. Б. Определение энергии поляризации кристалла НаС1 при наличии вакансии положительногоиона. ФТТ, 1966, т.8, в.1, с.242−244.
  56. К.Б., Заславская И. Г. Спектр собственных колебаний NaCI с учетом деформации ионов. УФЖ, 1956, т.1, № 3,с.226−244.
  57. Л.К., Тележкин В. А., Толпыго К. Б. Электростатическая энергия автолокализованной дырки в щелочно-галоидных кристаллах (Ук-центра). -ФТТ, 1978, т.20, в.6, с.1836−1838.
  58. Л.К., Тележкин В. А. Расчет смещений ионов вблизи V^-центра в щелочно-галоидных кристаллах методами динамики решетки. В сб.: Моделирование на ЭВМ радиационных дефектов в кристаллах. — Л.: Изд-во ФТИ, 1983, с.55−56.
  59. Н.Н. Схема Хартри-Фока в задачах теории ионных кристаллов. В кн.: Проблемы теоретической физики. I. Квантовая механика. — Л.: Изд-во ЛГУ, 1973, с.182−208.
  60. Т.И., Толпыго К. Б. Многоэлектронное рассмотрение движения электрона (дырки) в возмущенном кристалле. -ЖЭТФ, 1954, т.26, в.1, с.35−41.
  61. Т.И., Толпыго К. Б. Многоэлектронное рассмотрение движения электрона (дырки) в деформированном кристалле. II. -ЖЭТФ, 1956, т.31, в.6(12), c. I002-I0II.
  62. К.Б. Микроскопическая теория электронных состояний в полярных кристаллах. УФЖ, 1957, т.2, № 3, с.242−257.
  63. К.Б. Силы взаимодействия между ионами и уравнения колебаний ионных решеток, найденные на основе многоэлектронного рассмотрения состояний ионов и адиабатического приближения, УФЖ, 1959, т.4, № I, с.72−91.
  64. Tolpygo К.Б. Exchange-quadrupole forces and phonon dispersion, for the simplest cubic crystals. phys.stat.sol.(b), 1973, V.56, No.2, p.591−60−1.
  65. К.Б. Физические свойства решетки типа каменной соли, построенной из деформируемых ионов. ЖЭТФ, 1950, т.20, № б, с.497−509.
  66. Мак-Вини Р., Сатклиф Б. Квантовая механика молекул. М.: Мир, 1972, — 380 с.
  67. В.А., Жуков В. П., Литинский А.0. Полуэмпирические методы молекулярных орбиталей в квантовой химии. М.: Наука, 1976, — 219 с.
  68. С. Теория многоэлектронных систем. М.: Мир, 1976, — 333 с.
  69. М.Г., Лабзовский Л. Н. Метод Хартри-Фока и электронная корреляция. В кн.: Проблемы теоретической физики. I. Квантовая механика. — Л.: Изд-во ЛГУ, 1973, с.7−54.
  70. М.М., Вайман Г. Е., Климо В., Тинзо И. Расширенный метод Хартри-Фока и его применение к молекулам. К.: Нау-кова Думка, 1983, — 134 с.
  71. Ч. Квантовая теория твердых тел. М.: Наука, 1967, „- 491 с.
  72. Dolgov О.V., Kirzhnits D.A., Maksimov E.G. On the admissible sign of the static dielectric function of matter. -. Revs.Mod.Phys., 1981, v.53, Ho. l, p.81−93.
  73. Schulze K.-R. On the dielectric responce of solids. I. New approximations for the treatment of local fieldseffects. phys.stat.sol.(b), 1979, v.91, Ho. l, p.211−221-
  74. Schulze K.-R. On the dielectric response of solids. II. Local field effects in the phonon-induced density charge of a semiconductor. phys.stat.sol.(b), 1979, v.91, No.2, p.551−555.
  75. Hedin L. Hew methbd for calculating the one-particle Green’s function with application to the electron-gas problem.
  76. Phys.Rev., 1965, v.139, Ho.3, p. A796-A823.
  77. Hedin L. Effect of electron correlation on band structure of solids. Arkiv.Fysik., 1965, v.30, Ho.19, p.231−258.
  78. Fowler W.B. Influence of electronic polarization on the optical properties of insulators. Phys.Rev., 1966, v.151, Ho.2, p.657−667.
  79. Pantelides T.S., Mickish D.J., Kunz A.B. Correlation effects in energy-band theory. Phys.Rev.B, 1974, v.10, Ho.6,p.2602−2613.
