Формирование и полупроводниковые свойства тонких слоев на основе Fe и Ca2Si на Si (111)

Важным объектом современной физики полупроводников являются системы пониженной размерности, создаваемые на атомно-чистых полупроводниковых поверхностях. Их исследование проводится в сверхвысоком вакууме методами физики поверхности. Особый интерес представляют ультратонкие пленки и многослойные пленочные структуры наноразмерной толщины. Это обусловлено тем, что указанные объекты обладают рядом уникальных свойств, нехарактерных для материалов в массивном состоянии, что вызывает большой интерес к ним со стороны, как исследователей, так и разработчиков микроэлектронной техники. По мере приближения размеров твердотельных структур к нанометровой области, все больше проявляются квантовые свойства электрона. В его поведении преобладающими становятся волновые закономерности, характерные для квантовых частиц, и это открывает перспективы создания принципиально новых переключающих, запоминающих, усиливающих элементов и других устройств для микроэлектроники.

Данная диссертационная работа посвящена исследованию формирования, параметров электронной структуры, оптических и полупроводниковых свойств систем на основе двумерных упорядоченных пленок железа (Fe) и силицида кальция (Ca2Si) на кремнии.

Особенностью подхода к формированию двумерных (2D) пленок силицидов металлов является использование стабильных поверхностных сверхструктур различных металлов на кремнии в качестве барьерных слоев или прекурсоров для создания сплошных пленок моноатомной толщины в условиях сверхвысокого вакуума.

Применение методов in situ исследования электронной структуры, оптических и полупроводниковых свойств формируемых тонких пленок, позволяет проводить исследования с высокой степенью детализации проходящих ростовых процессов. Выбор материалов для исследований остановлен на использовании экологически чистых и недорогих материалов, таких как железо, кальций и магний.

Актуальность темы

диссертации.

Полупроводниковые и металлические системы с пониженной размерностью (двумерные, одномерные и нульмерные) привлекают широкое внимание исследователей, как с точки зрения фундаментальных знаний, так и с практической точки зрения.

Фундаментальный интерес к подобным системам вызван проявлением в них новых свойств (оптических, электрических, магнитных и др.), что связано с квантово-механическим ограничением электронов, фононов и других квазичастиц в таких системах и изменениями в электронной плотности состояний, электропроводности, теплопроводности, формировании магнитных свойств.

Практический аспект использования систем с пониженной размерностью состоит в создании датчиков различных физических величин, а такжепринимающих или усиливающих устройств.

Известно, что на кремнии формируется термостабильная упорядоченная двумерная поверхностная фаза (ПФ) 81(111)-(2×2)-Ре, которая может быть использована в качестве ориентирующего барьера при формировании тонких слоев железа на 81(111), что очень актуально для решения задач спинтроники на кремнии. Эта ПФ может стать, также основой для эпитаксиального роста прямозонного полупроводникового силицида Р-Ре812, который представляет значительный интерес для оптоэлектроники, поскольку ширина его запрещенной зоны (0.87эВ) близка к области прозрачности оптического волокна.

Силицид кальция (Са281) обладает полупроводниковыми свойствами, однако рост гомогенных пленок этого силицида, при непосредственном осаждении Са на 81(111), при температуре (реактивная эпитаксия) или отжигом пленки Са, осажденной при комнатной температуре (твердофазная эпитаксия), не возможен. Использование в качестве прекурсора другой силицидной фазы, такой как силицид магния (М£281), позволит создать сплошные пленки полупроводникового силицида кальция, которые могут быть использованы в целях разработки новых фотои термоэлектрических приборов на кремнии. 5.

Связь работы с крупными научными программами.

С 2006 года в Российской академии наук (РАН) существует большая научно-исследовательская программа — «Квантовые наноструктуры», координатором которой является академик, лауреат Нобелевской премии Жорес Иванович Алферов. В рамках этой программы данная диссертационная работа является частью реализации исследовательских проектов Института автоматики и процессов управления (ИАГТУ) Дальневосточного отделения РАН (г. Владивосток) связанных с выше упомянутой программой, наиболее значимые из которых [1]:

1. Проект «Монолитные кремниевые гетеронаноструктуры на основе полупроводниковых силицидов: рост и приборные свойства». Руководитель — д.ф.-м.н., профессор Н. Г. Галкин. Поддержка — академик Ж. И. Алферов. Номер проекта — 09−1-П27−05 (2009;2011) .

