Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Влияние радиационного и термического воздействия на состав и структуру алмазоподобных водородсодержащих углеродных пленок

Диссертация: Влияние радиационного и термического воздействия на состав и структуру алмазоподобных водородсодержащих углеродных пленок
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

На основе модельных расчетов для экспериментальных данных по облучению а-С:Н пленок различными ионами установлено, что величина остаточной концентрации водорода в пленке определяется максимальным количеством радиационно-освобожденного подвижного водорода, которое способны захватить радиационные дефекты-ловушки в заданных условиях облучения. Разработана методика расчета остаточной концентрации… Читать ещё >

Влияние радиационного и термического воздействия на состав и структуру алмазоподобных водородсодержащих углеродных пленок (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
    • 1. 1. Основные способы получения алмазоподобных углеродных пленок
  • АПП)
    • 1. 1. 1. Осаждение АПП из углеводородной плазмы. Влияние условий осаждения на их свойства
    • 1. 2. Механизмы роста АПП
    • 1. 2. 1. Конденсация пленок с поверхности
    • 1. 2. 2. Рост пленок «изнутри»
    • 1. 3. Состав и структура а-С:Н пленок
    • 1. 3. 1. Особенности определения состава а-С:Н пленок
    • 1. 3. 2. Структура а-С:Н пленок
      • 1. 3. 2. 1. Микроструктура а-С:Н пленок
      • 1. 3. 2. 2. Химическая структура водородосодержащих АПП. Модель случайной ковалентной сетки
      • 1. 3. 2. 3. Определение соотношения эр /эр связей в а-С:Н пленках
      • 1. 3. 3. Дефекты в структуре АПП
    • 1. 4. Влияние состава и структуры на свойства АПП
      • 1. 4. 1. Влияние водорода на свойства а-С:Н пленок
      • 1. 4. 2. Взаимосвязь структуры и свойств АПП
    • 1. 5. Изменение свойств а-С:Н пленок при внешних воздействиях
      • 1. 5. 1. Радиационный выход водорода из а-С:Н пленок при облучении высокоэнергетичными ионами
      • 1. 5. 2. Термическое воздействие на а-С:Н пленки
    • 1. 6. Практическое применение АПП пленок
  • ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ
  • 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Получение алмазоподобных углеродных пленок
    • 2. 2. Электронно-микроскопическое исследование структуры пленок
    • 2. 3. Определение состава пленок методом ядерного микроанализа
    • 2. 4. Методика проведения отжигов АПП пленок
    • 2. 5. Определение типов химических связей, электрических и оптических свойств
  • АПП пленок
    • 2. 6. Расчеты параметров взаимодействия ускоренных ионов с АПП пленками
  • 3. РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТОВ ПО ПОЛУЧЕНИЮ УГЛЕРОДНЫХ ПЛЕНОК С АЛМАЗОПОДОБНЫМИ СВОЙСТВАМИ
    • 3. 1. Результаты и обсуждение экспериментов по определению химической структуры и состава углеродных пленок
    • 3. 2. Электрические, оптические свойства и микроструктура углеродных пленок, полученных разложением пропана
    • 3. 3. Получение пленок деструкцией дейтерированного метана СБ4 и их основные свойства
  • 4. ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ И ОБЛУЧЕНИЯ НА СОСТАВ И
  • СТРУКТУРУ С-Б ПЛЕНОК. РЕЗУЛЬТАТЫ ЭКСПЕРИМЕНТОВ
    • 4. 1. Изменение состава С-0 пленок при температурном воздействии
    • 4. 2. Особенности изменения состава С-0 пленок при облучении ионами дейтерия с энергией Е=900кэВ
    • 4. 3. Результаты изменения состава С-0 пленок при облучении предварительно отожженных пленок
    • 4. 4. Влияние температуры и облучения на структуру С-0 пленок
  • 5. ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ ТЕРМИЧЕСКОГО И РАДИАЦИОННОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ НА СОСТАВ И СТРУКТУРУ а-С:Н ПЛЕНОК
    • 5. 1. Ионизационно-вакансионная модель радиационно-стимулированного выхода водорода из а-С:Н пленок
    • 5. 2. Определение величин, входящих в основное уравнение ионизационно-вакансионной модели
    • 5. 3. Обсуждение экспериментальных данных. Основные закономерности и механизм выхода водорода из а-С:Н пленок
    • 5. 4. Обсуждение экспериментальных данных по изменению структуры СТ) пленок, полученных в ППТ при термическом и радиационном воздействии