  80. Kunz A.B. Electronic polarons in nonmetals. Phys.Rev.B, 1972, v.6, Ho.2, p.606−615.
  81. Mickish D.J., Kunz A.B., Collins T.C. Optical properties of LiF. -Phys.Rev.B, 1974, v.9, Ho.10, p.446l-4467.
  82. Kunz A.B., Mickish D. J# Study of the electronic structure and the optical properties of the solid rare gases. Phys.
  83. Rev.B,.1973, v.8, Ho.2, p.779−794.
  84. Kunz.A.B, Lipari H.O. Electronic structure of HaBr.
  85. Phys.Rev.B, 1971, v.4, H0.4, p.1374−1381.
  86. Pantelides T.S., Mickish D.J., Kunz A.B. Electronic structure and properties of magnesium oxide. Phys.Rev.B, 1974, v.10, Ho.12, p.5203−5212.
  87. Kunz A.B. Study of the electronic structure of twelve alkalihalide crystals. Phys.Rev.B, 1982, v.26, Ho.4, p.2056−2069.
  88. А.Л. Электронная структура и туннельная рекомбинация дефектов в щелочно-галоидных кристаллах. Автореф.дис. на соиск.учен.степ.канд.физ.-мат.наук. М., 1981, 16 с.
  89. А.Л., Котомин Е. А. Модификация метода ЧПДП для расчета характеристик точечных дефектов в ионных кристаллах. -ТЭХ, 1983, т.19, № 4, с.393−400.
  90. Riga, May 1981. Riga, Zinatne, 1981, 11 p.
  91. Локализация и делокализация в квантовой химии. Атомы и молекулы в основном состоянии. Под ред. Шальве 0., Доде Р.,
  92. С., Мальрё Ж.П. М.: Мир, 1978, — 411 с.
  93. McWeeny R. The density matrix in many-electron quantum mechanics. I. Generalized product functions. Factorization and physical interpretation of the density matrix. Proc.Roy.
  94. Soc., 1959, v.253, No.1273, p.242−259.
  95. И.Е. Основы теории электричества. М.: Наука, 1966, — 624 е.
  96. Fowler P.W., Madden Р.А. In-crystal polarizabilities of alkali and halide ions. Phys.Rev.B, 1984, v.29, No.2,p.IO35-IO42.
  97. Tessman J.R.-, Kahn A.H., Shockley W. Electronic polarizabi-lities of ions in crystals. Phys.Rev., 1953, v.92, No.4,"p.890−895.
  98. Iguchi E., Sawatari H^, Tilley R.J.D. Recalculation of Madelung potentials and polarizabilities. of ions 1ц stoichiometric rutile (Ti02). phys. stat^sol.(b), 1980, v.10i, 1. No. l, p.333−340.
  99. Gupta H.N., Upadhyaya R. S- A critical study of dynamical properties. of ionic crystals. phys.stat.sol.(b), 1979, v.93, N0.2, p.781−791.
  100. Ruffa A.R. Theory of the electronic polarizabilities ofih. ions^rystalsj applieation to the alkali halides crystals. Phys.Rev., 1963, v.130, No.4, p.1412−1423.
  101. Schmidt P.O., Weiss A., Das T. P“ Effect of crystal fields and self-consystancy on dipole and quadrupole polarizabi-lities of closed-shell ions. Phys.Rev.B., 1979, v.19, No.11, p.5825−5534.
  102. И.В., Братцев B.ffi., Тулуб A.B. Неэмпирический расчет поляризуемости ионов в окислах металлов. ШТТ, 1982, т.24, № I, с.272−274.
  103. Sen K.D. Empirical static quadrupole polarizabilities for closed shell ions in solids. J.Phys.C., 1984, v.17, No.7, р. Ь227-Ь228.
  104. Shanker I., Lashkari A.K.G., Gupta V.P. Effect of three -body interactions on the electronic polarizabilities and. photoelastic behaviour of alkali halides. phys.stat.sol. (b), 1979, v.91, No. l, p.263−268.
  105. Agrawal G.G., Shanker I. Theory of short range interactions and static polarizabilities of alkali halides. J.Chem. Phys., 1978, v.68, No.11, p.5244−5249.
  106. Sastri M.V.K., Narasimhulu P.L., Sen K.D. Empirical static quadrupole polarizability for some closed shell fxee atoms and ions. J.Chem.Phys., 1984, v.80, No. l, p.584−585.