2. Инициативный проект РФФИ 07−02−958а. Руководитель — д.ф.-м.н., профессор Н. Г. Галкин (2007 -2009).

3. Инициативный проект РФФИ №. 10−02−284а Руководитель — д.ф.-м.н., профессор Н. Г. Галкин (2010;2012) .

4. Проект «Исследование процессов роста в системах кремний— силицидкремний и их свойств методами оптической спектроскопии'- и комбинационного рассеяния ИАПУ.» Руководитель проекта — д.ф.-м.н., профессор Галкин Н. Г. Поддержка — чл.-корр. РАН Е. А. Виноградов. Номер проекта — 09-ЮФН-02 (2009;2011).

В данной диссертационной работе формирование тонких слоев железа с использованием двумерной поверхностной фазы 81(111)-(2×2)-Ре и исследование их свойств выполнены при поддержке грантов РФФИ № 07−02−958а и № 09−02−98 501рвостока, и гранта ДВО РАН № 09−1-ОФН-01.

Работы по формированию тонких слоев Са281 на основе прекурсора М§-281 на 81(111) и исследование их свойств выполнены при поддержке грантов РФФИ №. 10−02−284а и ДВО РАН № 09−1-Р27−05. Цель диссертационной работы.

Установление механизмов роста и определение свойств слоев железа (Ре) 6 и силицида кальция (Ca2Si) на поверхностной фазе Si (lll)-(2×2)-Fe и прекурсоре Mg2Si на Si (lll) соответсвенно, для создания кремний-силицидных полупроводниковых наноструктур. Основные задачи диссертационной работы.

1. Исследование морфологии и электрических свойств поверхностной фазы (ПФ) Si (l 11)-(2×2) — Fe.

2. Определение механизма роста и исследование свойств железа на Si (l 11)-(2×2) — Fe.

3. Определение механизма замещения атомов Mg атомами Са в 2D фазе Mg2Si и в полупроводниковой пленке силицида магния.

4. Исследование электронных, электрических и оптических свойств слоев Ca2Si, выращенных на прекурсоре Mg2Si на Si (l 11).

Методология и методы проведенного исследования.

Большинство методов исследования тонких пленок, примененные в данной диссертационной работе, как и большинство современных экспериментальных методов исследования поверхности, основываются на явлении испускания твердыми телами вторичных электронов при их бомбардировке пучком первичных электронов в условиях сверхвысокого вакуума. Энергетические спектры и угловые распределения вторичных электронов содержат достаточно полную информацию об основных микроскопических характеристиках поверхности — составе, структуре, электронном строении. Поэтому для изучения механизмов роста тонких пленок in situ в данной работе были широко использованы методы: электронной оже-спектроскопии (ЭОС), спектроскопии характеристических потерь энергии электронами (ХПЭЭ) и дифракции медленных электронов (ДМЭ).

Для определения проводимости, концентрации и подвижности носителей зарядов, использовался метод in situ Холловских температурных измерений.

При изучении стадий роста и свойств формируемых плёнок металлов и их силицидов на кремнии, во время осаждения, использовался метод дифференциальной отражательной спектроскопии (ДОС). Данные ДОС полученные во время осаждения металлов при комнатной температуре были 7 обработаны с помощью метода динамического эталона, а при изохронном отжиге — методом восстановленного эталона. Ex situ проводились исследования. микрорельефа поверхности и ее локальных свойств с помощью атомной силовой микроскопии (АСМ) и оптической отражательной спектроскопии.

Научная новизна полученных результатов.

1. Определены, полупроводниковый тип проводимости, концентрация и подвижность основных носителей (дырок) в поверхностной фазе железа Si (l 1 l)-(2×2)-Fe методом in situ температурных Холловских измерений.

2. Установлено, что ПФ (2×2)-Fe на Si (l ll) с полным покрытием поверхности подложки выступает в роли диффузионного барьера, препятствуя перемешиванию атомов Si и осаждаемых атомов железа. Слои Fe на такой ПФ растут в виде двумерных островков, повторяя, морфологию кремниевой поверхности и сохраняянапряженное состояние кристаллической решетки, что приводит к повышению подвижности дырок в кремнии.

