Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Влияние сильных электрических и магнитных полей на оптические и электрические свойства наноструктур со сверхрешеткой

Диссертация: Влияние сильных электрических и магнитных полей на оптические и электрические свойства наноструктур со сверхрешеткой
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Совместное влияние квантующих полей (электрического и магнитного) на полупроводниковый наноцилиндр приводит к тому, что энергетический спектр носителей становится полностью дискретным. Данная особенность спектра приводит к возможности проявления штарк-гибридно-фононного резонанса, заключающегося в том, что с ростом магнитного поля плотность тока, текущего вдоль оси цилиндра, испытывает резкие… Читать ещё >

Влияние сильных электрических и магнитных полей на оптические и электрические свойства наноструктур со сверхрешеткой (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. Полупроводниковые объекты со сверхструктурой и нелинейные волны
    • 1. 1. Влияние сильного электрического поля на электронные состояния в сверхрешетке
    • 1. 2. Электропроводность CP в сильных полях
    • 1. 3. Нелинейные волны в полупроводниковых CP
    • 1. 4. Поглощение электромагнитных волн в CP
    • 1. 5. Электронные свойства полупроводниковых наноструктур
  • 2. Влияние нелинейной электромагнитной волны на проводимость 2D -газа со сверхрешеткой в квантующем электрическом поле
  • Выводы
  • 3. Поглощение нелинейных электромагнитных волн полупроводниковой сверхрешеткой, содержащей примесные центры
    • 3. 1. Внутриминизонное поглощение нелинейной электромагнитной волны в полупроводниковой сверхрешетке
    • 3. 2. Примесное поглощение нелинейных волн электронами сверхрешетки
  • Выводы
  • 4. Влияние магнитного поля на проводимость квантового цилиндра со сверхрешеткой в условиях штарковской лестницы
  • Выводы

Актуальность проблемы.

Возросший в последнее время интерес к нелинейным явлениям стимулировал создание материалов, способных проявлять необычные (в том числе и нелинейные) свойства в легко достижимых экспериментально условиях. Одним из таких материалов является полупроводниковая сверхрешетка (CP), представляющая собой структуру, в которой помимо потенциала кристаллической решетки на электрон действует дополнительный, искусственно созданный потенциал с периодом, значительно превышающим период кристаллической решетки. Дополнительный потенциал приводит к дроблению энергетических зон кристалла вблизи краев, вследствие чего энергетический спектр электронов в образовавшихся минизонах становится сильно непараболичен. Это, в свою очередь приводит к тому, что существенная нелинейность электронных свойств CP проявляется уже в полях умеренных напряженностей.

103В/см).

Современные нанотехнологии позволяют создавать системы довольно сложной геометрической формы, что стимулирует интерес теоретиков к изучению таких объектов как квантовые проволоки, кольца, цилиндры, ямы и колодцы. Особенности геометрии отражаются на спектре носителей тока, а следовательно обуславливают специфику электронных свойств подобных структур. Полупроводниковые наноструктуры нашли свое широкое применение в микроэлектронике и технике в качестве основы генераторов и усилителей электромагнитных волн, фотоприемников, фоторезисторов, оптических фазовых и интерференционных модуляторов, цифровых оптических переключателей, что делает их еще более ценными объектами для рассмотрения.

Очень важно также, что электромагнитные (ЭМ) волны, распространяющиеся в сверхструктурах, становятся сильно нелинейными уже при относительно слабых полях (на 2−3 порядка слабее, чем в обычных полупроводниковых материалах). Одним из следствий этого является возможность распространения в CP нелинейных периодических ЭМ волн. В связи с этим представляется актуальным исследовать электронные свойства наноструктур со сверхрешеткой в условиях воздействия сильных электрических, магнитных и нелинейных ЭМ полей.

Настоящая диссертация посвящена теоретическому исследованию эффектов, проявляющихся в сверхрешетках при воздействии на них сильных постоянных и переменных электрических полей. Представляется, что сформулированные в данной работе положения и рекомендации стимулируют постановку новых экспериментов, и могут лечь в основу работы новых полупроводниковых приборов.

Цель работы.

Цель работы заключалась в теоретическом исследовании электрических и оптических свойств наноструктур со сверхрешеткой под влиянием сильных электрических, магнитных и нелинейных ЭМ полей.

В соответствии с поставленной целью решались следующие задачи:

1) Расчет вольт-амперной характеристики (В АХ) 2D-ra3a со сверхструктурой в условиях воздействия нелинейных электромагнитных волн и постоянного квантующего электрического поля.

2) Исследование продольной проводимости квантового цилиндра со сверхструктурой в квантующих электрическом и магнитном полях.

3) Изучение процесса внутриминизонного поглощения нелинейной электромагнитной волны в полупроводниковой сверхрешетке с учетом ионизации примесных центров.

4) Расчет коэффициентов внутриминизонного и примесного поглощения нелинейных волн в полупроводниковых СР.

Научная новизна.

В данной работе впервые:

1) Исследована статическая вольт-амперная характеристика 2D-ra3a с одномерной сверхструктурой при воздействии на него нелинейных электромагнитных волн, поляризованных перпендикулярно оси CP, в условиях штарковского квантования.

2) Рассчитан коэффициент внутриминизонного поглощения кноидальных волн в полупроводниковой CP с учетом ионизации примесей, а также коэффициент примесного поглощения.

3) Исследована проводимость квантового цилиндра с параболическим потенциалом конфайнмента и сверхструктурой, в условиях воздействия на него сильных постоянных электрического и магнитного полей.

Положения, выносимые на защиту:

1) Влияние нелинейной электромагнитной волны на статическую ВАХ 2D-ra3a со сверхрешеткой проявляется в том, что плотность тока испытывает гигантские осцилляции, не связанные с переходами носителей между штарковскими подуровнями. Эффект имеет пороговый характер: осцилляции проявляются при превышении напряженности электрического поля волны определенного значения.