  107. Mahan G. D" o^upole modifications of the Clansins-Mor^'ott-s relation. ^"Jtate ,-.чшп., 1980 р Лг г
  108. Debbie P.T. Optimal geometric app-. ' of the peit- • on caupled Hartx-r:, .. properties. I, Dipole Polarizabiliex. Chem.. '9, v. 3, No.11 p.1520−1525.
  109. М., Кунь X. Динамическая теория кристаллических решеток. М.: Изд-во иностр.лит., 1958, -486 с.
  110. Л.Д., Лифшиц Е. М. Квантовая механика. Нерелятивистская теория. М.: Наука, 1974, -752 с.
  111. Cowley R. A", Cochran W*, Brockhouse B.N., Woods A.D.B. Lattice dynamics of alkali halides crystals. III. Theoretical. Phys.Rev., 1963, v.131, No.3, p.1030−1039.
  112. Cochran W. Theory of the lattice vibrations of germanium. -Proc.Roy.Soc., 1959, v. A253, No.1273, p.260−276.
  113. Lax M. Quadrupole interactions and the vibrations spectra of diamond type crystals. Phys.Rev.Lett., 1958, v. l, No.4, p.133−134.
  114. Claro P. Local fields in ionic crystals. Phys.Rev.B., 1982, v.25, No.4, p.2483−2489.
  115. O.H. Квадрупольные взаимодействия в динамике решетки кристаллов. Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат.наукДонецк, 1977 17 с.
  116. Mackrodt W.C., Stewart R.F. Defect properties of ionic solids i II. Point defect energies based on modified electron -gas potential. J.Phys.C., 1979, v.12, No.3, p.431−449.
  117. Gordon R.G., Kim Y.S. Theory of the forces between closed -shell atoms and molecules. J.Chem.Phys., 1972, v.56, No.6, p.3122−3133.
  118. Kim Y.S., Gordon R.G. Ion-ion interaction potentials and their applications to the theory of alkali halide and alkaline earth dihalide molecules. J.Chem.Phys., 1974, v.60, No.11, p.4332−4344.
  119. Murti Y.V.G.S., Selvarajan T.V. An extended interionic potential for alkali halides. phys.stat.sol.(Ъ), 1981, v.108, No.1, p.315−322.
  120. Catlow С.R.A, Diller K.M., Norgett M.I. Interionic potentials for alkali halides. J.Phya.C, 1977, v. 10, No. p.1395−1412.
  121. G-arg V.K., Puri D.S., Verma M.P. On the third-order elastic constants of ionic solids with NaCI structure. phys.stat. sol.(Ъ), 1977, v.80, No. l, p.63−72.
  122. Basu A.N., Sengupta S. A deformable shell model for the alkali halides. phys.stat.sol.(Ъ), 1968, v.29, No. l, p.367--375.
  123. Lundgvist S.Q. On the lattice vibrations in cubic ionic crystals. Ack.Pys.(Sweden), 1957, v.12, No.3, p.263−275.
  124. Verma M.P., Singh R.K. The contribution of three-hody overlap forces to the dynamical metrix of alkali halides. -phys.stat.sol., 1969, v.33, No.2, p.769−778.
  125. Kanzaki H. Lattice dynamics of charged defect in crystals -J.Phys.Chem.Solids, 1957, v.2, No. l, p.24−36.
  126. Ong C.K. Lattice static calculation of P-centre absorption energy in calsium ftalides. J.Phys.С, 1982, v.15, No.3, p.427−433.
  127. А. Дефекты и колебательный спектр кристаллов. -М.: Мир, 1968, -432 с.
  128. Kellermann E.W. Lattice dynamics of alkali halide crystals in the rigid ion model Phil.Trans.Roy.Soc.(London), 1940, v. A238, No.3, p.513−520.
  129. Augst Q. R, Distorsion of ionic crystals by vacancies. phys. atat.sol.(b), 1977, v.83, No. l, p.55−61.
  130. Augst Q.R., Bakhshetsyan L.G. Substitutional and interstitial hydrogen impurities in alkali halide crystals. — phys. stat.sol.(b), 1981, v.107, No.2, p.497−501.
  131. Augst G.R., Bakhshetsyan L.G. Calculation of the heat of solution in alkali halide crystals by the lattice static method. phys.stat.sol.(b), 1981, v.104, No. l, p. K85-K88.
