Пример оценки интенсивности отказов микросхемы с учетом теплового моделирования

Результаты сравнительной оценки надежности микросхемы SP8855D1G HCAR, используемой в аппаратуре группы 5.1 (космическая аппаратура), по критерию интенсивности отказов для температуры окружающей среды.

+50°С с учетом теплоного моделирования (Х₂) и без него (к_{) с использованием справочных данных по коэффициентам помещены в табл. 11.2, где коэффициенты имеют следующий смысл: k_Tучитывает температуру эксплуатации; k_np — уровень военной приемки; k₃ учитывает, что блок относится к бортовой аппаратуре, а X- — базовая интенсивность отказов.

Таблица 11.2

Значения коэффициентов модели и результаты оценки интенсивности отказов микросхемы SP8855D1G HCAR

Определим алгебраические модели интенсивностей отказов как.

Нетрудно сообразить, что проигрыш в надежности с учетом перегрева (см. рис. 11.13) определяется из соотношения Х₂/^ ⁼ ^п/^т ⁼ 14,24/7,14 = = 1,994 398 «2. Таким образом, в результате 27-градусного перегрева согласно результатам теплового моделирования интенсивность отказов увеличивается почти в два раза. Этот же вывод качественно справедлив и для ЭРИ, которые могут находиться в зоне перегретой микросхемы, т. е. для резисторов, транзисторов и т. д., установленных на плату методом высоконлотного монтажа. Потребуется проведение дополнительного теоретического анализа их надежности.