Современный уровень технического развития, характеризующийся расширением диапазона условий работы машин и механизмов и возрастанием роли наукоемких технологий, требует получения и исследования новых материалов. В середине 80х годов внимание исследователей привлек класс новых материалов — алмазоподобных углеродных пленок. Такие пленки были получены простыми ионно-плазменными методами, в частности, путем деструкции углеводородов. Алмазоподобными эти пленки были названы благодаря тому, что они обладали макроскопическими свойствами алмаза (высокой твердостью, большим электросопротивлением, химической стойкостью, прозрачностью в ИК-диапазоне и т. д.). Впоследствии было показано, что характер химических связей между атомами углерода в таких пленках, даже в тех, которые содержали значительное количество водорода, аналогичен связям в алмазе.

Различные варианты конденсации позволяют получать алмазоподобные углеродные пленки разного состава: безводородные и водородосодержащие.

В од ородосо держащие а-С:Н пленки обладают большим электросопротивлением, прозрачностью в ИК диапазоне, низкими внутренними напряжениями. Разработанные модельные представления структуры таких пленок показали, что водород играет существенную роль в формировании комплекса их свойств. Внешние воздействия на а-С:Н пленки (в частности, температурное и радиационное) приводят к изменению концентрации в них водорода, что сопровождается изменением алмазоподобной структуры вследствие графитизации. В связи с этим возникла задача экспериментального изучения изменения состава и структуры а-С:Н пленок при термическом и радиационном воздействии, а также построения физических моделей, описывающих эти изменения и способных к прогностическому применению.

Этим двум проблемам и посвящена данная работа.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА.

В работе впервые: получены углеродные С-Б пленки, содержащие в своем составе изотоп водородадейтерий, для использования пучка ускоренных ионов (Е = 900 кэВ) для облучения и одновременного контроля содержания в них водорода (дейтерия) — в одинаковых условиях температурного и радиационного воздействия исследованы С-0 пленки, полученные различными методамипроведено исследование изменения состава и структуры С-Б пленок при последовательном воздействии температуры и облученияисследовано радиационное изменение состава С-0 пленок, в которых различная начальная концентрация водорода и структура получены вариацией условий осаждения и предварительными отжигамиразработана модель радиационно-стимулированного выхода водорода из углеродных водородосодержащих пленок при ионном облучении, учитывающая влияние радиационных дефектов на процесс захвата радиационно-освобожденного подвижного водородаустановлена количественная зависимость между уровнем остаточной концентрации водорода в а-С:Н пленке при ионном облучении и количеством радиационных дефектов-ловушек, приходящихся на одну разорванную связьустановлена количественная зависимость между дозой, при которой наступает стабилизация концентрации водорода в а-С:Н пленке при ионном облучении, и общими энергетическими потерями иона в пленке.

АКТУАЛЬНОСТЬ РАБОТЫ.

Актуальность работы определяется тем, что она.

1. Посвящена исследованию одного из самых перспективных материаловуглеродных пленок, в частности, алмазоподобных водородосодержащих (а-С:Н).

2. Расширяет современные представления о процессах, происходящих в алмазоподобных пленках при температурном и радиационном воздействиях, и непосредственно связана с определением областей устойчивости их структуры и стабильности свойств в реальных условиях эксплуатации.

3. Посвящена поиску путей прогнозирования изменения состава пленок в заданных условиях радиационного воздействия.

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЦЕННОСТЬ.

Результаты работы позволяют предсказывать для заданных условий радиационного и термического воздействия изменение состава и структуры алмазоподобных водородосодержащих углеродных пленок, полученных в разных условиях конденсации. Расчеты на основе предложенной модели основных параметров, определяющих кинетику радиационного воздействия, могут быть использованы при выборе условий анализа содержания водорода методами, основанными на применении ионных пучков.

