Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Взаимодействие носителей заряда с акустическими фононами в низкоразмерных полупроводниковых системах

Диссертация: Взаимодействие носителей заряда с акустическими фононами в низкоразмерных полупроводниковых системах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Предметом интенсивных исследований являются физические свойства углеродных нанотрубок с хиральной симметрией (трубок диаметром около нанометра, расположение атомов в которых обладает симметрией винтовой линии). Параметром, определяющим основные физические свойства нанотрубки, является ее хиральность, в зависимости от величины которой структура энергетического спектра электронов меняется… Читать ещё >

Взаимодействие носителей заряда с акустическими фононами в низкоразмерных полупроводниковых системах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Список основных обозначений

1 Низкоразмерные полупроводниковые системы и электрон-фононное взаимодействие (аналитический обзор)

1.1 Квазидвумерные электронные системы с асимметричным квантующим потенциалом в магнитном поле

1.2 Углеродные нанотрубки.

1.3 Коллективное взаимодействие электронов с акустическими фононами в многодолинных полупроводниках

1.4 Локализация электронов при взаимодействии с акустическими фононами.

1.5 Квазиодномерные электронные системы.

Актуальность темы

Быстрое развитие полупроводниковой наноэлектроники привело к интенсивному исследованию полупроводниковых структур, в которых классическое поступательное движение электрона возможно только по одной или двум пространственным координатам (т. н. низкоразмерные системы). Такая взаимосвязь объясняется тем, что основные характеристики наноэлектрон-ных приборов определяются электронными процессами в области пространства размером несколько нанометров, где движение носителей заряда ограничено по одной или двум пространственным координатам на расстояниях порядка длины волны де Бройля. Поэтому дальнейший прогресс наноэлектроники находится в прямой связи с исследованием физических свойств низкоразмерных систем как основы для создания наноэлектронных приборов с новыми функциональными возможностями. Наряду с получением результатов, которые могут быть непосредственно использованы в наноэлектронике, исследование таких систем привело к открытию большого числа качественно новых явлений, имеющих общефизическое значение [1−3]. Следствием первостепенной важности этих открытий с точки зрения фундаментальной науки является тот факт, что за последние пятнадцать лет Нобелевская премия по физике дважды (в 1985 и 1998 годах) присуждалась за работы в области физики низкоразмерных полупроводниковых систем. Таким образом, изучение свойств таких систем представляет собой актуальную задачу, расположенную на стыке прикладных и фундаментальных исследований.

Характерной особенностью низкоразмерных систем являются многообразие и сложность реализующегося в них энергетического спектра носителей заряда. В связи с этим большое число теоретических и экспериментальных работ посвящено изучению сложной структуры энергетического спектра в различных низкоразмерных системах и анализу влияния этой сложной структуры на их физические свойства [1]. Однако к моменту начала работы над диссертацией во многих важных случаях оставался не исследован вопрос о том, каким образом сложная структура энергетического спектра влияет на процессы взаимодействия носителей заряда с акустическими фоно-нами, в немалой степени определяющие физические свойства низкоразмерных полупроводниковых систем и наноэлектронных приборов на их основе.

Весьма интересным объектом, привлекающим к себе пристальное внимание теоретиков и экспериментаторов, являются квазидвумерные структуры с асимметричным квантующим потенциалом в параллельном плоскости структуры магнитном поле. Ранее проведенные исследования [4] показали, что в таких системах имеет место одновременное нарушение симметрии относительно инверсии координат и симметрии относительно обращения времени, приводящее к появлению асимметричного энергетического спектра электронов и связанным с ним необычным кинетическим эффектам [5−7]. При этом, однако, оставался не исследован вопрос о том, какое влияние оказывает асимметричная структура энергетического спектра на процессы электрон-фононного взаимодействия.

Предметом интенсивных исследований являются физические свойства углеродных нанотрубок с хиральной симметрией (трубок диаметром около нанометра, расположение атомов в которых обладает симметрией винтовой линии) [8]. Параметром, определяющим основные физические свойства нанотрубки, является ее хиральность, в зависимости от величины которой структура энергетического спектра электронов меняется в диапазоне от металла до полупроводника, что определяет интерес к нанотрубке с точки зрения ее возможных применений в полупроводниковой наноэлектронике [9]. Несмотря на обилие публикаций по данной тематике оставался не исследован вопрос о том, как скажутся на процессах электрон-фононного взаимодействия особенности структуры энергетического спектра, обусловленные хиральной симметрией нанотрубки.

Ранее проведенные исследования [10] показали, что взаимодействие электронов с акустическими фононами в многодолинных полупроводниках может, в принципе, приводить к снятию долинного вырождения. Однако условия реализации долинного расщепления в трехмерных кристаллах оказались настолько трудновыполнимыми, что в германии и кремнии этот эффект не удается обнаружить и поныне. Возможность же реализации данного эффекта в квазидвумерных системах со сложной многодолинной структурой энергетического спектра не была проанализирована.

Процесс упругой локальной деформации кристалла полем электрона и стационарной локализации электрона вблизи этой деформации впервые рассматривался в классической работе [11]. Такое состояние поляронного типа, обусловленное взаимодействием электрона с акустическими фононами, было названо конденсоном. Проведенный в этой же работе анализ показал, что возникновение конденсонов в двухмерных и трехмерных полупроводниковых системах невозможно. Однако при проведении этого анализа предполагалось наличие параболического закона дисперсии носителей заряда е (к) ос к2, тогда как в настоящее время известны квазидвумерные полупроводниковые системы со сложной непараболической структурой энергетического спектра [12]. Возможность возникновения конденсонов в таких квазидвумерных системах оставалась не исследована.

Одной из основных характеристик наноэлектронных приборов является их быстродействие, которое ограничивается процессами рассеяния носителей заряда на дефектах кристаллической решетки и фононах. В связи с этим важной прикладной задачей физики низкоразмерных систем является подавление этих процессов рассеяния. Ранее проведенные исследования [13] показали, что в квазиодномерных системах можно добиться существенного ослабления рассеяния на заряженных примесях и оптических фононах. Однако возможные механизмы подавления электронного рассеяния на акустических фононах в таких системах, основанные на целенаправленном изменении структуры энергетического спектра носителей заряда, остались не изучены.

Очерченный выше круг нерешенных проблем позволяет сформулировать цель работы: теоретическое исследование процессов взаимодействия носителей заряда с акустическими фононами в низкоразмерных полупроводниковых системах со сложной структурой энергетического спектра.

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, шести глав и заключения.

