Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Взаимодействие акцепторов III группы с собственными точечными дефектами в кремнии

Диссертация: Взаимодействие акцепторов III группы с собственными точечными дефектами в кремнии
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Апробация результатов. Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на научных семинарах лаборатории Неравновесных процессов в полупроводниках Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе АН СССР, на УШ, X, XI Всесоюзных семинарах по «Радиационной физике полупроводников» (г.Киев, 1982 и 1984 гг., г. Новосибирск, 1984 г.), Всесоюзном семинаре по «Радиационной физике… Читать ещё >

Взаимодействие акцепторов III группы с собственными точечными дефектами в кремнии (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА I. ОБРАЗОВАНИЕ И СВОЙСТВА РАДИАЦИОННЫХ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ
    • I. Образование точечных дефектов структуры под действием быстрых электронов и гамма-лучей посредством механизма упругого смещения
    • 2. Собственные точечные дефекты структуры в кремнии а) Близкая пара. б) Собственный межузельный атом. в) Вакансия г) Ассоциации собственных дефектов
    • 3. Миграция собственных радиационных дефектов

    § 4. Взаимодействие собственных точечных дефектов с примесями. Основные типы комплексов в кремнии а) Комплекс вакансия-примесь Ш группы. б) Комплекс вакансия-примесь 1У группы в) Комплекс вакансия-примесь У группы. г) Примесные межузельные атомы и комплексы с их участием

Точечные дефекты кристаллической решетки, в том числе и принеси, постоянно привлекают большое внимание специалистов, занимающихся научными и прикладными аспектами физики полупроводников, так как наличие тех или иных дефектов структуры опре деляет наиболее важные параметры полупроводниковых материалов. Роль простейших собственных дефектов структуры (вакансии и меж уэельные атомы) особенно велика, потому что такие дефекты активно взаимодействуют с примесями, образуя самые различные комплексы и изменяя электрическую активность примесей. Комплексы, включающие атомы примесей и обладающие большой термической устойчивостью, часто существенно изменяют параметры полупроводниковых приборов, находящихся в полях повышенной радиации. Поэтому широкое применение полупроводниковых приборов в науке и технике, в частности, в ядерной и космической области, стимулирует интенсивное изучение дефектоввозникающих в полупроводниках под действием ядерных излучений,.

Наибольшее внимание в радиационных исследованиях уделяется кремнию, составляющему основу современной полупроводниковой электроники. Дефекты в кремнии ртипа изучены в настоящее время значительно хуже, чем в кремнии Лтипа, что не позволяет предложить оптимальный примесный состав для повышения радиационной стойкости приборов на основе такого материала. Поэтому сравнительное исследование процессов дефектообразования в кремнии, легированном различными акцепторными примесями Ш группы, при разных температурах облучения представляется весьма актуальным.

Диссертационная работа состоит из четырех глав, введения и заключения.

В первой главе дается обзор, имеющихся в литературе данных о механизме образования простейших собственных дефектов в кремнии под действием гамма-лучей и быстрых электронов с энергией ~ I МэВ. Обсуждаются также литературные данные о пространственной конфигурации и энергетических спектрах собственных точечных дефектов в кремнии, рассматриваются процессы их мигра ции и взаимодействия с примесными атомами.

Во второй главе обсуждаются методические вопросы. Описана техника гамма-облучения для различных температурных областей, а также экспериментальные методы определения концентрации и подвижности носителей заряда в широком температурном интервале 20−300 К. Здесь же рассматривается метод раздельного определения концентрации доноров и акцепторов и описывается метод расчета температурной зависимости подвижности носителей заряда.

В третьей главе изложены оригинальные экспериментальные результаты, полученные при исследовании процессов дефектообра-зования в кремнии р — типа.

Четвертая глава посвящена обсуждению полученных в настоящей работе экспериментальных результатов.

В заключении суммируются наиболее важные выводы, которые могут быть сделаны на основании проведенных исследований.

