Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Влияние sp-d обменного взаимодействия на экситонные состояния в полумагнитных полупроводниковых квантовых ямах и точках

Диссертация: Влияние sp-d обменного взаимодействия на экситонные состояния в полумагнитных полупроводниковых квантовых ямах и точках
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Оптические исследования полумагнитных КТ показали, что sp-d взаимодействие приводит к дополнительному уширению линий фотолюминесценции (ФЛ) из-за флуктуаций намагниченности ионов магнитной примеси в области локализации носителя заряда. Ширина линии экситонной ФЛ полумагнитных КТ в гетероструктурах CdSe/ZnMnSe в отсутствие магнитного поля достигает ~ 10 мэВ, что приводит к полному замыванию тонкой… Читать ещё >

Влияние sp-d обменного взаимодействия на экситонные состояния в полумагнитных полупроводниковых квантовых ямах и точках (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. Литературный обзор
    • 1. 1. Полумагнитные полупроводники
    • 1. 2. Получение полупроводниковых гетероструктур
    • 1. 3. Магнитный полярон
    • 1. 4. Оптические свойства экситонов в квантовых точках
      • 1. 4. 1. Экситон в изотропных и анизотропных незаряженных квантовых точках
      • 1. 4. 2. Экситон в продольном и поперечном магнитном поле
      • 1. 4. 3. Трион в продольном и поперечном магнитном поле
  • 2. Методика эксперимента
    • 2. 1. Структура образцов
    • 2. 2. Методика микрофотолюминесценции
    • 2. 3. Экспериментальная установка
      • 2. 3. 1. Экспериментальное оборудование и используемые методики
      • 2. 3. 2. Времяинтегрированные измерения
      • 2. 3. 3. Времяразрешённые измерения
  • 3. Отрицательно заряженные экситоны (трионы) в полумагнитных квантовых точках CdSe/ZnSe/ZnMnSe
    • 3. 1. Излучение экситонов из отрицательно заряженных одиночных полумагнитных квантовых точек
    • 3. 2. Зеемановское расщепление линий фотолюминесценции трионов
    • 3. 3. Спиновая релаксация и безызлучательная рекомбинация трионов
  • Выводы главы
  • 4. Эффект sp-d обменного взаимодействия на экситонные состояния в нейтральных квантовых точках CdSe/ZnSe/ZnMnSe
    • 4. 1. Излучение экситонов из нейтральных квантовых точек
    • 4. 2. Энергия переходов и волновые функции экситонных состояний
    • 4. 3. Энергия переходов: сравнение с экспериментом
    • 4. 4. Поляронный эффект в нейтральных квантовых точках
    • 4. 5. Спиновая релаксация и безызлучательная рекомбинация экситонов
  • Выводы главы
  • 5. Безызлучательная рекомбинация в полумагнитных квантовых точках
    • 5. 1. Анизотропия квантового выхода излучения из ансамбля
  • ZnSe/CdMnSe квантовых точек в магнитном поле
    • 5. 2. Матричные элементы безызлучательного перехода
    • 5. 3. Анизотропия квантового выхода: сравнение с экспериментом
  • Выводы главы
  • 6. Экситонные магнитные поляроны в квантовых ямах типа II ZnMnSe/ZnSSe
    • 6. 1. ЭМП в ZnMnSe/ZnSSe КЯ при непрерывном возбуждении
      • 6. 1. 1. Излучение из ZnMnSe/ZnSSe КЯ при вариации температуры, плотности возбуждения и во внешнем магнитном поле
      • 6. 1. 2. Размер области дырочной локализации и интенсивность фононной реплики ЭМП от магнитного поля
      • 6. 1. 3. Зеемановское расщепление уровней в магнитном поле
    • 6. 2. ЭМП в ZnMnSe/ZnSSe КЯ при импульсном возбуждении 119 6.2.1 .Фотолюминесцентные исследования ЭМП с высоким временным разрешением
      • 6. 2. 2. Эффект безызлучательной рекомбинации экситонов 6.2.3 Магнитная локализация. Механизмы формирования ЭМП
  • Выводы главы
  • Заключение
  • Список литературы

Последние три десятилетия развития физики твёрдого тела характеризуются тем, что основными объектами исследования всё- в большей степени становятся не массивные кристаллы, а тонкие плёнки, многослойные тонкоплёночные системы и кристаллиты малого размера. В таких системах существенно меняется большинство электронных свойстввозникает большое число новых, так называемых размерных эффектов. Наиболее кардинальной перестройкой свойств отличаются квантовые размерные структуры, в которых свободные носители заряда локализованы в одном (квантовые ямы), двух (квантовые проволоки) или трёх координатных направлениях в области порядка дебройлевской длины волны носителей (квантовые точки). При этом происходит изменение наиболее фундаментальной характеристики электронной системы — её- энергетического спектра, который становится дискретным. Квантовые структуры, в которых движение носителей ограничено во всех трёх направлениях, напоминают искусственные атомы и их энергетический спектр является чисто дискретным.

Квантово-размерные структуры обладают целой совокупностью уникальных свойств, весьма далёких от тех, которые можно наблюдать в системе обычных, трёхмерных электронов и дырок. Такие структуры могут служить для создания новых типов полупроводниковых приборов, в первую очередь, для оптои наноэлектроники.