Основные результаты диссертационной работы состоят в следующем:

1) Показано, что в квазидвумерных системах с асимметричным квантующим потенциалом при наличии магнитного поля возникает различное взаимодействие электронов с акустическими фононами, имеющими взаимно противоположные направления волнового вектора. Эта пространственная асимметрия электрон-фононного взаимодействия приводит к таким новым кинетическим явлениям, как возникновение электродвижущей силы в стоячей акустической волне и появление электродвижущей силы при пространственно-однородном нагреве системы. Проведенный теоретический анализ согласуется с результатами экспериментов, в которых предсказанный эффект был впоследствии обнаружен;

2) Исследовано влияние магнитного поля на энергетический спектр нанотрубки с хиральной симметрией. Показано, что в такой системе имеет место асимметрия энергетического спектра электронов относительно инверсии волнового вектора. Благодаря этому в нанотрубке, также как и в ранее рассмотренных квазидвумерных системах с асимметричным квантующим потенциалом, появляются эффект пространственной асимметрии электрон-фононного взаимодействия и обусловленные им новые термомагнитные кинетические явления. Эти явления приводят к возникновению квадратичного по току слагаемого в вольт-амперной характеристике и, как следствие, к появлению у нанотрубки диодных свойств;

3) Изучено влияние взаимодействия электронов с акустическими фононами на структуру уровней Ландау в квазидвумерных системах. Показано, что электрон-фононное взаимодействие приводит к снятию вырождения уровня Ландау по моменту импульса и появлению тонкой структуры энергетического спектра. Следствиями этого являются расщепление пика циклотронного резонанса и сдвиг резонансной циклотронной частоты при малой концентрации электронов на уровне Ландау. Проведенный теоретический анализ находится в согласии с результатами известных экспериментов, где наблюдались указанные аномалии;

4) Исследовано влияние электрон-фононного взаимодействия на устойчивость долинного вырождения в квазидвумерных слоях многодолинных полупроводников при наличии магнитного поля. Показано, что благодаря дельта-образной особенности в плотности состояний на уровне Ферми при заполнении уровней Ландау, многодолинное вырождение становится неустойчивым относительно спонтанной деформации квазидвумерного слоя, обусловленной многофононными процессами. Показано, что эта неустойчивость приводит к изменению периода осцилляций кинетических эффектов, определяемому прохождением уровня Ферми через уровни Ландау расщепившихся долин. Анализ влияния электрон-фононного взаимодействия на период осцилляций Шубникова — де Гааза согласуется с результатами известных экспериментов, где наблюдалось аномальное уменьшение периода этих осцилляций;

5) Исследованы электрон-фононные состояния конденсонного типа в квазидвумерных системах с непараболическим энергетическим спектром носителей заряда е (к) ос к4. Показано, что при таком энергетическом спектре уже сколь угодно слабое взаимодействие носителей заряда с акустическими фононами приводит к образованию конденсона большого радиуса. Изучены условия возникновения этого спектра в квазидвумерных слоях дырочных полупроводников при использовании в качестве управляемого параметра статической упругой деформации. Получены выражения для спектра дырочных подзон, анализ которых показывает, что указанная непараболичность может появляться при наличии упругих деформаций того же порядка, что и возникающие в гетероструктурах из-за несоответствия периодов кристаллических решеток гетерослоев;

6) Проанализированы возможные механизмы подавления электронного рассеяния на акустических фононах в различных квазиодномерных системах. Показано, что перемешивание состояний различных энергетических зон трехмерного полупроводника с помощью магнитного поля может приводить к обращению в нуль эффективной константы деформационного потенциала, определяющей взаимодействие носителей заряда с акустическими фононами в квазиодномерных подзонах Ландау. В сверхрешетке, помещенной в направленное вдоль ее оси магнитное поле, можно добиться подавления однофонон-ных процессов электронного рассеяния благодаря непараболической структуре квазиодномерного спектра носителей заряда в такой системе, делающей невозможным одновременное выполнение законов сохранения энергии и квазиимпульса во внутризонном рассеянии. В квантовых нитях взаимодействие электронов с трехмерными фононами зависит от конфигурации нити, в связи с чем ослабление электронного рассеяния может быть достигнуто в проводниках нелинейной конфигурации.

Из 34 публикаций [14−47], легших в основу данной диссертации, 13 работ опубликованы соискателем с соавторами.

Работа [46] написана в соавторстве с канд. физ.-мат. наук Погосо-вым А. Г., канд. физ.-мат. наук Буданцевым М. В., Dr. Maude D. К. и Dr. Portal J. С. Экспериментальные результаты, содержащиеся в этой публикации, получены соавторами соискателя, а соискателю принадлежит разработка теории применительно к конкретным условиям эксперимента.

Работы [21,22,27,28], на основе которых написан § 6.1, опубликованы соискателем в соавторстве с канд. физ.-мат. наук Энти-ным М. В. Содержащаяся в этих работах идея о возможности подавления электрон-фононного взаимодействия при перемешивании состояний различных энергетических зон квантующим потенциалом была предложена Энтиным М. В. Вклад соискателя в эти работы заключается в формулировании условий реализации этой идеи, нахождении полупроводниковой системы, для которой эти условия могут быть выполнены и в проведении основного объема теоретических выкладок.

Во всех остальных работах, написанных с соавторами, соискателю принадлежат основополагающая идея и основные расчеты.

Соискатель глубоко признателен канд. физ.-мат. наук Погосову А. Г. за обсуждения экспериментальных аспектов эффекта пространственной асимметрии электрон-фононного взаимодействия, канд. физ.-мат. наук Романову Д. А. за обсуждения особенностей энергетического спектра электронов в нанотрубках с хиральной симметрией и канд. физ.-мат. наук Энтину М. В. за обсуждения проблемы подавления электрон-фононного взаимодействия.