2) Ионизация примесных центров оказывает влияние на параметры ЭМ волны, распространяющейся в CP, а следовательно, и на процесс внутриминизонного поглощения. Качественная зависимость коэффициента внутриминизонного поглощения от амплитуды кноидальной волны имеет одинаковый характер для CP с примесными центрами и без таковых. Наличие примесей продлевает область существенного поглощения в сторону более сильных полей. Данное смещение однозначно определяется концентрацией примесей в СР.

3) Эффект насыщения концентрации носителей тока в минизоне проводимости в результате поглощения кноидальных ЭМ волн обуславливает наличие резкого спада коэффициента примесного поглощения.

4) Воздействие квантующих постоянных электрических и магнитных полей на полупроводниковый наноцилиндр со сверхрешеткой приводит к проявлению штарк-гибридно-фононного резонанса, заключающегося в том, что с ростом магнитного поля плотность тока, текущего вдоль оси цилиндра, испытывает резкие скачки на фоне общего спада.

Достоверность полученных результатов обеспечивается использованием в работе современных, хорошо апробированных методов теоретической и математической физики: квантовомеханической теории возмущений, метода кинетического уравнения Больцмана, аппарата специальных функций (эллиптических, цилиндрических и т. д.). Полученные в диссертационном исследовании выводы не противоречат основным физическим закономерностям и для обобщающих результатов выполняется предельный переход к частным, ранее известным случаям.

Научная и практическая ценность работы.

Представленные в работе новые результаты и установленные закономерности процессов поглощения нелинейных волн в сверхрешетках и проводимости различных нанообъектов со сверхструктурой в квантующих полях позволяют пополнить сведения о характерных свойствах данных полупроводниковых систем, что может быть использовано в дальнейших теоретических и экспериментальных исследованиях.

Объекты исследования работы:

1) Полупроводниковая CP с примесными центрами, подвергающаяся воздействию сильных переменных электрических полей и представляющая практический интерес для оптики (генераторы и усилители сигналов, комплектующие полупроводниковых лазеров) и микроэлектроники (создание новых элементов для микросхем).

2) Нелинейные волны, имеющие приложения в нелинейной, квантовой оптике и теории информации.

3) Полупроводниковый квантовый цилиндр со сверхрешеткой, относящийся к семейству нанообъектов, нашедших свое применение в оптоэлектронике.

Апробация работы.

Результаты исследований опубликованы в журналах РАН («Физика и техника полупроводников», «Физика твердого тела», «Оптика и спектроскопия») и докладывались на:

1) VI и VIII Межвузовских конференциях студентов и молодых ученых Волгограда и Волгоградской области (Волгоград, 2001, 2003 гг.);

2) VIII и IX Всероссийских научных конференциях студентовфизиков и молодых ученых (Екатеринбург, 2002 г.- Красноярск, 2003 г.);

3) XIII и XIV Международных совещаниях «Радиационная физика твердого тела» (Севастополь, 2003, 2004 гг.);

4) V Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии» (Ульяновск, 2003 г.);

5) научных конференциях профессорско-преподавательского состава Волгоградского государственного педагогического университета (2003, 2004 гг.);

6) научных семинарах кафедр теоретической и общей физики ВГПУ.

Личный вклад автора.

Выполнено аналитическое и численное исследование в соответствии с задачами, поставленными научным руководителем:

— получены выражения для плотности тока в полупроводниковых объектах со сверхрешеткой (20-электронный газ, квантовый цилиндр) под действием квантующего электрического поля в сочетании с нелинейной кноидальной волной или магнитным полемпроанализированы зависимости полученных ВАХ от параметров рассматриваемых систем;

— рассчитаны коэффициенты внутриминизонного и примесного поглощения кноидальных ЭМ волн сверхрешеткойпроанализировано влияние процесса ионизации примесей на параметры нелинейных волн и процессы поглощения;

Автор также принимал непосредственное участие в моделировании процессов на ЭВМ, обсуждении и интерпретации результатов. Основные положения диссертационного исследования опубликованы в соавторстве с профессором Крючковым С. В. и доцентом Завьяловым Д.В.

Выводы.

Решена задача о влиянии магнитного поля на проводимость квантового цилиндра со сверхрешеткой в условиях штарковской лестницы. Совместное влияние квантующих полей (электрического и магнитного) приводит к тому, что энергетический спектр носителей становится полностью дискретным. Данная особенность спектра приводит к возможности проявления штарк-гибридно-фононного резонанса, заключающегося в том, что с ростом магнитного поля плотность тока, текущего вдоль оси цилиндра, испытывает резкие скачки при общей тенденции к уменьшению. Показано, что в пределе сильных полей (для типичных параметров системы при В>105 ед. СГС) плотность тока стремится к нулю из-за увеличения зазоров между гибридными квантовыми уровнями энергии.

Заключение

.

Проведенные в данной работе исследования можно рассматривать как один из шагов по дальнейшему пониманию сущности физических процессов, происходящих в полупроводниковых нанообъектах со сверхструктурой под действием сильных постоянных электрических, магнитных и нелинейных электромагнитных полей. Помимо чисто теоретического научного интереса полученные новые сведения о свойствах материалов со сверхрешеткой могут быть полезны экспериментаторам, и лечь в основу опытов по диагностике образцов CP на наличие примесей, а также помочь в определении параметров ЭМ волн, которые в объеме CP эффективно трансформируются в кноидальные.

Перечислим основные выводы и результаты, полученные в работе:

1) Решена задача о влиянии на статическую вольт-амперную характеристику 2Э-газа со сверхрешеткой кноидальной электромагнитной волны, поляризованной перпендикулярно оси СР. Установлено, что для волн с показателем нелинейности к< 1 зависимость плотности тока от напряженности постоянного электрического поля может испытывать осцилляции, которые не связаны с переходами носителей между штарковскими подуровнями, при чем с уменьшением показателя к (и следовательно, с увеличением частоты волны со (к)) спад тока до нуля и его последующее возрастание происходят более плавно, а высота локальных максимумов уменьшается. В случае к> 1 осцилляции не наблюдаются.

