Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Зарождение фаз в твердых телах и релаксация внутренних напряжений в гетерофазных системах

Диссертация: Зарождение фаз в твердых телах и релаксация внутренних напряжений в гетерофазных системах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Фазовые превращения в твердых телах, как правило, сопровождаются изменением параметра кристаллической решетки, следовательно, на границе раздела фаз всегда присутствует несовместность, являющаяся источником внутренних напряжений в гетерофазной системе. Следующим этапом является учет упругой энергии искажений при зарождении и рассмотрение влияния релаксации внутренних напряжений на зарождение… Читать ещё >

Зарождение фаз в твердых телах и релаксация внутренних напряжений в гетерофазных системах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА. I. Современное состояние теории фазовых превращений в кристаллах и релаксация внутренних напряжений в гетерофазных системах. .II
  • Выводы к главе I
  • ГЛАВА 2. О зарождении новой фазы в твердых растворах.. 24 2Л. Свободная энергия неоднородного твердого бинарного раствора
    • 2. 2. Нахождение равновесных распределений концентраций
      • 2. 2. 1. Сферический зародыш в нео1раниченной среде
      • 2. 2. 2. Сферический зародыш в ограниченной среде
      • 2. 2. 3. Двухдоменное состояние (двухфазное равновесие)
      • 2. 2. 4. Плоский зародыш в неограниченной среде
      • 2. 2. 5. Одномерные периодические распределения
  • Выводы к главе 2
  • ГЛАВА 3. Внутренние напряжения, возникающие при зарождении новой фазы, и роль их релаксации при зарождении
    • 3. 1. О расчете внутренних напряжений в гетерофазных системах
    • 3. 2. Роль релаксации внутренних напряжений при зарождении новой фазы
  • Выводы к главе 3
  • ГЛАВА 4. Внутренние напряжения и их релаксация в эпитаксиальных системах
    • 4. 1. Расчет внутренних напряжений эпитаксиальных слоев. ^
    • 4. 2. Образование дислокаций несоответствия как механизм релаксации внутренних напряжений
    • 4. 3. Количественные расчеты внутренних напряжений и их релаксации в эпитаксиальных системах
      • 4. 3. 1. Релаксация внутренних напряжений в двухслойных структурах, осуществляемая образованием одной системы дислокаций
      • 4. 3. 2. Релаксация внутренних напряжений в двухслойных структурах, осуществляемая образованием нескольких систем дислокаций
  • Выводы к главе 4

Выполнение задач, поставленных ХХУТ съездом КПСС в области научно-технического прогресса, требует дальнейшего развития теоретических и экспериментальных исследований по физике твердого тела, создания высокопрочных материалов и сплавов.

В современной технике используются сплавы, находящиеся как в гомогенных, так и в гетерогенных (гетерофазных) состояниях. При изменении внешних условии (температуры, давления) в кристаллическом материале одной модификации может начаться рост кристаллов другой, более устойчивой в новых условиях модификации. Этот цроцесс в конечном итоге приводит к перестройке кристаллической решетки тела и, следовательно, к коренному изменению его механических и физических свойств. Способность кристаллов существовать в различных атомноструктурных состояниях и в зависимости от внешних условий претерпевать превращения из одной кристаллической модификации в другую — одно из важнейших свойств материалов, обусловившее их чрезвычайно широкое применение в народном хозяйстве. Подвергая кристалл различным внешним воздействиям, можно при одном и том же составе изменять его фазовое и структурное состояния и придавать кристаллическому телу необходимые для практических целей свойства. Этим объясняется то особое значение, которое имеет для современного металловедения теория фазовых превращений.

Одной из актуальных проблем теории фазовых превращений является анализ зарождения новой фазы в твердых телах, занимающий центральное место в диссертационной работе. Несмотря на то, что рассмотрению зарождения в твердых растворах посвящено очень много работ, проблема зарождения до настоящего времени полностью не разрешена.

Важным, фактически решающим, для адекватного описания коллективного взаимодействия атомов при фазовом превращении является выбор модели описания гетерофазного состояния^ диссертационной работе при рассмотрении зарождения новой фазы в твердых растворах используется «полевой» подход, рассматривающий цроцесс зарождения как эволюцию распределения параметра порядка.