3. Установлено, что при осаждении: Cat на прекурсор (2D фаза или тонкая пленка Mg2Si) при температурах (90 — 200 °С)? происходит замещение атомов Mg атомамикальция и десорбция магнияс поверхности* с последующим формированием Ca2Si.

4. Определена оптимальная температура (125±-5°С) подложки Si (lll). с предварительно сформированным прекурсором (2D фазой Mg2Sij, которая необходима для получения сплошной поликристаллической пленки Ca2Si при осаждении атомов кальция.

5'. Определена ширина, фундаментального перехода (1.02±0.06 эВ) методом измерения эффекта Холла для слоев Ca2Si, выращенных на Mg2Si на Si (lll).

6. Установлена область прямых фундаментальных переходов с максимальной интенсивностью (1.68−2.8 эВ) и рассчитан прямой межзонный переход с максимальной силой осциллятора (1.68−1.81эВ) в, слоях, Ca2Si, сформированных на прекурсоре Mg2Si.

Практическая значимость полученных результатов.

Формирование и исследование свойств ПФ Si (l l l)-(2×2)-Fe связано с 8 определением условий формирования барьерного слоя, препятствующего силицидообразованию в ходе роста железа на 81(111). Использование такого слоя позволит разработать технологию изготовления приборов со спиновой инжекцией на кремнии.

Методики получения сплошных пленок силицида кальция на кремнии с использованием прекурсора 2D фазы М²⁸¹ и тонкой пленки силицида магния, могут быть использованы в целях разработки фотои термоэлектрических приборов на кремнии. Предложена технология формирования тройных наногетероструктур Са281/М²⁸¹/81, перспективного материала для формирования полупроводниковых транзисторов. Положения диссертации, выносимые на защиту.

1. Поверхностная фаза 81(111)-(2×2)-Ре с полным покрытием поверхности подложки обладает полупроводниковой проводимостью с шириной запрещенной зоны 0.99±0.06 эВ и является барьером для перемешивания атомов железа и атомов кремния в подложке.

2. Рост сверхтонких слоев Ре на ПФ 81(111)-(2×2)-Ре с полным покрытием происходит по механизму разрастания напряженных двумерных островков, вызывающих напряженное состояние кристаллической решетки 81 до толщины слоя железа 1.35 нм, способствуя полутократному увеличению эффективной подвижности дырок в кремниевой подложке.

3. При осаждении Са на прекурсор М²⁸¹ (2Б фазу М^-^ или тонкую пленку М£281 на 81(111)) замещение атомов М^ атомами Са и десорбция магния с поверхности в условиях сверхвысокого вакуума происходит, начиная с температуры 125 °C, что приводит при толщинах Са более 1.25нм к формированию сплошной поликристаллической пленки Са28ь.

4. Тонкая пленка Са281, выращенная с использованием прекурсора М²⁸¹, обладает шириной запрещенной зоны 1.02±0.06 эВ.

5. Интенсивные прямые межзонные переходы в пленках Са281, выращенных с использованием прекурсора М£281, наблюдаются в диапазоне энергий фотонов 1.68 — 2.8 эВ, а смещение их низкоэнергетической границы соответствует переходу пленки Ca2Si из напряженного в релаксированное состояние. Личный вклад соискателя.

Автор принимал участие во всех экспериментах, выполненных в ИАПУ ДВО РАН, обработке данных, обсуждении и написании статей и тезисов докладов, подготовил и запустил оборудование в АмГУ и лично выполнил эксперименты.

Достоверность результатов.

Обеспечивалась использованием сверхвысоковакуумной аппаратуры, стабилизированных источников питания, прецизионных анализаторов энергии, проверенных экспериментальных методик, повторяемостью результатов с малыми разбросами измеряемых величин, а также согласованностью полученных результатов с известными литературными данными. Апробация результатов f.

1. НАУКА. ТЕХНОЛОГИИ. ИННОВАЦИИ. Всероссийская научная конференция молодых ученых. Новосибирск, 2008.

2. XII МЕЖРЕГИОНАЛЬНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ, ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И МАГНИТНЫХ МАТЕРИАЛОВ. Владивосток: ИАПУ ДВО РАН, 2009.

3. ФИЗИКА: ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ И ПРИКЛАДНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ, ОБРАЗОВАНИЕ. VIII региональная научная конференция. Благовещенск: Амурский госуниверситет, 2009.

4. VII Международная конференция и VI Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе — «КРЕМНИИ-2010». Нижний Новгород, 2010.