НАДЕЖНОСТЬ РЕЗУЛЬТАТОВ.

Надежность полученных результатов обеспечивается: использованием отработанной надежной методики измерения содержания дейтерия в углеродных пленкахвоспроизводимостью результатов измерения состава на различных участках пленкивоспроизводимостью результатов исследования свойств пленок, полученных в одинаковых условиях напыления;

— использованием аттестованных средств измерения;

— согласием следствий предложенной модели радиационного воздействия на а-С:Н пленки с собственными и литературными экспериментальными результатами.

ПОСТРОЕНИЕ ДИССЕРТАЦИОННОЙ РАБОТЫ.

Диссертация состоит из введения, постановки задачи, пяти глав, основных результатов и выводов.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Установлено, что углеродные алмазоподобные пленки, полученные в плазме постоянного тока, при температурном воздействии разлагаются с выделением углеводородов. Из пленок, полученных в высокочастотном разряде, наблюдается термический выход только дейтерия. При облучении пленок ионами с энергией Е=900кэВ независимо от способа получения пленок и предварительной термообработки из их состава выходит только дейтерий.

2. Установлено, что отжиги пленок при I > 300 °C приводят к нарушению сплошности пленки — появлению мелкодисперсных выделений графита размером (10−20)нм. Графитизация пленок вследствие отжигов влияет на характер структурных изменений при последующем облучении.

3. Облучение С-0 пленок с различной структурой (сформированной вследствие вариации условий осаждения, либо путем предварительных отжигов) ионами (Е=900кэВ) в интервале доз (1017. -1018) см" 2 приводит к радиационно-стимулированному выходу из их состава дейтерия, если его начальная концентрация в пленке превышает 40 ат.%. Концентрации водорода в этих условиях облучения снижается до 40 ат.%, после чего стабилизируется.

4. Предложена модель радиационно-стимулированного выхода водорода из углеродных водородосодержащих а-С:Н пленок. Основные положения модели базируются на предположении, что при радиационном воздействии в пленке протекают два конкурирующих процесса: появление радиационно-освобожденного подвижного водорода и его захват на радиационных дефектах-ловушках.

5. На основе модельных расчетов для экспериментальных данных по облучению а-С:Н пленок различными ионами установлено, что величина остаточной концентрации водорода в пленке определяется максимальным количеством радиационно-освобожденного подвижного водорода, которое способны захватить радиационные дефекты-ловушки в заданных условиях облучения. Разработана методика расчета остаточной концентрации водорода для заданных условий облучения.