Заключение

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Т., Фаулер А., Стерн Ф. Электронные свойства двумерных систем. — Москва: Мир, 1985. 416 с.
  2. Квантовый эффект Холла. — М.: Мир, 1989. 408 с.
  3. Beenakker С. W. J., van Houten H. Quantum transport in semicinductor nanostructures. — Solid State Physics, 1991, v.44, p.1−228.
  4. A. A., Капаев В. В., Коиаев Ю. В. Асимметричные наноструктуры в магнитном поле. — Письма в ЖЭТФ, 1993, т.57, вып.9, с.565−569.
  5. Ю. А., Воронова И. Д., Гришечкина С. П. и др. Индуцированный магнитным полем фотогальванический эффект в асимметричной системе квантовых ям. — Письма в ЖЭТФ, 1993, т.58, вып.5, с.377−380.
  6. О. Е., Цебро В. И., Кадушкин В. И. Фотогальванический эффект в системе трех квантовых ям в сильном магнитном поле. — Письма в ЖЭТФ, 1996, т.63, вып. З, с.197−202.
  7. А. А., Капаев В. В., Копаев Ю. В. и др. Асимметричное по полю поперечное магнитосопротивление в немагнитной квантоворазмерной структуре. — Письма в ЖЭТФ, 1998, т.68, вып.5, с.380−385.
  8. Iijima S. Helical microtubules of graphitic carbon. — Nature, 1991, v.354, p.56−58.
  9. А. В. Углеродные нанотрубки. — УФН, 1997, т.167, вып.9, с.945−972.
  10. В. А., Соколов В. Н., Венгалис В. Ю. Фазовые переходы в полупроводниках с деформационным электрон-фононным взаимодействием. — Киев: Наукова думка, 1984. 180 с.
  11. М. Ф., Пекар С. И. О состоянии электрона проводимости в идеальном гомеополярном кристалле. — ЖЭТФ, 1951, т.21, вып.7, с.803−808.
  12. А. В., Шварцман JI. Д. Кинетические эффекты в раз-мерноквантованных слоях дырочных полупроводников. -— Поверхность, 1982, вып.2, с.73−79.
  13. Sakaki H. Scattering suppression and high mobility effect of size quantized electrons in ultrafine semiconductor wires structures. — Jap. J. Appl. Phys., 1980, v.19, p. L735-L738.
  14. О. В., Шадрин В. С. Фазовый переход в инверсионных n-каналах кремния. — ФТТ, 1985, т.27, вып.6, с.1878−1881.
  15. О. В., Шварцман Л. Д. Изменение структуры энергетических подзон квантовой пленки при деформации. — Поверхность, 1985, вып.7, с.119−123.
  16. О. В., Шадрин В. С. Парадокс долинного вырождения в инверсионных каналах кремния. — Тез. докл. XII Совещания по теории полупроводников, Ташкент, 30 сентября 3 октября 1985, ч.2, с.19−20.
  17. О. В. Влияние электрон-фононного взаимодействия на циклотронный резонанс в квантовых гетероструктурах. — Тез.докл. IV Всесоюзн. конф. по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах, Минск, 27−29 мая 1986, ч.1, с.171−172.
  18. О. В., Шадрин В. С. Взаимодействие квазидвумерного электронного газа с кристаллической решеткой в квантующем магнитном поле. — ФТП, 1987, т.21, вып.1, с.185−188.
  19. О. В., Шадрин В. С. Авто локализованные состояния в двумерном дырочном газе. — Тез. докл. XIII Всесоюзн. Совещания по теории полупроводников, Ереван, 10−12 ноября 1987, с. 156.
  20. О. В. Влияние деформации на энергетический спектр валентной зоны в двумерных полупроводниковых системах. — ФТП, 1989, т.23, вып.5, с.820−825.
  21. О. В., Энтин М. В. Подавление взаимодействия электронов с акустическими волнами в квантующем магнитном поле.
  22. Тез. докл. XIV Всесоюзн. конф. по акустоэлектронике и физической акустике твердого тела, Кишинев, 13−15 июня 1989, ч.1, с.88−90.
  23. Kibis О. V., Entin M. V. The suppression of the electron-acoustic phonon interaction in quantum wells. — Proc. II Intern. Symp. on surface waves in solids and layered structures, Bulgaria, Varna, September 14−19, 1989, v. l, p.92−93.
  24. Kibis О. V. Electron-electron interaction in a spiral quantum wire.
  25. Phys. Lett. A, 1992, v.166, p.393−394.
  26. О. В. Электрон-электронное взаимодействие в спиралеобразных квантовых проволоках. — Тез. докл. XV Пекаров-ского совещания по теории полупроводников, Львов, 14−18 сентября 1992, с. 70.
  27. О. В. Биэлектронные состояния в спиралеобразном одномерном проводнике. — ФТТ, 1992, т.34, вып. 11, с.3511−3514.
  28. Romanov D. A., Kibis О. V. Magneto controlled quantum states in helicoidal tubules. — Phys. Lett. A, 1993, v.178, p.335−337.
  29. Entin M. V., Kibis О. V. A theory of the suppression of the electron-phonon interaction. — Lectures of the XXIX Winter School of Theoretical Physics, New York, Plenum Press, 1994, p.243−250.
  30. О. В., Энтин М. В. Подавление электрон-фононного взаимодействия в квантующем магнитном поле. — ФТП, 1994, т.28, вып.4, с.584−593.
  31. О. В., Романов Д. А. Электрон-фотонное взаимодействие в фуллереновых трубках со спиральной симметрией. — ФТТ, 1995, т.37, вып.1, с.127−129.
  32. О. В. Образование конденсонов в квазидвумерных слоях дырочных полупроводников. — ФТП, 1995, т.29, вып.1, с.125−132.
  33. О. В. Влияние квантующего магнитного поля на энергетический спектр электронов в квазидвумерных слоях многодолинных полупроводников. — ФТП, 1995, т.29, вып.2, с.259−270.
  34. О. В. Подавление электрон-фононного взаимодействия в квантовых нитях сложной конфигурации. — Тез. докл. II Российской конф. по физике полупроводников, Зеленогорск, 26 февраля 1 марта 1996, т.1, с. 99.
  35. О. В. Подавление электрон-фононного взаимодействия в свехрешетках в квантующем магнитном поле. — Тез. докл. II Российской конф. по физике полупроводников, Зеленогорск, 26 февраля 1 марта 1996, т.2, с. 51.
  36. Kibis О. V., Romanov D. A. Fullerene bucky tubes in strong magnetic and electric fields. — Abstr. I Korea-Russia Intern. Symp. on science and technology, Korea, Ulsan, September 29 -October 3, 1997, p.160.