Зависимость плотности тока от амплитуды нелинейной волны имеет тот же характер, что и зависимость от постоянного поля: осцилляции возможны при к< 1.

2) Рассмотрено поглощение нелинейной электромагнитной волны, поле которой выражается через эллиптические функции Якоби, в одномерной сверхрешетке. Установлено, что качественная зависимость коэффициента внутриминизонного поглощения от амплитуды кноидальной волны имеет одинаковый характер для CP с примесными центрами и без таковых. Наличие примесей продлевает область существенного поглощения (ко < па)' по) в сторону более сильных полей. Данное смещение однозначно определяется концентрацией примесей в СР.

3) Рассчитаны коэффициены примесного и внутриминизонного поглощения кноидальных волн полупроводниковой СР. Показано, что учет взаимного влияния друг на друга процессов ионизации и изменения параметров ЭМ волны существенно влияет на результаты, а именно, в приближении внешнего поля волны коэффициент примесного поглощения оказался бы смещенным в сторону больших полей.

При напряженности электрического поля волны ~103В/см (для типичных параметров CP) наблюдается резкий спад коэффициента примесного поглощения из-за эффекта насыщения концентрации электронов в минизоне.

4) Совместное влияние квантующих полей (электрического и магнитного) на полупроводниковый наноцилиндр приводит к тому, что энергетический спектр носителей становится полностью дискретным. Данная особенность спектра приводит к возможности проявления штарк-гибридно-фононного резонанса, заключающегося в том, что с ростом магнитного поля плотность тока, текущего вдоль оси цилиндра, испытывает резкие скачки при общей тенденции к уменьшению. Показано, что в пределе сильных полей (для типичных параметров системы при В>105 ед. СГС) плотность тока стремится к нулю из-за увеличения зазоров между гибридными квантовыми уровнями энергии.

Благодарности.

Своим появлением на свет данная диссертация обязана, прежде всего, моему научному руководителю Сергею Викторовичу Крючкову, которого мне хотелось бы от всего сердца поблагодарить за постановку задач, постоянную заботу и доброе отношение ко мне и моей работе. Неоценимой была помощь соавтора большинства публикаций Дмитрия Викторовича Завьялова, без профессиональной и моральной поддержки которого работа не состоялась бы.

Также хочется искренне поблагодарить моих учителей Вязовского Михаила Валентиновича и Сыродоева Геннадия Алексеевича за их вопросы по материалам диссертации, которые они задавали на научных семинарах лаборатории полупроводников и диэлектриков. Эти вопросы немало способствовали улучшению работы.