То обстоятельство, что квантово-размерные структуры находятся в центре внимания именно сейчас, вызвано интенсивным развитием в последние годы технологии изготовления полупроводниковых гетероструктур — молекулярно-пучковой эпитаксии, нанолитографии, открытием явления самоорганизации наноструктур. Это даёт возможность создания структур любого профиля с точностью до одного атомного слоя.

Полупроводниковые квантовые точки (КТ) представляют собой квазинульмерные электронные структуры, где движение носителей ограничено во всех трёх направлениях очень малой областью характеризуемой обычно десятком нанометров.

Оптические исследования на одиночных КТ открывают новую область фундаментальной науки. Полупроводниковые КТ с размерами меньшими, чем боровский радиус экситона объёмного полупроводника дают возможность исследования кулоновского и электрон-дырочного обменного взаимодействия экситона в трёхмерно пространственно ограниченной системе.

В последнее десятилетие активно развивались методы спектроскопии высокого пространственного разрешения, позволяющие выделять спектры индивидуальных КТ нанометровых размеров в массивах КТ высокой плотности. Эти методы были успешно применены для исследования индивидуальных КТ в AnBVI и AmBv немагнитных п/п [1,2].

Возможность спектроскопического анализа электрон-дырочных состояний в одиночных КТ, достигнутая в последнее десятилетие, привела к качественному скачку в фундаментальных исследованиях этих объектов. Различные экситонные состояния (экситоны, биэкситоны, трионы) были тщательно проанализированы в КТ в AnBVI [3] и AmBv [4] немагнитых структурах с самоорганизующимися КТ.

В тоже время основное внимание в исследованиях экситонных состояний в КТ в последнее время привлекают возможности использования спиновой подсистемы экситонов в КТ в различных областях спинтроники [5,6]. Использование спинового состояния носителя перпективно для реализации квантового бита (qubit) и квантовых вычислений, а также реализации магнитной и магнитооптической памяти [7,8]. С этой точки зрения весьма интересными являются полумагнитные полупроводниковые КТ, позволяющие реализовать большую спиновую поляризацию носителей в слабых магнитных полях благодаря sp-d обменному взаимодействию между носителями заряда и ионами магнитных примесей.

Исследования индивидуальных полумагнитных КТ пока немногочисленны и в основном ограничены изучением основного состояния экситона в незаряженных КТ [9,10,11].

Оптические исследования полумагнитных КТ показали, что sp-d взаимодействие приводит к дополнительному уширению линий фотолюминесценции (ФЛ) из-за флуктуаций намагниченности ионов магнитной примеси в области локализации носителя заряда [10,12,13]. Ширина линии экситонной ФЛ полумагнитных КТ в гетероструктурах CdSe/ZnMnSe в отсутствие магнитного поля достигает ~ 10 мэВ, что приводит к полному замыванию тонкой структуры спиновых состояний в КТ. Кроме того, наличие магнитной примеси в полупроводниках с большой шириной запрещенной зоны приводит к радикальному уменьшению сигнала ФЛ по сравнению с немагнитными образцами из-за процессов безызлучательной рекомбинации на магнитных ионах [14,15].

Для того чтобы уменьшить влияние этих эффектов, в данной работе были выбраны КТ в гетероструктурах CdSe/ZnSe/ZnMnSe, в которых между слоем КТ и полумагнитным барьером добавлен немагнитный ZnSe слой, увеличивающий расстояние между КТ и ионами марганца.

Введение

дополнительного слоя приводит к уменьшению доли волновой функции электронов и дырок в полумагнитном слое. Это приводит, с одной стороны, к уменьшению sp-d обменного взаимодействия и, следовательно, спинового расщепления в магнитном поле, а с другой стороны, к сужению линий ФЛ, уменьшению скоростей спиновой релаксации и' безызлучательной рекомбинации.

Варьируя толщину ZnSe слоя, можно реализовать условия, когда sp-d обменное взаимодействие спинов электронов (дырок) с магнитными ионами доминирует над электрон-дырочным обменным взаимодействием, а неоднородное уширение экситонных уровней становится меньше расщепления экситонных состояний в одиночных КТ вследствие обменного электрон-дырочного взаимодействия. Такие условия были реализованы в данной работе, что позволило не только исследовать влияние sp-d обменного взаимодействия на энергию основного состояния экситона в нейтральных и заряженных КТ, но и детально изучить эффект этого взаимодействия на тонкую структуру.

Одним из наиболее широко исследуемых эффектов обменного взаимодействия в полумагнитных структурах является формирование ЭМП [16,17]. Несмотря на интенсивные исследования свойств ЭМП в полумагнитных полупроводниковых гетероструктурах [17,18], ряд вопросов, касающихся кинетики формирования и распада ЭМП, до настоящего времени так и не получил полного экспериментального прояснения. К их числу, в частности, относятся проблемы конкуренции механизмов магнитной и немагнитной локализации и сосуществования в гетероструктурах ZnixMnxSe/ZnSySeiy с квантовыми ямами (КЯ) и сверхрешётками типа II экситонных состояний с сильной и слабой магнитной локализацией [19,20].

Для определения природы этого явления в данной работе были исследованы множественные КЯ ZnixMnxSe/ZnSxSeix, характеризующиеся большими временами жизни экситонных состояний, что позволило исследовать ЭМП в квазиравновесных условиях и подробно изучить механизмы его формирования.