Фазовое превращение (фазовый переход первого рода) в твердом теле всегда сопровождается скачком параметров кристаллической решетки, поэтому появлению зародышей новой фазы сопутствует возникновение полей внутренних напряжений, препятствующих развитию фазового превращения, и последнее может протекать лишь цри условии их релаксации. Изучение механизмов релаксации внутренних напряжений и рож релаксации в процессе зарождения имеет огромное научное и практическое значение и представляет актуальную задачу, так как позволяет установить связь между структурой и свойствами гетерофазных систем.

Проведенное в диссертационной работе рассмотрение релаксации внутренних напряжений, возникающих в процессе зарождения новой фазы, позволило рассмотреть процесс релаксации полей в эпитаксиаль ных системах тонкая пленка — подложка, имеющих чрезвычайно широкое применение в современной технике, что также обусловливает актуальность избранной темы диссертации.

Цель работы состоит в теоретическом описании зарождения новой фазы в твердых растворах на основе феноменологической теории фазовых переходов первого рода, рассмотрении роли релаксации внутренних напряжений, возникающих при зарождении новой фазы, расчете полей внутренних напряжений и их релаксации в эпитак-сиальных системах. В связи с этим в диссертационной работе поставлены следующие задачи:

1. Рассмотреть зарождение новой фазы в твердых растворах для случая распада бинарного раствора на две фазы, отличающиеся только концентрациями.

2. Найти равновесные распределения концентрационного поля в случаях: а) сферического зародыша в неограниченной средеб) сферического зародыша в ограниченной средев) двухфазного равновесияг) плоского зародыша в неограниченной средед) одномерных периодических распределений.

3. Получить выражения для работы образования критического сферического зародыша и поверхностной энергии плоской границы раздела фаз.

4. Рассмотреть роль релаксации внутренних напряжений при зарождении новой фазы.

5. Рассчитать поля внутренних напряжений и рассмотреть их релаксацию в эпитаксиальных системах, осуществляемую образованием дислокаций несоответствия различных типов.

Для решения поставленных задач в диссертационной работе предложена новая простая и в то же время достаточно эффективная модель, которая позволила впервые получить аналитическое решение задачи о заровдении новой фазы в твердом растворе, не прибегая к обычным упрощениям классической теории зарождения.

В работе впервые предложен метод расчета релаксации поля внутренних напряжений в эпитаксиальных структурах и проведен количественный расчет релаксации, осуществляемой последовательным введением нескольких систем дислокаций несоответствия. В отличие от известных классических подходов метод, предложенный в диссертационной работе, позволяет учесть трехмерное несоответствие решеток пленки и подложки, а также остаточные напряжения в анизотропных системах и произвольно расположенные дислокации несоответствия на разных стадиях релаксации, кроме того рассмотреть образование на граншщх раздела двойников, частичных дислокаций и дефектов упаковки как способов релаксации полей напряжений.

Практическая ценность работы заключается в том, что предложенная модель, которая впервые позволила получить аналитическое решение задачи о зарождении новой фазы, может быть использована и для других фазовых переходов, в частности упорядочения, а также позволяет цровести аналитическое исследование ряда задач, в которых поверхностный вклад в свободную энергию сравним с объемным.

Практическая ценность работы заключается и в том, что методы изучения релаксации напряжений при фазовых превращениях позволили провести исследование внутренних полей напряжений и их релаксации в эпитаксиальных системах. Проведенные расчеты релаксации внутренних напряжений в эпитаксиальных структурах, осуществляемой последовательным введением на границу дислокаций несоответствия произвольных систем, представляют значительный интерес и открывают новые перспективы при анализе релаксации в эпитаксиальных структурах.

На защиту выносятся следующие результаты и положения:

I, Предложен новый подход к решению проблемы зарождения в твердых растворах, свободный от обычных упрощений теории, позволяющий получить аналитическое решение задачи о зарождении новой фазы. и провести рассмотрение ряда задач макроскопической физики.

2. Обобщен новый метод расчета полей внутренних напряжений и их релаксации в эпитаксиальных системах, основанный на аналогии рассмотрения релаксации напряжений, возникающих при фазовом превращении.

Первая глава диссертационной работы является обзором современного состояния теории фазовых превращений в кристаллах и релаксации внутренних напряжений в гетерофазных системах.