5. Asia-Pacific Conference «SEMICONDUCTOR SILICIDES», Tsukuba, 2010.

6. 9th Russia-Japan seminar on semiconductor surfaces, Vladivostok, 2010.

7. ФИЗИКА: ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ И ПРИКЛАДНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ, ОБРАЗОВАНИЕ. IX региональная научная конференция. Хабаровск, 2010.

Публикации по результатам диссертации.

1. D.L. Goroshko, N.G. Galkin, D.V. Fomin, A.S. Gouralnik and S.V. Yavanova. «An investigation of the electrical and optical properties of thin iron1 layers grown on the epitaxial Si (lll)-(2×2)-Fe phase and on an Si (lll)7×7 surface» // J. Phys.: Condens. Matter — 21, (2009) pp. 435 801−435 809.

2. Д. Л. Горошко, Д. В. Фомин, A.C. Гуральник, Н. Г. Галкин Электрические свойства двумерных слоев железа на упорядоченных фазах Si (l 11)7×7 и Si (l 1 l)-2×2-Fe/ Химическая физика и мезоскопия, 2009, т. 11, № 3, сс. 353−360.

3. Горошко Д. Л., Фомин Д. В., Гуральник А. С., Ваванова С. В., Галкин Н. Г. «Электронная структура, электрические, магнитные и оптические свойства двумерных слоев железа на поверхностных фазах Si (l 11)7×7 и Si (l 11)2×2-Fe"// Труды XII Конференции студентов, аспирантов и молодых ученых по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов, Дальнаука, 2009 г., сс. 126−135.

4. Галкин К. Н., Фомин Д. В., Доценко С. А., Галкин Н. Г. «Исследование формирования, параметров электронной структуры и оптических свойств систем на основе двумерных пленок силицида кальция Ca2Si на кремнии с использованием прекурсора — Si (lll)2/3V3x2/3V3-Mg» // Труды VIII Региональной научной конференции «Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование», АмГУ, 2009, сс.133−137.

5. С. А. Доценко, Д. В. Фомин, Н. Г. Галкин. «Влияние фазы Si (l 11)7×7 и пленки Mg2Si/Si (l 11) на формирование и оптические свойства пленки полупроводникового силицида кальция"// Химическая физика и мезоскопия, 2010, т. 12, № 3, сс. 376−381.

6. S.A. Dotsenko, D.V. Fomin, K.N. Galkin, D.L. Goroshko and N.G. Galkin «Growth, optical and electrical properties of Ca2Si film grown on Si (lll) and Mg2Si/Si (lll) substrates'7/Asia-Pacific Conference on Semiconductor Silicides (APAC-SILICIDE 2010), Tsukuba University, Japan, 2010; pp.60−61.

7. Доценко C.A., Фомин Д. В., Галкин K.H., Горошко Д. Л., Галкин Н. Г. «Определение диапазона температур оптимальных для формирования.

11 полупроводникового силицида Са281 из поверхностной фазы М^^ на 81(111)" // Труды IX Региональной научной конференции «Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование» г. Хабаровск, 2010. сс.53−55.

8. Доценко С. А., Фомин Д. В., Галкин К. Н., Галкин Н. Г. «Оптические свойства пленки полупроводникового силицида М£281 на 81(111) в области температурной стабильности» // Труды IX Региональной научной конференции «Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование» г. Хабаровск, 2010. сс.56−58.

9. Доценко С. А., Фомин Д. В., Галкин Н. Г. «Влияние фазы 81(111)7×7 и пленки М§-281/81(111) на формирование и оптические свойства пленки полупроводникового силицида Са28Р7/ Труды IX Региональной научной конференции «Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование» г. Хабаровск, 2010. сс.50−52.

Жирным шрифтом выделены издания входящие в перечень ВАК РФ.

Структура и объем диссертации

.

Во введении сформулирована цель работы и ее актуальность, определены основные задачи, указаны новизна и практическая ценность работы, изложены основные защищаемые положения и описана' структура диссертации.