  132. Hardy J.R. Lattice vibrational spectrum of sodium chloride. -Phil .Mag., 1959″, v.4, No.47, p.1278−1281.
  133. Hardy J.R. Effective ionic charge in delation to lattice vibrations. Phil.Mag., 1961, v.6, No.61, p.27−35.
  134. Hardy J.R. Lattice dynamics of alkali halide crystals in relation to specific heat data. Phil.Mag., 1962, v.7, No.74, p.315−336.
  135. Dick B.G., Overhauser A.W. Theory of dielectric constants of alkali halide orystals. Phys.Rev., 1958, v.112, No. l, p.90−103.
  136. Woods A.D.B., Cochran W., Brockhouse B.N. Lattice dynamics of alkali halide crystals. Phys.Rev., I960, v.119, No.3, p.980−999.
  137. Dolling G., Cowley R.A., Schittenhelm C., Thorson I.M. Normal vibrations of potassium iodide. Phys.Rev., 1966, v.147, N0.2, p.577−582.
  138. Sangster M.J.L., SchrSder. U., Atwood R.M. Interionic potentials for alkali halides: I. Crystal independent shell parameters and fitted Born-Mayer potentials. J.Phys.C,, 1978, v. ll, N0.8, p.1523−1540.
  139. Ntisslein V., SchrSder U. Calculations of dispersion curves and specific heat for LiF and NaCl using the breathing shell model. phys.stat.sol.(b), 1967, v.21, No. l, p.309−314.
  140. Dochy F. Lattice dynamics of alkali halides using the breathing shell model. phys.stat.sol.(a), 1980, v.59, No.2, p.531−542.146″ Basu A. N", Sengupta S. Lattice dynamics of alkali halides. Phys.Rev.B, 1973, vol.8, No.6, p.2982−2990.
  141. Демиденко 3.A., Толпыго К. Б. Нормальные колебания щелочно-галоидных кристаллов с ионами, существенно отличающимися по размерам. ФТТ, 1961, т. З, в. IX, с.3435−3444.
  142. О.Н. О дисперсии фононов в WaCI и КСГ. ФТТ, 1976, т.18, в.8, с.2426−2428.
  143. О.Н. Дисперсия фононов в /УаВг и KI. ФТТ, 1977, т.19, в.6, с.1861−1863.
  144. К.Б., Штаерман Э. Я. Волновая функция F-центра в Л/aGI из первых принципов. ФТТ, 1980, т.22, в.8, с.2383−2387.
  145. З.Я., Толпыго К. Б. Оптическое поглощение F -центрами в кристалле Л/aCI. ФТТ, 1968, т.10, в.4, с.1193−1197.
  146. Rewell D.K., Sangstex M.J.L. Calculations of intrinsic defect energies it the alkali halides. J.Phys.C, 1981, v.14, No.21, p.2909−2921.
  147. P.А. Электронная энергия для молекулярных систем с открытыми оболочками в ограниченном методе Хартри-Фока. -ТЭХ, 1982, т.18, № 5, с.515−520.
  148. Taylor P.R. A rapidly convergent CI expansion based an several referee configurations, using optimized correlating orbitals. J.Chem.Phys., 1981, v.74, No.2, p.1256−1270.
  149. Golebiewski A., Nawak-Broclawik E. On the MC SCF theory of closed-shell systems. X. Physical model and generalized
  150. Brilloin theorem. Mol.Phys., 1973, v.26, No.4, p.389−995.
  151. Синаноглу 0. Многоэлектронная теория атомов, молекул и их взаимодействий. М.: Мир, 1966, -152 с.
  152. Мальрё Ж.-П. Метод учета по теории возмущений конфигурационного взаимодействия локализованных орбиталей (ВКВЛО).
  153. В кн.: Полуэмпирические методы расчета электронной структуры. т.1, М.: Мир, 1980, с.94−133.
  154. .И., Эфрос А. А. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979, -416 с.
  155. Duggan G., Morgan G.J., Shantahmaseri N., Lettington A. The effective screening function in insulating solids. -phys.stat.sol.(b), 1977, v.83, No.2, p.543−553.
  156. Pry J.b. Dielectric function of a model insulator. Phys. Rev., 1969, v.179, No.3, p.892−905.
  157. Oliveira L.E. Local field effects and a model dielectric response matrix ?^((q) for a covalent semiconductor. -phys.stat.sol.(b), 1981, v.107, No. l, p.255−265.