Отдельное спасибо хотелось бы сказать моему другу и коллеге Сергею Юрьевичу Глазову, постоянное обсуждение работы с которым очень помогло появлению данной диссертации.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Chang L.L., Esaki L., Howard W.E., Ludeke R. The growth of a GaAs-GaAlAs superlattice//J. Vac. Sci. Technol. — 1973. — V.10. — N1. — P. ll-16.
  2. Jl.В. О влиянии ультразвука на электронный спектр кристалла//ФТТ. 1962. — Т.4. — N8. — С.2265−2267.
  3. Esaki L., Tsu R. Superlattice and negative differential conductivity in semiconductors//IBM J. Res. Dev. 1970. — V.14. — N1. — P.61−67.
  4. Шик А. Я. Сверхрешетки периодические полупроводниковые структуры//ФТП. — 1974. — Т.8. — N10. — С.1841−1864.
  5. Ploog К., Dohler G.H. Compositional and doping superlattices in III-V semiconductors//Adv. in Phys. 1983. — V.32. — N3. — P.285−359.
  6. Dohler G.H. Solid-state superlattices//Sci. Amer. 1983. — V.249. -N3. -P.l 18−126.
  7. Vook F.L. Strained layer superlattices//Phys. Bull. 1984. — V.35. -P.474−477.
  8. Nuyen T.L. Applications of superlattices//Helvetica Physica Acta. -1983. V.56. — N1−3. — P.361−370.
  9. Ф.Г., Булгаков А. А., Тетервов А. П. Высокочастотные свойства полупроводников со сверхрешетками. М.: Наука, 1989. 288с.
  10. Физика полупроводниковых лазеров/ Под ред. Такумы X. М.: Мир, 1989. 310с.
  11. И. Херман М. Полупроводниковые сверхрешетки. М.: Мир, 1989.207с.
  12. А.П. Полупроводниковые сверхрешетки//УФН. 1985. -Т.147. — N3. — С.485−521.
  13. Voos М. Some properties of semiconductor superlattices//Ann. telecommun. 1988. — V.43. — N7−8. — P.357−364.
  14. G. H. //Phys. Rev. В.-1960, — V. I 1.-P.43 2−439.
  15. В. А. К теории проводимости электронов узких зон полупроводников в сильном электрическом поле.//ФТТ. 1961. — Т.З. -N7. -С. 1983−1986.
  16. F.Bloch. //Z. Phys. -1928. V.52. — P. 555.
  17. Feldmann J., Leo K., Shah J., Miller A.B., Cunningham J.E., Meier Т., G. von Plessen, Schulze A., Thomas P., Schmitt-Renk S.//Phys. Rev. -1992-B.46. P.7252.
  18. Leo K., Bolivar P.H., Bruggermann F., Schwedler R., Kohler K.//Solid State Commun.-1992. V.84. — P.943.
  19. K. Leo// Semicond. Sci. Technol.-1998. -V. 13 -P. 249.
  20. Waschke C., Roskos H.G., Schwedler R., Leo K., Kurz H., Kohler K.// Phys. Rev.Lett. -1993.-B.70. P.3319.
  21. Lyssenko V.G., Valusis G., Loser F., Hasche F., Leo K., Dignam M.M., Kohler K// Phys. Rev. -1997, — B.79. P.301.
  22. Sudzius M., Lyssenko V.G., Loser F., Leo K., Dignam M.M., Kohler K// Phys. Rev. -1998.- B.57. R12693.
  23. Loser F., Leo K., Kosevich Yu.A., Kohler K// Phys. Rev. -2000.-B.61. R13373.
  24. Davidson S. G., Tan K. P. Hypergeometric Solution of the Stark-Ladder effect in Crystals.//Z. Physik.-1972.- V.251.- N l.-P. 6−12.
  25. Bastard G., Fereira R. Some calculations on the Wannier-Stark states.//Surface Science.-1990.- V.229.- N 1.- P. 424−427.
  26. Berezhkovskii A.M., Ovchinnikov A.A. Temperature Dependence of the Wannier-Stark Level Width in a Semiconductor in a Strong Electric Field. //Phys. stat. sol. (b)-1983, — V. l 17.- N l.-P. 289−299.
  27. Bouchard A. M., Luban Marshall. Bloch oscillations and other dynamical phenomena of electron in semiconductor superlattices.//Phys. Rev. B.-1995.-V.52.-N7.-P. 5105−5123.
  28. Dekorsy Т., Ott R., Kurz H., Kohler K. Bloch oscillations at room temperature .//Phys. Rev. B.-l 995.- V.51.- N 23.- P. 17 275−17 278.
  29. С.В. Влияние электрического поля на поглощение звука в сверхрешетках.//ФТТ. 1979. — Т.21. -N5. — С. 1595−1597.
  30. С.В. Осцилляции электронного поглощения ультразвука в сильном электрическом поле//ФТТ. 1978. -Т. 20. -N9. — С. 2795−27 96.
  31. С.В., Яковлев В. А. Усиление гиперзвука в квантующем электрическом поле//ФТП. 1977. — Т. 11 — № 3. — С. 590−592.
  32. Fujiwara К., Shneider Н., Cingolani R., Ploog К. Successive Wannier Stark Localization and Excitonic enhancement of intersubband absorbtion in a short-period GaAs-GaAlAs superlattices//Solid State Commun. — 1989. -V.72. -N9. -P.935−939.
  33. Berezhkovskii A.M., Ovchinnikov A.A., Suris R. A. A New Method for Detecting the Warmier Stark Ladder in a Semiconductor in a Strong Electric Field.//Phys. stat sol. (b) — 1981. — V.72. — N1. — P.461 -466.
  34. Soucail В., Voisin P., Allovon M. Optical investigations of semiconductor superiatices in parallel electric and magnetic fields.// Surface Science. 1990. — V.229. -Nl. — P.468−471.
  35. В. M. О возможности усиления электромагнитной волны в полупроводнике в квантующем электрическом поле//ФТП. 1981. -Т. 15. -N10. — С.1873−1878.- Поляновский В. М.//ФТП. — 1980. — Т. 14. -N3. -С.606−610.
  36. С. Н. Поглощение света в CP в скрещенных электрическом и магнитных полях: предел сильных полей.//Письма в ЖЭТФ. -1995. -Т.62. -N3−4. С.318−323.
  37. Pistol Mats-Eric., Gershoni David. Modeling of electroabsorpdon in semiconductor quantum structuries within the eight-band kp theory.//Phys. Rev. (B). — 1994.-V.50. -N16. -P. 11 738−11 745.