  37. О. В. Исчезновение электрон-фононного взаимодействия в узкозонных кристаллах. — Изв. ВУЗов (сер. Физика), 1997, т.40, вып.8, с.78−82.
  38. О. В. Эффект анизотропной передачи импульса в низкоразмерных электронных системах в магнитном поле. — Письма в ЖЭТФ, 1997, т.66, вып.8, с.551−555.
  39. Kibis О. V. Possible new quantum macroscopic effect in low-dimensional structures: The appearance of an electromotive force in a standing acoustic wave. — Phys. Lett. A, 1998, v.237, p.292−296.
  40. О. В. Исчезновение электрон-фононного взаимодействия в сверхрешетках в квантующем магнитном поле. — ФТП, 1998, т.32, вып.6, с.730−732.
  41. Kibis О. V. New quantum electron transport phenomena in low-dimensional systems in a magnetic field. — Phys. Lett. A, 1998, v.244, p.432−436.
  42. Kibis О. V. New physical effects in MOS-structures. — Proc. IV Intern. Conf. on actual problems of electronic instrument, Russia, Novosibirsk, September 23−26, 1998, v.4, p.53−57.
  43. Kibis О. V. Asymmetry of elementary interactions in 2D systems in a magnetic field. — Physica B, 1998, v.256−258, p.449−451.
  44. О. В. Новые эффекты электрон-фононного взаимодействия в квазидвумерных структурах в магнитном поле. — ЖЭТФ, 1999, т.115, вып. З, с.959−969.
  45. Kibis О. V. Anisotropic electron-phonon interaction in silicon inversion layers in magnetic field. — Proc. Ill Russian-Korean Intern. Symp. on science and technology, Novosibirsk, June 2225, 1999, v.2, p.568−571.
  46. О. В. Влияние конфигурации квантовой проволоки на электрон-фононное взаимодействие. — ФТП, 1999, т.33, вып.10, с.1232−1234.
  47. Kibis О. V. Anomalous thermo-EMF in asymmetrical quantum well in magnetic field. — Phys. Low-Dim. Struct., 1999, v.9/10, p.143−147.
  48. А. Г., Буданцев M. В., Кибис О. В., Maude D. К., Portal J. С. Новый квантовый термомагнитный эффект в двумерном электронном газе. — Тез. докл. IV Российской конф. по физике полупроводников, Новосибирск, 25−29 октября 1999, с. 111.
  49. О. В. Гигантская анизотропия электрон-фононного взаимодействия в асимметричной квантовой яме в магнитном поле. — Тез. докл. IV Российской конф. по физике полупроводников, Новосибирск, 25−29 октября 1999, с. 171.
  50. Ю. Ф., Луцкий В. Н., Елинсон М. И. О наблюдении квантовых размерных эффектов в тонких пленках висмута. — Письма в ЖЭТФ, 1966, т. З, вып. З, с.114−118.
  51. В. Н., Корнеев Д. Н., Елинсон М. И. О наблюдении квантовых размерных эффектов в пленках висмута методом туннельной спектроскопии. — Письма в ЖЭТФ, 1966, т.4, вып.7, с.267−270.
  52. А. В., Fang F. F., Howard W. Е., Stiles P. J. Magneto-oscillatory conductance in silicon surfaces. — Phys. Rev. Lett., 1966, v.19, p.901−903.
  53. Cho A. Twenty years of molecular beam epitaxy. — J. Crystal Growth, 1995, v.150, p.1−6.
  54. В. А. Двумерные, одномерные, нульмерные структуры и сверхрешетки. — Москва: МГУ, 1998. 163 с.
  55. В. Я. Квантовые ямы, нити, точки. Что это такое? — Соросовский образовательный журнал, 1997, вып.5, с.80−86.
  56. F., Howard W. Е. Properties of semiconductor surface inversion layers in the electric quantum limit. — Phys. Rev., 1967, v.163, p.816−835.
  57. D. С. Effect of a parallel magnetic field on surface quantization. — Sol. State Commun., 1971, v.9, p.1789−1792.
  58. Stern F. Iteration metods for calculating self-consistent fields in semiconductor inversion layers. — J. Comput. Phys., 1970, v.6, p.56−67.
  59. Uemura Y., Matsumoto Y. An analysis for anomalous galvano-magnetic effects in surface inversion layer of semiconductors. — J. Jap. Soc. Appl. Phys. Suppl., 1971, v.40, p.205−213.
  60. Uemura Y. Quantum galvano-magnetic phenomena in M.O.S. inversion layers. — Proc. 12th Intern. Conf. Phys. Semicond., Stuttgart, 1974, edited by M. H. Pilkuhn, p.665−674.
  61. S. A., Fowler А. В., Cotelessa R. F. Anomalous magnetoconductance in silicon surfaces. — Phys. Rev., 1969, v.178, p.1326−1327.
  62. В. И. Выпрямляющие свойства 2D инверсионных слоев в параллельном магнитном поле. — ФТТ, 1989, т.31, вып.4, с.29−32.
  63. Ando Т. Electron-electron interaction and electronic properties of space charge layers on semiconductor surfaces. — Surf. Sci., 1978, v.73, p.1−18.
  64. Ando T. Subband structure and inter-subband absorption in an accumulation layer in strong magnetic field. — J. Phys. Soc. Jap., 1978, v.44, p.475−481.
  65. Ando T. Subband structure of an accumulation layer under strong magnetic field. — J. Phys. Soc. Jap., 1975, v.39, p.411−417.
  66. Kamgar A., Kneschaurek P., Beinvogl W., Koch J. F. Spectroscopy of space charge layers on n-type Si. — Proc. 12th Intern. Conf. Phys. Semicond., Stuttgart, 1974, edited by M. H. Pulkuhn, p.709−713.
  67. Beinvogl W., Kamgar A., Koch J. F. Influence of a magnetic field on electron subband in a surface space-charge layers. — Phys. Rev. B, 1976, v.14, p.4274−4280.
  68. JI. И., Энтин М. В. Фотогальванический эффект в пленках. — ФТТ, 1979, т.21, вып.5, с.1280−1286.
  69. Л. И., Энтин М. В. Фотогальванический эффект в размерно-квантованной системе. — Поверхность, 1982, вып.1, с.74−78.
  70. В. Л., Белиничер В. И., Новиков В. Н., Терехов А. С. Поверхностный фотогальванический эффект в твердых телах. — ЖЭТФ, 1981, т.80, вып.6, с.2298−2312.
  71. А. В., Смирнов Б. М. Фуллерены. — УФН, 1993, т.163, вып.2, с.33−60.