Другой сновной задачей работы было экспериментальное исследование спектров ФЛ индивидуальных полумагнитных КТ при низких температурах в высоких магнитных полях и изучение тонкой структуры линий излучения различных электрон-дырочных комплексов в полумагнитных КТ со слабой величиной обменного взаимодействия.

Диссертационная работа состоит из введения, шести глав, заключения и списка цитируемой литературы. В первой главе представлен литературный обзор работ, по исследованию полумагнитных полупроводников и гетероструктур на их основе, работ по различным технологическим методикам эпитаксиального роста КТ, а также работ связанных с изучением фундаментальных оптических свойств одиночных КТ. Вторая глава посвящена экспериментальной методике данной работы и описанию изучаемых образцов. В главах 3−6 представлены результаты экспериментальной работы, по материалам которой опубликовано 5 печатных работ в научных журналах.

Основные результаты диссертации изложены в следующих печатных работах:

1. А. V. Chernenko, P. S. Dorozhkin, V. D. Kulakovskii, A. S. Brichkin, S. V. Ivanov and A. A. Toropov «Auger recombination of excitons in semimagnetic quantum dot structure in a magnetic field» Phys. Rev. В 72, 45 302 (2005).

2. P. S. Dorozhkin, A. S. Brichkin, V. D. Kulakovskii, A. V. Chernenko, S. V. Zaitsev, S. V. Ivanov, A. A. Toropov «Electron-hole complexes in individual semimagnetic quantum dots» Phys. Stat Sol. (a) V. 202, Issue 14, p.2609 (2005).

3. А. С. Бричкин, А. В. Черненко, Е. А. Чехович, П. С. Дорожкин, В. Д. Кулаковекий, С. В. Иванов, А. А Торопов «Отрицательно заряженные экситоны в полумагнитных квантовых точках» CdSe/ZnSe/ZnMnSe" ЖЭТФ, Том 132, Вып. 2, стр. 426 (2007).

4. Е. A. Chekhovich, A.S. Brichkin, A.V. Chernenko, V.D. Kulakovskii, I.V. Sedova, S.V. Sorokin, and S.V. Ivanov «Effect of sp-d exchange interaction on excitonic states in CdSe/ZnSe/ZnMnSe quantum dots» Phys. Rev. В 76, 165 305 (2007).

5. Максимов A.A., Пашков A.B., Бричкин А. С., Кулаковекий В. Д., Тартаковский И. И., Торопов А. А., Иванов С. В. «Долгоживущие локализованные магнитные поляроны в сверхрешётках второго типа ZnMnSe/ZnSSe» ЖЭТФ, Том 133, Вып. 6, стр. 1290 (2008).

В заключение автор хочет выразить свою искреннюю благодарность научному руководителю работы Кулаковскому Владимиру Дмитриевичу за формулировку интересной темы исследований и всестороннюю поддержку на протяжении всего учебного и исследовательского процесса, а также обеспечение современной экспериментальной базы, необходимой для качественной работы.

Успешная работа автора была бы невозможна без помощи и поддержки сотрудников Лаборатории Неравновесных Электронных Процессов. Отдельно автору хочется поблагодарить за огромную помощь в работе Александра Черненко, а также Павла Дорожкина и Андрея Максимова за плодотворное сотрудничество.

Также автор хочет сказать спасибо своим родителям Бричкину С. Б. и Бричкиной М. В., а также супруге Екатерине, без поддержки которых выполнение данной работы было бы невозможным.

Заключение

.

Результаты отдельных этапов работы подробно описаны в конце соответствующих глав. Резюмируя изложенное, основные положения работы, выносимые на защиту, формулируются следующим образом:

1) Исследовано влияние sp-d обменного взаимодействия на тонкую структуру экситонных состояний в нейтральных и заряженных полумагнитных CdSe/ZnSe/ZnMnSe КТ в условиях, когда величины электрон-дырочного и sp-d обменного взаимодействий одного порядка.

2) Найдено, что в нейтральных CdSe/ZnSe/ZnMnSe КТ с пониженной симметрией магнитные флуктуации приводят к увеличению расщепления линейно поляризованных светлых экситонных состояний и их частичной деполяризации в нулевом магнитном поле. В магнитном поле B||0z взаимодействие носителей с ионами Мп приводит к сильному увеличению спиновой релаксации между двумя светлыми экситонными состояниями (J=l) уже при доле волновой функции экситона в полумагнитном барьере г|~2%, тогда как релаксация между состояниями с J=1 и J=2 остаётся пренебрежимо малой даже при Г| ~4%.

3) Найдено, что увеличение доли проникновения волновой функции носителей в полумагнитный барьер до г|~4% приводит к существенному уменьшению квантового выхода излучения экситонов как в нейтральных, так и в заряженных КТ из-за роста скорости безызлучательной рекомбинации с возбуждением ионов Мп.

4) Найдено, что в заряженных CdSe/ZnSe/ZnMnSe КТ, в отличие от нейтральных КТ, магнитное поле в геометрии Фарадея не ведёт к подавлению безызлучательной рекомбинации в основном спиновом состоянии триона, однако подавляет её- в возбуждённом спиновом состоянии, что в условиях малой скорости спиновой релаксации дырок приводит к доминированию в сильном магнитном поле излучения из возбуждённого состояния триона.