  38. Glutsch S., Bechstedt F. Exited Wannier Stark slates the optical absorption of a superiattices in an electric field.// Phys.Rev.B. — 1998. -V.57.-N19. -P. 11 887−11 890.
  39. Ю.А. О дифференциальной проводимости полупроводниковых сверхрешеток//ФТТ. 2003. — T.45.-N3. — С.529−534.
  40. Ignatov A.A., Renk K.F., Dodin Е.Р.// Phys. Rev.Lett. -1993.- В.70. -P. 1996.
  41. Vengurlekar A.S., Capasso F. Miniband conduction of minority electrons and negative transconductance in a superlattice transistor//Appl. Phys. Lett.- 1990. V.56. -N.3. -P. 262−264.
  42. С. JI., Симин Г. С., Сандаловский В. Я. Влияние брэгговских отражений на высокочастотную проводимость электронной плазмы твердого тела//ФТТ. 1971. — Т. 13. — N8. — С. 2229−2233.
  43. Naraveno Hugo N., Masut Remo A. Bloch oscillations in a Boltzmarm transport equation formalism under the relaxation time approximation.//Solid State Commun, 1997. — V. 101. — N11. — P.819−823.
  44. В. В., Фирсов Ю. А. Общая теория явлений переноса для полупроводников в сильном электрическом поле//ЖЭТФ. 1971. — Т.61. -N6(12).-С. 2373−2390.
  45. И.Б., Ясевичюте Я. Влияние конечной ширины зоны проводимости на разогрев электронов в электрическом поле. //ЖЭТФ. 1972. — Т.62. -N5. — С. 1902−1912.
  46. Р. А., Шахмалова Б. С. Разогрев электронов в полупроводниках со сверхрешеткой//ФТП.-1984.-Т. 18.-N5.-C. 1178.
  47. Р. Ф., Сурис Р. А. О возможности усиления электромагнитных волн в полупроводнике со сверхрешеткой //ФТП. -1971. -Т.5. -N4.-C. 797.
  48. Р. Ф., Сурис Р. А. К теории электрических и электромагнитных свойств полупроводников со сверхрешеткой//ФТП. -1972. -T.6.-N1.-C. 148.
  49. Tsu R., Dohler A. M.//Phys. Rev. В. 1975. — V. 12. — N2. — Р.680.
  50. С. В., Кавокин А. В. Вольтамперная характеристика короткопериодной сверхрешетки в режиме баллистического транспорта. //ФТП. 1996. — Т.30. -N3. — С. 455−465.
  51. В. И., Наумов А. В. Эффект Ваннье Штарка и отрицательное дифференциальное сопротивление в карбиде кремния. //Письма в ЖЭТФ. — 1990. — Т. 16. -N7. — С. 91−95.
  52. Т. Н. Н., Tsui D. S., Tsang W. Т. Transport throgh InGaAs-InP superiattices grown by chemical beam epitaxy.//J. Appl. Phys. 1989. -V.66.-N8. -P.3688−3697.
  53. H. Т., Schneider H., von Klitzing K. Optical studies of electric field domains in GaAs-AlxGaixAs superiattices.//Phys. Rev. B. 1990. — V.41. -N5. — P.2890−2899.
  54. Bulashenco O.M., Garsia M. J., Bonilla L. L. Chaotic dynamic of electric field domains in periodically given superiattices.//Phys. Rev. B. 1996.-V.53. -N15. -P. 10 008−10 018.
  55. B.B., Эпштейн Э. М. Нелинейная высокочастотная проводимость сверхрешетки//ФТТ. 1976. — Т. 18. — N5. — С. 1483−1485.
  56. В.В., Эпштейн Э. М. Проводимость полупроводника со сверхрешеткой в сильных электрических полях //ФТП 1976. — Т. 10. -N10. -С.2001.
  57. Ignatov A. A., Romanov Yu. A. Nonlinear electromagnetic properties of semiconductor with a superlattice// Phys. Stat. Sol. (b).-1976.-V.73.- № 1.-P.327 333.
  58. А. А., Романов Ю. А. Абсолютная отрицательная проводимость в полупроводниках со сверхрешеткой//Изв. Вузов. (Радиофизика). -1978. Т. 21. — N1. — С. 132−138.
  59. Г. М., Енаки Н. А. //Изв. Вузов. (Физика). -1982. Т.25. -N1.-C. 81.
  60. В. М.. Влияние сильной электромагнитной волны на проводимость полупроводника со сверхрешеткой//ФТТ. -1980. Т. 22. -N4. — С. 1105.
  61. С.В., Яковлев В. А. О возможности эффекта фотостимулированной отрицательной проводимости полупроводников. //ФТП. 1976.-T.10.-N1. — С. 171−172.
  62. А.А., Романов Ю. А. Самоиндуцированная прозрачность в полупроводниках со сверхрешеткой//ФТТ. 1975. — Т.17. — N11. — С.3388−3389.
  63. Л.К., Романов Ю. А. Нелинейное взаимодействие двух волн в полупроводниках со сверхрешеткой//ФТТ. 1977. — Т. 19. — N3. — С.726−731.
  64. Ю.А., Бовин В. П., Орлов JI.K. Нелинейное усиление электромагнитных колебаний в полупроводниках со сверхрешеткой// ФТП. -1978. Т.12. — N9. — С.1665−1669.
  65. JT.K., Романов Ю. А. Распадная неустойчивость электромагнитных волн в сверхрешетках//Изв. ВУЗов. Радиофизика. 1980. -Т.23. -N12. — С.1421−1427.
  66. Cheng W. Nonlinear optics of semiconductor MOWs/AOih. Physics. -1986. T.15. — N6. — C.345−349.
  67. Э.М. Солитоны в сверхрешетке//ФТТ. 1977. — Т. 19. -N11. — С.3456−3458.
  68. M.J., Каир D.J., Newell А.С., Segur Н. Method for solving the sine-Gordon equation//Phys. Rev. Lett. 1973. — V.30. — N25. — P. 1262−1264.
  69. Ф.Г., Лыках B.A., Тетервов А. П. Нелинейные волны в полупроводнике со сверхрешеткой в постоянном электрическом поле// ФТП. 1982. — Т.16. — N5. — С.865−871.
  70. В.Е., Манаков С. В., Новиков С. П., Питаевский Л. П. Теория солитонов. М.: Наука, 1980. 327с.
  71. М., Сигур X. Солитоны и метод обратной задачи. М.: Мир, 1987. -479с.
  72. Р., Эйлбек Дж., Гиббон Дж., Моррис X. Солитоны и нелинейные волновые уравнения. М.: Мир, 1988. — 294с.
  73. Солитоны/под ред. Р. Буллафа, Ф. Кодри. М.: Мир, 1983. -408с.