Вторая глава диссертации посвящена рассмотрению зарождения новой фазы в твердых растворах. Многочисленными экспериментальными и теоретическими работами установлено, что фазовое цревра-щение происходит путем зарождения и роста центров новой фазы (зародышей) в исходной, неустойчивой в данных условиях. Классический анализ проблемы зарождения заключается в том, что свободная энергия системы приближенно рассматривается в одномерном пространстве размеров зародышей новой фазы, при этом пренебре-гается большинством внутренних параметров системы (расцределений концентрации, деформаций кристаллической решетки и других свойств, определяющих структуру фазы) и не учитывается важная особенность превращений в конденсированном состоянии — существенное взаимодействие между частицами твердого тела.

В задаче о зародыше критического размера линейный размер зародыша не является параметром теории, он сам должен определяться из условия экстремума свободной энергии в точке перевала. В диссертации рассмотрен случай распада твердого бинарного раствора на две фазы, отличающиеся только концентрациями, в котором можно указать полный набор параметров, однозначно описывающих эволюцию системы, и проблема зарождения новой фазы формулируется достаточно строго. Получены аналитические выражения для равновесных распределений концентрации в различных случаях, определена работа образования критического сферического зародыша, а также поверхностная энергия плоской границы двух бесконечно протяженных доменов.

Фазовые превращения в твердых телах, как правило, сопровождаются изменением параметра кристаллической решетки, следовательно, на границе раздела фаз всегда присутствует несовместность, являющаяся источником внутренних напряжений в гетерофазной системе. Следующим этапом является учет упругой энергии искажений при зарождении и рассмотрение влияния релаксации внутренних напряжений на зарождение новой фазы — это сделано в третьей главе диссертационной работы, где показано, что существует предельный равмер устойчивого состояния когерентного зародыша, выше которого становится выгодным образование на границе раздела фаз дислокаций превращения.

Аналогичная ситуация возникает в эпитаксиальных пленках, где упругие поля, источником которых является несоответствие решеток пленки и подложки, релаксируют за счет образования на границе раздела дислокаций несоответствия. Поскольку существующие методы расчета полей внутренних напряжений и их релаксации оказались несостоятельными объяснить богатый экспериментальных материал, наблюдаемый в эпитаксиальных структурах, в четвертой главе диссертации предлагается новый метод их расчета, претендующий на количественное согласие с экспериментом, основанный на аналогии рассмотрения релаксации напряжений, возникающих при фазовых превращениях.

Таким образом, диссертационная работа представляет собой цельное законченное исследование, главы которого имеют внутреннее единство'. Перейдем к решению поставленных задач.

Работа выполнена в Воронежском политехническом институте на кафедре полупроводниковой электроники в соответствии с координационным планом АН СССР на I98I-I985 годы по проблеме 1.3.3 «Образование и структура кристаллов» и планом госбщцжетных НИР кафедры по теме ГБ 79.09 «Физико-химические основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных схем и разработка бызовых технологических процессов» (номер государственной регистрации 79 078 457).

Результаты работы кратко могут быть сформулированы следующим образом:

1. Предложен новый подход к описанию зарождения новой фазы в твердых растворах, свободный от недостатков классической термодинамической теории зарождения, позволивший впервые аналитически исследовать проблему зарождения в трехмерном случае.

2. Показано, что равновесная концентрация в случае сферического зародыша в неограниченной среде с учетом корреляционного взаимодействия существенно отличается от соответствующего распределения в классической теории зарождения и переходит в него в предельном случае малых переохлаждений.

3. Получено выражение для работы образования критического зародыша в случае распада твердого раствора на две фазы, отличающиеся концентрациями, а также выражение для поверхностной энергии двух бесконечно протяженных фаз, совпадающее с классическим выражением для поверхностного натяжения (с точностью до константы).

4. Впервые получены аналитические выражения распределения концентраций в одномерных периодических распределениях (модулированных структурах).

5. Исследовано влияние релаксации полей внутренних напряжений на зарождение новой фазыпоказано, что существует предельный размер устойчивого состояния когерентного зародыша, выше которого энергетически выгодно образование на зтранице раздела фаз дислокаций превращения.

6. Обобщен новый метод, основанный на аналогии исследования релаксации внутренних напряжений при фазовых превращениях, позволивший рассмотреть релаксацию напряжений в эпитаксиальных структурах в анизотропном случае, осуществляемую образованием различных систем дислокаций несоответствия.