  158. Haken H., Schottky W. Die behandlung des exzitons nach der. vielelektronentheorie. Z.phys.Chem.(Frankfurt), 1958, v.16, No.3−6, p.218−244.
  159. А.А., Горьков А. П., Дзялошинский И. Е. Методы квантовой теории поля в статистической физике. М.: Госуд. изд-во физ.-мат.лит., 1962, -443с.
  160. Brinkman W., Goodman B. Crystal potential and correlation for energy bands in valence semiconductors. Phys.Rev., 1966, v, 149, No.2, p.597−613.
  161. Дж. Метод X* . В кн.: Полуэмпирические методы расчета электронной структуры, т.1. — М.: Мир, I960, с.139−171.
  162. Дж. Методы самосогласованного поля для молекул и твердых тел. М: Мир, I9S8, -662 с.
  163. Hohenberg P., Kohn W. In homogeneous electron gas. Phys. Rev., 1964, v.136, No.3B, p.864−871.174″ Kohn V/., Sham L.J. Self-consistent equations including exchange and correlation effects. Phys.Rev., 1965, v.140, No.4A, p.1133−1138.
  164. Perdew J.P., Levy M. Physical content of the exact Kohn -Sham orbital energies: band gap and derivative discontinuities. Phys.Rev.Lett., 1983, v.51, No.20, p.1884−1887.
  165. Zein N.E. Non-local approximation for the exchange paftof the density functional. J.Phys.С, 1984, v.17, No.12, p.2107−2120.
  166. Wang S., Arora H.L., Matsuura M. Effect of electronic polarization on states of lacalized electrons in insulators. -Phys.Rev.B-, 1971, v.4, No, 10, p.3685−3693.
  167. Inoue M., Mathutte O.K., Wang S. Electronic polarons in alkali halides. Phys.Rev.B, 1970, v.2, No.2, p.539−547.
  168. P. Теория экситонов. M.: Мир, 1966, -219 с.
  169. X. Квантовополевая теория твердого тела. М.: Наука, 1980, -341 с.
  170. Hermanson J. Simple model of electronic correlation in insulators. Phys.Rev.B, 1972, v.6, No.6, p.2427−2432.
  171. Leasure S.C., Martin T.P., Balint-Kurti G.G. АЪ initio valence-electron-only molecular electronic structure calculations: Theory and test applications. J.Chem.Phys., 1984, v.80, No.3, p.1186−1200.
  172. Lyko s P.G., Parr R.G. On the pi—electron approximation and its possible refinements. J.Chem.Phys., 1956, v.24, No.6, p.1166−1173.
  173. К. Теоретические основы полуэмпирических теорий.
  174. В кн.: Полуэмпирические методы расчета электронной структуры. T.I. М.: Мир, 1980, с.256−323.
  175. Дж. Метод двухатомных фрагментов в молекуле. В кн.: Полуэмпирические методы расчета электронной структуры, т.1,-М.: Мир, 1980, с.221−255.
  176. Roothaan C.C.J. Self-consistent field theory for open shells of electronic systems. Revs.mod. Phys., I960, v.32, No.2, p.179−185.
  177. И.М. 0 вырожденных регулярных возмущениях. I. Дискретный спектр. ЖЭТФ, 1947, т.17, в. II, с.1017−1025.
  178. И.М. О вырожденных регулярных возмущениях. П. Квазинепрерывный и непрерывный спектры. ЕЭТФ, 1947, т.17, в.12, С. 1076−1089.
  179. Koster G.F., Slater J.C. Wave functions for impurity levels. Phys.Rev., 1954, v.95, No.5, p.1167−1176.
  180. Г. Локальные одноэлектронные состояния в модели сильной связи. Изв. АН ЭССР, сер.физ. и мат. наук, 1975, т.24, № I, с.92−106.
  181. З.М., Махмудов А. Ш., Юнусов М. С. Новый подход в рамках метода функций Грина для исследования локализованных состояний дефектов в кристаллах. Ташкент, 1984, т 17 с. (Препринт/Ин-т яд. физики АН УзССР: P-9-I40).
  182. С. Метод функций Грина для расчета, примесных состояний в неортогональном базисе. Изв. АН ЭССР, сер.физ. и мат. наук, 1978, т.27, № 3- с.376−378.
  183. Reifman S.P., Shtilichenko. The calculation of the electronic structure of a vacancy by the Grreeiis function theory, -phys.stat.sol.(b), 1979, v.96, No.2, p.537−544.