Результаты настоящей работы, в основном, заключаются в следующем:

I. Впервые осуществлено гамма-облучение кремния ртипа при температуре жидкого гелия и проведено исследование электрических характеристик образующихся точечных дефектов.

Анализ процессов дефектообразования показал, что модельные представления о характере взаимодействия точечных дефектов, развитые Уоткинсом для кремния ртипа с относительно высокой концентрацией цримеси применимы в общих чертах и к чистому материалу,.

2. Выявлены дефекты, которые по своим электрическим свойствам могут быть идентифицированы как изолированные вакансии в кремнии ртипа. Оценены основные энергетические характеристики вакансии, являющейся центром с отрицательной корреляционной энергией в таком материале.

3. Впервые проведено сравнительное исследование процессов дефектообразования, протекающих под действием гамма-лучей в кремнии с примесью бора, галлия и индия при 78 К. Экспериментально показано, что процессы образования дефектов при температуре жидкого гелия и жидкого азота различаются качественно.

4. Показано, что эффективность взаимодействия различных акцепторных примесей Ш группы с собственными точечными дефектами в кремнии различна.

5. Выявлен общий характер квазихимических реакций точечных дефектов в кремнии ртипа при различных температурах облучения (6,5 К, 78 К, 300 К) и проведено сравнительное изучение сечения образования вторичных дефектов в кремнии с различными примесями Ш группы при разных температурах.

Основные результаты, полученные при выполнении диссертационной работы, сводятся к следующему:

1. Впервые осуществлено гамм-облучение кремния ртипа при температуре жидкого гелия и проведено исследование электрических характеристик образующихся точечных дефектов. Эксперимен тально установлено, что в процессе такого низкотемпературного облучения уменьшается концентрация мелких акцепторных состояний примеси бора. Анализ процессов дефектообразования показал, что модельные представления о характере взаимодействия точечных дефектов, развитые Уоткинсом для легированного кремния ртипа, применимы в общих чертах и к чистому материалу с остаточной при.

13 3 месью бора (в концентрации >5.10 см). Это позволило оценить длину пробега собственных межузельных атомов в таком матео риале в условиях облучения не менее, чем ^ 1000 А.

2. Выявлены дефекты, которые по своим электрическим свойствам могут быть идентифицированы как изолированные вакансии в кремнии ртипа. Оценены основные энергетические характеристики вакансии, являющейся центром с отрицательной корреляционной энергией в таком материале (уровни заполнения вакансий, корреляционная энергия, энергия кулоновского отталкивания двух электронов в одном состоянии, величины ян-теллеровского расщепления уровней вакансии).

3. Показано, что изолированные вакансии в кремнии ртипа подвержены радиационно-стимулированной миграции в неравновесных условиях гамма-облучения даже при температуре жидкого гелия.

4. Впервые проведено сравнительное исследование процессов дефектообразования, протекающих под действием гамма-лучей в кремнии с примесью бора, галлия и индия при 78 К. Экспериментально показано, что процессы образования дефектов при температуре жидкого гелия и жидкого азота различаются качественно. В частности, установлено, что процесс образования изолированных вакансий сильно подавлен при 78 К.

5. Выявлена различная эффективность взаимодействия акцепторных примесей Ш группы с собственными точечными дефектами в кремнии. Экспериментально показано, что самой эффективной ловушкой для собственных дефектов при всех температурах облучения (от температуры жидкого гелия до комнатной температуры) является примесь бора.

6. Выявлен общий характер квазихимических реакций точечных дефектов в кремнии ртипа при различных температурах облучения (6,5 К, 78 К и 300 К) и проведено сравнительное изучение сечения образования вторичных дефектов в кремнии с различными примесями.

Ш группы.

7. Впервые экспериментально показано, какое сильное влияние оказывает уровень возбуждения (высокий или низкий) во время гамма-облучения на процесс дефектобразования в кремнии ртипа.

— 152 -БЛАГОДАРНОСТИ.

Автор считает своим приятным долгом выразить искреннюю благодарность своему научному руководителю — доктору физико-математических наук Т. В. Машовец за предложенную тему исследований и ту постоянную поддержку, которая сделала возможной эту работу, а также многократные обсуждения результатов работы.