7. Впервые получены выражения для энергии, критической толщины и равновесной плотности дислокаций и проведены их количественные расчеты в конкретных эпитаксиальных структурах в случае образования нескольких систем дислокаций несоответствия.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В диссертационной работе развит термодинамический подход к проблеме зарождения фаз в твердых телах и релаксации внутренних напряжений в гетерофазных системах. В феноменологическом приближении решена задача о зарождении новой фазы в твердом растворе с учётом корреляционной энергии взаимодействия. Существование сильного межатомного взаимодействия в твердой фазе при образовании новой фазы внутри исходной приводит к возникновению в материале полей внутренних напряжений. Следующим этапом работы явилось рассмотрение влияния упругой энергии внутренних напряжений и релаксации напряжений (пластической деформации) на зарождение новой фазы — рассмотрены условия образования когерентной и некогерентной фаз. Наконец, по аналогии исследованиярелаксации внутренних напряжений, возникающих цри фазовых превращениях, проведен расчет упругой энергии и рассмотрена релаксация полей внутренних напряжений в эпитаксиальных структурах.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А.Л. Особенности развития фазовых превращений в кристаллах. — В кн.: Проблемы современной кристаллографии. — М.: Наука, 1975, с.345−369.
  2. R., Dorling W. -Ann.Physik, 1935, v.24, p.719−723.3# Volmer M. Kinetik der Phaseubildung. Dresden-Leipzig,.1939. -283 p.
  3. И.Н., Каишев К. К теории роста кристаллов и образования кристаллических зародышей. УфН, 1939, т.21, вып.4, с.408−465.
  4. Я.И. Кинетическая теория жидкости. Л.: Наука, 1975. — 592 с.
  5. Я.Б. К теории образования новой фазы. Кавитация. ЖЭТФ, 1942, т. 12, вып. П-12, с.425−538.
  6. М., Weber а. -Zs.Phys.Chem., 1925, v.119, р.277−283.
  7. Скрипов В Л., Скрипов А. В. Спшюдальный распад. УФН, 1979, т.128, вып.2, с.193−231.
  8. Bradley R. The Energetics and Statistical Mechanics of the Kinetics of Solid-Solid Reactions. -J .Chem.Phys., 1956, v. 60, N10, p.1347−1354.
  9. A.A. Слоисто-спиральный рост кристаллов. УФН, 1961,1. Т.73-, вып.2,с.277−331.
  10. Glei"b®r Н. The mechanism of grain boundary migration. -Acta Met., 1969, v.17, N5, p.565−573. J2e Turnbull D., Fisher J. Thermodynamics and kinetics of phase chandes in solids. -J .Chem.Phys., 1949, v.17, p.71−82.
  11. .Я. 0 скорости роста зародыша новой фазы при изотермическом распаде твердого раствора. ДАН СССР, 1950, т.72, № 2, с.273−275.
  12. .Я. Проблемы металловедения и физики металлов. М.: Металлуршздат, 1952, с. 123.
  13. Г. В. Явление закалки и отпуска стаж. М.: Металлуршздат, I960. — 27 с.
  14. Bilby В., Christian J. Martensitic Transformations. The Mechanism of Phase Transformations in Metals. London, 1956, p.121−172.
  15. Christian J. The Theory of Phase Transformations in Metals and Alloys. Pergamon press, 196^-483 p.
  16. Ройтбурд А.Л., Эстрин Э. И, Мартенситные превращения. В кн.: Металловедение и термическая обработка. М.: ВИНИТИ, 1970, с.5−102.
  17. А.Л. Внутренние напряжения при фазовых превращениях в твердом состоянии. Проблемы металловедения и физики металлов. — М.: Металлуршздат, 1964, т.8, с.235−268.
  18. Л., Коен М. Успехи физики металлов. М.: Металлург-издат, 1961, т.4,с.192.