  72. А. В., Смирнов Б. М. Фуллерены и структуры углерода. — УФН, 1995, т.165, вып.9, с.977−1002.
  73. Guo Т., Nikolaev P., Rinzler A. G. et al. Self-assembly of tubular fullerenes. — J. Phys. Chem., 1995, v.99, No.27, p.10 694−10 697.
  74. Hsu W. K., Hare J. P., Terrones M. et al. Condensed-phase nanotubes. — Nature, 1995, v.377, p.687.
  75. Tsang S. C., Harris P. J. F., Green M. L. H. Thinning and opening of carbon nanotubes by oxidation using carbon-dioxide. — Nature, 1993, v.362, p.520−522.
  76. Ebbesen T. W., Ajayan P. M., Hiura H., Tanigaki K. Purification of nanotubes. — Nature, 1994, v.367, p.519−519.
  77. Ball P. Materials science — the perfect nanotube. — Nature, 1996, v.382, p.207−208.
  78. Bulusheva L. G., Okotrub A. V., Romanov D. A., Tomanek D. Electronic structure of carbon nanotubes. — Phys. Low-Dim. Struct., 1998, v.¾, p.107−134.
  79. Charlier J.-C., Lambin Ph. Electronic structure of carbon nanotubes with chiral symmetry. — Phys. Rev. B, 1998, v.57, No.24, p. R15037-R15038.
  80. Bulusheva L. G., Okotrub A. V., Romanov D. A., Tomanek D. Electronic structure of (n, 0) zigzag carbon nanotubes: Cluster and crystal approach. — J. Phys. Chem., 1998, v.102, No.6, p.975−981.
  81. Mintimire J. W., Robertson D. H., White C. T. Properties of fullerene nanotubules. — J. Phys. Chem. Solids, 1993, v.54, No.12, p.1835−1840.
  82. Saito R., Fujita M., Dresselhaus G., Dresselhaus M. S. Electronic-structure of chiral graphene tubules. — Appl. Phys. Lett., 1992, v.60, No.18, p.2204−2206.
  83. Charlier J. C., Michenaud J. P. Energetics of multilayered carbon tubules. — Phys. Rev. Lett., 1993, v.70, No.12, p.1858−1861.
  84. White C. T., Robertson D. H., Mintmire J. W. Helical and rotational symmetries of nanoscale graphitic tubules. — Phys. Rev. B, 1993, v.47, No.9, p.5485−5488.
  85. Hamada N., Sawada S., Oshiyama A. New one-dimensional conductors — graphitic microtubules. — Phys. Rev. Lett., 1992, v.68, No.10, p.1579−1581.
  86. Mintmire J. W., Dunlap B. I., White C. T. Are fullerene tubules metallic. — Phys. Rev. Lett., 1992, v.68, No.5, p.631−634.
  87. Harigaya K. From C-60 to a fullerene tube — systematic analysis of lattice and electronic-structures by the extended SU-Schrieffer-Heeger model. — Phys. Rev. B, 1992, v.45, No.20, p.12 071−12 076.
  88. Saito R., Dresselhaus G., Dresselhaus M. S. Tunneling conductance of connected carbon nanotubes. — Phys. Rev. B, 1996, v.53, No.4, p.2044−2050.
  89. Chico L., Crespi V. H., Benedict L. X. et al. Pure carbon nanoscale devices — nanotube heterojunctions. — Phys. Rev. Lett., 1996, v.76, No.6, p.971−974.
  90. Langer L. et al. Quantum transport in multiwalled carbon nanotubes. — Phys. Rev. Lett., 1996, v.76, p.479−482.
  91. Dai H., Wong E. W., Lieber C. M. Probing electrical transport in nanomaterials: Conductivity of individual carbon nanotubes. — Science, 1996, v.272, p.523−526.
  92. Ebbesen T. W. et al. Electrical conductivity of individual carbon nanotubes. — Nature, 1996, v.382, p.54−56.
  93. Tans S. J. et al. Individual single-wall carbon nanotubes as quantum wires. — Nature, 1997, v.386, p.474−477.
  94. Bockrath M. et al. Single-electron transport in ropes of carbon nanotubes. — Science, 1997, v.275, p.1922−1925.
  95. Bachtold A. et al. Contacting carbon nanotubes selectively with low-ohmic contacts for four-probe electric measurements. — Appl. Phys. Lett., 1998, v.73, p.274−276.
  96. Franc S., Poncharal P., Wang Z. L., Heer W. A. Carbon nanotube quantum resistors. — Science, 1998, v.280, p.1744−1746.
  97. Tans S. J., Vershueren A. R. M., Dekker C. Room-temperature transistor based on a single carbon nanotube. — Nature, 1998, v.393, p.49−52.
  98. В. А., Пипа В. И., Писковой В. Н., Соколов В. Н. О возможности многозначного равновесного распределения носителей тока в многодолинных полупроводниках. — Письма в ЖЭТФ, 1971, т.13, вып. 12, с.710−713.
  99. В. А., Пипа В. И., Писковой В. Н., Соколов В. Н. Теория многозначного равновесного распределения носителей тока в многодолинных полупроводниках. — ЖЭТФ, 1971, т.61, вып.6, с.2504−2513.
  100. В. А., Соколов В. Н. Фазовый переход в многодолинных полупроводниках в магнитном поле. — ЖЭТФ, 1973, т.65, вып.2, с.823−833.
  101. В. А., Соколов В. Н. К теории фазовых переходов в многодолинных полупроводниках. — УФЖ, 1974, т.19, вып.2, с.186−195.
  102. В. А., Соколов В. Н. Электронные и звуковые флуктуации при фазовом переходе в многодолинных полупроводниках.
  103. УФЖ, 1974, т.19, вып.9, с.1409−1421.
  104. Л. Д., Лифшиц Е. М. Теория упругости. — М.: Наука, 1987. 248 с.
  105. Л. Д., Лифшиц Е. М. Статистическая физика, ч.1. — М.: Наука, 1976. 583 с.
  106. Р., Голд А. Симметрия в твердом теле. — М.: Наука, 1970.- 424 с.
  107. С. И., Шелимова Л. И., Абрикосов Н. X. и др. Анизотропия электросопротивления теллурида германия. — ФТТ, 1973, т.15, вып.11, с.3407−3409.
  108. . Ф., Константинов П. Н., Мойжес Б. Я. и др. Кинетические эффекты в кубической и ромбоэдрической фазах. — ФТП, 1976, т.10, вып. З, с.497−503.
  109. . Ю. О 7-фазе GeTe. — ФТТ, 1978, т.20, вып.12, с.3621−3626.
  110. Vengalis В., Valatska К. Phase segregation in tellurium-saturated GeTe. — Phys. Stat. Sol. B, 1983, v.177, No.2, p.471−476.
  111. Burka J. R., Houston В., Savage H. T. The Fermi surface of tin telluride- Shubnicov de Haas effect (discussion). — J. Phys. Soc. Jap. Suppl., 1966, v.21, p.384−390.