Автор глубоко признателен кандидату физико-математических наук В. В. Емцеву за неоценимую помощь, многие ценные советы, постоянный интерес и внимание на всех этапах выполнения работы.

Автор считает своим долгом поблагодарить доктора физико-математических наук М. И. Клингера и кандидата физико-математических наук Н. А. Витовского за постоянную доброжелательность цри обсуждении результатов работы.

Автор также выражает искреннюю благодарность всем сотрудникам лаборатории неравновесных процессов в полупроводниках ФТИ им. А. Ф. Иоффе и в особенности Ю. Н. Далуде, А. Г. Абдусаттарову, А. В. Дабагяну, Е. Д. Васильевой, Д. С. Полоскину, О. Рахимову за помощь и дружескую атмосферу, которая окружала его при выполнении диссертационной работы.

Апробация результатов. Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на научных семинарах лаборатории Неравновесных процессов в полупроводниках Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе АН СССР, на УШ, X, XI Всесоюзных семинарах по «Радиационной физике полупроводников» (г.Киев, 1982 и 1984 гг., г. Новосибирск, 1984 г.), Всесоюзном семинаре по «Радиационной физике твердого тела» (г.Фергана, 1982 г.), на заседаниях кафедры физики плазмы Ленинградского политехнического института им. М. И. Калинина и опубликованы в следующих работах:

1. В. В. Емцев, М. А. Маргарян, Т. В. Машовец «Об энергетическом спектре вакансии в кремнии». — ФТП, 1982 г., т.16, вып.2, с.350−352.

2. В. В. Емцев, М. А. Маргарян, Т. В. Машовец. — «Образование точеч-' ных дефектов в чистом рЫ под действием гамма-лучей при 6,5 К» — ФТП, 1984, т.18,вып.8, с.1505−1508.

3. В. В. Емцев, М. А. Маргарян, Т. В. Машовец «Определение энергетических характеристик вакансии в кремнии как центра с отрицательной корреляционной энергией». — ФТП, 1984, т.18, вып. 8, с.1516−1519.

4. В. В. Емцев, М. А. Маргарян «Точечные дефекты, возникающие в кремнии с примесью бора, галлия и индия при низкотемпературном гамма-облучении». — Письма в ЖГФ, 1984, т. Ю, вып. 17, с.1063−1065.