  19. А.З., Покровский В. Л. Флуктуационная теория фазовых переходов. М.: Наука, 1982, с. 32.
  20. Л.Д., Лифшиц Е. М. Электродинамика сплошных сред. М.: Физматгиз, 1959, с. 205.
  21. С.А., Даринский Б. М., Нечаев В. Н. Механизм низкочастотных диэлектрических потерь вблизи точек фазовых переходов 2-го рода. ФТТ, 1981, т.23, вып.8, с.2474−2477.
  22. А.Л., Хачатурян А. Г., Плаксина Т. С. К теории зарождения новой фазы в твердых растворах. ФТТ, 1968, т.10,с.2149−2152.
  23. Cahn J., Hillard J. Free energy of unhomogeneouB solutions. J.Chem.Phys., 1958, v.28, p.258−269.
  24. В.Г., Витебский И. М., Яблонский Д. А. Особенности образования зародышей в твердых телах вблизи критических точек фазового перехода. ФТТ, 1981, т.23, вып.5, с, 1448−1455.
  25. Ройтбурд А. Л, 0 равновесии кристаллов, образующихся в твёрдой фазе. ДАН СССР, 1971, т.197, & 5, с, Ю51-Ю54.
  26. А.Л. Релаксация внутренних напряжений в гетерогенных системах и зарождение фаз в твердых телах. Письма в ЖЭТФ, 1972, т.15, вып.7, с.423−426,
  27. А.Л. К теории образования зародышей при мартенситном превращении. ФММ, I960, т.10, вып.2, с.161−168.
  28. Ландау Л.Д., Ли<�риц Е. М. Статистическая физика. М.: Наука, 1964, с. 309.
  29. А.Г. Теория фазовых превращений и структура твердых растворов. М.: Наука, 1974. — 384 с.
  30. Л.М. Равновесные межфазные границы. ДАН СССР, 1982, т.26, & 2, с.306−310.
  31. Ornstein Ь., Zernicke Р. Proc.Amst.Acad.Sec., 1914, v.17, p.793−799.
  32. L., Zernicke F. -Phys.Z., 1918, v.19, p.134−138.
  33. И.М., Фомин С. В. Вариационное исчисление. М.: Физ-матшз, 1961. — 228 с.
  34. А.Г., Сурис Р. А. Теория периодических распределений концентрации в пересыщенных твердых растворах. Кристаллография, 1968, т.13, вып.1, с.83−89.
  35. Б. А. Деванюк А.П. Физические основы сегнетоэлектричес-ких явлений в кристаллах. М.:Наука, 1983, с. 119.
  36. Дикштейн И.Е. ,.Тарасенко В. В. Теория неоднородных состояний твердого раствора в окрестности фазового перехода П рода. ФТТ, 1983, т.25, вып.2, с.482−489.
  37. V., Lipson J. -Pros.Hoy.Soc., 1943, v.181A, p.368.
  38. Ardell A., Nicholson R. On the modulated structure of aged Ni-AL alloys. -Acta Met., 1960.-, v.14, N10, p. 1295−1309.
  39. De Vos K. Microstructure of Alnico Alloys. J.Appl.Phys., 1966, v.37, N3, p.1100.
  40. Е.Г., Лившиц Б. Г., Линецкий Я. Л. Дораспад (вторичная периодическая структура) в сплавах тиконал. ФММ, 1970, т.29, вып.2, с.265−270.
  41. Cook~H. BrowniaA motion in spinodal decomposition. -Acta Met., .. 1970, v.18, N 3, p.297−306.
  42. Langer J., Baron M. Theory of Early-Stage Spinodal Decomposition. -AnnsPhys., 1973, v.75, p.421−452.
  43. Ianger J. Statistical Methods in the Theory of Spinodal Decomposition. -Acta.Met., 1973, v.21, N12, p.1649−1659
  44. A.B., Якуб H.C. ФТТ, 1976, т.18, с. 3630.
  45. В.Л. ФТТ, I960, т.2, с. 2031.
  46. Трусов Л, И-, Петрунин В. Ф., Кац Е. И. Спинодальный распад в ультрадисперсных частицах. ФММ, 1979, в.6, с.1229−1233.
  47. Л.Д., Лифшиц Е. М. Механика сплошных сред. М.: Физ-матгиз, 1963, с. 384.
  48. Дж. Определение поля упругих напряжений, создаваемое эллипсоидальным включением, и задачи, связанные с этой проблемой. В кн.: Континуальная теория дислокаций. М.: ИЛ, 1963, с.103−139.
  49. В.М., Трусов Л. И. Долмянский В.А. Структурные превращения в тонких пленках. М.: Металлургия, 1982, с. 199.