В первой главе представлено современное состояние изложенных в диссертации вопросов. В первом параграфе рассмотрены понятия поверхностной сверхструктуры, двумерной электронной системы и поверхностной энергетической зоны. Во втором, третьем и четвертом параграфах рассмотрен вопрос о формировании поверхностных фаз соответственно Ге, и Са на 81(111). Представлены данные об их электрофизических свойствах, режимах формирования и диапазонах существования. Также обсуждается влияние поверхностных фаз, образованных Бе, М^ и Са на проводимость по поверхности кремния, а также влияние осаждения субмонослойных и монослойных покрытий Бе, и Са на проводимость поверхностных фаз, образованных этими металлами. Показано, что эксперименты на ПФ Si (l ll)-(2×2)-Fe методами in situ электрических холловских измерений в условиях сверхвысокого вакуума, с целью изучения формирования барьерного слоя, еще не проводились. Как и не проводились эксперименты по формированию методом твердофазной эпитаксии тонких пленок Ca2Si с использованием прекурсора (Mg2Si).

Во второй главе дан обзор основных методов исследования, используемых в настоящей работе: электронной ожэ-спектроскопии (ЭОС), спектроскопии характеристических потерь энергии электронами (ХПЭЭ), дифракции медленных электронов (ДМЭ), сканирующей зондовой микроскопии (СЗМ), а также методы дифференциальной отражательной спектроскопии (ДОС) и электрофизических измерений.

Описывается экспериментальная аппаратура для роста пленок: сверхвысоковакуумная (СВВ) камера PHI Model 590 компании Perkin-Elmer с электронным ожэ-анализатором РШ модель 15−255g, СВВ камера Varian оснащенная анализатором ДМЭ и холловской приставкой. СВВ камера Varian, оснащенная приборами для исследований методом ДОС и ЭОС, а также другое оборудование.

В третьей главе описываются методики и схемы экспериментов, технологии получения поверхностных фаз железа (Fe), подготовки образцов и источников. Исследование формирования, параметров электронной структуры и свойств систем на основе слоев железа на кремнии полученных с использованием барьерного слоя — ПФ Si (lll)2×2-Fe.

В четвертой главе описываются методики и схемы экспериментов, технологии получения тонких пленок магния (Mg) и кальция (Са) на кремнии, подготовки образцов и источников. Приводятся результаты исследования формирования, параметров электронной структуры, оптических, полупроводниковых свойств систем на основе тонких пленок силицида кальция Ca2Si на кремнии с использованием прекурсора 2D фазы Mg2Si или тонкой пленки силицида магния на кремнии.

В заключении сформулированы общие выводы диссертационной работы.

1. http://www.iacp.dvo.ru/russian/projects/.

2. Лифшиц В. Г., Репинский СМ. / Процессы на поверхности твердых тел. Владивосток: Дальнаука, 2003. 704 с.

3. K. Takayanagi, Y. Tanishiro, S. Takahashi, M.Takahash. Surf. Sci. 164 367 (1985).

4. Ф. Ф. Волькенштейн Электроны и кристаллы. М.:Наука, 1983.

5. S. Hajjar, G. Garreau, S. Pelletier, D. Bolmont, and C. Pirri /?>(lxl) to c (8×4) periodicity change in ultrathin iron silicide on Si (111) PHYSICAL REVIEW В 68, 33 302 (2003).

6. J. Alvarez, A.L. Vazquez de Parga, J.J. Hinarejos, J. de la Figuerra, E.G. Michael, C. Ocal, R. Miranda «Initial stages of the growth of Fe on Si (l 11)7×7», Phys. Rev. B, 47, 1993, 16 048−16 051.

7. K. Konuma, J. Vrijmoeth, P.M. Zagwijn, J.W.M. Frenken, E. Vlieg and J.F. van der Veen / Formation of Epitaxial /?-FeSi2 Films on Si (001) as Studied by Medium-Energy Ion Scattering J. Appl. Phys. 73″ (1993) 1104.

8. K. Kataoka, K. Hattori, Y. Miyatake and H. Daimon / Iron silicides grown by solid phase epitaxy on a Si (111) surfase: Schematic phase diagram. PHYSICAL REVIEW В 74, 155 406 (2006).

9. V. E. Borisenko / Semiconducting Silicides, (Minsk-Berlin-Dresden), p. 346 (2000).

10. V.G. Lifshits, A.A. Saranin, A.V. Zotov/ John Wiley and sons / Surface phases in silicon. Preparation, structure and properties, (1994), 190, 427.

11. A. Mascaraque, J. Avila, C. Teodorescu, M. C. Asensio, E. G. Michael -«Atomic structure of the reactive Fe/Si (l 11)7×7 interface», Phys. Rev. B, 55, (1997), R7314-R7318.