  74. Ф., Дегасперис А. Спектральные преобразования и солитоны. М.: Мир, 1985. — 356с.
  75. Солитоны в действии/под ред. К. Лонгрена, Э. Скотта. М.: Мир, 1981. — 312с.
  76. Э.М. Затухание солитона в сверхрешетке//Изв. ВУЗов СССР. Радиофизика. 1981. — Т.24. — N10. — С.1293−1294.
  77. Э.М. Ионизация примесей солитоном в сверхрешетке//Изв. ВУЗов СССР. Радиофизика. 1982. — Т.25. — N1. — С.3−5.
  78. С.В. Эволюция параметров солитона в сверхрешетке в процессе ионизации примесей//ФТП. 1991. — Т.25. -N3. — С.568−571.
  79. Э.М. Увлечение электронов солитонами в полупроводниковой сверхрешетке//ФТП. 1980. — Т. 14. — N12. — С.2422−2424.
  80. Э.М. Усиление и обращение солитоноэлектрического тока в сверхрешетке внешним магнитым полем//ФТП. 1982. — Т.16. — N12. -С.2231−2233
  81. В.И., Маслов Е. М., Соловьев В. В. Динамика бионов в длинных джозефсоновских контактах//ЖЭТФ. 1983. — Т.84. — N1. — С.289−299.
  82. В., Levring О.A., Mygind J., Pedersen N.F., Soerensen O.H., Cirillo M. //Phys. Rev. Lett. 1981. — V.46. — P. 1299.
  83. C.B., Сыродоев Г. А. Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке//ФТП. 1990. — Т.24. — N5. — С.913−915.
  84. С.В., Сыродоев Г. А. Затухание бризера в сверхрешетке//ФТП. 1990. — Т.24. — N6. — С. 1120−1123.
  85. Справочник по специальным функциям/ под ред. М. Абрамовица, И.Стигана. М.: Наука, 1979. 832с.
  86. Н.И. Элементы теории эллиптических функций. М.: Наука, 1970.
  87. М.Б. Нелинейное возбуждение волнового пакета в сегнетоэлектриках типа порядок-беспорядок // Изв. ВУЗов, сер. Физика, 1997, № 8., стр.98−102.
  88. М.Б., Пацюк А. Д., Немеш В. В., Кабаков В. В. Взаимодействие одномерного электронного потока с электрическим полем нелинейной акустической волны в сегнетоэлектрике. // Известия Вузов, Сер. Электромеханика. № 2−3, 1998. с. 19−22.
  89. С. В., Попов К. А. Ионизация примесных центров в полупроводниковой квантовой сверхрешетке нелинейными электромагнитными волнами//ФТП. 1998. — Т.32. — N3. — С.334−337.
  90. С. В., Шаповалов А. И. К теории светоэлектрического эффекта в режиме нелинейных волн в сверхрешетке//0птика и спектроскопия. 1996. — Т.81. — N2. — С.336−340.
  91. С. В., Попов К. А. Увлечение носителей тока в сверхрешетке при ионизации примесных центров нелинейными электромагнитными волнами/Юптика и спектроскопия. 1998. — Т.32. — N3. -С.334−337.
  92. С.В., Попов К. А. Эффект Франца-Келдыша в сверхрешетке в поле нелинейной электромагнитной волны//Изв. ВУЗов. Радиофизика. -1998. Т.41. — N6. — С.758−766.
  93. Chen Нао, Chen Yuan. Cnoidal waves and solitons in the quantum lattice gas model in a ring and effects of the Aharonov-Bohm flux on them//Phis.status solidi. B. -2000. -V.217. -№ 2. -P. 847−859.
  94. Л.Д., Лифшиц Е. М. Квантовая механика. М.: Наука, 1989.- 768с.
  95. А.И., Зельдович Я. Б., Переломов A.M. Рассеяние, реакции и распады в нерелятивистской квантовой механике. М.: Наука, 1989. 288.
  96. В.В., Эпштейн Э. М. Квантовая теория поглощения электромагнитных волн свободными носителями в полупроводниках со сверхрешеткой //ФТТ. 1977. — Т. 19. -N9. — С. 1760.
  97. В.М. Многофотонное поглощение электромагнитной волны полупроводником со сверхрешеткой//ФТП. 1980. -Т. 14. -N12. — С.2380−2384.
  98. Д. В., Крючков С. В. Поглощение сильной электромагнитной волны электронами сверхрешетки в квантующем электрическом поле//ФТП. -1999. -Т. 33. -В. 11. -С. 1355−1358.
  99. В.В. О нелинейном усилении электромагнитной волны в полупроводнике со сверхрешеткой.//ФТТ. 1977. — Т. 19. — N1. — С.97 — 99.
  100. В.М. О возможности взаимного усиления электромагнитных волн в полупроводниках с узкой зоной проводимости.//ЖЭТФ. 1980. — Т.79. — N6(12). — С.2189−2195.
  101. А. Г. Локализация электронов и оптические свойства сверхрешеток в электрическом поле// ФТТ. -1992. Т. 34. — N. 11. — С. 35 013 510.
  102. Je. К.-С., Meier Т., Rossi F., Koch S. W. Theory of guasiequilibrlum nonlinear optical absorption in semiconductor superlattices.//Appl. Phys. Lett-1995, — V.67.- N 20, — P. 2978 2980.
  103. Ю4.Жилич А. Г., Эльц Э. К. Магнитооптическое поглощение узкозонным полупроводником в импульсном периодическомэлектрическом поле.//ФТТ. -1989. -Т.31. -N8. С. 1−8.
  104. Л.В. О влиянии сильного электрического поля на оптические хактеристики непроводящих кристаллов//ЖЭТФ. 1958. — Т.34. -N5. — С.1138−1141.
  105. Frantz W. Einflusseines electrischen Felden auf eine optische Absorptionskante//Z. Naturforscung. 1958. — V.13. — N6. — P.484−489.
  106. Ю.А., Дыхне A.M. Пробой полупроводников в переменном электрическом поле//ЖЭТФ. 1970. — Т.58. — N5. — С. 1734−1743.
  107. Dohler G.H., Ruden P.P. Theory of absorption in doping superlattices//Phys. Rev. B. 1984. — V.30. — N10. — P.5932−5944.
  108. Ю9.Кумашян M.K., Киракосян А. А. Эффект Франца-Келдыша в полупроводниковой сверхрешетке//Физика (Ереван). 1987. — N7. — С. 139−143.