6. Получена количественная зависимость между дозой насыщения Фнас и энергетическими потерями иона в пленке ёЕ/ёх. Зависимость может быть практически использована при априорных оценках окончания процесса обезводораживания в конкретных условиях облучения а-С:Н пленок.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Aisenberg S., Chabot R. Properties and applications of diamondlike carbon films. J. Appl. Phys., 1971, v. 42, p.2953−2957.
  2. DeVries R.C. Synthesis of diamond under metastable conditions. Ann. Rev. Matter. Sci., 1987, v.17, p.161−187.
  3. Lifshitz Y. Hydrogen-free amorphous carbon films: correlation between growth conditions and properties. Diamond and Related Materials, 1996, v.5, p.388−400.
  4. Weiler M., Robertson J., Sattel S., Veerasamy V.S., Jung K., Ehrhardt H. Formation of Highly Tetrahedral Amorphous Hydrogenated Carbon, ta-C:H. Diamond and Related materials, 1995, v.4, p.268−271.
  5. Spitsyn B.V. Research and development in the field of diamond films in Russia. -Diamond and Related Materials, 1993, v.2, p.65−69.
  6. .В., Спицин. Б. В. Структура пленок алмаза, полученных из газовой фазы при низких давлениях. Доклады Академии Наук СССР, 1973, т.213, № 5, с.1059−1061.
  7. JI.B., Пилянкевич А. Н. Фазовые превращения в углероде и нитриде бора. Киев, Наукова думка, 1979 г., 188с.
  8. А.В., Коншина Е. А. Способы получения и свойства углеродных алмазоподобных пленок. Оптико-механическая промышленность, 1982 г., № 9, с.52−59.
  9. Konkov O.I., Terukov E.I., Trapeznikova I.N. Fabrication and properties of low-temperature tetrahedral amorphous-carbon films. Semiconductors, 1996, v.30, Iss.12, p. l 138−1139.
  10. Weiler M., Sattel S., Jung K., Ehrhardt H., Veerasamy V.S., Robertson J. Highly tetrahedral, diamond-like amorphous hydrogenated carbon prepared from a plasma beam source.- Appl. Phys. Lett., 1994, v.64, Iss.21, p.2797−2799.
  11. Nistor L.C., Vanlanduyt J., Ralchenko V.G., Kononenko T.V., Obraztsova E.D., Strelnitsky V.E. Direct observation of laser-induced crystallisation of a-C:H films. Appl. Phys., 1994, v. A (58), Iss. 2, p.137−144.
  12. Fedoseev D.V., Rychkov B.A., Chuzhko R.K., Lubnin E.N. Deposition of a-C:H films in hall accelerator plasma. Diamond and Related Materials, 1995, v.4, p.314−317.
  13. Zhang Wei, Catherin. Deposition of carbon films by the dissociation of methane in r.f. discharge. Surface and Coatings Technology, 1991, v.47, p.69−83.
  14. Serra C., Pascual E., Maass F., Esteve J. Plasma deposition of hydrogenated amorphous carbon (a-C:H) under a wide bias potential range. Surface and Coatings Technology, 1991, v.47, p. 89−97.
  15. Wood P., Wydeven T., Osamu Tsuji. Effect of temperature on the deposition rate and properties of hydrogenated amorphous carbon films. Surface and Coatings Technology, 1991, v.49, p.399−405.
  16. Keudell A., Moller W. A combined plasma-surface model for the deposition of C: H films from a methane plasma. J. Appl. Phys., 1994, v. 75, Iss.12, p.7718−7727.
  17. Konway N.M.J., Milne W.I., Robertson J. Electronic properties and doping of hydrogenated tetrahedral amorphous-carbon films. Diamond and Related materials, 1998, v.7, Iss. 2−5, p.477−481.
  18. Lifshitz Y., Lempert G.D., Grossman E. at all. Growth mechanisms of DLC films from C+ ions: experimental studies. Diamond and Related materials, 1995, v.4, p.318−322.
  19. McKenzie D.R., Muller D., Pailthorpe B.A., Wang Z.N., Kravtchinskaia E., Segal D., Lukins P.B., Swift P.D. Properties of tetrahedral amorphous carbon prepared by vacuum arc deposition. Diamond and Related Materials, 1991, v. 1, p.51−59.