  112. Л. Д. О движении электрона в кристаллической решетке. Собр. тр., т.1. — М.: Наука. 515 с.
  113. С. И. Исследования по электронной теории кристаллов.1. М.: АН СССР, 1951. 100 с.
  114. А. С. Теория твердого тела. — М.: Наука, 1976. -640 с.
  115. Э. И. Теория сильного взаимодействия электронных возбуждений с колебаниями решетки в молекулярных кристаллах.
  116. Оптика и спектроскопия, 1957, т.2, вып.1, с.88−98.
  117. Л. С. Состояния конденсонного типа в сильном магнитном поле. — Письма в ЖЭТФ, 1968, т.7, вып.7, с.251−253.
  118. Л. С. Электрон-фононные состояния в гомеополяр-ных кристаллах, вызванные сильным магнитным полем. — ЖЭТФ, 1969, т.57, вып. З, с.1224−1230.
  119. И. Б. Связанные состояния электрона и фонона в сильном магнитном поле. — Письма в ЖЭТФ, 1970, т.12, вып.10, с.496−499.
  120. И. Б., Рашба Э. И. Связанные состояния электрона и фонона в сильном магнитном поле, обусловленные нелинейным электрон-фононным взаимодействием. — ЖЭТФ, 1972, т.62, вып.4, с.1502−1512.
  121. И. Б., Рашба Э. И. Пороговые явления и связанные состояния в поляронной проблеме. — УФН, 1973, т.111, вып.4, с.683−718.
  122. Л. Д., Лифшиц Е. М. Квантовая механика. Нерелятивистская теория. — М.: Наука, 1989. 768 с.
  123. Шик А. Я. Квантовые нити. — Соросовский образовательный журнал, 1997, вып.5, с.87−92.
  124. Thorns S., Mclntyre I., Beaumont S. P. et al. Fabrication of quantum wires in GaAs/AlGaAs heterolayers. — J. Vac. Sci. Technol. B, 1988, v.6, No. l, p.127−130.
  125. Kohl M., Heitmann D., Ploog K., Grambow P. One-dimensional magnetoexcitons in GaAs/AlxGaixAs quantum wires. — Phys. Rev. Lett., 1989, v.63, No.19, p.2124−2127.
  126. Notomi M., Naganuma M., Nishida T. et al. Clear energy-level shift in ultranarrow InGaAs/InP quantum-well wires fabricated by reverse mesa chemical etching. — Appl. Phys. Lett., 1991, v.58, No.7, p.720−722.
  127. Weiner J. S., West K., Pfeiffer L. N. et al. Electron-gas in semiconductor multiple quantum wires — spatially indirect optical-transitions. — Phys. Rev. Lett., 1989, v.63, No.15, p.1641−1644.
  128. Reed M. A., Randall J. N., Aggarwal R. J. et al. Observation of discrete electronic states in a zero-dimensional semiconductor nanostructure. — Phys. Rev. Lett., 1988, v.60, No.6, p.535−537.
  129. Kash K., Craighead H. G., Scherer A. et al. Optical spectroscopy of ultrasmall structures etched from quantum wells. — Appl. Phys. Lett., 1986, v.49, No.16, p.1043−1045.
  130. Gershoni D., Temkin H., Dolan G. J. et al. Effects of two-dimensional confinement on the optical-properties of InGaAs/InP quantum wire structures. — Appl. Phys. Lett., 1988, v.53, No.11, p.995−997.
  131. Thornton T. J., Ahmed H., Andrews D. et al. One-dimensional conduction in the 2D electron-gas of a GaAs-AlGaAs heterojunction. — Phys. Rev. Lett., 1986, v.56, No.11, p.1198−1201.
  132. Zheng H. Z., Tsui D. C., Wei H. P., Weimann G. Gate-controlled transport in narrow GaAs / AlxGa-xAs heterostructures. — Phys. Rev. B, 1986, v.34, No.8, p.5635−5638.
  133. Timp G., Behringer R., Chang A. M. et al. Quantum transport in an electron-wave guide. — Phys. Rev. Lett., 1987, v.59, No.6, p.732−735.
  134. Hirayama Y., Saku T. Conductance characteristics of ballistic one-dimensional channels controlled by a gate electrode. — Appl. Phys. Lett., 1989, v.54, No.25, p.2556−2558.
  135. Eugster C. C., Alamo del J. A. and Rooks M. J. Transport in novel gated quantum wires: The impact of wire length. — Jap. J. Appl. Phys., 1990, v.29, No.12, p. L2257-L2260.
  136. Fowler A. B., Harstein A. and Webb R. A. Conductance in restricted-dimensionality accumulation layers. — Phys. Rev. Lett., 1982, v.48, No.3, p.196−199.
  137. Nakata S., Yamada S., Hirayama Y. et al. — Fabrication of quantum wires by Ga focused-ion-beam implantation and their transport properties. — Jap. J. Appl. Phys., 1990, v.29, No. l, p.48−52.
  138. Hirayama Y., Tarucha S., Suzuki Y. and Okamoto H. Fabrication of GaAs quantum-well-wire structure by Ga focused-ion-beam implantation and its optical properties. — Phys. Rev. B., 1987, v.37, No.5, p.2774−2777.
  139. Notzel R., Ledentsov N. N., Daweritz L. and Ploog K. Semiconductor quantum-wire structures directly grown on highindex surfaces. — Phys. Rev. B, 1992, v.45, No.7, p.3507−3515.
  140. Miller M. S., Weman H., Pryor C. E. et al. Serpentine superlattices quantum wire arrays of (Al, Ga) As grown on vicinal GaAs substrate. — Phys. Rev. Lett., 1992, v.68, p.3464−3467.
  141. Bloch J., Bockelmann U., Laruelle F. Dimensionality transition in GaAs/GaAlAs quantum wire arrays. — Europhys. Lett., 1994, v.28, p.501−506.
  142. Miller M. S., Pryor C. E., Weman H. et al. Serpentine superlattice: Concept and first results. — J. Cryst. Growth, 1991, v. lll, p.323−327.
  143. Weman H., Miller M. S., Pryor C. E. et al. Optical properties of quantum-wire arrays in (Al, Ga) As serpentine-superlattice structures. — Phys. Rev. B, 1993, v.48, No. ll, p.8047−8060.
  144. Van Wees B. J., Vanhouten H., Beenakker C. W. J. et al. Quantized conductance of point contacts in a two-dimensional electron-gas. — Phys. Rev. Lett., 1988, v.60, No.9, p.848−850.
  145. Wharam D. A., Thornton T. J., Newbury R. et al. One-dimensional transport and the quantization of the ballistic resistance. — J. Phys. C, 1988, v.21, No.8, p. L209-L214.