  109. Ю.Крючков С. В., Сыродоев Г. А. Эффект Франца-Келдыша в узкозонных полупроводниках в сильном переменном поле//Изв. ВУЗов СССР. Радиофизика. 1990. — Т.ЗЗ. — N6. — С.762−764.
  110. Murphy Catherine J., Coffer Jeffery L. Quantum dots// Appl.Spectrosc. 2002. -V.56. -№ 1. — P.16A-27A.
  111. Zucker J.E. Quantum well electro-optic effects and novel device applications // Braz. J. Phis. 1996. -V.26. -№ 1. -P. 128−136.
  112. Ryzhii V. The theory of quantum-dot infrared phototransistors // Semicond. Sci. And Technol. -1996. V. l 1. -№ 5. -P.759−765.
  113. Choi K.K., Bandara S.V., Gunapala S.D., Liu W.K., Fastenau J.M. Detection wavelength of InGaAs/AlGaAs quantum well and superlattices // J. Appl. Phis. 2002. — V.91. — № 2. — P.551−564.
  114. Dawson L. Ralph. MBE growth of strained layer superlattices and quantum wells // J. Cryst. Growth. — 1989. — V.98. — № 1−2. — P.220−225.
  115. Stradling R.A. The electronic properties and applications of quantum well and superlattices of III-V narrow gap semiconductors//Braz. J. Phys. 1996. -V.26. -№ 1. — P.7−20.
  116. Ryan J.F., Tatham M. Picosecond optical studies od 2D electron 2D phonon dynamics // Solid State Electron. — 1989. — V.32. — № 12. — P. 1429−1435.
  117. Wendler L., Bechstedt F. The physics of low-dimensional systems: quantum wells and superiattices // Wiss. Z. Friedrich-Schiller-Univ., Jena. Naturwiss. R. 1989. — V.38. -№ 6. — P.763−798.
  118. Puters Francois M., Hipolito O. Low dimensional semiconductor structures // Braz. J. Phys.- 1992. V.22. — № 2. — P. 183−193.
  119. Prinz V.Ya., Seleznev V.A., Samoylov V.A., Gutakovsky A.K.//Microelectr. Eng. 1996. -V.30.-P.439.
  120. V.Ya., Seleznev V.A., Gutakovsky A.K., 24th Intern. Conf. on Semiconductor Physics, Jerusalem, Israel -1998, Abstracts.
  121. Prinz V.Ya., Seleznev V.A., Gutakovsky A.K., Chehovskiy A.V., Preobrazhenskii V.V., Putyato M.A., Gavrilova T.A. Free-standing and overgrown InGaAs/GaAs nanotubes, nanohelices and their arrays//Physica.E. 2000. — V.6. -№ 1−4. — P.828−831.
  122. В.А., Маргулис В. А., Шорохов A.B. Магнитный отклик двумерного вырожденного газа в наноструктурах с цилиндрической симметрией//ЖЭТФ.-1999.-Т. 115. -№ 4 С. 1450−1462.
  123. Л.И., Чаплик А. В. // ЖЭТФ.-1999.-Т.115. -№ 4 С. 14 781 481.
  124. А.И., Чаплик А. В. Двумерные электроны в спирально свернутых квантовых ямах// ЖЭТФ. 2000. — Т. 117. -№ 2. — С. 449−451.
  125. Л.И., Романов Д. А., Чаплик А. В. Кинетика электронов на искривленной поверхности//Письма в ЖЭТФ. 1996. — Т.64. — № 6. -С.421−426.
  126. В.М., Романов Д. А. Электронные состояния вблизи искривленной границы раздела сред//ЖЭТФ. -1986. Т.90. -В. 1-С.232−239.
  127. В.В., Сурис Р. А. //ФТТ. 1994. — Т.36. — С.1899.
  128. В.А., Султанян Г. Г. Квантово-размерный эффект Штарка в полупроводниковом цилиндрическом слое//Изв.НАН Армении. Физ. 2003. — Т.38. — № 1. -С.36−42.
  129. М.В., Махонец О. М., Проц I.B. Властивосп фононних, електронних та д1рковых спектр1 В деяких цшпндричних наногетеросистем//Укр. ф1з. ж. 2001. -Т.46. -№ 7. -С.727−734.
  130. Н.В., Жаркой В. П. Спектр и электрон-фононное взаимодействие в среде с цилиндрической квантовой проволокой//ФТП. — 1999. Т.ЗЗ. — № 5. — С.598−602.
  131. Yu SeGi, Pevzner V.B., Kim K.W., Stroscio Michael A. Electrophonon resonance in cylindrical quantum wires//Phys.Rev.B. 1998. -V.58. — № 7. — P.3580−3583.
  132. B.H., Зегря Г. Г., Маханец A.M., Пронишин И. В., Ткач Н. В. Спектры электронов и дырок в сверхрешетке цилиндрических квантовых проволок//ФТП. 1999. — Т.ЗЗ. — № 5-С.603−605.
  133. Masale М. Oscillator strengths for optical transitions in a hollow cylinder//Physica. B. 2000. -V.292. -№ 3−4. — P.241−249.
  134. Masale M. Optical transitions in a cylindrical quantum wire//Physica. E. 1999. -V.5. -№ 1−2. — P.89−107.
  135. Kelly M.J. Quantum pilars electron states and magnetic depopulation in the ideal system // J. Phis.Condens.Matter. -1989. V.l. -№ 41. -P.7635−7641.
  136. Н.Г., Маргулис В. А., Шорохов A.B. Электродинамическая восприимчивость квантовой нанотрубки в параллельном магнитном поле// ФТТ. -2002. -Т.44. —№ 3. -С.466−467.
  137. Н.Г., Маргулис В. А., Шорохов А. В. Внутризонное поглощение электромагнитного излучения квантовыми наноструктурами с параболическим потенциалом конфайнмента // ФТТ. 2001 — Т.43. — № 3. -С. 511 — 519.
  138. А.И., Говоров А. О., Чаплик А. В. Плазменные колебания в нанотрубках и эффект Аронова-Бома для плазмонов// ЖЭТФ. -2001. Т. 120. — № 4. — С.979−985.
  139. Brey L., Jonson N.F., Halperin B.I. Optical and magneto optical absorption in parabolic quantum wells // Phis. Rev. B. — 1989. — 40, № 15. -P. 10 647−10 649.
  140. X., Фрезе P., Кирш В., Саймон Б. Операторы Шредингера с приложениями к квантовой механике и глобальной геометрии. М.- Мир, 1990. -207с.
  141. Geiselbrecht W., Sahr U., Masten A., Grabner O., Klutz U., Forkel M., Dohler G.H., Campman., Gossard A.C.//Physica E2. -1998. 106.