12. H.J.Kim, D.Y. Noh, J.H. Je, Y. Hwu / «Evolution of surface morfilogy duing Fe/Si (l 11) and Fe/Si (001) heteroepitaxy», Phys. Rev. B, 59, 1999, 4649−4653.

13. H. Matsui, M. Kuramoto, Т. Ono, H. Nose, H. Tatsuoka, H. Kuwabara, J. Cryst. Growth 237/239 (2002).

14. D В Migas, V L Shaposhnikov, А В Filonov, N N Dorozhkin and V E131Borisenko / New semiconducting silicide Ca3Si4, J. Phys.: Condens. Matter19 (2007) 346 207 (8pp).

15. S. Lebegue, B. Arnaud, and M. Alouani Phys. Rev. В 72, 85 103 (2005).

16. P. Manfrinetti, M. Fornasini, and A. Palenzona, Intermetallics 8, 223 (2000).

17. B. Migas, L. Miglio, V. L. Shaposhnikov, and V. E. Borisenko, Phys. Rev. В 67, 205 203 (2003).

18. Takeharu Sekiguchi, Tadaaki Nagao, and Shuji Hasegawa / Transformation dynamics in Ca-induced reconstructions on Si (lll) surface /- e-J. Surf. Sci. Nanotech. Vol. 1 (2003) 26−32.

19. Noriyuki Takagi, Yusei Sato, Tsuyoshi Matsuyama, Hirokazu Tatsuoka, Miyoko Tanaka, Chu Fengmin, Hiroshi Kuwabara Applied Surface Science 244 (2005) 330−333.

20. T. Hosono, M. Kuramoto, Y. Matsuzawa, y. Momose, Y. Maeda, T. Matsuyama, H. Tatsuoka, Y. Fukuda, S. Hashimoto, H. Kuwabara Applied Surface Science 216 (2003) 620−624.

21. W.J. Scouler. Phys. Rev. 178 (1969) 1353.

22. N.O. Folland. Phis. Rev., 158, 764 (1967).

23. R.J. LaBotz, D.R. Mason, D.F. O’Kane. J. Electrochem. Soc., 110, 127 (1963).

24. A. Vantomme, G. Langouche, J.E. Mahan, J.P. Becker. Microelectronic Engine, 50, 237 (2000).

25. A.B. Кривошеева, А. И. Холод, B.JI. Шапошников, А. Е. Кривошеев, В. Е. Борисенко / Зонная структура полупроводниковых соединений Mg2Si и Mg2Ge с напряженной кристаллической решеткой. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып.5, стр. 528 532.

26. N.G. Calkin, K.N. Calkin, S.V. Vavanova. e-J. Surf. Sci. Nanotechnol., 3,13 212 (2005).

27. Н. Г. Галкин, С. А Доценко, Л. В. Коваль. Письма ЖТФ. 33, 44 (2007).

28. А. Р. Шульман, С. А. Фридрихов / Вторично-эмиссионные методы исследования твердого тела. // М.: Наука. -1977. -552 с.

29. M.F. Chung, L.H. Jenkins, Surf.Sci., 21, 353(1970).

30. Анализ поверхности методами оже и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / Под ред. Бриггса Д. и Сиха М. П., пер. с англ. — М.: Мир, 1987.-600 с.

31. H. Luth / Surfaces and Interfaces of Solids, Second Edition, Springer Verlag, Berlin Heidelberg, 1993 .-487 p.

32. Л. Фельдман, Д. Майер / Основы анализа поверхности и тонких пленок.-М.: Мир, 1989. 564 с.

33. Лифшиц В. Г., Луняков Ю. В. Спектры ХПЭЭ поверхностных фаз на кремнии. Владивосток: Дальнаука, 2004. 315 с.

34. Van Hove М.А., Tong S.Y./ Surface Crystallography by LEED Berlin, Springer-Heidelberg, 1979. — 364 p.

35. Кулешов В. Ф., Кухаренко Ю. Ф., Фридрихов С. А. и др./ Спектроскопия и дифракция электронов при исследовании поверхности твёрдых телМосква: Наука, 1985. 290 с.

36. Васильев Д. М. / Дифракционные методы исследования структур. М.: Металлургия 1977. 248 с.

