Лекция 7. ФАКТОРЫ НАКОПЛЕНИЯ ФОТОННОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Число нерассеянных фотонов в мононаправленном пучке изменяется с толщиной вещества х по экспоненциальному закону (см. ЛЗ).

где I — линейный коэффициент ослабления. Формула (7.1) определяет ослабление нерассеянного (узкого, коллимированного) пучка, когда детектор регистрирует только излучение, которое не испытало взаимодействий с атомами вещества и имеет то же направление и энергию, что и излучение источника. Поле фотонного излучения в реальных задачах определяется не только нерассеянным излучением источника, но и рассеянными фотонами, которые испытали однократное или многократное взаимодействие в воздухе или материале защиты. Кроме этого, в детектор попадает также вторичное излучение-, анни;

гиляционное, характеристическое, тормозное.

Рис. 7.1. Траектории фотонов, типичные для геометрии широкого пучка

На рис. 7.1 изображена геометрия, когда детектор (D) регистрирует нерассеянное (первичное), рассеянное и вторичное излучение. Такая геометрия называется геометрией широкого пучка или «плохой» геометрией.

Выражение (7.1) удобно для расчета ослабления нсрасссянного излучения в веществе. Чтобы сохранить простоту записи и при этом учесть рассеянное и вторичное излучение поступают следующим образом. Рассеянное и вторичное излучение учитывают введением в закон ослабления (7.1) излучения сомножителя — фактора накопления фотонного излучения.