  20. Aksenov I.I., Strelnitskij V.E. Properties of diamond-like coatings prepared by vacuum arc deposition. Surface and Coatings Technology, 1991, v.47, p.69−83.
  21. Robertson J. Structural models of a-C and a-C:H. Diamond and Related materials, 1995, v.4, Iss. 4, p.297−301.
  22. Falabella S., Boercker D.B., Sanders D.M. Fabrication of Amorphous diamond films.-Thin Solid Films, 1993, v. 236, Iss. 1−2, p. 82−86.
  23. Fallon P.J., Veerasamy V.S., Davis C.A., Robertson J., Amaratunga G., Milne W.I., Koshkinen J. Properties of filtered-ion-beam-deposited diamondlike carbon as a function of ion energy. Phys. Rev., 1993, v. B 48, p.4777−4782.
  24. Veerasamy V.S., Amaratunga G., Milne W.I., Hewitt P., Fallon P.J., Davis C.A. Optical and electronic properties of amorphous diamond. Diamond and Related materials, 1993, v.2, p.782−787.
  25. Schwan J., Ulrich S., Jung K. Deposition of ta-C:H films by r.f. plasma discharges. -Diamond and Related Materials, 1995, v.4, p.304−308.
  26. Wang W., Roth J., Eckstein W., Schwoerer R., Plank H., Du M. Deposition of amorphous hydrogenated carbon films due to hydrocarbon molecule ion-beam bombardment. Nucl.1.strum. and Meth., 1997, V. B129, p.210−216.
  27. Angus J. Dense «diamondlike» hydrocarbons as random covalent networks. J. Vac. Sci. Technol., 1988, v. A 6 (3), p. 1778−1782.
  28. Luithardt W., Schmidt I., Benndorf C. Deposition of metal-containing diamond-like carbon films from metal-organic precursors using a plasma activated r.f. process. -Diamond and Related materials, 1996, v.5, p.415−419.
  29. Fujimoto F., Tanaka M., Iwata Y. Hydrogen release during ERD analysis of hydrogen in amorphous carbon films prepared by RF sputtering. Nucl. Instr. and Meth., 1988, v. B 33, p. 792−794.
  30. Ingram D.C., McCormick A.V. The effect of MeV ion irradiation on the hydrogen content and resistivity of direct ion beam deposition diamondlike carbon. Nucl. Instr. and Meth., 1988, v. B 34, p. 68−73.
  31. Zou J.W., Schmidt K., Reichelt B. The effect of heavy ion bombardment on the properties of hard a-C:H (i-C) films.- J. Vac. Sci. Technol., 1988, v. A 6 (6), p. 31 033 104.
  32. Pawlak F., Balanzat E., Dufour C., Laurent A., Paumier E., Perrier J., Stoquert J.P., Toulemonde M. Hydrogen pumping in amorphous deutereted carbon films irradiated by swift heavy ions. Nucl. Instrum. and Meth., 1997, v. 122, p.579−582.
  33. Pawlak F., Dufour C., Laurent A., Paumier E., Perrier J., Stoquert J.P., Toulemonde M. Amorphous deutereted carbon films irradiated by swift heavy ions infrared measurements and ion-beam analysis. — Nucl. Instrum. and Meth., 1997, v. 131, p.135−140.
  34. Freire F.L., Achete C.A., Franceschini D.F., Mariotto G. In depth modifications of implanted amorphous carbon films. Appl. Phys., 1994, v.59, p.667−672.
  35. Prawer S., Kalish R., Adel M., Richter V. Effects of heavy ion irradiation on amorphous hydrogenated diamondlike carbon films. J. Appl. Phys., 1987, v. 61, p. 4492−4500.
  36. Gonzalez- Hernandez J., Azomoza R., Reyes-Mena A. Grafitization of amorphous diamondlike carbon films by ion bombardment. Vac. Sci. Technol, 1988, -.A 6(3), p. 1798−1803.
  37. Wang T., Wang W., Buliang Ch. The irradiation effect of MeV protons on diamond like carbon films.- Nucl. Instrum. and Meth., 1992, v. B 71, p. 186−190.
  38. Wang W., Wang T., Jung C. The properties and structural changes of diamond — like carbon films after irradiation with 110 kev Fe+ ions. — Nucl. Instrum. and Meth., 1995, v.95, p.339−343.
  39. Serra С., Pascual E., Maass F., Esteve J. Plasma deposition of hydrogenated amorphous carbon (a-C:H) under a wide bias potential range. Surface and Coatings Technology, 1991, v.47, p. 89−97.