  184. Baraff G, A, Schliiter M. New self-consistent approach to the electronic structure of localized defects in solids, -Phys.Rev.B, 1979, v.19, No.10, p.4965−4979.
  185. Baraff G. A,. Schlffter M. Simpler expression for evaluating the density matrix in the self-consistent &reen's-function method. Phys.Rev.B, 1979, v.20, No.10, p.4363−4364.
  186. Bernholc J., Lipari N.O., Pantelides S.T. Self-consistent method for point defects in semiconductors: Application to the vacancy in silicon. Phys.Rev.Lett, 1978, v.41, No.13, p.895−899i
  187. Gunnarsson 0., Hjelmberg H. Hydrogen chemisorption by the spin-density functional formalism. I. Phys. Scripta, 1975, v. ll, No. l, p.97−103.
  188. Williams A.R., Peibelman P.J., Lang N.D. Green’s-function methods for electronic-structure calculations. Phys.Rev. В, 1982, v.26, No.10, p.5433−5444.
  189. Grimbey T.B., Pisani C. Chemisorption theory in the Hartree -Pock approximation. J.Phys.С, 1974, v.7, No. 22, p.2831−2848.
  190. Grimby T.B., Mola E.E. The convergence of some cluster models of hydrogen chemisorption. J.Phys.C, 1976, v.9, No. 30, p.3437−3443.
  191. Pisani C., Dovesi R., Ugliengo P. Comparison bf differenttapproaches to the study of local defects in crystals. I. Theoretical considerations and computational schemes. -phys.stat.sol.(Ъ), 1983, v.116, No. l, p.249−259.
  192. Pisani C., Dovesi R., Ugliengo P. Comparison of different approaches to the study of local defects in crystals. II. Substitutional impurities in the tight-binding approhima-tion. phys.stat.sol.(b), 1983, v.116, No.2, p.547−556.
  193. H.A., Тапилин B.M., Вайнберг В. Г. О самосогласованном расчете электронной структуры поверхности твердого тела. ЖСХ, 1981, т.22, № 2, с.30−37.
  194. Lindefelt U., Zunger A. Quasi bands in Green’s-function defect models. Phys.Rev.B., 1981, v.24, No.10, p.5913--5931.
  195. Colbouxn E.A., Kendxick J• АЪ initio clustex calculations fox defects in the solid state. Lect. Notes Phys., 19S2, v.166, p.67−81.
  196. Gouxaxy B.S., Adxian P.J. Appxoximate wave functions fox the P-centex, and theix application to the election spin xesonance pxoblem. Phys.Rev., 1957, v.105, No.4, p.1180−1192.
  197. Opik U., Y/ood R.F. Point defects in ionic cxystals. I. Methods of calculating the electxonic stxuctuxe. Phys.Rev., 1969, v.179, No.3, p.772−782.
  198. Wood R.F., Opik U. Point defects in ionic cxystals. II. The P centex in KC1, КВх, КГ and NaCl. Phys.Rev., 1969, v.179, No.3, p.783−796.
  199. Gilbext R.L., Maxkham J.J. A self-consistent P-centex calculations fox the optical absoxption and emission.-J.Phys. Chem. Solids, 1969, v.30, No. 15, p.2699−2718.
  200. Maxin J.L., Claxk A., Rodxiguez R., Aceves R. An altexnati-ve semicontinuum model fox the P-centex in alkali halides. -J.Chem.Phys., 1982, v.76, No.6, p.3107−3110.
  201. Hexman Z. S, Baxnett G. The electxonic stxuctuxe of F-cent-xes in alkali halides cxystals. Revista Bxas. Msica, 1982, v.12, No. l, p.73−91.
  202. Powlex W.B. Relaxation of the excited P centex. Phys.Rev., 1964, v.135, No.6A, p.1725−1732.
  203. Р.А. Теоретическое рассмотрение М-центра в ще-лочногалоидных кристаллах. I. Обоснование модели и построение приближенной волновой функции. Вестник ЛГУ, сер.физ. и химии, 1963, № 22, с.39−44.
  204. Sundquist J.J., Lin C.C. Electronic structure of the F-centre in a sodium fluoride crystal. J.Phys.C, 1981, v.14, i1. No.26, p.4797−4805.