5) Обнаружена сильная зависимость скорости безызлучательной рекомбинации экситонов в КТ от направления магнитного поля. Получены правила отбора для спин-зависимой безызлучательной рекомбинации в КТ в магнитном поле. Показано, что безызлучательная рекомбинация экситонов с возбуждением иона Мп разрешена при условии сохранения проекции на ось Oz суммарного спина системы «экситон + ион Мп». Рост квантового выхода излучения светлых экситонов в поле B||0z обусловлен вымораживанием спинов Мп в состояние с Sz=-5/2. Низкая квантовая эффективность излучения в поле BL0z связана со смешиванием экситонных состояний с разной проекцией спина.

6) В гетероструктурах ZnMnSe/ZnSSe с КЯ второго типа из анализа отношения интенсивностей IiLOmP/Imp линии фононного повторения и бесфононной линии ЭМП найдена зависимость радиуса локализации ЭМП от магнитного поля в геометрии Фарадея и Фойгта. Найдено, что локализация фотовозбуждённых дырок идёт по двум каналам: сильная магнитная локализация в центре ZnMnSe КЯ и слабая — на её- границе. Проанализированы вклады в формирование ЭМП от магнитной и немагнитной локализации.

Показать весь текст

Список литературы

  1. H.F.Hess, Е. Betzig, T.D. Harris, L.N. Pfeiffer, K.W. West,
  2. Near-field spectroscopy of the quantum constituents of a luminescent system! I, Science 264, pp.1740−1745, (1994).
  3. D.Gammon, E.S. Snow, B.V. Shanabrook, D.S. Katzer and D. Park,
  4. Homogeneous Linewidths in the Optical Spectrum of a Single Gallium Arsenide Quantum Dot/1 Science 273, pp. 87−90, (1996).
  5. B. Patton, W. Langbein, and U. Woggon
  6. Trion, biexciton, and exciton dynamics in single self-assembled CdSe quantum dots/I Phys. Rev. В 68, pp.125 316−125 324, (2003).
  7. D.D.Awschalom, D. Loss, N. Samarth //Semiconductor Spintronics and Quantum Computations//, (Springer-Verlag, Berlin 2002).
  8. P. Ball, 11 Meet the spin doctors! Nature, 404, p.918, (2000).
  9. G. A. Prinz, IIMagnetoelectronicsll Science, 282, pp. 1660−1663, (1998)
  10. S.A. Wolf, D.D. Awschalom, R.A. Buhrman, J. M. Daughton, S. von Molnar, M. L. Roukes, A. Y. Chtchelkanova and D. M. Treger, IISpintronics: A Spin-Based Electronics Vision for the Future! I Science, 294, p. 1488, (2001).
  11. A. Hundt, J. Puls and F. Henneberger, I/Spin properties of self-organized diluted magnetic Cdj. xMnxSe quantum dots// Phys. Rev. В 69, p.121 309, (2004).
  12. Phys. Rev. В 68, p.195 313, (2003).
  13. J. Seufert, G. Bacher, M. Scheibner, A. Forchel, S. Lee, M. Dobrowolska, and J. K. Furdyna, IIDynamical Spin Response in Semimagnetic Quantum Dots// Phys. Rev. Lett. 88, p.27 402, (2001).
  14. A. A. Maksimov, G. Bacher, A. McDonald, V. D. Kulakovskii, A. Forchel, C. R. Becker, G. Landwehr, and L. W. Molenkamp,
  15. Magnetic polarons in a single diluted magnetic semiconductor quantum dot// Phys. Rev. В 62, p.7767, (2000).
  16. S. Makowski, S. Lee, J. K. Furdyna, M. Dobrowolska, G. Prechal, W. Heiss, J. Kossut, and G. Karczewski, //Growth and Optical Properties of Mn-Containing II-VI Quantum Dots// Phys. Stat. Sol. (b), 229, p.469, (2002).
  17. M. Nawrocki, Yu. G. Rubo, J. P. Lascaray, and D. Coquillat, //Suppression of the Auger recombination due to spin polarization of excess2"Ьcarriers and Mn ions in the semimagnetic semiconductor Cd0.95Mn0.05S// Phys. Rev. В 52, p.2241, (1995).
  18. P. A. Wolf, //Theory of bound magnetic polarons in semimagnetic semiconductors!7 in «Semiconductors and Semimetals» vol.25, ed. by J.K.
  19. Furdyna and J. Kossut, pp. 413−454 (Academic Press, London, 1988)
  20. J.K. Furdyna, //Diluted Magnetic Semiconductors// J. Appl. Phys. 64, R29, (1988).
  21. D. R. Yakovlev, G. Mackh, B. Kuhn-Heinrich, W. Ossau, A. Waag, G. Landwehr, R. Hellmann, and E. O. Gobel, HExciton magnetic polarons in short-period CdTe/Cdl-xMnxTe superlattices// Phys. Rev. В 52, p. 12 033, (1995).
  22. Phys. Rev. В 73, p.245 335, (2006).
  23. А. В. Комаров, C.M. Рябченко, И. И. Жеру, Р. Д. Иванчук, О. В. Терлецкий, IIМагнитооптические исследования и двойной оптико-магнитный резонанс экситонной полосы в CdTe: Mnll