  142. Э.П., Хамидулин P. А. Особенности электропроводности параболической квантовой ямы в магнитном поле//ФТП. 2002. — Т.36. — № 8. — С.989−992.
  143. В.Д., Зайцев Р. В. Примесное поглощение света в структурах с квантовыми точками// ФТТ.-2001.-Т.43.-№ 3. С.504−507.
  144. L., Grigoryan V.G. //Physica B245. 1998. -127.
  145. Г. М., Квен З. Д., Бесман В. Б., Вильмс П. П., Коваленко Н. В., Мошегов Н. Г., Торопов А. В. Осцилляции Шубникова-Де-Гааза двумерного электронного газа в двумерном периодическом потенциале//ФТП. —1992 — Т.26. -В.З.-С. 539−542.
  146. Notzel R.//Semicond. Sci. Technol. 1996. — V. l 1. -P.1359.
  147. K., Dorda G., Pepper M. //Phys.Rev.Lett. 1980. — V. 451. P. 494.
  148. Т., Фаулер А., Стерн Ф. Электронные свойства двумерных систем. М.: Мир, 1985. 416с.
  149. Быков А. А, Гусев Г. М., Квон З. Д. и др.//Письма в ЖЭТФ. -1991. -Т. 53. -№ 8. -С. 407.
  150. Xie Y.H., Fitzgerald E.A., Monroe D., Silverman P.J., Watson G.P. Fabrication of high mobility two-dimensional electron and hole gases in GeSi/Si // J.Appl.Phys. -1993.-V. 73. -P.8364.
  151. Umansky V., De-Piccolotto R., Heiblum M. Extremely Ligh-mobility two—dimensional electron gas: Evaluation of seattening mechanisms.// Appl.Phys.Lett. -1997. -V.71. -P. 683.
  152. B.A., Петров B.A., Сандомирский В. Б. Поверхность с высокими кристаллографическими индексами сверхрешетка для двумерных электронов//УФН. -1980. -Т.131.-В.З. -С. 423−440.
  153. Д., Эйкерс JL, Гринич Э. Электроника ультрабольших интегральных схем. М.: Мир, -1991. -328с.
  154. С.В., Шаповалов А. И. О возможности распространения электромагнитного солитона в двумерной сверхрешетке//ФТТ. -1997. -Т. 39. -№ 8. -С. 1470−1472.
  155. Д. В., Крючков С. В. Статическая вольт амперная характеристика CP в условиях воздействия нелинейной электромагнитной волны // ФТП -2001. -Т. 35. -В. 5. -С. 575−578.
  156. А.И. Введение в теорию полупроводников. М.: Наука, -1978.-616с.
  157. Дж. Теория энергетической зонной структуры. М.: Мир, -1969.-360 с.
  158. В. А. Многофотонное поглощение света носителями токаII ФТП. -1972. -Т. 6. -В. 4. -С. 758−760.
  159. Бонч-Бруевич В.Д., Калашников С. Г. Физика полупроводников.М.: Наука,-1977.-672с.
  160. С.В., Михеев Н.П.// ФТП. -1984.-Т.18.-С.1296.163.3еегер К. Физика полупроводников. М.: Мир, 1977 615с.
  161. Н.И., Шумай И. П. Физика мощного лазерногоизлучения. М: Наука, 1991. 312с.
  162. А.Ф., Богданкевич Л. С., Рухадзе А. А. Основы электродинамики плазмы. М.: Высшая школа, 1988. 424 с.
  163. Л.Д. Собрание трудов, том 1. М.: Наука, 1969. 512 с.
  164. Э.П., Соковнич С. М. Электроиндуцированная люминесценция в параболических квантовых ямах в магнитном поле//ФТТ.-2000.-Т.42 В.9-С. 1685
  165. В.А. //ЖЭТФ. 1997. -Т. 111 -С. 1092.
  166. Поляновский В.М.//ФТП. 1981. — Т. 15. — В. 10. — С.2051−2054.
  167. Л. Туннельный эффект в сверхпроводниках и его применение.М.: Мир, 1974. -430 с.
  168. С.В., Мещерякова Н. Е. Поглощение электромагнитного излучения электронами сверхрешетки// Тезисы докладов VI Межвузовской конференции студентов и молодых ученых Волгограда и волгоградской области. Волгоград. — 2002. — С. 13−14.
  169. С.В., Мещерякова Н. Е. Поглощение нелинейных волн электронами сверхрешетки// Сборник тезисов Восьмой Всероссийской Научной Конференции Студентов физиков и молодых ученых (ВНКСФ-8). — Екатеринбург. — 2002. — С. 131−133.
  170. С. В., Мещерякова Н. Е. Поглощение нелинейных электромагнитных волн электронами полупроводниковой сверхрешетки // Деп. в ВИНИТИ 12.07.2002 №Ш4-В2002. 14с.
  171. Д.В., Крючков С. В., Мещерякова Н. Е. Влияние магнитного поля на проводимость квантового цилиндра со сверхрешеткой// Труды XIV Межнационального Совещания «Радиационная физика твердого тела». Севастополь. — 2004. — С. 503−507.
  172. С.В., Мещерякова Н. Е. Поглощение света электронами проводимости полупроводниковой сверхрешетки// Вестник ВолГУ. Серия 9. Вып. 1. 2001. 4.2. С.27−30.
  173. С.В., Мещерякова Н. Е. Влияние нелинейной электромагнитной волны на проводимость 2D-ra3a со сверхрешеткой в условиях штарковского квантования// Вестник ВолГУ. Серия 9. Вып. 3. 20 032 004. 4.2. С.15−19.
  174. Д.В., Крючков С. В., Мещерякова Н. Е. Влияние нелинейной электромагнитной волны на плотность тока в поверхностной сверхрешетке в сильном электрическом поле// ФТП. 2005. — Т. 39. -В. 2. -С.214−217.
  175. Д.В., Крючков С. В., Мещерякова Н. Е. Поглощение кноидальных электромагнитных волн электронами сверхрешетки в процессе ионизации примесей//Оптика и спектроскопия. 2004. — Т.96. — N1. — С.71−73.
  176. Завьялов Д-В., Крючков С. В., Мещерякова Н. Е. Внутриминизонное поглощение нелинейной электромагнитной волны в полупроводниковой сверхрешетке//Оптика и спектроскопия. 2005. — Т.98. -N1. — С.23−27.
  177. Д.В., Крючков С. В., Мещерякова Н. Е. Влияние квантующего магнитного поля на проводимость квантового цилиндра в условиях штарковского квантования// ФТТ. 2005. — Т.47. — В.6. — С. 11 301 132.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!