  40. Mitura S., Has Z. The system for depositing hard diamond-like films onto complex-shaped machine elements in an r.f. arc plasma. Surface and Coatings Technology, 1991, v.47, p.69−83.
  41. B.B., Матюшенко H.H., Матвиенко Б. В., Остапенко И. Л., Стрельницкий В. Е. Микромикродифракционное исследование аморфной углеродной пленки. -Сверхтвердые материалы, 1986, № 5, с.6−9.
  42. М.Б., Бабаев В. Г., Никифорова Н. Н., Савченко Н. Ф. Анализ и обработка картин электронной дифракции аморфного углерода. Поверхность. Физика, химия, механика, 1984, № 2, с.61−70.
  43. Sumio S. Preparation, structures and characteristics of amorphous materials. Res. Rep. Eng. Mie. Univ., 1979, v.4, p.85−115.
  44. Pilankiewich E.A., Mitura S. Structure origins of diffraction pattern features of diamondlike films. Diamond and Related Materials, 1993, v.2, p.573−574.
  45. Bewilogua K., Deutrich D., Pagel L., Schurer C., Weissmantel C. Structure and properties of transparent and hard carbon films. Surf. Sci., v.86, p.308−313.
  46. H., Мермин H. Физика твердого тела. Москва, Мир, 1979 г., т.1,400 с.
  47. Demichelis F., Pirri C.F., Tagliaferro A. Determination of sp3/sp2 ratio in diamond-like films of a-C:H. Diamond and Related Materials, 1992, v. l, p.298−300.
  48. Ralchenko V.G., Loubnin E.N., Popov A.V. Hydrogen distribution and heterogeneity of chemical bonds in surface and internal layers of a-C:H films. Diamond and Related Materials, 1992, v. l, p.345−349.
  49. Prawer S., Nugent K.W., Lifshitz Y., Lempert G.D., Grossman E., Kulik J., Avigal I., Kalish R. Systematic variation of the Raman spectra of DLC films as a function of sp2: sp3 composition. Diamond and Related materials, 1996, v.5, p.433−438.
  50. Oral В., Hauert R., Muller U., Ernst K.H. Structural changes in doped a-C:H films during annealing.- Diamond and Related materials, 1995, v.4, p.482−487.
  51. Demartino C., Demichelis F., Tagliaferro A., Patrini M., Rizzi A., Fontaine M., Layet J.M. Comparison of bulk and surface-structure in hydrogenated amorphous-carbon films. -Diamond and Related materials, 1995, v.4, p.996−999.
  52. Strelnitskij V.E., Zaulichnyj Ya.V., Zhurakhovskij A.A. X-ray emission spectroscopy of structural properties of diamond-like carbon films. Diamond and Related Materials, 1992, v. l, p.341−344.
  53. Bounouh Y., Chahed L., Sadki A., Theye M.L. Network connectivity and structural defects in a-C:H films. Diamond and Related Materials, 1995, v.4, p.492−498.
  54. Honeybone P.J.R., Newport R.J., Howells W.S., Franks J. Inelastic neutron scattering of amorphous hydrogenated carbon. Diamond and Related Materials, 1992, v. l, 293−297.
  55. Robertson J. Mechanical properties and structure of diamond-like carbon. Diamond and Related materials, 1992, v. l, p. 397−406.
  56. Zou J.W., Reichelt K., Schmidt K., Dishler B. The deposition and study of hard carbon films. J.Appl.Phys., 1989, v.65, p.3914 — 3918.
  57. Biener J., Schenk A., Winter В., Schubert U.A., Lutterloch C., Kuppers J. Spectroscopic investigation of electronic and vibronic properties of ion-beam-deposited and thermally treated ultrathin C: H films. Phys. Rev., 1994, v.49, p. 17 307−17 318.
  58. Bounouh Y., Theye M.L. Influence of annealing on the hydrogen bonding and the microstructure of diamondlike and polimerlike hydrogenated amorphous carbon films. -Phys. Rev., 1995, v. В 51, p.9597−9603.
  59. Zaidi H., Huu Le., Paulmier D. Influence of hydrogen contained in hard carbon coatings on their tribological behaviour. Diamond and Related Materials, 1994, v.3, p.787−790.
  60. B.E., Зауличный Я. В., Жураковский E.A. Рентгеновские эмиссионные спектры углеродных пленок, — Сверхтвердые материалы. 1992, № 1, с. 17−20.