  24. ЖЭТФ 73, с.608−618, (1977).
  25. С.М. Рябченко, I/Гигантское спиновое расщепление экситонных состояний и оптическое детектирование магнитного резонанса в кристаллах А2В6 с магнитными примесями//
  26. Изв.АН СССР (сер. физ) 46, с.440−445, (1982).
  27. N.Brandt and V.V. Moshchalkov, //Semimagnetic semiconductors! I Advanced in Physics 33, pp. 193−256, (1984)
  28. B.E. Larson, K.C. Hass and R.L.Aggarwal, //Effect of internal exchange field on magnetization steps in diluted magnetic semiconductors!/, Phys. Rev. В 33, pp. 1789−1796,(1986).
  29. S. Oseroff and P.H.Keesom //Magnetic properties: Macroscopic studies// in «Semiconductors and Semimetals» Vol.25, ed. by J.K. Furdyna and J. Kossut, (Academic Press, London), pp.73−123, (1988).
  30. J.A. Gaj and A. Golnik, «Influence of magnetic fluctuations on energy gap in CdMnTe», Acta Physica Polonica A 71, p.197−203, (1987).
  31. W.J. Ossau and B. Kuhn-Heinrich, //Dimensional dependence of antiferromagnetism in diluted magnetic semiconductor structures!'/. PhysicaB 184, p.422−431,(1993)
  32. J.A. Gaj, W. Grieshaber, C. Bodin-Deshayes, J. Cibert, G. Feuillet, Y. Merle d’Aubigne and A. Wasiela, «Magneto-optical study of interface mixing in the CdTe/(CdMn)Те system». Phys. Rev. В 50, p.5512−5527, (1994).
  33. P. J. Klar, D. Wolverson, J.J. Davies, W. Heimbrodt, and M. Happ,
  34. HDetermination of the chemical valence-band offset for Znj. xMnxSe/ZnSe multiple quantum-well structures of high xH, Phys. Rev. В 57, p7103−7113, (1998).
  35. L. A. Kolodziejski, Т. C. Bonsett, R.L. Gunshor, S. Datta, R.B. Bylsma, W.M. Becker, N. Otsuka, //Molecular beam epitaxy of diluted magnetic semiconductor (Cd.Mn)Te superlatticesH Appl. Phys. Lett. 45, pp. 440−442, (1984).
  36. R.N. Bicknell, R.W. Yanka, N.C. Giles-Taylor, D.K. Blanks, E.L. Buckland, and J.F. Schetzina, //(Cd.Mn)Te-CdTe multilayers grown by molecular beam epitaxy// Appl. Phys. Lett. 45, pp 92−94, (1984).
  37. A.Y. Cho, J. R. Arthur, //Molecular beam epitaxy//, Prog. Sol. St. Chem., Vol. 10, p.157−190, (1975).
  38. S.H. Xin, P.D. Wang, Aie Yin, C. Kim, M. Dobrowolska, J.L.Merz, and J.K. Furdyna, //Formation of self-assembling CdSe quantum dots on ZnSe by molecular beam epitaxy// Appl. Phys. Lett, 69, p.3884, (1996).
  39. F. Flack, N. Samarth, V. Nikitin, P.A. Crowell, J. Shi, J. Levy, and D. Awschalom, //Near-field optical spectroscopy of localized excitons in strained CdSe quantum dots// Phys. Rev. B 54, p.17 312, (1996).
  40. Y. Terai, S Kuroda, and K. Takita, HSelf-organized formation and photoluminescence of Cd^xMnxTe quantum dots grown on ZnTe by atomic layer epitaxy!/ Appl. Phys. Lett. 76, p.2400, (2000).
  41. L. Esaki, R. Tsu, //Superlattice and negative differential conductivity in semiconductors // IBM J. Res. Dev., v. 14, p. 61−65, (1970).
  42. G.H. Doler, //Electron states in crystals with «nipi-superstructure"// Phys. Stat. Sol. (b), v. 52, p. 79−92, (1972).
  43. M. von Ortenberg, I I Spin superlattice with tunable minigap // Phys. Rev. Lett., 49, pp. 1041−1043, (1982).
  44. D.C. Houghton, M. Davies, M. Dion, IIDesign criteria for structurally stable, highly strained multiple quantum well devices I I
  45. Appl. Phys. Lett., v. 64, pp. 505−507, (1994).
  46. T.V. Shubina, S.V. Ivanov, A.A. Toropov, G.N. Aliev, M.G. Tkatchman, S.V. Sorokin, N.D. Il’inskaya, P. S. Kop’ev, //Extremely thick ZnCdSe/ZnSSe multiple quantum-well heterostructures for optoelectronic applications//
  47. J. Cryst. Growth, v. 184/185, pp. 596−600, (1998).
  48. P.G. De Gennes, //Effects of double exchange in magnetic crystals!/, Phys. Rev. 118, pp.141−154, (1960).
  49. T. Kasuya, and A. Yanase, //Anomalous transport phenomena in Eu-chalcogenide alloys!7, Rev.Mod. Phys. 40, pp.684−696, (1968).
  50. T. Kasuya, A. Yanase, and T. Takeda,
  51. Stability condition for the paramagnetic polaron in a magnetic semiconductor! Solid State Commun. 8, pp. 1543−1546, (1970).