5. В. В. Емцев, М. А. Маргарян, Т. В. Машовец «Различие процессов образования дефектов под действием гамма-лучей в р-кремнии при 6,5 К и 78 К». — ФТП, 1985, т.19, вып.2, с.296−299.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Davisson С.М., Evans R.D. Gamma-ray absorption coefficients.-Rev.Mod.Phys., 1952, v.24, И.2, p.79−107.
  2. Seitz F. On the disordering of solids by the action of fast particles. Disc.Farad.Soc., 1949, v.5, p.271−282.
  3. H.A., Мустафакулов Д., Чекмарева А. П. О величине пороговой энергии смещения атомов в полупроводниках. ФТП, 1977, т. II, вып.9, с.1744−1753.
  4. Grimshaw J. A. Electron damage orientation effects in silicon solar cells. Phys.Letts., 1966, v.22, U.4, p.372−374.
  5. Novak R.L. Temperature and energy dependence of the introduction and annealing rates of electron-induced defects in n- and p-type Si. Bull.Am.Phys.Soc., 1963, v.8, N.3, p.235.
  6. Callcott T.A., Mac Kay J.W. Irradiation damage in n-type germanium at 4,2 K. Phys.Rev., 1967, v.161, N.3,p.693−710.
  7. Seitz F. On the disordering of solids by the action of fast particles. Disc.Farad.Soc., 1949, v.5, p.271−282.
  8. Ishino S., Mitchell E.W.J. Low temperature electron irradiation of n-type germanium.- In: Lattice Defects in Semiconductors. Tokyo: University of Tokyo Press, 1968, p.185−198.
  9. Sonder E., Templeton L.C. Gamma irradiation of n-type silicon. Bull.Am.Phys.Soc., 1958, v.3, p.375−376.
  10. H.A., Машовец T.B., Рывкин С. М. Об энергетическом спектре Jf -радиационного дефекта в кремнии. ФТТД962, т.4, вып.10, с.2845−2848.
  11. В.В., Клингер М. И., Машовец Т. В., Назарян Е.Х.,
  12. С.М. Проявления примесного ионизационного механизма образования дефектов при «надпороговом"облучении германия и кремния. ФТП, 1979, т.13, вып.5, с.933−937.
  13. Н.А., Коноваленко Б. М., Машовец Т. В., Рывкин С. М., Ярошецкий И. Д. 0 дефектах в германии, созданных-лучами. ФТТ, 1963, т.5, вып.7, с.1833−1841.
  14. Wertheim G.K. Temperature dependent defect production in bombardment of semiconductors. Phys.Rev., 1959, v.115, N.3, p.568−569.
  15. Mackay J.W., Kloutz Б.Б. Effects of Defect Charge State on Radiation Damage in Semiconductors. In: Radiation Effects in Semiconductors. — H.Y., Plenum Press, 1968, p.175−185.
  16. Физические процессы в облученных полупроводниках /Под ред. Л. С. Смирнова. Новосибирск- Наука, 1977.
  17. Watkins G.D. A microscopic view of radiation damage in semiconductors using EPR as a probe. IEEE Trans., 1969, v. NS-16, H.6, p.13−18.
  18. Watkins G.D. A review of EPR studies in irradiated silicon. In: Effects des Rayonnements sur Ies Semiconduc-teurs. — Paris: Dunod, 1964, p.97−111.
  19. Vook P.L., Stein H.J. Production of defects in n-type silicon. In: Radiation Effects in Semiconductors. -Hew York- Plenum Press, 1968, p.99−113
  20. Stein H.J., Vook F.L. Characteristics of Electron-Induced Defects in n-type Silicon. In: Radiation Effects in Semiconductors- N.Y.- Plenum Press, 1968, p.115−123.
  21. Gregory B.L., Barnes C.E. Defect reordering at low temperatures in gamma-irradiated n-type silicon. In: Radiation Effects in Semiconductors. — N.Y.- Plenum Press, 1968, p.124−135.
  22. B.B., Машовец T.B., Нахарян E.X. „Метастабильные 1щры Френкеля в кремнии“.- ФТП, 1982, т.16, вып.4,с.687−691.
  23. Hagston W.E. Isolated interstitials in silicon. J.Phys. Chem. Solids, 1970, v.31, p.791−797.
  24. Singhal S.P. Isolated interstitials in silicon. Phys. Rev. B, 1971, v.4, N 8, p.2497−2504.