  146. Arakawa Y. and Sakaki H. Multidimensional quantum well laser and temperature dependence of its threshold current. — Appl. Phys. Lett., 1982, v.40, p.939.
  147. Kapon E., Hwang D. M., Bhat R. Stimulated-emission in semiconductor quantum wire heterostructures. — Phys. Rev. Lett., 1989, v.63, No.4, p.430−433.
  148. Perug-fei Yuh and Wang K. L. One-dimensional transport in quantum well wire high electron mobility transistor. — Appl. Phys. Lett., 1986, v.49, No.25, p.1738−1741.
  149. В. M., Карнаков Б. M., Коган В. И. Задачи по квантовой механике. — М.: Наука, 1981. с. 18, 152.
  150. Бонч-Бруевич В. JL, Калашников С. Г. Физика полупроводников. — М.: Наука, 1990. — 688 с.
  151. М. В. Новые варианты фотогальванического эффекта.
  152. Тез. докл. X Совещания по теории полупроводников, Новосибирск, 1980, ч.2, с. 190.
  153. А. А. Основы теории металлов. — М.: Наука, 1987.- 520 с.
  154. В. И. Курс высшей математики, т.2. — М.: Наука, 1967. 656 с.
  155. П. И., Клочков В. П., Потыкевич И. В. Полупроводниковая электроника. Справочник. — Киев: Наукова думка, 1975. 704 с.
  156. Физические величины. Справочник (под ред. Григорьева И. С., Мейлихова Б. 3.). — М.: Энергоатомиздат, 1991. 1232 с.
  157. Г. М., Квон 3. Д., Лубышев Д. И., Мигаль В. П., Пого-сов А. Г. Квантовый перенос в 8-легированных слоях GaAs. — ФТП, 1991, т.25, вып.4, с.601−607.
  158. Blokh M. D., Entin M. V. The photoexcited flow of nonequilibrium phonons along a crystal surface. — Phys. Stat. Sol. A, 1984, v.126, p.487−493.
  159. Bachtold A., Strunk С., Salvetat J.-P. et al. Aharonov-Bohm oscillations in carbon nanotubes. — Nature, 1999, v.397, p.673−675.
  160. M. Д., Магарилл JI. И., Энтин М. В. Теория явлений переноса в сильном электрическом поле для кристаллов без центра инверсии. — ФТП, 1978, т.12, вып.2, с.249−257.
  161. Kubo R., Miyake S. F., Hashitsume N. Quantum theory of galvanomagnetic effect at extremaly strong magnetic field. — Sol. State Phys., 1965, v.17, p.269−364.
  162. Muro K., Mori S., Narita S. et al. Cyclotron resonance of two-dimensional electrons in AlxGa^xAs/GaAs heterojunctions. — Surf. Sei., 1984, v.142, p.394−399.
  163. Narita S., Muro K., Mori S. et al. Anomalous cyclotron resonance of 2D electrons in AlxGa-xAs / GaAs hetero junctions. — Lecture Notes in Physics, 1983, v.177, p.194−198.
  164. Z., Hwang J. С. M., Allen S. J. et al. Infrared studies of the GaAs/(GaAl)As two-dimensional electron gas. — Surf. Sei., 1984, v.142, p.423−426.
  165. Z., Allen S. J., Hwang J. С. M. et al. Cyclotron resonance in two dimensional. — Phys. Rev. В., 1984, v.30, No. l, p.435−437.
  166. Stern F., Howard W. E. Properties of semiconductor surface inversion layers in the electric quantum limit. — Phys. Rev., 1967, v.163, No.3, p.816−835.
  167. H., Мермин H. Физика твердого тела, т.1. — М.: Мир, 1979. 400 с.
  168. Дж. Принципы теории твердого тела. —М.: Мир, 1966. 416 с.
  169. Ч. Введение в физику твердого тела. — М.: Наука, 1978. 792 с.
  170. Lakhany A. A., Stiles P. J. Shubnikov de Haas oscillations in n-type inversion layers on (110) and (111) surfaces of Si. — Phys. Lett. A, 1975, v.51, No.2, p.117−118.
  171. Neugebauer Т., von Klitzing K., Landwehr G., Dorda G. Surface quantum oscillations in (110) and (111) n-type silicon inversion layers. — Sol. State Commun., 1975, v.17, No.3, p.295−300.
  172. Neugebauer Т., von Klitzing K., Landwehr G., Dorda G. Quantum oscillations in (110) and (111) n-channel MOSFETs. — Surf. Sci., 1976, v.58, p.261−262.
  173. Tsui D. C., Kaminsky G. Valley degeneracy of electrons in acumulation and inversion layers on (111) Si surfaces. — Sol. State Commun., 1976, v.20, No. l, p.93−95.
  174. Dorda G., Gesch H., Eisele I. Valley degeneracy and mobility anisotropy under mechanical stress on (111) silicon inversion layers. — Sol. State Commun., 1976, v.20, No.4, p.429−432.
  175. D. С., Kaminsky G. Si inversion layers with a six-fold valley degeneracy. — Surf. Sci., 1980, v.98, p.400−406.
  176. Kelly M. J., Falicov L. M. Electronic structure of inversion layers in many-valley semiconductors. — Phys. Rev. Lett., 1976, v.37, No.15, p.1021−1024.
  177. Kelly M. J., Falicov L. M. Stress and temperature dependence of the electronic propersties of n-type sislicon inversion layers. — J. Phys. C, 1977, v.10, No.23, p.4735−4752.
  178. Kelly M. J., Falicov L. M. Applied stresses, cyclotron resonance and charge-density-waves in silicon inversion layers. — Sol. State Commun., 1977, v.22, No.7, p.447−450.
  179. Kelly M. J., Falicov L. M. Electronic ground state of inversion layers in many-valley semiconductors. — Phys. Rev. B, 1977, v.15, No.4, p.1974−1982.
  180. Kelly M. J., Falicov L. M. Optical properties of charge-density-wave ground states for inversion layers in many-valley semiconductors. — Phys. Rev. B, 1977, v.15, No.4, p.1983−1987.
  181. Vinter В., Owerhauser A. W. Resolution of Shubnicov de Haas paradoxes in Si inversion layers. — Phys. Rev. Lett., 1980, v.44, No. l, p.47−50.
  182. Tsui D. C., Kaminsky G. Observation of sixfold valley degeneracy in electron inversion layers on Si (111) — — Phys. Rev. Lett., 1979, v.42, No.9, p.595−597.
  183. Г. M., Заварицкий Н. В., Квон 3. Д., Юргенс А. А. О долинном вырождении двумерных электронов у поверхности111. кремния. — Письма в ЖЭТФ, 1984, т.40, вып.7, с.275−278.