  61. А.А.Дорошенко, Семенович В. А., Муинов М. Т., Дуб С. Н. Некоторые особенности формирования структуры алмазоподобных пленок и перспективы их применения. -Сверхтвердые материалы, 1993, № 5, с. 15−18.
  62. Adei М.Е., Amir О., Kalish R. lon-beam-induced hydrogen release from a-C:H: A bulk molecular recombination model. J. Appl. Phys., 1989, v. 66 (7), p. 3248−3251.
  63. Moller W., Borgesen W., Scherzer B.M.U.Thermal and ion-induced release of hydrogen atoms implanted into graphite. Nucl. Instr. and Meth., 1987, v. В19/20, p. 826−831.
  64. Niwase K., Kakimoto Y., Tanaka I., Tanabe T. A laser Raman-study of D+ and He+ ion-irradiated diamond and graphite.- Nucl. Instr. and Meth., 1994, v. 91, p.78−82.
  65. Wild Ch., Koidl P. Thermal gas effusion from hydrogenated amorphous carbon films. -Appl. Phys. Lett., 1987, v.51 (19), p. 1506−1508.
  66. Amir O., Kalish R. Doping of amorphous-hydrogenated carbon films by ion implantation. Diamond and Related Materials, 1992, v. l, p. 364−368.
  67. Sattel S., Giesen T., Roth H., Scheib M., Samlenski R., Brenn R., Ehrhard H., Robertson J. Temperature dependence of the formation of highly tetrahedral a-C:H. Diamond and Related Materials, 1996, v.5, p.425−428.
  68. Yasuda K., Masuda H., Takeda M., Yoshida A. Annealing effects in amorphous hydrogenated carbon films. Phys. Stat. Sol., 1986, v.95, p.249−254.
  69. Tallant D.R., Parmeter J.E., Siegal M.P., Simpson R.L. The thermal stability of diamondlike carbon. Diamond and Related Materials, 1995, v.4, p.191−199.
  70. Ko H.W., Hsu S.E., Yang S.Y., Tsai M.S., Lee Y.N. Characterisation of diamond films for optical coatings. Diamond and Related Materials, 1994, v.2, p.694- 699.
  71. Zhang G.F., Guo L.G., Liu Z.T., Zheng X.L. Application of diamond-like carbon film as protection and antireflection coatings of ZnS elements. Optical engeneering, 1994, v.33, p.1330−1333.
  72. Olborska A., Swider M., Wolowiec R., Niedzielsky P., Raylsky A., Mitura S. Amorphous carbon biomaterial for implant coatings. — Diamond and Related Materials, 1994, v.3, p.899−901.
  73. You X.N., Body D.B., Bhatia C.S. Tribochemical study of hydrogenated carbon coatings with different hydrogen content levels in ultra-high vacuum. J. of Tribology-Transactions of the ASME, 1997, v. l 19, p. 437−442.
  74. Kobayashi A., Yoshitomi D., Yoshihara O., Imayoshi T., Kinbara A., Fumoto T., Ueno M. Carbon films for the protection of magnetic recording discs. Surface and Coating Technology, 1995, v.72, p.152−156.
  75. Gangopadhyay A.K., Willermet P.A., Tamor M.A., Vassel W.C. Amorphous hydrogenated carbon-films for tribological applications. 1. Development of moisture insensitive films having reduced compressive stress. Tribology International, 1997, v.30, p. 9−18.
  76. Szmidt J. Diamond-like layers as passivation coatings for power bipolar-transistor. -Diamond and Related Materials, 1994, v.3, p.849−852.
  77. Viskocil J., Siroky P., Vorlicek V., Perina V. Mechanical properties and Raman spectra of a-C:H and a-C:H:N coatings. Diamond and Related Materials, 1996, v.5, p.466−470.
  78. Matthews A., Eskildsen S.S. Engineering applications for diamond-like carbon. -Diamond and Related Materials, 1994, v.3, p.902−911.
  79. Winter J. Surface conditioning of fusion devices by carbonisation: hydrogen recycling an J. d wall pumping. Vac.Sci. and Techn., 1987, v. A 5(4), p.2286−2292.
  80. Michimoto S., Banno Т., Kinbara A. Hydrogen recycling in carbon film. Vacuum, 1990, v.41, p.1493−1496.
  81. Pillath J. Winter J., Particle-induced desorption of hydrogen from a-C-H at low impact energies. J. of Nucl. Mater., 1990, v.176, p. 319−325.