  25. Corbett J.W., Bourgoin J.C., Weigel C. Mechanisms of defect production. In: Radiation Damage and Defects in Semiconductors, 1972. — Conf.Ser.H.16, London and Bristol: The Institute of Physics, 1973, p.1−16.
  26. Watkins G.D., Messer R.P., Weigel C., Peak D.V., Corbett J.W. Properties of the interstitial in the diamond-type lattice. Phys.Rev.Letts., 1971, v.27, N.23, p.1573−1575.
  27. James H.M., Lark-Horovitz K. Localized electronic states in bombarded semiconductors. Z.Phys.Chem. 1951, v.198, p.107−115.
  28. Blount E.I. Energy levels in irradiated germanium. -J.Appl.Phys., 1959, v.30, N.8, p.1218−1221.
  29. Chen Y., Mackay J.W. Subthreshold electron damage in n-type germanium. Phys.Rev., 1968, v.167, N.3, p.745−753.
  30. Weiser K. Theory of diffusion and equilibrium position of interstitial impurities in the diamond lattice. -Phys.Rev., 1962, v.126, N.4, p.1427−1436.
  31. Elstner L., Kamprath W. Quenched-in levels in p-type silicon. Phys.St.Sol., 1967, v.22, H.1, p.541−547.
  32. Swanson M.L. Defects in quenched silicon#-Phys.St.Sol., v.33, H.2, p.721−730.
  33. Leskoschek W., Peichtinger H., Vidrich G. Thermally induced defects in n-type silicon. Phys.St.Sol.(a), v.20, П. 2, p.601−610.
  34. Watkins G.D. An EPR study of the lattice vacancy in silicon. J.Phys.Soc.Jap., Suppl. II, 1963, v.18, p.22−27.
  35. Watkins G.D. The Interaction of Irradiation Produced Defeced Defects with Impurities and Other Defects in Semiconductors. — In: Action des Rayonnements sur les compo-sants a semiconducteurs. — Toulouse: Journees d’Electro-nique, 1967, p. A1-A9.
  36. Watkins G.D. A review of EPR studies in irradiated silicon. In: Effects des Rayonnements sur les Semiconducteurs. — Paris: Dunod, 1964, p.97−111.
  37. Watkins G.D. EPR studies of the lattice vacancy and low-temperature damage processes in silicon. In: Lattice Defects in Semiconductors, 1974. — Conf.Ser. N.23″ London and Bristol: The Institute of Physics, 1975, p.1−22.
  38. C.H. Исследование миграции собственных точечных дефектов в различном зарядовом состоянии в элементарных полупроводниках: Канд.дисс., ПУ. Горький, 1978.
  39. Kimmerling L.C., Blood P., Gibson W.M. Defect states in proton bombarded silicon at T 300 K. In: Defects and Radiation Effects in Semiconductors, 1978. — Conf.Ser. N.46, Bristol and London: The Institute of Physics, 1979, p.273−280.
  40. Baraff G.A., Kane E.O., Schluter M. Simple parametrized model for Jahn-Teller systems: Vacancy in p-type silicon.-Phys.Rev.B, 1980, v.21, N.8, p.3563−3570.
  41. Newton J.L., Chatterjee A.P., Harris R.D., Watkins G.D. Negative- U properties of the lattice vacancy in silicon. -In: Defects in Semiconductors, 1982, Proc. of the 12th Int.Conf., North-Holland Amsterdam, 1983, p.219−223.
  42. Watkins G.D., Chatterjee A.P., Harris R.D. Negative-U for point defects in silicon. In: Defects and Radiation Effects in Semiconductors. — Conf.Ser. N.59, Bristol and London: The Institute of Physics, 1980, p.200−204.
  43. Soma Т., Morita A. Perturbation theory of covalent crystals, III. Calculation of formation and migration energies of a vacancy in Si and Ge. J.Phys.Soc., 1972, v.32, N.2, p.357−364.
  44. B.A., Окулич В. И., Щукин Р. Н., Шурганов В.В.
  45. О модели полуваканский в кремнии. ФН1, 1974, т.8, вып.9, с.1805−1806.
  46. В.А., Окулич В. И., Парамонов А. К. Равновесная конфигурация, энергия и Ьнтропия образования вакансий в германии и кремнии.- ФТП, 1975, т.9, вып.4, с. 819.