37. И. К. Верещагин, С. М. Кокин и др. /Физика твердого тела: Учебн. пособие для втузов/ под ред. И. К. Верещагина. — 2-е изд., — М.: Высш. Шк, 2001.-237 с.

38. Heinz К., Muller К. LEED Intensities-Experimental Progress and New Possibilities in Surface Structure Determination // Springer Tracts in Mod. Phys. 1982 — Vol. 91 — P. 1.

39. Van Hove M.A. et. al. Automated determination of complex surface structures by LEED // Surface Science Reports. 1980. — Vol. 19. — P. 191.

40. Б. М. Яворский, A.A. Детлаф, A.K. Лебедев. / Справочник по физике для инженеров и студентов вузов 8-е изд., — М.: ООО «Издательство Оникс», 2008.1056 с.

41. Кучис Е. В. / Методы исследования эффекта Холла. Москва, «Советское радио», 1974 г.

42. Дж. Блейкмор / Физика твердого тела. М.: Мир. 1988. 606 с.

43. R. Alameh and Y. Borensztein, Surf. Sei. 251/252, 396 (1991).

44. Г. Бинниг, Г. Рорер / Сканирующая туннельная микроскопия от рождения к юности // «Успехи физических наук», 1988 г. февраль, том 154, вып. 2-е. 261−278.

45. В. Л. Миронов / Основы сканирующей зондовой микроскопии Учебное пособие для студентов старших курсов высших учебных заведений // Российская академия наук, Институт физики микроструктур, г. Нижний Новгород, 2004. 110с.

46. С. А. Рыков / Сканирующая зондовая микроскопия полупроводниковых материалов и наноструктур / С. А. Рыков — под ред. А. Я. Шика. СПб.: Наука, 2001.-52 с.

47. Л. Ф. Кравченко, В. Н. Овсюк / Электронные процессы в твердотельных системах пониженной размерности. — Новосибирск: Изд-во Новосиб. ун-та, 2000. — 448 с.

48. Л. Н. Александров / Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок. // Новосибирск: Наука. 1978. — 280 с.

49. Н. Г. Галкин, Д. Л. Горошко, A.B. Конченко, Е. С. Захарова, 134С.Ц.Кривощапов / Эффект Холла в субмонослойных системах Fe на Si (111) пи р-типа проводимости // ФТП, 2000, том 34, выпуск 7, с. 827.

50. P. Chiaradia and R. Del Sole, Surf. Rev. Let. 6, 517 (1999).

51. Mclntyre J D E and Aspnes D E 1971 Surf. Sci. 24 417.

52. A. Bagchi, R. G. Barrera and A. K. Rajagopal, Phys.Rev. В 20, 4824 (1979).

53. S.A. Dotsenko, N.G. Galkin, L.V. Koval, V.O. Polyarnyi / In situ differential reflectance spectroscopy study of solid phase epitaxy in Si (lll)-Fe and Si (l 11)-Cr systems/ e-J. Surf.Sci. Nanotech. Vol.4 (2006) 319−329.

54. Quinn F. M. The PHI Cylindrical Mirror Analyser: Test and Operating Notes / Surface Science Technical NoteSSTN-92−04.

55. H. Luth / Surfaces and Interfaces of Solids, Second Edition, Springer Verlag, Berlin Heidelberg, 1993.

56. Технология тонких пленок (справочник). Под ред. JI. Майссела, Р. Глэнга. Нью-Йорк, 1970. Пер. с англ. Под ред. М. И. Елинсона, Г. Г. Смолко. т.1, М., «Сов. Радио», 1977, 664с.

57. Н. Г. Галкин, В. А. Иванов, А. В. Конченко, Д. Л. Горошко / Установка для автоматизированных холловских измерений параметров двумерных материалов в условиях сверхвысокого вакуума.// Приборы и техника эксперимента. 1999. N2. С. 153−158.

58. Е. А. Коленко / Технология лабораторного эксперимента: Справочник. -СПб.: Политехника, 1994. 751с.

59. N.G. Galkin, D.L. Goroshko. Phys. Low-Dim. Struct. 9−10, 67 (2001) — N.G. Galkin, V.A. Ivanov, A.V. Konchenko, D.L. Goroshko Instr. Exp. Tech. 42, 284.