  50. Ю.Ф. Физика металлических пленок. М.: Атомиздат, 1979, с. 52.
  51. Л.С., Папиров И. И. Эпитакоиальные пленки. М.: Наука, 1971, с. 8.
  52. Royer Ь. Be lorientation des cristaux de la serie de l’epso-mite par le mica. C.r.Acad. Sci., 1932, v.194, p.1088−1097.
  53. Royer L. Stir 1* orientation des cristaux de substances organ iques se deposant au contact d’un mineral a’structure ionique. -C.r. Acad.Sci., 1933, v.196, p.282−293.
  54. П. Д. Кристаллохимический механизм взаимодействия поверхности кристалла с чужеродными элементарными" частицами. ЯЖ, 1946, т.20, с.853−862.
  55. Prank F., Van der Merwe J. One-dimensional dislocations. I. Static theory. Proc.Roy.Soc., 1949, V.198A, p.205−225.
  56. Prank P., Van der Merwe J. One -dimensional dislocations. II. Misfit ingf monolayers and oriented evegrowths. Proc.Roy.Soc., 1949, V.198A, p.216−227.
  57. Prank P., Van der Merwe J. One-dimensional dislocations.III. Influence of the second harmonic term in the potentional representation on the properties of the model. -Proc.Roy.Soc., 1950, V.200A, p.125−132.
  58. Van der Merwe J. Interfacial misfit and bonding between orien -ted films and their substrates. Single Crystal Films. Francom-be M., Sato H., Pergamon Press, Oxford, 1964, p.139- 163.
  59. Van der Merwe J. Strains in Crystalline Overgrowths. Phil.Mag., 1962, v. 7, N80, p.1433−1434.
  60. Van der Merwe J. Crystal Interfaces: Part I. Semi-Infinite Crystals. J.Appl.Phys., 1963, v.34, N1, p.117−122.
  61. Van der Merwe J. Crystal Interfaces: Part II. Finite overgrowths. -J.Appl.Phys., 1962, v.33, p.123−127.
  62. Jesser W., Kulmann-Wilsdorf D. On the theory of interfacial energy and elaetic strain of epitaxial overgrowths in parallel alignment of single crystal substrates. Phys.Stat.Sol., 1967, v.19,p. 95−102.
  63. Ю.А. Дислокации границы раздела и остаточные деформации в энитаксиальных пленках. В кн.: Проблемы физики поверхности полупроводников. Киев, 1981, с.262−286.
  64. Л.С., Фукс М. Я., Кооевич В. М. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок. М.: Наука, 1972, с. 127.
  65. Matthews J. The Observation of Dislocations to Accomodate the Misfit Between Crystals with Different lattice Parameters. -Phil. Mag., 1961, v. 6, N71, p. 1347−4349.
  66. Matthews J. Defects in silver film prepared by evaporation of the metal onto mica. -Phil.Mag., 1962, v.7, p.915−918.
  67. Thompson E., Lowless K. Observation of interfacial dislocations in thin (100) andv. (111) electrodeposits of nickel on copper. Appl.Phys.Let., 1966, v.9,p.138−141.
  68. E., Митчел Дж.В. Наблюдение дислокаций поверхности раздела при эпитаксиальном росте бромида никеля на тонких кристаллах бромида хрома. В кн.: Монокристаллические пленки. М.: Мир, 1966: с. 262.
  69. Gradmann U., MIler J. Flat Ferromagnetic, Epitaxial 48%/ 52Fe (III Films of Few Atomic layers. Phys.Stat.Sol., 1968, v.27, N1, p.313−324.
  70. Прохоров И-А., Захаров Б. Г. Влияние толщины подложки на образование дислокаций несоответствия в эпитаксиальных структурах. Кристаллография, 1982, т.27, вып.2, с.354−357.
  71. И.Ф., Фукс М. Я., Коваль Л. П., Алавердова О. Г., Тхорик Ю. А., Солдатенко Н. Н., Матвеева Л. А., Хазан Л. С. Когерентностьмежфазной границы и деформация в эпитаксиальной системе Ge/GaAs. Кристаллография, 1983, т.28, вып.2, с.368−371.