  52. C.M. Рябченко, Ю. Г. Семёнов, !IЛокализованные состояния электрона, определяемые спиновыми корреляциями в парамагнитном полупроводнике/! ФТТ26, с. 3347−3354, (1984).
  53. L.Swierkowski and Т. Dietl, //Stability of self-traped magnetic polarons// Acta Physika Polonica A 73, pp.431−434, (1988).
  54. Д. Г. Алов, С, И. Губарев, В. Б. Тимофеев, Б. Н. Шепель, //Комбинационное рассеяние с переворотом спина электрона в магнитопримесном полупроводнике CdSiMnH
  55. Письма в ЖЭТФ 34, с. 76−80, (1981).
  56. D. Heiman, P.A.Wolf, and J. Warnock, //Spin-flip Raman scattering, bound magnetic polaron, and fluctuations in (Cd, Mn) SeH
  57. Phys Rev В 27, pp. 4848−4860, (1983).
  58. Tran Hong Nhung, R. Planel, C. Benoit a la Guillaume and A.K. Bhattacharjee, dAcceptor-bound magnetic polaron in (Cd, Mn) Te semimagnetic semiconductors!/ Phys. Rev. B, 31, pp.2388−2395, (1985).
  59. Ю.Ф. Берковская, E. M. Вахабова, Б. JI. Гельмонт, И. А. Меркулов, НМагнитополяронный эффект на связанном состоянии акцептора в полумагнитных полупроводниках// ЖЭТФ 94, с 183−195, (1988).
  60. С. A. Huber, А. V. Nurmikko, М. Gal, and A. Wolf, HMagnetic polaron contribution to donor bound exciton in (Cd, Mn) Sell Solid State Commun. 46, pp.41−43, (1983).
  61. С.И. Губарев, Б. Н. Шепель, IIИзлучение экситонов и экситон-примесных комплексов в кристалах Cdj. xMnxSeH Письма в ЖЭТФ 37, с. 528−531, (1983).
  62. A. Golnik, J. Gaj, R. Planel and C. Benoit a la Guillaume, //Optical observation of a magnetic molecule in (Cd, Mn) TeH J.Phys.Soc.Japan Suppl. A 49, pp.819−822, (1980).
  63. A. Golnik, J. Ginter and J. Gaj, //Magnetic polarons in exciton luminescence of (Cd, Mn) Te/l, J.Phys. C, 16, p.6073, (1983).
  64. J.J. Zayhowski, C. Jagannath, R. N Kershaw, D. Ridgley, K. Dwight, and A. Wold, //Picosecond time-resolved photoluminescence studies of exciton magnetic polaron complexes in (Cd.MrfTeH, Solid State Commun. 55, pp.941−945, (1985).
  65. J. Warnock, R. N Kershaw, D. Ridgley, K. Dwight, A. Wold and R.R. Galazka, //Localized exsitons and magnetic polaron formation in (Cd, Mn) Se and (Cd, Mn) TeH J. Luminescence 34, pp.25−35, (1985).
  66. T. Dietl and J. Spalek, HEffect of fluctuation of magnetization on the bound magnetic polaron: Comparison with experiment!/
  67. Phys. Rev. Lett. 48, pp. 355−358, (1982).
  68. T. Dietl and J. Spalek, HEffect of thermodynamic fluctuations of magnetization on the bound magnetic polaron in dilute magnetic semiconductors!7
  69. Phys. Rev. В 28, pp.1548−1563, (1983).
  70. I.A. Merkulov, K.V. Kavokin, //Two-dimensional magnetic polarons: Anisotropic spin structure of the ground state and magneto-optical properties// Phys. Rev. В 52, pp. 1751−1758, (1995).
  71. К. В. Кавокин, «Кинетика двумерных магнитных поляронов» ФТТ, 35, с. 1624−1640, (1993).
  72. К.В. Кавокин, И. А. Меркулов, Д. Р. Яковлев, //Магнитные поляроны в гетероструктурах на основе полумагнитных полупроводников//
  73. ФТТ, 40, с. 800−802, (1998).
  74. K.V. Kavokin, I.A. Merkulov, D.R. Yakovlev, W. Ossau, and G. Landwehr, HExciton localization in semimagnetic semiconductors probed by magnetic polarons// Phys. Rev. В 60, pp.16 499−16 505, (1999).
  75. Д.Р. //Экситонные магнитные поляроны в квантово-размерных гетероструктурах!7 (Докторская диссертация). Физико-технический институт РАН им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, (1998).
  76. T.Itoh and E. Komatsu, //Magnetic polaron formation of localized excitons in semimagnetic semiconductor alloy of Cd0. sMn0.2Te//
  77. J.Luminescence 38, pp. 266−268, (1987).
  78. H. Krenn, K. Kaltenegger, T. Dietl, J. Spalek, G. Bauer,
  79. UPhotoinduced magnetization in dilute magnetic (semimagnetic) semiconductors/7 Phys. Rev. B. 39, pp. 10 918−10 934, (1989).
  80. T. Dietl, P. Peyla, W. Grieshaber, and Y. Merle d’Aubigne, //Dynamics of spin organization in diluted magnetic semiconductors!7 Phys. Rev. Lett. 74, pp. 474−477, (1995).