60. N.G. Galkin, D.L. Goroshko. Phys. Low-Dim. Struct. 9−10, 67 (2001).

61. B. Eggert, G. Panzner, Phys. Rev. В 29, 2091 (1984).

62. G. Garreau, S. Hajjar, G. Gewinner, C. Pirri. Phys. Rev. В 71, 193 308 (2005).

63. Handbook of crystal growth, edited by D.T. Hurle (North-Holland, Amsterdam, 1994).

64. N.G. Galkin, D.L. Goroshko A.V. Konchenko, V.A. Ivanov, E.S. Zakharova, S.Ts. Krivoshchapov. Surf. Rev. Let. 7, 257 (2000).135.

65. C.-S. Jiang, S. Hasegawa, S. Ino. Phys. Rev. В 54, 10 389 (1996).

66. Muret P, Ali I and Brunei M 1998 Semicond. Sci. TechnoL 13 1170.

67. Shiraki I, Tanabe F, Hobara R, Nagao T and Hasegawa S 2001 Surf. Sci. 493 633.

68. R. Stephan, S. Zabrocki, P. Wetzel, D. Berling, A. Mehdaoui, J-L. Bubendorff, G. Garreau, C. Pirri, G. Gewinner, N. Boudet, J.F. Berar. Surf. Sci. 600, 3003 (2006).

69. S.A. Dotsenko, N.G. Galkin, A.S. Gouralnik, L.V. Koval. e-J. Surf. Sci. Nanotechnol. 3 (2005) 113.

70. P.Y. Yu, M. Cardona. Fundamentals of Semiconductors, Berlin: Springer, 1996,617.

71. M.Y. Au-Yang, M.L. Cohen. Phys. Rev. 178 (1969) 1358.

72. O. Kubo, A.A. Saranin, A.V. Zotov, J.T. Ryu, H. Tani, T. Harada, M. Katayama, V.G. Lifshits, K. Oura. Surf. Sci. Lett. 415 (1998) L971. «.

73. K.S. An, R.J. Park, J.S. Kim, C.Y. Park, C.Y. Kim, J.W. Chung, T. Abukawa, S. Kono, T. Konoshita, A. Kakizaki, T. Ishii. Surf. Sci. Lett. 337 (1995) L789.

74. S.A. Dotsenko, N.G. Galkin and K.N. Galkin. e-J. Surf. Sci. Nanotech. 7 (2009)816.

75. P. Lautenschlager, M. Garrige, L. Vina and M. Cardona. Phys. Rev. В 36 (1987) 4821.

76. F. Vazquez, R.A. Forman and M. Cardona. Phys. Rev. 176 (1968) 905.

77. Y. Borensztein //Surf. Rev. Lett. 7 (2000) 399.

78. К. Оура, В. Г. Лифшиц, A.A. Саранин, A.B. Зотов, M. Катаяма — отв. ред. В. И. Сергиенко. / Введение в физику поверхности /- Ин-т автоматики и процессов упр. ДВО РАН. М.: Наука, 2006. — 490 с.

79. В. Г. Лифшиц / Поверхностные фазы и выращивание микроэлектронных структур на кремнии // Соросовский образовательный журнал. -1997. —1362. — С. 107—114.

80. Zlateva G., Atanassov A., Baleva M., Nikolova L., Abrashev M.V. «Polarized micro-Raman scattering characterization of Mg2Si nanolayers in (001) Si matrix» // Journal of Physics: Condensed Matter 19 (2007) p. 86 220.

81. P. Смит / Полупроводники: Пер. с англ. М.: Мир, 1982. — 560с.

82. М. Праттон / Введение в физику поверхности. — Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотичная динамика», 2000. — 256с.

83. Гершинский А. Е., Ржанов А. В., Черепов Е. И. Образование пленок силицидов на кремнии// Поверхность. Физика, химия, механика. 1982. № 2. С.111−116.

84. А. Г. Наумовец / Исследование структуры поверхностей методом дифракции медленных электронов: достижения и перспективы, «Укр. физ. ж.», 1978, т. 23, № 10, с. 1585/.

85. Большой толковый словарь русского языка. / Сост. и гл. ред. С. А. Кузнецов. 1-е изд-е: СПб.: Норинт, 1998.

86. Шалимова К. В. / Физика полупроводников М.: Энергоатомиздат, 1985. -392с.

87. А. Ф. Иоффе / Физика полупроводников, 2 изд., М. — JL, 1957.