  184. Ohkawa F. J., Uemura Y. Hartree approximation for the electronic structure of a p-channel inversion layer of silicon M.O.S. — Prog. Theor. Phys. Suppl., 1975, No.57, p.164−175.
  185. Bangert E., Landwehr G. Self-consistent calculations of electric subbands in p-type silicon inversion layers. — Surf. Sci., 1976, v.58,p.138−140.
  186. Braido D. A., Sham L. J. Effective masses of holes at GaAs — AlGaAs heterojunctions. — Phys. Rev. B, 1985, v.31, No.2, p.888−892.
  187. Ekenberg U., Altarelli M. Calculation of hole subbands at the GaAs AlxGaxAs interface. — Phys. Rev. B, 1984, v.30, No.6, p.3569−3572.
  188. Ando T. Hole subband at GaAs/AlGaAs heterojunctions and quantum wells. — J. Phys. Soc. Jap., 1985, v.54, No.4, p.1528−1536.
  189. Altarelli M., Ekenberg U., Fasolino A. Calculations of hole subbands in semiconductor quantum wells and superlattices. — Phys. Rev. B, 1985, v.32, No.8, p.5138−5143.
  190. С. С. Пространственное квантование в полупроводниковых пленках. — ФТТ, 1970, т.12, вып.8, с.2269−2276.
  191. Shvartsman L. D. Subband structure and kinetic characteristics of thin films of gapless semiconductors. — Sol. State Commun., 1983, v.46, No.11, p.787−790.
  192. JI. Д. Размерноквантованные полупроводниковые структуры со сложным законом дисперсии. — Дисс.. канд. физ.-мат. наук. Новосибирск, 1984.
  193. А., Пирагас А. Превращение тяжелых дырок в легкие в полупроводниковой пленке. — ФТП, 1975, т.9, вып.11, с.2202−2205.
  194. М. И., Хаецкий А. В. Размерное квантование дырок в полупроводнике со сложной валентной зоной и носителей в бесщелевом полупроводнике. — ЖЭТФ, 1982, т.82, вып.5, с.1584−1590.
  195. J. М., Kohn W. Motion of electrons and holes in perturbed periodic fields. — Phys. Rev., 1955, v.97, No.4, p.869−883.
  196. Luttinger J. M. Quantum theory of cyclotron resonance in semiconductors: General theory. — Phys. Rev., 1956, v.102, No.4, p.1030−1041.
  197. Вир Г. Л., Пикус Г. Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. — М.: Наука, 1972. 584 с.
  198. Ю. А. Генезис деформаций и деформационные эффекты в гетероэпитаксиальных пленках. — Полупроводниковая техника и микроэлектроника, 1979, вып.30, с.3−24.
  199. М. Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике. — М.: Наука, 1986. -144 с.
  200. М. Г., Освенский В. Б. Закономерности дефекто-образования в гетероэпитаксиальных структурах соединений
  201. AIHBV для оптоэлектроники. — Кристаллография, 1977, No.2, с.431−447.
  202. В. JI., Джиоев Р. И., Захарченя Б. П. и др. Определение знака-фактора и обнаружение деформации эпитаксиальных пленок при поперечном эффекте оптической ориентации в полупроводниках. — ЖЭТФ, 1974, т.66, вып.5, с.1790−1796.
  203. И. Н., Берт Н. А., Конников С. Г., Уманский В. Е. Определение упругих напряжений в гетероструктурах методом широкорасходящегося пучка рентгеновских лучей. — ФТП, 1980, т.14, вып.1, с.96−100.
  204. Н. А., Гореленок А. Т., Дзигасов А. Г. и др. Определение упругих напряжений и величин несоответствия параметров решеток в гетероструктурах InGaAsP—InP по поляризации люминесценции. — ФТП, 1982, т.16, вып.1, с.60−67.
  205. G. С. Strained-layer super lattices from lattice mismatched materials. — J. Appl. Phys., 1982, v.53, No.3, p.1586−1589.
  206. Osborn G. C. InxGa^xAs — InyGayAs strained-layer superlattices: A proposal for useful, new electronic materials. — Phys. Rev. B, 1983, v.27, No.8, p.5126−5128.
  207. X., Паниш M. Лазеры на гетероструктурах. Т.2: Материалы. Рабочие характеристики. — М.: Наука, 1972. 584 с.
  208. G. D., Chang Y. С. Effects of uniaxial stress on the electronic and optical properties of GaAs — AlxGa^xAs quantum wells. — Phys. Rev. B, 1985, v.32, No.6, p.4282−4285.
  209. L. С., Bassani F., Pasquarello A. Hole subbands in strained GaAs GaixAlxAs quantum wells — exact Sslution of the effective-mass equation. — Phys. Rev. B, 1987, v.36, No.11, p.5887−5894.
  210. Platero G., Altarelli M. Electronic-structure of superlattices and quantum wells under uniaxial-stress. — Phys. Rev. B, 1987, v.36, No.12, p.6591−6595.
  211. Schirber J. E., Fritz I. J., Dawson L. R. Light-hole conduction in InGaAs/GaAs strained-layer superlattices. — Appl. Phys. Lett., 1985, v.46, No.2, p.187−189.
  212. Поляроны (сб. статей под ред. Фирсова Ю. А.) — М.: Наука, 1975. 424 с.
  213. Д. М., Хархалис JI. Ю., Берча А. И., Шнайдер М. Низкоэнергетическая непараболичность и конденсонные состояния в кристаллах /п45е3. — ФТП, 1997, т.31, вып.11, с.1299−1303.
  214. Bercha D.M., Kharkhalis L. Y., Bercha A. I., Sznajder M. Band-structure and condensons states in crystals. — Phys. Stat. Sol. B, 1997, v.203, No.2, p.427−440.
  215. И. M. Электроны и дырки в полупроводниках. — М.: Наука, 1972. 640 с.
  216. И. М. Зонная структура полупроводников. — М.: Наука, 1978. 328 с.
  217. У. Электронная структура и свойства твердых тел, т.1. — М.: Мир, 1983. 336 с.- 225
  218. А. И. Введение в теорию полупроводников. — М.: Наука, 1978. 616 с.
  219. Р., Лейтон Р., Сэндс М. Фейнмановские лекции по физике, т.т. 8−9. — М.: Мир, 1978. 528 с.
  220. Ploog К., Hauser М., Fisher A. Fundamental studies and device application of ?-dopiilg in GaAs layers and in AlxGai-xAs / GaAs heterostructures. — Appl. Phys. A, 1988, v.45, p.233−244.
  221. Schubert E. F. Delta-doping of III-V compound semiconductors: fundamental and device applications. — J. Vac. Sci. Technol. A, 1990, v.8, No.3, p.2980−2996.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!