  81. C. D. Poweleit, A.R. Hodges, T.-B. Sun, L.M. Smith, and B.T. Jonker, HExciton spin thermalization in strained and relaxed Znj. xMnxSe epilayersll Phys. Rev. B. 59, pp.7610−7619, (1999).
  82. G. Mackh, W. Ossau, D.R. Yakovlev, G. Landwehr, R. Hellmann, E.O. Gobel, T. Wojtowicz, G. Karczewski and J. Kossut, HExciton magnetic polarons in CdTe/(CdMn)Te quantum wells with high manganese contents!7
  83. Solid State. Commun. 96, pp. 297−304, (1995).
  84. E. L. Ivchenko and G.E. Pikus I I Super lattices and Other Heterostructures: Symmetry and Optical Phenomenal I Springer-Verlag, New-York, (1995).
  85. D. Gammon, E. S. Snow, В. V. Shanabrook, D. S. Katzer, and D. Park,
  86. Fine structure splitting in the optical spectra of single GaAs quantum dots/1 Phys. Rev. Lett. 76, p.3005, (1996).
  87. V. D. Kulakovskii, G. Bacher, R. Weigand, T. Kummell, A. Forchel, E. Borovitskaya, К Leonardi, and D. Hommel, I'/Fine structure of biexciton emission in symmetric and asymmetric CdSe/ZnSe single quantum dots/I
  88. Phys. Rev. Lett. 82, p. 1780, (1999).
  89. A. Hartmann, Y. Ducommun, E. Kapon, U. Hohenester, and E. Molinari.
  90. I Few-particle effects in semiconductor quantum dots: Observation of multicharged excitonsll Phys. Rev. Lett. 84, p. 5648, (2000).
  91. V. Turck, S. Rodt, R. Heitz, O. Stier, M. Strassburg, U.W. Pohl, and D. Bimberg, //Charged excitons and biexcitons in self-organized CdSe quantum dots/1 Phys. Status Solidi B, 224, p.217, (2001).
  92. J.G. Tischler, A.S. Bracker, D. Gammon, and D. Park.
  93. Fine structure of trions and excitons in single GaAs quantum dots// Phys. Rev. B, 66, p.81 310, (2002).
  94. А.А. Торопов, A.B. Лебедев, С. В. Сорокин, Д. Д. Солнышков, С. В. Иванов, П. С. Копьев, И. А. Буянова, В. М. Чен, Б. Монемар, // Полумагнитные сверхрешетки типа II ZnMnSe/ZnSSe: рост и магнитолюминесцентные свойства // ФТП, т. 36, с. 1372−1378, (2002).
  95. J. -Y. Marzin, J. -M. Gerard, A. Izrael, D. Barrier and G. Bastard HPhotoluminescence of Single InAs Quantum Dots Obtained by Self-Organized Growth on GaAsll Phys. Rev. Lett. 73, p. 716, (1994).
  96. B. Urbaszek, R. J. Warburton, K. Karrai, B. D. Gerardot, P. M. Petroff and J. M. Garcia I/Fine Structure of Highly Charged Excitons in Semiconductor Quantum Dots // Phys. Rev. Lett. 90, p. 247 403, (2003).
  97. L. Besombes, Y. Leger, L. Maingault, D. Ferrand, H. Mariette and J. Cibert
  98. Probing the Spin State of a Single Magnetic Ion in an Individual Quantum Dot// Phys. Rev. Lett. 93, p.207 403, (2004).
  99. Y. Leger, L. Besombes, L. Maingault, D. Ferrand, and H. Mariette, //Hole spin anisotropy in single Mn-doped quantum dots//
  100. Phys. Rev. В 72, p.241 309, (2005).
  101. A. K. Bhattacharjee, C. Benoit «a la Guillaume HExciton magnetic polaron in semimagnetic semiconductor nanocrystals// Phys. Rev. В 55, p. 10 613, (1997)
  102. P. S. Dorozhkin, A. S. Brichkin, V. D. Kulakovskii, A. V. Chernenko, S. V. Zaitsev, S. V. Ivanov, and A. A. Toropov HElectron-hole complexesin individual semimagnetic quantum dots//
  103. Phys. stat. sol. (a) 202, No. 14, pp.2609−2613, (2005).
  104. A.V.Kudinov, I.A. Akimov, Yu.G. Kusraev, and F. Henneberger //Optical and magnetic anisotropics of the hole states in Stranski-Krastanov quantum dots/1 Phys. Rev В 70, p.241 305, (2004).
  105. Y. Leger, L. Besombes, L. Maingault, D. Ferrand, and H. Mariette,
  106. HGeometrical Effects on the Optical Properties of Quantum Dots Doped with a Single Magnetic Atom// Phys. Rev. Lett. 95, p.47 403, (2005)
  107. J. Puis, M. Rabe, H.-J. Wunsche and F. Henneberger
  108. Magneto-optical study of the exciton fine structure in self-assembled CdSe quantum dots II Phys. Rev В 60, p. 16 303, (1999).
  109. Yu. G. Kusrayev, A. V. Koudinov, I. G. Aksyanov, B. P. Zakharchenya, T. Wojtowicz, G. Karczewski, and J. Kossut ИExtreme In-Plane Anisotropy of the Heavy-Hole g Factor in (001)-CdTe/CdMnTe Quantum Wells//
  110. Phys. Rev. Lett. 82, p.3176, (1999).
  111. J. A. Gupta and D. D. Awschalom, AI. L. Efros, A. V. Rodina IISpin dynamics in semiconductor nanocrystalsll Phys. Rev В 66, p. 125 307, (2002).