  47. Watkins G.D. Defects in irradiated silicon: EPR of the tinvacancy pair. Phys.Rev.B, 1975, v.12, N.10, p.4383−4390.
  48. V/atkins G.D., Corbett J.W. Defects in irradiated silicon: Electron paramagnetic resonance of the divacancy. Phys. Rev., 1965, v.138, N.2A, p. A543~A555.
  49. Tkachev V.D., Lappo M.T. Investigation of divacancies in silicon. Radiat.Eff., 1971, v.9, IT. 1−2, p.81.
  50. Lee Y.H., Corbett J.W. EPR study of defects in neutron-irradiated silicon: quenched-in alignment under <110>uniaxial stress. Phys.Rev.В, 1974, v.9, N.10, p.4351−4361.
  51. Brower K.L. Structure of multiple-vacancy (oxygen) centers in irradiated silicon. Radiat.Eff., 1971, v.8, N.3−4, p.213−219.
  52. C.H., Пантелеев В. А., Нагрных G.H., Черняховский В. В. Энергия миграции собственных точечных дефектов в различном зарядовом состоянии в кремнии и германии. -ФТТ, 1977, т.19, вып.1, с.322−323.
  53. McKeighen R.E., Koehler Y.С. Electron-irradiation effects in silicon at liquid-helium temperatures using ac hopping conductivity. Phys.Rev.B, 1971, v.4, IT.2, p.462−476.
  54. Gwozdz P. S., Koehler J.S. Changes in ac conductivity of silicon with electron-irradiation at 0,5K. Phys.Rev.B, 1972, v.6, П. 12, p.4571−4573*
  55. C.B., Кив A.E., Розенцвиг Г. Л. Об ионизационном механизме активации диффузии излучением. Докл. АН СССР, 1967, т.172, вып.4, с.907−908.
  56. Bourgoin J.C., Corbett J.W. A new mechanism for interstitial migration. Phys.Letts., 1972, v.38A, H.2, p.135−137.
  57. Bourgoin J.C., Corbett J.W. Ionization effects on impurity and defect migration in semiconductors, 1974. -Conf. Ser. U.23, bondon and Bristol: The Institute of Physics, 1975, p.149−163.
  58. М.И. О возможном низкотемпературном механизме гигантского радиационного усиления диффузии в кристаллах.-ФТП, 1977, т. II, вып.9, с.1675−1679.
  59. М.И. О механизме низкотемпературного радиационного дефектообразования типа эффекта Уоткинса в полупроводниках. ФТП, 1978, т.12, вып.12. с.2289−2297.
  60. Ю., Клингер М. И. Роль фпуктуанионного „приготовления“ барьера в квантовой диффузии атомных частиц в кристалле. ЖЭТФ, 1976, т.70, вып. I, с.255−264.
  61. В.В., Машовец Т. В., Тропп Э. А. Кинетика образования дефектов в полупроводниках при последовательном захвате нескольких вакансий атомом примеси. ФТП, 1978, т.12, вып.2, с.293−298.
  62. Watkins G.D. Defects in irradiated silicon: Electron paramagnetic resonance and electron-nuclear-double-resonance of the aluminium-vacancy pair. Phys.Rev., 1967, v.155, N.3, p.802−815.
  63. Watkins G.D. EPR of a trapped vacancy in boron-doped silicon. Phys.Rev.B, 1976, v.13, H.6, p.2511−2517.
  64. Brelot A. Selective trapping of vacancies. In: Radiation Damage and Defects in Semiconductors, Conf.Ser. N•16, London and Bristol: The Institute of Physics, 1973, p.191−201.
  65. Y/atkins G.D., (Jorbett J.W. Defects in irradiated silicon: electron paramagnetic resonance and electron-nuclear double resonance of the Si-E center, Phys.Rev., 1964, v.134, H.5A, p.1359−1377.
  66. Elkin E.L., Watkins G.D. Defects in irradiated silicon: electron paramagnetic resonance and electron-nuclear double resonance of the arsenic- and antimony-vacancy pair. -Phys>Rev., 1968, v.174, N.3, p.881−897.
  67. В.A., Толпыго К. Б. Электронная структура комплекса донор-вакансия в кристаллах типа алмаза. ФТТ, 1973, т.15, вып.4, с.1084−1089.