  82. Minagawa H., Fujita I., Hino Т., Yamashina Т., Properties of carbon-films produced by RF plasma chemical vapor-deposition. Surf, and Coating Techn., 1990, v. 43, p. 813 820.
  83. Esser H.G. Plasma Deposition of a-C/B-H layers in TEXTOR. Pure and Appl. Chem., 1992, v. 64, 5, p. 745−749.
  84. Federici G., Wu C.H. Modelling of the interaction of hydrogen plasma with amorphous-carbon films redeposited in fusion devices.- J. of Nucl. Mater., 1993, v. 207, p. 62−85.
  85. Scherzer B.M.U., Wang J., Moller W. Dynamic inventory of implanted deuterium in graphite at 116−223 K. Nucl. Instr. and Meth., 1990, v. 45, p. 54−56.
  86. Haasz A.A., Davis J.W. Synergistic chemical erosion of graphite due to simultaneous bombardment by H+ and other low-Z ions using a dual-beam accelerator. Nucl. Instr. and Meth., 1993, v. B83, p. l 17−124.
  87. Mayer M., Scherzer B.M.U., Eckstein W. Trapping and reflection coefficient for deuterium in graphite at low energy and oblique incidence.- Nucl. Instr. and Meth., 1994, v. B85, p.560−565.
  88. Scherzer B.M.U. Hydrogen in the first wall of nuclear fusion plasma devices. Nucl. Instr. and Meth., 1990, V. B45, p.57−61.
  89. Отчет о НИР «Исследование технологии по теме «Поле», выполненный по х/д № 24/86 с предприятием п/я в-2954. Свердловск, ИФМ, 1987 г., 91 с.
  90. Р. Основы просвечивающей электронной микроскопии. Мир, Москва, 1966 г., 471 с.
  91. Г. Методика электронной микроскопии. Мир, Москва, 1972 г., 300 с.
  92. Приборы и методы физического металловедения, под.ред. Ф.Вайнберга. Москва, Мир, 1974 г., т.2, 364 с.
  93. JI.M. Дифракционная электронная микроскопия в металловедении. М., Металлургия, 1973, 583 с.
  94. Д.М. Реактивы и препараты для микроскопии. Справочник. Москва, Химия. 1980 г., 479 с.
  95. Исследование физических основ бескислотных методов устранения окалины при производстве холоднокатного листа. Отчет по хоздоговорной работе № 14/79. Свердловск, 1981 г., 110 с.
  96. П.К., Скородумов Б. Г. Ядерно-физические методы определения водорода в материалах. Ташкент, «ФАН», Узбекская ССР, 1985 г., 66 с.
  97. Mayer J.M., Remini Е. Ion Beam Handbook for material Analysis. N.Y.: Acad. Press, 1977. p. 308.
  98. В.И. Рентгеноэлектронная спектроскопия химических соединений: Справ.- М.: Химия, 1984,256с.
  99. Ziegler James F., Biersack J.P., Littmark U. The Stopping and Range of Ions in Solids, Pergamon Press. New York, 1985.
  100. К. Взаимодействие излучения с твердым телом и образование элементарных дефектов. М.: Атомиздат, 1979 г., 296 с.
  101. Е.Х. Взаимодействие заряженных частиц с твердыми телами. М.: Мир, 1985 г., 309 с.
  102. Г. Физика тонких пленок. Современное состояние исследований. Сб. статей, М.: Мир, 1978, т.8, с. 14−17.
  103. Whittaker А.С., Wolten G.M. A suggested new hexagonal crystal form. Science, 1972, v.178, № 4056, p.54−56.
  104. П., Кришна A.P. Полиморфизм и политипизм в кристаллах. М.: Мир, 1969, 400с.
  105. В.М., Никулин Ю. Н., Сладков A.M. Слоисто цепочечный углерод.- ДАН СССР, 1982, т. 267, с.1150−1154.
  106. А.Б. Алмазоподобные углеродные покрытия: проблемы и достижения. -Оптико-механическая промышленность, 1989, № 6, с.49−55.
  107. Lau W.M., Bello I., Huang L.J. Thin film growth by aggregation of carbon implanted into copper crystals. — Diamond and Related Materials, 1992, v. l, p.735−740.
  108. Ingram C., Rife J.C., Tang C., Lake M.L., Ting J.M. Trapping of hydrogen in diamond. Diamond and Related Materials, 1993, v. l, p. 1414−1419.
  109. Hedin A., Hakansson P., Sundqvist B. Ion-track model for fast-ion-induced desorption of molecules. Phys. Rev., 1985, v. B31, № 4, p.1780−1787.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!