  112. A. V. Chernenko, P. S. Dorozhkin, V. D. Kulakovskii, A. S. Brichkin, S. V. Ivanov and A. A. Toropov IIAuger recombination of excitons in semimagnetic quantum dot structure in a magnetic field! I Phys. Rev В 72, p.0453 02, (2005).
  113. T. Flissikovskii, I.A. Akimov, A. Hundt and F. Henneberger /7Single-hole spin relaxation in a quantum dotll Phys.Rev. В 68, p.161 309, (2003).
  114. H. W. van Kesteren, E. C. Cosman, W. A. J. A. van der Poel, and
  115. С. T. Foxon, // Fine structure of excitons in type-II GaAs/AlAs quantum wells II Phys. Rev. В 41, p.5283, (1990).
  116. G. Bacher, R. Weigand, J. Seufert, V. D. Kulakovskii, N. A. Gippius, A. Forchel, K. Leonardi, and D. Hommel, IIBiexciton versus Exciton Lifetime in a Single Semiconductor Quantum Dotll Phys. Rev. Lett.83, p.4417, (1999).
  117. В. Ф. // Внутрицентровые переходы ионов группы железа в полупроводниковых матрицах группы II-VIII ФТТ 44, 213, (2002).
  118. С. S. Kim, М. Kim, S. Lee, J. Kossut, J. К. Furdyna, and M. Dobrowolska, HCdSe quantum dots in a Zni. xMnxSe matrix: new effects due to the presence of Мп II J. Cryst. Growth 214/215, p.395, (2000).
  119. P. R. Kratzert, J. Puis, M. Rabe, and F. Henneberger, //Growth and magneto-optical properties of sub 10 nm (Cd, Mn) Se quantum dotsH Appl.Phys.Lett. 79, p.2814, (2001).
  120. K. Shibata, E. Nakayama, I. Souma, A. Murayama, Y. Oka
  121. HExciton Recombination Processes in Cdj. xMnxSe/ZnSe Quantum Dots under Magnetic Fields/У Phys. Stat. Sol.(b) 229, p.473, (2002).
  122. S. Lee, M. Dobrowolska, and J. K. Furdyna, //Effect of spin-dependentr'r
  123. Mn internal transitions in CdSe/Znj-xMnxSe magnetic semiconductor quantum dot systems // Phys. Rev. В 72, p.75 320, (2005).
  124. H. Falk, J. Hubner, P. J. Klar, and W. Heimbrodt // Intralayer and interlayer energy transfer from excitonic states into the Mn 3d5 shell in diluted magnetic semiconductor structures// Phys. Rev. В 68, p.165 203, (2003).
  125. C. Ballhousen, I/Introduction to Ligand Field Theory/J McGraw-Hill, New York, (1962).
  126. S. Sugano, Y. Tanabe, and H. Kamimura, // Multiplets of Transition Metal Ions/7 Academic, New York, (1970).
  127. Nguen Que Huong and J. L. Birman //Theory of luminescent emission in nanocrystal ZnS: Mn with an extra electron/7 Phys. Rev. В 69, p.85 321, (2004).
  128. B. Kuhn-Heinrich, W. Ossau, E. Bangert, A. Waag, and G. Landwehr,
  129. Zeeman pattern of semimagnetic (CdMn)Te/(CdMg)Te quantum wells in inplane magnetic field// Solid State Commun. v.91, pp. 413−418, (1994).
  130. T. Stirner, J. Miao, W. E. Hagston, S. Takeyama, G. Karczewski,
  131. T. Wojtowicz, and J. Kossut, HExciton magnetic polarons in asymmetric diluted magnetic semiconductor quantum wells// Phys. Rev. В 60, p. 11 545, (1999).
  132. C. D. Poweleit, L. M. Smith, and В. T. Jonker, //Observation of long-lived exciton magnetic polarons in Znj. xMnxSe/ZnSe multiple quantum wells H
  133. Phys. Rev. В 50, p.18 662, (1994).
  134. G. Mackh, W. Ossau, D. R. Yakovlev, A. Waag, G. Landwehr, R. Hellmann and E. O. Gobel, //Localized exciton magnetic polarons in Cdi. xMnxTe/l
  135. Phys. Rev. В 49, pp.10 248 10 258, (1994).
  136. M. Suffczynski and L. Wolniewicz IISize of exciton bound to a neutral impurity// Phys. Rev. В 40, p.6250, (1989).
  137. K. Huang and A. Rhys I/Theory of Light Absorption and Non-Radiative Transitions in F-CentresH Proc. R. Soc. bond. A 204, pp.406−423, (1950).
  138. S. Kalliakos, X. B. Zhang, T. Taliercio, P. Lefebvre, B. Gil, N. Grandjean, B. Damilano, and J. Massies //Large size dependence of exciton-longitudinal-optical-phonon coupling in nitride-based quantum wells and quantum boxes//
  139. Appl. Phys. Lett. 80, p. 428, (2001).
  140. A. L. Gurskii //Nature of the impurity bands of the edge luminescence of highly doped compensated ZnSe: NH
  141. Journal of Applied Spectroscopy, Vol. 67, No. 1, (2000)
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!