  72. Alaberdava О., Fuks М., Khazan L., Koval L., Matveeva L., Mi-khailov I., Soldatenko N., Tkhorik Yu. Coherence of Interphase Boundary and Elastic Strain in the Epitaxial System Ge/GaAs. -Phys.Stat.Sol., 1983, v.75, N2, p.367−371.
  73. Roitburd A., Equilibrium Structure of Epitaxial Layers. -Phys. Stat.Sol.4, 1970, v.37, p.329−339.
  74. Орлов С. С, Инденбом В. Л. Взаимодействие непараллельных дислокаций в анизотропной среде. Кристаллография, 1969, т.14, вып.5, с.780−783.
  75. Roi’iburd A. Domain Structure Caused by Internal Stresses in Heterophase Solids. Phys.Stat.Sol., 1913, v.16 a, N1, p. 329−338.
  76. Zachariasen W. Theory of X-ray Diffraction in Crystals. N.T., 1944, p. 194.
  77. Т.О. Релаксация внутренних напряжений в бикристал-лах. Материаловедение (физика и химия конденсированных сред), Воронеж, 1978, с.27−29.
  78. Т. О. Духрянский Ю.П. 0 релаксации внутренних напряжений в двухслойных структурах. Кристаллография, 1979, т.24, с.569−570.
  79. Т.О. Релаксация внутренних напряжений в гетерофаз-ных системах. В кн.: Процессы релаксации в твердых телах.
  80. М.: ВИНИТИ, 1982, № 3375−82 Депр, 12−15. 95# Nagai Н. Structure of vapour-deposited Ga^ In jAs crystals. J.Appl.Phys., 1974, v.45, p.3789−3794.
  81. .А., Королев В. Е., Вигдорович Е. Н. Разориентация эпитаксиальных слоев GaP(x)As (i-x) относительно подложки
  82. GaAs. Кристаллография, 1974, т.19, вып.6, с.1249−1251.
  83. Olsen G., Abrahams М., Buiocchi С., Zamerovski J- Reduction ofdislocation densities in heteroepitaxial III-V VPE semiconductors. J.Appl.Phys., 1975, v.46, p.1643−1646.
  84. Olsen G. Interfacial lattice Mismatch Effects in III-V compounds. J.Cryst.Growth, 1975, v.31, p.223−239.
  85. Olsen G., Smith R., Mis orientation and Tetragonal Distortion in Heteroepitaxial Vapor-Growth III-V Structures. Phys. Status Sol., 1975, v.31a, p.739.-7477
  86. Л.Д., Лифшиц E.M. Теория упругости. M.: Наука, 1965, с. 57.
  87. Neuberger М. III-V Ternary Semiconducting Compounds Data Table, Hand Electr.Mater. N. Y,. 1972-, Щ, p.19.
  88. Tamura M- Observation of Misfit Dislocations in Heterоjunctions Gap-GaAs. J.Appl.Phys., 1973, v.44,p.1913−1918.
  89. B.C., Иевлев B.M., Соловьев K.C., Даринский Б. М. Дислокации несоответствия и упругие деформации в бикристал-лах золотогоеребро. ФММ, 1975, т.39, с.196−201.
  90. Иевлев В.М., 13угаков А.В., Соловьев К. С. Зависимость критической толщины введения дислокаций несоответствия от ориентации межфазной границы. ФТТ, 1976, т.18, с.76−80.
  91. Г. Металлофизика. М.: Мир, 1971, с. 426.
  92. Дж. Доте И. Теория дислокаций. М.: Атомиздат, 1972, с. 223.
  93. Л.С., Тхорик Ю. А., Матвеева Л.А., Семенова Г. И,, Грибни-кова Е. З. Об измерении внутренних напряжений в эпитаксиальных системах при наличии пластической деформации. Кристаллография, 198I, т.26, вып.4, с.888−891.
  94. В.Л. Типы дефектов в решетке. В кн.: Физика кристаллов с дефектами. Тбилиси, 1966, т. Т, с.5−106.
  95. С.А., Плаксина Т. О., Щевелев М.й. Внутренние напряжения в МДП-структурах.- 1У Областная научно-техническая конференция, посвященная Дню радио и связи. Тез.докл., Воронеж, 1972, с.23−25.
  96. Т.О., Акулинин С. А., Щевелев М.й. Внутренне напряжения в слоистых структурах. Материалы научно-технической конференции. Тез. докл., Ворон еж: ВПИ, 1972, с. 57.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!