  205. Guimaraes P. S. Deep impurities: a crystalline cluster approach. J.Phys.С, 1984, v.17, No. \, p.1685−1693.
  206. В.А., Толпыго К. Б. Рассмотрение локальных центров валентных кристаллов как задачи многих электронов. ФТТ, 1977, т.19, в.10, с.2031−2039.
  207. Larkins F.P. Point defect calculations in diamond-type crystals by the extended Htickel theory. J.Phys.C-, 1971, v.4, p.3965−3082.
  208. Messmer R.P., Watkins G.D. LCAO-MO treatment of the deep defect levels in a semiconductor: nitrogen in diamond. Phys. Rev.Lett., 1970, v.25, No.10, p.656−659.
  209. Messmer R.P., Watkins G. D,. MO treatment for deep levels in semiconductors: substitutional nitrogen and the lattice vacancy in diamond. Phys.Rev.B, 1973, v.7, No.6, p.2568--2590.
  210. И.Б. Электронное строение и свойства координационных соединений. JI.: Химия, 1976,-350 с.
  211. А.О. Модель орбитально-стехиометрического псевдомолекулярного кластера в теории электронной структуры совершенных и дефектных кристаллов и локальных центров на их поверхности. I. Качественная теория. ЖСХ, 1982, т.23,4, с.40−47.
  212. Novak P. Self-consistently embedded ion.- a new approach to the electronic structure calculation. phys.stat.sol.(b), 1981, v.106, No. l, p. K39-K41.
  213. Brescansin L.M., Perreira L.G. Crystalline cluster model for ionic solids: NaCl. Phys.Rev.B, 1979, v.20, No.8, p.3415--3421.
  214. Guimaraes P. S., Perreira L.G. On the validity of the cluster method for crystals. Rev.Bras.Pis., 1983, t.13, No. l, P.99-HO.
  215. Guimaraes P. S., Pasada N.J. A crystalline cluster model of „the electronic structure of copper chloride. J.Phys.C, 1984, v.17, No. iZ, p.1695−1702.
  216. Lindgren В., Ellis D.E. Hyperfine fields and electronic structure of hydrogen impurities in transition metals. -Phys.Rev.B, 1982, v.2б, Ho.2, p.636−647.
  217. Г. Jl. Применение дискретно-вариационного Хл-методав расчетах электронного строения дефектов в твердом теле. -В сб.: Моделирование на ЭВМ радиационных дефектов в кристаллах. Л.: Изд-во ФТИ, 1983, с.38−54.
  218. Vail J.M., Harker А.Н., Harding J.H., Saul P. Calculations for electronic point defects with selfconsistent lattice polarisation: the P+ centre in MgO. J.Phys.C, 1984, v.17, Ho. 29, p.3401−3414.
  219. Kunz А.В., Klein D.L. Unrestricted Hartree-Fock approach to cluster calculations.il. Interaction of cluster and environment. Phys.Rev.B, 1978, v.17, Ho.12, p.4614−4619.
  220. Oliveira P.M., Maffeo B. Vk center in cesium halides by the MSX^ method. phys.stat.sbl.(b), 1981, v.104, No.2, p.453−458.
  221. Amaral H.C., Maffeo В., Guenzburger D. Self-consistent embedded-cluster calculations of the electronic structure of alkaline earth fluorides in the Hartree-Fock-Slater approximation. phys.stat.sol.(b), 1983, v.117, Ho. l, p.141--153.
  222. Tenhyson J., Murrell д stUdy of the variational convergence of the F centre energy levels of LiP. Mol.Phys., 1981, v.42, No.2, p.297−305.
  223. В.Ю., Тележкин В. А. Определение положения уровней дефектов в кластерных расчетах относительно границ зон.
  224. В сб.: Первая Всесоюзная конференция по квантовой химии твердого тела: Тез.докл. Всесоюзной конф., Ленинград, 1982, с.67−68.
  225. Ermoshkin A.N., Evarestov R.A., Kuchinskii S.A., Zakharov V.K. The quasimolecular approach to the electronic structure calculations for silver and copper halides. phys.stat. sol.(b), 1983, v.118, No. l, p.191−203.
  226. Zupan J. Determination of the atomic-orbital potentials in infinite systems. Phys.Rev.B-, 1974, v.9, No.10, p.4580--4583.
  227. P.А., Соколов A.P. Циклическая модель заряженных дефектов в кристаллах. В сб.: Пятое Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов.: Тез.докл. Всесоюзного совещ., Рига, 1983, с.122−125.