  68. B.C., Уваров К. Ф., Чукичев М. В. Зависимость скорости введения радиационных дефектов от концентрации фосфора в образцах кремния, облученных реакторными нейтронами. ФТП, 1969, т. З, вып.12, с.1838−1843.
  69. Hirata М#, Hirata М., Saito Н. The interactions of point defects with impurities in silicon. J.Phys.Soc.Jap., 1969, v.27, И.2, p.405−414.
  70. Kimerling L.C., De Angelis H.M., Diebold J.M. On the role of defect charge state in the stability of point defects in silicon. Sol.St.Comm., 1975, v.16, H.1, p.171−174.
  71. Evwaragye A.O. Electron-irradiation damage in antimony-doped silicon. J.Appl.Phys., 1977, v.48, N.2, p.734−738, Annealing of irradiation-induced defects in arsenic-doped silicon. — J.Appl.Phys., 1977, v.48, N.5, p.1840−1843.
  72. Cherki M., Kalma A.H. Studies of defects in irradiated Si: effects of uniaxial stress on the photoconductivity spectra. In: Proc. Third Int.Conf. on Photocinductivity, Stanford, 1969. — Pergamon Press, 1970, p.279−283.
  73. Watkins G.D. Defects in irradiated silicon: EPR and electron-nuclear-double-resonance of interstitial „boron. Phys. Rev. B, 1975, v.12, IT. 12, p.5824−5839.
  74. Watkins G.D., Brower K.L. EPR observation of the isolated interstitial carbon atom in silicon. Phys.Rev.Letts., 1976, v.36, N.22, p.1329−1332,
  75. Troxell J.R., Watkins G.D. interstitial boron in silicon: A negative-U system. Phys.Rev.B, 1980, v.22, N.2, p.921−931.
  76. Brower K.L. EPR of a Jahn-Jeller distored -cin^ carbon interstitialcy in irradiated silicon. Phys.Rev.B, 1974, v.9, N.6, p.2607−2617- Erratum. — Phys.Rev.B, 1978, v.17, N.10, p.4130.
  77. Newman R.C., Bean A.R. Irradiation damage in carbon-doped silicon irradiated at low temperatures by 2 MeV electrons.-In: Radiation Effects in Semiconductors. London, New York, Palis: Gordon and Breach Science Publishers, 1971, p.155−159.
  78. Kimmerling L.C., Defect states in electron-bombarded silicon: capacitance transient analyses. In: Radiation Effects in Semiconductors, 1976. — Conf.Ser. N.31, Bristol and London: The Inst. of Phys., 1977, p.221−230.
  79. Corbett J.W., Watkins G.D., Chrenko E.M., McDonald R.S. Defects in irradiated silicon. II, Infrared absorptionof the Si-A center. Phys.Rev., 1961, v.121, N.4, p.1015
  80. Stein H.J. Defects in silicon: concepts and correlations,-In: Radiation Effects in Semiconductors. London, N.Y., Paris: Gordon and Breach Science Publishers, 1972, p.125−139.
  81. Watkins G.D., Corbett J.W. Defects in irradiated silicon. I. Electron spin resonance of the Si-A center. Phys.Rev., 1961, v.121, N.4, p.1004−1014.
  82. Brelot A. Selective trapping of vacancies. In: Radiation Damage and Defects in Semiconductors. Conf.Ser., N.16, London and Bristol: The Institute of Physics, 1973"p.191−201.
  83. Lee Y.H., Corbett J.W., Brower K.L. EPR of carbon-oxygen divalency complex in irradiated silicon. Phys.St.Sol.(a), 1977, v. 41, N.2, p.637−647.
  84. Almeleh N., Goldstein B. Electron paramagnetic resonance and electrical properties of the dominant paramagnetic defect in electron-irradiated p-type silicon. Phys.Rev., 1966, v.149, N.2, p.687−692.
  85. Carter J.R. Effects of electron energy of defect introduction in silicon. J.Phys.Chem.Sol., 1966, v.27, N.6,p.913−918.
  86. Paige E.G.S. Progress in Semiconductors. London :1. Temple Book Ltd., 1964.
  87. Blatt P.J. Hall and Drift Mobilities- Their Ratio and Temperature Dependence in Semiconductors. Ph.ys.Rev., 1957, v.105, N.5, p.1203−1205.