  228. Bandura A.V., Evarestov R.A. Molecular cluster approach to small-radius impurity centres in solids. phys.stat.sol. (b), 1974, v.64, No.2, p.635−642.
  229. К.Б. Цвухцентровые волновые функции в теории валентных кристаллов. ФТТ, 1975, т.17, в.6, с.1769−1779.
  230. В.Г., Толпыго К. Б. Деформация гомеополярного кристалла, вызываемая поглощением в максимуме собственной полосы. ШТП, 1981, т.15, в.10, с.2017−2023.
  231. Evarestov R.A., Kmirnov V.P. Special points of the Brillouin zone and their use in the solid state theory. phys.stat. sol"fb), 1983, v.119, No. l, p.9−40.
  232. К.К. Элементарная теория колебательной структуры спектров•примесных центров кристаллов. М.: Наука, 1968, -232 с. аВ
  233. Newton M.D. The role of^Lnitio calculations in elucidating properties of hydrated and ammoniated electrons“ J.Phys. Chem., 1975, v.79, No.26, p.2795−2808#
  234. Косе’виц A.M. Основы механики кристаллической решетки. М.: Наука, 1972, -280 с.
  235. Дк. Физика фононов. М.: Мир, 1975, -365 с.
  236. Singh R.K., Verma М.Р. Lattice dynamics of sodium halides. Phys.Rev.B, 1970, v.2, No.10, p.4288−4294.259″ Monkhorst H.J., Pack J.D. Special points for Brilloin-zone integration. Phys.Rev.B-, 1976, v.13, No.12, p.5188−5192.
  237. В.Г., Дейген М. Ф. Двойной электронно-ядерный резонанс примесных центров в неметаллических кристаллах. УФН, 1978, т.125, в.4, с.631−663.
  238. Nag el S, Expansion of the СоХояГо potential in crystals. -Phys.Rev.B, 1981, v.24, No.8, p.4240−4252.
  239. Г., Бройер H. Точечные дефекты в металлах. Ввведе-ние в теорию. М.: Мир, 1981, -440 с.
  240. М.И., Трифонов Е. Д. Применение теории групп в квантовой механике. М.:Наука, 1967,-308 с.
  241. A.M. Таблицы функций, преобразующихся по неприводимым представлениям кристаллографических точечных групп. М.: Наука, 1968, -140 с.
  242. А.С. Квантовая механика. М.: Наука, 1973, -703 с.
  243. Roothaan C.C.J. A study of two-center integrals useful in calculations on molecular structure. I. J.Chem.Phys., 1951, v.19, No.12, p.1445−1458.
  244. А.Ф., Уваров В. Б. Специальные функции математической физики. М.: Наука, 1978, -319 с.
  245. Lagendijk Ad., Schoemaker D. Forced gage invariance of the spin hamil^onian for homofiaclear diatomic canters. Phys. Rev.B., 1975, v.11, ITo.10, p.4030−4o32.
  246. E.A., Тайиров M.M. Низкотемпературный распад эк-ситонов на френкелевские дефекты и их туннельная перезарядка в КС?, КС1-Вг и KCZ-X Труды ин-та физ.АН ЭССР, 1982, т.53. с.172−191.
  247. Kotomin Е.А., Doctorov A.B. Theory of tunneling recombination of defects simulated by the motion. phys.stat.sol. (b), 1982, v.114, No. l, p.9−34.
  248. E.A., Непомнящих А. И. Температурная зависимость рентгенолюминесценции в LiF . Оптика и спектроскопия, 1980, т.48, в.1, с.184−188.
  249. В.Я. Излучательная туннельная рекомбинация вскристаллах KCI, КВг.: Автореф.дис. на соиск. учен.степ.канд.физ.-мат.наук. Рига, 1979, -16 с.
  250. Halliburton L.E., Cowan D.L., Blacke W.B.J., Wertz J.E.
  251. Mg25 hyperfine confirmation of the localized-ground-state model of the V’centre in MgO. Phys.Rev.B, 1973, v.8, No.4,чp.1610−1616.
  252. Izon E.K., Mazo R.M., Kemp J.C. EPR and MCD double resonance of the V» centre in MgO. J.Phys.Chem.Solids, 1973, v.34, No.8, p.1431−1440.
  253. Shirmer О.P., Koidi P., Reik G.H. Bound small polaron optical absorption in V-type centres in MgO. Phys.stat.sol, (b), 1974, v.62, Ho.2, p.385−391.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!