  88. Beer A.C., Armstrong J.A., Greenberg J.N. Evaluation of Transport Integrals for Mixed Scattering and Application to Galvanomagnetic Effect. Phys.Rev. 1957, v.107, ЬТ. б, p.1506−1513.
  89. Дж. Статистика электронов в полупроводниках. -Москва: Мир, 1964.
  90. Mendelson K.S., Schulz D.R. Effective mass approximation for acceptor states in silicon. Phys.St.Sol., 1969',. v.31, 1J.1, p.59−69.
  91. ЮЗ. Быкова E.M., Гончаров Л. А., Лифшиц T.M., Сидоров В. И., Холл Р. Н. Германий высокой чистоты. I. Остаточные электрические активные примеси. ФТП, 1975, вып.10, с.1853−1860.
  92. Suzuki К., Okazaki М., Hasegawa Н. Effective mass theoretical approach to optical and microwave phenomena in semiconductors. I. Zeeman effect of acceptors in Si and Ge.
  93. J.Phys.Soc.Japan, 1964, v.19, N.6, p.930−944.
  94. Mendelson K.S., James H.M. Wave functions and energies of shallow acceptor states in germanium. J.Phys.Chem.Soc., 1964, v.25, N.7, p.729−739.
  95. Onton A., Fisher P., Ramdas A.K. Spectroscopy investigation of group III acceptor states in silicon. Phys.Rev., 1967, v.163, N.3, p.686−703.
  96. Kogan Sh., Lifshitz T.M. Photoelectric spectroscopy a new method of analysis of impurities in semiconductors.
  97. Phys.St.Sol.(a), 1977, v.39, N.1, p.11−39.
  98. Fisher P., Fan H.Y. Optical and magneto-optical absorption effects of group III impurities in germanium. Phys. Rev.Letts., 1959, v.2, N.11, p.456−458.
  99. Hensel J.C., Feher G. Cyclotron Resonance Experiments in Uniaxially Stressed Silicon: Valence Band Inverse Mass Parameters and DeformationPotentials. 1963, v.129, N.3, p.1041-Ю62.
  100. Balslev I., Lawaetz P. On the interpretation of the observed hole mass shift with uniaxial stress in silicon.-Phys.Letters, 1965, v.19, K.1, p.6.
  101. Barber H.D. Effective mass and intrinsic concentration in silicon. Solid-State Electronics, 1967, v.10, H.11,p.1039−1051.
  102. К. Физика полупроводников. Изд."Мир“, Москва, 1977, с. 615.
  103. Asche М., Borzeszkowski J. On the Temperature Dependence of Hole Mobility in Silicon. Phys.Stat.Sol.1970, v.37, Ж.1, p.433−439.
  104. Elstner L. Die Temperaturabhangigkeit der Defektelektronen-beweglichkeit in siliziumkristallen. Phys.Stat.Sol., 1966, v.17, И.1, p.139−150.
  105. Л.И., Ясковец И. И. Статистика носителей тока в p-Si с вакансиями. ФТП, 1984, т., вып., о.
  106. В.В., Машовец Т. В., Назарян Е. Х. Точечные радиационные дефекты в кремнии, легированном бором. ФТП, 1981, т.15, вып.5, C. I0I8-I02I.
  107. Pantelides S.T., Ivanov I., Schaffler M., Vigneron J.P.
  108. Multivacancies, interstitials and self-interstitial migration in silicon. In: Defects in Semiconductors, 1982, Proc. of the 12th Int.Conf., north-Holland Amsterdam., 1983, p.18−27.
  109. Sprenger M., Muller S.H., Ammerlaan C.A.J. The negatively charged vacancy in silicon: hyperfine interactions from endor measurements. In: Defects in Semiconductors, 1982, Proc. of the 12th Int.Conf., North-Holland Amsterdam, 1983, p.224−229.
  110. C.M. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. Физматгиз, Москва, 1963, с. 494.
  111. А.Н. Теория дефектов в твердых телах, том 2, изд."Мир», М., 1976, с.306−339.
  112. В.В., Машовец Т. В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. Москва: Радио и Связь, 1981, с. 248.
  113. Н.А., Максимов Н., Машовец Т. В. Кинетика накопления радиационных дефектов в германии высокой чистоты при гамма-облучении. ФТП, 1970, т.4, с.2276−2284.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!